TW201727797A - 用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備及方法、用以針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板的處理的設備及方法、及用於一基板之真空處理的系統 - Google Patents

用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備及方法、用以針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板的處理的設備及方法、及用於一基板之真空處理的系統 Download PDF

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Abstract

本揭露係提供一種用以裝載一基板(10)至一真空處理模組中之設備(100)。此設備(100)包括一白努利式固持件(110)，具有一表面(112)，表面裝配以面對基板(10)；以及一氣體供應器(130)，裝配以於表面(112)及基板(10)之間導引氣體之一流(134)，其中白努利式固持件(110)係裝配以提供一壓力於基板(10)及表面(112)之間來用於基板(10)之懸浮。基板(10)係為一大面積基板。

Description

用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備及方法、用以針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板的處理的設備及方法、及用於一基板之真空處理的系統
本揭露之數個實施例係有關於一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備、一種裝配以針對在一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板之處理的設備、一種用於一基板之真空處理之系統、一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之方法、及一種用以針對在一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板之處理的方法。本揭露之數個實施例特別是有關於在一真空沈積製程之前之一基板的一預處理，預處理例如是除氣。
用於層沈積於基板上之技術包括例如是濺射沈積、熱蒸發、及化學氣相沈積。濺射沈積製程可使用，以沈積材料層於基板上，例如是導電材料或絕緣材料之層。已塗佈材料可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，一應用係在微電子學之領域中，例如是用以產生半導體裝置。再者，用於顯示器之基板係時常以濺射沈積製程進行塗佈。其他應用包括絕緣面板、具有薄膜電晶體(TFT)之基板、彩色濾光片或類似者。
為了改善層沈積於基板上之品質，基板應符合一些需求，層的品質舉例為純度及/或同質性(homogeneity)。作為一例子來說，層係將沈積於一基板表面上，此基板表面應避免雜質，例如是外來粒子。再者，在真空處理系統之真空腔室中之基板的排氣應減少或甚至避免。
有鑑於上述，克服此領域中至少一些問題之設備、系統、及方法係具有優點的。本揭露之目的特別是在於提供用以準備將裝載於真空處理系統之真空腔室中之基板的設備、系統、及方法。
有鑑於上述，一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備、一種裝配以針對在一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板之處理的設備、一種用於一基板之真空處理之系統、一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之方法、及一種用於針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板之處理的方法係提供。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所附圖式更加清楚。
根據本揭露之一方面，一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備係提供。基板係為一大面積基板。此設備包括一白努利式固持件，具有一表面，表面裝配以面對基板；以及一氣體供應器，裝配以於表面及基板之間導引氣體之一流，其中白努利式固持件係裝配以提供一壓力於基板及表面之間來用於基板之懸浮。
根據本揭露之其他方面，一種裝配以針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之用於一基板的處理之設備。設備包括一基板固持件，裝配以支承基板；一氣體供應器，裝配以沿著基板之一基板表面導引氣體之一流；以及一或多個調節裝置，用以調整沿著基板表面導引之氣體之至少一物理及/或化學性質，其中氣體之物理及/或化學性質係針對基板之一處理選擇。
根據本揭露之再其他方面，一種用於一基板之真空處理之系統係提供。此系統包括一真空處理模組，裝配以用於在基板上之一真空沈積製程；至少一裝載腔室，連接於處理模組；以及根據此處所述實施例之設備。
根據本揭露之另一方面，一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之方法係提供。基板係為一大面積基板。此方法包括利用一白努利式固持件支承基板；以及利用白努利式固持件裝載基板至一基板載體上，基板載體提供於一裝載腔室，裝載腔室連接於真空處理模組。
根據本揭露之再另一方面，一種用於針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板之處理的方法係提供。方法包括利用一基板固持件支承基板，基板固持件係裝配以用於裝載基板於真空處理模組之一裝載腔室；當利用基板固持件支承基板時，經由一氣體供應器沿著基板之一表面導引一氣體之一流；當導引氣體之流時，利用氣體之流處理基板，其中氣體之至少一物理及/或化學性質係針對基板之處理選擇；以及利用基板固持件裝載基板於一基板載體上，基板載體係提供於裝載腔室。
根據本揭露之其他方面，一種用以處理一基板之設備係提供。此設備包括一白努利式固持件，用以裝載基板於一基板支撐表面上及/或用以從基板支撐表面卸載基板。
根據本揭露之再其他方面，一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備。此設備包括一白努利式固持件，用以於裝載程序期間支承基板。
數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備，且包括用以執行各所揭露之方法方面之設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，根據本揭露之數個實施例係亦有關於用以操作所述之設備的方法。用以操作所述之設備的此些方法包括數個方法方面，用以執行設備之每個功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
詳細的參照將以本揭露之數種實施例來達成，本揭露之一或多個例子係繪示於圖式中。在下方圖式之說明中，相同參考編號係意指相同元件。僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而作為一實施例之特徵可用於其他例子或與其他例子結合，以取得再其他例子。此意指本說明包括此些調整及變化。
本揭露之數個實施例係導引氣體之流以控制的方式越過基板之至少一表面，此基板例如是大面積基板。舉例為在基板裝載至真空處理模組中之前，氣體之流可使用於基板之處理，及支承基板於懸浮狀態之至少一者。特別是，氣體之流可使用於基板之懸浮。氣體之流可額外地或選擇性使用於基板之排氣及/或用於從基板之表面移除外來粒子，材料層係將沈積於此基板之表面上。作為一例子來說，在基板係放置於基板載體上之前，可使用氣體之流來執行基板之排氣，此基板載體可例如是靜電吸座。例如是純度及/或同質性之沈積層之品質可改善。再者，氣體之流可使用以在基板之上方產生減少之壓力或低於壓力，使得基板懸浮。特別是，氣體之流可同時提供兩個功能，亦即用於基板之支承功能及處理或預處理。
第1A圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載基板10至真空處理模組中之設備100的示意圖。於一些應用中，設備100可使用以裝載基板10至真空處理系統之裝載腔室中。此係參照第6A至9圖進一步說明。基板10可為大面積基板。
設備100包括白努利式固持件110及氣體供應器130，白努利式固持件110具有一表面112，裝配以面對基板，氣體供應器130裝配以導引表面112及基板10之間的氣體之流134。白努利式固持件110係裝配以提供壓力於基板10及表面112之間來用於基板10之懸浮。
縫隙或空間114可提供於氣體之流134通過之表面112及基板10之間。由氣流所提供之縫隙或空間114可在基板10之位置良好地控制成小尺寸及相對於白努利式固持件110小變化係有利的。再者，小縫隙保護基板表面而避免附帶之環境粒子污染物且保護基板表面而避免接觸白努利式固持件110。
白努利式固持件110基於白努利效應懸浮基板10。例如是減少之壓力或低於壓力之壓力係提供於基板10及表面12之間來懸浮基板10，以支承基板10於懸浮或懸吊狀態。設備100支撐基板10，而無需致使(導引)機械接觸於基板之面上。特別是，基板10係浮動於氣墊上，且特別是薄氣墊。也就是說，設備100係於基板之面上沒有接觸。由於基板10係浮動於氣墊上，為了確保基板10不滑動離開白努利式固持件110，可提供一或多個基板對準裝置116，基板對準裝置116舉例為從白努利式固持件110突出之銷或滾軸。此一或多個基板對準裝置116係更參照第2A及B圖說明。由設備100提供之氣體之流134可選擇性使用於基板10之處理。
名稱「減少之壓力(reduced pressure)」及「低於壓力(under pressure)」可相對於設備100所在之例如是參照第6A圖說明的外殼(以參考標號「550」標註)中的大氣壓力定義。特別是，在基板10及表面112之間的例如是減少之壓力及低於壓力之壓力係裝配以用於懸浮基板10。作為一例子來說，在此壓力及大氣壓力之間的差異係足以補償基板10之重力。
根據此處所述實施例之基板可具有主表面和側表面。作為一例子來說，舉例為針對矩形之基板而言，可提供兩個主表面11及四個側表面(或基板邊緣)。此兩個主表面11可實質上平行於彼此延伸及/或可延伸於四個側表面之間，也就是基板之邊緣之間。各主表面之面積係大於各側表面之面積。此兩個主表面之第一主表面可裝配以用於層沈積於其上。第一主表面可亦意指為基板10之「前側」。相對於第一主表面之此兩個主表面之第二主表面可意指為基板10之「背側」。氣體供應器130可裝配以導引 氣體之流134於白努利式固持件110之表面112及基板10之一主表面之間，此主表面例如是第一主表面或第二主表面。於一些應用中，氣體供應器130係裝配以沿著本質上整個基板表面導引氣體之流134，此基板表面例如是第一主表面及/或第二主表面。
白努利式固持件110之表面112之面積可等同於、或大於面對白努利式固持件110之表面112之基板表面的面積，此基板表面例如是第一主表面及/或第二主表面。當基板10係由白努利式固持件110支承時，白努利式固持件110之表面112及面對白努利式固持件110之表面112之基板表面可配置成實質上彼此平行。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板10係為大面積基板。大面積基板可具有至少0.01 m2 、特別是至少0.1 m2 、且更特別是至少0.5 m2 之尺寸。舉例來說，大面積基板或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代，第4.5代對應於約0.67 m²之基板(0.73m x 0.92m)、第5代對應於約1.4 m²之基板(1.1 m x 1.3 m)、第7.5代對應於約4.29 m²之基板 (1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7m²之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m²之基板(2.85 m x 3.05 m)。例如是第11代或第12代之甚至是更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板10係選自由第1代、第2代、第3代、第3.5代、第4代、第4.5代、第5代、第6代、第7代、第7.5代、第8代、第8.5代、第10代、第11代、及第12代所組成之群組。特別是，基板10可選自由第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、第10代、第11代、及第12代、或更高代之基板所組成之群組。
根據一些實施例，氣體供應器130包括一或多個第一導管131及/或氣體分佈板132。氣體分佈板132可具有表面112，裝配以面對基板10。作為一例子來說，氣體分佈板132可設置於此一或多個第一導管131及大面積基板之間。於一些應用中，此一或多個第一導管131係裝配，以供應氣體至氣體分佈板132之上方的分佈空間133中。氣體分佈板132可具有孔洞或噴嘴，使得來自分佈空間133的氣體係導引於表面112及基板10之間，以提供氣體之流134。特別是，氣體分佈板132可裝配以分佈氣體，使得氣體於基板10之例如是其中一個主表面及氣體分佈板132之表面(也就是表面112)之間流動。
設備100包括氣體出口140。氣體出口140可包括一或多個第二導管。作為一例子來說，由氣體供應器130供應之氣體可於表面112及基板10之間流動，且可接著導引進入一或多個第二導管(由參考編號「142」所標註)，以接收來自縫隙或空間114之氣體，此一或多個第二導管舉例為設置在基板10及/或氣體分佈板132之一或多個側邊。氣體可經由出口141離開白努利式固持件110，出口141可為另一個第二導管。於一些應用中，離開白努利式固持件110之氣體可回到一或多個調節裝置，如參照第1C圖之說明。
如此處所使用之名稱「基板」或「大面積基板」應特別是包含不可撓性基板，舉例為玻璃板及金屬板。然而，本揭露係不以此為限，且名稱「基板」可亦包含可撓性基板，例如是軟質基材(web)或箔。根據一些實施例，基板可以任何適合材料沈積之材料製成。舉例來說，基板可以選自群組之一材料製成，此群組係由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃、硼矽玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料、碳纖維材料、雲母(mica)或任何其他材料或可由沈積製程進行塗佈之材料的組合所組成。
第1B圖繪示根據此處所述其他實施例之用以裝載基板至真空處理模組中之設備的示意圖。第1B圖之設備係類似於第1A圖中所繪示之設備，且更包括輔助基板支撐件150。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，設備100且特別是白努利式固持件110包括輔助基板支撐件150。輔助基板支撐件150可裝配以機械式支撐基板10。作為一例子來說，輔助基板支撐件150具有一或多個支撐元件152，此一或多個支撐元件152係裝配以接觸及支撐基板10，且例如是柱或銷，銷舉例為升舉銷或可縮回銷。
輔助基板支撐件150可裝配，使得氣體之另一流154可沿著基板10之基板表面流動，基板10之此基板表面舉例為第一主表面及/或第二主表面。作為一例子來說，導引於白努利式固持件110之表面112及基板10之間的氣體之流134可沿著基板10之第一主表面流動，基板10之第一主表面舉例為前側。由輔助基板支撐件150所提供之氣體之另一流154可沿著基板10之第二主表面流動，基板10之第二主表面舉例為背側。同時處理兩個主表面係可提供。
於一些應用中，輔助基板支撐件150可包括殼體156。殼體156可裝配，使得氣體之另一流154可流動通過殼體156且沿著基板10之基板表面，基板10之此基板表面舉例為背側。
於一些應用中，白努利式固持件110及輔助基板支撐件150可相對於彼此可移動。作為一例子來說，白努利式固持件110可移動而遠離輔助基板支撐件150，用以裝載基板10至輔助基板支撐件150上，舉例為此一或多個支撐元件152上。於一些應用中，例如是機器人之裝載裝置可使用以放置基板10於此一或多個支撐元件152上。白努利式固持件110可移動至基板10之上方的一位置，用以執行例如是基板10之預熱及/或除氣之處理。特別是，在處理基板10之期間，基板10可在白努利式固持件110位於基板10之上方的情況下放置於此一或多個支撐元件152上，使得氣體之流134及選擇性之氣體之另一流154可沿著對應之基板表面導引。在處理製程之後，白努利式固持件110可從輔助基板支撐件150拾取基板10，以從輔助基板支撐件150移動基板10舉例為至裝載腔室或至裝載於裝載腔室前之中間位置。
第1C圖繪示根據此處所述其他實施例之第1A圖之設備100的示意圖。雖然未繪示於第1C圖中，此設備可更包括參照第1B圖說明之輔助基板支撐件。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，設備100包括一或多個調節裝置，用以調整導引於表面112及基板10之間的氣體之至少一物理及/或化學性質，基板10例如是大面積基板。此一或多個調節裝置可亦意指為「氣體調整手段(gas conditioning means)」。氣體之物理及/或化學性質係針對基板10之處理選擇。
特別是，在基板10裝載至真空處理模組中之前，氣體之物理及/或化學性質可針對基板10之處理選擇。舉例來說，基板10之預處理可包括加熱基板10、除氣基板10，且提供定義(舉例為乾淨、乾燥)之環境之至少一者，特別是針對材料層將沈積於其上之基板10之表面。
預處理可使用白努利式固持件110之此一或多個調節裝置執行。作為一例子來說，通過氣體出口140離開白努利式固持件110之氣體可回到此一或多的調節裝置。如由參考標號180所標註，此一或多個調節裝置可位於遠距離的位置。遠距離區域可為工廠中之某個位置，但不一定需要相鄰或靠近白努利式固持件110或用於真空處理之系統。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此一或多個調節裝置可選自包括加熱器182、烘乾機184、過濾器186、壓縮機188、及其之任何組合之群組。加熱器182裝配以用於加熱氣體。烘乾機184裝配以用於乾燥氣體。過濾器186裝配以用於過濾氣體。壓縮機188用以循環氣體。
於一些實施例中，白努利式固持件110係設置而具有加熱功能，舉例為利用加熱器182。於另一實施例中，加熱器(未繪示)可亦合併於白努利式固持件110之內側，舉例為代替加熱器182或除了加熱器182之外的加熱器。因此，白努利式固持件110 可亦意指為「白努利加熱器」。烘乾機184可裝配以從白努利式固持件110所供應之氣體移除濕氣。過濾器186可為超濾器(ultra-filter)，舉例為利用半透膜之過濾器或高效微粒捕捉 (high-efficiency particulate arresting，HEPA)過濾器。於另一實施例中，超濾器(未繪示)可合併於白努利式固持件110中，舉例為取代過濾器186或除了過濾器186之外的超濾器。壓縮機188可裝配以循環設備100中之氣體，舉例為從氣體出口140至氣體供應器130，更通過縫隙或空間114，且最終再到氣體出口140。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，在設備100中循環之氣體可為氮。
乾燥、熱、及過濾之至少一者的氣體可提供而用於白努利式固持件110及基板10，例如是將處理之(主)表面，基板10由白努利式固持件110不接觸地支承，氣體例如是氮。基板10之表面可加熱及/或清洗。由具有調整之物理及/或化學性質之氣體所提供之環境可為熱、乾燥、乾淨、及化學惰性之至少一者，以提供用以基板10或基板表面之除氣。舉例來說，貼附於基板10之表面的濕氣可減少。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，白努利式固持件110更包括一或多個安全保持器160，裝配以位於基板10之下方，基板10例如是大面積基板。縫隙可提供於基板10與此一或多個安全保持器160之間，特別是當基板10係在懸浮或懸吊狀態中時。此一或多個安全保持器160可亦意指為「故障安全(fail-safe)基板保持器」。在流經白努利式固持件110之氣體突然無預期的減少的情況中，此一或多個安全保持器160可擋住基板10。就基板10及此一或多個安全保持器160之間有緊急接觸的情況來說，此一或多個安全保持器160可具有接觸元件162。
於一些應用中，此一或多個安全保持器160係裝配以相對於基板10可旋轉。作為一例子來說，此一或多個安全保持器160可從第一位置可旋轉至第二位置。在第一位置中，此一或多個安全保持器160可直接位於基板10之下方，以舉例在白努利式固持件110故障的情況中支承或抓住基板10。在第二位置中，此一或多個安全保持器160可遠離基板10，使得基板10可從白努利式固持件110釋放或取走。特別是，此一或多個安全保持器160可為可旋轉的，使得安全保持器可在需要時迅速地移動離開，此處所指之需要時係舉例為剛好在拾取基板10或基板10之擺置動作之前。於一些實施例中，在第一位置及第二位置之間的角度可為約90°。也就是說，此一或多個安全保持器160可從第一位置旋轉90°至第二位置，或從第二位置旋轉90°至第一位置。此旋轉可為實質上水平方向之平面中的旋轉。
白努利式固持件110提供在基板進入真空系統之前，用以基板10之預熱及/或除氣(舉例為吸收水氣)的裝置。再者， 當基板10係進行除氣且等待處理時，可提供已控制之乾淨乾燥化學惰性環境給基板表面，材料層係將沈積於此基板表面上。再者， 白努利式固持件110提供用以傳送基板及直接從載體(舉例為靜電吸座)或支撐表面拾取基板，或直接擺置基板10於載體或支撐表面上之裝置，而無需任何排列於基板10之背側上的額外裝置或支座(例如是升舉栓)的位置。白努利式固持件110可完成此些功能而無需增加大量的佔地面積給真空處理系統。
如第1A、1B及1C圖中所示，可提供至少四個基板對準裝置。特別是，一或多個基板對準裝置可提供在基板10之四個側邊之各者處，舉例為相鄰於基板10之四個側邊之各者處。在各側邊之此一或多個基板對準裝置可位於相對於個別之側邊的偏心位置。作為一例子來說，在各側邊之此一或多個基板對準裝置可位於個別之側邊的角落部份。基板10之限制移動或寬鬆對準可有幫助。
第2A-D圖繪示根據此處所述實施例之在白努利式固持件中之基板對準的示意圖。
根據一些實施例，設備包括此一或多個基板對準裝置116，例如是銷或滾軸。特別是，白努利式固持件可包括此一或多個基板對準裝置116，以在基板10係放置於基板支撐件上之前對準基板10，基板支撐件例如是可為靜電吸座之基板載體。於一些應用中，此一或多個基板對準裝置116包括一或多個可移動基板對準裝置及一或多個固定基板對準裝置之至少一者。在具有基板10位於其上之基板載體係裝載至裝載腔室或真空處理系統中之前，此一或多個基板對準裝置116提供在基板支撐件上之基板10的改良對準，此基板支撐件例如是基板載體。
由於基板10係浮動於氣墊上，為了確保基板10不會滑動離開白努利式固持件，例如是可從圍繞基板10之白努利式固持件之面突出的銷或滾軸之此一或多個基板對準裝置116係設置。至少一個基板對準裝置可提供而用於基板10之四個(側)邊緣之各者，使得基板10之在平面上的移動係限制在一區域，此區域係略微地大於基板10之表面尺寸，舉例為在兩個尺寸中(水平面中之X及Y)例如是少於±20 mm，較佳地少於±8 mm，且更佳地少於±3 mm。
第2A及C圖繪示此一或多個基板對準裝置116於開啟位置之示意圖。第2B及D圖繪示此一或多個基板對準裝置116於關閉或對準位置之示意圖。根據一些實施例，此一或多個基板對準裝置116之至少一些基板對準裝置可為於例如是ㄧ平面中的開啟位置及關閉位置之間可移動的，此平面實質上平行於基板10之主表面。此一或多個基板對準裝置116之至少一些基板對準裝置可選擇性固定於適當的位置。第2A及B圖繪示一實施例，此實施例具有一或多個可移動基板對準裝置(在基板10之左上角)及一或多個固定基板對準裝置(在基板10之右下角)。第2C及D圖繪示一實施例，此實施例具有相對之可移動基板對準裝置，舉例為在基板10之左上角及右下角。可移動對準裝置可包括可致動夾板，可致動夾板具有固定於其之銷及滾軸。於開啟位置中，此一或多個基板對準裝置116可與基板10相隔一距離，使得此一或多個基板對準裝置116係不接觸基板10。於關閉位置中，此一或多個基板對準裝置116可裝配以接觸基板10，舉例為接觸基板10之側表面。
參照第2C及2D圖及此相對之可移動基板對準裝置，此設計之優點係此設計避免於釋放基板10時必須移動整個白努利式固持件略微地遠離基板10。可為可移動銷之可移動基板對準裝置可在白努利式固持件升起前移動離開。特別是，如果整個白努利式固持件係不移動時，銷之固定組會在白努利式固持件升起時拖抵基板之邊緣。此動作可輕易地放入銷中且整個白努利式固持件不需要例如是對角地移動。
於一些應用中，在基板對準裝置116位於開啟位置中時，基板10可例如是從輔助基板支撐件拾取。藉由白努利式固持件，基板10可支承於懸浮狀態，也就是無需機械式接觸。在基板10放置於例如是靜電吸座之基板支撐件上之前，此一或多個基板對準裝置116可移動至關閉位置中，使得基板10係相對於基板支撐件對準。作為一例子來說，在基板10已經移動至裝載腔室之後且基板10放置在基板支撐件上之前，此一或多個基板對準裝置116可從開啟位置移動至關閉位置，基板支撐件係由裝載腔室提供或設置在裝載腔室。
於一些應用中，例如是銷或滾軸之此一或多個基板對準裝置116之至少一些基板對準裝置可以一方式固定，此方式係此至少一些基板對準裝置能夠從開啟位置或定義可例如是在各側大於基板10至15 mm之區域的情況移動至關閉位置或可藉由接觸基板10之邊緣且推動基板10朝向一組之相對的基板對準裝置之方式對準基板10的情況，而亦可能類似地可移動或可固定於固定位置。既然基板10係浮動於氣墊上，由可移動對準裝置引發之移動係存在非常小的阻力。可移動基板對準裝置可移動至預定停止位置，此預定停止位置係會留下小間隙，舉例為少於5 mm且較佳地少於2 mm，但不會夾置基板10於可移動或固定基板對準裝置之相對組或固定基板對準裝置與固定基板對準裝置之間。或者，可移動基板對準裝置可向前移動，直到基板10係非常輕微地夾置於基板對準裝置之相對組之間，而沒有留有間隙。在解除懸浮基板10之壓力條件且傳送基板10到新的位置之後，可移動夾裝置可開啟及/或包括具有基板對準裝置之白努利式固持件之整個組件可略微地移動，以不再接觸基板10之邊緣。此組件可接著安全地垂直移動離開基板10。
第3A圖繪示根據此處所述實施例之白努利式固持件300之示意圖。白努利式固持件300使用「區域的(local)」白努利效應於數個分離分散式的位置，以支承基板10於懸浮狀態。白努利式固持件300可裝配，以供應加熱之氣體至基板10來用以基板10之懸浮及預處理(舉例為預熱)，加熱之氣體例如是熱氮氣。作為一例子來說，白努利式固持件300可包括加熱器(未繪示)，用以加熱氣體。氣體可為熱、過濾及乾燥之氮氣。
白努利式固持件300包括氣體供應器330，裝配以導引氣體之流於白努利式固持件300之表面322與基板10之間來用以基板10之懸浮。氣體供應器330包括主供應管331及數個分佈管332，分佈管332連接於主供應管331。此些分佈管332係裝配以導引氣體之流於表面322及基板10之間。
