TW538314B - Photo resist composition and patterning process - Google Patents
Photo resist composition and patterning process Download PDFInfo
- Publication number
- TW538314B TW538314B TW090127066A TW90127066A TW538314B TW 538314 B TW538314 B TW 538314B TW 090127066 A TW090127066 A TW 090127066A TW 90127066 A TW90127066 A TW 90127066A TW 538314 B TW538314 B TW 538314B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- acid
- bis
- photoresist material
- page
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/13—Phenols; Phenolates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/108—Polyolefin or halogen containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
538314 A7 B7 五、發明説明(1 ) 【發明之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種可大幅提高曝光前後之鹼溶解速度 之反差’具有高感度與高解像性外,尙具有極佳之蝕刻耐 性’故極適合作爲供應超L S I製造用之微細爲係圖案形 成材料之增強化學性正型光阻材料的光阻材料。 【先前技術】 近年來,隨著LSI之高集積化及高速度化,在尋求 圖案線路微細化之中,號稱下一世紀之微細加工技術之遠 紫外線蝕刻印刷術爲目前極有望之技術。其中遠紫外線蝕 刻印刷術因可進行〇 · 5 // m以下之加工,且可使用具有 較低光吸收之光阻材料,故可形成對基板爲近乎垂直側壁 光阻圖案。 近年所陋發出之以氧作爲觸媒之增強化學性正型光阻 材料(特公平2 — 2 7 6 6 0號,特開昭6 3 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 7 8 2 9號等內容),係可利用以原子外線作爲光源之 局売度K r F等離子雷射,因具有較高感度、解像度、乾 蝕刻耐性等,故極期待其可作爲適合作爲遠紫外線鈾刻印 刷術之光阻材料。 此等化學材料,已知有由基礎聚合物、酸產生劑所構 成之二成分系,基礎聚合物、酸產生劑、具有酸不穩定基 之溶解阻礙劑所構成之三成分系等。 例如,待開昭6 2 - 1 1 5 4 4 0號公報中,揭示有 由聚一 p — t e r t - 丁氧基苯乙烯與酸產生劑所構成之 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -4- 538314 A7 _____ B7 五、發明説明(2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光阻材料,或與此提案近似之特開平3 — 2 2 3 8 5 8號 公報中’亦有提出由分子內具有t e r t - 丁氧基之樹脂 與酸產生劑所構成之二成分系光阻材料,特別是特開平4 一 21 1258號公報中,則有提出含有甲基、異丙基、 t ert-丁基、四氫吡喃、含三甲基矽烷基之聚羥基苯 乙烯與酸產生劑所構成之二成分系光阻材料等。 特別是,特開平6 - 1 0 〇 4 8 8號公報中,有揭示 聚〔3,4-雙(2 —四氫吡喃氧基)苯乙烯〕、聚〔3 ,4 —雙(ter t — 丁氧羰氧基)苯乙烯〕、聚〔3, 5 —雙(2 —四氫吡喃氧基)苯乙烯〕等聚二羥基苯乙烯 衍生物與酸產生劑所構成之光阻材料等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但,此些光阻材料之基礎樹脂,其爲支鏈上具有酸不 穩定基之樹脂,而酸不穩定基極易受t e r t - 丁基、 t e r t - 丁氧羰基等強酸所分解,故於光阻材料之圖案 形狀上極易形成T -冠狀形狀等,又,因已氧乙基等烷氧 院基易受弱酸所分解,故隨曝光至加熱處理時間之經過, 其圖案形狀會有顯著纖細化之缺點,且支鏈因具有體積密 度之基,故會造成耐熱性降低,或未能達到所需要之感度 與解像度等結果,而造成許多問題,故目前仍未達到實用 化程度,而仍極需改良此些問題。 又,欲尋求更高透明性及與基板密著性之實現與,己& 善基板之邊緣捲曲、提高耐蝕刻性等問題,已有使用經_ 苯乙烯與,(甲基)丙烯酸3級酯之共聚物所得光阻材料 的報告(特開平3 — 2 7 5 1 4 9號,特開平6 — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) ' ^^^ 538314 A7 B7 五、發明説明(3) 2 8 9 6 0 8號),但前述光阻材料仍存在著耐熱性或, 曝光後圖案形狀不佳等問題,或未能滿足解像性等問題。 又,目前在尋求高解像度化之同時,亦進行圖案之薄膜化 ,相對於此,目前急需一種具有高蝕刻耐性之光阻材料的 出現。 本發明係鑑於上述情事,即有提出一種較以往具有更 高感度與高解像度、曝光寬限度與製程適應性,且曝光後 可得到良好圖案形狀,優良蝕刻耐性之光阻材料,特別是 以提供一種增強化學性正型光阻材料與圖案形成方法爲本 發明之目的。 【發明之內容與發明之實施形態】 本發明者們爲達上述之目的經過深入檢討結果,得知 具有下式(1 )或(2)所不重複單位,重量平均分子量 1 ,〇〇〇至500,000之高分子化合物極適合作爲 正型光阻材料,特別是適合作爲增強化學性正型光阻材料 之基礎樹脂使用。含有此咼分子化合物與酸產生劑與有機 溶劑之增強化學性正型光阻材料,可提高光阻模之溶解反 差,提高解像性與曝光寬限度,具有極優良之製程適應性 ’且具有良好之曝光後圖案形狀,優良之蝕刻耐性,故具 有極高實用性’而極適合作爲超L S I用光阻材料。 即’本發明提供下記之光阻材料與圖案形成方法。 申請項1 : 一種光阻材料,其係含有下記式(1)所示重複單位 i紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(:歌297公菱) ' -6 - ---------壽— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538314 A7 _____B7五、發明説明(4 ) 以外,尙含有酸不穩定基可受酸之作用產生分解以增加對 鹼之溶解性的重複單位之重量平均分子量爲1 ,〇 〇 〇至 5 00,〇〇〇之高分子化合物者; 4-CH—c-f-
R2 ⑴ (R1)n (式中,R1、R2爲氫原子、羥基、可取代之羥烷基、直 鏈狀或支鏈狀烷基、可取代之烷氧基、或鹵素原子;又, η爲0或1至4之整數)。 申請項2 : 一種光阻材料,其係含有下記式(2 )所示重複單位 ,且重量平均分子量爲1 ,00 ◦至5 00,000之高 分子化合物者; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 P P3
R5 R6 :CH—C-3〇A (2) 〇 R7 (式中,R 1、R 2與R 4爲氫原子、羥基、可取代之羥烷 基、直鏈狀或支鏈狀烷基、可取代之烷氧基、或鹵素原子 ;R3、R5爲氫原子或甲基;R6爲氫原子、甲基、烷氧 羯基、氰基、或鹵素原子;R7爲碳數1至2 0之院基;又 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -7- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(5) ,η爲〇或1至4之正整數,m爲0或1至5之正整數, P 、q、s爲0或正數,r爲正數)。 申請項3 : 如申請項2之光阻材料,其於式(2 )中,R 1、R z 之一方或雙方,係由下記式(3) 、 (4)所示之基、碳 數4至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀之3級烷氧基、各院 基分別爲碳數1至6之三烷基矽烷氧基、碳數4至2 0之 羰烷氧基中所選出者; R8 —O-C-O-R10 (3) R9 R11〇 —〇4c--)-a .r13 ⑼ (式中,R8、R9、R11、Ri2爲各自獨立之氫原子或 碳數1至8之直鏈狀或支鏈狀烷基;R1C)爲碳數1至1 8 之可夾有氧原子之1價烴基;R8與R9、R8與R1Q、 R 9與R 1 ◦可形成環,形成環時,R 8、R 9、R Η各自爲 碳數1至1 8之直鏈狀或支鏈狀伸烷基;R13爲碳數4至 4 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基;又,a爲〇或1至5 之整數)。 申請項4 .: 一種增強化學性正型光阻材料,其特徵係含有 (A )有機溶劑, (B )作爲基礎樹脂之上記申請項1、2或3之高分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(6) 子化合物, (C )酸產生劑。 申請項5 : 一種增強化學性正型光阻材料,其特徵係含有 (A )有機溶劑, (B )作爲基礎樹脂之上記申請項1 ' 2或3之高分 子化合物, (C )酸產生劑, (D )溶解阻礙劑。 申請項6 : 如申請項4或5之光阻材料,其尙添加有作爲(e ) 添加劑之鹼性化合物。 申請項7 : 一種圖案形成方法,其特徵係包含將申請項4、5或 6項之光阻材料塗佈於基板上之步驟與,於加熱處理後介 由光罩使用高能量線或電子線進行曝光之步驟與,必要時 於加熱處理後使用顯影液進行顯影之步驟。 以下,將對本發明做更詳盡之敘述。 本發明之光阻材料,係含有由下記式(1 )所示重複 單位與,具有酸不穩定基,且此酸不穩定基可受酸之作用 產生分解以增加對鹼之溶解性的重複單位之重量平均分子 量爲1 ,0 ◦ 0至5 0 0,0 0 0的對鹼水溶液(鹼顯像 液)爲不溶或難溶之高分子化合物作爲基礎樹脂者。其中 ,所稱高分子化合物例如具有下記式(2 )所示重複單位 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 538314 五、發明說明(8) 於通式(I I - 1 )中A之伸環烷基例如碳數3〜1 0個考,_ 如有伸環戊基、伸環己基、伸環辛基。 通式(ii-i)之w係表示至少一個含有通式(Pi)〜(pVi) 所示脂環族烴之部分構造。 通式(pi )〜(pVI )中R10〜R29之烷基可以爲經取代或$ 經取代之具有 1〜4個碳原子之直鏈或支鏈烷基。該纟完_ 例有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、 第2-丁基、第3-丁基等。 而且,上述烷基之另外的取代基例如有碳數1〜4個j:完 氧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、醯 基、醯氧基、氰基、羥基、羧基、烷氧基羰基、硝基等。 R ! 5〜R 2 9之月旨環族煙基或Z與碳原子形成脂環族煙基可 以爲單環式、多環式。具體而言爲具有碳數5以上之單環 、二環、三環、四環構造等之基。其碳數以6〜3 0個較佳 、更佳者爲7〜25個。此等之脂環族烴基可具有取代基。 於下述中表示脂環族烴基中脂環族部分之構造例。
