SU1114253A1 - Способ изготовлени выпр мительных элементов - Google Patents

Способ изготовлени выпр мительных элементов Download PDF

Info

Publication number
SU1114253A1
SU1114253A1 SU833540851A SU3540851A SU1114253A1 SU 1114253 A1 SU1114253 A1 SU 1114253A1 SU 833540851 A SU833540851 A SU 833540851A SU 3540851 A SU3540851 A SU 3540851A SU 1114253 A1 SU1114253 A1 SU 1114253A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
silver
electrode
semiconductor structure
aluminum
welding
Prior art date
Application number
SU833540851A
Other languages
English (en)
Inventor
Э.Р. Галинский
О.М. Корольков
Г.Н. Сурженков
Г.К. Тоомсоо
Е.Д. Хуторянский
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Производственного Объединения "Тэз Им.М.И.Калинина"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Производственного Объединения "Тэз Им.М.И.Калинина" filed Critical Научно-Исследовательский Институт Производственного Объединения "Тэз Им.М.И.Калинина"
Priority to SU833540851A priority Critical patent/SU1114253A1/ru
Priority to SE8303838A priority patent/SE8303838L/xx
Priority to DE19833325355 priority patent/DE3325355A1/de
Priority to FR8312001A priority patent/FR2540673B1/fr
Priority to JP58154242A priority patent/JPS59144176A/ja
Priority to IT4160483A priority patent/IT1195541B/it
Application granted granted Critical
Publication of SU1114253A1 publication Critical patent/SU1114253A1/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/20Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
    • H10W70/24Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates characterised by materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331Connecting techniques
    • H10W72/07336Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/59Bond pads specially adapted therefor

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий нанесение на поверхность вьшр мительного элемента сло  алюмини  или сплавов на основы алюмини  и его соединение с электродом из серебра или сплавов на основе серебра, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества выпр мительных элементов, соединение выпр мительного элемента с электродом осуществл ют путем диффузионной сварки с последующим охлаждением до температуры 230-250 С со скоростью 0,1-15 с .

