TW515109B - EL display device and electronic device - Google Patents

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515109 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1 ·發明部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關E L (電發光）顯示裝置，由半導體元 件（使用半導體薄膜之一元件）構成，建造於基體中，且 係％關具有E L顯示裝置作爲顯示器之電子裝置。 2 ·有關技藝之說明 製造T F T於基體上之技術近年來大有進步，且其應 用於主動矩陣式顯示裝置上之發展亦有進步。明確言之， 使用多晶矽薄膜之T F T較之使用普通非晶質矽薄膜之 T F T具有較高之電場效應遷移率，且故此可高速操作。 結果，可由構製於與像素同一基體上之驅動電路執行普通 由基體外之驅動電路所執行之像素控制。 此式主動矩陣顯示裝置由於許多優點而受重視，此等 可由加裝各種電路及元件於此式主動矩陣顯示裝置之同一 基體上而獲得，諸如減少製造成本，顯示裝置小型化，增 加生產率，及提高產出。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 在具有像素部份及用以驅動像素部份之驅動電路在同 一基體上之單石式顯示裝置中，驅動電路構製於像素部份_ 之週邊中，且故此，與僅構製像素部份於基體上相較，所 需之基體大小較大該驅動電路之大小。故此，可切製一基 體之顯示裝置之數隨可製造如何小之驅動電路之獨用表面 積而改變。 明確言之，在像素部份具有對角線1吋或以下之顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐）~ΓΤ^ 一 515109 A7 ____Β7_ 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝置，需裝置該驅動電路於極小之基體上，及驅動電路之 獨用面積對基體大小有巨大之影響。然而，不管像素部份 之大小，驅動電路之功能相同，且爲構製具有相功能之驅 動電路於非常小之面積中，多種因素，諸如增加TFT特 性芨小型化技術成爲關鍵。 - 發明槪要 本發明著眼於以上問題，且本發明之目的在進一步小 型化主動矩陣式E L顯示裝置，並降低小型化成本。而且 ，本發明之另一目的在進一步小型化設有主動矩陣式E L 顯示裝置作爲顯示裝置之電子裝置，並降低小型化成本。 主動矩陣式E L顯示裝置之每一像素構製有一 E L元 件。EL元件指一發光元件，在此由一陰極，一 EL層， 及一陽極構成。E L元件之輸出光（此後稱爲E L光）自 基體方向基體反方輸出。此顯示於圖6 A及6 B。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖6A之結構中，EL元件由I TO (氧化銦鍚） 所製之一像素電極（陽極），一 EL層，及一 MgAg電 極（陰極）所構成，依次自EL元件底端開始。而且，陰 極本身薄，且故此構製一保護電極（在此爲鋁電極）以資-保護，且同時輔助陰極功能。在此情形，EL光自TFT 構製處之基體方輸出。故此，整個像素電極表面積中在下 方不構製T F T及接線之部份成爲有效之發光區。 另一方面，在圖6 B之結構中，E L元件由鋁薄膜所 製之一像素電極（陽極），一 MgAg電極（陰極）’一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ 515109 A7 _B7_ 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) EL層，及一 I TO電極（陽極）構成，依次自EL元件 之底端開始。在此情形，E L光自T F 丁並不發射通過像 素電極，且故此，所有光輸出至基體之對面（E L顯示裝 置之頂面）。像素電極之整個表面區故此成爲有效之發光 區° 在圖6 A之情形，故此，在像素電極下方之元件或接 線需儘可能少。然而，在圖6 B之情形，不管像素下方有 何物件，均無關係，此全然爲一死空間。 爲澄淸本發明之要點，本發明之目的在有效利用主動 矩陣式E L顯示裝置之像素電極下方之死空間，其中，使 E L元件由圖6 B之方法發光。明確言之，用以驅動像素 電極之驅動電路構製於像素部份中安排成矩陣狀態之每一 像素之像素電極下方。而且，不獨驅動電路，其他信號處 理電路（諸如分波電路，增強電路，r補償電路，記憶器 ，及微分放大電路）亦可構製。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 換言之，普通構製於像素部份之周邊中之電路及元件 可安排於像素部份內之死區中，且可有效利用基體表面積 。注意包含諸如用作E S D (電狀態變壞）反制之保護性 元件，如構製於像素部份之周邊中之元件。 而且，本發明不獨可應用於主動矩陣式E L顯示裝置 ，且亦可應用於具有驅動電路構製於同一基體上，並具有 簡單矩陣式之像素部份之E L顯示裝置上。換言之，本發 明可有效用於E L顯示裝置上，其中，像素部份之E L光 輸出至與基體相對之方，且其中，其他電路或元件構製於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐)~-6- 515109 A7 B7 五、發明説明（4 ) 基體上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 附圖簡述 在附圖中： _圖1顯示一EL顯示裝置之斷®結構； 圖2 A至2 E顯示製造E L顯示裝置之程序； 圖3 A至3 D顯示製造E L顯示裝置之程序； 圖4A至4D顯示製造EL顯示裝置之程序； 圖5 A至5 C顯示製造E L顯示裝置之程序； 圖6A至6 B用以說明自E L顯示裝置輸出光之方向 圖7A至7 B顯示E L模組之外觀； 圖8A至8C顯不製造接觸結構之程序； 圖9顯示E L顯示裝置之像素部份之構成； 圖1 0顯示E L顯示裝置之斷面結構； 圖1 1 A至1 1 B顯示E L顯示裝置之像素部份之頂 部結構； 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 圖1 2顯示E L顯示裝置之像素部份之頂部結構；及 圖1 3A至1 3 F顯示電子裝置之特定實例。 符號說明 11 基體 12 絕緣薄膜 13 源區 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χΜ7公釐）· 7 - 515109 A7 B7 發明説明（5 ) 1 4 汲 區 1 6 分 隔 丨品 1 7 通 道 形 成 1 8 閘 絕 緣 薄 膜 1 9 閘 電 極 2 0 層 間 絕 緣 薄膜 2 1 源 接 線 2 2 汲 接 線 4 7 鈍 化 薄 膜 4 9 像 素 電 極 5 1 陰 極 5 2 E L 層 2 0 1 開 關 T FT 2 0 3 E L 元 件 2 0 2 電 流 控 制T F T 5 0 5 保 護 薄 膜 5 1 6 摻 雜 區 5 1 9 光 阻 罩 2 0 0 1 主 體 2 0 0 2 外 殼 2 0 0 3 顯 示 部份 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 0 4 鍵盤 2103 聲音輸入部份 2 10 4 操作開關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-8 - I--------Φ------1T------·1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 515109 A7 B7 五、發明説明（e ) 2105 電池 2106 影像接收部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2302 信號電纜 2303 頭固定帶 '2304 顯示監視器 _ 2305 光學系統 2502 攝影部份 2602 支持座 較佳蹇施例之詳細說明 實施例模式 首先’圖1顯示本發明之主動矩陣式E L顯示裝置之 斷面結構之設計。圖1中參考編號1 1標示一基體，及參 考編號12標示一絕緣薄膜，此成爲一基層（此後稱爲基 層薄膜）。一玻璃基體，一石英基體，一結晶玻璃基體， 一陶瓷基體，一矽基體，一金屬基體，或一塑膠基體可用 作基體1 1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，基層薄膜1 2在使用含有移動離子之基體，或 具有導電性之基體之情形特別有效，但無需構製於石英基-體上。可構製含矽之絕緣薄膜，作爲基層薄膜12。注意 含矽之絕緣薄膜一辭特別表示諸如氧化矽薄膜，氮化矽薄 膜，或氮氧化矽薄膜（由S i〇xNy標示，其中X及y爲 隨意整數）等絕緣薄膜，且在此規格中包含預定比率之矽 ，氧，及氮。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-9 - 515109 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考編號2 0 1標示一開關TFT，及參考編號 2 0 2標示一電流控制TFT，二者由η通道TFT構成 。η通道TFT之場效遷移率大於p通道TFT之場效遷 移率，且故此電流可高速流，且容易使大量之電流流於η 通迨TFT中。而且，即使同量*流，η通道TFT可製 成較小。故此，當使用η通道T F 丁爲電流控制T F 丁時 ，可更有效利用像素電極下面之死空間。 注意在本發明中無需限制開關T F Τ及電流控制 TFT於η通道TFT，且可使用ρ通道TFT作爲開關 丁 F T，電流控制T F T，或二者。 開關TFT 2 0 1構製具有：一主動層，包含一源區 13，一汲區14，LDD區15a至15d，一分離區 16，及通道形成區17a及17b ; —閘絕緣薄膜18 ;閘電極1 9 a及1 9 b，一第一層間絕緣薄膜2 0，一 源接線2 1 ，及一汲接線2 2。注意閘絕緣薄膜1 8或第 一層間絕緣薄膜2 0可構製於基體上所有相同T F 丁之間 ，且亦可構製於不同T F T之間，此視電路或元件而定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1A所示之開關TFT20 1具有閘電極1 9 a及 1 9 b電相接，形成所謂雙閘結構。不獨雙閘結構，當然-’且所謂多閘結構（包含具有二或更多通道形成區串連之 一主動層之結構），諸如三閘結構亦可使用。 多閘結構在降低T F T之斷電流値上極爲有效，且由 充分降低開關T F T之斷電流，則可使用一替代物，其中 ，開關T F T之汲極中不構製一電容器（用以維持電流控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 10 - 515109 A7 B7 -—---— 五、發明説明（8 ) 制丁 F T之閘電流之一電容器）。結果，可甚至更有效利 用像素內之死空間。 而且，開關TFT20 1中之LDD區1 5 a至 1 5 d構製經由閘絕緣薄膜1 8不重疊於閘電極1 9 a及 1 "9 b。此結構在降低斷電流値上#常有效。而且， LDD區1 5 a至1 5 d之長度（寬度）可設定於自 0 · 5至3 . 5//m，普通在2 · 0及2 · 5//m之間。 注意更宜構製一偏置區（半導體層構成之一區，具有 與通道形成區相同之組成份，且閘電壓不施加於其上）於 通道形成區及L D D區之間，用以降低斷電流値。而且， 當使用具有二或更多閘電極之多閘結構時，構製於通道形 成區之間之分隔區16 (加有與源區或汲區相同雜質元素 且在相同濃度上之一區）可有效降低斷電流値。 其次，電流控制TFT2 0 2構製具有：一主動層， 包含一源區26，一汲區27，一 LDD區28，及一通 道形成區2 9 ;閘絕緣薄膜1 8 ;閘電極3 0 ;第一層間 絕緣薄膜2 0 ;源接線3 1 ;及汲接線3 2。注意閘電極 2 〇具有單閘結構，但亦可使用多閘結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 開關T F T 2 0 1之汲極電連接至電流控制 T F T 2 0 2之閘極。明確言之，電流控制T F T 2 0 2 之閘電極3 0經汲接線（亦稱爲連接線）2 2電連接至開 關TFT20 1之汲區14。而且，源接線3 1連接至一 電流供應線，以供應預定之電壓。 電流控制T F 丁爲一元件，用以控制注射於E L元件 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐）-11 - 515109 A7 B7 五、發明説明（9 ) 2 0 3中之電流量，且如慮及e l元件之惡化，則不宜太 多電流流過。故此，宜設計通道長度（L )，俾不致過度 電流流於電流控制T F T 2 0 2中。電流量宜每像素自 0 · 5至2//A (更宜在1及1 · 5//A之間）。 根據以上，當開關T F T之通道長度取作L 1 (其中 L 1 = L 1 a + L 1 b )，且其通道寬度爲W1，及電流 控制TFT之通道長度取作L 2，及其通道寬度爲W2時 ’如顯示於圖9，則宜W1自〇 · 1至5//m (普通在 〇·5及2/zm之間），及W2自0.5至10/im (普 通在〇·5及2#m之間）。而且，宜L1自0·2至 普通在2及15//m之間），及乙2自1至 50/zm(普通在1〇及30//m之間）。注意本發明並 不限於以上之數値。 圖1所示之E L顯示裝置亦具有特徵，即LDD區 2 8構製於電流控制 TFT2 0 2中汲區2 7及通道形成區2 9之間，且 LDD區2 8具有一區經由絕緣薄膜1 8重疊及一區不重 疊閘電極3 0。 電流控制T F T 2 0 2具有較大量之電流流過，俾使-E L元件2 0 3發亮，且故此，宜採取行動，以反制由於 熱載子注射而惡化。而且，當顯示黑色時，電流控制 T F T設定於斷狀態，但如此時斷電流高，則不能淸楚顯 示黑色，且此發生問題’諸如對比降低。故此，需抑制斷 電流値。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)M規格（210x297公釐）·12 - Φ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 A7 ______B7_____ 五、發明説明（1〇 ) 知道一種結構（其中，LDD區重疊閘電極）對付由 於熱載子注射所引起之惡化極爲有效。然而，如使整個 L D D重疊閘電極，則斷電流値升高，且故此，本發明之 申請者由加一創新結構於以上結構，同時解決熱載子及斷 電流値問題，其中，構製不重疊於閘電極之一L D D區成 串連。 重疊於閘電極之LDD區在此點之長度可自〇 . 1至 3//m (宜在〇 · 3及1 · 5#m之間）。如太長，則寄 生電容變大，且如太短，則熱載子防止效果變弱。而且， 不重疊於閘電極之LDD區之長度可設定於自1.〇至 3 · 5 // m (宜在1 · 5及2 · 0 β m之間。如太長，貝(J 充分之電流不能流過，且如太短，則斷電流値降低效果變 弱。 一寄生電容形成於以上結構中，在閘電極及L D D區 重疊之區域中，且故此，此區宜不構製於源區2 6及通道 形成區2 9之間。電流控制T F T中載子（在此爲電子） 流動方向恆相同，且故此，構製L D D區僅於汲區方上即 夠。 注意如電流控制T F T 2 0 2之驅動電壓（施加於源-區及汲區間之電壓）等於或低於1 0 V，則熱載子注射難 以再引起問題，且故此，亦可略去LDD區2 8。在此情 形，有效層由源區26，汲區27，及通道形成區2 9·構 成。 而且，自增加電流之可容許量之觀點來看，使電流控 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210Χ297公釐）-13 · " ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 制丁 FT2 0 2之有效層（尤其是通道形成區）之薄膜厚 度厚（宜自50至1 〇〇nm，更宜在60及80nm之 間）有效。反之，自減少開關T F T 2 0 1之斷電流値之 觀點來看，使有效層（尤其是通道形成區）之薄膜厚度薄 (¾自20至5〇nm，更宜在2_5及40nm之間）有 效。 以上說明像素內所構製之T F T之結構。注意一驅動 電路（嚴格言之，驅動電路之一部份）亦同時構製於同一 像素內。一 CMO S電路，形成驅動電路之基本單位顯示 於圖1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1中，使用一TFT作爲CMOS電路之一η通 道TFT204，此具有儘可能降低熱載子注射，儘可能 減少操作速度下降之結構。注意此處所指之驅動電路表示 一資料信號驅動電路（包含一轉移暫存器，一位準轉移器 ，一緩衝器，一閂，一D/A變換器，及一抽樣電路）， 及一閘信號驅動電路（包括一轉移暫存器，一位準轉移器 ，及一緩衝器）。當然，亦可構製其他信號處理電路（諸 如一分波電路，一增強電路，一 Τ補償電路，記憶器，或 一微分放大電路）。 η通道TFT2 0 4之主動層包含一源區3 5，一汲 區36，一 LDD區37，及一通道形成區38，且 L D D區3 7經閘絕緣薄膜1 8重疊一閘電極3 9。 L D D區僅構製於汲區方上，此乃考慮不降低操作速 度之故。而且，無需考慮η通道TFT2 0 4之斷電流値 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）~-14 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 A7 _B7__ 五、發明説明（12 ) ，但需更強調操作速度。故此，LDD區37宜完全覆蓋 閘電極，儘可能降低電阻性組成件。換言之，消除所有偏 置爲佳。 CMOS電路之p通道TFT2 0 5由於熱載子注射 所引起之惡化幾不考慮，且尤其最，無需構製一 L D D區 。主動層故此包含一源區4 0，一汲區4 1，及一通道形 成區4 2，及閘絕緣薄膜1 8及閘電極4 3構製於其上。 且當然，亦可採取行動，由構製一 LDD區來對付熱載子 ，如η通道TFT204者。 而且，η通道TFT204及ρ通道TFT 2 0 5各 由第一層間絕緣薄膜2 0覆蓋，並構製源接線4 4及4 5 。而且，二者由汲接線4 6電連接。 其次，參考編號4 7標示一第一鈍化薄膜，且其薄膜 厚度可設定自1 0 nm至1 //m (宜在2 0 0至 5 0 0 nm之間）。含矽之一絕緣薄膜（尤其是，宜使用 氮氧化矽薄膜或氮化矽薄膜）可用作鈍化薄膜材料。鈍化 薄膜4 7擔任防止所構製之T F T受鹼金屬及濕氣之侵害 。最後欲構製於T F T上之一 E L層包含鹼金屬，諸如鈉 。言之，第一鈍化薄膜47作用如保護層，俾此等鹼金屬-(移動離子）不致穿透進入TFT。 而且，參考編號4 8標示一第二層間絕緣薄膜，此作 用如平面化薄膜，用以使由於T F T所引起之不平平坦。 一有機樹脂薄膜宜作爲第二層間絕緣薄膜4 8，可使用其 一聚醯亞胺，聚醯胺，壓克力，或BCB(苯環丁烯）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 15 - ---------Φ------1T------#1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 515109 A7 B7 五、發明説明（13 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此等有機樹脂薄膜具有容易形成良好平坦表面之優點，並 具有低特定介質常數。E L層對不平坦極爲敏感，且故此 宜由第二層間絕緣薄膜幾乎吸收TFT不平坦。而且，低 特定介質常數材料宜製厚，以減小閘接線或資料線及E F 元ί牛之陰極間所形成之寄生電容。轵此，該厚度宜自 〇 · 5至5em(更宜在1 · 5及2 · 5/zm之間） @且’參考編號4 9標示一像素電極，由透明傳導性 薄Μ所構成。在第二層間絕緣薄膜48及第一鈍化薄膜 4 7中打開一接觸孔後，構製像素電極4 9，俾在開口部 份處連接至電流控制T F Τ 2 0 2之汲接線3 2。注意如 像素電極4 9及汲區2 7並不直接相接，如圖1 ，則即使 E L層中之鹼金屬擴散通過像素電極，鹼金屬亦不經此像 素電極進入主動層中。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 一第三層間絕緣薄膜5 0由氧化矽薄膜，氮氧化矽薄 膜’或有機樹脂薄膜構製於像素電極4 9上，具有厚度自 0 · 3至1 μ m。一開口部份由蝕刻法構製於第三層間絕 緣薄膜5 0中像素電極4 9上，並蝕刻該開口部份之邊緣 ’俾成錐形。錐形角度可設定自1〇至60° (宜在30 至5 0 °之間）。 一陰極5 1構製於第三層間絕緣薄膜5 0上。包含低 功函數材料之一材料，諸如鎂（Mg)，鋰（Li)，或 鈣（Ca)用作陰極51。宜使用由MgAg (由Mg及 Ag以Mg : Ag = l〇 ·· 1)所構成之材料）所製之電 極。而且，可提出一 MgAgA 1電極，一 L i A 1電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-16 · 515109 A7 B7 五、發明説明（14 ) ，及一 LiFaAl電極作爲他例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 EL層5 2構製於陰極5 1上。陰極5 1在此點需 在完全由E L層覆蓋之狀態，且該E L層構製具有較陰極 5 1爲大之圖案。由如此作，可防止陰極5 1及其後所製 之=陽極間之短路。 _ 而且，需使用多室式（亦稱爲簇工具式）直空蒸發機 器，連續構製陰極5 1及EL層52，而不曝露於大氣中 。此在避免E L層5 2由於濕氣而降低品質。有關構製陰 極5 1及EL層52，可使用已知之技術。 首先，例如，由使用一第一蔽罩，構製與所有像素相 對應之陰極，且其次，由使用一第二蔽罩，構製一紅發光 E L層於與紅色相對應之像素中。然後可依次構製綠發光 E L層及藍發光E L層，同時精確控制第二蔽罩之移動。 注意，當與R G B相對應之像素對對齊成條形時，可簡單 移動第二蔽罩，如上述，但爲達成所稱三角形安排像素結 構，可使用一特殊第三蔽罩於綠發光E L層上，並可使用 一特殊第四蔽罩於藍發光E L層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，以上說明中顯示使用一蔽罩，由蒸發構製一發 光E L層於每一色中之一例，但亦可使用噴墨方法，網印_ ，及離子塗鑛。而且，可構製一肋包圍像素，分隔E L層 之每一色。 而且，以上說明中顯示使用紅，綠，及藍三色執行色 顯示之例，但假設E L顯示裝置顯示單色光，則可構製發 紅，綠，或藍任一色之光之一 E L層於整個表面上。當然 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-17 · 515109 A7 B7 五、發明説明（15 ) ，亦可構製白色發光E L層，以製造單色顯示E L顯示裝 置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可使用單層結構或疊層結構作爲E L層5 1，但宜使 用疊層結構，因其具有良好之發光效率。一般言之，一孔 注射層，一孔輸送層，一發光層，及一電子輸送層依次構 製於像素電極上，但具有一孔輸送層，一發光層，及一電 子輸送層之結構，或具有一孔注射層，一孔輸送層，一發 光層，一電子輸送層，及一電子注射層之結構亦可使用。 本發明可使用任何已知之結構，且亦可執行摻雜螢光顏料 於E L層中。 例如經公開之以下美專利及曰本專利申請書中所發表 之材料可用作有機EL材料：美專利4，356，429 •，美專利4，5 3 9，5 0 7，美專利 4，7 2 0，432 ;美專利 4，769 ，29 2 ;美專 利 4，885，211 ;美專利 4，950，950 ;美 專利 5，0 5 9 ，8 6 1 ;美專利 5，0 4 7，6 8 7 ; 美專利 5，073 ，446 ;美專利 5，059 ，862 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ;美專利5，0 6 1，6 1 7 ;美專利 5，151，629;美專利 5，294，869;美專-利5，294，870 ;日本專利申請公報He i 1〇一 189525號；日本專利申請公報He i 8 — 24 1 048號；及曰本專利申請公報^16 18 — 7 8 1 5 9 號。 明確言之，諸如由以下通式所表示之一之材料可用作 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-18 - — 515109 A7 B7 五、發明説明（16 ) 孔注射層。 化學1 T2

