TH24791A - วิธีสำหรับการบ่มชั้นบางของสปิน-ออน-กลาสส์ โดยการฉาย?ลำแสงอิเล็คตรอน - Google Patents
วิธีสำหรับการบ่มชั้นบางของสปิน-ออน-กลาสส์ โดยการฉาย?ลำแสงอิเล็คตรอนInfo
- Publication number
- TH24791A TH24791A TH9601001426A TH9601001426A TH24791A TH 24791 A TH24791 A TH 24791A TH 9601001426 A TH9601001426 A TH 9601001426A TH 9601001426 A TH9601001426 A TH 9601001426A TH 24791 A TH24791 A TH 24791A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- spin
- electron beam
- glass
- glass layer
- vacuum
- Prior art date
Links
Abstract
วิธีการให้สัมผัสกับลำแสงอิเล็คตรอนถูกอธิบายซึ่งให้วิธีการบ่มสปิน-ออน-กลาสส์ ที่เกิดบนแผ่นบางกึ่งตัวนำ (semico nductor wafes) ซึ่งคั่นชั้นโลหะที่เป็นตัวนำด้วยฉนวน และทำให้พื้นผิวราบเรียบในขบวนการผลิตวงจรอินทิเกรตที่ มีหลายชั้น (multilayered integrated circuit) วิธี นี้ใช้ระบบการสัมผัสลำแสงอิเล็คตรอนที่สม่ำเสมอในบรรยา กาศ ของสูญญากาศที่อ่อน แผ่นบางที่เคลือบด้วยสปิน-ออน- กลาสส์ ที่เป็นไซลอกเซนซึ่งไม่ได้ถูกบ่ม ถูกฉายด้วยอิเล็ค ตรอนที่มีพลังงานเพียงพอสำหรับเจาะทะลุความหนาทั้งหมด ของสปิน-ออน- กลาสส์ และถูกให้ความร้อนในเวลาเดียว กันด้วยเครื่องให้ความร้อนอินฟราเร็ด แผ่นบางถูก สัมผัสกับ อิเล็คตรอนที่ถูกกำหนดปริมาณไว้ก่อนในขณะที่เพิ่มอุณหภูมิขึ้นพร้อม กันในบรรยากาศ ของสูญญากาศที่อ่อน แล้วลำแสงอิเล็คตรอน และเครื่องให้ความร้อนอินฟราเร็ดถูกปิดและ ชั้นฐานถูกทำให้ เย็นก่อนที่จะนำออกจากลำแสงอิเล็คตรอนและเครื่องให้ความ ร้อนอินฟราเร็ด และชั้นฐานถูกทำให้เย็นก่อนที่จะนำออกจาก สูญญากาศ
Claims (5)
1. วิธีสำหรับการบ่มสารสปิน-ออน-กลาสส์ บนชั้นฐานกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย ขั้นตอนต่าง ๆ ของ การวางหรือปล่อยให้ชั้นสปิน-ออน-กลาสส์ ที่เกิดบนชั้น ฐานกึ่งตัวตัวนำใน ช่องสูญญากาศ ; การฉายชั้นสปิน-ออน-กลาสส์ด้วยลำแสงอิเล็คตรอนที่มี ขอบเขตกว้างที่ให้การ สัมผัสอย่างสม่ำเสมอมากของผิวหน้า ทั้งหมดของชั้นสปิน-ออน-กลาสส์ และมีพลังงานเพียงพอ ที่ จะเจาะทะลุความหนาทั้งหมดของชั้น ; และ ให้ความร้อนแก่ชั้นสปิน-ออน-กลาสส์ ในขณะเดียวกัน แต่ ยังคงรักษาให้ชั้นมี อุณหภูมิที่ค่อนข้างต่ำ ; ที่ซึ่งชั้นสปิน-ออน-กลาสส์ ถูกบ่มโดยไม่แตกหรือเสียหาย ใด ๆ
2. วิธีตามที่ถูกอธิบายไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 เมื่อ : บรรยากาศที่เป็นสูญญากาศเป็นสูญญากาศที่อ่อนซึ่งมีความ ดันของสูญญากาศที่ ค่อนข้างสูงในช่วง 10-40 มิลลิเทอรร์
3. วิธีตามที่ถูกอธิบายไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 เมือ : ขบวนการบ่มจะเกิดขึ้นที่อุณหภูมิสูงที่สุดซึ่งต่ำกว่า 250 ํซ โดยประมาณ
4. วิธีตามที่ถูกอธิบายไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 เมื่อ : ขั้นตอนการให้ความร้อนซึ่งรวมถึงการแอคติเวตเครื่อง ให้ความร้อนอินฟราเร็ด ตรงไปที่ชั้นสปิน-ออน-กลาสส์
5. วิธีตามที่ถูกอธิบายไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 เมื่อ : ขั้นตอนการให้ความร้อนซึ่งรวมถึงการให้ความร้อน แก่สปิน-ออน-กลาสส์อย่างเดียว ซึ่งเป็นผลของพลังงาน ที่ถูกให้โดยลำแสงอิเล็คตรอนที่มีขอบเขตกว้าง
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH24791A true TH24791A (th) | 1997-04-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY113904A (en) | Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation | |
| US4983546A (en) | Method for curing spin-on-glass film by utilizing ultraviolet irradiation | |
| CN1215377C (zh) | 用于物体均匀加热的设备 | |
| KR20080053212A (ko) | 기판 가열 장치 및 반도체 제조 방법 | |
| JP3001986B2 (ja) | 基板を乾燥する方法及び装置 | |
| JPH04261028A (ja) | 半導体基体を基板に固定する方法 | |
| US4013485A (en) | Process for eliminating undesirable charge centers in MIS devices | |
| CA2081570A1 (en) | Method of manufacturing electronic device which comprises the step of smoothing a resin coating layer and apparatus for manufacturing the same | |
| GB2315918A (en) | Plasma treatment apparatus | |
| KR102155512B1 (ko) | 반도체 제조용 정전척의 아킹 현상 개선방법 | |
| JPS5964245A (ja) | 静電チヤツク | |
| JP3530165B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6129124A (ja) | 半導体ウエハ−の処理方法 | |
| US20250329557A1 (en) | Method and device for depositing components on a target surface of a target as well as donor plate for use therewith | |
| JPS6153632B2 (th) | ||
| KR0181908B1 (ko) | 반도체 제조용 베이크 장치 | |
| JP2021111744A (ja) | 導電層の製造方法、配線基板の製造方法及びヒータ装置の製造方法 | |
| JPH0717148Y2 (ja) | 基板装置 | |
| JPS5874373A (ja) | サ−マルヘッド及びその製造方法 | |
| JP2585439B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU97109128A (ru) | Способ нанесения покрытия на основе нитрида кремния на стеклянную, в том числе кварцевую, поверхность | |
| JP3399144B2 (ja) | シリコン系被膜の形成方法 | |
| JP2025515729A (ja) | 層要素を処理する方法 | |
| JPS60200517A (ja) | 半導体加熱方法 | |
| JPS59124731A (ja) | 半導体装置の製造方法 |