TW559934B - Substrate processing apparatus for removing organic matter by removal liquid - Google Patents

Description

559934 ⑴ 狄、發明說明 (僉明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 發明背景 發明範疇 本發明關於一種基板處理裝置，係利用一去除液以去除 附著於一半導體基板、一用於液晶顯示器之玻璃基板、一 用於光罩之玻璃基板、及一用於光碟之基板（文後簡稱為“基 板）的有機物質，包含在此有機物質内者為聚合物，係因 使用一光阻膜做為光罩而乾性蝕刻基板上之薄膜時形成。 背景技藝之說明 一半導體裝置之製造過程包括基板如半導體晶圓上之一 金屬如鋁或銅之薄膜（即金屬膜）使用一圖樣化光阻膜做為 光罩而蝕刻之步驟，藉此取得半導體裝置之配線。 此蝕刻步驟例如由乾性蝕刻諸如反應離子蝕刻（RIE)實 行。 由於使用在上述乾性蝕刻中之反應離子能量極強，光阻 膜即在結束金屬膜蝕刻時以固定速率改變。結果，一部分 光阻膜變成一反應物諸如聚合物且沉積於金屬膜之側壁上 ’此反應物無法在後續之光阻劑去除步驟中去除，因此需 在實施光阻劑去除步驟之前或之後去除此反應物。 以往’欲去除一沉積於金屬膜側壁上之反應物，則一用 於去除反應物之去除液即在乾性蝕刻步驟之後或光阻劑去 除步称之後供給至基板，隨後，基板以去離子水清洗，且 去離子水利用旋轉而乾燥。 另方面’由於近年來之圖樣迷你化，附著於基板之去離 發獎擊嗫績頁 子水僅憑藉旋轉封烽计“ … 殘留在美柘μ 、然，々人滿意地去除。若去離子水 罾 v =，恐怕去離子水會與-薄膜、空氣成分、及 十飞之〆可木物反應，而形成新的污染物。

因此，右有'一 jit ^ ^ I 燥基板。 去離子水至基板之過程，則需徹底乾 斗寸別疋當反應物去除虛拂 、 後去離子水仍殘留在基板上時 ’ 一金屬薄膜部常存在於美杯 于^於暴板表面上，造成不必要之氯化 物藉由金屬盘去离隹+匕 /、 子Κ之反應而形成等問題。再者，當此 :板在真空下輸送至一處理時，例如cvd，附著於基板之 去離子水會不利地影響處理。 發明概要 本‘月i7、拓一種基板處理裝置，其利用一有機物質之 除液以去除附著於一基板之有機物質。

2本發明所示，—種基板處理裝置包含··—轉位器部 其女裝-用於罩覆一基板之匣盒且相關於裝置之外部而 載人卸載|板，-去除處理部，其利用去除液以執行 有機物質之去除處理，且鄰近於轉位器部；—乾燥處理 用於執行通過去除處理後之基板之乾燥處理；及一介 面，其设置以利夾置於去除處理部與乾燥處理部之間，且 在去除處理部與乾燥處理部之間送出與接收一基板。 去除處理部與乾燥處理部可以併合成一裝置，且基板可 在有機物質去除處理後完全乾燥。 依本發明之一觀點所示，一種基板處理裝置包含：一轉 位為4，其文裝一用於罩覆一基板之匣盒且相關於裝置之 -6 - (3) (3) 發劈說劈續頁 外部而裝載與卸载一 ^ ^ 基板，一去除處理部，其利用去除液 乂執订一有機物質之 燥處理部，用於執〜料於轉位器部；一乾 ，·及一介面，；，仃一通過去除處理後之基板之乾燥處理 之"1^ ’其設置㈣夾置於去除處理部與乾燥處理部 板去除處理部與乾燥處理部之間送出與接收-基 觸理部包含：⑴一第-輸送路徑，其-端接 ，/位為部而另-端接觸於介面；(Π)複數去除處理單元 :圍繞於第-輸送路徑且藉由供給去除液至一基板同時 :4基板’以去除一附著於基板之有機物質：及㈣一 板2送ί.動機械’係設置於第一輸送路徑上且輸送一基 位為部、介面、及複數去除處理單元之 處理部包含：Πν、一笼认 # ^ > 弟一輸廷路徑，其一端接觸於介面；（ν) 设數乾燥處理單元，秒円& … . —早疋仏圍繞於弟二輸送路徑且乾燥一基板 、’，一㈣n送自動機械’設置於第二輸送路徑上且輸 达一基板於介面及複數乾燥處理單元中。 ，去除處理單元與乾燥處理單元可以有效地併合成一裝置 ，且基板可在有機物質去除處理後完全乾燥。 依本％明之另一觀點所示，一種基板處理裝置包含：一 轉位器部’其安裝一用於罩覆一基板之臣盒且相關^置 ^卜:而裝載與卸載-基板；一輸送路徑，其一端接觸於 轉位為部，後數去除處理單元，係圍繞於輸送路經且藉由 供給去除液至-基板同時旋轉基板，以去除一附著於^板 :有機物質；複數乾燥處理單元，係圍繞於輸送路徑且乾 燥一基板·’及一輸送自動機械，係設置於輸送路徑上且2 559934

及複數乾燥處 ⑷ 迗一基板於轉位器部、複數去除處理單元 理單元之中。 去除處理單元與乾燥處理單元可以有效地併合成一裝置 ’且基板可在有機物質去除處理後完全乾燥。 依本發明之另一觀點所示，一種基板處理裝置包含一 轉位器部，其安裝一用於罩覆一基板之£盒且相關：裝： 之外：而裝載與卸載—基板；—輸送路徑，其_端接觸於 轉位的α卩，複數去除處理單元，係圍繞於輸送路徑且藉由 供給去除液至一基板同時旋轉基板，以去除一附；於‘板 之有機物貝，複數乾燥處理單元，係圍繞於輸送路徑且乾 燥-基板；及一輸送自動機械，係設置於輸送路徑上且： 达一基板於轉位器部、複數去除處理單元、及複數乾

理單元之中，其中複數去除處理單元係分別設置於複數^ 燥處理單元下方。 L 裝置之涵蓋範圍可以減小，因為去除處理單元係分別設 置於複數乾燥處理單元下方。 依本h月之另觀點所示，一種基板處理裝置包含：一 去除處理部，其係藉由設置複數去除處理單元於多階段而 形成’且It由供給去除液至—基板同時旋轉基板，以去除 -附著於基板之有機物質；_乾燥處理部，其耗由設置 複數乾燥處理單元於多階段而形成，且用於乾燥—基板； 及一輸送自動機械，係用 元及複數乾燥處理單元之 於輸送一基板於複數去除處理單 中’其中去除處理部與乾燥處理 部係設置於輸送自動機械周圍。 (5)

心9934 矛'處理單元與乾燥處理單 ， ’且基板可在有機物質去除處理後完全乾，燥。 本發明之—目的在當有一供給去離子水至基板之 =日mx徹底乾燥基板’ ^特別是，在反應物去除處理 傻元全乾燥基板。 本么月之上述及其他目的、特性、觀點及優點可由配合 於式之本發明以下詳細說明中獲得瞭解。 圖式簡單說明 圖1係本發明第一較佳實施例之一基板處理裝置之平面 圖2係示意圖，揭示圖1基板處理裝置之一去除處理單元 之結構； 圖3係示意圖，揭示圖丨基板處理裝置之一乾燥處理單元 之結構； 圖4係圖丨基板處理裝置之一輸送自動機械之外觀立體圖； 圖5、6係示意圖，揭示第一較佳實施例之基板處理裝置 之配置； 圖7係示意圖，揭示第二較佳實施例之基板處理裝置之配 置； 圖8、9係示意圖，揭示第三較佳實施例之基板處理裝置 之配置； 圖1 0係示意圖，揭示第四較佳實施例之基板處理裝置之 配置； 圖11係沿圖10之I-Ι線所取之基板處理裝置戴面圖； (6)559934

圖1 2係沿圖1 0之11 - η後所百 I -- 果所取之基板處理裝置戴面圖； 圖13、14係弟五較佳音你γ丨 甘 彳土 Α苑例之基板處理裝置之截面圖 圖1 5、1 6係第六較佳眚你j μ # 早乂彳土灵施例之基板處理裝置之截面圖 較佳實施例之說明 $係指一半導體基;j 在以下之較佳實施例中

且’較特別的是’-妙基板，基板具有—薄膜，薄膜係 金屬膜或絕緣膜，構成金屬膜之金屬實例為銅、紹'欽 鎢及其·此〇物，I巴緣膜之實例為上述金屬之氧化物膜 氣化物膜、氧切膜、氮切膜、有機絕緣膜、及低誘 性層間絕緣膜。本文所用之“薄膜”一詞係指在一相關於 形成薄膜於上之基板而呈垂直之截面中，其高度較短於 底部長度者’以及其高度較長於其底部長度者，因此， 括！：薄膜内者亦為當依垂直於基板主表面之方向看， & u現-線或凸塊狀者’例如—局部形成於基板上之月 或配線。