白努利式固持件300包括孔板材320。孔板材320提供 面對基板10之白努利式固持件300之表面322。孔板材320包括數個返回孔或開孔324。舉例來說，此些返回孔或開孔324可為沿著表面322係分散式的，且特別是均勻地分散式的。此些分佈管332可延伸通過孔板材320，以供應氣體至表面322及基板10之間的縫隙或空間314中。由氣體供應器330供應之氣體可經由此些分佈管332流動進入縫隙或空間314中，且可接著從縫隙或空間314通過此些返回孔或開孔324且例如是經由在孔板材320之背側之一或多個出口導管342流動至氣體出口340，如第3A圖之放大區域中所示。氣體可經由此些返回孔或開孔324離開縫隙或空間314，此些返回孔或開孔324係允許產生區域的白努利效應來用於基板10之懸浮。
於一些應用中，白努利式固持件300包括一或多個保持銷316，用以保留基板10。此一或多個保持銷316可以類似或相同於例如是參照第2A及B圖說明之此一或多個基板對準裝置的方式裝配。
第3B圖繪示根據此處所述其他實施例之白努利式固持件350之示意圖。第3B圖之白努利式固持件350類似於參照第3A圖說明之白努利式固持件300，且類似或相同元件之說明係不再重複。特別是，白努利式固持件350亦使用「區域的」白努利效應於數個分離分散式的位置，以支承基板10於懸浮狀態。
白努利式固持件350可具有氣體供應器360，氣體供應器360包括一或多個氣體入口361，設置於白努利式固持件350之側邊。白努利式固持件350包括氣體分配配置370，氣體分配配置370具有面對基板10之表面372，使得氣體之流可導引於表面372與基板10之間來用以基板10之懸浮。氣體分配配置370係連接於此一或多個氣體入口361且係裝配以導引氣體進入表面372與基板10之間的縫隙或空間314。作為一例子來說，氣體分配配置370可具有一或多個導管及/或開孔，以導引氣體進入縫隙或空間314。於一些應用中，氣體分配配置370係裝配以用於均勻地分佈氣體在整個表面372。
於一些應用中，氣體分配配置370具有數個返回孔或開孔374。此些返回孔或開孔374可為沿著表面372係分散式的，且特別是均勻地分散式的。由氣體供應器360供應之氣體可流動進入縫隙或空間314，且可接著從縫隙或空間314通過此些返回孔或開孔374且例如是經由在氣體分配配置370之背側之一或多個出口導管342流動至氣體出口340，如第3B圖之放大區域中所示。氣體經由此些返回孔或開孔374離開縫隙或空間314，此些返回孔或開孔374係允許產生均勻分佈的區域的白努利效應來用於基板10之懸浮。
第4A圖繪示根據此處所述實施例之裝配以針對真空處理模組中之真空沈積製程之基板10之處理的設備200之示意圖。根據一些實施例，基板10係大面積基板。
設備200包括基板固持件210、氣體供應器230及一或多個調節裝置(未繪示)，基板固持件210裝配以支承基板10，氣體供應器230係裝配以沿著基板10之至少一基板表面導引氣體之流，此一或多個調節裝置係用以調整沿著基板表面導引之氣體的至少一物理及/或化學性質。氣體之物理及/或化學性質係針對基板10之處理選擇。於一些應用中，氣體供應器230係裝配以沿著實質上整個基板表面導引氣體之流，此基板表面例如是第一主表面及/或第二主表面。
根據一些實施例，氣體之此至少一物理及/或化學性質可選自群組，此群組包括溫度、壓力、流動速度、流動方向、濕度、氣體組成、及其之任何組合。作為一例子來說，在真空沈積製程係於基板10上執行之前及/或基板10係放置於例如是靜電吸座之基板載體上之前，氣體之物理及/或化學性質可針對基板10之預處理選擇。處理可包括基板10或基板表面之排氣及/或基板10或基板表面之清洗。特別是，設備200可提供用於基板10之控制環境，使得例如是排氣或清洗之處理可有效地執行。
此至少一基板表面可包括例如是材料層將沈積於其上之基板表面(舉例為第一主表面或前側)及/或沒有材料層將沈積於其上之此基板表面(舉例為第二主表面或後側)。沿著第一主表面流動之氣體之流係以參考編號232標註，且沿著第二主表面流動之氣體之流係以箭頭234標註。
根據一些實施例，設備200包括固持件外殼205，裝配以容納基板固持件210及基板10。氣體供應器230及氣體出口240可連接於固持件外殼205，舉例是在固持件外殼205之相對(舉例為側)邊。氣體可經由氣體供應器230進入固持件外殼205，可沿著此至少一基板表面流動通過固持件外殼205，且可經由氣體出口240離開固持件外殼205。固持件外殼205可提供實質上封閉環境予基板10，以提供改善之處理條件。於一些應用中，固持件外殼205具有裝配之至少一開孔，使得基板10可經由開孔插入固持件外殼205中，且經由開孔從固持件外殼205移除。根據一些實施例，開孔可至少在基板10之處理期間關閉，舉例是利用覆蓋件(cover)，覆蓋件例如是蓋(lid)。
於一些應用中，基板固持件210包括一或多個柱或銷212，基板10可置放於此一或多個柱或銷212上。此一或多個柱或銷212可實質上垂直延伸。作為一例子來說，此一或多個柱或銷212可裝配以支撐基板10之背側(舉例為第二主表面)。再者，此一或多個柱或銷212可裝配，使得氣體之流可沿著由此一或多個柱或銷212支撐之基板表面(舉例為第二主表面或背側)導引，如箭頭234所指示。再者，此一或多個柱或銷212可裝配，使得機器人可藉由接觸基板表面來拾取亦接觸此一或多個柱或銷212之基板10。於一些應用中，此一或多個柱或銷212可為可縮回的。當機器人係已卡合基板表面以允許從固持件外殼205例如是經由固持件外殼205中之開孔移除基板10時，此一或多個柱或銷212可縮回。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，氣體供應器230係裝配以用於提供氣體之流至固持件外殼205中，沿著基板表面導引氣體之流，且以連續或類似連續之再循環流動路徑返還(returning)氣體與夾帶之粒子及從基板10脫附(desorbed)之氣體。
於一些應用中，基板固持件210係為根據此處所述實施例之白努利式固持件。特別是，白努利式固持件可具有表面(第1A圖之表面112)，裝配以面對基板10。氣體供應器230可裝配以導引氣體之流於此表面及基板10之間來用以基板10之懸浮。
此一或多個調節裝置可選自由加熱器、烘乾機、過濾器、壓縮機、及其之任何組合所組成之群組。加熱器裝配以用於加熱氣體。烘乾機裝配以用於乾燥氣體。過濾器裝配以用於過濾氣體。壓縮機用以循環氣體。此一或多個調節裝置係更參照第1C及4B圖說明。
第4B圖繪示根據此處所述其他實施例之第4A圖之設備200之示意圖。
設備200包括此一或多個調節裝置，此一或多個調節裝置可選自由加熱器182、烘乾機184、過濾器186、壓縮機188、及其之任何組合之所組成之群組。加熱器182裝配以用於加熱氣體。烘乾機184裝配以用於乾燥氣體。過濾器186裝配以用於過濾氣體。壓縮機188用以循環氣體。此一或多個調節裝置可以類似或相同於參照第1C圖說明之此一或多個調節裝置裝配，且參照第1C圖之說明係應用於第4B圖之設備200。
特別是，乾燥、熱、及過濾之至少一者的氣體可提供而用於基板固持件210及基板10，氣體例如是氮。例如是第一主表面及第二主表面之基板10之一或多個表面可加熱及/或清洗。特別是，由具有調整之物理及/或化學性質之在固持件外殼205中的氣體所提供之環境可為熱、乾燥、乾淨、及化學惰性之至少一者，以提供用以基板10或基板表面之除氣。舉例來說，貼附於基板10之表面的濕氣可減少。
第5A及5B圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載大面積基板於具有硬導管之真空處理模組中之示意圖。設備100可如參照第1A-1C圖所說明的方式裝配。
設備100之氣體供應器包括二或多個硬導管。此二或多個硬導管之至少第一硬導管410及第二硬導管420係以旋轉接頭430彼此連接，以提供於第一硬導管410及第二硬導管420之間的流體連通。作為一例子來說，此二或多個硬導管可連接白努利式固持件110及此一或多個調節裝置，使得氣體可於白努利式固持件110及此一或多個調節裝置之間流動。提供此二或多個硬導管(相對於可彎曲導管)係減少粒子產生在舉例為潔淨室環境中，設備100係位於此潔淨室環境中。
根據一些實施例，設備100及特別是白努利式固持件110可裝配以實質上垂直及/或實質上水平移動。作為一例子來說，白努利式固持件110可如箭頭1所指示的向下移動，以放置基板10於基板支撐件20，及/或可向上移動，以從基板支撐件20拾取基板10。旋轉接頭430提供第一硬導管410相對於第二硬導管420之相對移動，使得白努利式固持件110可舉例為實質上垂直及/或實質上水平移動。
舉例為在真空沈積製程期間及/或裝載基板至真空處理模組中期間，本揭露之基板可支撐於基板支撐件20上。值得注意的是，名稱「基板支撐件」、「載體」及「基板載體」可以同意之方式使用。
於一些應用中，基板支撐件20包括靜電吸座(electrostatic chuck，E-chuck)或基板支撐件20係為靜電吸座。靜電吸座可具有支撐表面，用以支撐基板10於其上。於一實施例中，靜電吸座包括電介質主體，具有電極嵌入於其中。電介質主體可以電介質材料製造，特別是高導熱性電介質材料，例如是熱解氮化硼(pyrolytic boron nitride)、氮化鋁、氮化矽、氧化鋁(alumina)或同等材料。於一些應用中，電介質主體可以聚合物材料製成，聚合物材料例如是聚醯亞胺。電極可耦接於電源，電源提供電力至電極，以控制夾持力。夾持力係靜電力，作用於基板10上，以固定基板10於支撐表面上。
