TW201906009A - 成膜裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種成膜裝置，包括：容器，其內部能容置基板；能將所述容器內部排氣至真空狀態的排氣機構；儲藏溶液的儲藏機構；能將所述溶液排出至所述基板上的噴嘴；加熱機構，其能對所述噴嘴和/或所述容器內部加熱。本發明提供的成膜裝置能夠減少或消除基板在成膜過程中形成的液跡。

Description

成膜裝置

本發明涉及薄膜形成領域，尤其涉及一種成膜裝置。

已知使用塗佈法，浸漬法等濕式法作為在基板的表面上形成薄膜、例如有機膜、無機膜的成膜方法。例如，專利文獻1中提出了一種成膜方法，其中，在大氣中，在玻璃、塑膠等基板的表面上，刻出深10~400nm的刻痕(劃痕)，使其具有規定方向的條紋狀的精細凹凸面，之後通過塗佈按規定組成製作的塗佈液(稀釋溶液)並使其乾燥，從而在所述精細凹凸面上形成規定組成的防汙膜(有機膜)。此外，專利文獻2中提出了一種成膜方法，其中，將氧化鈦粒子混合於水中形成懸浮液，進一步調整為特定的pH後，將上述懸浮液塗佈在支撐體上並使其乾燥，由此形成無機氧化鈦膜(無機膜)。

濕式法中所用的塗佈液、懸浮液使用的是溶質濃度低的稀溶液。因此，加熱乾燥後得到的膜的密度低，隨之存在形成的膜的功能容易消失的問題。例如，在用濕式法塗佈的防汙膜中，最表面上形成的膜容易由於擦拭而被刮掉，其防油性有時消失。

與此相對，也考慮使用真空蒸鍍法(乾式法)在基板 上形成薄膜的成膜方法，使用該方法的情況下，成膜時需要形成高真空條件，需要高價的真空排氣系統。其結果是難以實現低成本下的成膜。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開平9-309745號公報

專利文獻2：日本特開平6-293519號公報

為解決上述問題，中國專利申請“2015800002404”提出了一種薄膜的成膜方法和成膜裝置，此薄膜的成膜方法和成膜裝置將含有2種以上材料的溶液在基於構成該溶液的各材料的蒸汽壓而設定的壓力的氣氛下排出至基板上形成薄膜，不僅可以提高薄膜的耐久性，還可以降低製作成本。在該專利申請中，溶液中的成膜材料會在噴嘴作用下排出至基板上形成薄膜，而溶液中的其他材料會在進入容器內時迅速氣化，從而與成膜材料分開，不參與形成薄膜，進而形成具有較佳耐久性的薄膜。

但是，在成膜後收取基板時發現基板上會存在如第2圖所示的液跡200，對形成薄膜的基板形成污染，為清除此液跡200，需要通過人工或機械進行擦除，這不僅提高了製造成本，也降低了生產效率，有時，還會影響成膜品質。

根據上述問題，發明人經過多次試驗以及分析研究發現，溶液中的其他材料會在進入容器內時迅速氣化，這雖然保證了薄膜可以單純由成膜材料形成，而不會摻入雜質，但是，其他材料在氣化過程中會吸收大量的熱量，使得氣化位置 周圍的氣溫較低，導致部分液體在此氣溫較低位置凝結，最後在容器內形成液滴滴落在基板上形成液跡200。

考慮到大部分的材料剛進入容器就發生氣化，故所述氣化現象會在噴嘴附近進行，致使噴嘴及其周圍的溫度較低，從而部分液體會逐漸在噴嘴及附近凝結，最後形成液滴滴落在基板上形成液跡200。

鑒於以上技術問題，本發明有必要提供一種成膜裝置，以能夠減少或消除基板在成膜過程中形成的液跡。

本發明採用以下技術方案實現上述發明目的：一種成膜裝置，包括：容器，其內部能容置基板；能將所述容器內部排氣至真空狀態的排氣機構；儲藏溶液的儲藏機構；能將所述溶液排出至所述基板上的噴嘴；加熱機構，其能對所述噴嘴和/或所述容器內部加熱。

