TH18258A3 - "Method for recovering empty semiconductor chips from plastic-packed modules" - Google Patents

"Method for recovering empty semiconductor chips from plastic-packed modules"

Info

Publication number
TH18258A3
TH18258A3 TH9401002581A TH9401002581A TH18258A3 TH 18258 A3 TH18258 A3 TH 18258A3 TH 9401002581 A TH9401002581 A TH 9401002581A TH 9401002581 A TH9401002581 A TH 9401002581A TH 18258 A3 TH18258 A3 TH 18258A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
chip
plastic
module
resin
until
Prior art date
Application number
TH9401002581A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH6239C3 (en
TH18258A (en
Inventor
พาสคัสดามอท นาย
ดามอท นายพาสคัส
Original Assignee
นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
นาย ธเนศเปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า นาย ธเนศเปเรร่า นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า, นาย ธเนศเปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า นาย ธเนศเปเรร่า นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
Publication of TH18258A3 publication Critical patent/TH18258A3/en
Publication of TH18258A publication Critical patent/TH18258A/en
Publication of TH6239C3 publication Critical patent/TH6239C3/en

Links

Abstract

การขจัดส่วนหุ้มที่บรรจุดดยใช้พลาสติกออกมีความจำเป็น อย่างแท้จริงในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะสำหรับการสร้าง และการวิเคราะห์ความเสียหายของชิปสารกึ่งตัวนำที่ถูกอัดแบบในมอดูล ที่บรรจุโดยใช้พลาสติก ความมุ่งหมายของวิธีการเปิดออกก็เพื่อนำชิป สารกึ่งตัวนำเปล่าออกโดยไม่เกิดความเสียหาย ปัญหาจะรุนแรงมาก เมื่อ เรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติกชนิดทนทานต่อการกัด ถูกใช้เป็นวัตถุอัดแบบ วิธีการของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องโดยเฉพาะกับมอดูล ที่บรรจุโดยใช้ พลาสติก (10) ชนิดที่ซึ่งบริเวณหน้าสัมผัสของชิป (11) ถูกเชื่อมต่อโดย การยึดลวดกับตัวนำขาต่อ (12) และที่ซึ่งชิปถูกอัดแบบในเรซินชนิดทนต่อ การกัดดังกล่าว วิธีการเปิดออกแบบใหม่ รวมถึงขั้นตอน a) การจัด ด้านบนของมอดูล (10) เพื่อขจัดส่วนด้านบนของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็น พลาสติก (13) ออกจนกระทั่ง ตัวนำ (12) ของโครงขาต่อ ปรากฎออก b) การนำโครงขาต่อออก c) การขัดด้านหลังของมอดูลแบบหยาบเพื่อขจัด ส่วนด้านล่างของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติก (13) ออกจนกระทั่งผิวหน้า แบบพาสชีฟของชิปของซิลิคอน (11) ปรากฏออก d) การแช่มอดูลที่ได้ ในอ่างกรดไนตริกที่เป็นควันร้อนจนมีอุณหภูมิประมาณ 120 ํC และเป็นเวลา ประมาณ 8 นาที และ e) การทำให้มอดูลที่ได้ดังกล่าวเย็นตัวลงทันทีโดย การเป่าอากาศอัดที่อุณหภูมิโดยรอบบนนั้น เพื่อทำให้เกิดแรงช็อคเชิงความ ร้อน โดยที่ส่วนที่เหลืออยู่ทั้งหมดของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติก (13) ถูก ขจัดออก ซึ่งจะเหลือชิปของซิลิคอนเปล่าที่ต้องการโดยไม่เกิดความเสียหาย ใด ๆ Removing the plastic packaging is imperative. truly in the electronics industry especially for creating and damage analysis of semiconductor chips compressed in modules. packed using plastic The purpose of the method turned out to be to bring the chip. Empty semiconductor removed without damage. The problem is particularly severe when the resin used for the etching-resistant plastic cladding. is used as a compressed object This method of invention is particularly relevant to the module. a container using a type of plastic (10) to which the chip's contact area (11) is connected by Fixing the wire to the connector conductor (12) and where the chip is extruded in a thermoplastic resin such bite How to open a new design Includes step a) Aligning the top of the module (10) to remove the top of the resin plastic cladding (13) until the leads (12) of the mounting bracket are exposed. b) Removing the bracket. c) Coarse sanding of the back of the module to remove The bottom part of the plastic cladding resin (13) is removed until the surface The passive form of the silicon chip (11) appears d) the resulting module immersion. in a hot smoked nitric acid bath to a temperature of approximately 120 °C and for approximately 8 minutes; and e) the resulting module was immediately cooled by blowing compressed air at ambient temperature on it To produce a thermal shock, all the residuals of the plastic cladding resin (13) were removed, leaving the desired blank silicon chip without any damage.