538314 A7 B7 五、發明説明(8) 數4至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀之 基分別爲碳數1至6之三院基砂院氧基 羰烷氧基爲佳; 級院氧基、各院 碳數4至2 0之 R0 ——〇一 C 一〇-R R9 10 (3) R丨C丨R 04 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,R8、R9、R11、R12爲各自獨立之氫原子或 碳數1至8之直鏈狀或支鏈狀烷基;R1C)爲碳數1至1 8 之可夾有氧原子之烷基、烯基、芳基、芳烷基等1價烴基 ;R8與R9、R8與R1Q、R9與R1。可形成環,形成環 時,R8、R9、R1Q各自爲碳數1至1 8之直鏈狀或支鏈 狀伸烷基;R 1 3爲碳數4至4 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀 烷基;又,a爲0或1至5之整數)。 其中,上記式(3 )所示酸不穩定基,具體而言例如 夾有氧原子之甲氧乙基氧基、乙氧乙基氧基、η -丙氧乙 基氧基、i s 〇 —丙氧乙基氧基、η — 丁氧乙基氧基、 1 s 〇 — 丁氧乙基氧基、m — 丁氧乙基氧基、t e r t — 丁氧乙基氧基、環己氧乙基氧基、甲氧丙基氧基、乙氧丙 基氧基、1 一甲氧基一1 一曱基—乙基氧基、1—乙氧基 一 1 -甲基一乙基氧基、四氫吡喃氧基、四氫呋喃氧基等 。又,上記式(4 )之酸不穩定基,例如t e r t -丁氧 羰氧基、t e r t - 丁氧羰甲氧基 '乙基環戊羰氧基、乙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) " -11 - #! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 4 A7 B7 友、發明説明(9) 赛環己羰氧基、甲基環戊羰氧基等。又,上記s院基夕院 麵基,例如三甲基矽烷氧基、三乙基矽烷氧基、t e r t \丁基二甲基矽烷氧基等各烷基碳數爲1至6之基等。碳 麵4至2 0之羰烷氧基,例如3 -羰環己氧基或下記式所 $之基等。 h3c〆 :〇 上記R1、R2與R4中,其爲鹵素原子時,例如氟原 t、氯原子、溴原子等。 R6之烷氧羰基例如,碳數2至2 0,較佳爲2至6者 5具體而言例如曱氧羰基、t e r t — 丁氧羰基等。又, —素原子例如氟原子、氯原子、溴原子等。 R7之烷基可爲直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基皆可,又以 $級烷基爲佳,R 7之烷基爲3級烷基時,可作各種選擇, %以下記式(5 ) 、( 6 )所示之基爲最佳。 ---------S----Γ——1T------千· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¾濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (5) (其中,R14爲甲基、乙基、異丙基、環己基、環戊基、 希基、乙醯基、苯基、苄基或氰基,b爲〇或1至3之 整數) 本紙張尺度相巾關家標準(⑽)〜規格(2似297公釐) -12- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 _五、發明説明(1〇) H3C^- (6) H3c (其中,R15爲甲基、乙基、異丙基、環己基、環戊基、 乙烯基、苯基、苄基或氰基) 上記式(5 )所示環狀烷基,以5員環或6員環爲佳 。具體而言,例如1 一甲基環戊基、1-乙基環戊基、1 一異丙基環戊基、1-乙烯基環戊基、1-乙醯基環戊基 、1 一苯基環戊基、1 一氰基環戊基、1—甲基環己基、 1 一乙基環己基、1-異丙基環己基、1 一乙烯基環己基 、1-乙醯基環己基、1-苯基環己基、1一氰基環己基 等。 式(6)之具體例如,t er t - 丁基、1 一乙烯基 二甲基、1 一苄基二甲基、1—苯基二甲基、1 一氰基二 甲基等基。 又,R7之烷基以2 -甲基金剛烷基、2 -乙基金剛烷 基、2 -甲基原菠院基、2 -乙基原疲院基等爲佳。 又,於考慮光阻材料之特性時,上記式(2 )中’ r 爲正數,p、Q、S爲〇或正數時,以滿足下記式之內容 爲佳。 〇<r / (p + q + r + s) SO · 5,更佳爲 0 .〇5<r/(p + q + r + s)^〇.4〇; OSp / (ρ + Q + r + s) SO . 8,更佳爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I-------------^--、訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( Ο ·3$ρ/(ρ + ^ι + γ + 8)$〇·8〇 〇€q / (P + Q + r + s) $〇 . 35 〇 OSs/ (p + q + r + s)S0.35o q或s爲0時,上記式(2 )之高分子化合物若爲不 含此單位之構造時,鹼溶解速度之反差將消失,使解像度 惡化。又,P之比例過高時,會造成未曝光部分之鹼溶解 速度過大。又,r爲0時,則會產生解像性惡化,或乾蝕 刻耐性減弱等缺點。又,P、Q、r、s若於上記範圍內 作適當選擇時,則可對圖案之尺寸控制、圖案形狀控制等 作任意之選擇。 本發明之高分子化合物,其各自之重量平均分子量需 爲1,000至500,000,較佳爲2,000至 3 0,0 0 〇之範圍。重量平均分子量過小時,光阻材料 將會形成耐熱性不佳之物,過大時,鹼溶解性將會降低, 使圖案形成後容易產生邊緣捲曲等現象。 又,本發明之高分子化合物中,所使用之上記式(2 )之多成分共聚物之分子量分布(Mw/Mn)過廣時, 因存在有低分子量或高分子量之聚合物,故於曝光後極容 易於圖案上發現異物,或造成圖案形狀惡化等現象。因此 ,隨者圖案微細化的同時,將極容易到受分子量、分子量 分布之影響’故爲得到適合微細尺寸圖案使用之光阻材料 ,所使用之多成分共聚物之分子量分布以1 · 〇至2 . 0 ,特別是以1 · 0至1 _ 5之狹分散度爲佳。 合成此些分子化合物之方法,例如可將乙醯氧苯乙烯 I--------^9----^---1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 真、發明説明(12) 犟體與,(甲基)丙烯酸3級烷基酯單體與茚單體,於有 機溶劑中,在加入自由基起始劑後進行加熱聚合,使所得 高分子化合物於有機溶劑中進行鹼水解’將乙醯氧基去保 言蒦後,即得由羥基苯乙烯與,(甲基)丙烯酸3級烷基酯 與茚的3成分共聚物的高分子化合物。聚合時所使用之有 機溶劑,例如甲苯、苯、四氫呋喃、二乙基醚、二噁烷等 。聚合起始劑例如,2,2 ’ —偶氮雙異丁腈、2,2 ’ 一偶氮雙(2,4 一二甲基戊腈)、二甲基—2 ,2 —偶 氮雙(2 -甲基丙酸酯)、苯醯基過氧化物、月桂醯基過 氧化物等。又以於5 0至8 0 °C中加熱聚合爲佳。反應時 間爲2至1 0 0小時,更佳爲5至2 0小時。鹼水解時之 鹼,例如可使用氨水,三乙基胺等。又反應溫度爲-2 0 至1 0 0 °C,更佳爲0至6 0 °C,反應時間爲0 . 2至 1〇0小時,更佳爲〇· 5至2〇小時。 又,依此方法所得之高分子化合物於單離後,對苯酚 性羥基部分,亦可導入式(3 )、式(4 )所示酸不穩定 基。例如,將高分子化合物之苯酚性羥基與烯醚化合物於 酸觸媒下反應時,可得到部分苯酚性羥基受烷氧院基所保 護之筒分子化合物。 此時,反應溶媒以使用二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺 、四氫呋喃、乙酸乙酯等非質子性溶媒爲佳,其可單獨或 將2種以上混合使用皆可。觸媒之酸例如鹽酸、硫酸、三 氟甲烷磺酸、p -甲苯磺酸、甲烷磺酸、P 一甲苯磺酸吼 η定鏺鹽等爲佳。酸不穩定基之導入量以對反應之高分子化 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) _ „1T. ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(13) 合物的苯酚性羥基1莫耳爲0 · 1至1 0莫耳%的量爲佳 。反應溫度爲—20°c至100°C,較佳爲〇至60°c, 反應時間爲0 . 2至1 0 〇小時,較佳爲0 . 5至2 0小 時。 又,可使用鹵化烷基醚化合物,於鹼之存在下,使其 與高分子化合物反應亦可製得部分苯酚性羥基受烷氧烷基 所保護之高分子化合物。 此時,反應溶媒例如乙腈、丙酮、二甲基甲醯胺、二 甲基乙醯胺、四氫呋喃、二甲基磺氧化物等非質子性極性 溶媒爲佳,其可單獨或2種以上混合使用經可。鹼,例如 三乙基胺、吡啶、二異丙基胺、碳酸鉀等爲佳。酸不穩定 基之導入量以對參予反應之高分子的苯酚性羥基1莫耳以 1 0莫耳以上爲佳,反應溫度以一 5 0 °C至1 〇 〇 °C,較 佳爲0至6 0 °C,反應時間爲〇 . 5至1 0 0小時之範圍 ,又以1至2 0小時爲佳。 又,上記式(4)之酸不穩定基之導入方式,可將二 碳酸二烷基化合物或烷氧羰烷基鹵化物與高分子化合物, 於溶媒中存在鹼之情形下進行反應。反應溶媒例如乙腈、 丙酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、四氫呋喃、二甲基 擴氧化物等非質子性極性溶媒爲佳,其可單獨或2種以上 混合使用經可。鹼,例如三乙基胺、吡啶、二異丙基胺' 碳酸鉀等爲佳。酸不穩定基之導入量以對原高分子的苯酚 性羥基1莫耳以1 〇莫耳以上爲佳。 ’反應溫度以0至1 〇 〇 t,較佳爲〇至6 0 °C,反 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16 - 538314 A7 B7 五、發明説明(14) 應時間爲〇 · 2至1 0 0小時,又以1至1 〇小時爲佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一碳酸一^燒基化合物例如一'碳酸二一 t e r t -丁醋 、案fe — — t e r t -戊酯等;院氧鑛院基鹵化物例如 t e rt — 丁氧羰甲基氯化物、t e r t-戊氧鑛甲基氯 化物、te r t — 丁氧羰甲基溴化物、ter t — 丁氧幾 乙基氯化物等。 但並不僅限定於上述合成方法。 本發明之光阻材料’極適合正型、特別是增強化學性 正型光阻材料使用,故可使用上記高分子化合物作爲基礎 聚合物,此時,本發明之光阻材料,以具有 (A )有機溶劑, (B )作爲基礎樹脂之上記高分子化合物, (C )酸產生劑, 或必要時,可再添加 (D ).溶解阻礙劑, (E )鹼性化合物, 之組成內容爲佳。 ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之增強化學性正型光阻材料中,(A )成分之 有機溶劑例如乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸環己酯、乙酸3 —甲氧基丁酯、甲基乙酮、甲基戊酮、環己酮、環戊酮、 3 -乙氧乙基丙酸酯、3 —乙氧甲基丙酸酯、3 一甲氧甲 基丙酸酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、二丙酮醇、丙 酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基 醚、丙二醇單甲基醚丙酸酯、丙二醇單乙基醚丙酸酯、乙 本纸浪尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(2lGx297公着) ' ---- -17- 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1今 二醇單甲基瞇、乙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚、二 乙二醇單乙基醚、3-甲基一3 —甲氧基丁醇、N —甲基 口比咯烷酮、二甲基亞硕、r — 丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸 酉旨、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、乳酸甲 酉旨、乳酸乙薩、乳酸丙酯、四甲基硕等,但並不僅限定於 此。其中最隹者爲丙二醇烷基醚乙酸酯、乳酸烷基酯等。 此些溶劑可單獨使用1種或將2種以上混合使用。較佳之 混合溶劑之例如丙二醇烷基醚乙酸酯與乳酸烷基酯。本發 明中,丙二醇烷基醚乙酸酯之烷基爲碳數1至4者,例如 甲基、乙基、丙基等,其中又以甲基、乙基爲更佳。此丙 二醇烷基醚乙酸酯具有1 ,2取代物與1,3取代物,因 取代基之組合狀態不同而有3種異構物,其可爲單獨或混 . 合狀態皆可。 又,上記乳酸烷基酯之烷基中碳數爲1至4者,例如 甲基、乙基、丙基等,其中又以甲基、乙基爲較佳。 添加溶劑之丙二醇烷基醚乙酸酯時,以對全溶劑添加 5 0重量%以上爲佳,添加乳酸爲基酯時,以對全溶劑添 力口 5 0重量%以上爲佳。又,添加溶劑之由丙二醇烷基醚 乙酸酯與乳酸烷基酯之混合溶劑時,以對全溶劑添加5〇 重量%以上爲佳,此時,更佳爲丙二醇烷基醚乙酸酯以 6 0至9 5重量% ,乳酸烷基酯以5至4 0重量%之比例 者爲佳。丙二醇烷基醚乙酸酯量過少時,會產生塗佈性劣 化等問題,過多時溶解性則不充分,而會產生小顆粒、異 物增加等問題。乳酸烷基酯過少時,會產生小顆粒、異物 本紙張尺度適用中國國家福率(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 538314 A7 B7 _ 五、發明説明(16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 增加等問題’過多時,則因黏度過高使塗佈性惡化外,亦 會造成保存安定性劣化等問題。此些溶劑添加量以對增強 化學性正型光阻材料之固體成分1 0 〇重量分爲3 〇 〇至 2 ,000重量份,較佳爲400至1 ,0〇〇重量份, 只要是一般成膜方法可使用之濃度時,則不受前述範圍所 限定。 (C )成分之光酸產生劑,一般只要可受高能量線照 射產生酸之化合物時則未有任何限定。