TW201220977A

TW201220977A - Preppreg, circuit board, and semiconductor device

Info

Publication number: TW201220977A
Application number: TW100122176A
Authority: TW
Inventors: Noriyuki Ohigashi; Tadasuke Endo
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co
Priority date: 2010-07-01
Filing date: 2011-06-24
Publication date: 2012-05-16
Also published as: WO2012002434A1; JPWO2012002434A1; CN102958984A; US20130105200A1; KR20130089235A; CN102958984B

Description

201220977 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於預浸體、配線板及半導體裝置。本申請案係根據2010年7月1曰於日本申請之特願 2010 — 151259號主張優先權，將其内容援引於此。【先前技術】配線板（電路基板）通常係藉由將數片於玻璃纖維基材等含浸熱硬化性樹脂而獲得之預浸體積層並加熱、加壓而形成。並且預浸體係藉由將厚度5〇〜2〇〇#m左右之玻璃纖維基材等浸潰於熱硬化性樹脂組成物（清漆）之方法等而獲得（例如，參照專利文獻1 )。預浸體存在如下情況：對於一面要求用以埋入電路配線之間隙之埋入性，對於另一面要求與用以形成電路之導體層之密合性。然而，利用於玻璃纖維基材等含浸熱硬化性树脂組成物之先前之方法獲得之預浸體係其兩面由相同之熱硬化性樹脂組成物形成者。因此，使用滿足該兩者之特性之熱硬化性樹脂組成物。 ^進而，伴隨近年來之電子零件、電子設備等之小型化、 4膜化等，對於該等所使用之配線板等亦要求進一步之小型化:薄膜化。為應對此種要求，亦正在研究構成配線板之預浸體之薄膜化，但於使預浸體薄膜化之情形時滿足埋入I·生及與導體層之密合性兩者，且於該預浸體積層導體層時能夠形成微細電路較為困難。 [專利文獻’ 1]日本特開2004_ 216784號公報 4 201220977 【發明内容】本發明之目的在於提供一賦予兩面不同之用途、功能、層之密合性優異，且積層於該路的預浸體。種能夠應對薄臈化，可分別性能或特性等，一面與導體面之導體層能夠形成微細電另外，本發明之目的在於提供一種具有上述預浸體之配線板、及具有上述配線板之半導體袈置。上述目的係藉由下述發明（υ〜（13)而達成。 (Ο —種預浸體，其具有具備纖維基材之核心層、形成於上述核心層之一面側之第丨樹脂層、及形成於上述核心層之另一面側之第2樹脂層，且於上述第1樹脂層側表面及第2樹脂層側表面之至少一面積層有選自由金屬箔及樹脂膜構成之群中之載體膜：上述第1樹脂層含有如下第1環氧樹脂組成物，該第i 環氧樹脂組成物包含：平均粒徑為1〜1〇〇nm之二氧化矽奈米粒子，選自.由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚苯醚樹脂（polyphenylene oxide resin)及聚醚砜樹脂構成之群中之熱可塑性樹脂，及環氧樹脂；該第i樹脂層與上. 述纖維基材相接觸，或第1樹脂層之—部分含浸於纖維基材；上述第2樹脂層含有包含無機填充材與環氧樹脂之第2 環氧树脂組成物’第2樹脂層之一部分含浸於纖維基材。 (2)如上述（1 )之預浸體，其申，上述第1環氧樹月曰組成物係含1〜25重量％之平均粒徑為1〜丨〇〇nm之二氧 201220977 化矽奈米粒子者β (3)如上述（丨）或（2)之預浸體，其^，上述第！樹脂層之不與上述纖維基材接合之側之表面之表面粗糙度 (以下，有時將表面粗糙度記為Ra)為〇 8/zm以下。 (4 )如上述（丨）至3 )中任一項之預浸體，其中，上述第2環氧樹脂組成物所含有之上述無機填充材^平均粒徑為0.3〜3/z m。 (5 )如上述（1 )至（4 )中任一項之預浸體，其中，上述第2環氧樹脂組成物為進而包含氰酸酯樹脂者。 U)如上述（1)至（5)中任一項之預浸體，其中，上述第1樹脂層之厚度薄於上述第2樹脂層。 (7 )如上述（1 )至（6 )中任一項之預浸體，其中，上述第1樹脂層之厚度為合計核心層 '第"封脂層及第2 樹脂層之各層厚度的總厚度之5%以上未達4〇%。 (8) 如上述（1) & (7)中任一項之預浸體盆中，合計上述核心層、帛i樹脂層及第2樹脂厚總厚度為u—以下。厚度之 (9) 如上述（1) (8)中任一項之預浸體其中，上述纖維基材之厚度為1〇〇以下。 (10) 如上述（1)至（9)中任一項之預浸體，其中，形成上述第2樹脂層之上述第2環氧樹脂組成物之炼融黏度為 50 〜5,000Pa*s〇 < (11) 如上述（1)至（10)中任一項之預浸體其中，上述第1環氧樹脂組成物進而包含卜⑼重量％之平均粒經 201220977 為Ο.1〜m之球狀二氧化矽者。 (12 )—種配線板，於導體電路上，以其第2樹脂層側接合之方式積層上述⑴i (u)中任—項之預浸體。 (13)種半導體裝置，包含上述（12)之配線板。根據本發明，可獲得—種能夠應對薄膜化，可分別賦予兩面不同之用途、功能、性能或特性等，一面與導體層之密〇丨生優異，且積層於該面之導體層可形成微細電路的預浸體。另外，使用上述預浸體製作之配線板及半導體裝置之、’·邑緣可罪性、連接可靠性及安裝可靠性優異。【實施方式】本發月之預/文體具有具備纖維基材之核心層、形成於上述核心層之一面側之第丨樹脂層、及形成於上述核心層之另一面側之第2樹脂層，且於第丨樹脂層側表面及第2 樹脂層側表面之至少一面積層有選自由金屬箔及樹脂膜構成之群中之載體膜·上述第丨樹脂層含有如下第丨環氧樹脂組成物，該第1環氧樹脂組成物包含：平均粒徑為1〜 1 OOnm之二氧化矽奈米粒子，選自由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚苯醚樹脂及聚醚砜樹脂構成成之群中之熱可塑性樹脂，及環氧樹脂；該第丨樹脂層與上述纖維基材相接觸，或第1樹脂層之一部分含浸於纖維基材；上述第2樹脂層含有包含無機填充材與環氧樹脂之第2 環氧樹脂組成物，第2樹脂層之一部分含浸於纖維基材。以下，根據圖式對本發明之預浸體之較佳實施形態加 201220977 以說明。圖1為表示本發明之預浸體之一例之剖面圖。預浸體1 0具有：主要由纖維基材1構成之核心層11、形成於核心層11之一面側之第1樹脂層2、形成於另一面侧之第2樹脂層3、積層於上述第1樹脂層2之載體膜4a、及積層於上述第2樹脂層3之載體膜4b。構成第1樹脂層2之第1環氧樹脂組成物與構成第2 樹脂層3之第2環氧樹脂組成物不同。因此，變得可設計對應於各層所要求之特性等之樹脂配方。其結果，亦可於維持各層所要求之特性之狀態下使預浸體整體之厚度變薄。以下’對各層加以說明。 (核心層）核心層11主要由纖維基材1構成。核心層11具有提高預次體10之強度之功能。上述第1樹脂層2及/或第2樹脂層3之一部分含浸於纖維基材1而形成該核心層11。此種纖維基材1 ’可列舉：玻璃織布、玻璃不織布等玻璃纖維基材；由以如下成分作為主成分之織布或不織布構成之合成纖維基材：聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維，聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維，聚醯亞胺樹脂纖維，氟樹脂纖維等；以牛皮紙、棉絨紙、棉絨與牛皮紙漿之混抄紙等為主成分 201220977 之紙基材等有機纖維基材等纖維基材；及聚酯、聚醯亞胺等之樹脂膜等。該等之中較佳為玻璃纖維基材。藉由使用玻璃纖維基材，可提高預浸體10之強度，另外，可縮小預浸體10之熱膨脹係數。構成此種玻璃纖維基材之玻璃，例如可列舉：E玻璃、 c玻璃、A玻璃、s玻璃、D玻璃、NE玻璃、τ玻璃、11玻璃等。該等之中較佳為S玻璃或Τ玻璃。#由使用S玻璃或T玻璃，可縮小破璃纖維基材之熱膨脹係數，藉此可縮小預浸體之熱膨脹係數。纖維基材1之厚度無特別限定，但於獲得本發明之預浸體之情形時較佳為100 " m以下，特佳為5〜6〇 " m。若纖維基材1之厚度於上述範圍内，則下述基材之薄膜化與強度之平衡優異。進而層間連接之加工性或可靠性亦優異。 (第1樹脂層）如圖1所示’第i樹脂層2形成於核心層^一面側 (於圖1為上側）。第1樹脂層2係由如下第1環氧樹脂組成物形成’該第"袁氧樹脂組成物包含：平均粒徑為卜⑽⑽之二氧化矽奈米粒子’選自由聚醯亞胺兒股樹爿日、聚醯胺樹脂、苯氧基樹月S、聚本趟樹脂及聚喊石風椒卩t播屮+ # 风树月曰構成之群中之熱可塑性樹脂，及環氧樹脂。該第〗抖a 1 h ㈣1樹脂層2與纖維基材i相接觸。或者與上述纖維基材丨接合 σ〈側之—部分含浸於該纖維基材。即，形成第1樹脂層之上狀笛〈上通第1裱氧樹脂組成物之一部分含浸於纖維基材而形成第丨樹脂層。 201220977 上述第1樹脂層2係以尤其是與導體層之密合性優異之方式設計，可較佳地用作積層導體層之樹脂層。本發明之第1環氧樹脂組成物含有選自由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚苯醚樹脂及聚醚砜樹脂構成之群中之熱可塑性樹脂。藉此，可撓性及韌性提高，因此由上述第1環氧樹脂組成物構成之第1樹脂層與導體層之密合性提高。進而，因與環氧樹脂等熱硬化性樹脂之相溶性優異，因此可獲得均勻之樹脂組成物。又，於使用氰酸酯樹脂作為熱硬化性樹脂之情形時，藉由上述熱可塑性樹脂中所存在之極性基之效果，硬化性較單獨使用氰酸醋樹脂優異’進而機械強度亦優異。為上述聚醯亞胺樹脂，並無特別限定，例如可使用以公知之四羧酸二酐與二胺為原料進行脫水縮合而獲得者。其中，較佳為以四羧酸二酐與二異氰酸酯為原料而獲得之具有酿亞胺骨架之下述結構式（1)所表示者。又