作為一種優選的實施方式，所述加熱機構設置於所述容器內。

作為一種優選的實施方式，所述加熱機構靠近所述噴嘴設置。

作為一種優選的實施方式，所述加熱機構包括電阻絲。

作為一種優選的實施方式，還包括溫度測量機構，其能夠測量所述噴嘴或所述容器內部的溫度。

作為一種優選的實施方式，所述溫度測量機構位於所述容器內部且設置於所述噴嘴上。

作為一種優選的實施方式，還包括與加熱機構連 接的溫度調節機構，其能夠調節所述加熱機構所提供的加熱溫度大小。

作為一種優選的實施方式，還包括與加熱機構連接的控制器，所述控制器能夠在所述噴嘴開始噴液前控制所述加熱機構加熱至第一設定溫度以及在所述噴嘴開始噴液後控制所述加熱機構加熱至第二設定溫度。

作為一種優選的實施方式，所述第二設定溫度高於所述第一設定溫度。

作為一種優選的實施方式，所述加熱機構的加熱溫度為在常溫常壓下所述溶液中溶劑沸點±100℃。

在本發明中，加熱機構能對噴嘴和/或容器內部加熱，彌補因非成膜材料氣化而帶來的熱量損失，防止因容器內氣溫降低而發生凝結液滴滴落在基板上產生液跡的問題。

參照後文的說明和圖示，詳細公開了本發明的特定實施方式，指明了本發明的原理可以被採用的方式。應該理解，本發明的實施方式在範圍上並不因而受到限制。在所附申請專利範圍的精神和條款的範圍內，本發明的實施方式包括許多改變、修改和等同。

針對一種實施方式描述和/或示出的特徵可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特徵相組合，或替代其它實施方式中的特徵。

應該強調，術語“包括/包含”在本文使用時指特徵、整件、步驟或元件的存在，但並不排除一個或更多個其它特徵、整件、步驟或元件的存在或附加。

1‧‧‧成膜裝置

10‧‧‧加熱機構

11‧‧‧容器

13‧‧‧管道

14‧‧‧溫度測量機構

15‧‧‧排氣機構

16‧‧‧控制器

17‧‧‧噴嘴

18‧‧‧壓力檢測單元

19‧‧‧排出部

21‧‧‧儲藏溶液

23‧‧‧儲藏機構

25‧‧‧輸液管

27‧‧‧輸氣管

29‧‧‧氣體供給源

31‧‧‧基板支架

33‧‧‧輥

100‧‧‧基板

200‧‧‧液跡

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的圖示作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的圖示僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些圖示獲得其他的圖示。

第1圖是本發明一種實施方式提供的成膜裝置結構示意圖。

第2圖是現有技術成膜裝置成膜後的基板圖片。

第3圖是採用本發明成膜裝置成膜後的基板圖片。

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明中的技術方案，下面將結合本發明實施例中的圖示，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬於本發明保護的範圍。

需要說明的是，當元件被稱為“設置於”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水準的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，並不表示是唯一的實施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在於限制本發明。本文所使用的術語“和/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

請參閱第1圖，為本發明一種實施方式提供的一種成膜裝置1結構示意圖。在本實施方式中，該成膜裝置1包括：容器11，其內部能容置基板100；能將所述容器11內部排氣至真空狀態的排氣機構15；儲藏溶液21的儲藏機構23；能將所述溶液21排出至所述基板100上的噴嘴17；加熱機構10，其能對所述噴嘴17和/或所述容器11內部加熱。

在本實施方式中，容器11具有容置作為成膜對象的基板100的真空腔室，從而為薄膜的形成提供真空環境。在本實施方式中，此容器11可以為大致長方體狀的中空體，但本發明並不限於該形狀，相應的，真空腔室的形狀可以與容器11的相匹配，以提供較佳的成膜空間。當然，在本發明中真空腔室的形狀也並不局限於該點。

