SU401258A1 - ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ - Google Patents
ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙInfo
- Publication number
- SU401258A1 SU401258A1 SU1663113A SU1663113A SU401258A1 SU 401258 A1 SU401258 A1 SU 401258A1 SU 1663113 A SU1663113 A SU 1663113A SU 1663113 A SU1663113 A SU 1663113A SU 401258 A1 SU401258 A1 SU 401258A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- radiation
- source
- thicknessers
- coating
- sources
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к радиоактивным источникам р-излучеии , предназначенным дл толщиномеров тонких покрытий, анализаторов состава тонких покрытий, измерителей толщины тонких нлепочиых материалов, измерителей плотности тазовых сред и др.
При контроле покрытий в области малых
о
ТОЛЩИН (100-2000 А) по методу регистрации обратно рассе иного ,р-излучени и при контроле состава покрытий, толщина которых меньще 12 мг/см, а также при контроле плотности газовых сред необходимы источники м гкого |3-излучени . Обычно эти источники необходимо помещать в коллиматоры малых размеров с малым отверстием выходного канала дл обеснечени возможности контрол вышеуказанных нараметров (толщины, состава , плотности и др.) на малых площад х.
Известные конструкции плоскостных, днековых кольцевых и точечных источников р-излучени , серийно выпускаемых нромышленностью , не обеспечиватот достаточной интенсивности потока р-излучени на выходе из канала коллиматора с малым отверстием. При использовании рассеивающих коллиматоров дл см гчени энергии .р-частиц, выход щих из канала, }1едостаточность интенсивности потока про вл етс еще больше, чем в колли.маторах с потоком пр мого р-излучег .и . Повышение интенсивности пр мого, а в особенности см гченного р-излученн вл етс актуальной задачей при разработке источников р-излучеии дл радиоизотопных ириборов .
Цель изобретени - увеличение интенсивности истока см .гченного излучени . Указанна цель достигаетс тем, что подложка дл радиоактивного препарата выполнена в виде усеченного конуса с ребристой боковой поверхностью , причем радиоакт1 вный препарат нанесен на меньшее основание и на боковую поверхность подложки с внутренней стороны.
На фиг. 1 ноказан источник р-излучеии ; на фиг. 2 - источник р-излучени в рассепвающе .м коллиматоре.
В качестве примера можио иривести источник р-нзлучени иа ос1юве Р „ с максимальной энергией р-спектра 223 кэв. Самопоглощение м гкого р-излучени в активном слое лимнтирует величииу интенсивности выходного нотока от источииков на плоской подложке заданных малых размеров. Кроме того, дл целей контрол тонких покрытий необходим поток р-излучени преимущественно с более м гким спектром. В предлагаемом источнике эта задача решепа путем создани подложки такой формы, котора обеспечивает достаточно большую поверхность актив
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1663113A SU401258A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1663113A SU401258A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU401258A1 true SU401258A1 (ru) | 1974-05-05 |
Family
ID=20477193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1663113A SU401258A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU401258A1 (ru) |
-
1971
- 1971-05-24 SU SU1663113A patent/SU401258A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zahradnik et al. | scCVD diamond membrane based microdosimeter for hadron therapy | |
| US2604596A (en) | Bombardment induced conductivity in solid insulators | |
| SU401258A1 (ru) | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ | |
| GB1455038A (en) | Collimating device for obtaining irradiation fields of any shape for high energy radiotherapy apparatus circuit predetermined time | |
| JPS5512500A (en) | Partial pressure meter of oxygen | |
| Weeks et al. | Irradiated Lithium Fluoride as an Optical Filter in the Far Ultra-Violet | |
| JPS51114887A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5253665A (en) | Semiconductor device | |
| Ishiyama et al. | In situ lithium diffusion measurement in solid ionic conductors using short-lived radiotracer beam of 8Li | |
| JPS5359486A (en) | Reflection type electron-diffraction method | |
| JPS52143878A (en) | Silicon wafer defect detector | |
| JPS51139280A (en) | Semi-conductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS57102008A (en) | Control of warp of semiconductor wafer | |
| JPS5293279A (en) | Forming method for silicon gate electrode | |
| JPS56112729A (en) | Exposure of electron beam | |
| JPS54865A (en) | Molecular beam crystal growing method | |
| Kawada et al. | Experimental determination of a correction in the 4πβ-γ coincidence measurements on activated gold foils | |
| JPS5448174A (en) | X-ray exposure device | |
| JPS5361303A (en) | Formation method of protecting layer of recording member | |
| JPS52109923A (en) | Photographic material | |
| David | Thermoluminescence of quartz. Part XII. Effect of neutron irradiation. | |
| JPS51132984A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS5225585A (en) | Semiconductor device of multilayer distribution structure | |
| JPS5371884A (en) | Radiation detector | |
| JPS5322993A (en) | Method of analysis for irradiated fuel |