SU1188621A2 - Способ контрол дефектов слоев материалов - Google Patents

Abstract

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ по авт.св.№360599, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  чувствительности контрол  материалов с микроструктурой , существенно не измен ющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость, к образцам исследуемых материалов предварительно прикладывают переменное электрическое напр жение, величина которого состав л ет 0,8-0,95 пробивного напр жени  исследуемого материала. AM

Description

Изобретение относитс  к дефектоскопии слоев диэлектрических материалов , может быть использовано в машиностроении, приборостроении и микроэлектронике и  вл етс  усовершенствованием способа контрол  дефектов слоев материалов по авт.св. 360599. Цель изобретени  - увеличение чувствительности контрол  материало с микроструктурой, существенно не измен ющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость. Применение переменного напр жени  необходимо дл  равномерного пробо  слабых мест исследуемого сло , поскольку приложение посто нного напр жени  ведет к пробою слабого места, шунтирзпощего затем остальные места возможного пробо . Выбор рабочего напр жени  обусло лен тем, что при U р,8 0,8 Uup Upag 0,95 (Jnp , происходит быстрое накопление дефектов из-за по влени  пробойных ,на участках материала имеющих уменьшенную толщину. Способ контрол  дефектов слоев материалов осуществл етс  следующим образом. К образцам исследуемых материало прикладывают .переменное напр жение амплитудой О,8-0,95 п1юбивного. Затем образцы контролируютс  известным способом (режим контрол  подбир етс  экспериментально, так как он зад)1сит от толащны исследуемого ма териала и типа регистрнрзпоцего материала ). После этого фотоэмульсион ный слой про вл ют, фиксируют, промывают и сушат. П р и м е р. Слои феыолфо1 1альде гидной СМ01Ш толщиной 5, 10, 20 и 30 мкм на подложке из сплава Д-16 облучали ультрафиолетовым излучением мощностью 2 Вт/см 30 мин. Затем каждый образец накрывали лавсановой пленкой толциной 30 мкм и устанавливали на нее стальной плоский электрод, закрывающий половину образца. Между электродом и подложкой прикладывали электрическое напр жение амплитудой до 10 кВ, частотой 200 Гц в течение 10 с. После этого электрод и лавсановую пленку снимали, образцы накладывали на эмульсионный слой фотопленки ФТ-41, лежащей на плоском электроде и прикладывали между подложкой и электродом напр жение 8 кВ в течение 40 с. про влени , фиксировани  и сушки фотопланки на полученных изображени х (электротопограммах ) определ ли среднюю плотность дефектов отдельно дл  предва рительно подвергнутой действию переменного напр жени  половины и дл  контрольной половины. Результаты приведены на чертеже, где N t плотность дефектов; А - амплитуда переменного напр жени ; 1, 2, 3, 4 - кривые дл  образцов с толщиной сло  фенолформальдегидной смолы 5, 10, 20 и 30 мкм соответственно; О р - пробивное напр жение. На каждой кривой, отражшоцей рост плотности дефектов в зависимости от амплитуды приложенного переменного напр жени , можно вьщелить два участка: 1- - начальный, на котором вскрываютс  локальные нарушени  микроструктуры материала и крива  имеет характер наовщени } 2-й - на котором происходит накопЖ ние дефектов за счет пробо  сло  и крива  имеет характер монотонного возрастани . Участок, на котором происходит изменение харак- ера кривой дп  всех образцов, практически соответствует интервалу напр жени  0,8-0,95 UM . На этом участке плотность дефе1ггов почти не зависит от величины приложенного переменного напр жени , так как все локальные нарупени  микроструктуры уже вы влены, но пробой материала еще не наступил. Поэтому данный интервал амплитуд переменного напр жени  был выбран в качестве рабочего при реализации предлагаемого метода контрол  дефектов слоев материалов . Повторение этого же эксперимента , на частотах 50 Гц, 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц показало, что результаты практически не завис т от частоты приложенного напр жени . Применение изобретени  повышает точность контрол  локальных нарушений микроструктуры, существенно не измен ницих электропроводность и диэлектрическую проницаемость материалов , увеличить чувствительность контрол  дефектов, а также использовать более удобный регистрирующий материал - фотопленку вместо

3t1886214

фотопластинок, поскольку практическш мыми контрастными слабочувствительвсе дефекты станов тс  сквозными ными фототехническими фотопленками проколами материала, легко вы вл е- на высокоомной лавсановой подложке.

Claims (1)

1. СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ по авт.св.№360599, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности контроля материалов с микроструктурой, существенно не изменяющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость, к образцам исследуемых материалов предварительно прикладывают переменное электрическое напряжение, величина которого составляет 0,8-0,95 пробивного напряже-