TH84565A - สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู - Google Patents
สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟูInfo
- Publication number
- TH84565A TH84565A TH601002020A TH0601002020A TH84565A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A TH 601002020 A TH601002020 A TH 601002020A TH 0601002020 A TH0601002020 A TH 0601002020A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- mixtures
- metal
- corrosion
- mixture
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 title 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract 23
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract 2
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (01/08/49) การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อนโลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารผสมนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อน โลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน
Claims (1)
1. สารผสมสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบรวมด้วย ส่วนประกอบต่อไปนี้ (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์ที่ละลายน้ำได้หรือที่ผสมกับน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด (b) กรดที่มีฟอฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด และ (c) น้ำ ที่ซึ่งสารผสมจะเป็นอิสระจากเอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิเลเอมีนและด่างแก่ที่น่าจะ ทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH84565A true TH84565A (th) | 2007-05-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005292288A5 (th) | ||
| DE60323143D1 (de) | Aufüberkritischem kohlenstoffdioxid beruhende formulierung für die entfernung von gegebenenfalls veraschten aluminiumresten nach dem ätzen | |
| TW200801854A (en) | Composition and method for photoresist removal | |
| DE60028962D1 (de) | Zusammensetzungen zur reinigung und entfernung von organischen sowie plasmaätzrückständen auf halbleitervorrichtungen | |
| TW200509237A (en) | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof | |
| TW200710205A (en) | Dense fluid compositions for removal of hardened photoresist, post-etch residue and/or bottom anti-reflective coating layers | |
| DE602004009595D1 (de) | Ablös- und reinigungszusammensetzungen für die mikroelektronik | |
| ATE288468T1 (de) | Stabile alkalische zusammensetzungen zum reinigen von mikroelektronischen substraten | |
| ATE421905T1 (de) | Lactam-zusammensetzungen zum entfernen von organischen und plasma-geätzten rückständen auf halbleitern | |
| DK1105778T3 (da) | Silikatholdige alkaliske sammensætninger til rensning af mikorelektroniske substrater | |
| DE60323148D1 (de) | Wässrige phosphorsäurezusammensetzung zur reinigung von halbleiter-vorrichtungen | |
| ATE320620T1 (de) | Fotoresist-entfernungs- /reinigungszusammensetzungen mit aromatischen säureinhibitoren | |
| TW200630482A (en) | Aqueous based residue removers comprising fluoride | |
| MY146827A (en) | Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same | |
| TW200710611A (en) | Photoresist remover composition for removing modified photoresist of semiconductor device | |
| SG152961A1 (en) | Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| TW200732864A (en) | Composition for removing residue of a wiring substrate, and washing method thereof | |
| WO2006121580A3 (en) | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist | |
| DE60238244D1 (de) | Wässriges reinigungsmittel mit kupferspezifischem korrosionsschutzmittel zur abreinigung anorganischer reste von halbleitersubstraten | |
| TW201416809A (zh) | 光阻剝離液組成物 | |
| TW200702435A (en) | Phosphonic acid-containing formulation for cleaning semiconductor wafer and cleaning method | |
| TH84565A (th) | สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู | |
| JP2008541426A5 (th) | ||
| WO2006052692A3 (en) | Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum | |
| MY139624A (en) | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |