TW200930977A - Interferometer utilizing polarization scanning - Google Patents
Interferometer utilizing polarization scanning Download PDFInfo
- Publication number
- TW200930977A TW200930977A TW097143479A TW97143479A TW200930977A TW 200930977 A TW200930977 A TW 200930977A TW 097143479 A TW097143479 A TW 097143479A TW 97143479 A TW97143479 A TW 97143479A TW 200930977 A TW200930977 A TW 200930977A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- test object
- signal
- detector
- microscope
- Prior art date
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 title claims abstract description 87
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 33
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 27
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000961787 Josa Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009747 swallowing Effects 0.000 description 1
- 208000027433 terminal osseous dysplasia Diseases 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
200930977 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於分析包括例如薄膜厚度、材料组成、 及未光學解析的表面結構之表面結構特徵的方法。 【先前技術】 ❹ φ 干涉測量技術通常被用來測量一個物體的表面的輪 廓。為此,一干涉儀結合從所關心的表面反射的測量波前 及從參考面反射的參考波前以產生一干涉圖。在干涉圖中 的條紋表現出在所關心的表面和參考面之間的空間變化。 一掃描干涉儀在相當於或大於干涉波前㈣調長度之 把圍内掃描在干涉儀的參考及測量臂之間的光程差 (0PD)’以對用以測量干涉圖之每個照相機像素產生一掃描 =涉信號。-有限同調長度可透過使用例如白色光源被產 。通常’低㈣掃描干涉測量法被稱騎描白光干涉測 量法(SWU)。㈣信號是被局部化接近零_位置的一些 條紋。信號通常係經由JL古# 吊 由具有鐘型條紋對比波封之一正弦載 即,條紋)特徵化。構成如計量學的基礎之傳統 心、法疋利用條紋的局部化以測量表面輪廊。 SWU處理技術包括兩個原理趨勢。第一種方法是確定 ==中心的位置’且假定此位置對應於-光束從 射之二光束干涉儀的零光程差。第2種方法是 把信號轉變成頻域並且計算相位對波長的變化率,且假— 一個本質上線性的斜率直接與物體位置成正比。參看例Γ
1057-10J48-PF 5 200930977
Peter de Groot的美國專利第53981 13號。後面的方法被 稱為頻域分析法(FDA)。 掃描干涉測量法可被用以測量具有複雜表面結構(諸 如薄膜、不同材料的離散結構、或未由一干涉顯微鏡的光 學解析度解析的離散結構)的物體之表面形貌及/或其他特 性。此種測量與例如平面顯示器組件的特徵、半導體晶圓 計量學及在原位薄膜和不同材料分析有關。參看例如2〇〇4 ❹年9月30日出版的Peter de Groot et al.的美國專利出 版號碼 US-20 04 0189999 A卜名稱為” Profiling c〇mplex
Surface Structures Using Scanning Interferometry” , 其内容在此被一併供做參考,及2006年u月21日發佈的
Peter de Groot的美國專利第7139081號,名稱為”
Interferometry Method for El 1ipsometry,
Reflectometry, and Scatterometry Measurements,
Including Characterization of Thin Film Structures ❹ “,其内容在此被一併供做參考。 用於光學地決定有關一個物體的資訊的其他技術包括 擴圓測里術和反射測量術。當以一斜角,例如6 〇。,照明時, 有時帶有一可變角度或具有多波長,橢圓測量術決定一表 面的複雜反射率。為了達到比傳統橢圓儀可輕易達成者更 大的解析度’顯微橢圓儀測量相位及/或在物鏡的背焦面 (也就疋光瞳面)中的強度分佈’在光瞳面處’不同的照射 角度被映射至場位置。此種裝置是傳統偏振顯微鏡或,,錐 * ·
光偏振儀”的現代化,歷史上被連結至結晶學和礦物學, 1057-10148-PF 200930977 其利用正交的偏光 來分析雙折射材料 器和一伯特蘭透鏡以透過將 光瞳面成像
❹ 用於表面特徵化的傳統技術(例如, 測量術)依賴下列事實,卽“ 橢圓測量術和反射 取決於的光學界面的複雜反射率 性(例如,個別的層的材料特性和厚度)及 被用於測量反射率之光的三 離m姑 寻.波長、入射角和偏振 '實不上,特徵化儀器記錄由在已知範圍上改變這些參 數導致的反射率波動。 諸如最小平方擬合法的優化程序接著被用以透過使在 被測量的反射率數據及從光學結構的模型導出的反射率函 數之間的差異最小化以取得對未知參數的評估。這些被導 出的候選解經常被提前計算並且儲存在一資訊庫中,其經 由一最小平方或等效匹配及内插技術以決定正確的解。參 看例如 K. P. Bishop et al.的” Grating line shape characterization using scatterometry” , SPIE 1545,64-73 (1991 )和 C· J. Raymond et a 1. 的 ” Scatterometry for CD measurements of etched structures” , SPIE 2725, 720-728 (1996)。 諸如嚴格耦合波分析(RCWA)的詳細模型化解決發現特 徵結構(其產生觀察到繞射效應之被觀察到的干涉信號)的 反向問題。參看例如M. G. Moharam和T. K. Gaylord的 參考文獻,” Rigorous coupled-wave analysis of p1anar-grating diffraction 5 JOSA» 71(7)» 811(1981) 和 S. S. H. Naqvi et al.的” Linewidth measurement of 1057-10148-PF 7 200930977 gratings on photomasks: a simple technique” ,Appl. Opt·,31(10),1377-1384 (1 992)。 來自光罩和晶圓上的光柵測試圖案之繞射圖案的分析 提供線寬和與製程控制相關的其他形貌特徵的非接觸性測 量。參看例如 Η· P. Kleinkneclrt ei: al.的” Linewidth measurement on IC masks and wafers by grating test patterns” , Appl Opt. 19(4), 525-533 (1980)和 C. J. 赢 Raymond 的 Scatterometry for Semi conductor ©
Metrology » Handbook of silicon semiconductor metrology ’ A. J. Deibold, Ed. , Marcel Dekker, Inc., New York (2001 )。 【發明内容】 如上所述, 一測試表面的特徵可經由在角度的一個範
接收到 物體的資訊。 的模型之比較產生有關測試 可能的結構參數,諸如薄膜厚 的信號與測試表面的反射特性 ,對於各 在物鏡光瞳面被成像至 照相機上的實施例中
1057-10148-PF 8 200930977 照相機像素’偏振0PD掃描對於對應在成像光瞳中的特定 位置之入射角與入射偏振的特定結合產生一信號,其包含 有關測試表面的反射特性的資訊。 這些實施例可被用於詳細分析在表面上的單一位置之 表面結構,例如,多層膜堆疊的厚度及折射率、或是未被 光學地解析的形貌之關鍵尺寸及形狀參數。 在測試表面被成像至照相機上的實施例中,照相機檢 〇 測在所有的入射角及所有的偏振態上被積分的信號,其係 在測6式表面上的特定點之特徵。此實施例可被用於產生在 穿過測試表面的結構中之變化的二維及三維〇㈨合成 影像,例如,薄膜的厚度輪廓、或是做為表面上的位置的 函數之在未被光學地解析的形貌之關鍵尺寸中的變化。 光源在頻譜上可為寬頻(例如,包括在多波長的能 量)。在此種實施例中,足约大以至少包含光源的同調長度 之在整# 0PD掃描獲得的信號的數學分析可提供經由例如 ©傅立葉分析將信號分成表示特定波長的多種複合信號。此 變化提供做為波長的函數之有關測試表面反射率的詳細資 訊。 光源可為空間非同調,使得在光瞳面中的不 此非同調。因為信號產生機構依賴同調性,只有那些從相 同光源點產生的繞射光束導致由電子控制器記錄的信號。 從而’舉例而t,在測試物體將來自對光瞳影像中的許多 點的照·射中之-點的光繞.射的實施例中,4些繞射光束將 不與來自光瞳面中的其他光源點的鏡面或繞射光束干涉。
1057-10148-PF 9 200930977 這可簡化用於分析將在傳統顯微鏡中被不良地解析或未光 學地解析的表面結構繞射或散射的模型化問題。 偏振0PD掃描可被引進至顯微鏡的成像部分或照明部 因此偏振0PD可在光從測試表面反射之前在光之前 或之後被掃描。另一種可能是將偏振0PD掃描器直接放置 在顯微物鏡之前,使得照明及成像光通過它。在此種實施 例中,顯微物鏡、偏振〇PD掃描器及偏振檢偏器的組合可 ❹被包裝成單—的子系統,其可方便地取代傳統顯微鏡之標 準的成像物鏡或干涉顯微鏡之傳統的干涉物鏡。 通常,在第一方面中,本發明之特點在於方法,其包 括·使用一顯微鏡以將從測試物體反射的光導向一檢測 器,改變在光之正交的偏振態之間的光程差(0PD),以在改 變正交的偏振態間的〇PD時,從檢測器獲得一信號,及基 於獲仔的干涉信號,決定有關測試物體的資訊。 方法的實施可包括一或多個下列特點及/或其他方面 〇的特點。例如’決定資訊可包括將信號轉換(例如,使用傅 立葉轉換)成一反向0PD領域(例如,空間頻域)。 多種信號可在改變偏振態間的〇pD時被獲得,各信號 對應於檢測器的一不同的檢測器元件。有關測試物體的資 訊可基於多種獲得的信號被決定。 顯微鏡可被配置以將測試物體成像至檢測器上。或 者’顯微鏡可被配置以將顯微鏡的-光瞳面成像至檢測器 上。 在正父的偏振態間之光程差可被改變一數量,其大於
1057-10148-PF 200930977 提供光的光源之同調 ^ 長又。例如,對於一低同調光源,光 程差可被改變約2楙半七苗丄, 未或更大(例如,約5微米或更大、約 10微米或更大)。太一 士咸 ^ 二實施例中,光程差可被改變100 微米或更少(例如,約 、、’勺50微未或更少、約20微米或更少)。
在正交的偏振態間之I 之光差可在光從測試物體反射之前及 /或之後被改變。 ❺ ❿ 光可由—低同調光源提供。光可為寬頻光(例如,具有 一頻譜的半高全官, 見其為約5mn或更大、約10nm或更大、 約50nm或更大,ΛΛ 約10 Onm或更大)。光可為單色光。光可 由點光源提供。或者,光可由一空間擴展光源提供。 測試物體可包括一表面形貌,其係未由顯微鏡解析, 且決定有關測試物體的資訊可包括決定有關未光學解析的 表面形貌的貝訊。有關未光學解析的表面形貌的資訊可包 括表面形貌的高度輪廓、表面形貌的蝕刻深度、表面形貌 的步階高度、表面形貌的侧壁角度、表面形貌的間距、及/ 或表面形貌的線寬。有關表面形貌的資訊可為表面形貌的 一關鍵尺寸(CD)。 決定有關表面形貌的資訊可包括將干涉信號或從干涉 信號被導出的資訊與跟一組表面形貌模型相關聯的一組模 型化信號或是從與該組表面形貌模型相關聯的該組模型化 干涉信號被導出的資訊比較。決定有關表面形貌的資訊可 包括接收一模型化干涉信號或基於一模型表面形貌的嚴格 麵合波分析從模型化干涉信號被導出的資訊。 表面形貌可為一繞射結構。測試物體可包括一矽晶圓。
1057-1014S-PF 200930977 測試物體可包括一平面顯示器的—組件。 通常’在另一方面’本發明之特點在於方法,其包括: 導引-第-光束及一第二光束以照射在一測試物體上,第 -及第二光束係從—共同光源被導出且具有正交的偏振 態,當改變在第-及第二光束之間的一光程差時,使用一 共同的檢測器檢測從測試物體反射的第—及第二光束;當 改變在第-及第二光束之間的光程㈣’獲得對應於在檢 Ο ❹ 測的光束中之強度變化的-信號;及基於獲得的干涉信號 決定有關測試物體的資訊。 方法的實施τ包括-或多個下列特點及/或其他方面 的特點。例如’第一及第二光束可沿著一共同路徑照射在 測試物體上。 通常,在另外的方面,本發明之特點在於裝置,其包 括:一顯微鏡,被配置以將光導向照射在一測試物體上, 並將從測試物艘反射的光導向—檢測器;及—偏振光程差 :描器,被配置以改變在由顯微鏡導向至檢測器的光之正 交的偏振態間的一光程差(OP J))。 裝置的實施可包括—式 0從取夕個下列特點及/或可被配置 以實施本發明之其他方面的方法。在—些實施例中,裝置 匕括電子處理$ ’被叙合至檢測器且被配置以回應於變 化的0PD從檢測器接收一信號。電子處理器也可被耦合至 偏振0PD掃描器且被配置以使0PD的變化與由檢測器獲得 信號協調一致。電子處理器可被配置以基於信號決定有關 測試物體的資訊。電子處理器可被配置以將信號轉換至一
1057-10148-PF 12 200930977 反向0PD領域且基於轉換的信號決定有關測試物體的資 訊。電子處理器可被耦合至一電腦可讀媒體,其儲存與測 試物體的模型表面形貌有關的一資訊庫,且電子處理器可 被配置以將信號或從信號導出的資訊與資訊庫比較,以決 定有關測試物體的資訊。 檢測器可為一像素化檢測器且各像素可被配置以在檢 測光時產生一對應的信號。顯微鏡可包括—或多個光學組 ❹ 件,其被配置以將顯微鏡的光曈面成像在檢測器上。一或 多個光學組件可形成一伯特蘭(Bertrand)透鏡。顯微鏡可 包括一或多個光學組件,其被配置以將測試物體成像在檢 測器上。 顯微鏡可包括一物鏡且偏振0PD掃描器可被設置在物 鏡及檢測器之間。顯微鏡可包括一檢偏器(例如,線性偏光 器),其將從在檢測器之前的測試物體反射的光偏振。 裝置可包括一光源、,其才皮配置以將光導向至顯微鏡。偏振 ® 描器可被設置在光源及顯微鏡之間的光的路徑中。 光源可為一寬頻光源或一單色光源。光源可為一低同調光 源。光源可為一點光源或一空間擴展光源。 偏振0PD掃描器可將光分開成二個不同的光束,各自 具有一正交的偏振態(例如,正交的線性偏振態),沿著不 同的路徑將光束導向,在此,路徑中的至少一個係一可變 的路徑。偏振0PD掃描器可為一機械光學偏振〇叩掃描器。 偏振0PD掃描器可為_電$偏振㈣掃描器。,偏振_掃 描器可為一磁光偏振〇PD掃描器。 ^57-10148^ 13 200930977 裝置可被女裝在晶圓或平面顯示器工廠中且被用以做 為一計量工具以評估在微晶片或平面顯示器的生產中之不 同步驟。 在其他的優點中,實施例相對於傳統的干涉顯微鏡可 具有對振動之較低的敏感性。例如,在某些實施例中,因 為二干涉光束均從物體表面反射,實施例對於振動可為低 敏感性的(例如’第-階)。因此,當使用在將顯微鏡暴露 ❹於振動的環境中時,實施例可提供比傳統的干涉顯微鏡更 準碎的測量。另一個優點係傳統顯微鏡可被輕易地採用以 能夠實施揭露的技術。例如,一偏振〇pD掃描器可在光路 徑的^可輕易存取的部分,諸如在光源及成像光學元件之 間’被加入至一顯微鏡。 本發明之一或多個實施例的詳細說明被提出在附圖及 下面的說明中。其他的特點及優點將經由說明、圖式、及 申請專利範圍而明瞭。 ❹ 【實施方式】 參考第1周,一系統100包括一顯微鏡1〇1、—寬頻 低同調光源110、一偏振光程差(0PD)掃描器13〇、及—電 :控制器120(例如,一電腦)。顯微鏡m包括一物鏡17。、 :光源成像透鏡165 一分光器160、-伯特蘭透鏡15〇、 二照相貞U0(例如,包括_像素陣列的—數位相機)。 遠卡兒座標系統被提供做為參考。 在操作期間,來自光源⑴的光係經由透鏡112被導 l〇57-]〇i4g.pp 14 200930977 向至掃描器130,其改變在光的正交偏振態之間的〇ρΐ)β — 場光闌132’被設置於掃描器130和顯微鏡ιοί之間,把 光輸出掃描器130的光圈縮小’以提供一光束給顯微鏡 101 ° 分光器160(—非偏振分光器)透過物鏡ι7〇將光導向 至測試物體18 0。因此,測試物體1 8 〇的一表面丨8丨被具 有正交的線性偏振態的光照射。被測試物體18〇反射的光 ❹ 返回通過物鏡170’並且通過分光器ι6〇和伯特蘭透鏡15〇 被傳送到照相機140。顯微鏡1〇1也包括偏振混合器145(例 如,一檢偏器),其被配置以將提供一偏振的混合光束給照 相機140之正交偏振態取樣。例如,偏振混合器丨45可包 括一檢偏器,其具有相對於從測試表面181反射的光之正 交偏振態定向於45,的傳輸轴。 © 到照相機140上。 如說明,伯特蘭透鏡150包括一第一透鏡152和一第 透鏡154,且被配置以將物鏡的一光瞳面Η〗成像 照相機14 0和偏振〇pd掃描器
表面181 的反射特性之資訊的信號。 130被連 制器120記錄照相機強度 從光源110發出的光之正 變化。因為在光瞳面中的 光之一特定入射角和一特 素,經由偏振的干涉,偏 一特定結合產生包含有關 物鏡170可為— 高數值孔徑(NA)的物鏡。例如,物鏡
l〇57-l〇148-?F 15 200930977 170可具有大約0.4或更大(例如,ο』或更大、q.7或更 大)的NA。在一些實施例中,物鏡I”可具有^或更大的 NA(例如’物鏡170可與浸液結合被使用以將“增加超過 1)〇 不希望受理論約束,一給 學地表示為 定像素之導致的信號可被數 Kx,y,t) = ix+iy+φχι: c〇s[^+i»i], (1.) 其中 7,=τΚ+^ιΓ Iy=j\zy+zx\2 (2.) zx-r++ r_ cos(2Q) z丄=r_ sin(2Q) , zx = r_ sin(2Q) (3.) 並且 r- = (~rp)-rs r+=(~rp) + r' (4.) 這裡,Ω是在光瞳面中的方位角,且。和^係對應於 入射角0之測試表面的s —和p_偏振反射率。角波數⑦係干涉 條紋經過的速率。例如,历=viW;l,其中,v是〇pD變化 的速率且;I是波長。 對於遵守正弦條件的成像系統,入射角φ根據下式由先 瞳面中的位置尤,又而產生 sin[卢(X,少)]=^2+H Na p (5.) 其中’ P是光瞳的最大半徑。對於—碳
咴化矽表面之相位 1057-10148-PF 16 200930977 Θ的變化及穿過光瞳面的平均強度Λ + Λ分別被顯示於第 2Α圖和第2Β圖。相位範圍是81度,且穿過光瞳的強度變 化是50%。對於此資料而言,物鏡170的ΝΑ是0. 8。 在獲得資料之後,信號可用許多方法處理以決定有關 測試物體的資訊。在一些實施例中,信號的處理包括如上 面討論般對於一些或所有信號將信號轉換到反向的尺寸。 此種轉換可包括一信號的傅立葉轉換。因為例如在表面地 形圖中的領域變化、光學系統參數及/或薄膜厚度,信號和 轉換係各個像素不同。轉換可在頻域分析法(FDA)期間或者 其擴展期間進行。例示的FDA方法被說明於美國專利第 5398113 號,名稱為” METHOD AND APPARATUS FOR SURFACE TOPOGRAPHY MEASUREMENTS BY SPATIAL-FREQUENCY ANALYSIS OF INTERFEROGRAMS” 和 2003 年 3 月 8 日申請的 美國專利申請案序號1 0/795, 808,名稱為” PROFILING COMPLEX SURFACE STRUCTURES USING HEIGHT SCANNING ❿ INTERFEROMETRY” ,專利和專利申請案的内容在此被供做 參考。不過,應理解處理一個信號不需要轉換。例如,即 使沒有信號的轉換,一干涉波封的最大值可提供有關測試 物體的資訊。 資料分析可包括將信號或從信號導出的資訊(例如,信 號的頻譜)與對應於例如已知的表面結構(例如,模型化結 構或其特徵已經由諸如掃描探針或電子顯微術之其他技術 被決定的結構)之一預先存在的資料庫比較。例如,在此說 明的系統可被用以決定有關測試物體之未光學地解析的表 1057-10148-PF 17 200930977 面形貌的資訊’諸如有關去本舉 、 有關未先學地解析的光柵、貫孔、溝 槽、或凸塊的資訊。 在上面討論之用於表面特徵化的傳統技術(例如,擴圓 測量術和反射測量術)可被應用於資料。例如,經由將儲存 於資料庫中之測量的資料盥 种,、從先學結構的模型導出的對應 函數之間的差異最小化,最佳 、 取住化%序(例如,最小平方擬合) 可被用以估計測試物體的形貌的未知結構參數。 ❹ 雖然在系統m中的顯微鏡1〇1係被配置以將光瞳面 成像到照相機’其他的配置也是可能的。例如,在一些實 施例中,顯微鏡可被配置以將測試表自181成像到照相機 140上。例如,參閱第3圖,顯示以此方式被配置的系統 特別,顯微鏡101包括一筒鏡25〇,其將測試表面i8i 成像到照相機14“,而不包括一伯特蘭透鏡。在此,各 照相機像素對應於在測試表面i 8〗上的一點。 對於各照相機像素,偏振〇PD掃描產生一信 苴 含有關在物鏡之所有的照明角度積分 點之反射特性的資訊。從而,對於一特別的像素,的特疋 JT〇,〇, (〇 = J^2^2 ^ Ix+Iy+ ^TJ~y c〇S[^ + dy _ ( 6 ) 這導致做為時間的函數之強度,其係在測試物體表面 上的各特定點的光學特性的特徵。進—步的細節可經由例 如放置在光瞳面的孔徑而被選擇地收集,以便例如隔離光 瞳的區域並且檢查光瞳的這些區域之積分的干涉如何在物 體表面上隨位置而變化。’例如,環形孔徑可被用以隔離在
1057-10I48-PF 】8 200930977 測試表面1 81之特定角度的入射。做為另一個例子,可使 用偶極或四極孔徑。 在上述的系統中’ 0PD掃描器1 30被設置在光源11 〇 和顯微鏡101之間的光的路徑中。不過,其他的構造也是
可能的。例如,參閱第6圖,一系統600可包括一偏振〇PD 掃描器630 ’其位於分光器16〇及物鏡ι7〇之間的光路徑 中。在此配置中’光復行通過〇pD掃描器,使得,至少對 於某些光線’在正交的偏振態之間的光程差將大約是兩倍 於《又置在光單次通過掃描器處之對應的偏振〇PD掃描器 的數量。雖然此結構包括筒鏡25〇且被配置以將表面181 成像在照相機140上’選擇地,顯微鏡可包括如系統1〇〇 中所示之伯特蘭透鏡,且可將光瞳面丨5 1成像到照相機 140 上。 在系統600中,偏振0PD掃描器13〇和偏振混合器以5 就被放在顯微目鏡之前。此方法的優點係裝置組件中的數 ® 個可在一表面分析子系統601中結合。例如,此子系統可 被弄成與一傳統的顯微鏡或干涉顯微鏡平台相容,因此簡 化說明的技術的實施。一顯微鏡的傳統目鏡可被替換成例 如子系統。 ,9〇°,180°,27〇°之义,7 對於系統6 0 0,在方位角q 偏振軸的最簡單的例子+,分析以光瞳面成像係盘方程 式⑴相g。對其它的方位角,分析因為復行而可能更複 雜,但是仍然提供有用的資訊。在成像的情況中,如第6 圖所示’不同的調變係以類似方程式⑷的方式被整合:
1057-10148-PF 19 200930977 不同的顯微鏡系統的示意圖被顯示於第7A_7C圖。特 別,參閱第7A圖,在一些實施例中,一顯微鏡系統7〇1包 括一電子控制器710、一偏振〇pd掃描器720、一空間擴展 光源730、及一分光器74〇’其經由〇pD掃描器從光源將光 經由顯微物鏡750導向至一測試表面76〇。從測試表面76〇 反射的光經由顯微物鏡750回到分光器740且經由表面成 像透鏡7 9 0和偏振混合器7 8 0被導向照相機7 7 0。 〇 選擇地,表面成像透鏡790可與一光瞳面(例如,伯特 蘭)透鏡791交換。電子控制器71〇被耦接至偏振〇pD掃描 器720及照相機770並控制其操作。 參考第7B圖,另一顯微鏡系統7〇2包括與顯微鏡系統 701的其它組件結合的寬頻光源732及長掃描偏振〇pD掃 描器722。在此,”長掃描"意為包含大於光源的同調長度 之長度的掃描。例如,典型的白光光源具有大約2至1〇微 米的同調長度,且帶有對應於較寬的頻寬之較小的同調長 © 度。因此’在-些實施例中,一長掃描可為在從大約2至 10微米的範圍内。 參考第7C圖,一另外的顯微鏡系統7〇3包括與顯微鏡 7〇1的其它組件結合的一光源734及一偏振〇pD掃描器 724。在此,掃描器724係被排列於在分光器74〇和物鏡 750之間的光路徑中,而不是在光源和分光器7α之間。 偏振OPD掃描器可被設置在如上所述的顯微鏡系統的 其他位置。例十,在一些實施例中,,偏振〇pD掃描器可被 設置在分光器740和照相機770之間。
1057-1014S-PF 20 200930977 ❹ Ο 通常’多種不㈣判光源可被料光源3Q u 如’光源11 0可為一寬頻光源(例如,—寬頻L肋光源、— 螢光光源、-白熾光源、一電弧燈)或—單色光源(例如, 雷射源’諸如一雷射二極體、或與一窄帶通遽光器結合使 用的-寬頻㈣)。舉例而言,寬頻光源可具有諸如—波長 頻譜’其具有至少6抓、至少、12.25nm、至少25nm、至少 50mn、至少l〇〇nm、或至少15〇nffi的半高全寬(f肫趵。^ 光源Π 0可為一空間擴展光源或點光源。在某些實施 例中,例如,使用光瞳面或測試表面的成像,光源ΐι〇可 為光譜上寬冑,並且可同時以至少兩冑波長照射測試表 面。在此情況中,偏振0PD掃描產生類似於第4圖顯示者 的一調變信號,其繪示將被觀察到的一信號,具有以5〇〇μ 的波長為中心之1 〇〇nm寬的連續的寬頻頻譜。干涉效應的 局部化係由下列事實導致’即不同的波長產生可只在兩個 偏振態之間的零OPD的位置一致之重疊干涉信號。在第4 圖中的信號的傅立葉轉換把信號分成其組成波長,使計算 機可決定在二偏振態間的相對相位,以及對於二或更多波 長的每一個之干涉信號貢獻的強度。第5圖顯示在第4圖 中的信號的傅立葉變換的大小。標示κ的空間頻率係線性 地正比於光源頻譜的角波數Α。在此,紅=27Γ/500 nm。 現在移到偏振OPD移位器ι30和“Ο,通常,能夠相 對於一正交偏振偏移一偏振態的任何設備可被使用。其包 括兩個電光偏振OPD掃描器、磁光偏振〇pD掃描器、及光 學機械OPD掃描器。電光〇PD掃描器和磁光偏振〇pD掃描
1057-10】48-PF 21 200930977 分別經由電场及磁場改變你_ /6 1£ At _ „ 嘴又變從偏振態至另一偏振態的 0PD。 ❺ ❹ 通常’匕們包括-組件,其光學特性取決於電或磁場 的存在而變化。組件包括液晶胞和電光晶冑,例如,機械 光學偏振移位器利用一移動組件改變在偏振態之間的 0PD。參考第8圖,一 0PD掃描器8〇〇包括一麥克森干涉儀。 -偏振分光器810將進來的光分裂成具有正交偏振態的二 光束,並且沿著不同的路徑導引二光束。在第8圖中,不 同的路徑係分別表示為x偏振路程和y偏振路程。χ偏振 路程包括一反射鏡850,其相對於分光器8 1〇被固定 偏振路程包括一反射鏡84〇,被耦接到致動器86〇(例如, pzt致動益)’其被配置以相對於分光器81〇掃描反射鏡84〇 的位置。從反射鏡850及840反射的光被分光器81〇重新 結合並且被導引離開〇PD掃描器8 〇 〇。額外的光學組件可 被包括以根據需要導引輸出光。也被包括在〇pD掃描器 800中的分別是透鏡822、824、826和828及四分之一波 片812和814。例如’在與寬頻光源結合被使用處,四分 之一波片812和814根據需要可為無色的四分之一波片。 少考第9圖’偏振〇pj)掃描器的更進一步的例子 包括一對偏振分光器950和940,其中,偏振分光器950 被設置以從反射鏡9iO接收—輸入光束。分光器95〇沿著 一固定路徑20將對應於進入的光之一偏振態的第一光束 導向至偏振分光器940。固定的反射鏡920被設置在此光 * ·' 束的路徑中。 1057-10148-PF 22 200930977 對應於正交偏振態的其它光束從另一反射鏡932反射 並且經由偏振分光器940與第一光束結合以產生一輸出光 束。反射鏡930被安裝在一致動器932上,其被配置以改 變反射鏡930的位置,從而改變在分光器95〇和分光器94〇 之間的第2光束的光程距離。 其他機械光學構造也是可能的。 通常,偏振0PD掃描器的掃描範圍可以變化。對於包 ❹含寬頻光源的實施例來說,掃描範圍至少應該包含光源的 同調長度,例如對於典型的白色光源的數個微米。在一些 實施例中,掃描範圍可在從大約i到1〇〇λ的範圍内,這裡 λ是光源的代表波長(例如,峰值波長)。 通常,雖然顯微鏡系統和偏振〇PD移位器的某些實施 例已被說明’其他的實施例也是可能的。例#,一或多個 額外的組件可被包括在說明的系統中。例如’顯微鏡及/ 或0PD移位器可包括額外的組件,諸如一或多個淚光器或 ❹ 者用於直接觀察測試物體的一接目鏡。 上述系統可被用於21種的應用。例如,系統可被用於 測試物體18G的表面結構的分析,包括薄琪厚度、材料指 數和未光學地解析的表面結構。 可被分析的測試物體的類型包括半導體晶圓、MEMs裝 置、光學組件、平板顯示器、以及一般的R&D和生產控制 使用。 ♦在其他應用中,技術可被應用在半導體製造中的程序 控制。一個这種例子是關鍵尺寸(CD)的在製程中的監控,
