JPH02267967A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、少なくとも一つのｐｎ接合を有する半導体基
板表面にマスク剤を被着し、マスク剤で覆われない部分
をエツチングしてメサ溝を形成してメサ溝内面にｐｎ接
合を露出させ、露出したｐｎ接合をガラス、ポリイミド
あるいは接合被覆樹脂（ＪＣＲ）などのパッシベーショ
ン材料でコーティングし、さらに基板表面に金属電極膜
を被着する半導体素子の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体素子を製造する際、半導体基板の一面から内面に
ｐｎ接合を露出させるメサ溝をウェットエツチングによ
り形成し、ｐｎ接合露出面をパッシベーション材料で被
覆し、さらに基板面に金属電極膜を被着するのは、信鯨
性の高い素子を量産するのに適した方法として知られて
いる。このような製造方法として、従来は、例えばｐｎ
接合を形成したシリコン基板面を被覆しているＳ１０よ
膜上に、マスク剤としてフォトレジスト、ポリイミドな
どを塗布し、フォトエツチングで任意のパターンのマス
クを形成したのちウェットエツチングを行い、エツチン
グ終了後マスク剤を除去し、露出したｐｎ接合部にガラ
ス、ポリイミド、接合被覆樹脂などのバッシベーシッン
材をコーティングしていた、また、別の方法として、ウ
ェットエツチング前に全面サンドブラストを行い、シリ
コン基板表面の３１０．膜を除去し荒れた状態にした後
、マスク剤としてフォトレジスト、ポリイミドなどを用
い、バターニングを施してウェットエツチングを行い、
エツチング終了後、マスク剤を除去、またはそのままに
しておいて、露出したｐｎ接合部にガラス、ポリイミド
または接合被覆樹脂などをコーティングしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の製造方法において、ウェットエツチング前にサン
ドブラストを全く行わなかった場合、マスク剤と半導体
基板との密着性が弱く、最悪の場合、メサ溝のウェット
エツチング前にマスク剤の剥離などが生じ、また、露出
したｐｎ接合をコーティングする際もバンシベーシッン
材料の密着性が悪く、問題となっていた。一方、ウェッ
トエツチング前にサンドブラストを行った面に対しては
、マスク剤の密着性は良いが蒸着膜の密着性が劣るので
、電極付けの時に蒸着による安定した電極膜の形成が不
可能となり、金属被膜を半導体基板上に付着させるため
に無電解めっきを用いなければならない、しかし、その
場合めっき液がガラス。

ポリイミド、ＪＣＲなどのパンシベーシッン材料膜に対
して悪影響を及ぼし特性の不安定をもたらす問題があっ
た。

本発明の目的は、上記の問題を解決し、メサ溝形成のウ
ェットエツチング時のマスクの基板との密着性、バンシ
ベーシッン材とｐｎ接合露出部との密着性および金属電
極と基板表面の密着性の良好な半導体素子の製造方法を
提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、本発明は、少なくとも一
つのｐｎ接合を有する半導体基板の一面にマスク剤を被
着し、マスク剤で覆われない部分をエツチングすること
によりメサ溝を形成してメサ溝内面にｐｎ接合を露出さ
せ、マスク剤を除去後露出したｐｎ接合をパフシベーシ
ッン材料で被覆し、さらに半導体基板の少なくとも前記
一面に金属電極膜を被着することを含む半導体素子の製
造方法において、マスク剤を被着する前に半導体基板の
前記一面上に存在する酸化膜のメサ溝形成領域を含むそ
れよりやや広い領域を除去したのち、露出した半導体基
板面をサンドブラストで荒らすものとする。

〔作用〕

半導体基板面のメサ溝形成領域よりやや広い領域をサン
ドブラストし、その領域に存在した酸化膜を除去し、粗
面とすることによりメサ溝形成領域を除いて被着するマ
スク剤は、縁部が粗面上に接着するので、マスク剤の基
板面に対する密着性が向上する。エツチングによりメサ
溝形成後、マスク剤を除去し、露出ｐｎ接合をパフシベ
ーシッン材料で被覆する際も、パフシベーシッン材料膜
の縁部が基板の粗面上に接着するので、パフシベーシ四
ン材料と基板との密着性も向上する。しかも、メサ溝の
近傍以外の基板面は粗面化されていないので蒸着により
安定した電極膜の形成が可能になる。