(式中’ X表示源自四叛酸二水合物之骨为。 ^ + 月木，Y表示源妝或二異氰酸酯之骨架）該等之中’就可溶於溶劑而獲得均勻之、、旦成物之方面 10 201220977 (2)所表示之聚矽氧改質聚醯亞而言’較佳為下述結構式胺樹脂。

N - —r2 R4 Rs

(2) (式中丨、R2表示碳數1〜一/& 厌数i〜4之—價脂肪族基或芳香族基’反3、R4、R5及R·6表示一僧η匕欣始甘山 _ 楨舳肪族基或芳香族基，Λ、 Β表示三價或四價脂肪族基或芳香族基，&表示二價脂肪族基或芳香族基。另外，k、m、n4示重複單元數，為卜 5,0〇〇之整數）又，於聚醯亞胺嵌段内具有醯胺骨架之聚酿胺酿亞胺樹脂亦可溶於溶劑，故較佳。上述聚醯胺樹脂，並無特別限定，較佳為下述結構式 (3 )所表示者。 r Ο 0 II II Η Η > ，C 一 Ν—Α『2-Ν* ν. m X， (3) (式中，An、Aq表示二價羥基或芳香族基，可重複亦可不同；X表示使末端進行加成反應之末端基。又，111表 201220977 示重複單元，為5〜5,0〇〇之整數） 5亥等之中’較佳為橡膠改質聚醯胺樹脂。若使用橡膠改質聚醯胺樹脂，則可撓性提高，可提高與導體層之密合性。所謂橡膠改質聚醯胺樹脂，其包含使橡膠成分反應而獲得者作為上述結構式（3 )之χ。與上述聚醯胺樹脂反應之橡膠成分，可為天然橡膠及合成橡膠之任一者，可為改質橡膠，亦可為未改質橡膠。合成橡膠，並無特別限定，可列舉：NBR (丁腈橡膠）、丙烯酸橡膠、聚丁二烯、異戊二稀、a酸改質NBR、氮轉化型聚丁二稀、環氧改質聚丁二稀等。又，為提高與聚醯胺醯亞胺之相溶性，可使用羧酸改質、羥基改質或環氧改質而成者，或為防止加熱劣化，亦可使用氮膠等，但更佳為使用職及聚丁二稀。進而，更佳為具有酚性羥基之聚醯胺樹脂》藉此，除柔軟性以外，與熱硬化 •樹月曰之相/令性亦優異，且藉由熱硬化而能夠與聚醯胺聚合物進行三維交聯，機械強度優異。具體而言，可列舉下述結構式（4 )所表示者。 (式申，n'm表示添加莫耳數，n/ (m+n) =〇〇5 2(添加莫耳比）；χ、表示重量比，（x+y) /p=0.2 12 201220977 〜2(重量比）。重量平均分子晉％ I 里為8,〇〇〇〜1 〇〇,〇〇〇,羥基當踅為1，000〜5,000 g/eq之範圍）上述苯氧基樹脂，並並特勢、、寻別限疋，例如可列舉：具有雙酚骨架之苯氧基樹脂、具有苯a m „ ^, 虿奈月架之苯氧基樹脂、具有 $本骨架之苯氧基樹脂、及且古脂堂。有X紛丙酮骨架之苯氧基樹脂。好哲^ 徑该荨骨架之結構之苯氧基樹酪= ρ本月条、雙酚S骨架、及雙岭丙酮骨架中之2種以上之相人 ^ 鴂古、、’ σ之笨氧基樹脂。藉此，可知阿玻璃轉移溫度。若進而低叙瞅BE值S 、有秘本骨架，則因剛直性而熟膨脹優異，並且藉由雙齡提古#似A s 月架，可於製造配線板時 R叼鍍敷金屬之附著性。又’具有雙酚A骨架及雙酪p 隹。 -F月罙之苯氧基樹脂亦較藉此，可於製造配線板時史密合性。 7進步提尚與内層電路基板上述聚笨醚樹脂，並盔特 (5 Λ ^ ^ - + 、寻別限疋，較佳為下述結構式、J J所表不者。

〜400之整數。R,、 Ri、R2、R3 及 R4 可 (式中，n表示重複單元數，為1〇 I及R4為氫或碳數！〜6之羥基， 13 201220977 為相同之基’亦可為不同基。式中，χ 八久ϊ表示聚合物末端，表不氣、經、或經某、热其结工好、… 絲、％氧丙基鍵基等官能基）二甲基一1，4 聚2 -~甲基,__ 6 —乙基-Μ-苯醚、聚2一甲基_6_丙基—Μ、笨二聚μ —二丙基一1，4—苯醚、聚2—乙基—6_丙基等。 ' 上述聚本趟樹脂，例如可列舉：聚2 6 一苯醚、聚2,6 —二乙基_ι，4 一苯醚 1,4一苯醚該等之中，較佳為以官能基使末端改質之反應性低聚苯醚。藉此’與熱硬化性樹脂之相溶性提高，且可形成聚合物間之三維交聯結構，因此機械強度優異。例如可列舉：曰本特開2006- 28111號公報記載之2,2'，3,3·，5,5· —六甲基聯苯一 4,4’ 一二醇一 2,6—二甲基苯酚縮聚物與氣甲基苯乙稀之反應生成物。此種反應性低聚苯醚可藉由公知之方法製造。又，亦可使用市售品。例如’可適宜地使用OPE _ 2st 2200 (三菱瓦斯化學公司製造）。反應性低聚苯醚之重量平均分子量較佳為2,000〜 20,000，更佳為4,000〜15,00(^若反應性低聚苯醚之重量平均分子量超過20,000 ’則有可能難以溶解於揮發性溶劑。另一方面’若重量平均分子量未達2,000，則交聯密度變得過高，而有可能對硬化物之彈性模數或可撓性造成不良影響。上述聚醚砜樹脂，並無特別限定，較佳為下述結構式 (6 )所表示者。 201220977 -+0^0^ ⑼ (式中，η表示重複單元數）上述結構式（6 )所表示之聚喊颯樹脂，可使用公知者，例如可列舉：住友化學公司製造之PES41 OOP、PES4800P、 PES5003P 及 PES5200P 等。選自由該等聚酿亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚本鍵樹脂、聚鍵石風樹脂構成之群中之熱可塑性樹脂中，特佳為聚醯胺樹脂或笨乳基樹脂。其原因在於：因溶劑可溶性優異，故易操作；因具有與熱硬化性樹脂之反應交聯舜，故硬化物之機械強度優異，與導體層之密合性優異。上述熱可塑性樹脂之含量無特別限定，以上述第1環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為10〜70重量 %，特佳為20〜50重量％。若含量未達上述下限值，則存在可撓性及機械強度較差之傾向。另一方面，若超過上述上限值，則有熱膨脹係數變高之虞。藉由將熱可塑性樹脂之含量設於上述範圍内，可製成該等特性之平衡優異者。上述熱可塑性樹脂之玻璃轉移溫度較佳為ιι〇〜28〇 C。若於該範圍内，則耐熱性、與熱硬化性樹脂之相溶性、與核心層之密合性優異。又，熱可塑性樹脂之重量平均分子量較佳》2，_〜 1〇〇,〇〇〇。若於該範圍内’則溶劑溶解性、與熱硬化樹脂之 15 201220977 相溶性優異。又，本發明之第1環氧樹脂組成物進而含有環氧樹脂。上述環氧樹脂，並無特別限定，為實質上不含齒素原

子之環氧樹脂。例如可列舉··雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚s型環氧樹脂、雙酚Z型裱氧樹脂（4,4’一環己二烯雙酚型環氧樹脂）' 雙酚p 尘衣氧树知（4,4—(1，4~亞苯基二異丙基）雙酚型環氧樹脂）、雙酚Μ型環氧樹脂（4,4，—（1，3一亞苯基二異丙基）雙酚型環氧樹脂）等雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹月日f⑯紛路、凊漆型環氧樹脂等紛駿清漆型^衰氧樹脂； ^苯型％氧樹脂 '二甲苯型環氧樹脂 '苯酴芳烧基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂、三苯酚甲烷酚醛清漆型環氧樹脂、^。—(四紛幻乙烷之 :裒氧丙基醚類、3官能或4官能之環氧丙基胺類、四甲基聯本型環氧樹脂等芳基伸烷基型環氧樹脂；萘骨架改質甲酚 =酿/月漆型&氧樹脂、甲氧基萘改質甲紛盼搭清漆型環氧樹月曰甲氧基萘二亞甲基型環氧樹脂、蔡紛伸烧基型環氧樹脂等萘型環氧樹脂；葱型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、 y環$二烯型環氧樹脂、降莰烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹月曰g型環氧樹脂、將上述環氧樹脂函化之難燃化環氧^旨等。可單獨使用該等中之！種，亦可併用具有不同重罝平均分子量之2種以上，亦可將1種或2種以上與該等之預聚合物併用。 i等％氡樹脂中特佳為選自由聯笨芳烷基型環氧樹 16 201220977 脂：萘骨架改質尹酴㈣清漆型環氧樹脂、葱型環氧樹卜二％戍-稀型環氧樹脂、f料酸清漆型環氧樹脂及关曰環氧樹脂構成之群中之至少 0不生 f t主y 1種。藉由使用而提高低吸水性、财熱性及難燃性。 &氧树月曰，上述環氧樹脂之含量無特別限定，以上述第i環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準 . 干权住马5〜70重量％，特