較佳之光酸產生劑 例如锍鹽、碘鏺鹽、磺醯二偶氮甲院、N -磺醯氧基醯亞 胺型光酸產生劑等,其如以下所述者,其可單獨或將2種 以上混合使用。 锍鹽爲銃陽離子與磺酸酯之鹽,銃陽離子例如Η苯基 銃、(4 — t e r t - 丁氧苯基)二苯基銃、雙(4〜 t ert — 丁氧苯基)苯基銃、三(4 — ter t - 丁氧 苯基)锍、(3 — ter t — 丁氧苯基)二苯基銃、雙( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 — ter t — 丁氧苯基)苯基锍、三(3— t ert — 丁氧苯基)苯基銃、(3,4 一二t e r t — 丁氧苯基) —^苯基锍、雙(3,4 —二t e r t — 丁氧苯基)苯基銃 、三(3,4 —二ter t — 丁氧苯基)銃、二苯基(4 —硫苯氧苯基)銃、(4 — t e r t — 丁氧羰甲氧基苯基 )一苯基锍、二(4一 t e r t — 丁氧鐵甲氧基苯基)銃 、(4 一 t e r t — 丁氧苯基)雙(4 —二甲基胺苯基) 锍、三(4 一二甲基胺苯基)銃、2 —萘基二苯基統、二 甲基2 -萘基銃、4 -經基苯基二甲基毓、4 一甲氧苯基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)~"" --— -19- 538314 A7 B7 五、發明説明(17) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 二甲基銃、三甲基銃、2 -氧代環己基環己基甲基銃、三 萘基銃、三苄基銃等;磺酸酯例如三氟甲烷磺酸酯、九氟 丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2,2,2 —三氟乙烷 磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4 —三氟甲基苯磺酸酯、4 -氟 苯擴酸酯、甲苯擴酸酯、苯擴酸酯、4 一( 4 —甲苯擴醯 氧基)苯磺酸酯、萘磺酸酯、莰烷磺酸酯、辛烷磺酸酯、 十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺酸酯等,或與其 組合之锍鹽。 碘鏺鹽係由碘鑰陽離子與磺酸酯所得之鹽,例如由二 苯基碘鏺、雙(4— t e r t — 丁苯基)碘鑰、4 — t ert — 丁氧苯基苯基碘鑰、4 一甲氧苯基苯基碘鑰等 芳基碘鑰陽離子與,磺酸酯之三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷 磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2,2,2 -三氟乙烷磺酸 酯、五氟苯礦酸酯、4 -三甲基苯擴酸酯、4 —氟苯擴 酸酯、甲苯碌酸酯、苯磺酸酯、萘擴酸酯、茨院磺酸酯、 辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺酸 酯等,與其組合之碘鏺鹽。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 磺醯二偶氮甲烷例如,雙(乙基磺醯基)二偶氮甲院 、雙(1 一甲基丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(2 -甲基 丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(1 ,1 -二甲基乙基磺醯 基)二偶氮甲烷、雙(環己基磺醯基)二偶氮甲院、雙( 全氟異丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(苯基磺醯基)二偶 氮甲烷、雙(4 -甲基苯基磺醢基)二偶氮甲烷 '雙(2 ,4 -二甲基苯基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(2 -萘基磺 本紙張尺度適用不國國家福隼(CNS ) A4規格(210X297公ST~一 ^ ~ -20- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(1S) 醯基)二偶氮甲烷、4 -甲基苯基磺醯基苯甲醯二偶氮甲 烷、ter t - 丁基羰基—4 —甲基苯基磺醯基二偶氮甲 院、2-萘基橫醯基苯甲醯二偶氮甲院、4 —甲基苯基擴 醯基-2 -萘基二偶氮甲烷、甲基磺醯基苯甲醯二偶氮甲 烷、ter t - 丁氧羰基—4 —甲基苯基磺醯基二偶氮甲 太兀雙細釀基—'偶風曱院與礦釀基—鐵基二偶氮甲院等。 N -磺醯氧基醯亞胺型光酸產生劑,例如琥珀酸醯亞 胺、萘二羧酸醯亞胺、苯甲酸醯.亞胺、環己基二羧酸醯亞 胺、5 -原菠烷—2,3 —二羧酸醯亞胺、7 —氮雜二環 〔2.2. 1〕— 5 -庚烯一 2,3 —二羧酸醯亞胺等醯 亞胺骨架與’三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟 辛烷磺酸酯、2,2,2 -三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸 酉旨、4 -三氟甲基苯磺酸酯、4 -氟苯磺酸酯、甲苯磺酸 酉旨、苯磺酸酯、萘磺酸酯、莰烷磺酸酯、辛烷磺酸酯、十 二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺酸酯等組合所得之 化合物等。 苯偶因磺酸酯型光酸產生劑例如苯偶因甲基磺酸@旨、 笨偶因甲磺酸酯、苯偶因丁烷磺酸酯等。 焦掊酚三磺酸酯型光酸產生劑,例如焦掊酚、甘胺酉爱 、苯酚、間苯二酚、對苯二酚等之羥基全部受三氟甲院磺 酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2 ,2,2 一三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4 -三氟甲基苯擴酸 酉旨、4 -氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸醋 、莰烷磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) :ITA —AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 538314 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(19) 酸酯、甲烷磺酸酯等取代所得之化合物等。 硝苄基磺酸酯光酸產生劑,2 ,4 -二硝基苄基磺酸 酉旨、2 -硝基苄基磺酸酯、2 ,6 -二硝基苄基磺酸酯等 ’磺酸酯之具體例如三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、 十七氟辛烷磺酸酯、2,2 ,2 -三氟乙烷磺酸酯、五氟 苯磺酸酯、4 -三氟甲基苯磺酸酯、4 -氟苯磺酸酯、甲 苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、莰烷磺酸酯、辛烷磺酸 酉旨、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺酸酯等。或 ’苄基側之硝基受三氟甲基所取代之化合物等。 磺酸型光酸產生劑之例示如,雙(苯基磺醯基)甲烷 '雙(4 一甲基苯磺醯基)甲烷、雙(2 -萘基磺醯基) 甲烷、2,2 —雙(苯基磺醯基)丙烷、2,2 —雙(4 —甲基苯磺醯基)丙烷、2 ,2 -雙(萘基磺醯基)丙烷 、2 —甲基一2 — (ρ —甲苯基磺釀基)丙院、2 ’ 4 — 二甲基—2 —(p —甲苯基磺醯基)戊烷—3 —酮等。 乙二肟衍生物型光酸產生劑之例,如雙—〇 — ( P — 甲苯磺醢基)-α—二甲基乙二肟、雙—ο — (p -甲苯 磺醯基)一 α -二苯基乙二肟、雙—ο- (ρ —甲苯磺醯 基)-α —二環己基乙二肟、雙—ο— (ρ -甲苯磺醯基 )—2,3 —戊二醇乙二肟、雙—〇 -(ρ —甲苯磺醯基 )—2 —甲基—3,4 —戊二酮乙二肟、雙一 〇 — (η — 丁烷磺醯基)—α —二甲基乙二肟、雙—〇 - ( η — 丁烷 石黄醯基)一α —二乙基乙二Ε亏、雙—〇 — ( η — 丁院礦酉蘯 基)-α —二環己基乙二肟、雙—〇 — ( η -丁烷磺醯基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) I ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(2C| )一2,3—戊二醇乙二肟、雙(η—丁烷磺醯基 )—2 -甲基-3,4-戊二醇乙二肟、雙—〇 —(甲烷 磺醯基)—二甲基乙二肟、雙一◦—(三氟甲烷磺醯 基)—α —二甲基乙二肟、雙—〇— (1 ,1 ,1—三氟 乙烷磺醯基)-α—二甲基乙二肟、雙一〇 — (ter t —丁烷磺醯基)—α —二甲基乙二肟、雙—〇 —(全氟辛 烷磺醯基)一α -二甲基乙二肟、雙—◦-(環己烷磺醯 基)—α —二甲基乙二肟、雙—〇—(苯磺醯基)—α — 二甲基乙二特、雙—〇— (Ρ —氟基苯擴醯基)—α —二 甲基乙二汚、雙—ο— (P — ter t — 丁基苯磺醯)— α —二甲基乙二0弓、雙—〇 —( 一甲苯礦醯基)—α —二 甲基乙二肟、雙—〇—(莰烷磺醯基)一 α —二甲基乙二 月亏等。 其中較適合使用之光酸產生劑’例如銃鹽、雙擴醯基 二偶氮甲烷、Ν -磺醯氧基醯亞胺等。 用於聚合物之酸不穩定基,基於切斷之容易性等情形 造成最適合產生酸之陰離子有所不同,一般則以不具揮發 性者,且不具極端擴散性之陰離子爲佳。因此,較適合之 陰離子例如苯磺酸陰離子、甲苯磺酸陰離子、4 —(甲苯 擴醯氧基)苯磺酸陰離子、五苯磺酸陰離子、2,2, 2 -三氟乙院磺酸陰離子、九氟丁烷磺酸陰離子、十七氟 辛烷磺酸陰離子、莰烷磺酸陰離子等。 本發明中之增強化學型光阻材料中,光酸產生劑(c )之添加量,以對光阻材料中固形分1 0 〇重量份爲〇〜 ^紙張尺度適用中國國家樣準( CNS ) Α4規格(210X 297公慶) " -—-- -23- I------------^---訂------線一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 538314 Α7 Β7 五、發明説明(21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 〇重量份,較佳爲1〜1 0重量份’更佳爲1〜1 0重 量份。上記光酸產生劑(c )可單獨或將2種以上混合使 用。若再添加曝光波長中透過率較低之光酸產生劑時’其 添加量可控制光阻膜中之透過率。 (D )成分溶解阻礙劑,以重量平均分子量爲1 〇 〇 至1,0 0 0 ,且分子內具有2個以上苯酚性羥基之化合 物,其苯酚性羥基中氫原子受酸不穩定基以全體平均1〇 至1 0 0莫耳%之比例取代所得的化合物爲佳。又,上記 化合物之重量平均分子量爲1 〇 〇至1,〇〇 〇,又以 1 5 0至8〇0爲佳。溶解阻礙劑之添加量,以對基礎樹 月旨100重量份爲0至50重量份,較佳爲5至50重量 份,更佳爲1 0至3 0重量份,其可單獨或將2種以上混 合使用。添加量過少時,解像性會有無法提昇之’情形,過 多時則會生圖案之膜衰減,而有使解像度降低之傾向。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較適合使用之(D )成分的溶解阻礙劑例如,雙(4 -(2’ 一四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、雙(4 — (2, —四氫呋喃氧基)苯基)甲烷、雙(4 — ter t — 丁氧 苯基)甲院、雙(4 — t e r t — 丁氧簾氧基苯基)曱焼 、雙(4 — ter t — 丁氧羰甲氧基苯基)甲烷、雙(4 一 (1’ 一乙氧乙氧基)苯基)甲烷、雙(4 一 (1,— 乙氧丙氧基)苯基)甲烷、2,2 —雙(4’ 一 (2,,— 四氫吡喃氧基))丙烷、2,2 —雙(4 ’ —( 2,,—四 氫呋喃氧基)苯基)丙烷、2,2 —雙(4’ 一 tert 一丁氧苯基)丙烷、2,2 —雙(4, — ter t〜丁氧 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 一 24- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(勾 羰氧苯基)丙烷、2,2—雙(4 — t e r t — 丁氧羰甲 氧基苯基)丙烷、2,2 —雙(4, —(1” —乙氧乙氧 基)苯基)丙烷、2,2 —雙(4,—(1” —乙氧丙氧 基)苯基)丙烷、4,4 —雙(4 ’ —( 2 ” —四氫吡喃 氧基)苯基)戊酸tert 丁酯、4,4 —雙(4’ 一( 2 ” -四氫陕喃氧基)苯基)戊酸t e r t 丁酯、4,4 —雙(4 ’ 一 t e r t — 丁苯基)戊酸 t e r t 丁酯、4 ,4 -雙(4’ 一 ter t —丁氧羰氧基苯基)戊酸 t 6!