1057-10148-PF 23 200930977 其對於微米和Μ大小的报多高科技組件是重要的。例子 包括半導體IC製程,諸如電晶體和邏輯創造,以及銅镶嵌 廣義地疋義’ CD包括橫向尺寸、钱刻深度、薄膜厚 度、步階高度、侧壁角度和料半導體I置的效能之相關 勺物理尺寸。CD计量學提供在製造的過程中發生的製程控 制和缺陷檢測,特別是由於諸如㈣、研磨、清潔和圖案 化的製程。另外’ CD計量學所必需的基本測量能力具有在
半導體1C製造(包括例如顯示器、奈米結構和繞射光學元 件)之外的寬廣應用。 更般地,如上所述的技術可被用於任何下列的表面 分析問題:簡單的薄膜;多層薄膜;繞射或以其他方式產 生複雜的干涉效應之銳角部及表面形貌;不解析的表面粗 链,未解析的表面形貌,例如,在一不這樣光滑的表面上 之次波長寬度的溝槽;不同的材料;表面之偏振依存的特 丨導致干涉現象之入射角依存的擾動之表面或變形表面 ❿形貌的撓曲、振動或移動。對於簡單的薄膜的情況來說, 所關心的可變參數可為薄媒厚度、薄膜的折射率、基板的 折射率、或—些其結合。對於不同材料的情況來說,例如, 表面可包括薄膜和一固態金屬的結合,且一適當數量之角 度依存的表面特性將被產生至一理論推估的資料庫,其可 包括兩表面結構類型以經由匹配至對應的干涉強度信號而 自動地辨識薄膜或固態金屬。 上述的任何計算機分析方法可用硬體或軟體或兩t的 結合被實現。方法可用電腦程式被實施,其使用遵循在此
1057-10148-PF 24 200930977 說明的方法和特點之標準編程技術。程式碼被應用於輪入 資料以執行在此說明的功能並且產生輸出資訊。輸出資訊 被應用於-或多個輸出裝置,諸如一顯示監視器。各程^ 可用高階程序或物件導向編程語言被實施以與一電腦系統 通訊。不過,若想要,程式可用組合或機器語言被實施。 無論如何,語言可為編譯或直譯式語言。而且,程式可在 為該目的被預先編程之專用的積體電路上執行。 〇 各個此種電腦程式最好被儲存在儲存媒體或裝置上 (例如,ROM或磁碟),其可被一般或特殊用途之可編程電 腦讀取,用於在儲存媒體或裝置被電腦讀取時配置並操作 電腦以執行在此說明的程序。電腦程式也可在程式執行期 間常駐在快取或主記憶體中。分析方法也可被實施為電腦 可讀取的存儲媒體,其配置有一電腦程式,這裡,如此配 置的儲存媒體使得一電腦以一特定及預先定義的方式操作 以實行在此說明的功能。 © 因此,其他實施例係位於下列申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖係干涉系統的一實施例的圖式。 第2A圖及第2B圖分別係在干涉系統的一例子中穿過 一光曈面的模型化相位及強度的圖表。 第3圖係干涉系統的一實施例的圖式。 . 第4圖係♦採用一寬頻照明,對於當在一偏振0PD掃描 期間混合二正交偏振態時產生的單一像素之一例示的干涉 1057-10148-PF 25 200930977 1吞现tfV你喟圖0 第5圖係顯示圖4所示的信號之傅立葉轉換的標繪圖。 第6圖係干涉系統的一實施例的圖式。 第7A-7C圖係顯示干渉系統的實施例的示意圖。 第8圖係機械光學偏振0PD移位器的一實施例。 第9圖係機械光學偏振0PD移位器的一實施例。 在不同圖式中的同樣的參考符號標示同樣的元件。 ®【主要元件符號說明】 20 :固定路徑; 100、200、600 :系統; 101 :顯微鏡; U 0 :寬頻低同調光滹; 112 :透鏡; 120、710 ··電子控制器·, ❿ 130、630、72〇、724、_ :偏振 〇Ρί)婦打。。 132 :場光闌; 田益; 14 0、7 7 0 ··照相機; 145 :偏振藏合器; 150 :伯特蘭透鏡; 151 :光瞳面; 152 :第一透鏡; 154 :第二透鏡; 160、740 :分光器; ·
1057-10148-PF 200930977 165 : 光源成像透鏡; 170 : 物鏡; 180 : 測試物體; 181 > 760 :測試表面; 250 :筒鏡; 6 01 :表面分析子系統.; 645、780:偏振混合器; 701、702、703 :顯微鏡系統; 722 :長掃描偏振OPD掃描器; 7 3 0 :空間擴展光源; 732 :寬頻光源; 7 3 4 :光源; 750 :顯微物鏡; 790 :表面成像透鏡; 791 :光瞳面透鏡; 800 : OPD掃描器; 810、950、940 :偏振分光器; 812、814:四分之一波片; 822、824、826、828 :透鏡; 840、850、910、920、930 :反射 860、932 :致動器。 27
1057-10148-PF
Claims (1)
- 200930977 十、申請專利範圍: 1. 一種方法,包括·· 使用一顯微鏡以將光導向—測試物體,並將從測試物 體反射的光導向一檢測器,在該處光包括具有正交偏振態 的分量; 4 改變在光的分量之間的光程差(〇PD); 在改變分量間的0PD時,從檢測器獲得一干涉信號; 及 …,基於獲得的干涉信號’決定有關測試物體的資訊。 2·如申請專利範圍第μ的方法,其中,決定資訊包 括將信號轉換至一反向0PJ)領域。 3.如申請專利範圍第2項的方法,其中,信號係使用 傅立葉轉換被轉換》 4·如申請專利範圍第丨項的方法,其中,當改變偏振 態間的0PD時,獲得多種信號,各信號對應於檢測器的一 不同的檢測器元件。 5. 如申請專利範圍第4項的方^ . 丄 矛項町万去,其中,有關測試物 體的資訊係基於多種獲得的信號被決定。 6. 如申請專利範圍第1項的方沬甘+ β $歹决,其中,顯微鏡被配 置以將測試物體成像至檢測器上。 7. 如申請專利範圍第1項的方法 唄不决,其中,顯微鏡被配 置以將顯微鏡的一光瞳面成像至檢剩器上。 8.如申請專利範圍第1項的方法 ^ * ’其中,0PD係被改 變一數量,其大於提供光的光源之同調長产。 , 1057-10148-PF 28 200930977 9.如申請專利範圍第1項的方法,其中,改變具有正 父偏振態的分量間的_包括沿著不同的路徑導引分量, 且當分量係位於不同路徑上時改變至少一分量的光程。 1〇,如申請專利範圍第9項的方法,其中,分量係在 先從測試物體反射之前沿著不同的路徑被導引。 如申請專利範圍第10項的方法,其中,分量係 光從測試物體反射之前沿著相同的路徑被重新結合。 如申喷專利範圍第1 〇項的方法,其中,分量係在 光從測試物體反射之後沿著相同的路徑被重新結合/、 13. 如申請專利範圍第9項的方法,其中,分量係在 先從測試物體反射之後沿著不同的路徑被導引。 14. 如申請專利範圍第Μ的方法,其中,光係由一 低同調光源提供。 15·如申請專利範圍第1項的方法,其中,光係寬頻 光。 ❹ 16.”請專利範圍第1項的方法,其中,光係單色 光。 17. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,光係由— 點光源提供。 18. 如申請專利範圍第!項的方法,其中,光係由— 空間擴展光源提供。 如申請專利範圍第的方法,其中,測試物體 I括表面形芦,其係未由顯微鏡•光學解析,且決定有關 、'古、體的= 貝訊包括決定有關未光學解析的表面形貌的資 1057-10148-PF 29 200930977 訊0 20. 如申請專利範圍第19項的方法,其中,有關未光 學解析的表面形貌的資訊包括表面形貌的高度輪廟、表面 形貌的蝕刻深度、表面形貌的步階高度、表面形貌的側壁 角度、表面形貌的間距、或表面形貌的線寬。 21. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,決定有關 表面形貌的資訊包括將信號或從信號被導出的資訊與跟一 組表面形貌模型相關聯的一組模型化信號或是從與該組表 面形貌模型相關聯的該組模型化信號被導出的資訊比較。 22. 如申請專利範圍第!項的方法,其中,決定有關 表面形貌的資訊包括接收一模型化信號或基於一模型表面 形貌的嚴格麵合波分析從模型化信號被導出的資气 23. 如申請專利範圍第!項的方法,其中,表面形貌 係一繞射結構。 24.如申請專利範圍第丄項的方法,其中,測試物體 φ 包括一矽晶圓。 25·如申請專利範圍第1項的方法,其中,測試物體 包括一平面顯示器的一組件。 26. —種方法,包括: 導引-第-光束及一第二光束以照射在一測試物體 上,第-及第二光束係從一共同光源被導出且具有正交的 偏振態; • 當改變在第一及第二光束之間的-光程差_)時,使 用-共同的檢測器在第一及第二光束從測試物體反射之後 1057-10148-PF 30 200930977 檢測第一及第二光束; 時,獲得對應於 ;及 當改變在第一及第二光束之間的〇pD 在檢測的光束中之強度變化的一干涉信號 基於獲得的信號決定有關測試物體的資訊。 27.如申請專利範圍第26項的方法,其中,第一及第 光束沿著一共同的路徑照射在測試物體上。 28. —種襞置,包括:一光源; 一顯微鏡,被排列以將來自光源的光以照射在一測試 物體上’並將從測試物體反射的光導向—檢測器,在該處 光包括具有正交偏振態的分量;及 一偏振光程差(0PD)掃描器,被配置以改變在光的分量 間的一 0PD。 29. 如申請專利範圍第28項的裝置,更包括一電子處 理器,被耦合至檢測器且被配置以回應於變化的〇pD從檢 ❿ 測器接收一信號。 30. 如申請專利範圍第29項的裝置,其中,電子處理 器也被耦合至偏振〇PD掃描器且被配置以使〇pi)的變化與 由檢測器獲得信號協調一致。 31. 如申請專利範圍第29項的裝置,其中,電子處理 器被編程以基於信號決定有關測試物體的資訊。 32. 如申請專利範圍第31項的裝置,其中,電子處理 器被編程以將信號轉換至一反向〇pD領域且基於轉換的信 说決疋有關測試物體的資訊。 1057-10148-PF 31 200930977 33.如申請專利範圍第 器被耦合至一電腦可讀媒體 面形貌有關的一資訊庫,且 從信號導出的資訊與資訊庫 資訊。 29項的裝置,其中,電子處理 ,其儲存與測試物體的模型表 電子處理器被編程以將信號或 比較’以決定有關測試物體的 34. 如申請專利範圍帛28項的裝置,其中,檢測器係 -像素化檢測器且各像素被配置以在檢測光時產生一對應 的信號。 ~ 35. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,顯微鏡包 括一或多個光學組件,其被配置以將顯微鏡的光瞳面成像 在檢測器上。 36. 如申請專利範圍第35項的裝置,其中,一或多個 光學組件形成一伯特蘭透鏡。 37. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,顯微鏡包 括一或多個光學組件,其被配置以將測試物體成像在檢測 器上。 38. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,顯微鏡包 括一物鏡且偏振0PD掃描器被設置在物鏡及檢測器之間。 39. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,顯微鏡包 括一檢偏器’其將從檢測器之前的測試物體反射的光偏振。 40. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,偏振0PD 掃描器被設置在光源及顯微鏡之間的光的路徑中。 41. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,光源係一 争- 寬頻光源。 1057-10148-PF 32 200930977 42. 如申請專利範圍帛28項的裳置,其中,光源係一 低同調光源。 43. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,光源係一 單色光源。 44. 如申請專利範圍第28項的裝 點光源。 其中’先源係- ❹ 45. 如申請專利範圍第28項的裝置,其中,光源係一 擴展光源。 46. 如申請專利範圍第別項的裝置,其中,偏振_ 掃描器包括-分光器’其將光的分量分開成二個不同的光 束,各自對應於一分量。 4,如申請專利範圍“6項的裝置,其中,偏振_ 掃描器包括光學組件,其在會新細人 夬在重新組合光束之前沿著不同的 路徑導引二個不同的光束。 48‘如申請專利範圍㈣項的装置,其中,偏振_ 描括可調整的組件,其被配置以改變路徑中的至少 一個的光程長度。 49.如申請專利範圍第48項的裝置,其中,可調整的 組件係-機械光學組件、一電光組件、或一磁光組件。 1057-H)14§-PF 33
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US98769007P | 2007-11-13 | 2007-11-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200930977A true TW200930977A (en) | 2009-07-16 |
| TWI448661B TWI448661B (zh) | 2014-08-11 |
Family
ID=40639402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097143479A TWI448661B (zh) | 2007-11-13 | 2008-11-11 | 使用極化掃描法之干涉儀 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7978337B2 (zh) |
| JP (1) | JP5222954B2 (zh) |
| KR (1) | KR101274517B1 (zh) |
| TW (1) | TWI448661B (zh) |
| WO (1) | WO2009064670A2 (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI408338B (zh) * | 2009-08-11 | 2013-09-11 | Univ Nat Taiwan | 干涉量測裝置及其量測方法 |
| TWI490542B (zh) * | 2013-05-07 | 2015-07-01 | Univ Nat Taiwan | A scanning lens and an interference measuring device using the scanning lens |