在本實施方式中，容器11上可以設置有與其內部(真空腔室)相通的排氣機構15，排氣機構15通過抽吸將容器11內的氣體吸出，從而維持容器11內的氣壓在所需值。

具體的，排氣機構15可以為真空泵15。容器11的側壁下端附近可以設置有排氣用的排氣口(未圖示)。該排氣口可以連接管道13的一端，此管道13的另一端連接真空泵15。

對於真空泵15，在本實施方式中只要為能夠製造大氣壓到中真空(0.1Pa~100Pa)程度的真空狀態的泵即可，例如旋轉泵(油旋轉真空泵)等。雖然渦輪分子泵(TMP)、油擴散泵等能夠製造高真空(小於0.1Pa)的真空狀態，但是沒有必要使用引入成本高的泵。所以，在本實施方式中能夠使裝置成本便宜。

根據來自控制器16(控制單元)的指令運轉真空泵15，通過管道使得容器11內的真空度(壓力)下降。容器11設置有檢測容器11內壓力的壓力檢測單元18(例如為壓力計等)。通過壓力檢測單元18檢測的容器11內壓力的資訊，逐次輸出至控制器16。通過控制器16判斷容器11內壓力達到規定值時，向氣體供給源29(見後文)發送運轉指令。

需要說明的是，例如，在自動壓力控制器(Auto Pressure Controller：APC)等壓力控制部(圖示省略)的監視下，通過品質流量控制器(Mass Flow Controller：MFC)等流量調整部(圖示省略)將氬氣等氣體導入容器內，由此也能控制容器11內的壓力。此外，還可以採用在連接容器11的排氣口和泵的管道的管路上設置有閥門(圖示省略)的構成，通過在泵運轉的狀態調節此閥門的開度來控制容器11內的壓力。

在本實施方式中，作為排出溶液21部件的噴嘴17可以設置於容器11的頂部，從而從上向下進行噴灑溶液21。當然，噴嘴17的設置位置並不固定，只需將噴嘴17設置成可以將溶液21朝下(垂直朝下或傾斜朝下)排出即可。

具體而言，在容器11的內部的上方朝下插入噴嘴 17的一端，噴嘴17的另一端可以露出於容器11外部。存在於容器11內部的噴嘴17的一端具有排出部19。需要說明的是，插入容器11內的噴嘴17的數量(根數)沒有限定。根據容器11的大小，單個容器11內有時也使用兩個以上的噴嘴17。

在本實施方式中，將噴嘴17的延伸方向作為中心軸時，相對於此中心軸，可以將排出部19構成為能夠將成膜劑溶液21以例如30度以上80度以下的角度θ呈全錐狀或扇形狀噴霧。由排出部19排出例如數百μm尺寸的溶液21狀粒子。

在本實施方式中，噴嘴17與儲藏機構23通過輸液管25相連接。其中，儲藏機構23為一存儲成膜劑溶液21的容器11，其能將溶液21供給至噴嘴17處，由噴嘴17噴灑作業。

如第1圖所示，露出於容器11外部的噴嘴17的另一端連接輸液管25的一端，所述輸液管25的另一端插入密閉收容成膜劑溶液21的儲藏機構23內部。輸液管25上可以設有進行通斷控制的閥門。在閥門打開時，(成膜劑)溶液21通過輸液管25從儲藏機構23輸送排出，然後從噴嘴17的排出部19向容器11內部下方排出。

在本實施例中，儲藏機構23內通過輸入氣體不斷加壓將其內部的溶液21由輸液管排出。如第1圖所示，儲藏機構23(也可以稱為儲藏容器)中分別伸入有輸氣管27及輸液管25，輸液管25伸入的埠位於溶液21的液面以下，輸氣管27伸入的埠位於溶液21的液面上方。

輸氣管27的另一端可以連接氣體供給源29。氣體供給源29根據來自控制器16的指令運轉，向儲藏機構23內供給 氣體來下壓推動儲藏機構23的液面。由此，在實施方式中，氣體供給源29通過輸氣管27向儲藏機構23中輸入氣體以施壓於儲藏機構23的液面，從而成膜劑溶液21被壓送至輸液管25內。需要說明的是，在本發明中，不限於通過這樣的加壓輸出溶液21的方式。