住馬15〜60重量％。矣：冬甚土、去L 一 3里未達上述下限值，則存在氰酸 ^树脂之反應性降低，或所獲得之製品之耐濕性降低之情形，若超過上述上限值，則存在耐熱性降低之情形。上述環氧樹脂之重量平均分子量無特別限定，重量平均分子量較佳為300〜20,000,特佳為5〇〇〜5〇〇〇。若重量平均分子量未達上述下限值’則存在預浸體1〇產生點性之情形；若超過上述上限值，則存在製作預浸體1〇時於基材之含浸性降低，而無法獲得均勻之製品之情形。上述％氧樹脂之重量平均分子量例如可利用凝膠滲透層析法（GPC)敎，可特定為聚苯乙稀換算重量分子量。本發明之第1環氧樹脂組成物亦可含有硬化劑。上述硬化劑，並無特別限定，例如可列舉：我酸辞 (zmcnaphthenate)、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷（π) (biS(acetyiacetonato cobalt ( π))、三乙醯丙酮銘（III)荨有機金屬鹽，苯紛、雙紛Α、壬紛等紛化合物；乙酸、苯曱酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸；三乙胺、二丁 fee、一氮雙環[2,2,2]辛烧等三級胺類；2_乙基—4—乙基咪唑、2—苯基一4 一甲基咪唑、2 -苯基_4_甲基—5_ 17 201220977 羥基甲基咪唑、2-苯基— 4,5—二羥基甲基味唑、2,4—二胺基一6—[2，一甲基味哇基—乙基一 s—三口井、2,4 — 二胺基—6一（2，—十—烷基咪唑基）一乙基一s—三口井、2,4 — 二胺基-6- [21-乙基一4—甲基咪唑基一⑺卜乙基―二三畊、i—节基—2—苯咪唑等咪唑系化合物等。 3亥等之中，就提高與導體層之密合性之方面而言，較佳為三級胺類及味哇系化合物，更佳為具有2個以：選自脂肪族經基、芳香族經基、羥基烧基及氰基烧基中之官妒基之’。坐系化合物，再更佳為2-苯基-4,5 一二經基甲基' 味峻。藉由使用此種咪。坐系化合物，可提高與導體層之: 合性，且提高樹脂組成物之财熱性，並且可賊予以該樹脂組成物形成之樹脂層低熱膨脹性、低吸水性。上述硬化劑之含量無特別限定，以上述第"裏氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為〇〇1〜3重量佳為重量％。若含量未達上述下限值，則存在不表駭進硬化之效果之情形；若超過上述上限值，則存在預改體10之保存性降低之情形。又，本發明之第1環氧樹脂組成物含有二氧化石夕夺米粒子。藉此，即便將預浸體薄臈化（厚纟12〇㈣以下y，、強度亦優異，亦可提高預浸體之低熱膨脹化，又，利成法之鍍銅之密合性優異，可形Λ 0 J形成微細電路。進而，對脂表面實施利用雜酸等之處理之情形時，耐化學 ^且月，夠形成低Ra之粗糖面。再者，Ra為樹脂表算術平均粗糙度，可依據JIS B0601而測定。异 18 201220977 上述一氧化矽奈米粒子之平均粒徑較佳，特佳為25〜75nm。若平均粒徑於上述範圍内二異，可形成低Ra之粗糙面。圍内，則分散性優射二她子之平均粒徑例如可利用雷射繞射政射法測疋。藉由超音波使粒子於水光散射式粒度分佈測定裝置（職IBA製造:a:動广基準測定粒子之粒度分佈，將其中值粒徑（⑽）設為平均粒徑。上逑二氧化石夕奈米粒子，並無特別限定’例如可使用藉由電（Vaporized Metal c〇mbusti⑽）法、pvs( phy^ vaP〇rSynthesis)法等燃燒法、對破碎二氧切進行火焰溶融之熔融法、沈澱法、凝膠法等方法製造者。料之中，特佳為VMC法。上述VMC法係於含氧氣體中向所形成之化學火焰中投入石夕粉末，使其燃燒後，進行冷卻，藉此形成二氧化石夕微粒子之方法。於上述VMC法，藉由調整投入之石夕粉末之粒徑、投人晉、、^ Λ μ 扠八里火焰溫度等，可調整所獲得之一氧化碎微粒子之粒徑。又上述一氧化矽奈米粒子，亦可使用NSS — 5Ν (TokUyama股份有限公司製造）、以“以訂43—〇〇_5〇1 (Micromod公司製造）等市售品。 —上述一氧化矽奈米粒子之含量無特別限定，以第丨環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為1〜25重量 %，更佳為1〜15重量％，再更佳為2〜1〇重量。/(^若含量於上述範圍内，則尤其是分散性優異，與導體層之密合性 19 201220977 較咼，可开> 成低Ra之表面粗彳造化形狀。上述第"裒氧樹脂組成物較佳為與上述二氧化石夕太米粒子組合而含有球狀二氧化"由使上述二氧化石夕：米' 粒子與上述球狀二氧切組合含於第^氧樹脂組成物，而提南二氧化矽奈米粒子及球狀二氧化矽之填充性。又，可形成緻密之粗縫化狀態，且易形成高密度電路。又心夠形成適於高速信號之傳輪之電路，*而提高低熱膨脹:b 樹脂層之流動性、及對玻璃布之層壓性。上述球狀二氧化矽之平均粒徑較佳為〇丨〜2 #瓜，特佳為0.1〜1.5/zm。若平均粒徑於上述範圍内，則可形成為低 Ra之表面粗糙化形狀，且分散性優異，可容易地進行操作上述球狀二氧化矽之平均粒徑與上述二氧化矽粒子同樣例如係利用雷射散射式粒度分佈測定裝置（h〇riba製造，LA— 550 )，以體積基準測定粒子之粒度分佈，將其中值粒徑（D50)設為平均粒徑。上述球狀二氧化矽之含量無特別限定，以第〖環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為丨〜⑽重量％，特佳為2〜20重量％。若含量於上述範圍内，則尤其是分散性、低Ra之表面粗糙化形狀、及與導體之密合性優異。進而，本發明之第1環氧樹脂組成物於無損特性之範圍内，亦可與水鋁土、滑石 '氧化鋁、玻璃、雲母 '氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、氧化鋅、氧化鐵等無機填充劑及無機填充材併用，亦可包含液晶聚合物、聚醯亞胺等有機填充材。 20 201220977 上述第1環氧樹脂組成物無特別限定，較佳為使用偶 s Μ 上述偶合劑提高上述硬化性樹脂與上述無機填充材之界面之濕潤性，藉此可使硬化性樹脂及無機填充材相對於纖維基材1均勻地固定，改良耐熱性，尤其是吸濕後之焊接耐熱性。上述偶合劑，較佳為使用例如選自環氧矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、胺基矽烷偶合劑、及聚矽氧油型偶合劑中之1種以上偶合劑。藉此，尤其是可提高樹脂與無機填充材之界面之濕潤性’可進一步提高耐熱性。上述偶合劑之含量無特別限定，以第丨環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為0.04〜3.75重量％，特佳為0.04〜1.5〇重量％。若含量未達上述下限值，則存在因無法充分被覆無機填充材而提高耐熱性之效果降低之情形；右超過上述上限值，則存在對反應造成影響，彎曲強度等降低之情形。藉由將偶合劑之含量設於上述範圍内，偶合劑之使用效果為兩者之平衡優異。又，本發明之第1環氧樹脂組成物除上述熱可塑性樹月曰及環氧樹脂以外，於無損特性之範圍内，亦可含有脲 (urea)樹脂、三聚氰胺樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚胺酯树月日（polyurethane resin)、具有苯并卩井(benzoxazine)環之樹月曰、氰酸自旨樹脂等硬化性樹脂。進而’上述第1環氧樹脂組成物除以上所說明之成分以外，視需要可含有消泡劑、調平劑、顏料、抗氧化劑等添加劑’進而含有各種溶劑。 21 201220977 本發明之配線板藉由加成法等公知之方法於由上述第 1環氧樹脂組成物構成之上述第1樹脂層形成導體電路，上述第1樹脂層與該導體電路之剝離強度較佳為〇.5 kN/m 以上’特佳為0.6 kN/ m以上。若剝離強度未達上述下限，則與導體電路之密合性缺乏，而難以進行微細加工。上述第1樹脂層（粗糙化處理後）之不與上述纖維基材接合側之表面之表面粗糙度Ra (算術平均粗彳造度，jis B0601 )無特別限定，較佳為〇 8 # m以下，特佳為〇.5 v m 以下。若表面粗糙度Ra於上述範圍内，則即便於形成微細之電路時抗蝕劑密合性亦尤其優異。形成上述第1樹脂層之上述第1環氧樹脂組成物之溶融黏度較佳為1，000〜50,000 Pa · s，特佳為1,500〜2〇,000

Pa · s。若熔融黏度於上述範圍内，則不會產生多層積層時之纖維基材之露出。又，將本發明之預浸體層壓後，可減少無加重之硬化後所產生的纖維織眼之凹凸浮起之現象。再者’上述熔融黏度係選取形成於預浸體之上述第i 樹脂層之表面之情形之熔融黏度，上述第1樹脂層可為半硬化狀態（B階段），亦可為硬化狀態。 (第2樹脂層）如圖.1所示，第2樹脂層3形成於核心層11之另—面側（於圖1為下側）。此種第2樹脂層3由包含無機填充材與環氧樹脂之第2 環氧樹脂組成物形成，與上述纖維基材1接合之側之—部分含浸於該纖維基材1。即’第2環氧樹脂組成物之一部分 22 201220977 含浸於該纖維基材1而形成第2樹脂層。構成上述第2樹脂層3之第2環氧樹脂組成物與構成上述第i樹脂層2之第！環氧樹脂組成物之組成不同。即，上述第2樹月曰1 3係以具有與上述第i樹脂層2不同之特性（例如電路埋人性等）等之方式設計。此處，所謂不同之樹脂組成物，係表示構成各樹脂社成物之樹脂、填充材等之種類，樹脂、填充材等之含量，樹脂之分子量等令之至少（種不同的樹脂組成物。亡述環氧樹脂可使用與上述第i環氧樹脂組成物所使用之環氧樹脂相同者。上述環氧樹脂之含量無特別限定，以第2環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為卜^重量％，特佳為 5〜30重量#含量於上述範圍内，則電路埋入性及低吸又，本發明之第2環氧樹脂組成物較佳為含有氰酸醋樹脂。藉此，可縮小預浸體1〇之熱膨脹係數，進而可提高預浸體10之電特性（低介電常數、低介電損失正切）等，進而可提高耐熱性、剛性、及與導體電路之密合性。上述氰酸酯樹脂，例如可藉由使齒化氰化合物與酚類反應’視需要以加熱等方法進行預聚合化而獲得。具體而言，可列舉：紛链清漆型氮酸醋樹脂，伸烧基萘紛型氰酸醋樹脂等萘型氰酸酉旨樹脂，…型氰酸醋樹脂、雙紛E型氰酸醋樹脂、θ甲基雙酶F型氰酸醋樹脂等雙紛型氰酸㈣脂等。料之中，較佳為㈣清漆型氮酸 23 201220977 酉曰树脂及奈型氰酸酯樹脂等多官能且氰酸酯當量較大者。藉此，可因交聯密度增加而提高耐熱性，提高第2環氧樹脂組成物等之難燃性《其原因在於，酚醛清漆型氰酸酯樹脂於硬化反應後形成三啦。進而，認為其原因在於，㈣清漆型氰酸s旨樹脂其結構上苯環之比例較高，@易碳化。進而，即便於將預浸體10薄膜化（厚度l2〇//m以下）之

It形時’亦可賦予預浸體1〇優異之剛性。由於加熱時之剛陡尤其優異’故而t裝半導體元件時之可靠性亦尤其優異。上述朌酿凊漆型氰酸酿樹脂，例如可使用下述結構式 (7 )所表示者。

上述結構式f 7、％ - 不之酚醛清漆型氰酸酯樹脂之平均重複单兀η無特別限定，权住马1〜1 〇，特佳為2〜7。若平均重複單元η夫遠μ、+、 U 4 值’則存在㈣清漆型氰酸酉曰Μ月曰反仵易結晶化， .™ ^ 對通用溶劑之溶解性相對較低，因此操作困難之情形。又，一 ^ α, . ^ 右十均重複早兀η超過上述上隈值，則存在熔融黏声 4上隈情形。 *又寸匕问，而預浸體之成形性降低之 24 201220977 上述氰酸酯樹脂之重量平均分旦平均分子量較佳為500〜4,5〇〇， …特別限疋，重量量平均分子量未達上述下限值，則在 3,〇〇〇。右重 1存在於製作預浸體10之睛形時產生黏性，而預浸體1〇彼此接生樹脂之轉印之情形…若重八？附著’或產限值，則存在反應變得過快，於製作配:子里超過上述上成形不良，或層間剝離強度降低之情形:&之11形時產生上述氰酸酯樹脂等之重量平均八滲透層析法_測定，特定為聚;膠又，上述氰酸㈣脂，亦可併之氮酸醋樹脂。藉此，存在可改良黏性：:：…不同上述氰酸醋樹脂，亦可使用使其預聚合化而成者十可早獨使用上述氰酸㈣脂，亦可併用重量平均分子量不同之氰酸醋樹脂，或將上述氰酸酿樹脂與其預聚合物併用。所謂上述預聚合物，通常係藉由加熱反應等使上述氰 =樹脂進行例如三聚合而獲得者，且可較佳地用於調整树J3a組成物之成形性、流動性。上述氰酸S旨樹脂之含量無特別限定，以上述第2環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，特佳為5〜3。重量%。若含量未達上述下限值，則存重在里:用預π體H)之絕緣層之熱膨脹係數變高之情形；若超過上述上限值，則存在預浸體1G硬化後之吸濕耐熱性及機械強度降低之情形。本發明之第2環氧樹脂組成物較佳為含有無機填充

S 25 201220977 材。藉此，即便將預浸體l〇亦可偵強谇復S 、化（厚度120 v m以下）， μ、+. ^ 7棱问預次體1〇之低熱膨脹化〇上述無機填充材，例如鋁、玻璃、-费几了列舉.水鋁土、滑石、氧化圾瑪—氧化每7、♦ S落/丨哲Α π母氫氧化鋁、氫氧化鎂等。該專之中，較佳為二氧化矽，熔炫融—氧化矽（尤其是球狀熔二:氧夕）於低熱膨脹性優異之方面較佳。上述無機填

狀有破碎狀或球狀，例如在為了確保於纖維基材i 之含浸性而降低該播j·賠έ a、I ^ m组成物之炼融黏度時係使用球狀二氧化矽，採用符合其目的之使用方法。上述無機填充材之平均粒徑較佳為0.3〜3 " m，特佳為〇·3〜1.5# m。若平均粒徑未達上述下限值則存在第2環氧樹脂組成物线㈣度變高，因此預浸體ig於導體電路之埋入性惡化之情形；若超過上述上限值，則存在將組成物溶解或分散於溶劑之情形時’產生無機填充材之沈澱等現象，而變得難以獲得均勻之樹脂層之情形；又，於内層基板之導體電路之L/S低於⑽以爪/汕以爪時，存在影^ 配線板之絕緣性之情形。上述無機填充材之平均粒徑例如利用雷射散射式粒度为佈測疋裝置（HORIBA製造，LA — 550 )，以體積基準測定粒子之粒度分佈’將其中值粒徑（D50)設為平均粒徑。上述無機填充材之含量無特別限定，以上述第2環氧樹脂組成物整體之固形物成分基準，較佳為5〇〜85重量 %’特佳為60〜75重量％。若含量於上述範圍内，則尤其是分散性及含浸性優異，於導體電路之埋入性優異。 26 201220977 進而’上述第2環氧樹脂組成物除以上所說明之成分以外’視需要可含有消泡劑、調平劑、顏料、抗氧化劑等添加劑，進而含有各種溶劑。形成上述第2樹脂層之第2環氧樹脂組成物之熔融黏度為50〜5,000 Pa · s，特佳為100〜2,000 Pa · s。若溶融黏度於上述範圍内，則埋入性優異，及抑制多層積層時之成形條紋（僅樹脂成分流動之現象）。再者’上述熔融黏度係選取形成於預浸體之上述第2 樹脂層之表面之情形之熔融黏度，上述第2樹脂層可為半硬化狀態（B階段），亦可為硬化狀態。其次，以圖1所示之預浸體1 〇為例，對獲得本發明之預浸體之方法加以說明。上述預浸體例如首先將第1環氧樹脂組成物塗敷於載體膜4a而製造第丨載體材料，將第2環氧樹脂組成物塗敷於載體膜4b而製造第2載體材料。藉由將該等第丨及第2 載體材料層壓於纖維基材丨，而獲得於第丨樹脂層2側表面及第2樹脂層3側表面分別積層有載體膜4a、钋之預浸體。但是，本發明之預浸體並不限定於如預浸體ι〇般於第 1樹脂層側表面及第2樹脂層側表面兩者積層有載體膜之形恶’只要帛1樹脂層側表面及帛2樹脂層側表面中之至少一面積層有載體膜即可。上述載體膜選自由金屬落及樹脂膜構成之群。上述金屬箔，例如可列舉於銅箔、鋁箔等金屬箔、支持體上進行鍍銅處理而形成之銅薄膜等。該等之中/，較佳 27 201220977 為以金屬ft或樹脂膜為支持體進行鑛銅處理而形成之鋼薄膜藉此，可容易地形成微細之電路。亡述樹脂膜’例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴，聚對笨二甲酸乙二酯、聚對笨二甲酸丁二酯等聚醋，聚碳酸s曰夕膠片等脫臈紙，I系樹脂、$醯亞胺樹脂等具有对熱性之熱可塑性樹脂膜。該等之中，最佳為由聚酿構成之膜藉此，容易以適度之強度自絕緣層剝離。具有上述第1載體材料之載體膜4a無特別限定，較佳為使用於上述支持體進行鑛銅處理而形成之銅薄膜片。上述銅落臈片可㈣導體電路之—料，亦可整面㈣並以半加成法進行導體電路加工。有上述第2載體材料之載體膜4b，並無特別限定，較佳為使用上述樹脂膜。上述樹脂膜於保存該預浸體時，可保護成為電路埋入層之第2樹脂層；於使用該預浸體製造配線板時，可以適度之強度自第2樹脂層剝離。將第1及第2載體材料層壓於纖維基材1之方法，例如有如下方法：使用真空層壓裝置，自纖維基材1之一面側使第1載體材料疊合，自另一面側使第2載體材料疊合，於減壓下以層壓輥進行接合且密封，其後利用熱風乾燥裝置於構成第1及第2載體材料之樹脂組成物之熔融溫度以上之溫度進行加熱處理。此時，因纖維基材中保持上述減壓’故可藉由毛細管現象而使其熔融含浸。進行上述加熱處理之其他方法例如可使用紅外線加熱裝置、加熱輥裝置 '平板狀之熱板壓裝置等而實施。 28 201220977 ，又，獲得㈣預浸體10之其他方法，例如可列舉如下方法.使第1環氡樹知組成物含浸於纖維基材1 並使其乾燥’於其上疊合载體膜4a。進而，使第2環：樹脂組成物含浸於纖維基材i之另—面，並使其乾燥，上疊合載體膜4b ’並進行加熱、加麼。 ' 、又，獲得預浸體10之其他方法，亦有如下方法·· 於纖維基材1塗佈、含浸成為第i樹脂層2之第;環氧樹脂組成物，並進行乾燥，利用輕式塗佈機、到刀^職等於此單面塗佈成為第2樹脂層3之第2環氧樹脂組成物，進行乾燥而形成B階段，於該B階段化之成為第…㈣ 3之樹脂組成物層侧及成為第i樹脂層之另—樹脂組成物声側分別疊合載體膜4b、4a，並於加熱、加壓下進行層二於纖維基材1塗佈、含浸第1環氧樹脂組成物，並進行乾燥’於成為第1樹脂層2之樹脂組成物層側疊合載體膜二進而匕分別製作成為第2樹脂層3之附有載體膜仆之5階段 :月::且成物片’於成為第2樹脂層3之附有載體膜仆之b I5白奴樹知組成物片之樹脂組成物側疊合附著有载體膜之上述預次體，並於加熱、加壓下進行層壓。以此方式獲得之本發明之預浸體1〇如圖2所示，主 ^戴維基材1構成之核心層11相對於預浸體1G之厚度方向分：不均。藉此，可根據電路圖案調整第1脂層2及第2