Description

1 1 Изобретение относитс  к области электротехники, а более точно к способам изготовлени  вьтр мительных . элементов. Изобретение может быть использовано при изготовлении силовых полупроводниковых приборов с прижимными контактами таблеточной и штыревой конструкции. Известен способ изготовлени  выпр мительного элемента, включаюпщй соединение полупроводниковой структуры с электродом из серебра или его сплавов путем прижати  электрода к металлизированной поверхности полупроводниковой структуры с помощью . пружинной шайбы. Недостатками этого способа  вл етс  то, что он не обеспечивает непосредственного контакта с физическо непрерывностью вдоль границы раздела между смежными поверхност ми, т.е. жесткого непосредственного креплени  электрода из серебра или его сплавов к металлизированной поверхности полу проводниковой структуры, что приводи к увеличению теплового сопротивлени  полупроводникового прибора в целом. При ТОКОВОМ:циклировании полупроводникового прибора происходит разогрев и охлаждение элементов, при это в силу разности коэффициентов термического расширени  контактирующие элементы мен ют свои линейные размеры в разной степени, в силу чего про исходит проскальзывание электрода из серебра или его сплавов по контактирующим с ним поверхност м. По мере циклировани  полупроводни ковых приборов, изготовленных вьшеописанным способом, происходит пластическа  деформаци  электрода из серебра , так называемое выжимание элек рода, в силу действи  повтор ющихс  раст гивающих сил из-за трени . Это заключаетс  в увеличении исходного диаметра электрода, утонении периферийных областей и, как следствие,, уменьшении эффективного п тна контак та, по которому происходит передача электрической и тепловой энергии. По мимо этого, выжимание электрода из серебра приводит к ослаблению усили  сжати  и, соответственно, к возраста нию теплового сопротивлени , перегре ву и ускорению деградации электричес ких и эксплуатационных свойств. На периферийных участках электрода из 32 серебра возможно отсутствие плотного контакта и развитие процессов электроэррозии . Наиболее близким техническим решением  вл етс  способ изготовлени  выпр мительного элемента, включающий нанесение на поверхность выпр мительного элемента сло  алюмини  или сплавов на основе алюмини  и его соединение с электродом из серебра или сплавов на основе серебра. В этом способе электрод крепитс  к поверхности полупроводниковой структуры кремниевым резиновым клеем. Введение дополнительного промежуточного сло  кле  приводит к возрастанию теплового сопротивлени  и импульсного пр мого напр жени , При токовом циклировании выпр мительного элемента происходит разогрев и охлаждение элементов, в результате чего в слое кле  происход т процессы старени , что приводит к деградации электрических и эксплуатационных свойств приборов в целом. Цель изобретени  - повышение качества выпр мительных элементов за счет снижени  теплового сопротивлени  и уменьшени  деградации электрических и эксплуатационных свойств. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе изготовлени  выпр мительных элементов, включающем нанесение на поверхность вьшр мительного элемента сло  алюмини  или сплавов на основе алюмини  и его соединение с электродом из серебра или сплавов на основе серебра, соединение выпр мительного элемента с электродом осушествл ют путем диффузионной сварки с последующим охлаждением до температуры 230-250°С со скоростью 0,115 с- . Использование диффузионной сварки дл  осуществлени  жесткого непосредственного соединени  электрода с металлизированной полупроводниковой структурой обуславливает создание (возникновение) металлических св зей между поверхностными аюмами элект- рода и атомами поверхности металлизированной полупроводниковой структуры на всей номинальной площади контакта, что гарантирует снижение теплового сопротивлени  в силу действи  наиболее эффективного атомно-молекул рного механизма теплопроводности в этом контакте в отличие от других, чисто прижимных контактов, где теплопередача осуществл етс  помимо теплопроводнос ти еще конвекцией и излучением. Таким образом, диффузионное сварное соединение электрода с металлизи рованной полупроводниковой структуро позвол ет улучшить качество изготовл емых вьтр мительных элементов за счет уменьшени  деградации эксплуата ционных характеристик , так как этим способом легко обеспечиваетс  плотИый физический контакт по всей номинальной поверхности и минимизируетс  тепловое сопротивление, одновременно исключа  выжимание электрода в процессе циклировани . Последнее достигаетс  тем, что радиальные раст гиваюпще усили , возникающие в процессе циклировани , воспринимаютс  не только электродом, как в случае свободно расположенных электродов, а и той поверхностью, к которой жестко диффузионной сваркой присоединен электрод. В процессе диффузионной сварки в области сварного шва происходит обра зование твердого раствора алюмини  с серебром. При охлаждении после сварки при температуре 390 С (согласно диаграмме состо ни ) происходит пери тектоидна  реакщ   распада пересыщенного твердого раствора с образова нием интерметаллического соединени  oi +y5p :AgjAl. Другими словами, должна происходить диффузионна  перестро ка кристаллической решетки пересьщен ного твердого раствора с образование интерметаллического соединени . Образование промежуточного сло  такого интерметаллида крайне нежелательно в силу того, что ои noBbmiaef тепловое сопротивление, приводит к существенной потере прочности и пластичности жесткого непосредственного соединени электрода из серебра или его сплавов с алюминиевой металлизацией, а это, в свою очередь, может привести к раз рушению соединени , особенно в случае циклического воздействи  нагрузок , возникакицих при циклировании. Проведение охлаждени  после диффузионной сварки с определенной скоростью предотвращает образование и локализацию нежелательного сло  интерметаллидов . Это достигаетс  при проведении охлаждени  со скоростью 0,1-15 с в диапазоне температур, начина  ,с температуры сварки до 250-230С. Таким образом, происходит закалка, т.е. фиксаци  неравновесного состо ни  пересьпценного твердого раствора алюмини  в серебре. При температуре ниже 230°С диффузионные процессы настолько замедл ютс , что образование прослойки интерметаллидов ;становитс  невозможным. При охлаж )деиии в указанном диапазоне температур со скоростью менее 0,1 в зоipie сварного соединени  образуетс  толстый спой интерметаллида Ag.Al-. При скорости охлаждени  больше 15 , по вл етс  опасность образовани  трещин в полупроводниковой структуре из-за теплового удара и отсутстви  времени дл  релаксации напр жений. Сущность изобретени  по сн етс  подробным описанием примеров его осуществлени  . При изготовлении выпр мительного элемента собираетс  пакет, состо щий из двух дисковых электродов серебра и металлизированной полупроводниковой структуры, у которой может быть многослойна  металлизаци  разными металлами, но при этом внешними сло ми металлизации с обеих сторон должен быть алюминий или его сплавы. Собранньй пакет нагревают до. температуры сварки 550°С в вакууме 66,5 мПа, сжимают с удельным усилием 15 мПа в течение 300 с и после сварки охлаждают до температуры 230250°С со скоростью от О,1 до 15 , формиру  при этом одновременно жесткие непосредственные сварные соединени  обоих электродов с полупроводниковой структурой. Пример 1, Изготавливают выпр мительный элемент диода ДЧ 143-1000 А диаметром 32 мм. Кремниева  полупроводникова  структуры соединена с вольфрамовым диском и металлизирована с обеих сторон дисками алюминиевой фольги, В качестве электродов использованы диски серебра марки 9999 диаметром 32 мм толщиной 0,1 мм. Диффузионна  сварка осуществл етс  по приведенному выше режиму, а охлаждение от 550 до ведут со скоростью 0,15 с . Проведенные после сварки металлографические и микрорентгеноспектральные исследовани  зоны сварного соединени  однозначно засвидетельствовали отсутствие в зоне сварки сло  интерметаллидов AgjAl. Последующие испытани  диодов ДЧ 143-1000 А показали их высоки электрические, тепловые и эксплуатационные характеристики. Пример 2. Изготавливают выпр мительные элементы тиристора Т171-200/320, диаметром 32 мм. Кремниева  полупроводникова  структура, соединенна  с вольфрамовым диском и металлизированна  с обеих сторон дис ками алюмини , соедин етс  с электро :дами из серебра диаметром 32 мм толщиной 0,12 мм способом диффузионной сварки цо указанному режиму. Охлажде ние в интервале температур 550-250 С вели со скоростью 14 . Металлографическими исследовани ми на п ти .выпр мительных элементах отмечено от сутствие прослойки интерметаллидов в сварной зоне и трещин в полупроводниковой структуре, Испытани  выпр мительных элементо в приборах показали высокие характеристики и преимущества предлагаемого способа в части электрических и теп|повых параметров, Пр. имер 3. Изготавливали выпр мительные элементы диода ДЧ 151-100 , диаметром 18 мм. Жесткое непосредственное применение электродов и серебра ведут одновременно с созданием алюминиевой металлизации кремниевой структуры способом диффузионной сварки. Собирают пакет, состо щи из днска серебра толщиной 0,05 мм, диска алюмини  толщиной 0,02 мм, кре ниевой структуры, диска алюмини  0,1 мм, диска вольфрама 1,5 мм, диска алюмини  0,05 мм, диска серебра 0,05 мм. Диффузионна  сварка пакета производилась при температуре 550 С,
сжимающем удельном усилии 15 мПа в течение.зоб с, в вакууме 66,5 мПа, Охлаждение после сварки до температуры 230с ведут со скоростью 4,5 с .
ных элементов только дл  диодов за счет снижени  рассеиваемой мощности потерь может принести народнохоз йственный эффект пор дка 400 тыс.руб. Металлографические исследовани  показали отсутствие интерметаллидов в сварном соединении серебра с алюминием , а испытани  сварных выпр мительных -члементов в приборе показали высокие электрические, тепловые и эксплуатационные характеристики. Способ изготовлени  выпр мительного элемента по насто щему изобретению по сравнению с известными обладает следующими достоинствами: позвол ет изготавливать выпр мительные элементы, имеющие меньшее тепловое сопротивление; позвол ет повысить стойкость полупроводникового прибора к эксплуатационным нагрузкам в целом; позвол ет жестко непосредственно крепить электроды из серебра или его сплавов одновременно с созданием всех контактных соединений в выпр мительном элементе; позвол ет экономить серебро путем здаеньшени  толщины электрода из серебра или его сплавов, Указанные преимущества дают возможность использовать предложенный способ при изготовлении вьшр мительных элементов дл  широкого ассортимента силовых полупроводниковых приборов , наиболее значимо про вл  сь в приборах, работающих в ключевом режиме , например, в регул торах электропривода , в сварочном оборудовании, в преобразовател х и инверторах лиНИИ электропередач, Предварительные расчеты показали, что использование предлагаемого способа при изготовлении вьтр митель