在本實施方式中，作為成膜物件的基板100可以與噴嘴17的位置相適應，其可以位於噴嘴17的下方，也可以位於噴嘴17的相對的一側。在本實施方式中，噴嘴17與基板100在容器11中的位置相互適應，以噴嘴17噴出的成膜材料能在基板100上成膜即可。當然，作為優選的或常用的，噴嘴17位於容器11的頂部，基板100位於容器11的底部。在本實施方式中，成膜裝置1也可以具備搬運基板100的搬運機構的自動化(in line)方式，從而採用自動化方式進行成膜，提高生產效率。

具體而言，在容器11的內部下方可以配置有保持作為成膜物件的基板100的基板支架31。在本實施方式中，以兩個以上的輥33，33，…等構成的搬運機構支持基板支架31，通過搬運機構的運轉，基板支架31可在容器11內移動。需要說明的是，除直線的移動(本實施方式)之外，此處的移動還包括旋轉。旋轉的情況下，例如只要將基板支架31以轉盤形式等構成即可。基板支架31的內表面具有凹狀的基板100保持面，成膜時，使作為成膜對象的基板100(無論單個或兩個以上)的背面抵接於此，由此保持基板100。

在本發明中，排出部19和基板100之間的距離D只要為從排出部19以液體狀排出的成膜劑溶液21能夠以液體形 式到達基板100的距離即可，對其沒有特別限定。這是因為，成膜劑溶液21能夠從排出部19到達基板100的距離會因排出部19的朝向、從排出部19排出時的成膜劑溶液21的初速度、成膜劑溶液21中所含有的非成膜材料的常溫下的蒸汽壓(P2)等各種原因而發生變化。

在成膜劑溶液21的排出方向朝下的本實施方式中，通過調整排出部19和基板支架31的配置使距離D為300mm以下程度，容易使得到的薄膜達到充分的膜強度，且容易使其耐久性水準提高。

在成膜劑溶液21的排出方向朝下的本實施方式中，通過配置排出部19，使其到基板100的距離D為150mm以上，可以確保成膜劑溶液21的充分的有效排出域，有利於抑制成膜劑溶液21的無用消耗，其結果可以更有利於成膜的低成本化。

需要說明的是，成膜劑溶液21的排出方向朝下的本實施方式的情況下，距離D過遠時，在排出過程中引起成膜劑溶液21的稀釋劑(溶劑)的揮發，到達基板100後的平整變得難以發生，由此膜分佈變得不均勻，膜性能有時也下降。距離D過近時，對應於此，有效排出域變得狹窄，因此成膜劑溶液21的無用消耗變多，此外有時也產生膜斑點。

控制器16首先是具備容器11內壓力控制功能，使真空泵15和壓力檢測單元18運轉，將容器11內部的真空度(即，成膜開始時壓力)調整為適當的狀態。與此同時，其還具備液面加壓壓力控制功能，對從氣體供給源29供給至儲藏機構 23內的液面的氣體所施加的壓力進行調整。需要說明的是，控制器16還具備對以兩個以上的輥33等構成的搬運機構的運轉、停止進行控制的功能。

在本實施方式中，加熱機構10能對噴嘴17和/或容器11內部加熱，彌補因非成膜材料氣化而帶來的熱量損失，防止因容器11內氣溫降低而發生凝結液滴滴落在基板100上產生液跡200的問題。

考慮到氣化在容器11內部進行，從而降低容器11內部的溫度，即使容器11內某一區域溫度下降幅度較大，而該區域也會從附近區域吸收熱量，從而可能影響整個容器11內部的溫度。基於此考慮，加熱機構10可以對容器11內部加熱，此時，加熱機構10可以對容器11的內部整體加熱，也可以對容器11內部的某一區域進行加熱，本實施方式並不作特別地限制。但作為優選的，加熱機構10對容器11內部靠近噴嘴17的區域加熱作為本發明優選的方案。

加熱機構10通過對容器11內部(真空腔室)加熱，從而向容器11內部輸入熱量，該熱量可以彌補由於材料氣化而損失的熱量，從而減少凝結形成的液滴量，消除基板100上的液跡200。

考慮到大量溶液21在噴嘴17(的排出部19)噴出時進行氣化，從而使得噴嘴17附近區域及噴嘴17的溫度下降幅度較大，溶液21在排出時容易在噴嘴17附近區域進行凝結形成液滴，並附著在噴嘴17附近區域的裸露表面上。通常，噴嘴17的排出部19為溶液21排出位置，同樣也為氣化發生位置或靠近氣 化發生位置，從而導致噴嘴17(的排出部19)處的溫度下降也較為明顯，致使部分成膜材料所形成的的霧氣在噴嘴17的外表面凝結形成液滴。

基於此考慮，加熱機構10可以對(位於容器11內的)噴嘴17(部分)加熱。其中，噴嘴17接受來自加熱機構10傳輸的熱量，而不被氣化影響降低溫度，維持較佳地溫度狀態；同時，噴嘴17自身也可以將熱量傳遞(非絕對真空)至附近區域，維持附近區域的溫度不變，從而通過對噴嘴17加熱可以彌補由於材料氣化而損失的熱量，從而減少凝結形成的液滴量，消除基板100上的液跡200。

需要說明的是，本實施方式所提供的加熱機構10通過對噴嘴17或容器11內部加熱，來彌補因容器11內部非成膜材料的氣化所吸收的熱量，以此解決技術問題。本領域技術人員在本發明所帶來的上述啟示及精髓下所作的任何改進均應囊括在本發明的保護範圍之內。

在本實施方式中，加熱機構10可以設置於容器11內，也可以設置於容器11外。例如，加熱機構10可以設置於容器11外，通過加熱容器11以提升容器11內部的溫度，從而減少因溫度降低而凝結形成的液滴；或者，加熱機構10通過加熱噴嘴17位於容器11外的部分，通過熱傳遞將熱量傳遞至噴嘴17位於容器11內的部分，以此來加熱(容器11內的)噴嘴17(部分)。

在本實施方式中作為優選的，所述加熱機構10設置於所述容器11內。其中，加熱機構10可以固定於容器11的內壁上，也可以固定於容器11內部的元器件上。加熱機構10的固 定方式可以為焊接、螺接、插接等等，在本發明中並不作特別的限定，只需加熱機構10位於容器11內即可。

承接上文描述，考慮到噴嘴17及其附近區域為液滴凝結(主要)發生區域，為使加熱機構10產生的熱量較快地傳遞給(彌補)氣化所需的熱量，所述加熱機構10靠近所述噴嘴17設置。此時，加熱機構10可以對噴嘴17及其周圍區域加熱。

相應的，加熱機構10靠近噴嘴17為相對概念，如第1圖所示，加熱機構10(下述電阻絲10)可以與噴嘴17並未產生接觸，但在感官上(或視覺上)二者的間隔很近。參考第1圖中所示結構，加熱機構10相對於容器11的側壁、基板100等在視覺上更加靠近噴嘴17。

具體的，所述加熱機構10可以包括電阻絲10。其中，電阻絲10可以如第1圖所示以線圈的形式環繞在噴嘴17的周圍，形成加熱線圈，從而提升對噴嘴17加熱的加熱面積，以及增大加熱區域。

當然，電阻絲10與噴嘴17之間可以並不接觸，以防止噴嘴17的溫度過高而影響溶液21的成膜性能。同時，電阻絲10設置的位置可以位於噴嘴17所形成的的錐形噴霧區域上方，從而避免干擾噴出的液體的行走軌跡而干擾薄膜的形成。

在本實施方式中，電阻絲10可以通過導線連接有電源機構。電源機構(未圖示)可以為電源插頭，也可以為成膜裝置1自身具備的電池組件，本發明不作特別限制。

在本實施方式中，為便於獲知加熱機構10的加熱溫度，成膜裝置1還可以包括溫度測量機構14(溫度感測器)，其 能夠測量所述噴嘴17或所述容器11內部的溫度。較佳的，所述溫度測量機構14可以位於所述容器11內部且設置於所述噴嘴17上。

其中，溫度測量機構14可以與控制器16相連接，從而將測量獲得的溫度即時傳遞至控制器16中，控制器16根據溫度測量機構14所測量的溫度來調控加熱機構10。如第1圖所示，溫度測量機構14以及加熱機構10(電阻絲10)均可以與控制器16相連接，控制器16根據溫度測量機構14回饋的溫度可以即時控制加熱機構10加熱的溫度，以提供較佳的薄膜生成環境。

其中，加熱機構10所加熱的溫度不能過高，以不影響成膜材料在基板100上成膜為宜，當然，加熱機構10所提供的加熱溫度也不能影響溶液21在噴嘴17的排出。較佳的，所述加熱機構10的加熱溫度為在常溫常壓下所述溶液21中溶劑沸點±100℃。

在本實施方式中，成膜裝置1還可以包括與加熱機構10連接的溫度調節機構(圖中標號沿用16)，其能夠調節所述加熱機構10所提供的加熱溫度大小。

其中，溫度調節機構可以通過控制供給加熱機構10的電流、電壓大小來控制加熱機構10的加熱溫度。另外，在加熱機構10為電阻式加熱機構10時，溫度調節機構還可以直接調節加熱機構10的阻值大小，從而控制加熱機構10的加熱溫度。示意性質地舉例為，加熱機構10包括多個發熱電阻，溫度調節機構可以通過調節多個發熱電阻之間的串並聯關係，或者切斷部分發熱電阻。

溫度調節機構與上述控制器16可以為同一部件，也可以為不同部件。比如溫度調節機構可以為開關，操作人員通過開關的通斷實現改變加熱溫度；或者，溫度調節機構16與上述控制器16均可以為CPU(或PLC)等等，其可以根據溫度測量機構14的回饋自動調整加熱機構10的加熱溫度。

在本實施方式中，為較佳地消除基板100上的液跡200，成膜裝置1還可以包括與加熱機構10連接的控制器16。所述控制器16能夠在所述噴嘴17開始噴液前控制所述加熱機構10加熱至第一設定溫度以及在所述噴嘴17開始噴液後控制所述加熱機構10加熱至第二設定溫度；所述第二設定溫度高於所述第一設定溫度。其中，所述第二設定溫度高於所述第一設定溫度。

在開始噴液後，加熱機構10可以逐步將溫度提升至第二設定溫度，也可以在較短的時間內將溫度提升至第二設定溫度。具體的，加熱機構10由第一設定溫度與第二設定溫度的提升速率可以與實際中未設置加熱機構10時的溫降速率相匹配，從而使加熱機構10提供的熱量與氣化吸收的熱量相匹配。

需要說明的是，上述控制器16、控制單元、以及溫度調節機構均可以為硬體、軟體、或者軟體與硬體的結合。比如，控制器16、控制單元、以及溫度調節機構均可以為CPU、PLC、電路板或電腦，從而具備實體構造；也可以為具有多個功能模組(例如獲取資料模組、判斷模組、計算模組等等)的軟體程式。另外，控制器16、控制單元、以及溫度調節機構均可 以為同一部件，也可以為不同部件，本發明並不作限制。

請參考第2圖以及第3圖，其中，第1圖為現有技術下的(減壓噴霧)成膜裝置1所形成的帶有薄膜的基板100圖片，第2圖為本實施方式中的成膜裝置1所形成的帶有薄膜的基板100圖片。其中，二者的成膜條件相同，區別在於本實施方式中的成膜裝置1具有在成膜過程中進行加熱的加熱機構10(電阻絲10)。從第2圖以及第3圖對比可以看出，本實施方式所提供的成膜裝置1能夠有效地消除成膜過程中在基板100上形成的液跡200。

本文引用的任何數字值都包括從下限值到上限值之間以一個單位遞增的下值和上值的所有值，在任何下值和任何更高值之間存在至少兩個單位的間隔即可。舉例來說，如果闡述了一個部件的數量或過程變數(例如溫度、壓力、時間等)的值是從1到90，優選從20到80，更優選從30到70，則目的是為了說明所述說明書中也明確地列舉了諸如到85、22到68、43到51、30到32等值。對於小於1的值，適當地認為一個單位是0.0001、0.001、0.01、0.1。這些僅僅是想要明確表達的示例，可以認為在最低值和最高值之間列舉的數值的所有可能組合都是以類似方式在所述說明書明確地闡述了的。

除非另有說明，所有範圍都包括端點以及端點之間的所有數位。與範圍一起使用的“大約”或“近似”適合於此範圍的兩個端點。因而，“大約20到30”旨在覆蓋“大約20到大約30”，至少包括指明的端點。

披露的所有文章和參考資料，包括專利申請和出 版物，出於各種目的通過援引結合於此。描述組合的術語“基本由…構成”應該包括所確定的元件、成分、部件或步驟以及實質上沒有影響所述組合的基本新穎特徵的其他元件、成分、部件或步驟。使用術語“包含”或“包括”來描述這裡的元件、成分、部件或步驟的組合也想到了基本由這些元件、成分、部件或步驟構成的實施方式。這裡通過使用術語“可以”，旨在說明“可以”包括的所描述的任何屬性都是可選的。

多個元件、成分、部件或步驟能夠由單個集成元件、成分、部件或步驟來提供。另選地，單個集成元件、成分、部件或步驟可以被分成分離的多個元件、成分、部件或步驟。用來描述元件、成分、部件或步驟的公開“一”或“一個”並不說為了排除其他的元件、成分、部件或步驟。

應該理解，以上描述是為了進行圖示說明而不是為了進行限制。通過閱讀上述描述，在所提供的示例之外的許多實施方式和許多應用對本領域技術人員來說都將是顯而易見的。因此，本教導的範圍不應該參照上述描述來確定，而是應該參照所附申請專利範圍以及這些申請專利範圍所擁有的等價物的全部範圍來確定。出於全面之目的，所有文章和參考包括專利申請和公告的公開都通過參考結合在本文中。在前述申請專利範圍中省略這裡公開的主題的任何方面並不是為了放棄所述主體內容，也不應該認為發明人沒有將所述主題考慮為所公開的發明主題的一部分。

Claims (10)

1. 一種成膜裝置，包括：一容器，其內部能一容置基板；能將所述容器內部排氣至真空狀態的一排氣機構；一儲藏溶液的儲藏機構；能將所述溶液排出至所述基板上的一噴嘴；以及一加熱機構，其能對所述噴嘴和/或所述容器內部加熱。
2. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中所述加熱機構設置於所述容器內。
3. 如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中所述加熱機構靠近所述噴嘴設置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中所述加熱機構包括一電阻絲。
5. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中還包括一溫度測量機構，其能夠測量所述噴嘴或所述容器內部的溫度。
6. 如申請專利範圍第5項所述之成膜裝置，其中所述溫度測量機構位於所述容器內部且設置於所述噴嘴上。
7. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中還包括與所述加熱機構連接的一溫度調節機構，其能夠調節所述加熱機構所提供的加熱溫度大小。
8. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中還包括與所述加熱機構連接的一控制器，所述控制器能夠在所述噴嘴開始噴液前控制所述加熱機構加熱至一第一設定溫度以及在所述噴嘴開始噴液後控制所述加熱機構加熱至一第二設 定溫度。
9. 如申請專利範圍第8項所述之成膜裝置，其中所述第二設定溫度高於所述第一設定溫度。
10. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中所述加熱機構的加熱溫度為在常溫常壓下所述溶液中溶劑沸點±100℃。