| TWI504855B (zh) * | 2013-03-18 | 2015-10-21 | Snu Precision Co Ltd | 能夠檢測顏色資訊的三維形狀檢測裝置 |
| TWI729615B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-01 | 財團法人國家實驗研究院 | 反射式聚光干涉儀 |
| TWI770951B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-07-11 | 芯聖科技股份有限公司 | 平行光學掃描檢測裝置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7324214B2 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features |
| US7428057B2 (en) * | 2005-01-20 | 2008-09-23 | Zygo Corporation | Interferometer for determining characteristics of an object surface, including processing and calibration |
| US8523354B2 (en) * | 2008-04-11 | 2013-09-03 | Pixeloptics Inc. | Electro-active diffractive lens and method for making the same |
| US8144052B2 (en) * | 2008-10-15 | 2012-03-27 | California Institute Of Technology | Multi-pixel high-resolution three-dimensional imaging radar |
| JP5247658B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2013-07-24 | セイコークロック株式会社 | 指針計器 |
| EP2327953B1 (en) * | 2009-11-20 | 2013-06-19 | Mitutoyo Corporation | Apparatus and method for determining a height map of a surface through both interferometric and non interferometric measurements. |
| US9104120B2 (en) * | 2011-02-10 | 2015-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Structured illumination for contrast enhancement in overlay metrology |
| WO2014055749A1 (en) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Zygo Corporation | Position monitoring system with reduced noise |
| US8912495B2 (en) * | 2012-11-21 | 2014-12-16 | Kla-Tencor Corp. | Multi-spectral defect inspection for 3D wafers |
| US9581554B2 (en) | 2013-05-30 | 2017-02-28 | Seagate Technology Llc | Photon emitter array |
| DE102013222562B4 (de) * | 2013-11-06 | 2023-01-26 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Mikroskop und Verfahren sowie Verwendung eines Mikroskops für evaneszente Beleuchtung und punktförmige Rasterbeleuchtung |
| US10254110B2 (en) * | 2013-12-18 | 2019-04-09 | Nanometrics Incorporated | Via characterization for BCD and depth metrology |
| US11035790B2 (en) * | 2018-12-31 | 2021-06-15 | Industrial Cooperation Foundation Chonbuk National University | Inspection apparatus and inspection method |
| KR20220032922A (ko) | 2020-09-08 | 2022-03-15 | 삼성전자주식회사 | 퓨필 타원 편광 계측 장치 및 방법, 및 그 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| KR20230003886A (ko) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 삼성전자주식회사 | 광학 계측 설비, 그를 이용한 광학 계측 방법 및 그를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20230156849A (ko) | 2022-05-06 | 2023-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 검사 장치 및 표시 패널 검사 방법 |
Family Cites Families (194)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2612074A (en) | 1949-03-30 | 1952-09-30 | Prec Mecanique Paris Soc | Interferometer |
| US4199219A (en) | 1977-04-22 | 1980-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for scanning an object with a light beam |
| US4188122A (en) | 1978-03-27 | 1980-02-12 | Rockwell International Corporation | Interferometer |
| US4340306A (en) | 1980-02-04 | 1982-07-20 | Balasubramanian N | Optical system for surface topography measurement |
| US4355903A (en) | 1980-02-08 | 1982-10-26 | Rca Corporation | Thin film thickness monitor |
| DE3145633A1 (de) | 1981-11-17 | 1983-08-11 | Byk-Mallinckrodt Chemische Produkte Gmbh, 4230 Wesel | Vorrichtung zur farbmessung |
| US4576479A (en) | 1982-05-17 | 1986-03-18 | Downs Michael J | Apparatus and method for investigation of a surface |
| US4523846A (en) | 1982-09-10 | 1985-06-18 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Integrated optics in an electrically scanned imaging Fourier transform spectrometer |
| JPS60127403A (ja) | 1983-12-13 | 1985-07-08 | Anritsu Corp | 厚み測定装置 |
| US4618262A (en) | 1984-04-13 | 1986-10-21 | Applied Materials, Inc. | Laser interferometer system and method for monitoring and controlling IC processing |
| US4710642A (en) | 1985-08-20 | 1987-12-01 | Mcneil John R | Optical scatterometer having improved sensitivity and bandwidth |
| US4639139A (en) | 1985-09-27 | 1987-01-27 | Wyko Corporation | Optical profiler using improved phase shifting interferometry |
| DE3574280D1 (en) * | 1985-12-23 | 1989-12-21 | Ibm Deutschland | Method and arrangement for optically determining surface profiles |
| US4818110A (en) | 1986-05-06 | 1989-04-04 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus of using a two beam interference microscope for inspection of integrated circuits and the like |
| US4802765A (en) * | 1986-06-12 | 1989-02-07 | Zygo Corporation | Differential plane mirror having beamsplitter/beam folder assembly |
| JPH0625644B2 (ja) * | 1986-07-31 | 1994-04-06 | 日本分光工業株式会社 | 光学的微小変位測定装置 |
| JPS63241305A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Hitachi Ltd | 縞走査法 |
| US4806018A (en) | 1987-07-06 | 1989-02-21 | The Boeing Company | Angular reflectance sensor |
| US4869593A (en) | 1988-04-22 | 1989-09-26 | Zygo Corporation | Interferometric surface profiler |
| US4923301A (en) | 1988-05-26 | 1990-05-08 | American Telephone And Telegraph Company | Alignment of lithographic system |
| US4964726A (en) | 1988-09-27 | 1990-10-23 | General Electric Company | Apparatus and method for optical dimension measurement using interference of scattered electromagnetic energy |
| US4948253A (en) | 1988-10-28 | 1990-08-14 | Zygo Corporation | Interferometric surface profiler for spherical surfaces |
| GB8903725D0 (en) | 1989-02-18 | 1989-04-05 | Cambridge Consultants | Coherent tracking sensor |
| US5042949A (en) | 1989-03-17 | 1991-08-27 | Greenberg Jeffrey S | Optical profiler for films and substrates |
| JP2891715B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1999-05-17 | キヤノン株式会社 | 縞走査型干渉測定装置 |
| JPH02278218A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 偏光干渉顕微鏡 |
| US4999014A (en) | 1989-05-04 | 1991-03-12 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for measuring thickness of thin films |
| US5042951A (en) | 1989-09-19 | 1991-08-27 | Therma-Wave, Inc. | High resolution ellipsometric apparatus |
| US5073018A (en) | 1989-10-04 | 1991-12-17 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Correlation microscope |
| DE3942896A1 (de) | 1989-12-23 | 1991-06-27 | Zeiss Carl Fa | Interferometrischer sensor zur messung von abstandsaenderungen einer kleinen flaeche |