Si之樹脂量。再者，所謂核心層11相對於預浸體H) 丨。之；声向方:佈不：’如圖2所示，係表示相對於預浸體度方向之中心線Η，核心層"之中心係偏移而 29 201220977 配置。上述預浸體具有上述第！樹脂層之厚度較佳為薄於上述第2樹脂層。進而上述第1樹脂層之厚度較佳為合計核心層、第^ 樹脂層及第2樹脂層各層厚度的預浸體總厚度之5%以上未達40%’特佳為5%以上未達3〇%。藉由第工樹脂層之厚度於上述範圍内’可形成微細電路’進而與導體之密合性及平坦性優異。又，上述預浸體之厚度較佳為於除去載體膜之狀態下，即合计核心層、第1樹脂層及第2樹脂層之各層厚度之總厚度為120 V m以下，特佳為25〜1〇〇// m。若預浸體之厚度於上述範圍内，則内層電路基板之導體層之埋入性、多層基板之薄型化優異。接著’對本發明之配線板加以說明。本發明之配線板係以接合第2樹脂層側之方式於導體電路上積層上述預浸體而獲得。以下，以如圖3所示之於核心基板之上下面分別積層有3層預浸體之6層之配線板1〇〇為例，詳細地進行說明。配線板100係由形成有通孔7之核心基板l(H、設置於核心基板101之上側（圖3中之上側）之3層預浸體（1 〇a、 1 Ob、10c )、及設置於核心基板1 〇 1之下側（圖3中之下側）之3層預浸體（10d、10e、10f)構成。於核心基板101與預浸體1 〇c及1 〇d之間，各預浸體間 (10a 與 10b、10b 與 10c、10d 與 l〇e 及 l〇e 與 10f)形成 30 201220977 有特定之電路層41。又’至少於預浸體10a及1 〇f之表面設置有焊墊部5。較佳為此種預浸體1 〇a〜丨〇f之至少1片 (較佳為全部）使用上述厚度為120 a m以下之預浸體1〇。藉此’可使配線板100之厚度變薄。各電路層41經由貫通各預浸體10a〜1〇f•而設置之填孔部6而電連接。關於構成配線板1〇〇之各預浸體l〇a〜1〇f，構成形成電路層41 (導體層）側（各預浸體1〇a〜1〇c之圖3中上側與l〇d〜1〇f之圖3中下側）之構成第1樹脂層2的第i環氧樹脂組成物之組成、與構成相反侧之第2樹脂層3的第2 環氧樹脂組成物之組成不同。構成第丨樹脂層2之第丨環氧樹脂組成物為與導體層之密合性優異之組成。又，構成第2樹脂層3之第2環氧樹脂組成物成為提高電路層41之埋入性、緩和與進行埋入之電路之導體的應力之組成。進而，第2樹脂層3成為實現低熱膨脹化之組成，因此電路層41與第2樹脂層3之線熱膨脹係數之差變小，配線板議之絕緣樹脂層間之連接可靠性優異，翹曲變小。進而’以成為獲得與導體層之密合性所必需之最低限樹脂層2之厚度進行調整，以成為曰：埋入所必需之最低限度之厚度之方式對第2樹脂厚度調整’藉此亦可使配線板100之厚度變薄。再者，於圖3，對6層之配線板加以說配線板並不限定於此，亦可適當地使用於3層仁二發日: 等，或7層、8層等多層基板。.層、4層、$層 31 201220977 又，於本發明之配線板，亦可將如上所述之構成第i 樹脂層2之第〖環氧樹脂組成物與構成第2樹脂層3之第2 環氧樹脂組成物不同的預浸體1〇與先前使用之預浸體併用。接著’對本發明之半導體裝置加以說明。本發明之半導體裝置係藉由於上述配線板搭載半導體元件而獲得。例如，藉由於圖3所示之配線板1〇〇連接半導體元件8 之凸塊8i與配線板100之焊墊部5並搭載半導體元件8, 可獲得半導體裝置(圖4)4於此種半導體裝置· 可將構成構成配線板100之各預浸體1〇a〜i〇f之第i樹脂層2及第2樹脂層3之厚度調整為最佳厚度，故而可们浸體10整體之厚度為最佳’可獲得所要求之特性所必^ 最低限度之厚度的半導體裝置2〇〇。又，使用上述配㈣ 100之半導體裝置之翹曲較小，安裝可靠性優显。以下，根據實施例及比較例詳細地說明本纟明，但本發明並不限定於此。首先，對預浸體之實施例加獲得之預浸體之成分含量（重量 (實施例1) 以說明。將實施例份）示於表1〜表3 1〜21 〇 DIC 苯芳 32 201220977 烷基3L酚树脂（明和化成公司製造’ meh785i 一重

量份、作為熱可塑性樹脂之苯氧基樹脂（jER公司製造，YX 81〇〇ΒΗ30 ’固形物成分30重量％)以固形物成分計為30 重罝份、作為1〜1〇〇nm之二氧化矽奈米粒子之平均粒徑 75ηΐΏ之球狀二氧化矽（Tokuyama公司製造，NSS~ 5N) 20 重罝份、作為硬化劑之咪。坐（四國化成公司製造，c⑽ζ〇ι 2E4MZ) 0.5重量份，混合溶解於甲基乙基酮，以不揮發分成為45重量％之方式進行調整，而製備第丨環氧樹脂組成物0 2 ·第2環氧樹脂組成物之製備將作為環氧樹脂之萘改質曱酚酚醛清漆環氧樹脂（dic 么司製造、HP— 5000) 1〇重量份、作為酚硬化劑之聯苯芳烷基型酚樹脂（明和化成股份有限公司，MEH7851 —礼） 1 〇重量份、苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂（L〇NZA公司製造， Pnmaset PT - 30 ) 20重量份、球狀熔融二氧化矽（Admatechs 公司製造，SO—25R，平均粒徑〇 5//11〇 6〇.重量份，混合 /谷解於甲基乙基酮，以不揮發分成為7〇重量％之方式進行調整，而製備第2環氧樹脂組成物。 3.載體材料之製造使用刮刀式塗佈機裝置，以乾燥後之樹脂層之厚度成為5.0/zm之方式將上述第丨樹脂組成物塗敷於附有載體之極薄銅羯（三井金屬礦業，Micr〇cyn Μτΐ8Εχ_ 2以讯），將其於16(TC之乾燥裝置乾燥5分鐘，而獲得第i樹脂層用附有鋼落之樹脂片。 33 201220977 又’以乾燥後之樹脂層之厚度成為27.5 A m之方式同樣將第2樹脂組成物塗敷於pet (聚對苯二甲酸乙二酯，杜邦帝人薄膜製造之Purex film 36；tzm)，並於160°C之乾燥機乾燥5分鐘’而獲得第2樹脂層用附有ρΕτ之樹脂片。 4.預浸體之製造以樹脂層接觸玻璃織布之方式將上述第1樹脂層用附有銅落之樹脂片、及第2樹脂層用附有PET之樹脂片配置於玻璃織布（每平方公尺重量2〇g，厚度2〇//m，日東紡織公司製造之T玻璃織布，WTX — 1027 )之兩面，於壓力 0.5MPa、溫度14〇。〇1分鐘之條件藉由真空加壓進行加熱加壓’而含浸環氧樹脂組成物’獲得積層有載體膜之預浸體。此時’第1樹脂層為5 μ m，核心層為20 /z m，第2樹脂層為15 # m ’總厚成為40 " m，第1樹脂層為合計核心層、第 1樹脂層及第2樹脂層之各層厚度之預浸體總厚度之 12.5%。 5 .配線板及半導體裝置之製造於核心基板（Sumitomo Bakelite公司製造之ELC — 4785GS - B，厚度〇.4mm，12ym銅箔）形成有電路圖案（殘銅率70%，L/S=50/50ym)之内層電路基板之表面背面’剝離上述獲得之積層有載體膜之預浸體之ΡΕτ，以第2 樹脂層為内側而兩面疊合，使用真空加壓式貼合裝置，將其於溫度150°C、壓力1 MPa、時間120秒進行真空加熱加壓成形’其後’利用熱風乾燥裝置於22(rc進行6〇分鐘加熱硬化’而製造多層配線板。 34 201220977 自上述獲得之多層配線板剝離載體銅箱，進而蝕刻除去極薄銅箔。接著藉由二氧化碳雷射形成盲通孔（bUnd via hole )(非貝通孔）。接著將通孔内及第i樹脂層表面於 C之膨潤液（Atotech Japan股份有限公司製造，Swemng Dip Securiganth P)浸潰5分鐘，進而於肋艺之過錳酸鉀水溶液（Atotech Japan 股份有限公司製造，c〇ncentrate c〇mpact CP)浸潰1 〇分鐘後，中和而進行粗糙化處理。經過脫脂、觸媒賦予、活化之步驟後，使無電鍍銅被膜為’力1 # m形成電鑛阻劑（piating resist)，將無電鑛銅被膜作為供電層而形成圖案電鍍銅12；am,而實施L/S=12 之微細電路加工，接著，利用熱風乾燥裝置於2〇〇 C進行60分鐘退火處理後，以快速蝕刻除去供電層。接著，阻焊劑（Taiyo InkMfg股份有限公司製造，PSR -4000 AUS703 )’以搭載半導體元件之焊墊等露出之方式，以特定之遮罩進行曝光，進行顯影、固化，並以電路上之阻焊劑層厚度成為12从m之方式形成。最後，於自阻焊劑層露出之電路層上，形成具備無電鍍鎳層及進而於其上之0 1//111無電鍍金層之電鍍層，將所獲得之基板切割為5 〇mmx 5 0mm尺寸，而獲得半導體裝置用多層配線板。半導體裝置係利用倒裝晶片接合機（flip chip b〇nder)裝置，藉由加熱壓接，於上述半導體裝置用多層配線板上搭載具有焊接凸塊之半導體元件（TEG晶片，尺寸 15mmx15inm，厚度〇.6mm)，接著，以讯回焊爐熔融接合 35 201220977 焊接凸塊後’填充液態密封樹脂（Sumitomo Bakelite公司製造，CRP — 4152S)，使該液態密封樹脂硬化而獲得。再者，液態密封樹脂係於溫度15〇。(：、120分鐘之條件進行硬化。再者，上述半導體元件之焊接凸塊係使用由Sn/ pb組成之共晶所形成者。 (實施例2) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用聯苯芳烷基型盼樹脂及Curezol 2E4MZ，而使苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂（Lonza Japan股份有限公司製造，primaset ρτ- 30) 用20重量份及Curezol 1B2PZ (四國化成工業公司製造） 0.3重量份以外，與實施例1同樣地進行。 (實施例3) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用萘改質曱酴酴链清漆環氧樹脂，而使用蒽型環氧樹脂（j ER公司製造’ YX- 8800 ) 30重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例4) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用萘改質曱盼盼链清漆環氧樹脂，而使用萘二亞甲基型環氧樹脂（東都化成工業公司製造，ESN— 175) 30重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例5) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用萘改質曱酴酴路清漆環氧樹脂，而使用聯苯二亞甲基型環氧樹脂（曰本化藥公司製造，NC— 3000) 30重量份以外，與實施例2 36 201220977 同樣地進行。 (實施例6 ) 牙、於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用萘改質曱酚酚醛仴漆環氧樹脂’而使用甲酚酚醛清漆型環氧樹脂 (0 a司製造，N— 69〇 ) 3〇重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例7 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用雙S/聯苯型苯氧基樹脂，而使用聚矽氧改質聚醯亞胺樹脂30重量份以外，與實施例2同樣地進行。以下’詳細地說明上述聚矽氧改質聚醯亞胺樹脂之合成方法（合成例1 )。 (合成例1 ) 於具備溫度計、攪拌機、原料投入口之四口可分離式燒瓶中，作為酸成分，使4,4' —雙酚A酸二酐43.38g( 0.0833 莫耳）懸浮於苯甲醚220.24g、曱苯55.06g。並且，作為二胺成分投入2,2—雙（4—(4一胺基苯氧基）苯基）丙烷23.39g (0.05莫耳）與α，ω 一雙（3 _胺基丙基）聚二甲基矽氧烷（平均分子量836 ) 27.87g ( 0.0333莫耳）而形成醯胺酸。接著，若安裝丁史塔克（Dean-Stark)回流冷卻管，藉由油浴進行加熱，則懸浮溶液溶解而變為透明。此時，藉由與曱苯之共彿而將伴隨醯亞胺化所產生之水除去至系統外。進行2小時加熱回流後結束反應。冷卻後，投入至大量之曱醇中而使聚醯亞胺樹脂析出。過濾固形物成分後， 37 201220977 於70〜80 C進行12小時減壓乾燥而除去溶劑，獲得固體聚醯亞胺樹脂i。重量平均分子量為Mw=46,〇〇〇。 (實施例8) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用雙S/聯苯型苯氧基树知，而使用橡膠改質含酚羥基之聚醯胺3 〇重量份以外，與實施例2同樣地進行。以下’詳細地說明上述橡膠改質含酚羥基之聚醯胺之合成方法（合成例2 )。 (合成例2) 於安裝有溫度計、冷卻管、攪拌器之5〇〇mL燒瓶實施氮氣沖洗，添加5 —經基間苯二甲酸μ 6g ( 〇〇8〇莫耳）、間苯二曱酸50.5g (0.304莫耳）、ι，3 —雙（3 —胺基苯氧基）苯121.6g(0.416莫耳）、氣化鐘9.0g、N—曱基0比洛咬酮 860g、°比啶170g，攪拌溶解後，添加亞磷酸三苯酯2〇〇g，於95°C反應8小時’而獲得含酚羥基之聚醯胺樹脂。於其中添加將末端羧基改質聚丁二烯一丙烯腈橡膠（宇部興產公司製造’ HycarCTBN2000x 1 62，重量平均分子量3600) 100g溶解於吡啶165g與N-曱基吡咯烷酮I80g而成之溶液，進而反應4小時。使獲得之聚合物溶液於不良溶劑曱醇中析出並進行過濾，進而反覆進行曱醇沖洗，於80°C烘箱中使其乾燥，而獲得固體橡膠改質含酚羥基之聚醯胺。 (實施例9) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用雙S/聯苯型苯氧基樹脂，而使用橡膠改質含酚羥基之聚醢胺（曰本 38 201220977 化藥公司製造，KAYAFLEX BPAM — 155 ) 30重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例10 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用雙S/聯苯型苯氧基樹脂’而使用橡膠改質含盼經基之聚醯胺（日本化藥公司製造，KAYAFLEX BPAM- 01 ) 30重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例11 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，將萘改質甲酚紛路清漆環氧樹脂之含量設為3 6重量份，將苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂之含量設為1 8重量份，將橡膠改質含苯經基之聚酿胺（曰本化藥公司製造，KAYAFLEX BPAM — 155 )之含量設為36重量份，將二氧化矽奈米粒子（NSS — 5N )之含量設為10重量份以外，與實施例9同樣地進行。 (實施例12 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，將萘改質曱酚紛路清漆環氧樹脂之含量設為3 8重量份，將苯酚酚醛清漆型氰酸醋樹脂之含量設為19重量份，將橡膠改質含苯羥基之聚醯胺（日本化藥公司製造，KAYAFLEX BPAM — 155)之含量設為38重量份，將二氧化矽奈米粒子（NSS-5N)之含量設為5重量份以外，與實施例9同樣地進行。 (實施例1 3 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用雙s/聯苯型苯氧基樹脂，而使用聚醚砜樹脂（住友化學公司製造， 39 201220977 PES5003P) 30重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例14 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用雙S/聯苯型苯氧基樹脂，而使用聚苯醚樹脂（三菱瓦斯化學公司製造，ΟΡΕ — 2st) 30重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例1 5 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用二氧化石夕奈米粒子（NSS — 5N)，而使用二氧化矽奈米粒子（Admatechs 公司製造’ Admanano ’平均粒徑56nm，乙烯基矽烷處理品） 20重量份以外，與實施例2同樣地進行。 (實施例16 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，將萘改質曱紛盼越清漆環氧樹脂之含量設為24重量份，將苯紛紛搭清漆型氰酸酯樹脂之含量設為24重量份，將雙s/聯苯型笨氡基樹脂之含量設為12重量份’將二氧化矽奈米粒子 (Admatechs公司製造，Admanano，平均粒徑56nm，乙烯基石夕烧處理品）之含量設為2重量份，進而使用球狀二氧化矽（Tokuyama公司製造，NSS—3N，平均粒徑0.125" m) 3 8重量份以外，與實施例15同樣地進行。 (實施例17 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備令，不使用二氧化矽奈米粒子（NSS — 5N)，而使用二氧化矽奈米粒子（Admatechs a司製造’ Admanano ’平均粒徑56nm，乙稀基石夕烧處理品） 1 〇重I份及球狀二氧化石夕（Tokuyama公司製造，NSS—3N， 201220977 平均粒徑0.125 // m) 5重量份以外，與實施例9同樣地進行。 (實施例18 ) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用二氧化石夕奈米粒子（NSS—5N)’而使用一氧化石夕奈米粒子（Admatechs 公司製造，Admanano，平均粒徑56nm，乙烯基矽烷處理品） 2重量份及水鋁土（河合石灰工業公司製造，BMB，平均粒徑0.5 // m ) 18重量份以外，與實施例9同樣地進;。 (實施例19 ) 除於第2環氧樹脂組成物之製備中，將萘改質曱紛紛醛清漆環氧樹脂之含量設為7_5重量份，將聯苯芳烷基型紛樹脂之含量設為7 · 5重量份，將苯盼盼醒·清漆型氰酸醋樹脂之含量設為15重量份，將球狀二氧化矽（Admatechs公司製造，SO - 25R，0.5 // m)之含量設為70重量份以外，與實施例17同樣地進行。 (實施例20) 除於第2環氧樹脂組成物之製備中，不使用萘改質甲酚酚醛清漆環氧樹脂，而使用聯苯二亞曱基型環氧樹脂（日本化藥公司製造，NC — 3000 ) 7.5重量份以外，與實施例 19同樣地進行。 (實施例2 1 ) 除於第2私氧樹脂組成物之製備中，不使用萘改質甲酚酚醛清漆環氧樹脂，而使用二環戊二烯型環氧樹脂（Dic 公司製造，HP— 7200L) 7_5重量份以外，與實施例a同樣 201220977 地進行。 (實施例22) 製造中，使於成為^ 1樹脂層之載 1 β m銅之PET ’於蒸鍍面形成樹脂層除於載體材料之體材料濺鍍蒸鍍厚度以外，與實施例21同樣地進行。 (實施例23) 除於載體材料之製造中，將第丨樹脂清漆塗敷於ρΕτ 上以外，與實施例21同樣地進行。 (實施例24) 除於載體材料之製造中，使第i樹脂清漆乾燥後之樹脂層之厚度成為2.0 /z m，又，使第2樹脂清漆乾燥後之樹脂層之厚度為30.5 // m以外’與實施例16同樣地進行。此時’第1樹脂層為2 // m ’核心層為2 0以m，第2樹脂層為 1 8 // m，總厚成為40 // m，第1樹脂層為核心層、第i樹脂層及第2樹脂層之各層厚度合計之預浸體總厚度之5〇/〇。 (實施例25) 除於載體材料之製造中，使第1樹脂清漆乾燥後之樹脂層之厚度成為8_0 // m，又，使第2樹脂清漆乾燥後之樹脂層之厚度為24.5 // m以外，與實施例16同樣地進行。此時’第1樹脂層為8 /z m，核心層為2 0 e m，第2樹脂層為 12 // m，總厚成為4 〇 # m ’第1樹脂層為核.心層、第1樹月旨層及第2樹脂層之各層厚度合計之預浸體總厚度之2〇0/〇。 (比較例1 ) 於與實施例1獲得之第2樹脂清漆相同之樹脂清漆浸 42 201220977 潰含次玻璃織布（每平方公尺重2〇g，厚度2〇 " m，曰東紡織公司製造T玻璃織布，WTX— 1〇27)，於180。(：之加熱爐乾燥2分鐘，而獲得預浸體中之環氧樹脂組成物以固形物成分基準為約67重量％之預浸體。配線板及半導體裝置之製造係與實施例1同樣地進行。 (比較例2) 除於第1環氧樹脂組成物之製備中，將1〜1〇〇nm之二氧化矽奈米粒子變為平均粒徑1〇 # m之球狀二氧化矽 (Admatech公司製造，s〇32R)以外，與實施例】同樣地進行。 (比較例3) 除於第1環氣樹脂組成物之製備中，不使用1〜1 〇〇nm 之二氧化矽奈米粒子以外，與實施例1同樣地進行。 (:評價）對於各實施例及各比較例獲得之預浸體、配線板及半導體裝置進行以下之評價。將評價内容與項目一同表示。又’將獲得之評價結果示於表4及表5。 (1)炼融黏度使用黏彈性測定裝置（Anton Paar公司製造，Physica MCR系列）’以升溫速度rc/分、頻率1 HZ，於振幅〇 3〇/〇、荷重〇· 1 N進行測定，測定最低熔融黏度。再者，評價樣品，係使用以如下方式製作之8〇 μ m之樹月曰.使用於各實施例及比較例獲得之第2樹脂清漆，以乾燥後之祕脂層之厚度成為4〇〆m之方式塗敷於上， 43 201220977 於160 C之乾燥裝置乾燥5分鐘，將獲得之樹脂片材2片貼合。 (2 )埋入性對加熱硬化後之多層配線板（第36頁第1段之階段）之外層銅箔整面蝕刻後，目視於内層圖案之埋入性，進而貫施剖面觀察而進行評價。符號如下：優良：無整面埋入性問題較佳：實質上無問題（最終單片化後之非製品部分之基板端部存在一部分不良）較差··圖案埋入不良 (3)熱膨脹係數（5〇〜i〇(rc ) 熱膨脹係數係使用TMA (熱機械分析）裝置（TA Instrument公司製造，Q4〇〇 )製作4mmx2〇mm之測試片，於溫度範圍30〜30(TC、10t/分、荷重5g之條件測定第 2週期之50〜l〇(Tc之線膨張係數（CTE)。再者，評價樣品，係使用如下者：使用2片於各實施例及比較例獲得之預浸體’與第2樹脂層相對，於溫度22(rc、壓力1 Mpa、時間 120分鐘之條件按壓積層後，將銅箔除去。 (4 )絕緣層表面之算術平均粗糙度（Ra ) 絕緣層表面之算術平均粗糙度（Ra )係以JIS B〇6〇丨為基準’使用Veeco公司製造之WYKO NT1100進行第！樹脂層之表面之測定。再者，評價樣品，係使用粗糙化疼理後之多層配線板（第36頁第2、3段之階段）。 201220977 (5)鍍敷剝離（kN/m) 剝離強度測定係依據JIS C 648 1 i隹a 仃。再者，評價梅品，係使用使實施例（第36頁第2、3典、只乐2 3奴）所記載之無鑛銅膜為l//m，接著形成29#ιη電艘銅，入 α ST 马 30/zm 者。 (6 ) PCT (壓力鍋測試）處理後之外觀使用飽和壓力鍋裝置，進行溫声19。 J 瓜没 i21 C、濕度 1〇0〇/〇、時間196小時之處理後，以目葙虑切主工視確⑽表面之膨脹等外觀。再者，評價樣品，係使用阻焊劑形成前夕夕a r A L / ⑷〜取則之多層配線板（第 36頁第2、3段之階段〉之基板。符號如下：優良：無異常較佳：實質上無問題（最終單片後之非製品部分之基板端部存在一部分不良）較差：電路圖案部產生膨脹 (7 )細線配線加工性藉由利用雷射顯微鏡之細線之外觀檢查及導通檢查， s平仏阻焊劑形成前之多層配線板（第3 6頁第2、3段之階段）之 1^/8=12/12"111之圖案。符號如下：優良：形狀、導通均無問題較佳：無短路、斷線，實質上無問題較差：有短路、斷線 (8 )多層配線板之麵曲將切割為5〇mm><50mm尺寸之多層配線板（第37頁之 45 201220977 階段）於室溫，使用可變溫雷射三維測定機（Hitachi

