SU802414A1 - Устройство дл обработки подложекфОТОАКТиВиРОВАННыМ гАзОМ - Google Patents

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК ФОТОАКТИВИРОВАННЫМ ГАЗОМ

1

Изобретение относитс  к полученшо и обработке тонких пленок, например, в технологии производства полупроводниковых приборов.

Известны устройства дл  осуществлени  плазмохимических процессов получени  и обработки тонких пленок, основанных на протекании реакций между подложкой и газовой фазой, возбужденной различного рода электрическими разр дамиj ll.

Недостатком этих устройств  вл етс  наличие назар женных частиц в газовс& фазе и сложность ее состава, что затрудн ет управление технологическими процессами и ограничивает область их применени , например, дл  получени  МОП-, МДП-структур и других прибс ов микроэлектроники .

Известно также устройство дл  обработки подложек фотоактивированным гэзом , например, дл  осаждени  пленок иолимеров , включающее установленную на опорной плите реакционную камеру, размещенный внутри нее подложкодержатель

установленный снаружи источник активации газа и средства ввода к вьшода газов jjZ. В этом устройстве в газовой фазе не о разуютс  з  женные частицы, так как энерги  квантов излучени  недостаточна Дл  ионизации молекул газа. Спектр частиц газовой фазы при фотоактивированни значительно проще.

Однако в этом устройстве не обеспечиваетс  достаточно полна  и равномерна  активаци  газа в рабочем объеме реакционной камеры и, следовательно, одинакова  скорость технолс гического процесса на всей обрабатываемой поверхности. Это сюсзано как с неравномерным освещением по полю обрабогки, гак и с недостаточно эффективным поглощенвем излуче в  в объеме газа, принимающем участие в реакцка с поверхностью подложек.

Целью взо етени   вл етс  более полна  и равномерна  активаци  рабочего газа .

Достигаетс  она тем, что реакционна  камера снабжена системой зеркал, установленных вокруг и над подложкодержателем , а окном в боковой стенке дл  ввода излучени  параллельно поверхности подложкодержател , который установлен в плите с возможностью вращени  и имеет отверстие по центру дл  вьшода газов, а дл  ввода газа в плите выполнен патрубок и кольцевой канал.

На фйг. 1 показано сфедлагаемое устрсйство , поперечный разрез; на фиг. 2 разрез А-А фиг. 1.

На оперной плите 1 усгановлена реакййсшна  камера 2 и исгочник 3 активации газа 1(показан схематически), обладающий малой расходимостью светового луча,, например лазер. Камера 2 установлена на плите 1 через вакуумную уплотнительную прокладку 4 к имеет в боКОБОЙ стенке окно 5 дас  ввода светового луча. На гран х кольца 6 плиты 1 закреплены с помощью вингов 7 зеркала 8, на которые сверху опираетс  зеркало 9, Концентричнс системе зеркал 8 да камере 2 расположен подложкрдержагель 10 с подложками 11, установленный на валу 12, соединенном с приводом вращени  (не показан ).

Вал 12 закреплен в корпусе 13 плиты 1 и имеет отверстие 14 по центру дл  вывода газов. Ввод вала 12 герметизирован уплотнением 15.

В 13 выполнен также патрубок 16 и кольцевой канал дл  подачи в камеру 2 реакционного газа. Детали устройства , имеющие контакт с реакционным газом, могут быть выполнены из реакционностойк .их материалов, например аз фторопласта, нержавеющей стали. Поверхности зеркал 8 и 9 могут быть защищены , например, пленкой фторорганического полимера.

Устройство работает следующим образом .

Реакцисншый газ, подведенный к устройству , через зазор между койьцом 6 и подложкодержателем 10, попадает в полость камеры 2, ограниченную зеркалами 8 и 9 и подложкодержателем Ю в далее через отверстие 14 откачиваетс  вакуумной системой. Системь напуска и откачки газа обеспечивает поддержа-. ние в реакционном объеме необходимого давлени  газа и радиальное движение его от периферии к центру подложкодержател  10. Направление движени  газа на фиг. 1 показано стрелками.

В отсутствие излучени  источника газ не реагирует с материалов подложек 11, так как.энергии Moneicyn недостаточно дл  активации реакции. При введении в реакционную зону излучени  источника 3 молекулы газа возбуждаютс , распадаютс  на активные атомы и радикалы. Достига  поверхности подложки, они вступают с ней в реакцию.

Ход лучей от источника 3 в реакционной камере 2 показан стрелками на фиг. 2. Благодар  малой расходимости, излучение от источника 3 притерпевает многократные отражени  от системы зеркал 8 и 9-, преимущественно в гфизонтальной плоскости параллельно поверхности подложкодержател  1О. Этим достигаетс  интенсивное поглощение излучени  в слое газа, принимающем участие в реакции с подложками 11, и вьфавнивание концентрации возбужденных частиц в реакционном объеме. Зеркало 9 преп тствует выходу из реакционной зоны части излучени , отраженной зеркалами 8 вверх, что дополнительно увеличивает поглощение световой энергии в газе.

Claims (2)

1. В совокупности расположение подложек 5 на вращающемс  подл ожк одержат еле, радиальное движение возбужденного газе в реакционной камере от,периферии к центру Подложкодержател , равномерное поглощение . световой энергии в реакционном объеме приводит к более полной и равномерной активации рабочего газа в реакционной камере, что создает услови  дл  равномерности технологического процесса по всей зоне обработки. Формула изобретени 

   Устройство дл  обработки подлсшсек фотоактивированным газом, включающее установленную на опорной плите реакцисмную камеру, размещенный внутри нее

   подложкодержатель, установленный снаружи источник активации газа и средства ввода и вывода газов, отличающеес  тем, что, с целью более полной и равномерной активации газа, реакционна  камера снабжена системой зеркал, установленных вокруг и над подпожкодержателем, и окном в боковой стенке дл  ввода излучени  параллельно поверхности подложкодержател , который установлен в плите с возможностью вращени  и имеет отверстие по центру дл  вьюода газов, а дл  ввода газа в плите выполнен патрубок и кольцевой канал.

   Источники информации,

   1фин тые во внимание при экспертизе

   55 1. Зарубежна  электронна  Техника .

   ЦНИИЭлектротика. М., 1978, № 3,2.
2. 2. Патент США NO 3619259, кл. 117-93-31, 09.11.71 (прототип).