不同於開放式框架載體，靜電吸座實質上支撐基板10之整個表面，例如是第二主表面或背側。既然實質上整個表面係貼附於靜電吸座之已定義支撐表面，可避免基板10之彎曲。基板10可更穩定的支撐且製程品質可改善。
於一些應用中，基板支撐件20包括電動夾盤或壁虎夾盤(Gecko chuck，G-chuck)，或為電動夾盤或壁虎夾盤。壁虎夾盤可具有支撐表面，用以支撐基板於其上。夾持力係電動力，作用於基板10上，以固定基板10於支撐表面上。
第6A圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之真空處理之系統500之上視圖。
系統500包括真空處理模組、至少一裝載腔室及根據此處所述實施例之設備，真空處理模組裝配以用以於基板上進行真空沈積製程，此至少一裝載腔室連接於處理模組。設備可參照第1A至5B圖之任一者之說明裝配。系統500範例性繪示第一裝載腔室520及第二裝載腔室521。此至少一裝載腔室可具有腔室殼體526及門522，其中門522係裝配以關閉在腔室殼體526中之開孔524。在腔室殼體526中之開孔524可裝配，使得基板10可通過開孔524裝載進入腔室殼體526且經由開孔524從腔室殼體526卸載基板10。
根據一些實施例，門522可裝配以支撐基板10或基板支撐件20。門522可為繞著旋轉軸523可旋轉的，旋轉軸523可為實質上水平之旋轉軸。作為一例子來說，門522可為在第一或開啟位置及第二或關閉位置之間可旋轉的。在第一或開啟位置中，門522可實質上水平定向，使得基板10或基板支撐件20可放置於門522上，舉例為由門522所提供之支撐表面上。具有基板10及/或基板支撐件20位於其上之門522可接著從第一或開啟位置旋轉至第二或關閉位置，以裝載基板10或基板支撐件20至腔室殼體526中。第二或關閉位置可為門522之實質上垂直位置。基板10及/或基板支撐件20可利用門522之旋轉從水平方向移動至垂直方向，且反之亦然。
於一些應用中，系統500包括外殼550，至少圍繞裝載腔室，例如是第一裝載腔室520及第二裝載腔室521。於第6A圖中所示之例子中，具有腔室殼體526且在開啟(水平)位置中之門522的第一裝載腔室520會處於大氣壓力之狀態。具有在腔室殼體526之關閉(垂直)位置之門522的第二裝載腔室521會處於真空之狀態。
第6A圖繪示位於外殼550中之裝載腔室之示意圖，外殼550提供預定大氣條件給在真空處理系統之真空處理模組中之真空外的基板，真空處理系統可為串連處理系統。外殼550可提供成潔淨室環境。藉由使用過濾器，且過濾器應用例如是層流或紊流原則，潔淨室維持沒有粒子的空氣。再者，外殼550可提供具有定義之溫度的環境。在外殼550中，溫度可提供而具有高穩定性。
根據可與此處所述其他實施利結合之一些實施例，外殼550可為片金屬殼件或另一輕量殼件，乾燥空氣淨化係在外殼550中提供於圍繞裝載腔室之區域。外殼550不需要忍受真空及大氣之間的壓差。於一些應用中，外殼550可具有門，人員可經由此門進入外殼550。作為一例子來說，門可裝配成氣閘(airlock)。外殼550可具有用於乾燥空氣之氣體入口(未繪示)。舉例為針對基板支撐件上之基板的前端裝載及卸載來說，外殼550可使用超過濾、乾燥空氣淨化(dry-air-purge)。此舉保護裝載腔室而避免具有濕氣的污染物，提供乾淨環境給具有將處理之暴露表面的基板，及/或保護人員安全而避免移動基板及機構與任何熱源。
於一些應用中，外殼550可具有一尺寸，此尺寸最大係為設置於外殼550中之此一或多個裝載腔室之對應尺寸之三倍。此限制體積具有特定之大氣條件，大氣條件例如是乾燥空氣淨化。再者，此限制佔地面積。
真空處理模組具有真空腔室510。真空腔室510舉例為利用閘閥540連接於此至少一裝載腔室。基板可從裝載腔室經由閘閥540裝載至真空腔室510中。基板可經由閘閥540從真空腔室510卸載至裝載腔室中，且特別是經由個別基板已經裝載至真空腔室510中之相同之閘閥。
根據一些實施例，可提供用以沈積層於其中之一個單一真空腔室，例如是真空腔室510。具有數個區域之一個單一真空腔室之裝配係於舉例為用以動態沈積之串連處理系統係有利的，此些區域例如是第一區域512、第二區域518及沈積區域515，沈積區域515位於第一區域512及第二區域518之間。具有不同區域之此一個單一真空腔室不包括用於真空腔室510之一區域(舉例為第一區域512)相對於真空腔室510之另一區域(舉例為沈積區域515)之真空緊密密封的裝置。於一些應用中，其他腔室可提供而相鄰於真空腔室510，其他腔室例如是裝載腔室或其他處理腔室。真空腔室510可與相鄰腔室以閥分隔，閥例如是可具有閥殼體及閥單元之閘閥540。
於一些實施例中，藉由產生技術真空，及/或置入處理氣體於真空腔室510中的沈積區域中，真空腔室510中之大氣可獨立地控制，產生技術真空舉例為利用連接於真空腔室510之真空幫浦。根據一些實施例，處理氣體可包括惰性氣體及/或反應氣體，惰性氣體例如是氬，反應氣體例如是氧、氮、氦及氨(NH3 )、臭氧(O3 )或類似者。
系統500具有一或多個濺射沈積源於真空腔室510中，此一或多個濺射沈積源例如是一或多個雙向濺射沈積源。於一些應用中，此一或多個濺射沈積源可連接於交流(AC)電源供應器(未繪示)，使得此一或多個濺射沈積源可以交替的方式施予偏壓。然而，本揭露係不以此為限，且此一或多個濺射沈積源可裝配而用以直流(DC)濺射或AC及DC濺射之組合。
於一些應用中，系統500包括一或多個傳送路徑，此一或多個傳送路徑至少部份地延伸通過真空腔室510。作為一例子來說，第一傳送路徑可開始於第一區域512中及/或延伸通過第一區域512，且可更延伸通過沈積區域515且選擇性通過第二區域518。例如是第一傳送路徑之此一或多個傳送路徑可提供通過此一或多個濺射沈積源之基板的傳送方向3，或可由通過此一或多個濺射沈積源之基板的傳送方向3定義。
基板10可定位於對應之基板支撐件或載體上，基板支撐件或載體例如是靜電吸座。基板支撐件20可裝配以沿著此一或多個傳送路徑或傳送軌道傳送，此一或多個傳送路徑或傳送軌道係於傳送方向3中延伸。舉例為在真空沈積製程或層沈積製程期間，各基板支撐件20係裝配以支撐基板10，真空沈積製程或層沈積製程例如是濺射製程或動態濺射製程。基板支撐件20可包括板材或框架，裝配以舉例為使用由板材或框架提供之支撐表面來用以支撐基板10。基板支撐件20可選擇性包括一或多個支承裝置(未繪示)，裝配以用於支承基板10於板材或框架。此一或多個支承裝置可包括機械、靜電、電動(凡得瓦(van der Waals))、及電磁裝置之至少一者。作為一例子來說，此一或多個支承裝置可為機械及/或磁性夾。於一些應用中，基板支撐件20係為靜電吸座。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，舉例為在真空沈積製程期間及/或傳送基板10通過真空腔室510期間，基板10係為實質上垂直方向。如本揭露通篇所使用，「實質上垂直」特別是於意指基板方向時係理解為允許從垂直方向或±20°或以下，舉例為±10°或以下之偏差。舉例為因為基板支撐件或載體具有從垂直方向之一些偏差可能產生更穩定之基板位置，或面朝下之基板方向可能在沈積期間於基板上甚至較佳地減少粒子，因此可提供此偏差。然而，舉例為在層沈積製程期間，基板方向係視為實質上垂直而當作不同於水平之基板方向，水平之基板方向可視為±20°或以下之水平。
特別是，如本揭露通篇所使用之名稱，像是「垂直方向」或「垂直定向」係理解為有別於「水平方向」或「水平定向」。垂直方向可實質上平行於重力。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例。系統500係裝配以用於動態濺射沈積於基板上。動態濺射沈積製程可理解為在濺射沈積製程進行時，基板10沿著傳送方向3移動通過沈積區域515之濺射沈積製程。也就是說，基板10在濺射沈積製程期間不是靜止的。
於一些應用中，系統500係裝配以用於動態處理。系統500可特別是為串連處理系統，也就是用於動態沈積之系統，特別是例如是濺射之用於動態垂直沈積的系統。根據此處所述實施例之串連處理系統或動態沈積系統提供基板10之均勻處理，基板10舉例為大面積基板，例如是矩形玻璃板材。例如是此一或多個濺射沈積源之處理設備主要沿著一方向(舉例為垂直方向)延伸，且基板10係於第二、不同方向(舉例為傳送方向3，傳送方向3可為水平方向)移動。
用以動態真空沈積之設備或系統例如是串連處理設備或系統，具有在一方向之處理均勻係僅受限於以固定速度移動基板10且保持此一或多個濺射沈積源穩定之優點，處理均勻舉例為層均勻。串連處理設備或動態沈積設備之沈積製程係由基板10通過此一或多個濺射沈積源之移動決定。對於串連處理設備來說，沈積區域或處理區域可為用以處理舉例為大面積矩形基板之本質上線性區域。沈積區域可一區域，用以沈積於基板10上之沈積材料從此一或多個濺射沈積源射入此區域中。相較於其，對於靜態處理設備來說，沈積區域或處理區域會基本上對應於基板10之面積。