*1:丁酉旨、4,4—雙(4’ 一 tert — 丁氧羰甲 氧苯基)戊酸ter t 丁酯、4,4 —雙(4’ —(1” —乙氧乙氧基)苯基)戊酸t er t 丁酯、4,4 —雙( 4’ - (1” —乙氧丙氧基)苯基)戊酸ter t 丁酯、 三(4 - ( 2 ’ 一四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、三(4 — (2’ -四氫呋喃氧基)苯基)甲烷、三(4 — ter t —丁氧苯基)甲烷、三(4 — te r t — 丁氧羰氧苯基) 苯基)甲烷、三(4— t e r t — 丁氧羰氧甲基苯基)甲 烷、三(4— (1’ —乙氧乙氧基)苯基)甲烷、1,1 ,2 -三(4 ’ —( 2 ” —四氫吡喃氧基)苯基)乙烷、 1 ,1,2 —三(4’ —(2” —四氫呋喃氧基)苯基) 乙烷、1, 1,2 —三(4’ — tert — 丁氧苯基)乙 院、1,1 ,2 —三(4’ - tert — 丁氧羰氧苯基) 乙焼、1 , 1,2 —二(4, — tert — 丁氧鑛甲氧基 苯基)乙烷、1,1,2 —三(4, —(1,一乙氧乙氧 基)苯基)乙烷、1 ,1 ,2 —三(4, —( 1 ’ 一乙氧 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 538314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(23) 丙氧基)苯基)乙烷等。 (E )成分之鹼性化合物以可抑制因酸產生劑產生之 酸在光阻膜內之擴散速度之化合物爲佳。添加鹼性化合物 可抑制光阻膜中酸之擴散速度而使解像度提高,進而抑制 曝光後之感度變化,降低基板或環境之依存性,而提昇曝 光寬容度或圖案之外形等。 此(E )成分之鹼性化合物例如可爲第一級、第二級 、第三級脂肪族胺類、混合胺類、芳香族胺類、雜環胺類 ,具有羧基之含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具 有羥基之含氮化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇性含 氮化合物、醯胺衍生物、醯亞胺衍生物等。 具體而言,第一級脂肪胺例如尿素、甲基胺、乙基胺 、η -丙基胺、異丙基胺、η - 丁基胺、異丁基胺、 s ec — 丁基胺、tert — 丁基胺、戊基胺、tert —戊基胺、環戊基胺、己基胺、環己基胺、庚基胺、辛基 胺、壬基胺、癸基胺、月桂基胺、十六烷基胺、亞甲基二 胺、亞乙基二胺、四乙烯基戊胺等;第二級脂肪胺族類例 女口,二甲基肢、二乙基胺、二—η —丙基胺、二異丙基胺 、二-η — 丁基胺、二異丁基胺、二—sec — 丁基胺、 二1戊基胺、二環戊基胺、二己基胺、二環己基胺、二庚基 胺、二辛基肢、二壬基胺、二癸基胺、二月桂基胺、二鯨 鱲基胺、N ,N-二甲基亞甲基二胺、N,N—二甲基亞 甲基二胺、N,N -二甲基四亞乙基戊胺等;第三級脂肪 族胺類例如,三甲基胺、三乙基胺、三—n —丙基胺、三 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐)" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ -26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538314 A 7 B7 五、發明説明(2今 異丙基胺、三-η — 丁基胺、三異丁基胺、二—sec — 丁基胺、三戊基胺、三環戊基胺、三己基胺、三環己基胺 、 三庚基胺、三辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、三月桂基 胺、三鯨蠘基胺、Ν,Ν,Ν’ ,Ν’ —四甲基亞甲基二 胺、Ν,Ν,Ν’ ,Ν’ —四甲基亞甲基二胺、Ν,Ν, Ν’ ,Ν’ 一四甲基四亞乙基戊胺等。 又,混合胺類例如,二甲基乙基胺、甲基乙基丙基胺 、戎基胺、苯乙基胺、苄基二甲基胺等。芳香族胺類及雜 環肢類之具體例如,苯胺衍生物(例如苯胺、Ν -甲基苯 胺、Ν —乙基苯胺、Ν —丙基苯胺、Ν,Ν —二甲基苯胺 、2 -甲基苯胺、3 —甲基苯胺、4 —曱基苯胺、乙基苯 胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、二硝基苯胺、3 —硝基苯胺 、4 —硝基笨胺、2,4 — 一硝基苯胺、2,6 —二硝基 苯胺、3,5 -二硝基苯胺、Ν,Ν —二甲基苯胺等)、 二苯基(Ρ—甲苯基)胺、甲基二苯基胺、三苯基胺、亞 苯基二胺、萘基胺、二氨基萘、吡咯衍生物(例如吡咯、 2 Η —吡咯、1 —甲基吡咯、2,4 —二甲基吡咯、2 , 5 —二甲基啦咯、Ν —甲基吡咯等)、噁唑衍生物(例如 口惡唑、異噁挫等)、噻唑衍生物(例如噻唑、異噻唑等) 、 咪唑衍生物(例如咪唑、4 一甲基咪唑、4 一甲基一 2 一苯基咪唑等.)、吡唑衍生物、呋喃衍生物、吡咯啉衍生 物、(例如吼咯啉、Ν —甲基吡咯啉、吡咯烷酮、Ν -甲 基吡咯烷酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑並吡啶衍生物、吡 啶衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、 本紙張尺廋適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ 一 -27 - — ^ 訂 ^ —^wi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 538314 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(2勻 丁基吡啶、4 — ( 1 — 丁基苄基)D比啶、二甲基吡啶、三 甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3 —甲基一2 —苯基 口比啶、4 一 t 一丁基吡啶、二苯基吡啶、戊基吡啶、甲氧 基毗啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1 —甲基一 2 -吼 咯酮、4 —吐咯烷吡咯、1 -甲基一4 一苯基吡啶、2 — (1 -乙基丙基)吡咯、氨基吡咯、二甲基氨基吡啶等) 、 噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物 、 毗唑烷衍主物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物 、 吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1 Η -吲唑衍生物、吲哚 琳衍生物、喹啉衍生物(例如喹啉、3 —嘻啉羧腈等)、 異鸣啉衍生物、噌啉衍生物、咱唑啉衍生物、喹喔啉衍生 物、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生物 、 菲繞啉衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、Γ,1 0 — 痒繞啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生 物、鳥苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿嗪衍生物等等。 又,具有羧基之含氨化合物,例如氨基苯甲酸、吲哚 浚酸、氨基酸衍生物(例如尼古丁酸、丙氨酸、精氨酸、 天冬氨酸、枸椽酸、甘氨酸、組氨酸、異賴氨酸、甘氨醯 白氨酸、白氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、蘇氨酸、賴氨酸 、3 -氨基吼陡-2 -羧酸、甲氧基丙氨基)等例;具有 石黃酸基之含氮化合物例如3 -吡啶磺酸、Ρ -甲苯磺酸吡 口定鏺等;具有羥基之含氮化合物,具有羥苯基之含氮化合 物、醇性含氮化合物等例如,2 -羥基吡啶、氨基甲酚、 2 ,4 -喹啉二醇、3 —吲哚甲醇氫化物、單乙醇胺、二 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張1尺度適用中國國家標準(〇奶)入4規格(210/297公釐) -28- 538314 A7 ______B7_ 五、發明説明(26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乙醇胺、三乙醇胺、N —乙基二乙醇胺、N,N —二乙基 乙醇胺、三丙醇胺、2,2,—亞氨基二乙醇、2 —氨基 乙酉〒、3 —更^基—1 —丙醇、4;—氣基—1 — 丁醇、4 _ (2 —羥乙基)嗎啉、2 — ( 2 —羥乙基)吡啶、1 -( 2 —羥乙基)哌嗪、1 —〔 2 — ( 2 —羥乙氧基)乙基〕 哌嗪、哌嗪乙醇、1 — ( 2 —羥乙基)吡咯烷、1 — ( 2 —羥乙基)一2 —吡咯烷酮、3 —吡咯烷酮基一1 ,2 — 丙二醇、3 —吡咯烷酮基一 1 ,2 —丙二醇、8 —羥久洛 尼啶、3 —喔啶醇、3 —托品醇、1 -甲基—2 —吡啶乙 醇、1 -氮維環丙烷乙醇、N — ( 2 -羥乙基)肽醯亞胺 、N - ( 2 —羥乙基)異尼古丁醯胺等等。醯胺衍生物例 如,甲醯胺、N -甲基醯胺、N,N —二甲基醯胺、乙醯 . 胺、N -甲基乙醯胺、N,N —二甲基乙醯胺、·丙醯胺、 戊醯胺等。醯亞胺衍生物則例如酞醯亞胺、琥珀醯酵醯亞 胺、馬來醯亞胺等。 又,可再添加1種或2種以上選自下式(B ) - 1所 禾之鹼性化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 N ( K ) Π ( Y ) 3 - η (Β- 1) 式中,、2或3 ;支鏈X可爲相同或不同,且 可以下記式(X) — 1至(x)— 3表示,支鏈Y可爲相 同或不同之氫原子或直鏈狀'支鏈狀或環狀之碳數1至 2 0之烷基,亦可含有醚基或羥基;又,X間可相互鍵結 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇x297公釐) -29- 538314 A7 B7 五、發明説明(2乃
肜成環。 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --R^-O-^301 (Χ)-1 一 .·ρ102〇_R30<1 (X)-2 0 --R3Q-^-J—O—R306 (X)-3 式中,R 3〇°、R3。2、R3〇5爲碳數1至4之直鏈狀 或支鏈狀之伸烷基;R3(D1、R3〇4爲氫原子、或碳數1 至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基,且可含有1個或多 數個羥基、醚基、酯基或內酯環等; r 3 Q 3爲單鍵或碳數1至4之直鏈狀或支鏈狀伸烷基 ;R 3 "爲碳數1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基’ 且可含有1個或多數個羥基 '醚基、酯基或內酯環等。 