Claims (1)

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий нанесение на поверхность выпрямительного элемента слоя алюминия или спла вов на основы алюминия и его соединение с электродом из серебра или сплавов на основе серебра, отличающийся тем, что, с целью повышения качества выпрямительных элементов, соединение выпрямительного элемента с электродом осуществляют путем диффузионной сварки с последующим охлаждением до температуры 230-250°С со скоростью 0,1-15 с4 .
SU833540851A 1983-02-03 1983-02-03 Способ изготовлени выпр мительных элементов SU1114253A1 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833540851A SU1114253A1 (ru) 1983-02-03 1983-02-03 Способ изготовлени выпр мительных элементов
SE8303838A SE8303838L (sv) 1983-02-03 1983-07-05 Forfarande for framstellning av ett likriktarelement
DE19833325355 DE3325355A1 (de) 1983-02-03 1983-07-14 Verfahren zur herstellung eines gleichrichterelements
FR8312001A FR2540673B1 (fr) 1983-02-03 1983-07-20 Procede de fabrication d'un element redresseur et element redresseur obtenu par ledit procede
JP58154242A JPS59144176A (ja) 1983-02-03 1983-08-25 整流素子の製造方法
IT4160483A IT1195541B (it) 1983-02-03 1983-09-12 Metodo di fabbricazione di elementi raddrizzatori

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833540851A SU1114253A1 (ru) 1983-02-03 1983-02-03 Способ изготовлени выпр мительных элементов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1114253A1 true SU1114253A1 (ru) 1987-03-23