| US5112129A (en) | 1990-03-02 | 1992-05-12 | Kla Instruments Corporation | Method of image enhancement for the coherence probe microscope with applications to integrated circuit metrology |
| US5135307A (en) | 1990-05-30 | 1992-08-04 | Hughes Danbury Optical System, Inc. | Laser diode interferometer |
| US5241369A (en) | 1990-10-01 | 1993-08-31 | Mcneil John R | Two-dimensional optical scatterometer apparatus and process |
| US5129724A (en) | 1991-01-29 | 1992-07-14 | Wyko Corporation | Apparatus and method for simultaneous measurement of film thickness and surface height variation for film-substrate sample |
| US5164790A (en) | 1991-02-27 | 1992-11-17 | Mcneil John R | Simple CD measurement of periodic structures on photomasks |
| DE69231715D1 (de) | 1991-03-04 | 2001-04-12 | At & T Corp | Herstellungsverfahren von integrierten Halbleiterschaltungen unter Anwendung von latenten Bildern |
| DE4108944A1 (de) | 1991-03-19 | 1992-09-24 | Haeusler Gerd | Verfahren und einrichtung zur beruehrungslosen erfassung der oberflaechengestalt von diffus streuenden objekten |
| US5153669A (en) | 1991-03-27 | 1992-10-06 | Hughes Danbury Optical Systems, Inc. | Three wavelength optical measurement apparatus and method |
| US5194918A (en) | 1991-05-14 | 1993-03-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method of providing images of surfaces with a correlation microscope by transforming interference signals |
| US5173746A (en) | 1991-05-21 | 1992-12-22 | Wyko Corporation | Method for rapid, accurate measurement of step heights between dissimilar materials |
| US5204734A (en) | 1991-06-12 | 1993-04-20 | Wyko Corporation | Rough surface profiler and method |
| US5133601A (en) | 1991-06-12 | 1992-07-28 | Wyko Corporation | Rough surface profiler and method |
| JPH05304627A (ja) | 1991-08-19 | 1993-11-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | ビデオカメラのサイドグリップ |
| JPH05149719A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-15 | Toshiba Corp | 性状測定装置 |
| US5181080A (en) | 1991-12-23 | 1993-01-19 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for evaluating the thickness of thin films |
| US5390023A (en) | 1992-06-03 | 1995-02-14 | Zygo Corporation | Interferometric method and apparatus to measure surface topography |
| US5402234A (en) | 1992-08-31 | 1995-03-28 | Zygo Corporation | Method and apparatus for the rapid acquisition of data in coherence scanning interferometry |
| US5384717A (en) | 1992-11-23 | 1995-01-24 | Ford Motor Company | Non-contact method of obtaining dimensional information about an object |
| US5398113A (en) | 1993-02-08 | 1995-03-14 | Zygo Corporation | Method and apparatus for surface topography measurement by spatial-frequency analysis of interferograms |
| US5777742A (en) | 1993-03-11 | 1998-07-07 | Environmental Research Institute Of Michigan | System and method for holographic imaging with discernible image of an object |
| DE4309056B4 (de) | 1993-03-20 | 2006-05-24 | Häusler, Gerd, Prof. Dr. | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Entfernung und Streuintensität von streuenden Punkten |
| US5386119A (en) | 1993-03-25 | 1995-01-31 | Hughes Aircraft Company | Apparatus and method for thick wafer measurement |
| JPH074922A (ja) | 1993-06-21 | 1995-01-10 | Jasco Corp | 半導体多層薄膜膜厚測定装置およびその測定方法 |
| JPH0719842A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-20 | Kosaka Kenkyusho:Kk | 表面形状の光学的測定装置 |
| EP0767361B1 (en) | 1993-07-22 | 2000-02-23 | Applied Spectral Imaging Ltd. | Method and apparatus for spectral imaging |
| US5856871A (en) | 1993-08-18 | 1999-01-05 | Applied Spectral Imaging Ltd. | Film thickness mapping using interferometric spectral imaging |
| US5481811A (en) | 1993-11-22 | 1996-01-09 | The Budd Company | Universal inspection workpiece holder |
| US5483064A (en) | 1994-01-21 | 1996-01-09 | Wyko Corporation | Positioning mechanism and method for providing coaxial alignment of a probe and a scanning means in scanning tunneling and scanning force microscopy |
| US5459564A (en) | 1994-02-18 | 1995-10-17 | Chivers; James T. | Apparatus and method for inspecting end faces of optical fibers and optical fiber connectors |
| US5471303A (en) | 1994-04-29 | 1995-11-28 | Wyko Corporation | Combination of white-light scanning and phase-shifting interferometry for surface profile measurements |
| US5633714A (en) | 1994-12-19 | 1997-05-27 | International Business Machines Corporation | Preprocessing of image amplitude and phase data for CD and OL measurement |
| US5555471A (en) | 1995-05-24 | 1996-09-10 | Wyko Corporation | Method for measuring thin-film thickness and step height on the surface of thin-film/substrate test samples by phase-shifting interferometry |
| US5589938A (en) | 1995-07-10 | 1996-12-31 | Zygo Corporation | Method and apparatus for optical interferometric measurements with reduced sensitivity to vibration |
| US5703692A (en) | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
| US5748318A (en) | 1996-01-23 | 1998-05-05 | Brown University Research Foundation | Optical stress generator and detector |
| US5602643A (en) | 1996-02-07 | 1997-02-11 | Wyko Corporation | Method and apparatus for correcting surface profiles determined by phase-shifting interferometry according to optical parameters of test surface |
| US5640270A (en) | 1996-03-11 | 1997-06-17 | Wyko Corporation | Orthogonal-scanning microscope objective for vertical-scanning and phase-shifting interferometry |
| JPH09297004A (ja) * | 1996-05-01 | 1997-11-18 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡装置 |
| US5880838A (en) | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
| JP3459327B2 (ja) | 1996-06-17 | 2003-10-20 | 理化学研究所 | 積層構造体の層厚および屈折率の測定方法およびその測定装置 |
| US5923423A (en) | 1996-09-12 | 1999-07-13 | Sentec Corporation | Heterodyne scatterometer for detecting and analyzing wafer surface defects |
| US5956141A (en) | 1996-09-13 | 1999-09-21 | Olympus Optical Co., Ltd. | Focus adjusting method and shape measuring device and interference microscope using said focus adjusting method |
| JPH1089912A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Olympus Optical Co Ltd | 干渉顕微鏡 |
| US5757502A (en) | 1996-10-02 | 1998-05-26 | Vlsi Technology, Inc. | Method and a system for film thickness sample assisted surface profilometry |
| US5774224A (en) | 1997-01-24 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Linear-scanning, oblique-viewing optical apparatus |
| US5777740A (en) | 1997-02-27 | 1998-07-07 | Phase Metrics | Combined interferometer/polarimeter |
| US5867276A (en) | 1997-03-07 | 1999-02-02 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Method for broad wavelength scatterometry |
| US5784164A (en) | 1997-03-20 | 1998-07-21 | Zygo Corporation | Method and apparatus for automatically and simultaneously determining best focus and orientation of objects to be measured by broad-band interferometric means |
| JP3275797B2 (ja) | 1997-09-10 | 2002-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 低圧水銀蒸気放電ランプ |
| US6031615A (en) | 1997-09-22 | 2000-02-29 | Candela Instruments | System and method for simultaneously measuring lubricant thickness and degradation, thin film thickness and wear, and surface roughness |
| US6392749B1 (en) | 1997-09-22 | 2002-05-21 | Candela Instruments | High speed optical profilometer for measuring surface height variation |
| US20020015146A1 (en) | 1997-09-22 | 2002-02-07 | Meeks Steven W. | Combined high speed optical profilometer and ellipsometer |
| US6665078B1 (en) | 1997-09-22 | 2003-12-16 | Candela Instruments | System and method for simultaneously measuring thin film layer thickness, reflectivity, roughness, surface profile and magnetic pattern in thin film magnetic disks and silicon wafers |
| US5912741A (en) | 1997-10-10 | 1999-06-15 | Northrop Grumman Corporation | Imaging scatterometer |
| US5963329A (en) | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
| US5900633A (en) | 1997-12-15 | 1999-05-04 | On-Line Technologies, Inc | Spectrometric method for analysis of film thickness and composition on a patterned sample |
| US6124141A (en) | 1998-01-07 | 2000-09-26 | International Business Machines Corporation | Non-destructive method and device for measuring the depth of a buried interface |
| US6028670A (en) | 1998-01-19 | 2000-02-22 | Zygo Corporation | Interferometric methods and systems using low coherence illumination |
| US5953124A (en) | 1998-01-19 | 1999-09-14 | Zygo Corporation | Interferometric methods and systems using low coherence illumination |
| US6407816B1 (en) | 1998-02-23 | 2002-06-18 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring the refractive index and optical path length effects of air |
| US6483580B1 (en) | 1998-03-06 | 2002-11-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
| DE19814057B4 (de) | 1998-03-30 | 2009-01-02 | Carl Zeiss Meditec Ag | Anordnung zur optischen Kohärenztomographie und Kohärenztopographie |
| US6242739B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-06-05 | Alexander P. Cherkassky | Method and apparatus for non-destructive determination of film thickness and dopant concentration using fourier transform infrared spectrometry |
| US6275297B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-08-14 | Sc Technology | Method of measuring depths of structures on a semiconductor substrate |
| JP2000121317A (ja) | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 光干渉計の干渉位相検出方式 |
| US6159073A (en) | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
| JP3569726B2 (ja) | 1998-12-15 | 2004-09-29 | 独立行政法人理化学研究所 | 試料の幾何学的厚さおよび屈折率測定装置およびその測定方法 |
| US6184984B1 (en) | 1999-02-09 | 2001-02-06 | Kla-Tencor Corporation | System for measuring polarimetric spectrum and other properties of a sample |
| KR100290086B1 (ko) | 1999-03-23 | 2001-05-15 | 윤덕용 | 백색광주사간섭법을 이용한 투명한 박막층의 3차원 두께 형상 측정 및 굴절률 측정 방법 및 그 기록매체 |
| US6222632B1 (en) * | 1999-04-07 | 2001-04-24 | Luxtron Corporation | Polarization interferometer spectrometer with rotatable birefringent element |
| US6449066B1 (en) | 1999-04-29 | 2002-09-10 | Kaiser Optical Systems, Inc. | Polarization insensitive, high dispersion optical element |
| US6888638B1 (en) | 1999-05-05 | 2005-05-03 | Zygo Corporation | Interferometry system having a dynamic beam steering assembly for measuring angle and distance |
| TW477897B (en) | 1999-05-07 | 2002-03-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device, method and device to measure cell thickness of liquid crystal display device, and phase difference plate using the method thereof |
| US6507405B1 (en) | 1999-05-17 | 2003-01-14 | Ultratech Stepper, Inc. | Fiber-optic interferometer employing low-coherence-length light for precisely measuring absolute distance and tilt |
| US6249351B1 (en) | 1999-06-03 | 2001-06-19 | Zygo Corporation | Grazing incidence interferometer and method |
| US6381009B1 (en) | 1999-06-29 | 2002-04-30 | Nanometrics Incorporated | Elemental concentration measuring methods and instruments |
| US6160621A (en) | 1999-09-30 | 2000-12-12 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for in-situ monitoring of plasma etch and deposition processes using a pulsed broadband light source |
| US6259521B1 (en) | 1999-10-05 | 2001-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling photolithography parameters based on photoresist images |
| JP3642996B2 (ja) | 1999-11-18 | 2005-04-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 光干渉法による測定対象物の屈折率と厚さの同時測定方法及びそのための装置 |
| US6545761B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-04-08 | Veeco Instruments, Inc. | Embedded interferometer for reference-mirror calibration of interferometric microscope |
| AU2001260975A1 (en) | 2000-01-25 | 2001-08-20 | Zygo Corporation | Optical systems for measuring form and geometric dimensions of precision engineered parts |
| JP4673955B2 (ja) | 2000-03-24 | 2011-04-20 | オリンパス株式会社 | 光学装置 |
| US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
| LU90580B1 (fr) | 2000-05-08 | 2001-11-09 | Europ Economic Community | M-thode d'identification d'un objet |
| US6449048B1 (en) | 2000-05-11 | 2002-09-10 | Veeco Instruments, Inc. | Lateral-scanning interferometer with tilted optical axis |
| US6597460B2 (en) | 2000-05-19 | 2003-07-22 | Zygo Corporation | Height scanning interferometer for determining the absolute position and surface profile of an object with respect to a datum |
| US6417109B1 (en) | 2000-07-26 | 2002-07-09 | Aiwa Co., Ltd. | Chemical-mechanical etch (CME) method for patterned etching of a substrate surface |
| JP2004505313A (ja) | 2000-07-27 | 2004-02-19 | ゼテティック・インスティチュート | 差分干渉走査型の近接場共焦点顕微鏡検査法 |
| US6847029B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-01-25 | Zetetic Institute | Multiple-source arrays with optical transmission enhanced by resonant cavities |
| US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
| US6633831B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-10-14 | Kla Tencor Technologies | Methods and systems for determining a critical dimension and a thin film characteristic of a specimen |
| US6694284B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
| US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
| AU2002241784A1 (en) | 2000-11-02 | 2002-05-27 | Zygo Corporation | Height scanning interferometry method and apparatus including phase gap analysis |
| US6633389B1 (en) | 2000-11-28 | 2003-10-14 | Nanometrics Incorporated | Profiling method |
| US6909509B2 (en) | 2001-02-20 | 2005-06-21 | Zygo Corporation | Optical surface profiling systems |
| US6721094B1 (en) | 2001-03-05 | 2004-04-13 | Sandia Corporation | Long working distance interference microscope |
| US6624894B2 (en) | 2001-06-25 | 2003-09-23 | Veeco Instruments Inc. | Scanning interferometry with reference signal |
| JP4869502B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2012-02-08 | オリンパス株式会社 | 微分干渉顕微鏡 |
| US7382447B2 (en) | 2001-06-26 | 2008-06-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for determining lithographic focus and exposure |
| JP2003015042A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 微分干渉顕微鏡 |
| US6867866B1 (en) | 2001-08-10 | 2005-03-15 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using green's function |
| US6741357B2 (en) | 2001-08-14 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Quadrature phase shift interferometer with unwrapping of phase |
| JP4242767B2 (ja) | 2001-09-21 | 2009-03-25 | ケイマック | 2次元型検出器を用いた薄膜特性測定装置及びその測定方法 |
| EP1432967A4 (en) * | 2001-10-01 | 2004-12-22 | Ud Technology Corp | SIMULTANEOUS MULTI-BEAM PLANE MATRIX INFRARED SPECTROSCOPY |
| US6714307B2 (en) | 2001-10-16 | 2004-03-30 | Zygo Corporation | Measurement of complex surface shapes using a spherical wavefront |
| US6630982B2 (en) | 2001-10-18 | 2003-10-07 | Motorola, Inc. | Color and intensity tunable liquid crystal device |
| KR100437024B1 (ko) | 2001-10-18 | 2004-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 박막 검사 방법 및 그 장치 |
| KR100354613B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2002-10-11 | 박헌휘 | 교체 가능한 침지형 중공사막 모듈 |
| US7030995B2 (en) | 2001-12-10 | 2006-04-18 | Zygo Corporation | Apparatus and method for mechanical phase shifting interferometry |
| US6856384B1 (en) | 2001-12-13 | 2005-02-15 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology system with combined interferometer and ellipsometer |
| US6934035B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-08-23 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for measuring optical distance |
| GB2385417B (en) | 2002-03-14 | 2004-01-21 | Taylor Hobson Ltd | Surface profiling apparatus |
| US7385707B2 (en) | 2002-03-14 | 2008-06-10 | Taylor Hobson Limited | Surface profiling apparatus |
| US7068376B2 (en) | 2002-04-19 | 2006-06-27 | Zygo Corporation | Interferometry method and apparatus for producing lateral metrology images |
| WO2003093759A2 (en) | 2002-05-02 | 2003-11-13 | Zygo Corporation | Phase gap analysis for scanning interferometry |
| AU2003247550A1 (en) | 2002-06-17 | 2003-12-31 | Zygo Corporation | Interferometry methods and systems having a coupled cavity geometry for use with an extended source |
| DE10392754T5 (de) * | 2002-06-17 | 2005-08-25 | Zygo Corp., Middlefield | Interferometrisches optisches System und Verfahren, die eine optische Pfadlänge und einen Fokus bzw. Brennpunkt liefern, die gleichzeitig abgetastet werden |
| US6775015B2 (en) * | 2002-06-18 | 2004-08-10 | Timbre Technologies, Inc. | Optical metrology of single features |
| WO2004003463A2 (en) | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Lightgage, Inc. | Interferometer system of compact configuration |
| KR101223195B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2013-01-21 | 지고 코포레이션 | 박막 구조의 특징화를 포함하여, 타원편광 측정, 반사 측정 및 산란 측정을 위한 간섭측정 방법 및 장치 |
| US7139081B2 (en) | 2002-09-09 | 2006-11-21 | Zygo Corporation | Interferometry method for ellipsometry, reflectometry, and scatterometry measurements, including characterization of thin film structures |
| US6925860B1 (en) | 2003-02-21 | 2005-08-09 | Nanometrics Incorporated | Leveling a measured height profile |
| US7324214B2 (en) | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features |
| US7106454B2 (en) | 2003-03-06 | 2006-09-12 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
| US7271918B2 (en) | 2003-03-06 | 2007-09-18 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
| US6985232B2 (en) | 2003-03-13 | 2006-01-10 | Tokyo Electron Limited | Scatterometry by phase sensitive reflectometer |
| US7049156B2 (en) | 2003-03-19 | 2006-05-23 | Verity Instruments, Inc. | System and method for in-situ monitor and control of film thickness and trench depth |
| US6999180B1 (en) | 2003-04-02 | 2006-02-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical film topography and thickness measurement |
| DE10327019A1 (de) | 2003-06-12 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Abbildungsgüte eines optischen Abbildungssystems |
| US7102761B2 (en) | 2003-06-13 | 2006-09-05 | Zygo Corporation | Scanning interferometry |
| US6956716B2 (en) | 2003-07-30 | 2005-10-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic head having multilayer heater for thermally assisted write head and method of fabrication thereof |
| FI20031143A0 (fi) * | 2003-08-08 | 2003-08-08 | Wallac Oy | Optinen fokusointimenetelmä ja -järjestely |
| US7061623B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
| EP1664932B1 (en) | 2003-09-15 | 2015-01-28 | Zygo Corporation | Interferometric analysis of surfaces |
| TWI335417B (en) | 2003-10-27 | 2011-01-01 | Zygo Corp | Method and apparatus for thin film measurement |
| US7212291B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-05-01 | Zygo Corporation | Interferometric microscopy using reflective optics for complex surface shapes |
| US7283248B2 (en) | 2004-01-06 | 2007-10-16 | Zygo Corporation | Multi-axis interferometers and methods and systems using multi-axis interferometers |
| US20050179911A1 (en) | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Digital Optics Corporation | Aspheric diffractive reference for interferometric lens metrology |
| US7492469B2 (en) | 2004-03-15 | 2009-02-17 | Zygo Corporation | Interferometry systems and methods using spatial carrier fringes |