Claims (5)

1. วิธีการสำหรับนำชิปของสารกึ่งตัวนำเปล่าที่ไม่เกิดความ เสียหาย (11) กลับคืน จากมอดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก (10) ชนิดที่หนึ่ง บริเวณหน้าสัมผัส (19) ของชิปถูกเชื่อมต่อโดยลวดโลหะ (15) ที่ยึดกับสาร กึ่งตัวนำ (12) ของโครงขาต่อโหะ และทีซึ่งชิปถูกอัดแบบในเรซิน ที่ใช้หุ้ม โดยพลาสติก (13) ซึ่งทนทานต่อการกัดต่อกรดไนตริกที่เป็นควัน วิธีการเปิด ออกดังกล่าว รวมถึงขั้นตอน a) การขัดด้านบนของมอดูล จนกระทั่งตัวนำของ โครงขาต่อปรากฎออก b) การนำโครงขาต่อออก c) การขัดด้านบนของมอดูลแบบหยาบ จนกระทั่ง ผิวหน้าแบบพาสซีฟของชิปของซิลิคอน ปรากฎออกโดยประมาณ d) การให้ความร้อนต่อมอดูลที่ได้ จนมีอุณหภูมิประมาณ 50 ํC โดยปราศจากผลกระทบในด้านความเสียหายต่อ ความสามารถในการทำ หน้าที่ของชิป และเป็นช่วงเวลาที่กำหนดไว้ e) การทำให้มอดูลที่ได้ดังกล่าวเย็นตัวลงทันที เพื่อให้ เกิดแรงช็อคเชิงความร้อน โดยที่ส่วนที่เหลืออยู่ทั้งหมดของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็น พลาสติก ถูกขจัดออก ซึ่งจะเหลือชิปของซิลิคอนเปล่าที่ต้องการ1. Method for recovering the bare, undamaged semiconductor chip (11) from a type of plastic-loaded module (10) first, the contact area (19) of the chip is connected by a metal wire. (15) semiconductor fasteners (12) of plate to plate And where the chip is extruded in a plastic-covered resin (13) which is resistant to nitric acid smoke, such opening method includes step a) sanding the top of the module. T Until the conductors of The plate appears. B) Remove the plate c) Polishing the top of the rough module until the passive surface of the silicon chip. Turns out approximately d) heating per the resulting module Until the temperature is about 50 ํ C without affecting the damage. Ability to do Chip function E) Immediate cooling of the resulting module to cause thermal shock. Where all the remainder of the plastic cladding resin is removed, leaving the required bare silicon chips. 2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังรวมถึงขั้นตอน f) การนำลวดที่บริเวณใกล้เคียงของบริเวณหน้าสัมผัส ของชิปดังกล่าวออก2. Procedures for claim 1 also include a procedure f) conducting the wire near the contact area. Of the said chip out 3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ขั้นตอนการให้ ความร้อนต่อมอดูลที่ได้ในขั้นตอน d) ดังกล่าว ประกอบด้วย d1) การแช่มอดูลในอ่าง กรดไนตริกที่เป็นควันร้อนที่มี อุณหภูมิสูง อุณหภูมิหนึ่ง ที่อยู่ระหว่างประมาณ 80 และประมาณ 150 ํC เป็น เวลาหนึ่ง ที่อยู่ระหว่างประมาณ 4 และประมาณ 10 นาที3. Method of claim No. 1 or 2, where the procedure for giving The heat to the module obtained in step d) is composed of d1) chamber chamber Nitric acid is a hot smoke at a high temperature. That is between about 80 and about 150 ํ C is one that is between about 4 and about 10 minutes. 4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 หรือ 3 ที่ซึ่งขั้นตอน การทำให้เกิดแรงช็อคเชิงความร้อนขั้นตอน 2) ดังกล่าว ประกอบด้วย d1) การเป่าอากาศอัดที่อุณหภูมิโดยรอบ4. Method of claim No. 1 or 2 or 3 where the procedure This 2) process consists of d1) blowing compressed air at ambient temperature. 5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่ง ขั้นตอน f) ประกอบด้วย การแช่ชิปในอ่างปรอทที่ปั่นป่วนเป็นเวลาประมาณ 45 นาที5. One of the above claim methods where step f) consists of immersing the chips in a turbulent mercury bath for approximately 45 minutes.
TH9401002581A 1994-11-25 Tree and leaf shredder TH6239C3 (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH18258A3 true TH18258A3 (en) 1996-04-19
TH18258A TH18258A (en) 1996-04-19
TH6239C3 TH6239C3 (en) 1996-10-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY113986A (en) Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules
US4866506A (en) Plastic-sealed IC device of heat-resistant construction
US6417028B2 (en) Method and apparatus for removing contaminants on electronic devices
ATE162011T1 (en) METHOD FOR ENCAPSULATING AN INTEGRATED CIRCUIT
TW270228B (en) Semiconductor chip and electronic module with integrated surface interconnects/components and fabrication methods therefore
US3914858A (en) Method of making sealed cavity molded semiconductor devices
Suhl Thermally induced IC package cracking
Isagawa et al. Deformation of Al metallization in plastic encapsulated semiconductor devices caused by thermal shock
KR960016668A (en) Microelectronics with package with internal conduit for cooling fluid passage
KR940006253A (en) Method for manufacturing resin encapsulated semiconductor device and device for manufacturing same
TH18258A (en) A method for recovering bare semiconductor chips from modules packaged in plastic.
WO1998032159A3 (en) Mounting structure and mounting process from semiconductor devices
JPS6447058A (en) Package for semiconductor device
Glaser et al. Thermal and structural analysis of a PLCC device for surface mount processes
Miura et al. Temperature distribution in IC plastic packages in the reflow soldering process
US6043100A (en) Chip on tape die reframe process
JPS63278261A (en) Electronic component cooling device
JPH01189151A (en) Outer lead of surface mounting type semiconductor device
US3876461A (en) Semiconductor process
EP0844655A2 (en) An integrated circuit chip packaging method
JPS5763831A (en) Semiconductor device
JPS5589973A (en) Mounting method of magnetic bubble memory chip
TH23189A (en) How are semiconductor devices manufactured, where a resin-casted semiconductor chip is encased in a resin?
JPS6239043A (en) Solder coat treating apparatus for semiconductor device and soldering method
JPS60208846A (en) Heat resisting plastic ic