TW529068B - Package method of manufacturing electronic chip element on wafer - Google Patents

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Hung-Yi Juang
Guo-Shu Tzeng
Ying-Chang Wu
Cheng-Er Fan
Jr-Sheng Guo
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Cyntec Co Ltd
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

529068 案號 91100505 曰 五、發明說明(1) 〈發明之範圍〉 本發明是有關一種 法,特別是一種藉由將 上,次藉由預定寬度間 覆或真空壓膜方式,以 省製造成本與時間之目 〈先前技藝之描述〉 習見之電子晶片元 元件結構製作於陶瓷基 結構之陶瓷基板根據所 電子晶片元件單元1 1 0 ; 方式’將封裝材料藉由 ^喷上一層薄膜並使其 政熱聚合物層被覆於電 之電子晶片元件。 上述電子晶片包裝 時仍有不足:1.利用塗 之電子晶片元單元上, 電子晶片單元上喷上一 ,片元件單元為之,故 裝薄膜以後,包裝薄膜 使用時必須將接線面的 不便。 修正 以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 電子晶片元件間隔排列製作於晶圓 隔蝕刻為長形孔槽,再利用光阻劑被 快速地包裝電子晶片元件,而達到節 的者。 件,如第1A圖至第1 c圖所示,係先將 板1 0 0上,其次將整塊已完整製作元件 需’藉由切副機具8 0 0切割成為個別之 然後利用噴賤法(S p u 11 e r i n g)或其他 噴濺設施90 0於電子晶片元件單元j 1() 乾餘,3.或利用塗覆法(未示出),使 子晶片元件單元1 1 〇上,即得以包裝士: l 製造方法’係有一定功效,但是實施 覆法將散熱聚合物層被覆於切割過後 或濺鍍法(Sputtering)藉由噴濺設備於 層薄膜之方式,由於係對單一之電子 費時費工,而電子晶片單元之喷濺包 乃將整個電子晶片元件單元被覆,在 包裝薄膜膜除,而多出其製作程序而 、 由於上述之包裝方 子晶片元件形 法有其缺點,故有另外一種包裝方 成於基板上以後,先將基板上之電子
第5頁 529068 _寒號9丄 100505-— 年—月 日 修正_ 五、發明說明(2) ' ' ^ 晶片元件被覆包裝膜’然後再切割成為電子晶片元件單元 者,惟此種包裝方法,無法將電子晶片元件之周面被覆包裝 膜,經常要再使用時作第二次封裝,亦有不便之處。 又 有鑒於習見之電子晶片元件之製造方法,存在上述之缺 點’發明人乃針對该缺點研究改進之道,經長時研究改戸 終於有本發明之產生。 〈發明之總論〉 有鑑於此’本發明即旨在提供一種以晶圓製造電子晶片 元件之包裝方法,根據本發明之此種電子晶片元件之包裝方 法’其可迅速地達成包裝電子晶片元件之目的,而可節省穿j 造成本與過程,此為本發明之第一目的。 根據本發明之此種電子晶片元件之包裝方法,其不但可 迅速地達成包裝電子晶片元件之目的,並維持了電子晶片元 件較佳之品質;此為本發明之再一目的。 根據本發明之此種電子晶片元件之包裝方法,其包裝完 成的電子晶片元件之包裝,即為完整之包裝,再使用實無需 要再作第二次包裝等不便之情形。 至於本發明之詳細構造、應用原理、作用與功效、則可 參照下列附圖所做之說明即可得到完全的瞭解。 〈較佳具體實施例之描述> 第1A圖至第1 C圖係習見電子晶片元件之製造方法之實施 例示意圖;其作用和其缺點’已如前所述’此處不再重複敘 述〇 第2圖係本發明之此種以晶圓製造電子晶片70件之包裝方 法之程序圖;由該圖所示,本發明包括數個程序: — __- 丨 — —
529068 _-_91100505 _3 曰 修正 五、發明說明(3) 1 ·先將電子晶片元件製作於晶圓(w a f e r )上,使電子晶片元件 呈間隔排列(程序A),其上之電子晶片元件呈間隔排列,使兩 行間隔排列之電子晶片元件間隔一距離(請參照第3圖); 2 ·其次’將上述晶圓中未形成電子晶片元件之部份,依照帥 圓上電子晶片元件之間間隔之寬度,蝕刻出長形孔槽(程序 B); 3 ·藉由真空壓膜之設施,於已蝕刻出長形孔槽之晶圓上被 負型光阻薄膜(Photo Resist Film)(程序C1),亦可將整片』 圓浸潰於液態光阻劑之容槽中,使晶圓完整被覆一層光阻劑 (程序D1 ); 4 ·將晶圓加熱,使光阻薄膜緊密貼合於晶圓上(程序[2 )或相 光阻劑乾燥而被覆一層光阻劑(程序D 2 ); 5·利用曝光顯影的方式’將晶片中須與外電路接觸之接觸对 露出,同時亦將行與行間之光阻分離,此時Φ 2 ^ ” T电子7G件之上下 二面及左右侧邊均已被光阻所保護(程序Ε ); 6.將已封裝好之晶圓置入15〇1〜20(TC之氮氣烘箱加執,相 光阻產生交聯反應(cross-linking 7·最後將電子晶片元件從晶圓分割出來,即可勺姑—a … „ J巴展元成之I 子晶片元件單元(程序G)。 第3圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元侔 ^ _ f v 1十之包裝方法: 其中晶圓之示思圖;本發明係先製造表面具有電子晶片元件 構造之晶圓之形狀(程序A);晶圓1 〇之構造圖如第3aM圖中^所 示;其中晶圓1 0上具有多數電子晶片之構造丨〇丄, 102,……,電子晶片元件之構造101,102呈間隔排列,而使 兩排相鄰之電子晶片兀件構造1 〇 1,1 〇 2之間具古一叫γ彳、· — , 間隔 1 1 ,