於一些應用中，相較於靜態處理系統，舉例為針對動態沈積之串連處理系統之其他差異可藉由動態串連處理系統可具有一個單一真空腔室，且此單一真空腔室具有不同區域來闡明，其中真空腔室不包括用於真空腔室之一區域相對於真空腔室之另一區域的真空緊密密封之裝置。相較於其，靜態處理系統可具有第一真空腔室及第二真空腔室，第一真空腔室及第二真空腔室可使用例如是閥來相對於彼此真空緊密密封。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統500包括磁性懸浮系統，用以支承基板支撐件20於懸吊狀態中。系統500可選擇性使用磁性驅動系統，磁性驅動系統裝配以用於在真空腔室510中例如是傳送方向3中移動或傳送基板支撐件20。磁性驅動系統可包括於磁性懸浮系統中，或可作為分開之實體。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統500可裝配成雙線(dual-line)系統。作為一例子來說，真空處理模組可包括兩個串連單元，例如是第一(上)串連單元及第二(下)串連單元，用以真空沈積。第一串連單元501及第二串連單元502可以鏡像方式結合。第一串連單元501及第二串連單元502可皆設置於相同之真空腔室中，例如是真空腔室510中。第一串連單元501及第二串連單元502共用共同之濺射沈積源，共同之濺射沈積源可為雙向濺射沈積源。用於同時沈積於基板上之共同濺射沈積源係提供較高之產量。使用在系統500之一個真空腔室510中之兩個串連單元來同時處理係減少系統500之佔地面積。特別是對於大面積基板來說，佔地面積可為用以減少系統500之所有權的成本之相關因素(relevant factor)。
串連單元例如是第一(上)串連單元及第二(下)串連單元，各串連單元包括第一區域512、沈積區域515、及選擇性之第二區域518。此些第一區域平行於彼此延伸，且此些沈積區域平行於彼此延伸，其中此一或多個濺射沈積源係設置於此些沈積區域之間。此些第二區域可平行於彼此延伸。
根據一些實施例，系統500包括此一或多個濺射沈積源，例如是一或多個第一濺射沈積源532、一或多個第二濺射沈積源534及一或多個第三濺射沈積源536。根據可與此處所述數個實施例結合之一些實施例，沈積區域可包括於可擴充(scalable)腔室區段514中。作為一例子來說，真空腔室510可從至少三個區段製造或建造。此至少三個區段可彼此連接，以形成真空腔室510。此至少三個區段的第一區段係提供第一區域。此至少三個區段的第二區段係提供可擴充腔室區段514及沈積區域，及此至少三個區段之第三區段係提供第二區域。
可擴充腔室區段514提供處理設備，舉例為此一或多個濺射沈積源。可擴充腔室區段514可提供成數種尺寸，以於可擴充腔室區段514中提供變化數量之處理設備。作為一例子來說，真空腔室510係裝配以容置可變化數量之濺射沈積源。
沈積區域515可具有二或多個沈積次區域，各具有一或多個濺射沈積源。各沈積次區域可裝配以用於個別材料之層沈積。於至少一些沈積次區域中之濺射沈積源可為不同的。第6A圖繪示具有五個濺射沈積源之可擴充腔室區段514之示意圖。第一濺射沈積源(先前意指為「一或多個第一濺射沈積源532」)可提供第一材料。第二、第三、及第四濺射沈積源(先前意指為「一或多個第二濺射沈積源534」)可提供第二材料。第五濺射沈積源(先前意指為「一或多個第三濺射沈積源536」)可提供第三材料。舉例來說，第三材料可為相同於第一材料之材料。因此，三層堆疊可提供於基板10上，基板10例如是大面積基板。舉例來說，第一及第三材料可為鉬且第二材料可為鋁。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，每個材料之濺射沈積源或陰極之數量及/或提供給個別濺射沈積源或陰極之功率可變化，以調整在個別層之間的靶厚關係。作為一例子來說，濺射沈積源之數量係根據通過濺射沈積源之將沈積於基板上之材料層的厚度選擇。因此，陰極之數量及給個別之陰極之功率可使用作為可調變數，以在相同通過速度下移動通過陰極之基板達成各層之預定厚度。作為一例子來說，當不同材料層將塗佈於基板上時(舉例來說，濺射沈積源可包括上述之鋁陰極及鉬陰極，以濺射至少兩個不同材料層)，藉由調整或依比例決定(scaling)在沈積區域或個別之沈積次區域中之陰極的數量及/或藉由改變供應至不同材料之個別陰極的功率總量，沈積之層的厚度可控制。
此二或多個沈積次區域可利用氣體分隔單元538(亦意指為「氣體分隔屏障」)彼此分隔。作為一例子來說，可提供氣體分隔單元538於用以提供不同材料於基板上之濺射沈積源之間。氣體分隔單元538可提供而用以分隔在沈積區域515中之第一處理區域及在沈積區域515中之第二處理區域，其中相較於第二處理區域，第一處理區域具有不同的環境，舉例來說，不同之處理氣體及/或不同之壓力。氣體分隔單元538可具有開孔，裝配以用以藉由開孔提供基板的通道。
於一些應用中，沈積區域515包括分隔件517，設置於此一或多個濺射沈積源及真空腔室510之腔室牆之間的腔室區域中。作為一例子來說，第一分隔件係設置於此一或多個濺射沈積源及第一串連單元501之第一腔室牆之間的腔室區域中。第二分隔件係設置於此一或多個濺射沈積源及第二串連單元502之第二腔室牆之間的腔室區域中。根據一些實施例，例如是第一分隔件及第二分隔件之分隔件517可為分隔牆，分隔牆例如是垂直牆。作為一例子來說，分隔件517可實質上平行於腔室牆及/或個別之傳送方向延伸，傳送方向例如是傳送方向3。
串連單元之分隔件517分隔腔室區域成個別之沈積區域及個別之傳送區域，其中傳送區域516係至少部份地遮蔽而避免此一或多個濺射沈積源。系統500可裝配以用於沿著第一傳送路徑通過個別之串連單元之沈積區域515之基板傳送，及沿著第二傳送路徑通過個別之串連單元之傳送區域516之基板傳送。特別是，第一傳送路徑可為向前傳送路徑。第二傳送路徑可為返回傳送路徑。
第一區域512及第二區域518可為軌道切換區域(第一區域512：軌道切換裝載/卸載；第二區域518：軌道切換返回)，裝配以用於從第一傳送路徑移動基板或基板載體至第二傳送路徑及/或反之亦然。第一區域512及第二區域518係夠長，以提供軌道切換。軌道切換區域可位在動態沈積區域之各端。此提供連續基板流(動態沈積)，而無需「抬上(run up)」及「移離(run away)」腔室區段。此串連處理系統具有較小之佔地面積。
第一串連單元501於第一區域512中可包括第一軌道切換及/或裝載-卸載區域，且第二串連單元502於第一區域512中可包括第二軌道切換及/或裝載-卸載區域。第一軌道切換及/或裝載-卸載區域及第二軌道切換及/或裝載-卸載區域可藉由第一分隔物513彼此分隔。軌道切換及/或裝載-卸載區域係提供基板移動，橫向於通過濺射沈積源之傳送方向3。此兩個軌道切換及/或裝載-卸載區域可同時利用，以改善系統500之產量。
在軌道切換及/或裝載-卸載區域中，具有基板10之基板支撐件20係於用以處理基板10之一路徑上移動，此路徑例如是第一傳送路徑。之後，一個基板接著另一個基板係移動通過處理設備，舉例為濺射沈積源。因此，基板係於真空腔室之沈積區域515中處理，舉例為可擴充腔室區段514。
第二區域518提供軌道返回區域，例如是第一串連單元501之第一軌道切換返回區域及第二串連單元502之第二軌道切換返回區域。第一軌道切換返回區域及第二軌道切換返回區域可由第二分隔物519分開。軌道切換返回區域提供一移動，橫向於通過濺射沈積源之傳送方向3。因此，具有基板10之基板支撐件20可返回到第一區域512且選擇性回到與濺射沈積源相距一距離之裝載腔室，此距離於處理期間不同於(也就是大於)至濺射沈積源之距離。
第6B圖繪示根據此處所述實施例之在外殼550中之第6A圖之裝載腔室的上視圖。
設備100之白努利式固持件110可包括此一或多個安全保持器160。此一或多個安全保持器160可如在第6B圖之下區段中於基板10的下方移動，此移動舉例為旋轉。特別是，此一或多個安全保持器160係如所示之剛好在基板10於門522上拾取/放置動作(如箭頭5所指示)之前旋轉約90°。如第6B圖中所示之此一或多個安全保持器160會如第1C圖中所示之位在基板10之下方，且如第6B圖中所示之位於基板10之上方，以更佳的了解。
第7圖繪示根據此處所述實施例之在外殼550中之第6A圖之裝載腔室的側視圖。
設備100可包括此二或多個硬導管，例如是第一硬導管410及第二硬導管420，以旋轉接頭430彼此連接。設備100之白努利式固持件可裝配以實質上垂直移動。作為一例子來說，白努利式固持件可向下移動以放置基板10在門522上之基板支撐件20上，及/或可向上移動以從門522上之基板支撐件20拾取基板10。旋轉接頭430係提供第一硬導管410及第二硬導管420之間的相對移動，使得白努利式固持件可移動，舉例為實質上垂直地移動。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，基板載體或基板支撐件係於真空處理系統中利用磁性懸浮系統支撐。磁性懸浮系統包括第一磁鐵720，第一磁鐵720支撐基板載體或基板支撐件20於懸掛位置中而沒有機械式接觸。磁性懸浮系統提供基板載體之懸浮，也就是無接觸支撐。因此，因基板載體在系統中移動而用以動態沈積所產生的粒子可減少或避免。磁性懸浮系統包括第一磁鐵720，第一磁鐵720提供一力至基板載體之頂部，此力實質上等同於重力。也就是說，基板載體係無接觸懸掛於第一磁鐵720之下方。
再者，磁性懸浮系統可包括第二磁鐵710，第二磁鐵710提供而用以沿著基板載體之傳送方向平移移動。基板支撐件20可藉由第一磁鐵720不接觸地支撐於裝載腔室及/或真空處理系統中，且利用第二磁鐵710於裝載腔室及/或真空處理系統中移動。
第8A-8F圖繪示根據此處所述實施例之基板10利用設備之白努利式固持件110進入第6A圖之系統500的裝載腔室中之裝載程序的示意圖。本揭露之裝載腔室可為結合之擺動模組及裝載腔室。
白努利式固持件110可使用而用以裝載例如是大面積基板之基板10於基板支撐表面上及/或用以從基板支撐表面卸載大面積基板。基板支撐表面可由裝載腔室之門522提供，或可由位於門522上之基板支撐件20提供，基板支撐件20例如是靜電吸座。作為一例子來說，基板支撐表面可為使用以支承及傳送基板通過真空處理腔室之基板載體。特別是，基板支撐件20可為靜電吸座，或可具有貼附於基板支撐件20之表面的靜電吸座，此靜電吸座可使用以支承基板於基板支撐件20。白努利式固持件110可使用以放置基板10於門522上，其中門522係接著從第一方向(舉例為水平方向)繞著舉例為水平旋轉軸之旋轉軸523旋轉至第二方向(舉例為垂直方向)，以裝載基板10至裝載腔室中。特別是，門522之旋轉可從水平方向移動基板10及/或基板支撐件20至垂直方向。於一些應用中，白努利式固持件110係在門522之開啟位置中配置於裝載腔室之門522之上方。
於動態沈積系統中裝載/卸載基板之方法可包括至少裝載及支承基板10於白努利式固持件110中，於根據此處所述實施例之白努利式固持件110中處理或預處理基板10，及在處理之後，在裝載腔室裝載基板10於舉例為門522上或位於門522上之基板支撐件20上。
在基板交換程序中的裝載及/或卸載可使用白努利式固持件110。當於處理前提供而用於預加熱/除氣各基板時，此讓將裝載至系統中/將從系統中卸載之基板藉由單一工廠自動機器人以例如是60 sph之速度進行。
於一些應用中，白努利式固持件110可移動至等待位置中，用以進行基板之處理。作為一例子來說，等待位置位於門522之上方，門522係裝配以作為可旋轉支座。
在第8A圖中，機器人810例如是前端(FE)或前端機器人，機器人810舉例從繪示於基板支撐件20之上方的升舉銷移除已塗佈基板10’。白努利式固持件110支撐預處理之另一基板10。基板10利用位於等待位置中的白努利式固持件110預處理，等待位置舉例為在門522之上方。舉例來說，基板10係利用白努利式固持件110以加熱氣體進行加熱。基板10可額外地或選擇性利用白努利式固持件110以例如是氮之乾淨、乾燥及化學惰性氣體進行清洗。在其他裝載及/或卸載程序發生，舉例為如第8A圖中所示之已塗佈基板10’利用機器人810移除時，基板10係於等待時間在外殼550中預處理(加熱及/或清洗等)。
藉由降低白努利式固持件110，繪示於第8A圖中之白努利式固持件110中之預處理的基板係移動至基板支撐件20上，預處理例如是預熱。在第8B圖中所示之例子中，基板10係提供於基板支撐件20之上方的升舉銷上 。
為了移動白努利式固持件110，用於白努利式固持件110之氣體供應器130可亦移動。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，提供於白努利式固持件110之例如是氮之氣體係經由此二或多個硬導管提供。此二或多個硬導管可加熱。再者，此二或多個硬導管可彼此連接，以利用旋轉接頭提供流體連通。相較於其他可彎曲氣體供應導管，此二或多個硬導管減少粒子的產生。
在第8C圖中，預處理之基板10已經定位於升舉銷上，且機器人810移動新的、未處理基板10’’至外殼550中，基板10’’由白努利式固持件110所拾取。白努利式固持件110支撐未處理基板10’’ (在氣墊上，也就是未接觸地)且向上移動至第8D圖中所示之等待位置，當其他裝載及/或卸載程序發生時，未處理基板10’’係進行預處理，預處理舉例為加熱。
在第8E圖中，預處理之基板10係降低至基板支撐件20上。此可例如是藉由收回升舉銷提供，使得基板10係放置於基板支撐件20上。基板10可對準及/或可電子夾持(electronically chucked)於基板支撐件20，基板支撐件20可為靜電吸座。
如第8F圖中所示，裝載腔室之門522以可旋轉移動來關閉。藉由關閉裝載腔室之門522，固定於基板支撐件20上之基板10係從第一方向移動至第二方向，以於第二方向中進行處理，第一方向例如是本質上水平，第二方向例如是本質上垂直。移動包括繞著旋轉軸523旋轉，旋轉軸523可為實質上水平。
白努利式固持件110或加熱器係提供用以預熱或除氣基板之裝置，特別是在基板進入真空系統之前吸收水。當白努利式固持件110係位於等待位置中時，基板可預處理，預處理舉例為預熱，見例如是第8D、8E、及8F圖。白努利式固持件110提供良好控制、乾淨、乾燥、化學惰性環境給將處理之基板的表面，層係將塗佈於將處理之基板之此表面上。如第8A至8F圖中所示，此可在基板正在除氣且等待進行處理時提供。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，白努利式固持件110係裝配，以用以傳送及直接從另一裝置拾取基板/直接放置基板至另一裝置上，而無需任何特別之裝置或支座之位置，支座例如是升舉銷。雖然升舉銷係繪示於第8A至8F圖中，當利用白努利式固持件110時，排列於基板之背側上的升舉銷可不提供。
第9圖繪示根據此處所述實施例之方法900之流程圖，例如是用以裝載大面積基板至真空處理模組中之方法或用以針對真空處理模組中之真空沈積製程的基板之處理的方法。方法900可利用根據此處所述實施例之設備及系統。
根據此處所述之實施例之用以裝載大面積基板至真空處理模組中之方法900可包括利用白努利式固持件支承基板(方塊910)，且利用白努利式固持件裝載基板至設置於裝載腔室之基板載體上，裝載腔室連接於真空處理模組(方塊920)。基板可為大面積基板。
根據一些實施例，方法900更包括裝載具有基板定位於其上之基板載體於裝載腔室中。作為一例子來說，在具有基板定位於其上之基板載體裝載至裝載腔室中之前，基板係裝載於基板載體上。在其他實施例中，基板係裝載於已經位於裝載腔室內之基板載體上。基板載體可為靜電吸座，可固定於由裝載腔室所提供之支撐表面，例如是參照第6A圖之可旋轉之門。
於一些應用中，方法900更包括當利用白努利式固持件支承基板時，經由白努利式固持件之氣體供應器沿著基板之表面導引氣體之流(方塊930)，且當導引氣體之流時，利用氣體之流處理基板，其中氣體之至少一物理及/或化學性質係針對基板之處理選擇(方塊940)。
根據本揭露之其他實施例，用以處理針對真空處理模組中之真空沈積製程之基板之處理的方法包括利用基板固持件支承基板，基板固持件裝配以於真空處理模組之裝載腔室裝載基板。作為一例子來說，基板固持件裝配而用以在裝載站或裝載腔室之位置裝載基板於例如是基板載體上。此方法更包括當利用基板固持件支承基板時，經由氣體供應器沿著基板之表面導引氣體之流；當導引氣體之流時，利用氣體之流處理基板，及利用基板固持件裝載基板至裝載腔室內或上。氣體之至少一物理及/或化學性質係針對基板之處理選擇。
根據一些實施例，方法更包括裝載具有基板定位於其上之基板載體至裝載腔室中。作為一例子來說，在處理之後，在具有基板定位於其上之基板載體裝載至裝載腔室中之前，基板係裝載於基板載體上。於其他實施例中，基板係裝載於已經在裝載腔室內的基板載體上。
根據一些實施例，基板之處理包括加熱基板及除氣基板之至少一者。此處理可更包括提供乾淨、乾燥、及化學惰性環境之至少一者給基板之表面。
於一些應用中，基板之支承包括產生壓力於基板之表面的上方來用以基板之懸浮，壓力例如是減少之壓力或低於壓力。特別是，基板固持件可為此處所述之白努利式固持件。
根據此處所述之數個實施例，用以裝載基板至真空處理模組中之方法且用以針對在真空處理模組中之真空沈積製程的基板之處理之方法可使用電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關之控制器進行處理，相關之控制器可具有中央處理器(CPU)、記憶體、使用者介面、及輸入及輸出裝置，與根據此處所述實施例之系統及設備之對應元件通訊。
本揭露提供至少一些下述之方面及優點。本揭露之數個實施例係以控制之方式導引氣體之流跨越基板之至少一表面，基板例如是大面積基板。氣體之流可使用於處理基板及支承基板於懸浮狀態之至少一者，處理基板舉例為在基板裝載於真空處理模組中之前。特別是，氣體之流可使用於基板之排氣及/或用以移除來自基板之表面的外來粒子，材料層係將沈積於基板之此表面上。作為一例子來說，在基板放在基板載體上之前，基板之排氣可使用氣體之流執行，基板載體例如是靜電吸座。已沈積層之品質可改善，品質例如是純度及/或同質性。再者，氣體之流可使用以在基板之上方產生壓力，使得基板懸浮。特別是，氣體之流可同時提供兩個功能，也就是用於基板之支承功能及處理或預處理功能。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1、5、234‧‧‧箭頭 3‧‧‧傳送方向 10‧‧‧基板 10’‧‧‧已塗佈基板 10’’‧‧‧未處理基板 11‧‧‧主表面 20‧‧‧基板支撐件 100、200‧‧‧設備 110、300、350‧‧‧白努利式固持件 112、322、372‧‧‧表面 114、314‧‧‧縫隙或空間 116‧‧‧基板對準裝置 130、230、330、360‧‧‧氣體供應器 131‧‧‧第一導管 132‧‧‧氣體分佈板 133‧‧‧分佈空間 134、232‧‧‧氣體之流 140、240、340‧‧‧氣體出口 141‧‧‧出口 142‧‧‧第二導管 150‧‧‧輔助基板支撐件 152‧‧‧支撐元件 154‧‧‧氣體之另一流 156‧‧‧殼體 160‧‧‧安全保持器 162‧‧‧接觸元件 180‧‧‧調節裝置 182‧‧‧加熱器 184‧‧‧烘乾機 186‧‧‧過濾器 188‧‧‧壓縮機 205‧‧‧固持件外殼 210‧‧‧基板固持件 212‧‧‧柱或銷 316‧‧‧保持銷 320‧‧‧孔板材 324、374‧‧‧返回孔或開孔 331‧‧‧主供應管 332‧‧‧分佈管 342‧‧‧出口導管 361‧‧‧氣體入口 370‧‧‧氣體分配配置 410‧‧‧第一硬導管 420‧‧‧第二硬導管 430‧‧‧旋轉接頭 500‧‧‧系統 501‧‧‧第一串連單元 502‧‧‧第二串連單元 510‧‧‧真空腔室 512‧‧‧第一區域 513‧‧‧第一分隔物 514‧‧‧可擴充腔室區段 515‧‧‧沈積區域 516‧‧‧傳送區域 517‧‧‧分隔件 518‧‧‧第二區域 519‧‧‧第二分隔物 520‧‧‧第一裝載腔室 521‧‧‧第二裝載腔室 522‧‧‧門 523‧‧‧旋轉軸 524‧‧‧開孔 526‧‧‧腔室 532‧‧‧第一濺射沈積源 534‧‧‧第二濺射沈積源 536‧‧‧第三濺射沈積源 538‧‧‧氣體分隔單元 540‧‧‧閘閥 550‧‧‧外殼 710‧‧‧第二磁鐵 720‧‧‧第一磁鐵 810‧‧‧機器人 900‧‧‧方法 910、920、930、940‧‧‧方塊
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下文中： 第1A圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載基板至真空處理模組中之設備之示意圖； 第1B圖繪示根據此處所述其他實施例之用以裝載基板至真空處理模組中之設備之示意圖； 第1C圖繪示根據此處所述再其他實施例之用以裝載基板至真空處理模組中之設備之示意圖； 第2A-2D圖繪示根據此處所述實施例之在白努利式固持件中基板對準之示意圖； 第3A圖繪示根據此處所述實施例之白努利式固持件之示意圖； 第3B圖繪示根據此處所述其他實施例之白努利式固持件之示意圖； 第4A圖繪示根據此處所述實施例之裝配以針對真空處理模組中之真空沈積製程之基板之處理的設備之示意圖； 第4B圖繪示根據此處所述其他實施例之裝配以針對真空處理模組中之真空沈積製程之基板之處理的設備之示意圖； 第5A及5B圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載基板至具有硬導管之真空處理模組中之設備的示意圖； 第6A圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之真空處理的系統之上視圖； 第6B圖繪示根據此處所述實施例之在外殼中之裝載腔室之上視圖； 第7圖繪示根據此處所述實施例之在外殼中之裝載腔室之側視圖； 第8A-8F圖繪示根據此處所述實施例之基板進入用於真空處理之系統的裝載腔室中之裝載程序之示意圖；以及 第9圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載基板至真空處理模組中及/或針對在真空處理模組中之真空沈積製程之基板之處理的方法之流程圖。
10‧‧‧基板
11‧‧‧主表面
100‧‧‧設備
110‧‧‧白努利式固持件
112‧‧‧表面
114‧‧‧縫隙或空間
130‧‧‧氣體供應器
131‧‧‧第一導管
132‧‧‧氣體分佈板
133‧‧‧分佈空間
134‧‧‧氣體之流
140‧‧‧氣體出口
141‧‧‧出口
142‧‧‧第二導管

Claims (19)

  1. 一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之設備，包括： 一白努利式固持件，具有一表面，該表面裝配以面對該基板；以及 一氣體供應器，裝配以於該表面及該基板之間導引一氣體之一流，其中該白努利式固持件係裝配以提供一壓力於該基板及該表面之間來用於該基板之懸浮，且其中該基板係為一大面積基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包括一或多個調節裝置，用以調整於該表面及該基板之間導引的該氣體之至少一物理或化學性質，其中該氣體之該至少一物理或化學性質係針對該基板之一處理選擇。
  3. 一種用以針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板的處理的設備，該設備包括： 一基板固持件，裝配以支承該基板； 一氣體供應器，裝配以沿著該基板之一基板表面導引一氣體之一流；以及 一或多個調節裝置，用以調整沿著該基板表面導引之該氣體之至少一物理或化學性質，其中該氣體之該至少一物理或化學性質係針對該基板之該處理選擇。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該基板固持件 係為一白努利式固持件，具有一表面，該表面係裝配以面對該基板，及其中該氣體供應器係裝配以導引在該表面及該基板之間的該氣體之該流來用於該基板之懸浮。
  5. 如申請專利範圍第2至4項之任一項所述之設備，其中該一或多個調節裝置係選自由一加熱器、一烘乾機、一過濾器、一壓縮器、及其之任何組合所組成之群組，該加熱器裝配以用以加熱該氣體，該乾燥機裝配以用以乾燥該氣體，該過濾器用以過濾該氣體。
  6. 如申請專利範圍第2至4項之任一項所述之設備，其中該白努利式固持件包括一或多個安全保持器，裝配以定位於該基板之下方，其中一縫隙係提供於該基板及該一或多個安全保持器之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該一或多個安全保持器係裝配以相對於該基板可旋轉。
  8. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該氣體供應器包括二或多個硬導管，且其中該二或多個硬導管之至少一第一硬導管及一第二硬導管係以一旋轉接頭彼此連接，以提供該第一硬導管及該第二硬導管之間的流體連通。
  9. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，更包括一或多個基板對準裝置。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該一或多個基板對準裝置包括一或多個可移動基板對準裝置及一或多個固定基板對準裝置之至少一者。
  11. 一種用於一基板之真空處理之系統，包括： 一處理模組，裝配以用於在該基板上之一真空沈積製程； 至少一裝載腔室，連接於該處理模組；以及 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之該設備。
  12. 一種用以裝載一基板至一真空處理模組中之方法，包括： 利用一白努利式固持件支承該基板，其中該基板係一大面積基板；以及 利用該白努利式固持件裝載該基板至一基板載體上，該基板載體提供於一裝載腔室，該裝載腔室連接於該真空處理模組。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包括： 裝載具有該基板位於其上之該基板載體至該裝載腔室中。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包括： 當利用該白努利式固持件支承該基板時，經由該白努利式固持件之一氣體供應器沿著該基板之一表面導引一氣體之一流；以及 當導引該氣體之該流時，利用該氣體之該流處理該大面積基板，其中該氣體之至少一性質係針對該基板之該處理選擇。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，更包括： 當利用該白努利式固持件支承該基板時，經由該白努利式固持件之一氣體供應器沿著該基板之一表面導引一氣體之一流；以及 當導引該氣體之該流時，利用該氣體之該流處理該大面積基板，其中該氣體之至少一性質係針對該基板之該處理選擇。
  16. 一種用以針對一真空處理模組中之一真空沈積製程之一基板之處理的方法，該方法包括： 利用一基板固持件支承該基板，該基板固持件係裝配以用於裝載該基板於該真空處理模組之一裝載腔室； 當利用該基板固持件支承該基板時，經由一氣體供應器沿著該基板之一表面導引一氣體之一流； 當導引該氣體之該流時，利用該氣體之該流處理該基板，其中該氣體之至少一物理或化學性質係針對該基板之該處理選擇；以及 利用該基板固持件裝載該基板於一基板載體上，該基板載體係提供於該裝載腔室。
  17. 如申請專利範圍第14至16項之任一項所述之方法，其中該基板之該處理包括該基板之一加熱及該基板之一除氣之至少一者。
  18. 如申請專利範圍第14至17項之任一項所述之方法，其中該基板之該處理更包括提供一乾淨、乾燥、及化學惰性環境之至少一者給至少該基板之該表面。
  19. 如申請專利範圍第12至18項之任一項所述之方法，其中該基板之該支承包括於該基板之一表面的上方產生一壓力，用以該基板之懸浮。
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