“在-基板上’通過使用一圖樣化光阻膜做為光罩而使此 涛臈進行乾性蝕刻之步驟後’利用乾性蝕刻以形成聚合物 ’其係街生自光阻膜與薄祺之反應物。 :下較佳實施例中使用之“基板處理，，一詞係指一用於從 κ 口物形成於上之基板去除聚合物《聚合物去除處理。 、在以下說日月巾，分離於一基板之聚合物係在某些例子中 以污染物，，表示。 以下較佳實施例中使用之“去除液”一詞係指一聚合物去 -10- 559934

⑺ 除液，聚合物去除液僅選擇性去除聚合物，例如，含有有 機胺之有機胺去除液，諸如二曱基氧化硫及二甲基曱醯胺 ;含有氟化氨之氟化氨去除液；及無機去除液。 有機胺去除液之實例為單乙醇胺、水、及芳族三醇之混 合溶液；2-(2-胺乙氧基）乙醇、羥胺、及兒茶酚之混合溶液 ;鹼醇胺、水、二烧基氧化硫、經胺、及胺抗腐#劑之混 合溶液；鹼醇胺、乙二醇醚、及水之混合溶液；二甲基氧 化疏、經胺、三乙稀四胺、焦兒茶S分、及水之混合溶液； 水、羥胺、及焦掊酚之混合溶液；2-胺基乙醇、醚、及糖 醇之混合溶液；及2-(2-胺乙氧基）乙醇、N-二甲基乙醯醋酸 S旨、水、及三乙醇胺之混合溶液。 氟化氨去除液之實例為有機鹼、糖醇、及水之混合溶液 ;含氟化合物、有機羧酸、及醯胺溶劑之混合溶液；烷基 醯胺、水、及氟化氨之混合溶液；二甲基氧化硫、2-胺基 乙醇、有機鹼性溶液、及芳族烴之混合溶液；二曱基氧化 硫、氟化氨、及水之混合溶液；氟化氨、三乙醇胺、五曱 基二乙撐三胺、亞氨二醋酸、及水之混合溶液；乙二醇、 硫酸烷基酯、有機鹽、有機酸、及無機鹽之混合溶液；醯 胺、有機鹽、有機酸、及無機鹽之混合溶液；及醯胺、有 機鹽、有機酸、及無機鹽之混合溶液。 無機去除液之實例為水及碟酸鹽衍生物。 “有機溶劑”一詞係指親水性有機溶劑，即水溶性有機溶 劑，特別是，此溶劑可與水混合且可降低混合物之沸點。 在此可以使用酮諸如丙酮及二乙基酮；醚諸如甲基醚及乙 559934 ⑻ 基醚；及多元醇諸如乙樘^ 一 知。考量於一含有少量污染物 如金屬者已遍布於市面上， 因此取需要使用異丙基醇（IP Α) ，以下較佳實施例因而採用IPA。 1.第一較佳實施例 1 -1.裝置之整體結構 本發明之一基板處理梦 , 、置弟一較佳實施例將參考相關圖 式况明於後，圖i係_基枯 板處理衣置1之平面圖，裝置1具有 一轉位器部ID、一去除處 # tb 、里4 5 —介面IF、及一乾燥處理 部9，其皆配列成一列。 轉位器部⑴具有—裝載 拼曰^ a 卓覆未處理基板W之 载具（匣盒）c安裝於其上、土微々 ^ θ ^ 卸載部d以供一罩覆已處理基 板W之載具c安裝於1上、 土 ，、上 及一輸送部35。 裝載部31具有一妥梦伞χ σ 罢 、至，一載具C係利用一設置於穿 置外側之輸送機檨之以立壯& — 又置7、衣 25片^ W 安裝平臺上。載具C固持例如 〇片基板W，以令其皆在 。卸載邱目士 卞位置且以垂直方向間隔排列 p戰邛h亦具有一安裝平臺， 上，-恭目^7/ 丑一载具c女裝於安裝平臺 —载具c係利用一設置於士 又 載。 於衣置外側之輸送機構之以卸 輸送部j5具有一第一輸送平臺 . 載部33之載且Ca^，丨太七士至9及一在&載部3丨與卸 <戰具C配列方向中移動之韓 載星Γ而奸此 心轉移機構j7,以利相關於 /、 故載與卸載基板w。轉移;^ ^ 3 i 、 Φ去-、 夕街構7具有一轉位养臂广岡 r未不），因此，除了名汆 蛘（圖 行在向㈣’轉移機構37可以執 作^直方向周圍之旋轉動作，及在垂直方向之揚昇$ 以及轉位器臂之前進與縮回動作。藉由諸動作，轉移 -12 · (9)559934 發明p，繽頁 機構37即相關於載具c而裝載與卸載基板w， 一輸送平臺39而送出與接收基板w。 、弟 一去除處理部5係鄰近於轉位器部⑴，且具有四去除處理單 心與一弟_輸送自動機械tri。各去除處理單元化罩覆 基板W及執行一反庫物，室 μ物去除處理n送自動機械TR1 相關於弟-輸送平臺39與—第二輸送平臺7ι而送出與接收 -基板W ’且亦相關於四去除處理單㈣而送出與接收— 基板W。 二列去除處理單元以分離地設置於配列載具C之方向中 各列{'τ'、由—去除處理嚴$ ^ R ：|：蕃4、 ++ 于、理早兀SR構成，其配列於一 列轉位器部ID之載具c方向中。第一輪#白& t 直於配 人唆 弟輸适自動機械TR1設在 ”置於二列去除處理單元SR之間之—第—輸送路徑丁卜 /=第-輸送路徑TP1上之第—輸送自動機械tri係 相關於各去除處理單㈣料—輸送平臺39而送出斑接 收一基板W’第-輸送自動機械TR1亦相關於第平 71而送出與接收一基板w，去除處 丁至 動機械T R 1將詳述於後 ……….， 早⑽與第-輸送自 "面1F介置於去除處理部$盘乾燥 黛軋秌處理部9之間，且具有 弟一輸平臺71以安裝一基板w。 乾燥處理部9鄰近於介面^具有四乾燥處理單元MM 與-第二輸送自動機械丁 R2，各乾燥處理單元咖罩 板W及執行乾燥處理，第二輸送自 土 、，…… 目動铖械TR2相關於第二輸 迗平丨與四乾燥處理單元DPH而送 一方丨紅上 /、得收一基板W。 一列乾燥處理單元DPH分離地設置於- • 又置於配列載具C之方向 -13 - 559934 (10) p-- 發獎績頁 中σ歹丨ίτ、由一乾燥處理單元DPH構成，其配列於一垂直 =配2轉位器部1D之載具C方向巾。第二輸送自動機械TR2 又在"置於一列乾燥處理單元DPH之間之一第二輸送路徑 TP2 ° 仃進於第二輸送路徑丁P2上之第二輸送自動機械TR2係— 相關於各乾燥處理單元DpH與第二輸送平臺71而送出與接 收基板W ’乾燥處理單元DPH與第二輸送自動機械TR2 將詳述於後。 1-2.去除處理單元 去除處理單元SR將參考圖2而進一步說明於後，其為揭示 去除處理單元S R結構之圖式。 去除處理單元SR具有一基板固持部6 1可旋轉同時固持單 一基板W於水平方向、一杯體62環繞於受固持之基板w、 一去除液供給部63用於供給去除液至基板W、一去離子水 供給部64用於供給去離子水至基板w、及一容室65用於罩 覆由基板固持部6 1固持之基板W。 一快門59(如圖1)設置於容室65内，快門59係在第一輸送 自動機械T 相關於容室65而裝載與卸載一基板w時開啟 ，其他時間快門59皆關閉。容室65 —直處於大氣環境狀態 ’谷室6 5之大氣環境係排放至一設置於裝置外側之排放管 (圖中未示），此可防止含有處理液霧氣與水氣之大氣環境 逸出容室65。 基板固持部6 1具有一設置於容室65外側之馬達66，且一 失頭67係由馬達66驅動以在一垂直方向軸線周圍旋轉。 -14- 559934

杯體62係於俯視時呈甜甜圈狀，且具有一定位於中央之 開孔以供夾頭67通過，杯體62用於收集自旋轉中之基板w 散落之液體（例如去除液與去離子水），且亦自一設置於杯 體62底部之排水出口68排放收集液體，排水出口 68備有一 延伸至一排水裝置70之排水管69。一排水閥72用於開啟與 關閉排水管69之一管線，其設置於排水管的上。杯體。藉 由一特定機構（圖中未示）以利上下移動。