Family

ID=21045701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833540851A SU1114253A1 (ru) 1983-02-03 1983-02-03 Способ изготовлени выпр мительных элементов

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS59144176A (ru)
DE (1) DE3325355A1 (ru)
FR (1) FR2540673B1 (ru)
IT (1) IT1195541B (ru)
SE (1) SE8303838L (ru)
SU (1) SU1114253A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3446780A1 (de) * 1984-12-21 1986-07-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren und verbindungswerkstoff zum metallischen verbinden von bauteilen
EP0330896A3 (de) * 1988-03-03 1991-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Befestigen von Halbleiterbauelementen auf Substraten und Anordnungen zur Durchführung desselben
DE58908749D1 (de) * 1988-03-03 1995-01-26 Siemens Ag Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben.

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US326598A (en) * 1885-09-22 Hot-air furnace
NL275554A (ru) * 1961-04-19 1900-01-01
FR1419202A (fr) * 1963-12-31 1965-11-26 Ibm Contacts ohmiques pour éléments semi-conducteurs
FR2046593A5 (ru) * 1970-04-30 1971-03-05 Silec Semi Conducteurs
US3717797A (en) * 1971-03-19 1973-02-20 Westinghouse Electric Corp One piece aluminum electrical contact member for semiconductor devices
GB1389542A (en) * 1971-06-17 1975-04-03 Mullard Ltd Methods of securing a semiconductor body to a support
JPS5950116B2 (ja) * 1976-12-24 1984-12-06 日本インタ−ナショナル整流器株式会社 拡散.合金型半導体装置
FR2412168A1 (fr) * 1977-12-15 1979-07-13 Silicium Semiconducteur Ssc Diodes ecreteuses de surtension
US4315591A (en) * 1979-03-08 1982-02-16 General Electric Company Method for thermo-compression diffusion bonding a structured copper strain buffer to each side of a substrateless semiconductor device wafer
JPS55128836A (en) * 1979-03-29 1980-10-06 Toshiba Corp Method of mounting semiconductor pellet
JPS5691990A (en) * 1979-12-26 1981-07-25 Hitachi Ltd Diffusion joining device
GB2067117B (en) * 1980-01-02 1983-07-06 Secr Defence Bonding semi-conductor bodies to aluminium thick-film circuits
DD220536A1 (de) * 1984-01-10 1985-04-03 Ilmenau Tech Hochschule Verfahren zum verbinden von silizium und germanium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US 3717797 кл. 317-23, опубл. 1973. Патент Швейцарии № 520403, кл. Н 01 L 1/14, опубл. 1970. *

Also Published As

Publication number Publication date
SE8303838L (sv) 1984-08-04
IT8341604A0 (it) 1983-09-12
IT8341604A1 (it) 1985-03-12
IT1195541B (it) 1988-10-19
SE8303838D0 (sv) 1983-07-05
FR2540673B1 (fr) 1988-07-29
DE3325355A1 (de) 1984-08-09
JPS59144176A (ja) 1984-08-18
FR2540673A1 (fr) 1984-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0012770B1 (en) Fluid cooled semiconductor device
US3662454A (en) Method of bonding metals together
CN103390562B (zh) 冷却器及其制造方法以及半导体模块及其制造方法
US4252263A (en) Method and apparatus for thermo-compression diffusion bonding
US5621243A (en) Semiconductor device having thermal stress resistance structure
CN101687284B (zh) 接合体及其制造方法、以及功率半导体模块及其制造方法
US12074087B2 (en) Thermal interface material layer and use thereof
CN103746287A (zh) 一种应用于长脉宽的大功率半导体激光器封装结构
JPS61176142A (ja) 基板構造体
KR101932979B1 (ko) 열전 발전 모듈
SU1114253A1 (ru) Способ изготовлени выпр мительных элементов
EP0416847A2 (en) Methods of joining components
JP5327233B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP4275005B2 (ja) 半導体装置
JP2009129983A (ja) 接合体及びその製造方法、並びにパワー半導体モジュール及びその製造方法
JPH0246742A (ja) 圧接平型半導体装置
US3581163A (en) High-current semiconductor rectifier assemblies
JP3097383B2 (ja) パワー半導体装置
US3457474A (en) Semiconductor rectifier structure having semiconductor element assembly screwed into place on support base
US3249470A (en) Method of joining thermoelectric elements and thermocouple
JP2738840B2 (ja) セラミック−金属複合基板
JPS639665B2 (ru)
CN110142494B (zh) 一种铝锂合金非接触式电子束焊接方法
JP2000294699A (ja) 半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法
JP2519402B2 (ja) パワ―半導体モジュ―ル基板の製造方法