上述(B ) - 1所示化合物之具體內容’例如,三( 2 —甲氧甲氧基乙基)胺、三{2— (2 —甲氧乙氧基) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 乙基}胺、三(2— (2 —甲氧乙氧基甲氧基)乙基)胺 、 三{2 — (1—甲氧乙氧基)乙基丨胺、三丨2 一(1 一乙氧乙氧基)乙基丨胺、三丨2— ( 1—乙氧丙氧基) 乙基}胺、三〔2— {2— (2 —羥乙氧基)乙氧基}乙 基〕胺、4,7,13,16,21,24 —六氧—1, 1 0 —二氮雜二環〔8,8,8〕二十六院 ’ 4 ’ 7’ 1 3 ,18 —四氧—1,1〇 —二氮雜二環〔8 ’ 5 ’ 5〕 二十烷,1 ,4 ,1〇,13 —四氧一7,16 —二氮雜 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -30- 538314 A7 B7 五、發明説明(2今 二環十八烷,1—氮雜—12 —冠—4,1—氮雜—15 —冠-5,1 —氮雜-18—冠—6,三(2 —甲醯氧乙 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基)胺,三C 2 —乙醯氧乙基)胺,三(2-丙醯氧乙基 ) 肢,三(2 — 丁醯氧乙基)胺,三(2 —異丁醯氧乙基 ) 胺,三(2 -戊醯氧乙基)胺,三(2 —己醯氧乙基) 胺 ,N,N-雙(2 —乙醯氧乙基)2 —(乙醯氧乙醯氧 基)乙基胺,胺,三(2 —甲氧羰氧乙基)胺,三(2 — t ert -丁氧羰氧乙基)胺,三〔2 -(2 —羰丙氧基 ) 乙基〕胺,三〔2—(甲氧羰甲基)氧乙基〕胺,三〔 2 —(teirt - 丁氧羰甲基氧基)乙基〕胺,三〔2 - (環己基氧基羰曱基氧基)乙基〕胺,三(2 —甲氧羰基 乙基)胺,三(2—乙氧羰基乙基)胺,N,N —雙(2 一羥乙基)2 - (甲氧羰基)乙基胺,N,N —雙(2 -乙醯氧基乙基)2—(甲氧羰基)乙基胺,N,N —雙( 2 —羥乙基)2—(乙氧羰基)乙基胺,N,N —雙(2 —乙醯氧乙基)2—(乙氧羰基)乙基胺,N,N —雙( 2 -羥乙基)2-(甲氧乙氧羰基)乙基胺,N,N-雙 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 (2 —羥乙基)2—(羥基乙氧羰基)乙基胺,N,N-雙(2 -乙醯氧乙基)2 —(乙醯氧乙氧羰基)乙基胺, N ,N -雙(2 -羥乙基)2 -〔(甲氧羰基)甲氧羰基 〕乙基胺,N,N —雙(2 —乙醯氧乙基)2 —〔(甲氧 羰基)甲氧羰基〕乙基胺,N,N —雙(2 —羥乙基)2 一(鑛丙氧纖基)乙基胺,N ’ N —雙(2 —乙醯氧乙基 )2—(羰丙氧羰基)乙基胺,N,N—雙(2 -羥乙基 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐了 -31 - 538314 A7 B7 五、發明説明(2弓 )2—(四氫氧茂甲氧羰基)乙基胺,N,N—雙(2— 羥乙基)2 — 〔2 -(羰基四氫呋喃一 3 -基)氧羰基〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乙基胺,N, N -雙(2 —乙醯氧乙基)2 —〔 (2 —羰 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 基四氫呋喃一 3-基)氧羰基〕乙基胺,N,N —雙(2 一羥乙基)2 — (4 —羥基丁氧羰基)乙基胺,N,N — 雙 (2 -甲醯氧乙基)2— (4 -甲醯氧丁氧羰基)乙基 胺,N,N —雙(2 —甲醯氧乙基)2 —(曱醯氧乙氧類 基)乙基胺,N,N —雙(2 —甲氧乙基)2 —(甲氧羰 基)乙基胺,N- (2—羥乙基)雙〔2 —(甲氧羰基) 乙基〕胺,ΝΓ - (2 —乙醯氧乙基)雙〔2 —(甲氧鑛基 ) 乙基〕胺,N -(2 -羥乙基)雙〔2 — (乙氧羰基) 乙基〕胺,N- (2 —乙醯氧乙基)雙〔2 —(乙氧羰基 ) 乙基〕胺,N- (3 -羥基一 1 一丙基)雙〔2 —(甲 氧羰基)乙基〕胺,N— (3—乙醯氧基—1—丙基)雙 〔2—(甲氧羰基)乙基〕胺,N—(甲氧乙基)雙〔2 一(甲氧羰基)乙基〕胺,N— 丁基雙〔2 — (2 -甲氧 乙氧羰基)乙基〕胺,N —甲基雙(2 —乙醯氧乙基)胺 ,N -乙基雙(2 —乙醯氧乙基)胺,N —甲基雙(2 — 三甲基乙醯氧氧乙基)胺,N —乙基雙〔2— ( t e r t 一丁氧羰氧基)乙基〕胺,三(甲氧羰甲基)胺,三(乙 氧羰甲基)胺,N — 丁基雙(甲氧羰甲基)胺,N -己基 雙(甲氧羰甲基)胺,/3 — (二乙基胺)一5 —戊內醯胺 等。 上記鹼性化合物可單獨使用1種或將2種以上組合使 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS)A4規格(210X297公釐) -32 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538314 A7 _______ B7 五、發明説明(3C) 用皆可’其添加量以對光阻材料中固體成分1 0 0重量份 爲0至2重量份,又以ο · 〇 1至1重量份爲佳,添加量 超過2重量份時感度會有降低情形。 又’本發明之增強化學性正型光阻材料中,爲增加塗 佈性可添加界面活性劑等。 界面活性劑之例,並未有特別之限定,例如可爲聚氧 乙烯月桂基瞇、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鯨鱲基醚、 聚氧油酸基醚等聚氧乙烯烷基醚類;聚氧乙烯辛基苯酚醚 、聚氧乙烯乇苯酚醚等聚氧乙烯烷基烯丙基醚等;聚氧乙 烯聚氧丙烯嵌段共聚物類;山梨糖醇酐單月桂酸酯、山梨 糖醇酐單棕濶酸酯、山梨糖醇酐單硬脂酸酯等山梨糖醇酐 百旨肪酸酯類;聚氧乙烯山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯山 梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧 乙烯山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三硬脂酸酯等 聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯之非離子性界面活性劑。愛福 脫EF301、EF303、EF352(湯姆克)、美 克發F1 7 1、F 1 72、F 17 3 (大曰本油墨化學公 司)、福樂多FC430、FC431 (住友3M公司) 、朝日 AG7 10、沙氟隆 S — 381、S — 382、 S C101、SC1〇2、SC1〇3、SC1〇4、 S C105、SC106、沙菲隆Ε1〇〇4、ΚΗ— 1 0、1^11一20、1^^[—3〇、1^^1一4〇(旭硝子) 等氟系界面活性劑,有機聚系氧烷聚合物Κ Ρ 3 4 1、X 一 70 — 092、X — 7〇—09 3 (信越化學)、丙烯 本紙張尺度適用中國國家樣绛(CNS) A4規格(210x297公釐) (請先閲讀背面之注意事項存填寫本貢)
-33- 538314 A7 __ B7 五、發明説明(31) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 酸系或甲基丙烯酸系聚氟N〇 . 7 5、No · 9 5 (共榮 油脂化學工業)等,其中又以F c 4 3 0、沙氟隆S -3 81、沙乘隆 Ε1〇〇4、ΚΗ — 20、KH — 30 等 爲佳。其可單獨使用或將2種以上組合使用。 本發明之:光阻材料中的界面活性劑的添加量,以對光 阻材料中固肜分1 〇 〇重量份爲2重量份以下,較佳爲1 重量份以下。 本發明之(A )有機溶劑與,(B )上記式(1 )與 (2 )所示高分子化合物與,(C )含酸產生劑之增強化 學型光阻材料用於製造各種集積回路使用時,並未有特別 之限定,一般:可使用公知之蝕刻印刷法。 一般於製造集積回路用基板(S i 、S i〇2、S i N 、Si〇N、TiN、WSi、BPSG、S〇G、有機 反射防止膜等)上以旋轉塗佈、滾筒塗佈、簾式塗佈、浸 漬塗佈、噴霧塗佈、刮刀塗佈等方式塗佈厚度〇 · 1至 2 · 0 // m之膜,將其於熱壓板上以6 0至1 5 0 °C、1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至1 0分鐘,較佳爲8 0至1 2 0 °C、1至5分鐘之預培 燒。其次以紫外線、遠紫外線、電子線、X射線、等離子 雷射線、r線、同步加速線所選出之光源,較佳以3 0 〇 n m以下之曝光波長在通過特定光罩對目的圖案進行曝光 。曝光量一般爲1至2 0〇m J / c m 2左右,較佳爲1 〇 至1 0 0 m J / c m 2下進行照射爲佳,在熱壓板上以6 〇 至1 5 0 °C 、1至5分鐘,較佳爲8 0至1 2〇°C、1至 3分鐘之後照射培燒(P E B )。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — ' -34- 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3$ 其後使用0 · 1至5 % ,較佳爲2至3 %四甲基銨氧 氧化物(TH A Μ )等鹼性水溶液之顯影液,以〇 · 1至3分 鐘、較佳爲0 · 5至2分鐘間,以浸漬(d i ρ )法,微粒( pu ddle )法,噴撒法(spray )法等常用顯影方法於基板上 形成目的之圖案。本發明之材料,最適合用於使用高能量 線中1 9 3至2 5 4 n m之遠紫外線、1 5 7 n m之真空 紫外線、電子線、X線、等離子射線、r線、同步加速射 線以進行之微細圖案描繪。又,超出上記範圍之上限或下 限以外時,可能會有無法得到目的圖案之情形產生。 【實施例】 以下將以合成例、比較合成例、實施例與比較例爲例 承對本發明作更具體之說明,但本發明並不受下記實施例 所限制。 〔合成例1〕 於2公升之燒瓶中,加入乙醯氧基苯乙烯1 3 · 3 g 、茚58 · 6g、甲基丙烯酸1 一乙基環戊酯8 · Og、 作爲溶媒之甲苯8 0 g。將此反應器於氮氣環境下,冷卻 至-7 0 °C ,重複3次減壓排氣、吹入氮氣等歩驟。升溫 至室溫後,加入作爲聚合起始劑之A I B N 4 . 1 g, 升溫至6 0 °C .後,再反應1 5小時。將此反應溶液濃縮至 1 / 2,使其於甲醇4 · 5公升、水0 , 5公升之混合液 中產生沉澱,將所得白色沉澱物過濾後,於6 0 °C下減壓 乾燥,得白色聚合物5 7 g。將此聚合物再度溶解於甲醇 衣纸張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -35- 538314 A7 B7 五、發明説明(q (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 ·5公升、四氫呋喃1·0公升中,加入三乙基胺70 g 、水1 5 g後,進行脫保護反應,並使用醋酸進行中和 。將反應溶液濃縮後,溶解於丙酮〇 . 5公升中,再依與 上記相同之沉澱、過濾、乾燥等步驟,製得白色聚合物 4 5 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Η - N M R與G P C測定結果 ,得下記分析結果。 共聚合組成比 '羥基苯乙烯::甲基丙烯酸1 -乙基環戊酯二 3 7.9:40.8:21.3 重量平均分子量(Mw) =5,500 分子量分布(Mw/Mn)二1 , 7 2 將其作爲(P ◦ 1 y — A ) 〔合成例2〕 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 於2公升之燒瓶中,加入乙醯氧基苯乙烯2 2 · 7 g 、茚49 · 5g、甲基丙烯酸1 一乙基環戊酯7 · 8g、 作爲溶媒之甲苯8 0 g。將此反應器於氮氣環境下’冷卻 至- 7 0 °C,重複3次減壓排氣、吹入氮氣等步驟。升溫 至室溫後,加入作爲聚合起始劑之A I B N 4 . 0 g ’ 升溫至6 0 °C後,再反應1 5小時。將此反應溶液濃縮至 1 / 2,使其於甲醇4 · 5.公升、水〇 · 5公升之混合液 中產生沉澱,將所得白色沉澱物過濾後,於6〇°C下減壓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -36- 538314 A7 B7 五、發明説明(3今 乾燥,得白色聚合物5 9 g。將此聚合物再度溶解於甲醇 〇 ·5公升、四氫呋喃1·0公升中,加入三乙基胺70 s 、水1 5 g後,進行脫保護反應,並使用醋酸進行中和 °將反應溶液濃縮後,溶解於丙酮〇 _ 5公升中,再依與 上記相同之沉澱、過濾、乾燥等步驟,製得白色聚合物 4 6 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Ή — N M R與G P C測定結果 ’得下記分析結果。 1聚合組成卜上 羥基苯乙烯··節:甲基丙烯酸1 -乙基環戊酯= 5 3 '· 8 ·· 2 8 . 8 : 1 7 · 4 重量平均分子量(Mw) =6,500 分子量分布(Mw/Mn) =1 · 7 5 將其作爲(P ◦ 1 y — B ) 〔合成例3〕 於2公升之燒瓶中,加入乙醯氧基苯乙烯3 6 · 8 g 、茚32 · 9g、甲基丙烯酸1 一乙基環戊酯1 0 · 3g 、作爲溶媒之甲苯7 0 g。將此反應器於氮氣環境下,冷 谷卩至-7 0 °C. ’重複3次減壓排氣、吹入氮氣等步驟。升 溫至室溫後,加入作爲聚合起始劑之A I B N 3 . 7 g ,升溫至6 ◦ t後,再反應1 5小時。將此反應溶液濃縮 至1 / 2,使其於甲醇4 · 5公升、水〇 · 5公升之混合 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 37- 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3今 液中產生沉澱,將所得白色沉澱物過濾後,於6 〇 °c下減 壓乾燥,得白色聚合物7 3 g。將此聚合物再度溶解於甲 醇0 . 5公升、四氫呋喃1 . ◦公升中,加入三乙基胺 7〇g、水1 5 g後,進行脫保護反應,並使用醋酸進行 中禾□。將反應溶液濃縮後,溶解於丙酮0 · 5公升中,再 依與上記相同之沉澱、過濾、乾燥等步驟,製得白色聚合 物 5 2 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Η - N M R與G P C測定結果 ,得下記分析結果。 