529068
529068 案號 91100505 年 月 曰 修正 五、發明說明(5) 之包裝方法,可有效藉由4虫刻形成晶圓上成列電子元件所預 設之間隔,成為長形孔槽,再以與光阻劑與真空壓膜並加 熱,或利用浸潰光阻劑之方式,快速地包裝電子晶片元件, 而達到節省製造成本與時間之效果,而並未見諸公開使用, 合於專利法之規定,懇請賜准專利,實為德便。 需陳明者,以上所述乃是本發明較佳具體的實施例,若 依本發明之構想所作之改變,其所產生之功能作用仍未超出 說明書及圖式所涵蓋之精神時,均應在本發明之範圍内,合 予陳明。
第9頁 529068 _案號91100505_年月曰 修正_ 圖式簡單說明 第1 A圖至第1 C圖係習見電子晶片元件之製造方法之實施 例示意圖。 第2圖係本發明之此種以晶圓製造電子晶片元件之包裝 方法之程序圖。 第3圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方法 ,其中晶圓之示意圖。 第3 A圖係第3圖中,晶圓之結構示意圖。 第4A與係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 法,其中真空壓膜製程中,光阻薄膜緊密附著於晶圓上之示 意圖。 第4B圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 法,其中真空壓膜製程中,電子晶片元件為光阻型保護層所 被覆之示圖。 第4C圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 法,其中真空壓膜所製之電子晶片元件之結構示意圖。 第5A圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 法,其中整片晶圓浸潰於裝有光阻劑槽中,使晶圓完整被覆 一層光阻劑之示意圖。 第5B圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 法,其中浸潰光阻劑之電子晶片元件為光阻型保護層所被覆 之示圖。 第5C圖係本發明之以晶圓製造電子晶片元件之包裝方 法,其中浸潰光阻劑之電子晶片元件之結構示意圖。
529068 _案號91100505_年月曰 修正_ 圖式簡單說明 <圖式中元件名稱與符號對照> I 0 0 ·陶竞基板 II 0 ··電子晶片元件單元 8 0 0 :切割機具 9 0 0 :高壓喷具 10 *晶圓 11 :長形孔槽 12 :光阻薄膜 13 :光阻劑 14 :電子晶片元件 1 5 :電子晶片與外電路之接觸點 8 0 :真空加熱槽 9 0 :光阻劑槽 (程序A)先將具有電子晶片元件之晶圓 (程序B )於晶圓蝕刻出長形孔槽。 (程序C 1 )藉由真空壓膜製程,將晶圓表面被覆上一層光 阻薄膜(Photo Resist Film)。 (程序C 2)將晶圓加熱,使光阻薄膜可緊密貼合於晶圓 上。 (程序D1 )將整片晶圓浸潰於液態光阻劑容槽中,使晶圓 完整被覆一層光阻劑。 (程序D 2)藉由乾燥程序使光阻劑成為薄膜被覆於晶圓 上。 (程序E)最後將晶圓藉分割成一粒粒之電子晶片元件。
第11頁

Claims (1)

  1. 529068 案號 91100505 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 包括下列 1. 一種以晶圓製造電子晶片元件之包裝方法; 步驟: 將電子晶片元件製作於晶圓之基板上,電子晶片元件並 呈間隔排列;將上述晶圓之電子晶片元件之間之間隔蝕刻成 為長形孔槽; 藉由真空壓膜之設施,於已蝕顆長形孔槽之電子晶片元 件之晶圓上,被覆上一層負型光阻薄膜(Photo Resist Film); 將晶圓加熱,使光阻薄膜緊密貼合於晶圓之電子晶片元 件及長形孔槽之槽壁上; 利用曝光顯影的方式,將晶片中須與外電路接觸之接觸 點露出,同時將行與行間之光阻分離,使電子元件之上下二 面及側邊均被光阻保護; 最後將晶圓分割成個別之電子晶片元件者。 2.如申請專利範圍第1項中所述之以晶圓製造電子晶片元 件之包裝方法,其中已蝕刻出長形孔槽之電子晶片元件係整 片晶圓浸潰於裝有負型光阻劑之容槽中,使晶圓完整被覆一 層光阻劑。
    __ 第12頁
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