TW577178B

TW577178B - High efficient reflective metal layer of light emitting diode

Info

Publication number: TW577178B
Application number: TW091103965A
Authority: TW
Inventors: Tzer-Perng Chen
Original assignee: United Epitaxy Co Ltd
Priority date: 2002-03-04
Filing date: 2002-03-04
Publication date: 2004-02-21
Also published as: US6797987B2; US20030164503A1

Description

577178 五、發明說明（1) 發明領域： •本發明係關於一種咼效率發光二極體（L i g h t Emitting EU ode; LED)結構，特別是一種有關ΙΠ_ν族化合物半導體發光二極體結構及其製造方法’其中發光二極體^構具有问反射率之金屬反射鏡於其中以避免產生之光被基板吸收之。發明背景：傳統的填化链蘇姻發光二極體具有一雙異質结構 (Double Heterostructure; DH)，其構造如第 1 圖所示，由下而上分別為：基板歐姆接觸電極層丨，一 n型神化鎵 (GaAs)基板（Substrate)l，一鋁含量在的 η型 (八1知1_丄.5111().5?之下包覆層3、一（/^(^1_丄5111()5?之活性層5、一鋁含量在70%-100%的ρ型（AixGa卜5lflQ 5ρ之上包覆層7’以及一 ρ型高能隙的電流分散層（Curren1： Spreading Layer )9，這一層的材料可以是磷化鎵、磷砷化鎵、填化銦鎵、氧化錫或砷化鋁鎵等。不過由於所述石申化銾基板1的能隙小，因此所述活性層5所發出的光，其朝向所述坤化鎵基板1的光將會全部被所述砷化鎵基板1所吸收。因此，所述磷化鋁鎵銦發光二極體之發光之量子效率而言’其效率是很低的。除此之外，由於砷化鎵的熱傳導率僅約44W/m-°C。因此，以如此小之砷化鎵的熱傳導率並不足以將所有發光二極體的熱能散逸掉。 > 為克服以上基板吸光的缺點。傳統上有一些文獻揭恭出LED的技術’然而這些技術都有其缺點以及限制，例如& 577178 五、發明說明（2) ^--

Sugawara等人發表於[Appl· phys Lett. ν〇ι. 61， 1 7 7 5 - 1 7 7 7 ( 1 9 9 2 )]便揭示了一種利用加入一層分散布拉格反射層（Distributed Bragg Reflector; DBR)於砷化鎵基板1上，其發光二極體之結構請參考第2圖。由於其結構相似於第1圖，因此，部分相似功能的薄膜都以相同圖號標示。第2圖中，Sugawara等人除了增加了所述分散布拉格反射層2形成於所述砷化鎵基板1與下包覆層3之中，以反射朝向所述砷化鎵基板1的光線外，更增如了一阻撞區域1 0以加強電流之分佈。不過，所述DBR層2對所述磷化鋁鎵銦發光二極體的反射效率也僅約8 〇 %而已，除此之外，反射特性又和反射角度有關。所述DBR層2僅對垂直入射於或接近垂直入射所述砷化鎵基板1可以非常有效率。因此，所述DB R層2對於光量子效率的改善效果有限。若要使 DBR層2達到高反射率，磊晶時間需較長，以控制每一單層的厚度。如此一來產能就無法提高。另一貫施例係K i s h等人發表於[Appl. Phys Lett. V〇l. 64， Νο·21， 2839，（1994 )之文獻，名稱為「very high一efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate ( A 1 xGa 卜 x) 〇 5I n 0.5P/GaP」，揭示一種黏接晶圓（Wafer bonding)之透明式基板 (Transparent-Substrate； TS)(AlxGa^x)0,5In0.5P/GaP發光二極體。請參考第3圖所示之示意圖。其中，Kish等人以透明基板TS 13取代了砷化鎵基板。TS A 1 Gal nP LED係以利用氫化物的氣相蠢晶法（H y d r i d e v a p〇r p h a s e

577178 五、發明說明（3)

ep i t axy ; H VPE )形成厚度相當厚（約5 0// m )之p型雄化鎵 (GaP)窗戶（Window )層1 1於發光結構磊晶層12上。發光結構磊晶層包含0 . 7 5 m厚的p -型A 1 Q. 5Ι η 〇. 5P包覆層3 /活性層（A 1 xGa 卜X) Q.5I η Q.5P 5 / m 厚的 η-型 A 1 Q.5I η Q.5P包覆層 7 形成於暫時性η型砷化鎵基板上。在所述p型磷化鎵（GaP ) 窗口（ W i n d 〇 w )層1 1形成後，再以習知之化學#刻法，選擇性地移除η型神化鎵（GaAs )基板。接著將此曝露出之η型 (AlxGahJo.JnuP下包覆層3，黏接至厚度約為8 - 1 0 m ι 1之η 型磷化鎵基板TS 1 3上。就發光亮度而言，以這種方式所製得之TS A 1 Gal nP LED，比傳統吸收式基板 (Absorbing-Substrate; AS)AlGaInP LED其亮度大兩倍以上。然而，這種TS A 1 Gal nP LED的缺點就是製造過程太過繁雜，且通常會在接合界面具有一非歐姆接觸的高電阻特性，因此，無法獲得高生產良率且難以降低製造成本。

另一種傳統技術，請參看第4圖的示意圖，係由Ha itz 等人所獲得之美國專利第5，9 1 7，2 0 2揭示之發光二極體。在發光二極體蠢晶層4 0 (包含活性層4 1及η型G a P層4 5 p與 p-型GaP層43形成之後，接著形成一摻雜有鋅、鍺或其他類似金屬的金屬反射層47及η電極47a (亦可與反射金屬層 4 7具有相同材質以簡化步驟）於其上下兩面，隨後，再使用脈衝雷射將某些位置點的反射金屬層4 7加熱以使其與p -型G a P層4 3及η電極1 7 a與η型G a P層4 5各形成若干個合金點 (a 1 1 〇 y d 〇 t s ) 4 9。合金點成網點分佈（每一網點之直徑，網點與網點間距視每一點可散佈之電流面積而定）。利用

第7頁 577178 五、發明說明（5) 基板，上下兩面均沉積一金屬的導電散熱基板，再利用焊錫層或金屬或金屬矽化物將高反射金屬層與矽基板黏著在一起。再去除暫時性基板。及形成η電極。再進行退火，以使η電極與發光二極體磊晶層形成良好歐姆接觸。此外為防止黏著層與反射金屬層反應也可以先在反射金屬層上先形成一導電型氧化層。此外透明導電型氧化層與發光二極體磊晶層之間的歐姆接觸可藉由以下四種實施例完成。在第一實施例中，係形成歐姆接觸網點或網格層於與發光二極體磊晶層接面之透明導電型氧化層中，以均勻分佈電流，再注入發光二極體磊晶層。在第二實施例中，係藉由高導電雜質摻雜之薄砷化鎵磊晶層於發光二極體磊晶層與透明導電型氧化層之間，以使透明導電型氧化層先與薄砷化鎵層先形成良好歐姆接觸，以使電流分佈均勻。本發明的第三實施例中係使用透明金屬層做為透明導電型氧化層與發光二極體磊晶層之間的良好歐姆接觸。而第四實施例中則是在透明導電型氧化層中形成若干個歐姆接觸通道，而使電流均句分佈於發光二極體磊晶層。發明詳細說明：如前所述，習知利用D B R偶：為反射層發光二極體，雖然可以使部分朝向基板的光反射，但畢竟有入射角度的問題，而削減了亮度，而採用反射金屬層替代D B R層雖沒有光入射角的問題，但卻有反射金屬層與I I I - V族化合物發光二極體磊晶層直接接觸後就不宜有任何之高溫製程的困

577178 五、發明說明（6) 擾，雖然HP公司提出了另一解決的方法，即利用介電層隔離反射金屬層和III - V族化合物發光二極體磊晶層之直接接觸，而得以進行任何包含高溫製程的製程步驟。但電流只能藉由複數個導電孔於介電層中提供電流路徑別無他途。如此一來，不但增加製程步驟的複雜性，且由於介電層本身導熱性不佳，因此就不能承受大電流，而使功率受限。因此，本發明將提供三個新的發光二極體結構實施例以解決上述傳統發光二極體的缺點。詳細說明如下。首先請先參照第6 A圖所示發光二極體之磊晶結構層 100 0之橫截面示意圖，包括由下而上依序堆疊之一 η型砷化鎵（GaAs)基板100、一#刻終止層（Etching Stop Layer )10 2^ 一 η型石粦化紹鎵銦（A 1 XG a i_x) 〇. 5Ι η Q. 5P下包覆 (Cl adding)層104，其中鋁含量範圍由50至100%均可、一未摻雜之磷化紹鎵銦（A 1 XG a i-x) 〇. 5I η ◦. 5P活性層（A c t i v e Layer ) 1 06，其中鋁含量範圍為0 - 4 5 %，當鋁含量x = 0時，活性層的組成是G a Q. 5I n Q. 5P，而發光二極體所發出的光波長又d約為6 3 5 nm，即約為紅光範圍。一 p型（A 1 xGa i_x) 〇. 5Ι η ( 5Ρ上包覆（Cladding)層108，其中紹含量範圍也可由50至 100%、一 p型歐姆接觸蟲晶層（Ohmic Contact Epitaxial Layer ) 110 0 此外，其中所述蝕刻終止層1 〇 2之材質可以是任何 I I I - V族化合物半導體，不過，晶格常數需能與所述砷化鎵基板1 0 0相匹配以減少差排之產生，另一點是當利用蝕

577178 五、發明說明（7) 刻混合劑例如：5H3P〇4: 3H2〇2: 3H2〇或是1NH4〇H : 35H2〇2)蝕刻時，蝕刻速率需小於對所述砷化鎵基板1 Ο 0之蝕刻速率，此外，所述蝕刻終止層1 0 2也需要高載子濃度以降低歐姆接觸電阻值。典型而言，載子濃度係高於lx 1 Ο 1δ/cm3。在本發明中蝕刻終止層102之較佳材質可為磷化銦鎵（InGaP) 或砷化鋁鎵（AlGaAs)。所述p型歐姆接觸磊晶層11 0則應選擇對所述活性層 1 0 6而言具有高度透光性之材料，這一層材料因此在此及往後稱為透明歐姆接觸層Π 0。換言之，透明歐姆接觸層 1 1 0係選自能隙（e n e r g y b a n d g a p )大於所述活性層1 〇 6之材料，同時摻以高載子濃度，以利於形成歐姆接觸。依據上述要求，透明歐姆接觸層1 1 0，可以選自I I I - V族化合物半導體中合於上述要求的材料。例如若所述活性層1 0 6發出的光的波長範圍在590n m至6 5 0 n m，則這樣可以選擇神化鋁鎵（AlGaAs)、或磷砷化鎵（GaAsP)。而若波長在5 6 0 nm附近及其下時，可以選擇磷化鎵（GaP)。此外，透明歐姆接觸層1 1 0之載子濃度係高於lx 1 0 18/cm3。隨後，再形成一具有點狀或網狀的圖案之p型歐姆金屬接觸圖案層1 1 2於透明歐姆接觸層1 1 0上。p型歐姆金屬接觸圖案層112的材料可以選擇像八11-86，八11-211〇1' C r - A u，這一類型的金屬層。以促使由p電極（後述）所注入之電流藉由這些歐姆接觸網點或網格層1 1 2均勻分佈。所述歐姆接觸網點或網格層1 1 2之個數視經由這些網點或網格所能橫向散佈面而定，而散佈面又與所述透明歐姆接觸

577178 五、發明說明（8)

層1 1 0的厚度及其阻值而定，例如，若所述透明歐姆接觸層1 1 0較厚，可以允許所述歐姆接觸網點1 1 2之點距較稀疏。反之則較密。另外，所述透明歐姆接觸層1 1 0阻值愈小，所代表的意義是每一歐姆接觸網點可以橫向散佈面愈大，都可以允許減少所述歐姆接觸網點或網格層1 1 2之個數。除此之外所述之p型歐姆金屬接觸圖案層1 1 2覆蓋率若愈高將會減少光輸出，但其也會相對使發光二極體之順向電壓值減低。因此，在權衡光線輸出和接觸電阻兩者之損益下，所述p型歐姆金屬接觸圖案層11 2的覆蓋率在1 0 %以下較為理想。而所述點狀或網狀的P型歐姆金屬接觸層1 1 2可以採用以下之順序形成。一種方式是先形成p型歐姆金屬接觸層，次形成一光阻圖案於其上，再應用#刻技術形成所述 p型歐姆金屬接觸圖案層1 1 2，最後再移除光阻圖案。另一種方式是先形成一光阻圖案於所述透明歐姆接觸層1 1 0 上，次形成P型歐姆金屬接觸層，後再應用膠布黏著方式去除附著力不佳的P型歐姆金屬接觸層，以形成P型歐姆金屬接觸圖案層11 2，最後再移除光阻圖案。

隨後所述之發光二極體結構體再進行3 5 0 - 6 0 0°C的高溫退火步驟，以降低接觸電阻值。接著，再先後形成一透明導電型1化層1 1 4及一高反射金屬層1 1 6於透明歐姆接觸層1 1 0上，如圖示，當然包含將所述p型歐姆接觸圖案層 1 1 2覆蓋於其中。所述透明導電型氧化層1 1 4，依據本發明之方法係一高導電性良好光穿透性之氧化層，且不會和所

第12頁 577178 五、發明說明（9) 述透明歐姆接觸層1 1 0及高反射率金屬層1 1 6起反應。例如像 ln 20 3、Sn02、CdO、ZnO、 ITO(氧化銦錫）、CTO(氧化鑛錫）、CuA102、CuGa〇2及 SrCu2〇2。都是可以選用之透明導電氧化層1 1 4候選者。至於所述高反射率反射金屬層1 1 6 則可以選自鋁、金、銀等。所述這三種金屬層，都是具有高反射率之金屬層上選，在5 6 0至6 5 0 n m波長下，反射金屬層1 1 6的反射率約為9 0 %以上。本發明的主要改善處可以看出係因為本發明採用了所述透明導電型氧化層1 1 4於高反射率金屬層11 6與所述透明歐姆接觸層1 1 0之間。這樣可以防止高溫退火製程中所述反射金屬層1 1 6與所述透明歐姆接觸層兩者之間的反應。一般而言，所述反射金屬層1 1 6 所選用之材料銘、金、銀幾乎會和所有的I I I - V族化合物反應。且退火溫度愈高，情況就愈嚴重。若兩者產生反應將對所述反射金屬層1 1 6之反光性有明顯的損害。加入一惰性層：透明的導電型氧化層1 1 4就可以完全避免所述反射金屬層1 1 6與所述透明歐姆接觸層11 0兩者之間的反應發生。因此所述反射金屬層1 1 6可以承受高溫的退火，而沒有反射率變差的問題。接著，所述磷化鋁鎵銦發光二極體磊晶層1 〇〇〇再和具有高熱傳導性與導電性的基板1 2 5黏著在一起。有許多的半導體、陶瓷及金屬材料都以擔任，例如矽基板、碳化矽基板、氮化鋁、銅和鋁都是做為所述導電性及導熱性基板材料的優良候選者，由於散熱性佳，因此可以呈受更高之電流。特別是矽基板，不但便宜且就研磨蝕刻、或切割都

577178 五、發明說明（11) 在黏著之後，再使用研磨或化學钱刻混合物如 5H3P04: 3H2O2: 3H 2〇或是1 Ν Η 4〇 Η : 3 5 Η 2〇 2)或反應式離子姓刻技術（reactive ion etching; RIE)將所述之不透光的n型石申化鎵基板1 0 0除去，並停留在所述蝕刻終止層1 〇 2上。隨後，再形成一 η型歐姆接觸層1 3 0於所述蝕刻終止層1 〇 2上以做為電極’其結果如第6 C圖所示。當然，隨後需進行退火，用以將歐姆接觸阻值降低，以完成垂直性電流傳導且具有良好熱散逸能力之碟化鋁鎵銦發光二極體之製作。依據本發明所述之製程完成之磷化鋁鎵銦發光二極體波長範圍約在5 8 5至6 3 0 nm，流明照度約為30流明/瓦。此外亮度是隨注入之電流而增加，電流並可達到1 〇〇 m A以上。證明了矽做為基板材料的確優於使用砷化鎵的基板，上述之實施例雖以磷化鋁鎵銦發光二極體做為實施例說明，但並不代表限制本發明適用的二極體種類，例如砷化鋁鎵 (AlGaAs)發光二極體，磷砷化鎵銦（UGaAsP)發光二極體，氮化鋁鎵銦（AlGalnN)發光二極體或者是垂直共振腔式面射型雷射(vertical cavity surface emitting laser)也可以適用。在第一較佳實施例中已述及透明導電型氧化層形成於反射金屬層1 1 6與發光二極體磊晶層1 0 0 0之間可以防止因後續高溫製程而使所述發光二極體磊晶層1 0 0 0與所述反射金屬層1 1 6的反應。而所述歐姆接觸網狀或網點層1 1 2可以使注入透明導電型氧化層的電流經由這些歐姆接觸網狀或網點層11 2而均勻散佈於所述發光二極體磊晶層1 〇〇〇，

第15頁 577178 五、發明說明（12) 而不是被透明導電型氧化層Π 4與發光二極體磊晶層1 0 0 0 之接面間的能量阻障（e n e r g y b a r r i e r )所擋住。上述發光二極體磊晶層1 〇〇〇與所述透明導電型氧化層 1 1 4之間，也可以如下變化，請參考本發明的第二實施例，如第7圖所示。係將所述發光二極體磊晶層1 0 0 0之歐姆接觸導體層與透明導電型氧化層之間以相對於發光二極體磊晶層能隙小的薄膜層形成於發光二極體磊晶層上再形成透明導電型氧化層，用以促使透明導電型氧化層與發光二極體磊晶層產生良好的歐姆接觸。以磷砷化鎵銦 (I n G a A s Ρ )發光二極體蠢晶層為例，能隙小的薄膜層可以是砷化鎵薄層1 1 3 g或磷砷化鎵薄層（磷含量在2 0至 3 0 % ) 1 1 3 g其中之一種。因此，在包含所述暫時性基板1 0 0之所述二極體磊晶層1 0 0 0上’首先形成一神化錄薄層1 1 3 g或璃神化蘇薄層 (磷含量在2 0至3 0 % ) 1 1 3 g，再接著依序形成一透明導電型氧化層1 1 4及反射金屬層1 1 6，及進行後續反射金屬層 1 1 6、黏著導電導熱基板、去除暫時性基板1 0 0及形成η電極1 3 0與退火等步驟一如前述。一如前述，由於砰化鎵或磷砷化鎵能隙小，因此，有吸光的問題。但所述能隙小的 I I I - V族化合物半導體薄膜（例如至少5 0 0埃以下，典型值為3 0 0埃以下）卻可以容許將載子（c a r r i e r )濃度提高。特別是前述的p型歐姆接觸層Π Ο，由於為防止吸光的問題，能隙就得選用高能隙的材質，例如GaP等。如此一來，要提高P型載子濃度就很困難。反過來說，能隙小的砷化鎵

577178 五、發明說明（13) 卻可以解決高濃度載子摻雜的問題。在本發明中所述砷化鎵薄膜113g内的載子濃度可提高至1χ 1019/ί：πι^上。這對於典型良好歐姆接觸所需濃度需求5x 1 0 18/ c m 3。當然是餘刃有餘。高濃度的砷化鎵薄膜層1 1 3 g可以和所述透明導電型氧化層1 1 4形成良好的歐姆接觸。因此，自導電散熱基板1 2 5經反射金屬層1 1 6注入透明導電型氧化層的電流可以先均勻散佈於砷化鎵薄膜層1 1 3 g，再入射於發光二極體磊晶層1 0 0 0而至η電極1 3 0而形成一電流通路。僅管如此，為防止砷化鎵吸光的缺點蓋過其均勻散佈電流的優點，厚度不得不如上所述加以限制。在上述厚度或下的砷化鎵層113g，透光度將隨著其厚度減薄而增加。犧牲一部分透光度而使得垂直於所述發光二極體磊晶層1 0 0 0之注入電流更加均勻散佈是值得的。為使所述透明導電氧化層1 1 4與所述發光二極體磊晶層 1 0 0 0之間藉由良好歐姆接觸金屬層而均勻散佈電流，請參考第八圖所示第三實施例。一透光性之薄歐姆接觸金屬層 (TCL層）1 1 3 t先沉積於所述包含暫時性基板1 0 (]之發光二極體磊晶層1 0 0 0上再接著形成所述透明導電型氧化層於 TCL層1 1 3 t上。而後續步驟一如前述。所述薄歐姆接觸金屬層T C L層1 1 3 t例如1 0 0埃厚度之金/錄層，或金/鈹，或金 /鋅複合層都可以與所述透明導電型氧化層11 4形成極為良好之歐姆接觸，因此也可以使注入所述發光二極體磊晶層 1 0 0 0電流均勻散佈。所述薄TCL層1 1 3t在所述厚度下具有透光性，因此，不致於犧牲太多由發光二極體磊晶層所發

577178 五、發明說明（14) 出且朝向反射金屬層光的被吸收問題（包括二次吸收）。本發明的之第四實施例請參考第9圖。首先全面形成一透明導電型氧化層1 1 4於所述包含暫時性基板之發光二極體磊晶層其中一種上，接著以微影圖案及乾式蝕刻步驟定義複數個歐姆接觸通道Π 5於所述透明導電型氧化層1 1 4 之中，如圖示，歐姆接觸通道貫通所述透明導電型氧化層 11 4上下兩面，接著再回填歐姆接觸金屬層。其中所述歐姆接觸金屬層可以填滿或不完全填滿歐姆接觸通道115，最後再形成一層高反射的反射金屬層11 6於所述透明導電型氧化層1 1 4上，同時也將先前未完全填滿的歐姆接觸通道11 5補滿。一如前述歐姆接觸通道1 1 5内之金屬係用以使來自導電散熱基板的電流藉由這些通道1 1 5而均勻散佈於發光二極體磊晶層。以一較佳的實施例而言，所述歐姆接觸通道1 1 5所佔的面積比，約為的透明導電型氧化層1 1 4與二極體磊晶層1 0 0 0接面的1 0 %以下即可。本發明且有以下幾點好處： (1 )提供了一種垂直注入電流型之發光二極體結構，且只需要一單一金線即可，因此可以簡化發光二極體之封裝製程並降低生產成本。 (2 )發光二極體的尺寸可以大為減少，使得每片晶片產出的發光二極體晶粒數目增加。 (3 )具有良好之熱散逸性，因此LED有較好之可靠性表現，且可以操作於高電流密度下。 (4)容易大量生產，良率高且成本低。

577178 五、發明說明（15) (5 )反射金屬層可以承受較高之溫度，且不致於有反射金屬層品質劣化之問題，因此可以提供晶片製作更大的彈性。以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍，凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍内。

第19頁 577178 圖式簡單說明本發明的較佳實施例將於往後之說明文字中輔以下列圖形做更詳細的闡述：第1圖係依據習知技術所製造之發光二極體結構之橫截面示意圖。第2圖係依據習知技術，具有分散布拉格反射層之發光二極體之橫截面示意圖。第3圖示依據習知技術所製造之發光二極體具有一依據黏者技術而形成之透明材料做為基板。第4圖示依據習知技術所製造之發光二極體層，利用雷射加熱方式使具摻雜之反射金屬層與η型G a P及p型G a P形成網點之歐姆接觸。第5圖示依據習知技術所製造之發光二極體層，利用介電層及形成於其中之若干個歐姆接觸通道使反射金屬層電流可以貫通至η電極，同時也可防止反射金屬層與發光二極體蠢晶層的反應。第6 Α圖至第6 C圖示利用本發明之方法第一實施例所製造之發光二極體磊晶層結構與基板結構及兩者黏著後之結構，具有惰性透明導體層於反射金屬層與磊晶層結構之間之橫截面示意圖。第7圖示依據本發明之方法第二實施例，以高導電雜質摻雜之薄砷化鎵磊晶層做為於透明導電型氧化層與發光二極體磊晶層與之間歐姆接觸媒介的示意圖。第8圖示依據本發明之方法第三實施例，以TCL層做為於透明導電型氧化層與發光二極體磊晶層與之間歐姆接觸媒介

577178 圖式簡單說明的示意圖。第9圖示依據本發明之方法第四實施例，以形成於透明導電型氧化層之歐姆接觸通道透明導電型氧化層與發光二極體蠢晶層與之間媒介的示意圖。圖號對照說明：砷化鎵基板 1 、1 0 0 分散布拉格反射層2 砷化鎵緩衝層 2 a η型包覆層 3、4 5、1 0 4 活性層 5、4 1、 1 0 6 ρ型包覆層7、4 3、 1 0 8 Ρ型高能隙的電流分散層 9阻擋區域 10 ρ型磷化鎵）窗口層 1 1透明層TS 1 3、52 光發射磊晶層 1 2、4 0、1 0 0 0 η型歐姆接觸金屬電極 19、47a、130 矽基板 2 7 、1 2 0蝕刻終止層 102 透明歐姆接觸金屬層1 1 3 t ρ型歐姆接點磊晶層1 1 0 歐姆接觸通道5 4、1 1 5 薄砷化鎵層 1 1 3 g ρ型歐姆金屬接觸圖案層1 1 2黏著層1 2 4 高反射金屬層47、 116 透明導電型氧化層 114 擴散阻擋層 126 介電層 53 歐姆接觸網點 49

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Claims

577178 六、申請專利範圍 1 . 一種發光二極體，至少包含：一導電導熱基板；一光發射層結構層，具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一透明導電型氧化層形成於該光發射層結·構層上，該透明導電型氧化層具有複數條貫穿該透明導電型氧化層之歐姆接觸型通道形成於其中；一反射金屬層形成於該透明導電型氧化層上；及一金屬黏著層黏著該導電導熱基板上及該反射金屬層以形成該發光二極體。 2. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中上述之導體基板的材料係選自由銅、銘、S i C、A 1 N及石夕所組成之族群的其中之一種。 3. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中上述之透明導電型氧化層係選自由ln 20 3、Sn02、CdO、ZnO、ITO (氧化銦錫）、CTO(氧化鑛錫）、CuA102、CuGaO及 SrCu2〇所組成之族群的其中之一種。 4. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中上述之反射金屬層係選自由金、銀、紹所組成之族群其中之一種，上述之金屬黏著層係選自由In、Au-S η合金、A u - S i合金、 Pb-Sn合金、和 Au_G e合金或 P d I n合金其中之一種。 5. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，更包含一擴散阻障層形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間，該擴散阻

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