共聚合細成比 羥基苯乙烯:茚:甲基丙烯酸1 -乙基環戊酯二 63.6:20.0:16.4 重量平均分子量(Mw)二8,80 0 分子量分布(Mw/Mn) =1 · 78 將其作爲(P〇 1 y — C) 〔合成例4〕 於2公升之燒瓶中,加入乙醯氧基苯乙烯3 7 · 8 g 、茚33 · 9g、甲基丙烯酸t 一丁酯8 . 3g、作爲溶 媒之甲苯7 0 g。將此反應器於氮氣環境下’冷卻至 一 7 0 t,重複3次減壓排氣、吹入氮氣等步驟。升溫至 室溫後,加入作爲聚合起始劑之A I B N 3 . 8 g ’升 溫至6 0 °C後,再反應1 5小時。將此反應溶液濃縮至1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -38- 538314 A7 B7 五、發明説明(衿 / 2,使其於甲醇4 · 5公升、水0 . 5公升之混合液中 產生沉澱,將所得白色沉澱物過濾後’於6 0 °C下減壓乾 燥’得白色聚合物6 8 g。將此聚合物再度溶解於甲醇 0 ·5公升、四氫呋喃1·〇公升中,加入三乙基胺70 2 、水1 5 g:後,進行脫保護反應,並使用醋酸進行中和 °將反應溶液濃縮後’溶解於丙酮〇 · 5公升中,再依與 上記相同之沉澱、過濾、乾燥等步驟,製得白色聚合物 5 4 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Η - N M R與G P C測定結果 ’得下記分析結果。 &-¾合組成比 羥基苯乙烯:茚:甲基丙烯酸t — 丁酯=6· 3 · 3 : 1 9.8:1-6.9 重量平均分子量(Mw) =8,5〇〇 分子量分布(Mw/Mn) =1 · 73 將其作爲(ρ 〇 1 y — D ) 〔合成例5〕 於2公升之燒瓶中,加入乙醯氧基苯乙烯3 0 · 8 g 、茚1 1 7 ·. 9 g、作爲溶媒之甲苯2 〇 g。將此反應器 於氮氣環境下,冷卻至-7 0 °C,重複3次減壓排氣、吹 入氮氣等步驟。升溫至室溫後,加入作爲聚合起始劑之 A I B N 6.2g,升溫至60°C後,再反應1 5小時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ - -39- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538314 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3乃 。將此反應溶液濃縮至1 / 2 ,使其於甲醇4 · 5公升、 水0 . 5公升之混合液中產生沉澱,將所得白色沉澱物過 濾、後,於6 0 °C下減壓乾燥,得白色聚合物7 7 g。將此 聚合物再度溶解於甲醇0 · 5公升、四氫呋喃1 . 0公升 中,加入三乙基胺7 0 g、水1 5 g後,進行脫保護反應 ,並使用醋酸進行中和。將反應溶液濃縮後,溶解於丙酮 0 · 5公升中1,再依與上記相同之沉澱、過濾、乾燥等步 驟,製得白色聚合物5 2 g。再將此聚合物溶解於四氫咲 喃溶媒50〇ml中,再加入碳酸鉀13 · 8g、t - 丁 基氯乙酸酯1 0 · 2 g,使其於室溫下反應1 〇小時。此 反應溶液醋酸5 . 0 g中和,並於4公升水中結晶沉澱, 再經2次水洗,將所得白色固體過濾後,於4 0 °C下減壓 乾燥,得白色聚合物5 8 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Η — N M R與G P C測定結果 ,得下記分折結果。 共聚合組成1:匕 羥基苯乙烯:茚:p- t — 丁氧羰甲氧基苯乙烯= 29,0:62.0:9.0 重量平均分子量(Mw) =4,6 〇 〇 分子量分布(Mw/Mn) =1 · 77 將其作爲(Ρ ο 1 y — E ) 〔合成例6〕 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ - 40 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 538314 A7 B7 五、發明説明(3今 於2公升之燒瓶中,加入5 —羥基茚6 3 g、甲基丙 烯酸1 -乙基環戊酯2 0 · 6 g、作爲溶媒之甲苯5 0 g 。將此反應器於氮氣環境下,冷卻至-7 〇 °C,重複3次 減壓排氣、吹入氮氣等步驟。升溫至室溫後’加入作爲聚 合起始劑之A I B N 4 . 2 g,升溫至6〇°C後,再反 應1 5小時。將此反應溶液濃縮至1 / 2,使其於甲醇 4 · 5公升、水〇 · 5公升之混合液中產生沉澱,將所得 白色沉澱物過濾後,於6 0 °C下減壓乾燥,得白色聚合物 6 1 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Η — N M R與G P C測定結果 ,得下記分析結果。 共聚合組成ί:匕 5 -羥基茚:甲基丙烯酸1 —乙基環戊酯=7 1 · 0 • 2 9.0 重量平均分子量(Mw) =7,1 0 0 分子量分布(Mw/Mn)二1 · 7 0 將其作爲(Poly — F) 〔比較合成例〕 依上記合成例相同方法所合成之2成分聚合物之品名 、分析結果記載如下: 羥基苯乙烯:曱基丙烯酸1 -乙基環戊酯=7 1 : 2 9 本^張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210^97公釐) ~~ -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
538314 A7 B7 五、發明説明(3今 重量平均分子量(Mw)二16,100 分子量分布(Mw/Mn) · 7〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將其作爲(p 〇 1 y — g ) 又,使用2公升燒瓶,將聚羥基苯乙烯(M W二 1 1,〇〇〇 ,Mw/Mn=1.08)40g溶解於四 氣口夫喃4 0 0 m 1中,加入甲院磺酸1 . 4 g、乙基乙烯 基醚1 2 · 3 g,於室溫下反應1小時,再加入氨水( 3 0 % ) 2 . 5 g使反應停止,此反應溶液以醋酸水5公 升使其進行結晶沉澱,再進行2次水洗’將所得白色固體 過濾後,於4 0 °C下減壓乾燥,得白色聚合物4 7 g。 所得聚合物經1 3 C、1 Η — N M R與G P C測定結果 ,得下記分析結果。 共聚合組成比 羥基苯乙烯:Ρ —乙氧乙氧基苯乙烯=6 3' 5 : 3 6.5 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 重量平均分子量(Mw) =1 3,000 分子量分布(Mw/Mn) =1 · 10 將其作爲(ρ 〇 1 y — Η ) 〔實施例、比較例〕 依表1 、2所示內容製作光阻材料,此時,於表1、 2所列舉之光阻組成物中,高分子化合物係使用上記合成 例、比較合成例所示之Ρ Ο 1 y — Α〜Η,其他組成物成 度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(2丨0>< 297公釐) 42- 538314 A7 B7 五、發明説明( 分係如下所示。 P A G 1 :4 一(4’ 一甲基苯基磺醯氧基)苯基磺 酸三苯基锍 PAG2 :4 -(4’ 一甲基苯基磺醯氧基)苯基磺 酸 (4- t e i* t — 丁苯基)一^本基鏡 PAG 3 :雙(環己基磺醯基)二偶氮甲烷 PAG4 :雙(2,4 一二甲基苯基磺醯基)二偶氮 甲烷 溶解阻凝劑A :雙(4 — ( 2 ’ 一四氫吡喃氧基)苯 基)甲烷 鹼性化合物A :三(2 —甲氧乙基)胺 界面活性劑A : F C - 4 3 0 (住友3 Μ公司製) 界面活性劑Β :沙氟隆S — 3 8 1 (旭硝子公司製) 溶劑A :丙二醇甲基醚乙酸酯 溶劑B :乳酸乙酯 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -43- 538314
五、發明説明(4D
A B 【表1】 組成(重量份) 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 poly-A 80 - - - poly-B - 80 - - poly - C - - 80 - poly-D 一 麵 一 80 PAG1 2 2 2 2 PAG2 1 1 1 1 PAG3 - - - - PAG4 - _ - 溶解阻礙劑A - - - - 碼Η'生化合物A 0.2 0.2 0.2 0.2 界面活性劑A 0.07 0.07 0.07 0.07 界面活性劑B 0.07 0.07 0.07 0.07 溶劑A 300 300 300 300 溶劑B 130 130 130 130 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -44- 538314 A7 B7 五、發明説明(42) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【表2】 組成(重量份) 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2 poly-E 80 - - - poly-F - 80 - - poly-G - - 80 - poly-H - 80 PAG1 2 2 2 1 PAG2 - 1 1 1 PAG3 1 - - - PAG4 - - - 1 溶解阻礙劑A - - - - 碱f生化合物A 0.2 0.2 0.2 0.2 界面活性劑A 0.07 0.07 0.07 0.07 界面活性劑B 0.07 0.07 0.07 0.07 溶齊!IA 300 300 300 300 溶劑B 130 130 130 130 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -45- 538314 A7 ----B7___ 五、發明説明(岣 將所得光阻材料以0 . 2 // m之鐵氟龍製過濾器過濾 後,將此光阻溶液以旋轉塗佈方式塗佈於矽晶圓上,並使 厚度爲0 · 6 # m。 隨後,再將此矽晶圓使用熱壓板進行1〇0 °C、9 0 秒之熱培。其後藉由等離子雷射處理器(理光公司, N SR— 20 05EX,NA = 〇 .5)進行曝光,進行 1 1 0°C、9 0 秒之熱培(P E B : Post exposure bake )後,於2 · 3 8 %之四甲基銨氫氧化物水溶液中進行顯 影後而製得正型圖案(實施例1至6,比較例1,2 )。 所得光阻材料係依下記方法進行評估。 光阻圖案之§平估方法: 將0 · 1 8 // m線路空間之頂部與尾部呈1 : 1解像 之曝光量作爲最佳曝光量(感度:Eop),使用此曝光 量所分離之線路空間之最小線幅m )作爲評估光阻材 料之解像度。顯影後之光阻圖案形狀係使用掃描型電子顯 微鏡進行觀察光阻之截面。 又,光阻之P E D安定性,係於最適當曝光量下曝光 後,放置2 4小時後再進行p e B ( Post exposure bake ),並評估線寬之變動値。此變動値越小時則顯示P E D 安定性越佳。 光阻圖案之§平估結果如表3所示。 除圖案評估以外之評估方法: 光阻材料顯像後之乾蝕刻耐性,係使用東京電子公司 製T E 8 5 ◦ 0 S進行實際之鈾刻,隨後再對圖案之形狀 ^氏張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X29?公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 -46- 2 0 m 1 / m i 2 0 m 1 / m i 4 0 0 m 1 / m i 538314 A7 _B7 _ 五、發明説明(4今 使用掃描型電子顯微鏡對光阻截面進行觀察’以比較例2 之蝕刻後的膜後減少量爲1 · 0時之其他光阻之減少量作 爲相對之比率。即,數値越小時代表其爲蝕刻耐性越佳之 光阻。又,蝕刻係以下述條件進行者。 P r essure : 3 3 . 3 P a R F Power : 8 Ο 0 W G as: ( 1 ) C H F 3 (2 ) C F 4 (3 ) A r 蝕刻時間:2分3 0秒 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS )八4規格(2丨〇 χ 297公釐) -47- 538314 Α7 Β7 五、發明説明(岣 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 【表3】 感度 (mJ/cm2) 解像度 ("m) 外觀形狀 24小時後PED 之尺寸安定1生 _ 鈾刻耐性之比較 (膜厚減少量之比 較) 比較例1 28 0.16 短形 -9 0.98 比較例2 26 0.17 短形 -13 1.0 實施例1 33 0.15 矩形 -5 0.85 實施例2 31 0.15 矩形 -6 0.88 實施例3 29 0.14 矩形 -8 0.91 實施例4 35 0.17 趨近錐形 -5 0.92 實施例5 34 0.16 趨近錐形 -7 0.77 實施例6 28 0.15 矩形 -6 0.75 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 本紐尺度適用中國國家標準⑽)Μ規格⑺0X靖) 538314 A7 ___ B7 五、發明説明(4弓 又,乾独刻耐性中,較所使用之聚合物構造或®組 成更具有相關性之與茚比例之關係,係如圖1所示。 【發明之效渠】 本發明之光阻材料,可大幅提高曝光前後鹼溶解速度 之反差,具有高感度與高解像度,且更具有優良鈾刻耐性 ,而極適合作爲製造超L S I所使用之微細圖案成型材料 旳增強化學性正型光阻材料等光阻材料。 【圖示簡單說:明】 圖1 :萌比例與乾蝕刻耐性之關係圖。 、1T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -49-