〔実施例〕

以下第１図ないし第４図を引用して本発明の一実施例に
ついて説明する。第１図（５）、　（ｂｌ、　ｔｅｌは
、シリコン基板の表面粗面化工程を示し、（８）は平面
図、（ｂ）は断面図、（Ｃ）は（ｂ）のＡ部拡大図であ
る０表面に平行なｐｎ接合を形成したシリコン基板の表
面を被覆する５ｔｏｚｌｌ＊　２の一部分３を選択エツ
チングで除去した。除去した部分３は、後工程でメサ溝
を形成する領域を中心としてメサ溝の幅の缶板上の幅を
持った領域である。そしてこのＳ１０．膜２を除去した
領域３をサンドブラストによって粗面化した。第２図（
ａｌ、　（ｂ）、　（ｃ）は、メサ溝のエツチング工程
を示し、第１図と同様（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
、（Ｃ）は（ｂｌＯＡ部拡大図である。この工程ではメ
サ溝４の形成領域以外をマスク剤としてのレジスト膜５
で被覆し、ウェットエツチングを行う。

レジスト膜５は縁部がシリコン基板１表面のサンドブラ
ストされた領域３の上に被着するので、この領域で基板
に密着し、基板から＠離することがない、ウェットエツ
チングの結果、メサ溝４が形成され、その内面にｐｎ接
合が露出する。第３図では、このｐｎ接合露出面にパン
シベーシッン材料としての接合被覆樹脂６をコーティン
グする。

この接合被覆樹脂６の縁部もサンドブラストされた領域
３に密着するので、メサ溝４の内面から剥離することが
ない、第４図は電極付は工程を示し、第４図ｆａｔでは
、必要によれば接合被覆樹脂６をマスクしてエツチング
により表面のｓｈｏ、膜２を除去し、そのあとの第４図
（ｂｌでシリコン基板１の露出面に金属膜７を蒸着する
。基板面は平滑で蒸着膜は密着し、安定した電極膜７が
得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、メサ溝形成領域に接する半導体基板表
面領域をサンドブラストで粗面化することにより、メサ
溝形成領域以外に被着されるマスク剤、メサ溝内面に被
覆されるパンシベーシ町ン材料が縁部でその粗面化領域
に密着して剥離することがなくなり、また粗面化されな
い領域には安定した電極付けが行えるので、信幀性の高
い半導体素子を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌ、　Ｃｂｌ、　ｆｃｌは本発明の一実施例
の粗面化工程を示し、ｆａｔは平面図、（ｂ）は断面図
、（Ｃ）は（ｂｌのＡ部拡大図、第２図（ａｌ、　（ｂ
ｌ、　（Ｃ１は本発明の一実施例のメサ溝形成工程を示
し、（４）は平面図、（ｂ）は断面図、（Ｃ）は（ｂｌ
ＯＡ部拡大図、第３図は本発明の一実施例のパフシベー
シッン工程を示す断面図、第４図＋ａ＋、（′ｂｌは本
発明の一実施例の電極付は工程を順次示す断面図である
。 １：シリコン基板、２　：　Ｓｉｎ、膜、３：サンドブ
ラスト実施領域、４：メサ溝、５；レジスト膜、６：接
合被覆樹脂、７：金属電橋膜、　　　　−７代理人４ｔ
Ｊχ土　山　口　　巌

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）少なくとも一つのｐｎ接合を有する半導体基板の一
   面にマスク剤を被着し、マスク剤で覆われない部分をエ
   ッチングすることによりメサ溝を形成してメサ溝内面に
   ｐｎ接合を露出させ、マスク剤を除去後露出したｐｎ接
   合をパッシベーション材料で被覆し、さらに半導体基板
   の少なくとも前記一面に金属電極膜を被着することを含
   む半導体素子の製造方法において、マスク剤を被着する
   前に半導体基板の前記一面上に存在する酸化膜のメサ溝
   形成領域を含むそれよりやや広い領域を除去したのち、
   露出した半導体基板面をサンドブラストで荒らすことを
   特徴とする半導体素子の製造方法。