去除液供給部63具有一設置於容室65外側之馬達73、一 藉由馬達73旋轉而轉動之臂件74、一設置於臂件74末端且 向下排放去除液之去除液噴嘴75、及一供給去除液至去除 液唷嘴7：)之去除液源76。去除液噴嘴75經由一管線以連接 於去除液源76’管線上設有一去除液闊77。一揚昇部(圖中 未示）係利用昇降馬達73以昇降去除液噴嘴75。 藉由驅動馬達73 ,去除液噴嘴75即在基板〜旋轉中心 方之#放位置與杯體62外之一備便位置之間往復地移動

去，子水供給部64具有一設置於容室65外側之馬達78 -藉由馬達78旋轉而轉動之臂件乃、一設置於臂件π末 且向下排放去離子水之去離子水噴嘴。、及一供給去離 水至去離子水噴嘴81之去離子水源82。去離子水，嘴81 由-管線以連接於去離子水源82，管線上設有—去離子 閥83。一揚昇部(圖中未示)係利用昇降馬達78以昇降去 子水噴嘴8 1。 藉由驅動馬達78，去雜 云離子水賀嘴81即在基板以旋轉中心 上方之一排放位置與杯體62外之一偌# ^ w^ _ 1 ^ 備便位置之間往復地移 -15 - (12)559934 發獎說獎績 動0 藉由此結構，去险考饰σσ - c d ^ is W f5l ^ ^早70可以藉由供給去除液至基 ，、旋轉基板w而去除附著於基板w之有機物質。 1-3.乾燥處理單元 、

理圖/係示意圖’揭示—乾燥處理單元则之結構。乾燥處 早7L DPH具有一封閉容室86呈氣密且設置於一機架U上 方、一溫度控制板87具有一溫度控制機構、板87之-上部 設：於封閉容室86内、一減壓部9〇用於減低封閉容室％内 之[力、一大軋壓力釋放部40用於回復封閉容室86内之減 低£力至—大氣壓力、及—溶劑氣體供給部8G用於供給有 機軋體至封閉容室86内。減壓部9〇具有一泵浦Μ，及 用於連接泵浦84與封閉容室86之管線。 快門96設置於封閉容室86内，快門外係在第二輸送自 動機械TR2相關於容室86而裝載與卸載—基板w時開啟，而 :其他時間關閉以維持封閉容室86之密封性。一排放閥89

。又置於封閉合至86底部，且經由一管線以連接於泵浦料， 泵浦84利用排放封閉容室㈣之大氣而減低封閉容室_ 之壓力。 溫度控制板87突伸入封閉容室86内’溫度控制板87具有 一加熱或冷卻機構於其内側，用於調整一基板…之溫度。 溫度控制板87具有三牧銷88，供基板w設置於其上，當一 基板Wi£至及收自第二輸送自動機械tR2時三枚銷88即上 昇，且當一基板W進行乾燥處理時則其下降。當銷88下降 以執行乾燥處理時，銷88之頂部略為自溫度控制板87之頂 -16 - (13) 559934 表面突昇， 間隙。

藉此留下基板w與溫度控制板87之間之一些微 吟剡虱體供給部80具有一溶劑氣體供給 溶劑氣體產生單元vp用於輸送一溶劑氣體 二一 給喑办蜊虱奴至洛劑氣體供 單元=、及—溶劑閥94設置在—用於連接溶劑氣體產生 二VP與溶劑氣體供給噴嘴92之溶劑管線97上。“溶劑氣

二：係指由細滴粒與氣態有機溶劑組成之霧狀有機溶 此’溶劑氣體產生單元¥?包括做為—溶劑氣體產生 二：⑴超音波蒸發部’其藉由施加超音波於液體IPA而取得 _ 一 :1氣岐’⑻一熱洛發部’其藉由加熱液體丨PA而取得 广心體；(π〇一氣泡蒸發部’其藉由通過一惰性氣體 歹如氮）之氣泡於液體ΙΡΑ而取得一溶劑氣體。 連接於封閉容室86者係一延伸自氮氣源99之氣體管線98 ，氣氣源為-惰性氣體(在此為氮氣)之供給源。一用於開 啟與關閉氣體管線98通道之氣體闊93介置於氣體管線卯上 :用於回復封閉容室86内之減低壓力至一大氣壓力之大氣 '力釋放部40具有氣體管線98、氣體閥％、及氮氣源。 藉由此結構’乾燥處理單ΜΡΗ可以在減低壓力下乾燥 基板W。

-17 - 1 -4·輸送自動機械 現在舲ό兒明第一及第二輸送自動機械丁r丨、，儘管以 下之a兄明係指第-輸送自動機械TR i，但是第二輸送自動 機械TR2具有相同結構及執行相同動作。 559934

(14) 圖4係第一輸送自動機械tri之外觀立體圖，在第一輸送 自動機械TR1中，一備有輸送臂件53a之臂件階臺25設置於 一伸縮性運動體20上方，伸縮性運動體20具有一伸縮性多 階式結構。

伸縮性運動體2〇係由自頂至底依序配置之四嵌段2〇a、 2帅、20C、2〇d構成，嵌段20a可罩覆於嵌段2013内，嵌段2〇t 可罩覆於嵌段20c内，及嵌段20c可罩覆於嵌段20(1内，伸縮 性運動體20即藉由依序罩覆嵌段2〇a至2〇d而縮回，及依序 拉出肷段20a至20d而伸展。換言之，在伸縮性運動體之縮 回期間，肷段20a罩覆於嵌段20b内，嵌段2〇b罩覆於嵌段2〇c 内及肷奴20c罩覆於嵌段20d内，另方面，在伸縮性運動 虹2〇之伸展期間，嵌段2〇a拉出於嵌段2〇b内，嵌段2仙拉出 於嵌段20c内，及嵌段2〇c拉出於嵌段2〇d。 伸縮性運動體2G之伸展動作係由容置於其内部之一可伸 展揚昇機構達成，對於可伸展揚昇機構，可以使用一機構

=:歿數皮帶與滾輪組合皆由一馬達驅動。藉由此可伸展 知昇機構’第—輸送自動機械TR1可以在輸送臂件53a之垂 直方向執行揚昇動作。 ^圖4中之箭頭綱所示，第—輸送自動機械加之輸送 機檨:二利用一由公螺絲27與導軌26等組成之水平驅動 、场動於一長方形第一輸送路徑TP1之縱向，特別是 螺:=:Γ電動馬達(圖中未示)轉動，使結合= 再者，可在弟—輸送路徑ΤΡι之縱向略為移動。 輸达自動機械TR1可以執行輸送臂453a之水 -18- 559934

平方向前進與縮回移動及旋轉動作7付 ，一t ^ 25設置於嵌段2Ga上方，且臂件階臺 疋^件階堂 水半太‘ 至一執仃輸运臂件53a之 回移動及旋轉動作。換言之，臂件階臺 二不輸达臂件53a之臂件嵌段指收及伸展，藉此 ί件）j a即執行皮承士 & >义、 σ刖進與縮回移動。臂件階臺25 ::::動一:轉動作於伸縮性運動體2。，使輸送

因：，=輸送自動機械TR1可以在高度方向揚昇輪送 =輸送路徑丁P1之縱向呈水平地移動、轉動 ，，夂在水+方向丽進與縮回臂件53a。換言之， 輸送自動機械TR丨可以三維式移動輸送臂件53a，_此， —輸送自動機械加係沿著數列去除處理單元从之間之 隙（即第—輸送路彳细)行進，且輸送—基板w 」 !D、介面IF及各去除處理單元SR之中。 …