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中q爲N或一 C 一 R (碳鏈）；Μ爲一金屬，一金屬氧 化物，或一金屬鹵化物；R爲氫’一烷基，一芳烷基，一 烯基，或一鹼基烯丙基；及Τ 1及Τ 2爲不滿和六構件環 ，包含諸如氫，烷，或鹵素等替代物。 而且，可使用芳族叔胺爲有機材料’用作孔輸送層， 宜包含四烯丙基二胺，由以下通式表示。 化學2 其中，Ar e爲丙炔圍，η爲自1至4之整數，及AR， R7，r 8，及R9各爲所選之嫌丙基。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，可使用金屬氧化物作爲EL層，電子輸送層’ -或電子注射層之有機材料。可使用以下通式所表示之材料 作爲金屬氧化物。 化學3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-19 - 515109 A7

其中，1^2至1^7可被取代 且亦可使用以下之一金屬氧化 物·。 化學4

L2

Ls L4 ---------Φ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 其中R2至Rt可定義如上述：Li至L5爲碳水化合物團， 包含1至1 2碳原子；及二Li及l2，或二L2及L3可形 成苯環。而且’亦可使用以下金屬氧化物。 化學5

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，R2至尺6可被取代。故此包含具有有機配合基之配 iu化學物作爲有機e L兀素材料。注意以上僅爲有機E乙 材料之一些例，此等可用作本發明之E L材料，且絕對無 需限制E L材料於此等。 515109 A7 B7 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，可使用聚合材料作爲E L材料。可提出諸如以 下之聚合物作爲典型之聚合材料··聚對苯乙嫌（P PV) 及聚芴。爲顏色化，宜使用例如氰聚苯乙烯於紅發光材料 ’聚苯乙嫌於綠發光材料，及聚苯乙烯或聚鹼苯於藍發光 材科。 注意E L顯示裝置約分爲四種色顯示方法··構製與R (紅），G (綠），及B (藍）相對應之三種EL元件之 方法，合倂白色發光E L元件與濾色器之方法，合倂藍或 藍-綠發光E L元素及螢光物質（螢光色改變層，c CM )之方法，及使用透明電極作爲陰極（相對電極）並覆蓋 與R，G，及B相對應之EL元件之方法。 圖1之結構爲使用構製與R，G，及B相對應之三種 E L元件之方法之情形。注意雖圖1中僅顯示一像素，但 可如此執行與紅，綠，及藍色分別對應之具有相同結構之 像素，及該色顯示。然而，可實施本發明，而不管發光之 方法，且可使用所有以上四方法於本發明中。 在如此構製至E L層5 2後，構製由透明傳導性薄膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (氧化物傳導性薄膜）所構成之一陽極5 3於E L層 5 2上。薄膜厚度可設定自 80至300nm (宜在100及200nm之間） 。E L層中所發之光向圖1上方（在本發明之情形中’與 基體相反之方向）輸出，且故此陽極5 3需對由E乙層 5 2所發之光透明。 注意由陰極5 1 (或包含像素電極4 9及陰極5 1之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 21 - 515109 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一陰極），EL層52，及陽極53所構成之發光元件在 此整個說明中稱爲EL元件。EL元件在圖1中由參考編 號2 0 3標示。 參考編號5 4標示一第二鈍化薄膜，且其薄膜原度可 設萣自l〇nm至lnm (宜在2_00及500nm間） 。構製第二鈍化薄膜5 4之目的主要在保護E L層5 2， 防止濕氣，但如構製具有散熱作用之第二鈍薄化5 4亦有 效。注意E L層在熱方面較弱，如上述，且故此，宜在儘 可能低溫上（宜自室溫至1 2 0°C之範圍中）執行薄膜沉 積。故此，可說電漿CVD，濺散，真空蒸發，離子塗鍍 ，及溶液施敷（旋塗）爲所需之薄膜沉積方法。 如此完成具有圖1所示之結構形之像素部份。在本發 明之像素部份中，由η通道TFT2 0 4及P通道 TFT2 0 5所構成之CMOS電路構製於像素電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 9下方，且由此CMOS電路作爲一基本單位，可 構成各種元件，驅動電路，及一信號處理部份。注意圖1 並不意謂一 CMO S電路構製於一像素中，而是意謂普通 構製於像素部份之周邊中之電路，諸如驅動電路可構製於 像素部份內。 普通構製於像素部份之周邊中之元件，驅動電路，及 信號處理部份使用T F T構製於每一像素之像素電極下方 。一般言之，此等構製於像素部份內部（像素部份內）。 注意本發明之要點爲有效利用基體表面區，安排普通 構製於像素部份之周邊中之電路或元件於E L顯示裝置（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 22 - " 515109 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 此與基體相對輸出光）之像素部份內之死空間中（在像素 電極下面）。故此，本發明並不限於圖1之TFT結構。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例1 _使用圖2 A至5 C說明本發弭之較佳實施例。在此說 明製造形1所示之像素部份之方法。注意該等圖顯示一 CMO S電路，作爲驅動電路之基本單位，以簡化說明。 首先，如顯示於圖2A，製備一基體501 ，其表面 上構製一基層薄膜（未顯示於圖中）。疊置1〇〇 nm厚 度之氧氮化矽薄膜及2 0 0 nm厚度之氧氮化矽薄膜於實 施例1之結晶玻璃上，並用作基層薄膜。此際，宜設定與 結晶玻璃基體接觸之薄膜之氮濃度於1 0及2 5重量％之 間。各元件當然亦可直接構製於石英基體上，而不製造基 層薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，由已知之薄膜沉積方法，構製4 5 nm厚之一 非晶質矽薄膜5 0 2於基體5 0 1上。注意無需限制此於 非晶質矽薄膜，且亦可使用任何其他薄膜，假設此爲具有 非晶質結構之半導體薄膜（包括微晶半導體薄膜）。而且 ，亦可使用包含非晶質結構之化合物半導體薄膜，諸如非一 晶質矽鍺薄膜。 可整個引用本發明之受讓人之日本專利申請書公報 He i 10-247735號作爲自此至圖2C之程序。 在以上專利申請書中，發表有關晶化半導體薄膜之一方法 ，使用諸如N i之一元素作爲催化劑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 23 · 515109 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，構製一保護性薄膜504，具有開口部份 503 3及5031)。在實施例1中使用15〇11111厚之 氧化矽薄膜。然後由旋塗法構製含鎳（Ni) 5 0 5之一 層（含N i層）於保護性薄膜5 0 4上。有關製造含N i 層'可參考以上專利申請書。 · 其次，如顯示於圖2 B，在惰性大氣中以5 7 0 t熱 處理1 4小時，晶化該非晶質矽薄膜。晶化約與基體平行 進行，使區域與Ni (此後稱爲Ni加進區）506a及 5 0 6 b如原狀接觸，形成具有結晶結構之多晶矽薄膜 5 0 7，其中，棍形晶體對齊一起。 然後加進週期表團1 5中之一元素（宜爲磷）於N i 加進區5 0 6 a及5 0 6 b中，留保護性薄膜5 0 5於原 地作爲蔽罩，如顯示於圖2 C。如此構製加有高度磷之區 域（此後稱爲加磷區）508a及508b。 其次，如顯示於圖2 C，在惰性大氣中以6 0 0 °C熱 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 處理1 2小時。存在於多晶矽薄膜5 0 7中之N i由於熱 處理而遷移，且最後幾乎完全爲加磷區5 0 8 a及 5 0 8 b所捕捉，如箭頭所示。此可視爲由磷吸除金屬元 素（實施例1中之N i )之效果現象。 由此處理而留於多晶矽薄膜5 0 9中之N i之濃度降 低至少至2xl017原子/cm3，如由SIMS (二次 離子質譜儀）所量度。N i爲半導體之壽命促短劑，且如 N i之濃度降至此程度，則對TF T之特性無有害之影響 。而且，此濃度幾乎爲目前S IMS可量度之極限，且故 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-24 - 515109 A7 B7 五、發明説明（22 ) 此，預期實際濃度更低（低於2 X 1 017原子/cm3) 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此獲得多晶矽薄膜5 0 9，由使用催化劑晶化，且 其中之催化劑然後減少至其不會引起T F T受損之程度。 其後由造形法構製使用此多晶矽薄P5 0 9之主動層 5 1 0至5 1 3。注意用以在其後造形法中執行蔽罩對齊 之記號可在此時使用以上多晶矽薄膜製造（閱圖2D)。 其次，由電漿CVD構製5 0 nm厚之氧氮化矽薄膜 ，如顯示於圖2E，而且，由在氧化大氣中在950 °C上 熱處理1小時’執行熱氧化步驟。注意氧化環境可爲氧大 氣，或加有鹵元素之氧大氣。 在主動層及以上氧氮化矽薄膜之介面中由以上熱氧化 步驟進行氧化，及氧化約1 5 n m厚之多晶矽薄膜，形成 約3 0 n m厚氧化矽薄膜。換言之，由3 0 nm厚之氧化 砂薄膜及5 0 nm厚之氧氮化矽薄膜形成8 0 nm厚之一 閘絕緣薄膜5 1 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次製造一光阻罩5 1 5，如顯示於圖3A，並經由 閘絕緣薄膜5 1 4加進雜質元素，此施加p型導電性（此 後稱爲P型雜質元件）。可使用週期表團13中之一元素-，普通爲硼或鎵爲p型雜質元素。此程序（稱爲通道摻雜 程序）爲用以控制T F T之臨限電壓之程序。 注意實施例1中由電漿激發之離子摻雜法加進硼，而 不分離二硼氫（B2H6)之質體。當然，亦可使用執行分 離質體之離子植入法。