| US7177030B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-02-13 | Technion Research And Development Foundation Ltd. | Determination of thin film topography |
| US7321430B2 (en) | 2004-04-22 | 2008-01-22 | Zygo Corporation | Vibration resistant interferometry |
| US7142311B2 (en) | 2004-05-18 | 2006-11-28 | Zygo Corporation | Methods and systems for determining optical properties using low-coherence interference signals |
| US7119909B2 (en) | 2004-06-16 | 2006-10-10 | Veeco Instruments, Inc. | Film thickness and boundary characterization by interferometric profilometry |
| US20060012582A1 (en) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | De Lega Xavier C | Transparent film measurements |
| WO2006023612A2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Zetetic Institute | Sub-nanometer overlay, critical dimension, and lithography tool projection optic metrology systems based on measurement of exposure induced changes in photoresist on wafers |
| JP4183089B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2008-11-19 | 東レエンジニアリング株式会社 | 表面形状および/または膜厚測定方法およびその装置 |
| US20060066842A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Saunders Winston A | Wafer inspection with a customized reflective optical channel component |
| US7428057B2 (en) | 2005-01-20 | 2008-09-23 | Zygo Corporation | Interferometer for determining characteristics of an object surface, including processing and calibration |
| US7884947B2 (en) | 2005-01-20 | 2011-02-08 | Zygo Corporation | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination |
| JP2006214856A (ja) | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Canon Inc | 測定装置及び方法 |
| WO2006125131A2 (en) | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Zygo Corporation | Analyzing low-coherence interferometry signals for thin film structures |
| US7595891B2 (en) | 2005-07-09 | 2009-09-29 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of the top surface of an object with/without transparent thin films in white light interferometry |
| JP4804058B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 干渉測定装置 |
| US7636168B2 (en) | 2005-10-11 | 2009-12-22 | Zygo Corporation | Interferometry method and system including spectral decomposition |
| EP1946412A2 (en) | 2005-10-11 | 2008-07-23 | Clear Align LLC | Apparatus and method for generating short optical pulses |
| US7408649B2 (en) | 2005-10-26 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for optically analyzing a surface |
| JP2007121499A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Nikon Corp | 微分干渉観察方法及び顕微鏡 |
| US20070127036A1 (en) | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Chroma Ate Inc. | Interference measurement system self-alignment method |
| KR100701974B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-03-30 | 나노전광 주식회사 | 광위상 간섭계를 이용한 포토마스크 표면의 헤이즈검출장치 및 그 검출방법 |
| US7612891B2 (en) | 2005-12-15 | 2009-11-03 | Veeco Instruments, Inc. | Measurement of thin films using fourier amplitude |
| DE102006017327A1 (de) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Polarisations-Interferenzmikroskop |
| WO2008011510A2 (en) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Zygo Corporation | Compensation of systematic effects in low coherence interferometry |
| WO2008080127A2 (en) | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Zygo Corporation | Apparatus and method for measuring characteristics of surface features |
-
2008
- 2008-11-07 WO PCT/US2008/082785 patent/WO2009064670A2/en not_active Ceased
- 2008-11-07 KR KR1020107012368A patent/KR101274517B1/ko active Active
- 2008-11-07 US US12/267,077 patent/US7978337B2/en active Active
- 2008-11-07 JP JP2010534108A patent/JP5222954B2/ja active Active
- 2008-11-11 TW TW097143479A patent/TWI448661B/zh active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI408338B (zh) * | 2009-08-11 | 2013-09-11 | Univ Nat Taiwan | 干涉量測裝置及其量測方法 |
| TWI504855B (zh) * | 2013-03-18 | 2015-10-21 | Snu Precision Co Ltd | 能夠檢測顏色資訊的三維形狀檢測裝置 |
| TWI490542B (zh) * | 2013-05-07 | 2015-07-01 | Univ Nat Taiwan | A scanning lens and an interference measuring device using the scanning lens |
| TWI729615B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-01 | 財團法人國家實驗研究院 | 反射式聚光干涉儀 |
| TWI770951B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-07-11 | 芯聖科技股份有限公司 | 平行光學掃描檢測裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7978337B2 (en) | 2011-07-12 |
| US20090128827A1 (en) | 2009-05-21 |
| JP5222954B2 (ja) | 2013-06-26 |
| JP2011504231A (ja) | 2011-02-03 |
| KR20100083190A (ko) | 2010-07-21 |
| TWI448661B (zh) | 2014-08-11 |
| KR101274517B1 (ko) | 2013-06-13 |
| WO2009064670A2 (en) | 2009-05-22 |
| WO2009064670A3 (en) | 2009-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI448661B (zh) | 使用極化掃描法之干涉儀 | |
| JP5352506B2 (ja) | 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法 | |
| US7869057B2 (en) | Multiple-angle multiple-wavelength interferometer using high-NA imaging and spectral analysis | |
| US7315382B2 (en) | Interferometry method for ellipsometry, reflectometry, and scatterometry measurements, including characterization of thin film structures | |
| US7924435B2 (en) | Apparatus and method for measuring characteristics of surface features | |
| US7619746B2 (en) | Generating model signals for interferometry | |
| US9377292B2 (en) | Interferometry employing refractive index dispersion broadening of interference signals | |
| US7884947B2 (en) | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination | |
| EP1883781B1 (en) | Analyzing low-coherence interferometry signals for thin film structures | |
| JP5107331B2 (ja) | オブジェクト表面の特徴を求める干渉計 | |
| US8854628B2 (en) | Interferometric methods for metrology of surfaces, films and underresolved structures | |
| US8072611B2 (en) | Interferometric analysis of under-resolved features | |
| TW201825864A (zh) | 用於圖案化半導體特徵之特徵化的掃描白光干涉測量系統 | |
| US10054423B2 (en) | Optical method and system for critical dimensions and thickness characterization | |
| US20120089365A1 (en) | Data interpolation methods for metrology of surfaces, films and underresolved structures | |
| WO2008151266A2 (en) | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination | |
| Quinten | Optical Surface Metrology: Methods | |
| Gao et al. | Three-dimensional optical profiler using Nomarski interferometry | |
| ELLIPSOMETRY | de Groot (45) Date of Patent:* Jul. 22, 2008 |