Technologies and Services 公司製造，型號 LS220 — Μ T10 0 Μ T 5 0 )’測定尚度方向之位移，將位移差之最大值設為翹曲量。符號如下：優良：100 # m以下較佳：100〜未達150〆m 較差：15 0 μ m以上 (9 )線間絕緣可罪性（HAST :南度加速壽命測試）於阻焊劑形成前之多層配線板（第3 6頁第2、3段之皆段）之L/S=12/12em之圖案上，積層絕緣樹脂片 (Sumitomo Bakelite 公司製造，BLA—37〇〇GS)代替阻焊聚口〇 ’於溫度13〇°C、濕度對連續加濕之絕緣電阻進行劑’使用於溫度220°C硬化之樣品 85%、外加電壓3.3 V之條件，對速評價。再者，將電阻值為108Ω以下設為故障符號如下：優良：300小時以上無故障較佳.1 50〜未達300小時有故障較差：未達15 0小時有故障 (10)半導體裝置之翹曲特性

—MT100MT50 )，於上述測定機之樣朝下設置，測定高度方向之位移，用可變溫雷射三維測定 s公司製造，型號LS220 品腔室將半導體元件面將位移差之最大值設為 46 201220977 輕曲量。符號如下：優良：100 // m以下較佳：100〜未達150/zm 較差：1 5 0 # m以上 47 201220977 〔1啭】 f施例卜〇 ο 〇 g m ο Ο 1-H 〇 ο Ο γΉ 〇 § 寸 cn ο ο ι-Η 〇 § m ο Ο ι-Η 〇 S CN CO ο Ο r-H 〇 S 8 〇 Ο 〇 S 萘改質曱酚酚醛清漆環氧樹脂蒽型環氧樹脂萘二亞曱基型環氧樹脂聯苯二亞曱基型環氧樹脂曱酚酚醛清漆型環氧樹脂聯苯芳烷基型酚樹脂苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂雙S/聯苯型苯氧基樹脂 · 聚矽氧改質聚醯亞胺樹脂（合成例1) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（合成例2) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（BPHAM —155) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（BPHAM—01) 聚醚艰•樹脂聚笨醚樹脂 NSS—5N (平均粒徑75nm) Admanano (平均粒徑 56nm) NSS—3N (平均粒徑 0.125//m) 水铭土（BMB，平均粒徑0.5/zm) Curezol 2E4MZ Curezol 1B2PZ 萘改質曱酚酚醛清漆環氧樹脂聯苯二亞甲基型環氧樹脂二環戊二烯型環氧樹脂聯笨芳烷基型酚樹脂苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂球狀二氧化矽：SO—25R (平均粒徑0.5/zm) 環氧樹脂其他熱硬化性樹脂熱可塑性樹脂平均粒徑1〜100/zm之二氧化矽奈米粒子球狀二氧化矽其他填料硬化觸媒環氧樹脂 1_ 硬化劑氰酸酯樹脂無機填充材第1環氧樹脂組成物第2環氧樹脂組成物 00寸 201220977 f施例〇 ο ι-Η 〇 S CO cn 〇 Ο »-Η 〇 S cs 00 m 〇\ 00 CO Ο Ο 〇 S 1-H τ-Η VO CO 〇〇 ν〇 CO 〇 ro Ο Ο 〇 S Ο ΓΛ Ο ο 〇 S ON m ο ο »-Η 〇 S 00 co ο ο r"H 〇 § 萘改質甲酚酚醛清漆環氧樹脂蒽型環氧樹脂萘二亞甲基型環氧樹脂聯笨二亞曱基型環氧樹脂甲酚酚醛清漆型環氧樹脂聯苯芳烷基型酚樹脂苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂雙S/聯苯型苯氧基樹脂聚矽氧改質聚醯亞胺樹脂（合成例1) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（合成例2) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（BPHAM —155) 橡膠改質含酚0H之聚醯胺（BPHAM—01) 聚醚硪樹脂聚苯醚樹脂 NSS-5N (平均粒徑75nm) Admanano (平均粒徑 56nm) NSS—3N (平均粒徑 0.125//111) 水鋁土（BMB，平均粒徑0.5；um) Curezol 2E4MZ ；Curezol 1Β2ΡΖ 萘改質甲酚酚醛清漆環氧樹脂聯苯二亞甲基型環氧樹脂二環戊二烯型環氧樹脂聯笨芳烷基型酚樹脂笨酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂球狀二氧化矽：SO—25R (平均粒徑0.5/zm) 環氧樹脂其他熱硬化性樹脂熱可塑性樹脂平均粒徑1〜100/zm之二氧化矽奈来粒子球狀二氧化矽其他填料硬化觸媒環氧樹脂硬化劑氰酸酯樹脂無機填充材第1環氧樹脂組成物第2環氧樹脂組成物 6寸 201220977 t施例〇 in m 〇〆 νπ 〇〇 CO 〇〇\ 〇 ίΛ Ο in 〇 00 CN 00 m Ο 〇 ο 卜〇 CO d o Ο § Ό CS (N 00 CO ro O o ο cn o o 1-H ο 萘改質曱酚酚醛清漆環氧樹脂蒽型環氧樹脂萘二亞甲基型環氧樹脂聯苯二亞曱基型環氧樹脂 !曱酚酚醛清漆型環氧樹脂丨聯苯芳烷基型酚樹脂苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂雙S/聯苯型笨氧基樹脂聚矽氧改質聚醯亞胺樹脂（合成例1) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（合成例2) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（BPHAM —155) 橡膠改質含酚OH之聚醯胺（BPHAM—01) 聚醚颯樹脂聚苯醚樹脂 NSS—5N (平均粒徑75nm) Admanano (平均粒徑 56nm) NSS—3N (平均粒徑 0.125//m) 水铭土（BMB，平均粒徑0.5ym) Curezol 2E4MZ Curezol 1B2PZ 萘改質甲酚酚醛清漆環氧樹脂聯笨二亞甲基型環氧樹脂二環戊二烯型環氧樹脂聯苯芳烷基型酚樹脂笨酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂球狀二氧化矽：SO—25R (平均釭徑0.5em) 環氧樹脂 1 其他熱硬化性樹脂熱可塑性樹脂平均粒程1〜100//Π1之二氧化石夕奈米粒子球狀二氧化矽其他填料硬化觸媒環氧樹脂硬化劑氰酸酯樹脂無機填充材第1環氧樹脂组成物第2環氧樹脂組成物 201220977 〔寸硌〕實施例寸 o <N 優良 CO 0.45 0.80 優良優良較佳| 優良優良 cn I 200 優良 m 0.45 1 0.80 1 較佳優良較佳優良優良 <N 200 優良 2 0.40 0.95 優良優良優良優良較佳 o <N 優良 m 0.40 I 0.95 1 優良優良優良優良優良 o 〇 CN 優良 m 0.45 1 0.90 1 優良優良較佳優良優良 Os | 200 1 優良 ΓΟ 0.45 1 0.95 1 優良優良優良優良優良 00 o <N 優良 cn 0.45 1 0.90 1 優良優良較佳優良優良卜 200 優良 CO 0.50 1 0.80 1 優良較佳較佳優良優良| | 200 優良 ro 0.45 0.75 較佳優良較佳較佳優良 | 200 1 優良 cn r—H 0.45 1 0.80 1 優良優良較佳優良優良寸 o (N 優良 cn 0.45 [0.80 1 優良優良較佳優良優良 CO 〇 (N 優良 m 0.45 1 0.80 1 優良較佳優良優良 <N 200 優良 m 0.45 1 0.85 1 優良優良較佳 1 優良優良 200 ；優良 CO 0.45 1 0.75 1 較佳優良較佳較佳較佳 (1)熔融黏度（Ps · s) (2)埋入性 (3)熱膨脹係數（50〜100°C) (ppm) (4)絕緣體層表面之算術平均粗糙度（Ra) (Urn) (5)鍍敷剝離（kN/m) (6) PCT處理後之外觀 (7)細線加工性（L/S=15/15) (8)多層基板翹曲 (9 )線間絕緣可靠性（HAST ) (LS10,HAST,3.3 V) (10)半導體裝置之翹曲特性 201220977 比較例 200 優良 0.15 0.35 較差較差較差| 較差 CN 200 優良 cn 0.65 I 0.85 I 1優良較差較佳較差優良 200 較差 «η »-Η 0.75 0.30 較差| 較差較差| 較差較差 <N 200 良 <Ν 0.50 Ο f—Η 優良較佳較佳較佳 |優良| | 200 I 1優良1 0.50 0.70 1 優良較佳| 優良優良 |優良| CO (N | 900 | 優良 m ί-Η 0.15 1 0.85 1 Li良優良 ^佳較佳 |優良| CS CS o 優良 CO 0.45 1 0.95 1 優良優良較佳優良 |優良| CN | 900 1 優良 cn 0.45 0.95 1 1優良優良較佳優良優良| o κηη r~H |較佳 f-H 0.45 1 0.95 1 優良優良較佳優良 |優良1 ik 〇\ r i o r—H 較佳 CN 0.45 1 0.95 1 優良優良較佳優良 |優良 00 [ 200 | Hi良 0.50 1 0.75 1 優良較佳較佳優良 |較佳| 卜 i-H | 200 I 優良 ΓΛ 0.45 1 0.95 1 優良優良較佳優良 |優良| v〇 τ·"Η i 200 I 巧良 0.50 1 0.75 1 1優良1 較佳優良優良 |優良1 1—< 200 1優良1 0.50 1 0.80 1 I優良I 較佳| 較佳| 較佳 I優良| (1)熔融黏度（Ps * s) (2)埋入性 (3)熱膨脹係數（50〜100°C) (ppm) (4)絕緣體層表面之算術平均粗糙度（Ra) (β^η) (5)鍍敷剝離（kN/m) (6) PCT處理後之外觀 (7)細線加工性（L/S = 15/15) (8)多層基板翹曲 (9 )線間絕緣可靠性（HAST ) (LS10，HAST，3.3 V) (10)半導體裝置之翹曲特性 201220977 (結果）由表4及表5所記載之評價結果可知，於實施例1〜25 中，於上述評價（2 )〜（1 〇 )中獲得良好之結果。即，於實施例1〜25，預浸體之低熱膨脹性優異，配線板之絕緣層表面之算術平均粗糙度（Ra )適宜，PCT處理後之外觀無問題，埋入性、鍍敷剝離強度、細線加工性及線間絕緣可靠性優異，翹曲較小，半導體裝亶之翹曲較小。另一方面，於比較例1，並非具有本發明之第1樹脂層、核心層 '及第2樹脂層之預浸體，而是使用使第2樹脂清漆浸潰含浸於玻璃織布而獲得之預浸體，因此於上述評價 (2 )〜（1 〇 )中，結果比實施例i〜25差。於比較例2，於第1環氧樹脂組成物之製備中，不使用 1 1 〇〇nm之一氧化石夕奈米粒子，而使用平均粒徑1 ·〇以m 之球狀一氧化矽，因此雖然預浸體之低熱膨脹性、配線板之埋入性、鍍敷剝離強度、PCT處理後之外觀、及翹曲特 (·生以及半導體裝置之勉曲特性良好，但配線板之絕緣層表面之算術平均粗糙度、細線加工性、及線間絕緣可靠性與實施例1〜25相比較差。於比較例3，用1〜1 OOnm之好，但上述評價較差》於第1環氧樹脂組成物之製備中，因不使 -氧化石夕奈米粒子，故配線板之埋入性良 ' 3 )〜（10 )之結果與實施例丨〜25相比根據本發明，可分別賦予兩面不可獲得如下預浸體：能夠應對薄膜化，同之用途、功能、性能或特性等，— 53 201220977 與導體層之密合性優異，且積層於該面之導體層可形成微細電路。又’使用上述預浸體製作之配線板及半導體裝置之絕緣可靠性、連接可靠性及安裝可靠性優異。【圖式簡單說明】圖1為模式性地表示本發明之預浸體之一例之剖面圖。圖2為模式性地表示本發明之預浸體所具有之核心層於預/又體之厚度方向分佈不均的狀態之剖面圖。圖3為模式性地表示本發明之配線板之一例之剖面圖。圖4為模式性地表示本發明之半導體裝置之—例之剖【主要元件符號說明】 1 纖維基材 11 核心層 2 .第1樹脂層 3 第2樹脂層 4a、4b 載體膜 41 電路層 5 焊墊部 6 填孔部 7 通孔 8 半導體元件 81 凸塊 10 、 10a 、 10b' 10c、 10d ' 10e ' 10f 預浸體 54 201220977 100 配線板 101 核心基板 200 半導體裝置 A 中心線 55

Claims

201220977 七、申請專利範圍： 1_ 一種預浸體’其具有具備纖維基材之核心層、形成於該核心層之一面側之第1樹脂層、及形成於該核心層之另一面側之第2樹脂層，且於第1樹脂層側表面及第2樹脂層側表面之至少一面積層有選自由金屬箔及樹脂膜構成之群中之載體膜；該第1樹脂層含有如下第1環氧樹脂組成物，該第i 環氧樹脂組成物包含：平均粒徑為1〜丨〇〇nm之二氧化石夕奈米粒子，選自由聚酶亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚苯醚樹脂及聚醚砜樹脂構成之群中之熱可塑性樹脂，及環氧樹脂，·該第i樹脂層與該纖維基材相接觸，或第丨樹脂層之一部分含浸於纖維基材； 5亥第2樹脂層含有包含無機填充材與環氧樹脂之第2 環氧樹脂組成物，帛2樹脂層之—部分含浸於纖維基材。 2.如申請專利範圍第丨項之預浸體，其中，該第丨環氧樹月a組成物係含i〜25重量％之平均粒徑為i〜1 之二氧化石夕奈米粒子。 56 201220977 其中其中其中、亥第2環氧樹脂組成物為進而包含氰酸酯樹脂者。 6.如申請專利範圍第丨項至第5項中任—項之預浸體， ’該第1樹脂層之厚度薄於該第2樹脂層。申π專利圍第丨項至第6項巾任—項之預浸體， ’該第1樹脂層之厚度為合計核心層、第i樹脂層及第2樹脂層之各層厚度的總厚度 8.如申請專利範圍第之5%以上未達40%。 1項至第7項中任一項之預浸體， ’、中口。十忒核〜層、第！樹脂層及第2樹脂層之各層厚度之總厚度為12 0弘m以下。 9. 如申請專利範圍第丄項至第8項中任一項之預浸體，其中，該纖維基材之厚度為1〇〇" m以下。 10, 如申請專利範圍第丨項至第9項中任一項之預浸體其中’形成該帛2樹脂層之該第2環氧樹脂組成物之熔融黏度為50〜5,000 Pa · s。 11 _如申請專利範圍第丨項至第1〇項中任一項之預浸體，其中，6亥第1 %氧樹脂組成物進而包含1〜重量％之平均粒徑為0.1〜2 // m之球狀二氧化矽。 12.—種配線板，於導體電路上，以其第2樹脂層側接合之方式積層該申請專利範圍第1項至第U項中任一項之預浸體。 1 3. —種半導體裝置，具有該申請專利範圍第丨2項之配線板。