由此程序製造摻雜區5 1 6至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-25 · 515109 A7 B7 五、發明説明（23 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518，包含濃度lxl〇15至1χ1〇18原子/ cm3 (普通在5 X 1 〇16至5 X 1 〇17原子/ cm3之間）之 硼。 其次構製光阻罩519a及519b ’如顯示於圖 3 $，並經由閘絕綠薄膜5 1 4加_進雜質元素’此施加η 型導電性（此後稱爲η型雜質元素）。可使用週期表團 1 5中之一元素作爲η型雜質元素。注意在實施例1中由 電漿激發電漿摻雜法加進1 X 1 〇18原子/cm3濃度之 磷而不分離磷化氫（PH3)之質體。當然，亦可使用執行 分離質體之離子植入。 調節劑量，俾如以上構製之η型摻雜區5 2 0及 5 2 1中包含在濃度2 X 1 016至5 X 1 019原子/ cm3 (普通在 55Χ1011 至 5χ1014 原子/ cm3 之間.）之η型雜質元素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後執行活化所加之η型雜質元素及ρ型雜質元素之 程序，如顯示於圖3 C。活化措施無需任何限制，但以爐 退火程序較佳，因爲已製造閘絕緣薄膜。而且，可能慣及 主動層及（在圖3 Α之程序中成爲通道形成區之部份之） 閘絕緣薄膜之介面，且故此，宜在儘可能高之溫度上執行-熱處理。 實施例1中使用具有高抗熱力之晶化玻璃，且故此， 由在8 0 0 °C上爐退火1小時，執行活化程序。注意可使 處理環境成爲氧化大氣，執行熱氧化，且可使用惰性大氣 ，執行熱處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 26 - 515109 Α7 Β7 五、發明説明（24 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由以上程序界定η型摻雜區5 2 0及5 2 1之邊緣部 份’即η型摻雜區5 2 0及5 2 1之周邊中之一區域（其 中未加有η型雜質元素，由圖3Α之程序所構製之ρ型摻 雜區）之邊界。此意謂可在其後完成TFT之時刻，構製 L~DD區及通道形成區間之一極爲與好之連接部份。 其次構製2 0 0至4 0 0 nm厚之導電性薄膜，並造 形，形成閘電極522至525。注意可構製一單層電極 薄膜作爲閘電極，但當需要時，宜使用二層或三層之疊層 薄膜。可使用已知之導電性薄膜爲閘電極材料（閱圖3 D )° 明確言之，可使用選自鉅（Ta)，鈦（Ti)，鉬 (Mo)，鎢（W)，鉻（Cr)，及導電性矽（Si) 所組成之群中之一元素之一薄膜；或以上元素之氮化物之 薄膜（普通爲氮化鉅薄膜，氮化鎢薄膜，氮化鈦薄膜；或 以上元素之合倂之合金薄膜（普通爲Μ 〇 - W合金或Μ 〇 一丁 a合金）； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 或以上元素之矽化物薄膜（普通爲矽化鎢薄膜或矽化 鈦薄膜）。當然可使用一單層薄膜或一疊層。 實施例1中使用由5 0 nm厚之氮化鎢（WN)薄膜 一 及3 5 0 nm厚之鎢（W)薄膜所構成之疊層薄膜。此薄 膜可由濺散製造。而且，如加進惰性氣體，諸如X e或 N e作爲濺散氣體，則可防止薄膜由於應力而剝開。 此時構製閘電極5 2 3及5 2 5 ’俾η型摻雜區 5 2 0及5 2 1之部份分別與置於其間之閘絕緣薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-27 - 515109 A7 _ B7 五、發明説明（25 ) 5 1 4重疊。重疊部份其後成爲LDD區，重疊於閘電極 。注意二閘電極5 2 4可在斷面上看見，但實際上電連接 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 質次，以自我對齊之方式加進η型雜質元素（實施例 1 Φ使用磷），以閘電極5 2 2罜5 2 5作爲蔽罩，如顯 示於圖4Α。調節加進量，俾磷以摻雜區5 2 0及5 2 1 之濃度之1/10至1/2 (普通在1/4及1/3之間 )加進於如此所形成之摻雜區5 2 6至5 3 2中。明確言 之，濃度宜爲lxlO16至5χ1018原子/cm3 (普 通在3 X 1 〇17及3 X 1 018原子/ cm3之間）。 其次構製光阻罩5 3 3 a至5 3 3 d，其形狀在覆蓋 閘電極，如顯示於圖4 B，並加進一 η型雜質元素（實施 例1中使用磷），形成含有高濃度磷之摻雜區534至 5 4 0。在此亦執行使用磷化氫（ΡΗ3)之離子摻雜法， 並調節此等區域之磷濃度自1 X 1 02()至1 X 1 021原子 /cm3 (普通在 2xl02G 至 5xl02G 原子/ cm3 之間）。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 由此程序製造η通道T F T之源區及汲區，且在開關 TFT中，留下由圖4Α之程序所構製之η型摻雜區 5 2 9至5 3 1之一部份。此等留下之區相當於圖1之開 關 TFT 之 LDD 區 15a 至 15d。 其次，如顯示於圖4C，移去光阻罩533a至 533d，並構製新光阻罩541。然後加進一 p型雜質 元素（在實施例1中使用硼），形成含有高濃度硼之摻雜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-28- 515109 A7 B7 五、發明説明（26 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 區54 2及543。在此，由離子摻雜法，使用二硼氫（ B2H6)加進硼至3 X 1 〇2°至3 X 1 022原子/ cm3 (普通在5 X 1 02Q至1 X 1 〇21原子/ cm3之間）之 濃度。 -注意已以1 X 1 〇16至5 X 1_〇18原子/ cm3之濃 度加進磷於摻雜區5 4 2及5 4 3中，但在此以磷之濃度 之至少3倍加進硼。故此，完全變換已製成之N型摻雜區 爲P型，且用作p型摻雜區。 其次，在移去光阻罩541後，如顯示於圖4D，構 製一第一層間絕緣薄膜5 4 4。使用含矽之一單層之絕緣 薄膜作爲第一層間絕緣薄膜，但亦可使用相同之疊層薄膜 。而且，薄膜厚度宜在400nm及1 · 5em之間。實 施例1中使用8 0 0 nm厚氧化矽薄膜在2 0 0 nm厚氧 氮化矽上之一疊層結構。 其後，活化以其各別濃度所加之η型摻雜區及p型摻 雜區。爐退火宜爲一活化措施。在實施例1中使用電爐在 惰性大氣中以5 5 0 t執行熱處理4小時。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，亦在含有3至1 0 0%氫之大氣中以3 0 0至 450°C執行熱處理1至12小時，執行氫化。此爲由熱 一 激發之氫終接半導體薄膜中之懸空鍵之一程序。亦可執行 電漿氫化法（使用由電漿激發之氫），作爲氫化之另一措 施。 注意在構製第一層間絕緣薄膜5 4 4之期間中，亦可 執行氫化步驟。即是，在構製2 0 0 nm氧氮化矽薄膜後 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 29 - 515109 A7 B7 五、發明説明（27 ) ’可執行如上之氫處理，然後可構製其餘8 0 0 nm厚之 氧化矽薄膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次構製第一層間絕緣薄膜5 4 4中之接觸孔，並構 製源接線545至548及汲接線549至551。在實 施例1中，使用一疊層薄膜作爲電_極，具有一 1 〇 〇 nm 之欽薄膜，一 3 0 0 nm之含欽之銘薄膜，及一 1 5 0 nm鈦薄膜之三層結構由連續濺散法構成。當然亦 可使用其他導電性薄膜。 其次構製一第一鈍化薄膜5 5 2，具有厚度5 0至 500nm(普通在200及300nm之間）。使用一 3 0 0 nm厚之氮氧化矽薄膜作爲實施例1中之鈍化薄膜 344。氮化矽薄膜亦可取代氧氮化矽薄膜。 在構製氧氮化矽薄膜之前，此際使用含氫之氣貘，諸 如Η2·ΝΗ3執行電漿處理有效。由此預處理所激發之氫 供應至第一層間絕緣薄膜3 4 4，並由執行熱處理，提高 弟一鈍化薄膜5 5 2之薄膜品質。同時，加於第一層間絕 緣薄膜5 4 4中之氫擴散至較下面，且可有效氫化主動層 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，由有機樹脂構製第二層間絕緣薄膜553，如— 顯示於圖5 Β。可使用諸如聚醯亞胺，壓克力，及B C Β (苯環丁烷）作爲有機樹脂。尤其是，需平坦化第二層間 絕緣薄膜5 5 3上由TFT所形成之不平，且故此，宜使 用具有超平坦化特性之壓克力薄膜。實施例1中構製一 2·5nm厚之壓克力薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-30 - 515109 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（28 ) 其次，構製進入汲接線5 5 1之接觸孔於第二層間絕 緣薄膜5 5 3及第一鈍化薄膜5 5 2中，並構製一像素電 極5 54。構製一 200nm厚之鋁合金薄膜（含有1重 量％之鈦），作爲實施例1之像素電極。 ‘其次，構製一 500nm厚之_含矽絕緣薄膜（實施例 1中之氧化矽薄膜），並構製一開口部份於與像素電極 5 5 4相對應之位置處，構製一第三層間絕緣薄膜5 5 5 。由使用濕蝕刻法，當構製該開口部份時，可容易製造具 有錐形之一側壁。如開口部份之側壁並不充分緩和時，則 E L層由於不平坦所引起之品質下降成爲顯著問題。 其次，使用真空蒸發法，連續構製一陰極（MgAg 電極）556及一 EL層557，而不曝露於大氣中。陰 極5 5 6之薄膜厚度可設定自1 40至3 0 0ΝΜ (普通 在2 0 〇及2 5 0 ΝΜ之間，及EL層5 5 7之厚度可設 定自80至200nm (普通在100及120nm之間 )° 在此步驟中，首先，依次構製與色紅相對應之像素， 與色綠相對應之像素，及與色藍相對應之像素之陰極。如 在此際對陰極造形，則需曝露於大氣，且不能連續製造其-次所構製之E L層。故此，宜在使用諸如金屬蔽罩，由真 空蒸發沉積之時刻，對陰極實際造形。 然後由真空蒸發構製發出各別色之E L層5 5 7，以 覆蓋構製於每一像素上之陰極5 5 6。注意E L層具有較 一溶液爲小之電阻，且故此需個別構製每一色之E L層， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 31 - Φ 、玎 0— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 515109 A7 B7 五、發明説明（29 ) 而不使用照相製版技術。然後使用一金屬蔽罩或類似者， 以覆蓋除所需之像素以外之區域，並選擇性構製E L層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 換言之，設置一蔽罩，以覆蓋除與色紅相對應之像素 以外之所有區域，並使用該蔽罩，選擇性構製紅發光E L 層_及陰極。其次，設置一蔽罩，以覆蓋除與色綠相對應之 像素以外之所有區域，並使用該蔽罩，選擇性構製綠發光 E L層及陰極。同樣，設置一蔽罩，以覆蓋除與色藍相對 應之像素以外之所有區域，並使用該蔽罩，選擇性構製藍 發光E L層及陰極。注意在此說明所有所用之蔽罩不同， 但亦可使用相同之蔽罩。 如使用實施例1所示之製造方法，俾在使用真空蒸發 沉積之時刻執形造形，則可連續製造陰極5 5 6及E L層 5 5 7，而不曝露於大氣中，且可增加E L元件之發光效 效率。 