:二地二輸送自動機械⑽可以在高度方向揚昇輸送 在第二輸送路徑TP2之縱向呈水平地移動、轉動 ^及在水平方向前進與縮回臂件93a。換言之，第 1送自動機械TR2可以三維式㈣輸送f㈣、/藉此， 弟二輸送自動機械TR2係沿著數列乾燥處理單元_ =空隙（即第二輸送路徑τρ2)行進，且輸送一基❹於轉位 态部iD、介面丨F及各乾燥處理單元DPH之間。 1 - 5.基板處理方法 心:使用上述基板處理裝置1之基板處理方法，此方 ' 之去除液供給步驟、去離子水供給步驟、旋乾 -19 - (16) (16)559934 發鸮說劈續奚 步驟、及乾燥步驟。 首先，一罩覆於載呈C内夕 ’、 之基板W輸送至裝載部3 1，此其 板W具有一薄膜，且此膜 ^ ^ L 土 不』用一圖樣化之光阻劑做為一 光罩而進行乾性蝕刻，因此， ’ b 一自光阻劑膜與薄膜衍生之 反應物(在此例子中為聚合物)即附著於基板w。 藉由轉移機構37,基板W即自裝載部31之載具C内取出且 置入弟'一輸送平臺39，第一私、以丁士 輸运平堂39上之基板w則由輸 送自動機械TIU取出且裝載於四去除處理單元化其令一者 内。在去除處理單元SR中，快門59開啟以利於由第__自動 機械TR丨輸送之基板w可由夹頭”接收與固持。 在接收基板W之去除處理單元认中’基板固持糾固持 基板W，排水閥72開啟。 基板固持一 6 1轉動馬達66，以利於轉動基板w。當基板w 達1預（®數4 ’去除液供給步驟即啟始。在此步驟中 ，馬達73轉動而使處於備便位置之去除液噴嘴乃移至排放 位置，去除液閥77隨後開啟以自去除液噴嘴75供給去除液 至基板w。供給至基板w之去除液掉落至基板w外側，此去 除液即由杯體62收集且經由排水管69排放至排水裝置7〇。 去除液供給一段預定時間後，去除液閥77即關閉且去除液 噴嘴7 5回到備便位置。 在此去除液供給步驟中，供給至基板w之去除液係反應 於基板w上之反應物，以促進此反應物分離於基板w。據 此反應物可因基板W之旋轉及去除液供給而逐漸移離基 板W 〇 -20 - 559934 [1/) [mmmm 吼後，執行去離子水供給步驟。在此步驟中，馬達π轉 動以將處於備便位置之去離子水噴嘴81移至排放位置，去 尚隹子水閥83開啟以使去離子水自去離子水噴嘴8丨供給至基 板w。供給至基板w之去離子水掉落至基板…外側，Ζ去^ 子水即由杯體62收集且經由排水管仍排放至排水裝置7〇/ 去離子水供給一段預定時間[去料水閥83即_閉且去 離子水噴嘴8 1回到備便位置。 在此去離子水供給步驟中，藉由供給之去離子水’基板-W可以洗除污染物，例如去除液及反應物。 隨後，執行旋乾步驟。在此步驟中，基板_以高速度 旋轉’以利於旋落基板WJ1之液體，基板w藉此而幾乎乾 快門5 9開啟且第一 IF之第二 取出，及 處理單元 弟二輸送 96隨後關 此乾燥處 、取代步 及大氣壓 室86内之

备70成去除處理單元S R内之處理時·/、· w v 輸送自動機械TRU卩載基板…及將之放置於介Z 輸运平臺7丨上。此基板w隨後自第二輸送平臺71 利用第二輸送自動機械TR2以裝載於其中一乾燥 DPH内。在乾燥處理單元DpH内，快門％開啟且 自動機械TR2將基板觀置於昇起之銷⑼上，快門 閉以維持封閉容室86之密封性。 ^傻，乾燥處理利用乾燥處理單元DPH執行， 理份由一乐列乾燥製程執行，包括溫度控制步驟 &減[步‘、氣體供給步驟、溶劑供給步驟、 力釋放步驟。 先，溫度控制板87係在基板W裝载於封閉容 -21 - 559934

後才保持於乾燥溫度，“乾燥溫度”一詞係指有機溶劑之點 火點以下之溫度’在此，溫度控制板87設定於3〇。〇至 狐度，、即考里於使用IPA做為有機溶劑。因為在 W前，溫度控制板87之溫度係經控制而維持於—預定溫^ ’故可避免產量減少。 隨後，銷88下降以致基板W攜近於溫度控制板87，且執 行加熱基板W之溫度控制步驟。#門96關閉後，栗浦料驅 動以排放封閉容室86之大氣，而氣體閥93開啟以容許氮氣 進入封閉容室86，此可進行取代步驟而使封閉容室86之大 氣由氮氣環境取代。

Ik後，在泵浦84持續驅動期間，氣體閥93關閉以停止氮 氣供給至封閉容室8 6，藉此減低封閉容室8 6内之壓力，此 可進行減壓步驟而使封閉容室86之大氣壓力低於大氣壓力 (101 j25 Pa) ’在此，封閉容室86内之壓力減低為666 5 Pa 至 6665 Pa，較佳為 666 5 Pa 至 2666 pa。 此外，關閉氣體閥93後，溶劑閥94在泵浦84持續驅動期 間開啟’此可進行溶劑供給步驟而使有機溶劑自溶劑氣體 閥92供給至封閉容室86。溶劑閥94開啟一預定時間週期後 ，溶劑閥94即關閉。 關閉溶劑閥94後，氣體閥93在泵浦84持續驅動期間再次 開啟’此可進行大氣壓力釋放步驟而使封閉容室8 6内之壓 力回復到大氣壓力。經過一預定時間後，泵浦84之驅動停 止於氣體閥93之開啟狀態中，氣體閥93隨後關閉且乾燥處 理結束。 -22 - 559934 發獎說 由於基板w係在溫度控制步驟中加熱，基板w上殘留之水 分即易於蒸發。此外，基板W周圍之大氣壓力係在減壓步 ~中降低’結果’液體之沸點降低以利於基板W上殘留之 去離子水蒸發。換言之，在減壓之大氣下固持基板w可確 定水徹底乾燥。 再者’有機溶劑氣體係在減壓步驟中施加於基板w，藉 此’有機溶劑即混合於基板w上殘留之水分。由於水與有 機/合刎之混合物具有低於水之沸點，基板w上之此混合物 可以輕易蒸發而自基板W去除水分。除此之外，因為基板 W係在溫度控制步驟中加熱且基板W周圍之大氣壓力係在 減壓步驟中降低，水與有機溶劑之混合物容易在短時間週 期内蒸發’以確定基板…徹底完全乾燥。 在吏換型式中’乾燥處理可由減壓步驟與大氣壓力釋 放步驟執行，在此例子中，由於基板w周圍之大氣壓力減 低，基板W上殘留之水分之沸點下降且水容易蒸發，藉以 達成乾燥處理。 在另一變換型式中，乾燥處理可由減壓步驟、溶劑供給 步驟、及大氣壓力釋放步驟執行。儘管基板w上之水分與 有機溶劑之混合物係在此例子中形成，此混合物仍然容易 、叙口為其，弗點低於水者。除此之外，沸點亦因基板w 周圍之大氣壓力減低而下降，此可供水分在短時間週期内 元全蒸發。 在又換型式中，乾燥處理可由減壓步驟、溫度控制步 ^ 及大氣壓力釋放步驟執行。在此例子中，基板vv上之 -23 - (20) (20)559934 發嘴P男繽頁 水分係在溫度控制步驟φ * # … 制/ V中加熱且周圍之大氣壓力降低，此 水分可在短時間週期内完全蒸發。 在另X換型式中’乾燥處理可以僅由溶劑供給步驟執 订。儘官基板W上之水分與有機溶劑之混合物係在此例子 中形成，此混合物仍然容易蒸發，因為其滞點低於水者。 因此’基板W可以在短時間週期内完全蒸發。 在另一變換型式中’乾燥處理可由溫度控制步驟及溶劑 供給步驟執行。儘管基板w上之水分與有機溶劑之混合物 係在此例子中形成’此混合物仍然容易蒸發，因為其沸點 -;K者除此之外，由於此混合物係在溫度控制步驟中 加熱，混合物容易達到其彿點且蒸發’因此，基板W可以 在短時間週期内完全蒸發。 純燥處料元DPH内之乾燥處理完成時，全部基板處 理即几成，且處理後之基板w隨即輸送至卸載部^。 欲達成此輸送’乾燥處理單元則之鎖88先昇起且快門 9峨’第二輸送自動機械加自乾燥處理單元卸載基 板W及將之放置於介面1{7之第二輸送平臺^上。 隨後，第一輸送自動機械TR丨拾取第二輸送平臺乃上之基 板W ’及將之放置於轉位器部以第—輸送平臺μ上。二 :轉移機構37’第一輸送平臺39上之基板以得以取出及裝 载於卸載部33上之載具c内。 在:變換型式中’轉位器部iD之第—輸送平臺39及介面 =弟_輸达平臺71可由複數基板安裝部構成，例如一多 式平臺。在此例子中，一已處理之基板W及未處理之基 -24 - (21) (21)559934

板w可以共存於介面11：内，藉此避免產量降低。 儘官在先前之實施例中，轉位器部m係分割成裝載部3 ι 及卸載部33,轉位器部⑴仍可不分割。在此例子中，一在載 具c内卸載且通過處理後之基板w係裝載於同一載具c内。 當一多孔性薄膜存在於一基板W上時，基板處理裝置1可 以執仃特別優異之處理，多孔性薄膜具有一結構以致於有 大量細孔可供去離子水進入。因此去離子水較易殘留於多 孔性薄膜，例如，若此薄膜為一絕緣膜，則會有殘留之去 離子水增加誘電常數與惡化絕緣品質等問題。惟，此問題 可由可以完全去除去離子水之基板處理裝置丨解決。 1 · 6.裝置配置 基板處理裝置[之結構與操作已說明於上，文後為基板處 理敉置1之配置。圖5、6為揭示第一實施例基板處理裝置之 配置不意圖，圖5揭示配置之頂視圖，及圖6揭示配置之側 視圖，圖5及後續圖式係配合一 χγζ相互垂直座標系統，其 中Ζ軸為垂直方向而χγ平面為水平面，以利於釐清各別之 方向關係。 茶閱圖5，基板處理裝置i之配置大致上為轉位器部ID、 去除處理部5、介面IF、及乾燥處理部9在χ方向中相互鄰近 成列。特別是’利用去除液執行處理以去除有機物質之 去除處理部5係鄰近於轉位器部ID，後者則相關於裝置之外 部以裝載及卸載一基板W。在去除處理部5與用於對通過去 除處理之基板執行乾燥處理的乾燥處理部9之間，介面丨ρ·係 設置以送出及接收去除處理部5與乾燥處理部9之間之一基 -25- >59934 (22) 發萌說嚷繽貝 板W。 —

第一實施例基板處理裝置1之配置將詳述於後，由上以觀 ，去除處理部5之第一輸送路徑TP1係一以X方向為其縱向 之長方形，且第一輸送路徑TP1之一端接觸於轉位器部ID 而另一端接觸於介面IF。二去除處理單元SR設置於第一輸 迗路fe TP 1之二側，換言之，第一輸送路徑τρ丨係由四去除 處理單元SR圍繞。第一輸送自動機械丁幻設置於第一輸送 路k TP 1上，且輸送一基板w於轉位器部ID、介面IF、及四 去除處理單元SR之中。 一同樣地，由上以觀，乾燥處理部9之第二輸送路徑丁”係 -以X方向為其縱向之長方形，且其_端接觸於介面if。二 乾，處理單元DPH設置於第1送路徑τρ2之二側，換言之 ’弟二輸送路徑ΤΡ2係由四乾燥處理單元则圍繞。第二輸 送自動機械TR2設置於第二輸送路徑m上，且執行輸送一 基板W於介面IF及四乾燥處理單元DPH之中。

請參閱圖6,當側視基板處理裝置旧，溶劑氣體產生 ⑽係分別設置於四乾燥處理單下方…有機溶 氣體（在此使用IρΑ氣體^ '、體Ηπ自〉谷劑氣體產生單元vp分別 π至上方之乾燥處理單元dph。 藉由採用上述配置，除了土 扣一 除了去除處理單元SR外之乾燥處」 早兀DPH可以有效地併人 幵〇成早一基板處理裝置1，因此通, 反應物去除處理後之其把 一 τ丨"μ 土板可以完全乾燥。再者，藉由設 浴劑氣體產生單元Vp於鈐 ， 溶劑氣體自然會向上杆、# 、.， Υ ^ 進’以增加有機溶劑氣體之供給； -26 - (23)559934 發明說稱繽頁 率。 2.第二較佳實施例 本發明之一第二較佳實施例將說明於後，圖7為揭示第二 較诖實施例基板處理裝置之配置示意圖，此基板處理裝置一2 :同於第一較佳實施例基板處理裝置丨之處在於去除處理 ^ )直接連接於乾燥處理部9，而不設置介面π。因此，如

圖7所不，單一輸送自動機械TR設置於基板處理裝置2之單 一輸送路徑TP上。 g俯視基板處理裝置2時，輸送路徑TP係IX方向為j 縱向之長方形’且輸送路徑τρ之一端接觸於轉位器部⑴: -去除處理單元SR及二乾燥處理MDPH設置於輸送㈣ ^二側上’換言之’輸送路徑丁 P係纟四去除處理單元Si :二亦由四乾燥處理單元DPH圍繞。輸送自動機㈣ 置於輸料徑TP±，且輸送一基板W於轉位器㈣、四去 除處理單元S R、及四乾燥卢神。。一 乾‘處理早疋则之中。如同第-較

乜Η %例者，用於供給有機 戍/合Μ至乾燥處理單元DPH之溶 4氣體產生單元（其相同於楚 (门於弟—較佳實施例者且不予以贅 w)仏勿別設置於四乾燥處理單元dph下方。 第一較佳實施例之去除彦田。α 一

〜早兀^與乾燥處理單元DPH 之、，，。構與操作相同於第一 ., 奴仏μ %例者，且使用基板處理 、—之一基板處理方法亦相同於g ^ ^ ,# _ οσ ^ 」心弟一較佳實施例者，因此 ”况月舲予以省略。輸送自 較佺每方m见― 勤機:械丁R之結構相同於第一 罕乂乜芦、％例之弟一及第二輸 動機Η 丁⑽土本 < 目勤枝械丁以、TR2，輸送自 動缺械TR將一未處理之基板w 目1τ位為部ID輸送至其中一 *· 27 - 559934 ， 發明說頃續頁 去除處理單元SR，且將一通過去除處理後之基板w自去除 處理單元SR輸送至其中一乾燥處理單元DpH，及亦將一通 過乾燥處理後之基板w自乾燥處理單元DPH輸送至轉位器 部ID。 错由此結構，除了去除處理單元SR，乾燥處理單元 可以有效地併合成單-&板處理裝置2，因&基板在反應物 去除處理後即可以完全乾燥，如同第一較佳實施例者；再 者’無介面IF則可將基板處理裝置2之涵蓋範圍（即裝置所 佔之平面面積）減去介面汗之面積。 3.第三較佳實施例 平乂住貫施例將說明於後 句询不 弟二較佳實施例基板處理裝置3之配置示意圖，圖8係立體 圖而圖9係此裝置之側視圖。基板處理裝置3不同於 佳貧施例基板處理奘罟丨考 又 衣置1之處在於一去除處理部5與乾燥處 理部9堆疊於高度方向（即z方向），而不設置㈣介面1F。 當俯視基板處理裝置3時，一輸送路徑m系以X方向為並 縱向：：：形，且輸送路徑TP之一端接觸於-轉位器部ω ㈣之:^早⑽及二乾燥處理單元_設置於輸送路 円Γ 換言之，輸送路徑ΤΡ係由四去除處理單元 sr圍…’亦由四乾燥處理單元DpH圍繞。—相同於第二傘 施例輸送自動機械取輸送自動機械(: 且輸送—基板w於轉位器部ID、四去除處= 早兀SR、及四乾燥處理單元DpH之中。 不同於第二較佳實施例的是’在第三較佳實施例中去除 -28 - (25)

559934 处理單元SR係分別設置於四乾燥處理單元刪下方。用於 供給有機溶劑至乾燥處理單之溶劑氣體產生單元侍 相關於乾燥處理單UPH而分別設置於横向，且相關 除處理單元SR而設置朝上。 弟三較佳實施例之去除處理單元SR與乾燥處理單元dph 之結構與操作相同於第一較佳實施例纟，且使用基板處理 裝置:之-基板處理方法亦相同於第一較佳實施例者，因此 ’其說明將予以省略。設置於輸送路徑^上之輸送自動機 械之結構係相同於第一較佳實施例之第-及第二輸送自動 機械TRhTRe，輸送自動機械將一未處理之基板w自轉 位器部ID輸送至其中—去除處理單元SR，絲—通過去除 ，理後之基板W自去除處理單㈣輸送至其中—乾燥處理 單元DPH ’及亦將_通過乾燥處理後之基❹自乾燥處理 單元DPH輸送至轉位器部id。 藉由此結構’ g 了去除處理單元SR，乾燥處理單元刚 可以有效地併合成單_基板處理裝置3,因此基板在反應物 去除處理後即完全乾燥，如同第一較佳實施例纟。再者， 藉由分別設置去除處理單元5[1於乾燥處理單元DpH下方， 基板處理裝置3之涵蓋範圍可以進一步小於第一較佳實施 例者，較制的是’堆疊乾、丨线料^则與去除處^單 元SR於南度方向。 4.第四較佳實施例 文後為本發明之一第四較佳實施例，圖1〇係第四較佳實 施例基板處理裝置4之配置平面圖，圖丨丨係沿圖⑺之以線所 -29 - 559934

(26) 視裝置4之戴面圖，圖12係沿圖10之ΙΙ-ΙΪ線所視裝置4之戴 面圖。 第四較佳實施例之基板處理裝置4包含一轉位器部I d及 一處理站8 ’轉位器部ID之結構與功能皆相同於第一較佳實 施例者，不同的是無第一輸送平臺39。處理站8具有去除處 理部U1及I；2、乾燥處理部U3及U4、一通用部U5、及一輸 送自動機械TR。 去除處理部U1及U2分別藉由堆疊二去除處理單元511於 高度方向（即Z方向）而形成，特別是，在去除處理部u 1及 U2中，去除處理單元5{1設置於上、下階段。去除處理單元 SR之結構與功能皆相同於第一較佳實施例者，且附著於基 板w之有機物質可以藉由供給去除液至基板w同時轉動基 板W而去除之。 乾燥處理部㈦及…分別藉由堆叠於高度方向（即z方向） 之三乾燥處理單元DPH與二輸送板PL而形成，且三乾燥處 理單^_設置於二堆疊讀送板PL之頂部上。換言之， 在乾燥處理部㈦及以中，乾燥處理單元DpH設置於三階段 。乾燥處理單元DPH之結構與功能皆相同於第一較佳實施 例：’ 士基板以可在減壓下乾燥。輸送板PL具有相同於第 罕又^ ％例之第—輸送平臺39與第三輸送平臺7 1者之結 U & ‘別疋基板w係經由輸送板以而在處理站8 ㈣械TR與轉位器部m之轉移機構^之間送出 與接收。 必要時，多種虛审@ 處理早兀可以堆疊及結合成一通用處理部 -30 - (27) (27)559934 發獎_朝續頁 U5，、会士人屮、 成通用處理部（J5之處理單开者γ丨盔μ $ 土 單元sr及m 〈里早兀，、例為上述去除處理 處理單元及其他熱處理單元。 自：:二 ==相同於第-較佳實施例之第-輸送 a， 構，不同的是無水平驅動機構。特別 弟四較佳貫施例中，輪 2 、 Κ輸达自動機械TR亚無以公螺絲 '_寻組成之水平驅動機構，如圖4所示，亦即，其 =之固定式輸送自動機械。@此’第四較佳實施例： =動機械TR可以引導—輸送臂件在高度方向執行揚 ^ 紅轉動作、以及在水平方向之行進與退回動作。 荃考圖丨〇,輸送自動機械TR設置於處理站8中央，且去除 處理部u丨及U2、乾燥處理部⑴及以、及通用處理部咖 :輸C自動機械τr_周側。特別是，去除處理部U丨及u2 係在處理站8前方（即（_Y)側）彼此相鄰，乾燥、處理部⑴鄰近 於轉位器部ID，及乾燥處理部υ4設置於乾燥處理部υ 3之相 對立側上，且輸送自動機械TR介置於其間，通用處理部 設置於處理站8背後（即（ + γ)側）。因此，無水平驅動機構， 輸送自動機械TR可以通達所有去除處理部υ丨及U2、乾燥處 理部U3及U4、及通用處理部U5,藉此輸送一基板…於去除 處理單元SR、乾燥處理單元DPH、及輸送板吒之中。 由於使用基板處理裝置4之一基板處理方法係相同於第 一較佳實施例者，因此，其說明將予以省略。輸送自動機 械TR經由輸送板PL將一未處理之基板γν自轉位器部1〇輸 送至其中一去除處理單元SR，且將一通過去除處理後之基 板W自去除處理單元SR輸送至其中一乾燥處理單元DpH， -31 - (28)559934

及亦經由輸迗板PL將一通過乾燥處理後之基板w自乾燥處 理單元DPH輸送至轉位器部ID。 。藉由此結構，除了去除處理單元SR，乾燥處理單元 可以有效地併合成單一基板處理裝置4，因此基板在反應物 去除處理後即完全乾燥，如同第一較佳實施例者。 5 ·第五較佳實施例

文俊為本發明之一第五較佳實施例，第五較佳實施例差 反处理衣置4a之配置係相同於圖丨〇所示者，圖门係沿圖工 之Μ線所視裝置4a之戴面圖’圖14係沿圖⑺之㈣線所福 表置4a之戴面圖。 —第五車又“鈀例基板處理裝置之結構相同於第四較佳 實施例之基板處理裝置4者，不同的是去除處理部⑴及⑴ 1與乾燥處理部⑴及以之階段數’因此其詳細說明將予以 ，各換。之，如圖I3所示，去除處理部u丨及U2二者 一去除處理單元SR於單一階段而形成。

^參閱圖14’乾燥處理部⑴及崎別藉由堆疊於高度方 向（即Z方向）之單一乾 。— ^ 乾k處理早兀DpH與單一輸送板仏而 且乾燥處理單元卿設置於輸送板託上。換言之， σσ乾燥處理早兀DPH係在乾燥處理部U3及U4令設置於 早一階段。去险片w σσ 一 ^ t τ又置化 功能皆相同於第、％: 乾燥處理單元DPH之結構與 較佳實施例者 貫施例者，輸送訊則相同於第四 同樣在第五實施例中 中央，且去除處理部（J1 輸送自動機械T R設置於處理站8 及、乾燥處理部[；3及[；4、及通 -32 - (29)

559934 用處理部U5設置於輸送自動機械TR周側，如圖1〇所示。特 別是，去除處理部U1AU2係在處理站8前方（即（_γ)側）彼此 相鄰，乾燥處理部U3鄰近於轉位器部山，及乾燥處理部1；4 設置於乾燥處理部U3之相對立側上，且輸送自動機械丁反介 置於其間，通用處理部U5設置於處理站8背後（即（ + γ)側） 。因此，無水平驅動機構，輸送自動機械TR可以通達所有 去除處理部in及U2、乾燥處理部U3&U4、及通用處理部 U)，藉此輸送一基板…於去除處理單元§11、乾燥處理單元 DpH、及輸送板pL之中。 由於使用基板處理裝置4a之一基板處理方法係相同於第 車乂佺R ；^例者，其說明將予以省略。輸送自動機械TR經 由輸送板PL將一未處理之基板w自轉位器部ID輸送至其中 一去除處理單元SR,且將一通過去除處理後之基板〜自去 除處理單元SR輸送至其中一乾燥處理單元DpH，及亦經由 輸送板PL將一通過乾燥處理後之基板W自乾燥處理單元 DPH輸送至轉位器部ID。 稭由此結構，除了去除處理單元SR，乾燥處理單元DpH 可以有效地併合成單一基板處理裝置乜，目此基板在反應 物去除處理後即完全乾燥，如同第一較佳實施例者。 6.第六較佳實施例 文便為本發明之一第六較佳實施例，第六較佳實施例基 板處理衣置4b之配置係相同於圖1 〇所示者，圖丨5係沿圖1 〇 之I]線所視裝置4b之戴面圖，圖16係沿圖⑺之训線所視 裝置4b之戴面圖。 559934

一第六較佳實施例基板處理裝置4b之結構相同於第四較佳 κ %例之基板處理裝置4者’不同的是去除處理部⑴及… 、與乾燥處理部⑴及以之結冑’因此其詳細說明將予以省 一請參，圖15 ’第六較佳實施例之去除處理部LH及U2分另 稭由堆疊於高度方向（即z方向）

兀=、二去除處理單元以形心且將冷卻單元cp設置於二 堆叠式切處理單元化之頂部上，及二加熱單㈣ 冷卻單元CP之頂部上。換士之土 W 、

^ ^ 、丨上換δ之，去除處理部⑴及I；2分別II 由5又置诸處理單元於多Ρ皆热品 、夕#又而形成，諸多階段處理單元含 有去除處理單元SR及熱處理單元（即加熱單元Ηρ及冷卻單 辦加熱單元HP為一用於加熱一基板w至一預定溫度者 ’即一熱板。4卻單元CP為—用於冷卻一基板^一預定 溫度且維持基板W於該溫度者，即—冷板。去除處理單元 SR之結構相同於第一較佳實施例者。

月，閱圖1 6，帛六較佳實施例之乾燥處理部⑴及⑽分別 藉由堆疊於高度方向（即z方向）之三乾燥處理單元_、二 加熱單元HP、及一冷卻單元cp形成，且將二加熱單元Ηρ 叹置於冷卻單KP之頂部上，及堆疊式之三乾燥處理單元 DPH設置於堆疊式之二加熱單元Hp頂部上。換言之，乾燥 處理部11〕及U4分別藉由堆疊諸處理單元於多階段而形成 省夕p“又處理單兀包括乾燥處理單元DpH及熱處理單元 (即加熱單元HP及冷卻單元CP)。加熱單元HP及冷卻單元cp 相同於上述者，齡择虛搜 _ ;、 平疋D P Η之結構與功能相同於第 -34 - 559934 丨發獎擊稱續頁: 一較佳實施例者。 同钕在第，、κ施例中，輸送自動機械ΤΚ設置於處理站8 中央且去除處理部U 1及U2、乾燥處理部U3及U4、及一 I用處里邛U5 5又置於輸送自動機械TR周側，如圖1〇所示。 特別是,，去除處理部U1及U2係在處理站8前方（即（·Υ)側） 彼此相4 ’乾無處理部U3鄰近於轉位器部丨D，及乾燥處理 4 U4。又置於乾燥處理部⑴之相對立側上，且輸送自動機械 TR介置於其間，通用處理部U5設置於處理站8背後（即（ + γ) 側）因此，热水平驅動機構，輸送自動機械T R可以通達所 有去除處理部u 1及U2、乾燥處理部U3及U4、及通用處理 部⑴，錯此輸送—基板…於錯處理單元sr、乾燥處理單 元DPH、及加熱單元HP及冷卻單元cp之中。 由於使用基板處理裝置仆之一基板處理方法係相同於第 一較佳實施例者，其說明將予以省略。輸送自動機械丁R經 由冷卻單元cp將一未處理之基板w自轉位器部[D輸送至其 中一去除處理單TCSR，且將一通過去除處理後之基板…自 去除處理單元SR輸送至其中一乾燥處理單元〇ρΗ，及亦經 由冷卻單元㈣-通過乾燥處理後之基㈣自乾燥處理單 元DPH輸送至轉位器部10。此外’在第六較佳實施例之基 板處理裝置4b中，必要時，加熱單元Hp及冷卻單元cp可以 用於執行一基板W之熱處理。 藉由此結構，除了去除處理單元SR ’乾燥處理單元DPH 可以有效地併合成單一基板處理裝置讣，因此基板在反應 物去除處理後即完全乾燥，如同第一較佳實施例者。 -35 -

559934 7.變換型式 … 儘管本發明較佳實施例已說明於上，本發明並不限於上 述較佳實施例，例如，每一上述較佳實施例揭露去除乾性 蝕刻期間形成之反應物聚合物，且在基板通過乾性蝕刻步 &後’其中存在於基板表面上之薄膜係使用一光阻膜做為-光罩而進行乾性蝕刻。惟，本發明並不限於去除已在乾 性姓刻期間形成存在於基板上之聚合物例子。 例如，本發明可施加於自一基板去除在電漿灰化期間形 成之聚合物例子，因此除了乾性蝕刻夕卜本發明可施加於 自一基板去除在多項處理中由光阻劑形成之聚合物例子。 本發明並不限於去除由乾性蝕刻與電漿灰化處理所形成 之聚合物例子，而亦可施加於自一基板去除由光阻劑衍生 之多種反應物例子。 再者’本發明並不限於去除由光阻劑衍生之反應物例子 ，而亦可施加於去除光阻劑本身之例子。 ，例如’本發明可施加於處理一已進行以下步驟之基板例 =·虼加一光阻劑；曝光一配線圖樣等於光阻劑上；顯影 光阻劑，及執行下層處理至光阻劑下方之層（例如ϋ刻至一 為下層之薄膜），及去除在下層處理後不需要之光阻膜。 1子中若有光阻膜破壞所形成之反應物，此反應 物可以在去除不必要光阻膜之同時去除，#此增加產量及 :/成本例如，在上述之下層處理中，當做為下層之薄 腰進仃乾性ϋ刻時，其亦形成_反應物。_此，⑴用於在 乾f生ϋ刻期間遮蔽下層之光阻膜本身；及⑻光阻膜破壞所 -36- (33)559934 發嘴說辑績禹 形成之反應物皆可同時去除。 除了光阻劑衍生之反應物與光μ本身 子’本發明亦可施加於以有機物質之去土板去除之例 #由光阻劑衍生之右秘ι 胃基^板去除ϋ #由九阻μ何生之有機物質例子(例如 染物）。 八肢何生之細6

儘管在弟-至第三較佳實施例中輸送 平驅動機構之行進型式’輸送自 、# …、有' 構之固定型式，如同第四實施例者。 …、驅動* 儘官在第一至第六較佳實施例中輪 …從丄 σσ 甲輸达自動機械採用單- 輸送臂件’即單一臂件，1仍可接 - ，、仍了如用一輸送臂件，即雙^ 件。*有許多輸送目的地時，雙臂件 · 卜 又㈢1干J以進一步增加產量

儘官在第一至第六較诖實施例中輸送自動機械具有伸缔 性揚昇機構以昇降輸送臂件，但是其不限於此，輸送^ 可由其他揚昇機構昇降’例如球形螺絲與線性導引件之细 合。惟，較佳為採用伸縮性揚昇機構以利用伸縮性運動韻 20之伸縮性運動執行揚昇動作，因為其可抑制裝置尺寸之 增加，即使當處理單元堆疊成多階式而增加裝置高度時。 儘官在第四較佳實施例中去除處理單元SR設置於二階段 及乾燥處理單元DPH設置於三階段，單元數量當然不二 二或三0 在第五較佳實施例中去除處理單元SR之一階段及乾燥處 理單元DP Η之一階段併合於去除處理部u丨及U2二者，及併 合於乾燥處理部U3及U4二者。在一變換型式中，去除處理 單元SR或乾燥處理單元DPH之一階段可併合於去除處理部 -37- 559934 (34) Vmmmmmn 或乾燥處理部任一者，且一多階段式去除處理單元SR或乾 燥處理單元DPH可併合於另一者。 儘官在第六較佳實施例中熱處理單元併合於去除處理部 U1及U2二者，及併合於乾燥處理部U3&U4二者，熱處理 單元亦可僅併合於去除處理部及乾燥處理部任一者。 儘管本發明已詳細揭示及說明，上述之說明書在所有觀 點上皆為闡釋性而非偈限，因此可以瞭解的是在不脫離本 發明之範疇下，仍可有多種變換型式及變化。 圖式代表符號說明 1，2，3，4, 4a, 4b 基板處理裝置 5 去除處理部 8 處理站 9 乾燥處理部 20 伸縮性運動體 20a-d 嵌段 25 臂件階臺 26 導執 27 公螺絲 3 1 裝載部 卸載部 35 輸送部 37 轉移機構 39 第一輸送平臺 53a 輸送臂件 59, 96 快門 -38 * 559934 (35) 6 1 基板固持部 62 杯體 63 去除液供給部 64 去離子水供給部 65 容室 66, 73, 78 馬達 67 夾頭 68 排水出口 69 排水管 70 排水裝置 71 第二輸送平臺 72 排水閥 74, 79 臂件 75 去除液噴嘴 76 去除液源 77 去除液閥 80 溶劑氣體供給部 8 1 去離子水噴嘴 82 去離子水源

83 去離子水闊 84 泵浦 85 機架 86 封閉容室 87 溫度控制板 88 銷 -39 - 559934 (36) 89 排氣孔 90 減壓部 92 溶劑氣體供給噴嘴 93 氣體閥 94 溶劑閥 97 溶劑管線 98 氣體管線 99 氮氣源 ID 轉位器部 W 處理後之基板 C 載具 SR, Ul, U2 去除處理單元 TR1 第一輸送自動機械 TR2 第二輸送自動機械 DPH，U3, U4 乾燥處理單元 IF 介面 TP1 第一輸送路徑 TP2 第二輸送路徑 U5 通用部 PL 輸送板 CP 冷卻單元

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Claims (1)

1. 一種基板處理裝置，係 附著& .^ 係利用一有機物質之去除液以去除 丨π香於一基板之該有 /有核:物質，該裝置包含·· 一轉位器部，复农壯 於哕gμ —用於罩覆一基板之匡盒且相對 玄衣置之外部而裝栽與卸載-基板； 一去除處理部，复刹田 去 ’、j用5亥去除液以執行一有機物質之 去除處理’且鄰近於該轉位器部； 一乾燥處理部，用於乱一 之乾燥處n ♦了-通過該絲處理後之基板 ㈣介面’其設置以利夹置於該去除處理部與該乾燥處 1且在該去除處理部與該乾燥處理部之間送出 與接收一基板。 2·如申請專利範圍第！項之基板處理裝置，其中 附著於該基板之有機物質係一因為該基板上之光阻膜 破壞而形成之反應物。 3·—種基板處理裝£，係利用_有機物質之去除液以去除 附著於一基板之該有機物質，該裝置包含·· 一轉位器部，其安裝一用於罩覆一基板之匡盒且相對 於該裝置之外部而裝載與卸載一基板； 一去除處理部，其利用該去除液以執行一有機物質之 去除處理，且鄰近於該轉位器部； 一乾燥處理部，用於執行一通過該去除處理後之基板 之乾燥處理；及 一介面，其設置以利夾置於該去除處理部與該乾燥處 該去除處理部與該乾择處理部之間送 與接收一基板，其中 該去除處理部包含·· 一第一輸送路徑，並一山拉 /、 而接觸於該轉位哭立 接觸於該介面； 锊位扣#而另一端 送路徑且藉由 以去除一附著 複數去除處理單元，係圍繞於該第一輪 供給該去除液至-基板同時旋轉該基板， 於該基板之有機物質；及 係設置於該第一輸送路徑上且 、該介面、及該複數去除處理 一第一輸送自動機械， 輸送一基板於該轉位器部 單元之中，及 該乾燥處理部包含： 一第二輸送路徑，其一端接觸於該介面； 複數乾燥處理單元，係圍繞於該第二輸送路徑且乾燥 一基板；及 Μ 一第二輸送自動機械，係設置於該第二輸送路徑上且 輸送一基板於該介面及該複數乾燥處理單元之中。 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中 4乾處理部進一步包含有機溶劑氣體產生單元，係 分別設置於該複數乾燥處理單元下方，且供給一有機^ 劑氣體至該複數乾燥處理單元。 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中 該第一輸送自動機械及該第二輸送自動機械具有一伸 縮性揚昇機構，係利用一伸縮性運動體之伸縮性運動， 申議專麵圜繽買 以執行一揚昇動作。 6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中 附著於該基板之該有機物質係一因為該基板上之光阻 膜破壞而形成之反應物。 7. 一種基板處理裝置，係利用一有機物質之去除液以去除-附著於一基板之該有機物質，該裝置包含·· 一轉位器部，其安裝一用於罩覆一基板之匡盒且相對 於該裝置之外部而裝載與卸載一基板； 一輸送路徑，其一端接觸於該轉位器部； 複數去除處理單元，係圍繞於該輸送路徑且藉由供給 該去除液至一基板同時旋轉該基板，以去除一附著於; 基板之有機物質； Λ 複數乾燥處理單元，係圍繞於該輸送路徑且乾燥一基 板；及 '土 你β置於該輸送路徑上且輸送 板於該轉位器部、該複數去除# 伐數云除處理早兀、及該複數乾燥 處理單元之中。 如申凊專利犯圍第7項之基板處理裝置，進一步包含 有機溶劑氣體產生單亓，#八 < 00 兀如刀別δ又置於該複數乾燥處 。。早凡下方，且供給1機溶劑氣體至該複數乾燥處理 單7〇。 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，並中 4輸送自動機械具有-伸縮性揚昇機構，係利用-伸 •讀運動體之伸縮性運動，以執行—揚昇動作。 申-_莉鞄圍績買 1〇.如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中 附著於該基板之該有機物質係一因為該基板上之光阻 膜破壞而形成之反應物。 11. -種基板處理裝置，係利用—有機物質之去除液以去除 附著於基板之該有機物質，該裝置包含： 轉位态部’其安裝一用於罩覆一基板之匣盒且相對 於該裝置之外部而裝載與卸載一基板； 輸达路佺，其一端接觸於該轉位器部； /义數去除處理單元，係圍繞於該輸送路徑且藉由供給 ^，夜i基板同時旋轉該基板，以去除-附著於該 晷板之有機物質； 板複數乾燥處理單元，係圍繞於該輸送路徑且乾燥一基 -輸送自動機械’係、設置於該輸送路徑上且輸送一美 轉位器部、該複數去除處理單i及該複數乾i 麩理早7L之中，其中 元::數去除處理單元係分別設置於該複數乾燥處理單 12. 如申請專利範圍第η項之基板處理裝置，進一步包人 理^機溶職體產生單元，係分別設置於該複數乾;處 單元？下方，且供給-有機溶劑氣體至該複數乾燥處理 丨J•如申凊專利範圍第12項之基板處理裝置，其中 該輪送自動機械具有一伸縮性揚昇機構，係利用一伸

   縮性運動體之伸縮性運動，以執行 14.如申請專利範圍第丨3項之基板處理裝置，其中 附著於該基板之該有機物質係一因為該基板上之光阻 膜破壞而形成之反應物。 ’ a -種基板處理裝置’係利用—有機物質之去除液以去除 附著於一基板之該有機物質，該裝置包含： 一去除處理部，其係藉由設置複數去除處理單元於多 階段而形成’且藉由供給該去除液至—基板同時旋料 基板，以去除一附著於該基板之有機物質： Λ —乾燥處理部，其係藉由設置複數乾 階段而形成，且用於乾燥一基板；& 早… 自動機械’係用於輸送—基板於該複數去除處 早疋及4複數乾燥處理單元之中，其中 該去除處理部與該乾焊# & 械周圍。 4處理礼⑦置㈣輸送自動機 16. 如中請專利範”15項之基減理裝置，其中 ^輸送自動機赫呈亡 _ 、 伸細性揚昇機構，係利用一伸 縮性運動體之伸縮性運動，以執行一揚昇動作。 17. 如申請專職”丨6項之基板處理裝置，其中 著於該基板之該有機物質係-因為該基板上之光阻 朕破壞而形成之反應物。 先P 1 8. —種基板處理裝f 附著於_其& ίτ'利用一有機物質之去除液以去除 者基板之該有機物質，該裝置包含： 去除處理部，复/么★各 /、不错由設置一去除處理單元於單一 559934 喊奪利条鞠 階段而形成，且益 基板，以去除去除液至-基板同時旋轉該 -乾燥處理部，：：=板之有機物質； 階段而形成，且用^秸由設置—乾燥處理單元於單— 一仏 用於乾燥一基板；及 元及該於輸送—基板於該去除處理單 平7L之中，里中 該去除處理部與該乾燥處理 械周圍。 X置於4輸迗目動機 19如：：專利範圍第18項之基板處理裝置，其中 縮性運動體“:伸縮性揚昇機構，係利用-伸 -·如申4利範”丨9項之基板處理裝置，其中 肢破壞而形成之反應物。 九阻 附=2=置’係利用-有機物質之去除液以去除 土板之该有機物質，該裝置包含： m除處理部’其係藉由設置複數去除處理單元於多 二又形成’且错由供給該去除液至一基板同時旋轉該 土_反，以去除一附著於該基板之有機物質； 乾燥處理部’其係藉由設置-乾燥處理單元於單_ 階段而形成，且用於乾燥一基板；及 :輪送自動機械，係用於輸送一基板於該複數去除處 理早疋及該乾燥處理單元之中，其中 該去除處理部與該乾燥處理部係設置於該輸送自動機 559934

   械周圍。 22.如申請專利範圍第21項之基板處理裝置，其中 缩動機械具有一伸縮性揚昇機構:、係利用-伸 脰之伸縮性運動，以執行一揚昇動作。 」.如申㈣專利範圍第22項之基板處理裝置，其中 膜之該有機物質係一因為該基板上之光阻 膜皮壞而形成之反應物。 :里裝置，係利用一有機物質之去除液以去除 寸者於一基板之該有機物質，該裝置包冬· 理部’其係藉由^_去_理單元於單一 =ί， 供給該去除液至—基板同時旋轉該 ^ 以去除一附著於該基板之有機物質· 階:=理部’其係藉由設置複數乾燥處理單元於多 ί1白奴而形成，且用於乾燥一基板；及 ^輸=自動機械’係用於輸送_基板於該去除處理單 凡及该複數乾燥處理單元之中，其中 械周：除處理部與該乾燥處理部係設置於該輸送自動機 士 ^ %專利輕1圍第24項之基板處理裝置，其中 一伸 光I1 且 /亥輸廷自動機械具有一伸縮性揚昇機構，係利用 、’丨運動之伸縮性運動，以執行一揚昇動作。 申：專利範圍第25項之基板處理裝置，其中 附著於4基板之該有機物質係一因為該 膜破壞而形成之反應物。 之 申譆赛翻__ 2 7. —種基板處理裝詈，及 一 ^ 置仏利用一有機物質之去除液以去除 附著於一基板之兮古，， 4有機物質，該裝置包含： 一去除處理部，复私 具k错由設置複數去除處理單元於多 階段而形成’且藉由供給該去除液至一基板同時旋轉該 基板α去除—附著於該基板之有機物質’該去除處理 部之多階段處理係併合—執行熱處理於基板之熱處理 早兀， 乾燥處理部’其係藉由設置複數乾燥處理單元於多 階段：形成，且用於乾燥-基板；及 二輸达自動機械’係用於輸送—基板於該複數去除處 單元4複數乾燥處理單元、及該熱處理單元之中， ， *處理σ卩與忒乾燥處理部係設置於該輸送自動機 械周圍。 申明專利範圍第27項之基板處理裝置，其中 4輸运自動機械具有_伸縮性揚昇機構，係利用一伸 29性運動體之伸縮性運動，以執行-揚昇動作。 申:專利範圍第28項之基板處理裝置，其中 附者於該基板之該有機物f係—因為該基板上之光阻 嗅破壞而形成之反應物。 種基板處理裝置，係利用一有機物質之去除液以去除 者於一基板之該有機物質，該裝置包含： 除處理部’纟係、藉由言史置複數去除處!里單元於多 &而幵;成’且藉由供給該去除液至一基板同時旋轉該 30 559934 申請專刹範圜繽買 基板，以去除一 + 寸著於該基板之有機物質， 一乾燥處理部， / 、 階段而形成田''係藉由設置複數乾燥處理單元於多 段處理係併八於乾燥一基板’該乾燥處理部之多階 μ ° 執行熱處理於基板之熱處理單元；及 一輸送自動施从、 理單元 > …、戒，係用於輸送一基板於該複數去除處 早几4设數乾燥處理單元、及該熱處理單元之中， 其中 X去除處理部與該乾燥處理部係設置於該輸送自動機 械周圍。 Jl·如中請專利範圍第3G項之基板處理裝置，其中 ^ G自動機械具有一伸縮性揚昇機構’係利用一伸 ”、泪〖生運動體之伸縮性運動，以執行一揚昇動作。 如申請專利範圍第3丨項之基板處理裝置，其中 附著於該基板之該有機物質係一因為該基板上之光阻 骐破壞而形成之反應物。、