TH18258A3 - " วิธีการสำหรับนำชิปสารกึ่งตัวนำเปล่ากลับคืนจากมอดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก " - Google Patents
" วิธีการสำหรับนำชิปสารกึ่งตัวนำเปล่ากลับคืนจากมอดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก "Info
- Publication number
- TH18258A3 TH18258A3 TH9401002581A TH9401002581A TH18258A3 TH 18258 A3 TH18258 A3 TH 18258A3 TH 9401002581 A TH9401002581 A TH 9401002581A TH 9401002581 A TH9401002581 A TH 9401002581A TH 18258 A3 TH18258 A3 TH 18258A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- chip
- plastic
- module
- resin
- until
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000779 smoke Substances 0.000 claims 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 abstract 1
Abstract
การขจัดส่วนหุ้มที่บรรจุดดยใช้พลาสติกออกมีความจำเป็น อย่างแท้จริงในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะสำหรับการสร้าง และการวิเคราะห์ความเสียหายของชิปสารกึ่งตัวนำที่ถูกอัดแบบในมอดูล ที่บรรจุโดยใช้พลาสติก ความมุ่งหมายของวิธีการเปิดออกก็เพื่อนำชิป สารกึ่งตัวนำเปล่าออกโดยไม่เกิดความเสียหาย ปัญหาจะรุนแรงมาก เมื่อ เรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติกชนิดทนทานต่อการกัด ถูกใช้เป็นวัตถุอัดแบบ วิธีการของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องโดยเฉพาะกับมอดูล ที่บรรจุโดยใช้ พลาสติก (10) ชนิดที่ซึ่งบริเวณหน้าสัมผัสของชิป (11) ถูกเชื่อมต่อโดย การยึดลวดกับตัวนำขาต่อ (12) และที่ซึ่งชิปถูกอัดแบบในเรซินชนิดทนต่อ การกัดดังกล่าว วิธีการเปิดออกแบบใหม่ รวมถึงขั้นตอน a) การจัด ด้านบนของมอดูล (10) เพื่อขจัดส่วนด้านบนของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็น พลาสติก (13) ออกจนกระทั่ง ตัวนำ (12) ของโครงขาต่อ ปรากฎออก b) การนำโครงขาต่อออก c) การขัดด้านหลังของมอดูลแบบหยาบเพื่อขจัด ส่วนด้านล่างของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติก (13) ออกจนกระทั่งผิวหน้า แบบพาสชีฟของชิปของซิลิคอน (11) ปรากฏออก d) การแช่มอดูลที่ได้ ในอ่างกรดไนตริกที่เป็นควันร้อนจนมีอุณหภูมิประมาณ 120 ํC และเป็นเวลา ประมาณ 8 นาที และ e) การทำให้มอดูลที่ได้ดังกล่าวเย็นตัวลงทันทีโดย การเป่าอากาศอัดที่อุณหภูมิโดยรอบบนนั้น เพื่อทำให้เกิดแรงช็อคเชิงความ ร้อน โดยที่ส่วนที่เหลืออยู่ทั้งหมดของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติก (13) ถูก ขจัดออก ซึ่งจะเหลือชิปของซิลิคอนเปล่าที่ต้องการโดยไม่เกิดความเสียหาย ใด ๆ
Claims (5)
1. วิธีการสำหรับนำชิปของสารกึ่งตัวนำเปล่าที่ไม่เกิดความ เสียหาย (11) กลับคืน จากมอดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก (10) ชนิดที่หนึ่ง บริเวณหน้าสัมผัส (19) ของชิปถูกเชื่อมต่อโดยลวดโลหะ (15) ที่ยึดกับสาร กึ่งตัวนำ (12) ของโครงขาต่อโหะ และทีซึ่งชิปถูกอัดแบบในเรซิน ที่ใช้หุ้ม โดยพลาสติก (13) ซึ่งทนทานต่อการกัดต่อกรดไนตริกที่เป็นควัน วิธีการเปิด ออกดังกล่าว รวมถึงขั้นตอน a) การขัดด้านบนของมอดูล จนกระทั่งตัวนำของ โครงขาต่อปรากฎออก b) การนำโครงขาต่อออก c) การขัดด้านบนของมอดูลแบบหยาบ จนกระทั่ง ผิวหน้าแบบพาสซีฟของชิปของซิลิคอน ปรากฎออกโดยประมาณ d) การให้ความร้อนต่อมอดูลที่ได้ จนมีอุณหภูมิประมาณ 50 ํC โดยปราศจากผลกระทบในด้านความเสียหายต่อ ความสามารถในการทำ หน้าที่ของชิป และเป็นช่วงเวลาที่กำหนดไว้ e) การทำให้มอดูลที่ได้ดังกล่าวเย็นตัวลงทันที เพื่อให้ เกิดแรงช็อคเชิงความร้อน โดยที่ส่วนที่เหลืออยู่ทั้งหมดของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็น พลาสติก ถูกขจัดออก ซึ่งจะเหลือชิปของซิลิคอนเปล่าที่ต้องการ