Claims (1)
- 538314 Λ: Α8 Β8 C8 D8 -、申請專利範国 1 · 一種光阻材料,其係含有下記式(1 )所示重複 單位以外,尙含有酸不穩定基可受酸之作用產生分解以ί曾 加對鹼之溶解性的重複單位之重量平均分子量爲 1 ,000至500,0〇0之高分子化合物者; ⑴ -fCH(式中,R1 、R2爲氫原子、羥基、可取代之羥烷基、直 鏈狀或支鏈狀烷基、可取代之烷氧基、或_素原子;又, η爲0或1至4之整數)。 2 . —種光阻材料,其係含有下記式(2 )所示重複 單位,且重量平均分子量爲1 ,〇〇0至50〇,0〇〇· 之高分子化合物者; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R3 R3 卜丨 R5 R6 -fCH2—C~) (-CH2—C-)^ -f CH—C~)~ _f CH—C 七 1 1 1 - Λ (〇H)n R4 (R1)〇 (2) (式中,R 1、R 2與R 4爲氫原子、羥基、可取代之羥烷 基、直鏈狀或支鏈狀烷基、可取代之烷氧基、或鹵素原子 、R5爲氫原子或甲基;R6爲氫原子、甲基、院氧 R 嚴基、氰基、或鹵素原子;R7爲碳數1至2〇之院基;又 本紙張尺渡適用中國國家樣毕(CNS )八4規格(210X297公釐) -50- 538314 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 ,η爲〇或1至4.之正整數,111爲〇或1至5之正整數, P 、q、s爲〇或正數,r爲正數)。 3 ,如申請專利範圍第2項之光阻材料,其於式(2 )中,R1、R4之一方或雙方,係由下記式(3) 、(4 ) 所示之基、碳數4至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀之3 牟及烷氧基、各烷基分別爲碳數1至6之三烷基矽烷氧基、 碳數4至2 0之羰烷氧基中所選出者; R8 一〇—〇-〇一 R10 (3) R9 R11 0 —〇4^—)-Cn_R13 (4) R123 ° (式中,R8 、R9、R11、R12爲各自獨立之氫原子或 碳數1至8之直鏈狀或支鏈狀烷基;R1Q爲碳數.1至1 8· 之可夾有氧原子之1價烴基;R8與R9、R8與R1。、 R 9與R 1 ◦可形成環,形成環時,R 8、R 9、R 1 ◦各自爲 碳數1至1 8之直鏈狀或支鏈狀伸烷基;R13爲碳數4至 4 〇之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基;又,a爲0或1至5 之整數)。 4 · 一種增強化學性正型光阻材料,其特徵係含有 (A )有機溶劑, (B )作爲基礎樹脂脂申請專利範圍第1、2或3項 之高分子化合物, (C )酸產生劑。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 銶 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -51 - 538314 尙添 利範 ,於 光之 歩驟 A8 B8 C8 D8 「、中請專利範圍 5 · —種增強化學性正型光阻材料,其特徵係含有 (A )有機溶劑, (B )作爲基礎樹脂之申請專利範圍第1、2或3項 之高分子化合物, (C )酸產生劑, (D )溶解阻礙劑。 6 ·如申請專利範圍第4或5項之光阻材料,其 加有作爲(E )添加劑之鹼性化合物。 7 . —種圖案形成方法,其特徵係包含將申請專 圍弟4、5或6項之光阻材料塗佈於基板上之步驟跑 加熱處理後’介由光罩使用高能量線或電子線進行曝 步驟與,必要時於加熱處理後使用顯影液進行顯影之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -訂- -絲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張只適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -52-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334340 | 2000-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW538314B true TW538314B (en) | 2003-06-21 |
Family
ID=18810275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090127066A TW538314B (en) | 2000-11-01 | 2001-10-31 | Photo resist composition and patterning process |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6746817B2 (zh) |
| EP (1) | EP1204001B1 (zh) |
| KR (1) | KR100571456B1 (zh) |
| TW (1) | TW538314B (zh) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3877605B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-02-07 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| US20040033440A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Kazunori Maeda | Photoacid generators, chemically amplified positive resist compositions, and patterning process |
| CN1253671C (zh) | 2002-11-09 | 2006-04-26 | 土人环境Design株式会社 | 用于预制结构的连接器 |
| JP4582331B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-11-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| TWI400571B (zh) | 2006-03-14 | 2013-07-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
| JP4623311B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP4678383B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP5158370B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2013-03-06 | 信越化学工業株式会社 | ダブルパターン形成方法 |
| JP5201363B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5290129B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-09-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5463963B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5407941B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2014-02-05 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5387181B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5565293B2 (ja) | 2010-01-08 | 2014-08-06 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5561192B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-07-30 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法 |
| JP5505371B2 (ja) | 2010-06-01 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| JP5278406B2 (ja) | 2010-11-02 | 2013-09-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5601309B2 (ja) | 2010-11-29 | 2014-10-08 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5365651B2 (ja) | 2011-02-28 | 2013-12-11 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP5445488B2 (ja) | 2011-02-28 | 2014-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP5601286B2 (ja) | 2011-07-25 | 2014-10-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5434983B2 (ja) | 2011-07-27 | 2014-03-05 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5655755B2 (ja) | 2011-10-03 | 2015-01-21 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5655756B2 (ja) | 2011-10-03 | 2015-01-21 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5712963B2 (ja) | 2012-04-26 | 2015-05-07 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5772760B2 (ja) | 2012-08-13 | 2015-09-02 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6048345B2 (ja) | 2012-09-05 | 2016-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6131776B2 (ja) | 2012-09-05 | 2017-05-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6127832B2 (ja) | 2012-09-05 | 2017-05-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5817707B2 (ja) | 2012-11-21 | 2015-11-18 | 信越化学工業株式会社 | 現像液及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5913077B2 (ja) | 2012-12-18 | 2016-04-27 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5819810B2 (ja) | 2012-12-18 | 2015-11-24 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5835204B2 (ja) | 2012-12-20 | 2015-12-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5825252B2 (ja) | 2012-12-26 | 2015-12-02 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5821862B2 (ja) | 2013-01-29 | 2015-11-24 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6213296B2 (ja) | 2013-04-10 | 2017-10-18 | 信越化学工業株式会社 | 現像液を用いたパターン形成方法 |