注意可使用已知之材料作爲E L層。考慮驅動電壓， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 則宜使用一有機材料作爲該已知材料。例如，可使用由一 孔注射層，一孔輸送層，一發射層，及一電子注射層所構 成之一 4層結構作爲E L層。而且，在實施例1中顯示一 例，使用MgAg電極作爲EL元件之陰極，但亦可使用-另外已知材料。 其次，構製由透明傳導性薄膜所製之一陽極5 5 8， 覆蓋EL層5 5 7。在實施例中構製一 1 1 0 nm厚之氧 化銦鍚（I TO)薄膜，並執行造形，形成陽極。而且， 亦可使用一透明傳導性薄膜，其中，在2及2 0%間之氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~-32 - "~ 515109 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 化鋅（Ζ η 0 )與氧化銦或氧化鍚薄膜混合。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 最後，構製由氮化矽所構成之一第二鈍化薄膜5 5 9 ，具有厚度300nm。EL層557由第二鈍化薄膜 5 5 9防止諸如濕氣等。而且，第二鈍化薄膜5 5 9亦擔 任蘀放由E L層5 5 7所產生之熱容任務。 如此完成具有如圖5 C所示之結構之一主動矩陣式 E L顯示裝置。注意實施例1之製造程序僅爲一例。例如 ，雖形成實施例1中之主動層之半導體薄膜可由日本專利 申請書公報He i 10 - 247735號所述之裝置製造 ，但其他已知之裝置亦可使用。此公開專利之整個說明列 作參考。 而且，LDD區等之安排僅顯示一較宜之例，且無需 限制該結構於實施例1之安排。注意在使用多晶矽薄膜作 爲主動層之情形，實施例1之結構較宜，因爲可靠性增加 ，且完全利用使用多晶矽薄膜作爲主動層之優點。 實施例2 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 在依實施例1完成至圖5 C後，而且，宜由使用殼材 料，諸如高度氣密之保護薄膜（諸如層形薄膜或紫外線硬-化樹脂薄膜）或陶瓷密封罐執行包裝（密封），俾不曝露 於大氣中。由使殻材料內部爲惰性環境，並由置一乾燥劑 (例如，氣化鋇）於殼材料內，E L層之可靠性（壽命） 此時增加。 而且，在由包裝處理增加氣密程度後，附裝一連接器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-33 - 515109 A7 B7 五、發明説明（31) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (可撓性印刷電路，F P C )，用以連接基體上所構製之 元件或電路之輸出端及外部輸入端之間，完成所製之產品 。在此可運輸狀態中之E L顯示裝置在整個本說明書中稱 爲E L模組。 在此使用圖7 A及7 B，說明E L模組之構造。構製 一像素部份702，一閘信號方驅動電路703，一資料 信號方驅動電路7 0 4，及一信號處理部份（驅動電路以 外之一電路群，諸如分波電路及增強電路）705於基體 701上。閘信號方驅動電路703，資料信號方驅動電 路7 0 4，及信號處理部份7 0 5由本發明構製於像素部 份之內部上。而且，雖未顯示於圖中，但來自各別驅動電 路及信號處理部份之接線經由F P C 7 0 6連接至外部裝 備。 此時構製殼材料707，包圍像素部份。注意殼材料 7 0 7爲具有大不規則之形狀，其中，內部大小（深度） 大於像素部份7 0 2之外部大小（高度），或具有片形狀 ，且由透明材料製造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且’殼材料7 〇 7由黏著劑7 0 8固定於基體 7 0 1上’俾與基體成一氣密空間7〇9，如顯_ 示於圖7 B。此際，E L元件在完全密封於上述氣密空間 中之狀態’且完全不在外部大氣中。注意可構製多個殻材 料 7 0 7。 宜使用一絕緣物質，諸如璃或聚合物作爲殼材料 7 〇 7 °以下可作爲一例：非晶質玻璃（諸如矽酸硼玻璃 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS )八4胁（21〇><297公慶） -34· 515109 A7 B7 五、發明説明（32 或石英）；結晶玻璃；陶瓷玻璃，有機樹脂（諸如丙烯酸 樹脂，苯乙烯樹脂，及環氧樹脂）：及矽樹脂。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可使用黏著劑，諸如環氧樹脂或丙烯酸樹脂作爲黏著 劑7 0 8之材料。而且，亦可使用熱硬化樹脂或光硬化樹 月旨作爲黏著劑。注意需使用一材料，此儘可能不發射氧及 濕氣。 而且，宜由惰性氣體（諸如氬，氨，或氮）塡滿殼材 料7 0 7及基體7 0 1間之空間7 〇 9。並不限於氣體， 且亦可使用惰性液體（諸如液體氟酸碳，普通爲氟鹼）。 有關惰性液體，可參考諸如日本專利申請書公報H e i 8 一78519號所述之材料。 有效製造乾燥劑於空間7 0 9內。可使用日本專利申 請書公報He i 9 — 148066中所述之材料作爲乾燥 劑。普通可使用氧化鋇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構製具有E L元件之多個隔離之像素於像素部份中， 且所有像素具有一陽極作爲公共電極。在由參考編號 7 1 1所標示之一區域中，經由與像素電極相同材料所製 之一連接線7 1 2連接陽極7 1 0至一輸入/輸出接線 7 1 3。輸入/輸出接線7 1 3爲用以施加預定電壓於陽-極7 1 0上之接線，且經由導電性糊漿7 1 4連接至 F P C 〇 在此使用圖8A至8 C，說明用以在區域7 1 1中實 現接觸結構之製造程序。 首先，依據實施例1之程序，獲得圖5 A之狀態。此 •35- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） 515109 A7 __B7_ 五、發明説明（33 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 際移去基體之邊緣部份中之接觸部份（由圖7 B中之參考 編號7 1 1所示之區域）中之第一層間絕緣薄膜54 4及 閘絕緣薄膜5 1 4，並構製輸入一輸出接線7 1 3。當然 ，此可與與圖5 A之源接線及汲接線同時構製（閱圖8 A )' _ 其次蝕刻圖5 B中之第二層間絕緣薄膜5 5 3及第一 鈍化薄膜5 5 2，移去由參考編號8 0 1所標示之一區域 ，並構製一開口部份802。然後構製連接線712，以 覆蓋開口部份802。連接線712當然可與圖5B中之 像素電極554同時構製（閱圖8B)。 在此狀態中，在像素部份中執行E L元件構製程序（ 構製第三層間絕緣薄膜，陰極，及EL層之程序）。此際 並不使用蔽罩等構製第三層間絕緣薄膜及E L元件於圖 8 A至8 C所示之區域中。在構製E L層5 5 7後，使用 另一蔽罩構製陽極5 5 8。如此經由連接線7 1 2電連接 陽極5 5 8及輸入一輸出接線7 1 3。而且，構製第二鈍 化薄膜5 5 9，獲得圖8 C所示之狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此達成由圖7B之參考編號711所示之區域中之 接觸結構。然後連接輸入-輸出接線7 1 3經殻材料 707及基70 1間之空間而至FPC706 (注意此空 間由黏著劑7 0 8塡滿，即是，黏著劑7 0 8需具有一厚 度可充分塡平輸入-輸出之隆起）。黏著劑707所形成 之部份被壓於殼材料7 0 7及基體7 0 1之間，且故此， 如此處有一元件或電路，則可能受損壞，但如僅一接線通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17^ ' 515109 A7 _____B7 _ 五、發明説明（34 ) 過，如圖7 B中者，則無問題。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 注意製造實施例2中所示之主動矩陣式E L顯示裝置 之方法可依實施例1執行。 «施例3 _ 使用圖1 0，說明實施例3之本發明之主動矩陣式 E L顯示裝置之像素部份之斷面結構。注意在圖1 0中， 與圖1相同之部份註以與圖1相同之符號。 在圖1 0中，參考編號1 0 〇 1標示一電流供應線， 此連接至電流控制T F T之一源區（未顯示於圖中）。而 且，參考編號1 0 0 2標示一資料線，此連接至一開關 TFT之源區（未顯示於圖中）。 電流供應線1 0 0 1及資料線1 〇 〇 2存在於在與閘 接線平行之方向上安排之相鄰像素之間。故此，用以相互 連接不同像素中所構製之驅動電路TFT (形成驅動電路 之一部份之TFT)之接線需越過電流供應線1 〇 〇 1及 資料線1 0 0 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此情形，可提出諸如實施例3中所示之方法。首先 爲用以在與鬧電極3 9及4 3同時製造一第·一連接芽泉 1003 ’並使第一連接線1003通過諸如資料線等接 線下方之方法。此方法使用於實施例3中，以連接電流供 應線1001及CMOS電路l〇〇〇b。 而且，其次爲製造一第二連接線1 0 0 4之方法，此 越過電流供應線1 0 0 1及/或資料線1 〇 q 2。此方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐）~ ----- 515109 A7 __ B7_ 五、發明説明（35 ) 用以連接實施例3中之一 CMOS電路1 〇 〇 〇 a及 CMOS 電路 1000b。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此情形，在打開第二層間絕緣薄膜5 5 3中之一接 觸孔後，可在圖5 B之程序中構製第一連接線i 〇 〇 4 ( 非1象素電極）。其次構製一層間S緣薄膜，覆蓋第二連接 線1004，打開一接觸孔，並可構製像素電極。 注意電流供應線1 0 0 1及資料線1 〇 〇 2構製於實 施例3之同層上，但二者亦可構製於分開之層上。即是， 電流供應線1 0 0 1或資料線1 0 0 2可構製於圖1 0之 第二連接線1 0 0 4之層中。在此情形，第二連接線可構 製於與閘接線同層上，通過電流供應線及資料線上方。 實施例3之特徵故此爲使用構製於與電流供應線及資 料線不同層中之連接線，且依此，電流供應線及資料線相 交。可使用與閘接線，或構製於資料接線及閘電極間之一 層中之一接線相同之接線作爲實施例3之連接線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意實施例3之結構可由參考實施例1製造。而且， 可實施實施例3之構造與實施例2所示之E L顯示裝置合 倂。 實施例4 使用實施例3之構造及構製一驅動電路於一像素內之 情形之一例說明於實施例4中。明確言之，顯示製造一轉 移暫存器於一像素部份內（內部）之一例。 圖1 1 A爲像素部份之一像素之放大頂視圖，及圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ % β 515109 A7 B7 五、發明説明（36 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 B爲該像素之電路圖。開關TF T2 0 1及電流控制 TFT2 0 2具有與圖1相同之符號。參考編號1 1 0 1 標示一儲存電容器，此執行儲存供應至電流控制 T F T 2 0 2之閘極之電壓經一框週期之工作。注意假定 由^使用多閘結構於開關T F T 2 Q 2上，而儘可能降低開 關TFT2 0 2之斷電流，則可略去儲存電容器1 1 0 1 〇 儲存電容器11〇1在實施例4中構製於電流控制 TFT2 0 2及電流供應線1 1 0 2之間。當然，電容器 亦可構製於電流控制TFT之源區及電流控制 T F T 2 0 2之一閘電極（包含閘接線）之間。 而且，轉移暫存器之一部份（正反電路）顯示在像素 內，及一正反電路由以下三部份構成：一反相器1 1 0 3 ，及定時反柑器1 1 04及1 1 0 5。正反器在實際轉移 暫存器中串連。 而且，V g爲閘信號，V s爲源信號（資料信號）， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V d d !(電流供應線1 1 0 2 )爲施加於E L元件2 0 3 之一陰極上之陰極信號，Vek爲時脈信號上一橫意 爲反相之Vu) ，Vdd2爲定時反相前方信號，及 Vdd3爲定時反相器之負荷方信號。注意在實施例4中’ 地電位施加於V d d 1上。 構製一正反電路於一像素上，具有實施例4中之結_ ，並與構製於相鄰像素內之另一正反電路串連。當Vcr然 後橫過像素之間時，可使用連接線1 106至1 1 1 5 ’ -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A7 B7 五、發明説明（37 ) 如由圖1 0之參考編號1 0 0 4所標示之連接線。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 注意連接線1 1 1 4及1 1 1 5可與資料線及電流供 應線同時製造。換言之，如不在同一層上相交，則並無問 題，且當一接線與另接線相交時，操作者可適當設定在何 層~上構製另一接線。 _ 注意可自由合倂實施例4之構造及實施例1至3之任 一之構造。 實施例5 與實施例4不同之一主動矩陣式E L顯示裝置之結構 之例說明於實施例5中。明確言之，圖1 2顯示圖1 1所 示之像素結構之閘接線之不同材料之一例。注意圖1 2之 結構幾乎與圖1 1者相同，故僅說明其不同部份。 在實施例5中，由使用三閘結構於開關TFT中，設 定斷電流等於或小於10pA(宜等於或小於ΙρΑ)。 故此略去圖11中所示之儲存電容器11〇1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1 2中，參考編號6 1 a至6 1 c標示由氮化鎢 薄膜及鎢薄膜之疊層薄膜所構成之閘電極，與實施例1之 閘電極相似。此等各可由一獨立之圖案構成，如顯示於圖-12，且可製成一圖案，其中各電連接，但在製造時，閘 電極在電浮動狀態。 亦可使用其他導電性薄膜，諸如一氮化鉅薄膜及一鉬 薄膜之疊層薄膜，或組及鎢之一合金薄膜作爲閘電極 6 1 a至6 1 c。然而，宜使用具有較優之處理特性之一 •40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A7 B7 五、發明説明（38 ) 薄膜，能製造等於或小於3 /zm (宜等於或小於2 vm) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之細寬度。而且宜使用不含有會擴散進入主動層中之元素 之一薄膜作爲絕緣薄膜。 另一方面，使用具有電阻低於閘電極6 1 a至6 1 c 之·'一導電性薄膜作爲閘接線6 2丨普通爲宜有鋁作爲其主 要組成份之合金薄膜，或具有銅作爲其主要組成份之合金 薄膜。在閘接線6 2上無需特別細處理特性。而且，閘接 線並不重疊主動層，且故此，如閘接線含有容易擴散通過 絕緣薄膜之鋁或銅，亦無問題。 在製造實施例5之結構中，宜在實施例1之圖4D之 步驟中構製第一層間絕緣薄膜5 4 4之前，執行一活化程 序。在此情形，使閘電極6 1 a至6 1 c在曝露狀態中施 加熱處理，但閘電極6 1 a至6 1 c不由在充分惰性大氣 中執行熱處理而氧化，宜在氧濃度等於或低於1 P pm中 。即是，不由氧化而增加電阻値，且閘電極不由不易移去 之一絕緣薄膜（氧化物薄膜）覆蓋。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在完成活化程序後，然後構製具有鋁或銅作爲其主要 組成份之一導電性薄膜，且可由濺散法構製閘接線。閘電 極6 1 a至6 1 c及閘接線6 2間之接觸部份此際維持良_ 好之歐姆接觸，且可施加預定之閘電壓於閘電極6 1 a至 6 1 c 上。 由諸如實施例5之結構儘可能降低閘接線之接線電阻 ，此在減小接線滯後上極爲有效。注意實施例5中之圖 1 2所示之像素結構並不任何限制本發明，且僅爲一較宜 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A7 B7_ 五、發明説明（39 ) 實例。而且，可自由合倂實施例5之構造及實施例1至3 之任一之構造。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例6有效使用具有高度散熱效果之材料作爲圖1 所示之結構中之主動層及基體11間所構製之基層薄膜 Γ 2。明確言之，相當大量之電瘅在長時間中流於電流控 制TFT中，且故此，電流控制TFT容易溫度上升，且 由於自我發熱而引起品質下降，成爲一問題。在此情形， 可使基層薄膜具有散熱效果而控制T F T之熱品質下降’ 如在實施例6。 可提出含有選自B (硼），C (碳），及N (氮）所 組之群中之至少一元素，及選自A1(鋁），Si (矽） ，及P (磷）所組之群中之至少一元素之一絕緣薄膜作爲 具有散熱特性之發光材料。 例如，可使用：一氮化鋁化合物，普通爲氮化鋁（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 1 X N y );一碳化矽化合物，普通爲碳化矽（SixCy ):一氮化硼化合物，普通爲氮化硼（BxNy);或一磷 化硼化合物，普通爲磷化硼（PxPy)。而且，氧化鋁化 合物，普通爲氧化鋁（A 1 x〇y)具有較優之光透明特性 ，並具有導熱系數爲2 OWm-iK-1，且可說爲較佳材駚_ 之一。注意X及y爲以上透明材料之隨意整數。 以上化合物亦可與另一元素合倂。例如，可使用氧氮 化鋁，由A 1 Nx〇y表示，其中，氮加於氧化鋁中。此材 料不獨具有散熱效果，且亦有效防止諸如濕氣及鹼金屬之 穿透。注意X及y爲以上氧氮化鋁之隨意整數。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A7 B7 五、發明説明（40 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，亦可使用日本專利申請書公報S h 〇 6 2 — 90260號中所發表之材料。即是，亦可使用包含S i ，A1 ，N，〇，及Μ之絕緣薄膜（注意Μ爲稀土元素， 宜爲選自Ce (硒），Yb (釔），Sm (釤），Er ( 餌 Ί ，Υ (鏡），：L a (鑭），G_ d (釔），D y (鏑） ，及Nd (銨）所組之群中之一元素）。此等材料不獨具 有散熱效果，且亦有效防止諸如濕氣及鹼金屬等物質之穿 進。 而且，亦可使用碳薄膜，諸如鑽石薄膜或非晶質碳（ 尤其是具有接近鑽石等特性者；稱爲似鑽石之碳）。此等 具有非常高之導熱係數，且爲極爲有效之輻射層。注意如 薄膜厚度增加，則有黃帶化，且傳導係數降低，且故此， 宜使用儘可能薄之薄膜厚度（宜在5及1 〇 〇 nm之間） 〇 而且，可使用由具有以上散熱效果之材料本身所製之 薄膜，且可使用此等薄膜及含矽之一絕緣薄膜之疊層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意可自由合倂實施例6之構造及實施例1至5之任 一之構造。 實施例7 宜使用有機E L材料作爲實施例1中之E匕層，但本 發明亦可使用無機 E L材料實施。然而，本無機E L材料具有極高之驅 動電壓’且故此’應使用具有能抵抗此驅動電壓之電壓電 43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A7 B7 五、發明説明（41 ) 阻之T F T。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，假定在將來發展出具有較低驅動電壓之無 機E L材料，則可應用其於本發明中。 而且，可自由合倂實施例7之構造及實施例1至6之 任一之構造。 _ 實施例8 由實施本發明所構製之主動矩陣式E L顯示裝置（ E L模組）較之液晶顯示裝置在發亮位置上具有較高之能 見度，因爲此爲自我發射式裝置。故此，本發明可實施於 直視EL顯示器（表示裝有EL模組之顯示器）。可提出 以下作爲此E L顯示器之例：個人電腦監視器，電視廣播 接收監視器，及廣告顯示監視器。 .而且，可實施本發明於含有顯示器之所有電子裝置上 ，包含以上E L顯示器，作爲一組成件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可提出以下作爲此種電子裝置之例：E L顯示器，電 視攝影機，數位攝影機，頭戴顯示器，車用導航系統，個 人電腦，便攜式資訊端未機（諸如行動電腦，行動電話機 ，或電子書），及影像回放裝置，使用記錄媒體（明確言一 之，執行記錄媒體之回放，並設有能顯示影像之顯示器之 裝置，諸如小巧碟（CD)，雷射碟（LD)，或數位影 碟（DVD))。此等電子裝置之例顯示於圖13A至 1 3 F。 圖13A爲個人電腦，包含一主體2001 ’一殻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A7 B7 五、發明説明（42 ) 2002，一顯示部份2〇〇3 ’及一鍵盤2004。本 發明可使用於顯示部份2 〇 0 3中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖13B爲電視攝影機，包含一主體2 10 1 ，一顯 示部份2102，一聲音輸出部份2103 ’操作開關 2_ 104，電池2105，及一鬆像接收部份2106。 本發膽可用於顯示部份2 1 0 2中。 圖1 3 C爲頭戴E L顯示器（右方）之一部份，包含 一主體2301，一信號電纜2302 ’ 一頭固定帶 2303，一顯示監視器2304 ’ 一光學系統2305 ，及一顯示裝置2306。本發明可使用於顯示裝置 2 3 0 6 中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3 D爲影像回放裝置（明確言之，一 DVD回放 裝置），設有一記錄媒體，包含一主體2401，一記錄 媒體（諸如CD，LD，或DVD) 2402，操作開關 2403，顯示部份（a) 2404，及一顯示部份（b )2405。顯示部份（a)主要用於顯示影像資訊，及 影像部份（b )主要用以顯示字元資訊，及本發明可用於 影像部份（a )及影像部份（b )中。注意本發明可用作 影像回放裝置，裝置中具有記錄媒體，諸如C D回放裝置-及遊戲裝備。 圖13E爲行動電腦，包含一主體2501 ，一攝影 部份2502，一影像接收部份2 503，操作開關 2504，及一顯示部份2505。本發明可用於顯示部 份2 5 0 5中。 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 515109 A7 B7 五、發明説明（43 ) 圖13F爲一 EL顯示器，包含殼260 1 ，一支座 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 602，及一顯示部份2603。本發明可使用於顯示部 份2 6 0 3中。本發明之E L顯示器在大螢幕之情形特別 有利，且有利於具有對角線大於或等於1 0吋之顯示器（ 尤_其是大於或等於3 0吋者），因_其能見度之範圍廣大。 而且，如E L材料之發光在將來提高，則可使用本發 明於前置或後置式投影器中，使用透鏡或類似者放大並投 射含有影像資訊之輸出光。 故此，本發明之應用範圍非常廣大，且可應用本發明 於所有各方面之電子裝置中。而且，實施例8之電子裝置 亦可使用實施例1至7之任一種之合倂之構造達成。 由實施本發明，可製造驅動電路及其他信號處理電路 於主動矩陣式E L顯示裝置之像素部份內（在像素部份之 同一區域中），光自與基體相反方輸出，且達成主動矩陣 式E L顯示裝置之小型化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，由安排基體上所構製之T F T成最佳構造之 TFT，達成高度可靠之主動矩陣式EL顯示裝置，適合 電路及元件所需之性能。 _ 然後由安裝此式之主動矩陣式E L顯示裝置成一顯示-器，則可產生高度可靠之小型電子裝置。 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍 附件一： 第89.1 1 2226號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年3月修正 1 _ 一種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置’該 顯示裝置包含： 基體； 多個開關薄膜電晶體，設置於基體上之顯示裝置之各 別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，形成於基體上，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 至少一層間絕緣薄膜，形成於開關薄膜電晶體及電流 控制薄膜電晶體上； 多個像素電極，形成於該層間絕緣薄膜上，分別電連 接至該電流控制薄膜電晶體； 電發光層，形成於每一該像素電極上；及 驅動電路，包含至少一 C Μ ◦ S電路， 其中，至少該一 C Μ〇S電路置於該像素電極下方。 2 _ —種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置，該 顯示裝置包含： 基體，具有一顯示部份； 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，每一 該元件包含陰極，電發光層，及陽極，·及 - 驅動電路，包含薄膜電晶體，形成於基體上， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----·,-------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109

   Α8 Β8 C8 D8 κ、申請專利範圍 其中’驅動電路之至少一該薄膜電晶體配置於基體之 該顯示部份中。 3.—種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置 該顯示裝置包含： 基體； 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示裝置之 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，形成於該基體上，其中， 每一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 驅動電路，包含第三薄膜電晶體，形成於該基體上； 至少一層間絕緣薄膜，形成於該開關薄膜電晶體、該 電流控制薄膜電晶體、及該第三薄膜電晶體上； 多個像素電極，形成於該層間絕緣薄膜上，分別電連 接至該電流控制薄膜電晶體；及 電發光層，形成於每一該像素電極上， 其中，該第三薄膜電晶體之至少之一置於該像素電極 下方。 4 . 一種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置，該 顯示裝置包含： 基體； 至少第一及第二閘接線，平行延伸於基體上； 至少一貪料彳目號線，延伸橫過該第一及第二閘接線； 及 | ^ 至少一電流供應線，延伸平行於資料信號線，且延伸 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）- -------訂------4|| (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 橫過該閘接線； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 開關元件，電連接至該第一閘接線及該資料信號線； 電流控制元件，電連接至該電流供應線，其中，該電 流控制元件由該開關元件啓閉； 至少一 C Μ〇S電路，置於由該第一及第二閘接線、 該資料信號線、及該電流供應線所包圍之區域中；及 驅動電路，包含至少該一 C Μ 0 S電路。 5 . —種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置，該 顯示裝置包含： 基體； 至少第一及第二聞接線，平行延伸於基體上； 至少一資料信號線，延伸橫過該第一及第二閘接線； 及 至少一電流供應線，延伸平行於該資料信號線，且延 伸橫過該閘接線，其中，像素區由該第一及第二閘接線、 該資料信號線、及該電流供應線所包圍之區域界定； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至少一第一 C Μ〇S電路，配置於該像素電極中；及 至少一第二CMO S電路，配置於該基體上，與像素 區相鄰；及 連接線，連接該第一 C Μ〇S電路及該第二C Μ〇S 電路’該連接線延伸橫過該資料信號線及該電流供應線之 至少之一。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中，該連 接線由與該C Μ〇S電路之閘電極相同之層形成。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 A8 B8 C8 ___ D8 __: 六、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中，該連 接線由與資料信號線及電流供應線不同之層構成。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 9 .如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，該電 發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 1 0 .如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中，該 裝置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、 及行動電腦之一。 1 1 .如申§靑專利圍弟2項所述之裝置，其中，該 電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 1 2 .如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中，該 裝置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、 及行動電腦之一。 1 3 ·如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中，該 電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 1 4 ·如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中，該 裝置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、 及行動電腦之一。 . 1 5 .如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中，該 電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 1 6 .如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中，該 裝置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、 本、^：尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - : 一 — IIII.——费------、灯-----1# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 515109 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 及行動電腦之一。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 7 .如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中，該 電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 18.—種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 該顯示裝置包括： 基體，具有顯示部份；. 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示部份之 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，每一 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 驅動電路，包含薄膜電晶體，形成於該基體上， 其中，該驅動電路之該薄膜電晶體之至少一者配置於 基體之該顯示部份中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯不器、影像播放裝置、及 行動電腦之一'° 2 0 _如申請專利範圍第1 8項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。. 21.—種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 該顯示裝置包括： 基體； ’ 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之各別像素處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 ， 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上·，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 至少一層間絕緣薄膜，形成於該開關薄膜電晶體及該 電流控制薄膜電晶體上； 多個像素電極，形成於該層間絕緣薄膜上，電連接至 該電流控制薄膜電晶體； 移位暫存器，包括多個CM〇S電路；及 連接線，連接該多個C Μ〇S電路中的每一 C Μ〇S 電路， 其中，該多個CM〇S電路位於該像素電極下方，及 其中，該連接線形成於與該多個C Μ〇S電路相同的 層上。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 ί了動電腦之一。 2 3 .如申請專利範圍第2 1項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 2 4 . —種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 該顯示裝置包含： 基體； 至少第一及第二閘接線，平行延伸於一基體上； 至少一資料信號線，延伸橫過該第一及第二閘接線； 及 本紙^尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公董) :" 41^------訂------IIH (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 515109 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至少一電流供應線，延伸平行於該資料信號線，且延 伸橫過該閘接線； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 至少一開關薄膜電晶體，與該閘接線及資料信號線連 接； 至少一電流控制薄膜電晶體，與該電流供應線連接， 其中’ s亥電流控制薄膜電晶體由該開關薄膜電晶體啓閉； 正反器電路’位於該第一及第二閘接線、該資料信號 線及該電流供應線圍繞的區域中；及 連接線’連接該正反器電路，該連接線延伸橫過該閘 接線， 其中’該連接線形成於與該資料信號線及該電流供應 線任一者不同的層上。 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置及 行動電腦之一。 2 6 .如申請專利範圍第2 4項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 7 · —種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 該顯示裝置包含： 基體； 至少第一及第二閘接線，平行延伸於一基體上； 至少一資料信號線，延伸橫過該第一及第二鬧接線； 及 至少一*電流供應線’延伸平订於該資料信號線，且延 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 515109 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 伸橫過閘接線； 至少第一 CMO.S電路及第二CM〇 S電路，配置於 該第一及第二閘接線、該資料信號線及該電流供應線圍繞 的區域中； 至少一第一連接線連接該第一 C Μ ◦ S電路與該第二 C Μ ◦ S電路；及 至少一第二連接線連接該電源供應線與該第一及第二 C Μ〇S電路之一； 其中，該第一連接線延伸於該資料訊號線及該電流供 應線之上；及 其中，該第二連接線延伸於該資料信號線之下。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 2 9 .如申請專利範圍第2 7項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 3 0 . —種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 該顯示裝置包括： 基體，具有顯示部份； 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示部份之 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，每一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公着1 ' —— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515109 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 驅動電路，包含薄膜電晶體，形成於該基體上’該驅 動電路包括至少一資料信號驅動電路， 其中，該驅動電路之該薄膜電晶體之至少一者置於s 體之該顯示部份中。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之裝置，其中’ 1亥裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、& 行動電腦之一。’ 3 2 .如申請專利範圍第’ 3 0項所述之裝置’其中’ 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 3 3 .如申請專利範圍第3 0項所述之裝置’其中’ 該資料信號驅動電路包括移位暫存器、位準偏移器、$ _ 器、D / A轉換器、及取樣電路。 3 4 · —種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置’ 該顯示裝置包括： 基體，具有顯示部份； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯斧:^ @ = 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上Φ _ 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體胃® ; 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份Φ > 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 驅動電路，包含薄膜電晶體，形成於該基體t _ 動電路包括至少一閘信號驅動電路， __――___—^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -9 - 515109 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中，該驅動電路之該薄膜電晶體之至少一者配置於 基體之該顯示部份中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 3 5 ·如申目靑專利車β圍弟3 4項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 3 6 .如申請專利範圍第3 4項所述之裝置，宜中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 3 7 .如申請專利範圍第3 4項所述之裝置，其中， 該資料信號驅動電路包括移位暫存器、位準偏移器、，緩_ 器。 3 8 一^種具有至少一*電發光顯不裝置之電子裝置， 該顯示裝置包括： 基體’具有顯不部份； 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示部份& 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，每〜 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 驅動電路，包含第一薄膜電晶體，形成於該基體上； 及 分波電路，包括第二薄膜電晶體，形成於該基體上； 其中，該第一薄膜電晶體中至少之一及該第二薄膜電 晶體中至少之一配置於基體之該顯示部份中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -10 - 515109 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 3 9 .如申請專利範圍第3 8項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 0 _如申請專利範圍第3 8項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 41·一種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 該顯示裝置包括： 基體，具有顯示部份； 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示部份之 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，每一 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 驅動電路，包含第一薄膜電晶體，形成於該基體上； 升壓電路，包括第二薄膜電晶體，形成於該基體上； 其中，該第一薄膜電晶體中至少之一及該第二薄膜電 晶體中至少之一配置於基體之該顯示部份中。 4 2 .如申請專利範圍第4 1項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 4 3 .如申請專利範圍第4 1項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 · 4 4 . 一種具有至少一電發光顯示裝置之電子裝置， 本、尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公慶1~—------ 515109 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該顯示裝置包括： 基體，具有顯示部份； 多個開攜薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示部份& 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體，位於該基體上，其中，每 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，§ _ 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 驅動電路，包含第一薄膜電晶體，形成於該基體上； 伽瑪補償電路，包括第二薄膜電晶體，形成於該基 上； 其中，該驅動電路之該第一薄膜電晶體中至少之一及 該第二薄膜電晶體中至少之一置於基體之該顯示部份中。 4 5 .如申請專利範圍第4 4項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 4 6 .如申請專利範圍第4 4項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯币裝置。 4 7 一*種具有至少一*電發光藏不裝置之電子裝置， 該顯示裝置包括： . 基體，具有顯7^部份； 多個開關薄膜電晶體，設置於該基體上之顯示部份之 各別像素處； 多個電流控制薄膜電晶體’位於該基體上，其中，每 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇x297公慶） -12 - IT (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 515109 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一電流控制薄膜電晶體由各別之開關薄膜電晶體啓閉； 多個電發光元件，形成於該基體之顯示部份中，每一 該元件包含陰極、電發光層、及陽極；及 驅動電路，包含第一薄膜電晶體，形成於該基體上； 記憶體，包括第二薄膜電晶體，形成於該基體上； 其中，該驅動電路之該第一薄膜電晶體中至少之一及 該第二薄膜電晶體中至少之一配置於基體之該顯示部份中 〇 4 8 .如申請專利範圍第4 7項之裝置，其中，該裝 置爲個人電腦、攝影機、頭戴顯示器、影像播放裝置、及 行動電腦之一。 4 9 .如申請專利範圍第4 7項所述之裝置，其中， 該電發光顯示裝置爲有機電發光顯示裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 13 -