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังรวมถึงขั้นตอน f) การนำลวดที่บริเวณใกล้เคียงของบริเวณหน้าสัมผัส ของชิปดังกล่าวออก
3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ขั้นตอนการให้ ความร้อนต่อมอดูลที่ได้ในขั้นตอน d) ดังกล่าว ประกอบด้วย d1) การแช่มอดูลในอ่าง กรดไนตริกที่เป็นควันร้อนที่มี อุณหภูมิสูง อุณหภูมิหนึ่ง ที่อยู่ระหว่างประมาณ 80 และประมาณ 150 ํC เป็น เวลาหนึ่ง ที่อยู่ระหว่างประมาณ 4 และประมาณ 10 นาที
4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 หรือ 3 ที่ซึ่งขั้นตอน การทำให้เกิดแรงช็อคเชิงความร้อนขั้นตอน 2) ดังกล่าว ประกอบด้วย d1) การเป่าอากาศอัดที่อุณหภูมิโดยรอบ
5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่ง ขั้นตอน f) ประกอบด้วย การแช่ชิปในอ่างปรอทที่ปั่นป่วนเป็นเวลาประมาณ 45 นาที
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH18258A3 true TH18258A3 (th) | 1996-04-19 |
| TH18258A TH18258A (th) | 1996-04-19 |
| TH6239C3 TH6239C3 (th) | 1996-10-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY113986A (en) | Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules | |
| US4866506A (en) | Plastic-sealed IC device of heat-resistant construction | |
| US6417028B2 (en) | Method and apparatus for removing contaminants on electronic devices | |
| ATE162011T1 (de) | Verfahren zur einkapselung einer integrierten schaltung | |
| TW270228B (en) | Semiconductor chip and electronic module with integrated surface interconnects/components and fabrication methods therefore | |
| US3914858A (en) | Method of making sealed cavity molded semiconductor devices | |
| Suhl | Thermally induced IC package cracking | |
| Isagawa et al. | Deformation of Al metallization in plastic encapsulated semiconductor devices caused by thermal shock | |
| KR960016668A (ko) | 냉각유체통과용 내부 도관을 갖는 패키지를 구비한 초소형 전자장치 | |
| KR940006253A (ko) | 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법 및 이의 제조 장치 | |
| TH18258A (th) | วิธีการสำหรับนำชิปสารกึ่งตัวนำเปล่ากลับคืนจากมอ?ดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก | |
| WO1998032159A3 (en) | Mounting structure and mounting process from semiconductor devices | |
| JPS6447058A (en) | Package for semiconductor device | |
| Glaser et al. | Thermal and structural analysis of a PLCC device for surface mount processes | |
| Miura et al. | Temperature distribution in IC plastic packages in the reflow soldering process | |
| US6043100A (en) | Chip on tape die reframe process | |
| JPS63278261A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
| JPH01189151A (ja) | 面実装型半導体装置の外部リード | |
| US3876461A (en) | Semiconductor process | |
| EP0844655A2 (en) | An integrated circuit chip packaging method | |
| JPS5763831A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5589973A (en) | Mounting method of magnetic bubble memory chip | |
| TH23189A (th) | วิธีการผลิตของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย?เรซินหล่อที่ผนึกหุ้มชิปสารกึ่งตัวนำ | |
| JPS6239043A (ja) | 半導体装置用半田コ−ト処理装置及び半田付処理方法 | |
| JPS60208846A (ja) | 耐熱プラスチツクｉｃ |