| JP6237470B2 (ja) | 2013-06-12 | 2017-11-29 | 信越化学工業株式会社 | 感光性レジスト材料用現像液及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6221939B2 (ja) | 2013-06-19 | 2017-11-01 | 信越化学工業株式会社 | 感光性レジスト材料用現像液及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5920322B2 (ja) | 2013-11-28 | 2016-05-18 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6325464B2 (ja) | 2015-01-05 | 2018-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 現像液及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6536207B2 (ja) | 2015-06-19 | 2019-07-03 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP6370265B2 (ja) | 2015-07-09 | 2018-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 重合性モノマー、高分子化合物、ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4409318A (en) * | 1981-05-01 | 1983-10-11 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photosensitive element containing a polymer of an indenone based compound and a methacrylate compound |
| US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4603101A (en) | 1985-09-27 | 1986-07-29 | General Electric Company | Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials |
| US5310619A (en) | 1986-06-13 | 1994-05-10 | Microsi, Inc. | Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable |
| EP0249139B2 (en) | 1986-06-13 | 1998-03-11 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Resist compositions and use |
| JP2578646B2 (ja) | 1988-07-18 | 1997-02-05 | 三洋電機株式会社 | 非水系二次電池 |
| JP2970879B2 (ja) | 1990-01-30 | 1999-11-02 | 和光純薬工業株式会社 | 化学増幅型レジスト材料 |
| JPH03223858A (ja) | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH03275149A (ja) | 1990-03-27 | 1991-12-05 | Tosoh Corp | 不飽和ジエステル製造用触媒の再生方法 |
| JPH04249509A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-09-04 | Kawasaki Steel Corp | パターン形成材料 |
| EP0499271A1 (en) * | 1991-02-15 | 1992-08-19 | Kawasaki Steel Corporation | Photosensitive resin |
| JP3275149B2 (ja) | 1991-09-26 | 2002-04-15 | 富士通株式会社 | Museデコーダ用ノンリニヤエッジ信号生成装置 |
| TW304235B (zh) | 1992-04-29 | 1997-05-01 | Ocg Microelectronic Materials | |
| JP3287057B2 (ja) | 1993-03-30 | 2002-05-27 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
| ATE199985T1 (de) * | 1996-02-09 | 2001-04-15 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Polymer und resistmaterial |
| JP3223858B2 (ja) | 1996-12-24 | 2001-10-29 | 松下電器産業株式会社 | アルカリ蓄電池とその正極活物質およびその製造方法 |
| US6770413B1 (en) * | 1999-01-12 | 2004-08-03 | Shipley Company, L.L.C. | Hydroxyphenyl copolymers and photoresists comprising same |
-
2001
- 2001-10-30 EP EP01309168.1A patent/EP1204001B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-31 TW TW090127066A patent/TW538314B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-31 KR KR1020010067323A patent/KR100571456B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-31 US US09/984,726 patent/US6746817B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6746817B2 (en) | 2004-06-08 |
| EP1204001A1 (en) | 2002-05-08 |
| KR100571456B1 (ko) | 2006-04-17 |
| KR20020034930A (ko) | 2002-05-09 |
| EP1204001B1 (en) | 2013-09-11 |
| US20020081521A1 (en) | 2002-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW538314B (en) | Photo resist composition and patterning process | |
| TWI288300B (en) | Preparation of polymer and resist composition | |
| TW536549B (en) | Novel onium salts, photoacid generators for photo resist compositions, photo resist compositions, and patterning process | |
| TW546543B (en) | Resist material and patterning process | |
| TWI226519B (en) | Polymers, resist compositions and patterning process | |
| TW200407671A (en) | Photo resist material and method for pattern formation | |
| JP4557159B2 (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| TWI245774B (en) | Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process | |
| TWI225184B (en) | Chemical amplification type resist composition | |
| TWI249649B (en) | Resist composition and patterning process | |
| TWI225968B (en) | Novel sulfonyliazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process | |
| TWI286669B (en) | Resist composition and patterning process | |
| TW574607B (en) | Polymers, resist compositions and patterning process | |
| TW546546B (en) | Resist composition and patterning process | |
| JP2006225476A (ja) | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
| TWI284782B (en) | Polymers, resist compositions and patterning process | |
| TW554245B (en) | Resist composition and patterning process | |
| TW562998B (en) | Production method for polymer compound and resist material prepared by using the polymer compound | |
| KR101029686B1 (ko) | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
| TW557304B (en) | Polymer, resist composition and patterning process | |
| TW487828B (en) | Positive resist composition | |
| TWI295284B (zh) | ||
| CN1645254B (zh) | 化学放大型正光刻胶组合物 | |
| TW200405128A (en) | Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process | |
| TW200912542A (en) | Chemically amplified positive resist composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |