TWI501873B - Transparent gas barrier film, transparent gas barrier film manufacturing method, organic EL element, solar cell and thin film battery - Google Patents

Transparent gas barrier film, transparent gas barrier film manufacturing method, organic EL element, solar cell and thin film battery Download PDF

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TWI501873B
TWI501873B TW101147174A TW101147174A TWI501873B TW I501873 B TWI501873 B TW I501873B TW 101147174 A TW101147174 A TW 101147174A TW 101147174 A TW101147174 A TW 101147174A TW I501873 B TWI501873 B TW I501873B
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Description

透明氣體障蔽膜、透明氣體障蔽膜之製造方法、有機EL元件、太陽電池及薄膜電池 發明領域
本發明係有關於一種透明氣體障蔽膜、透明氣體障蔽膜之製造方法、有機EL元件、太陽電池及薄膜電池。
 發明背景
近年，液晶顯示元件、有機EL(電發光)元件、電子紙、太陽電池及薄膜鋰離子電池等各種電子組件皆有輕量化‧薄型化之進展。悉知，該等組件大多會因大氣中之水蒸氣而變質劣化。
習知，該等組件中作為其支撐基板迄今係使用玻璃基板，而從輕量性、耐衝擊性、可撓性等各種特性優異之理由看來，現今則在檢討以樹脂基板之使用來取代玻璃基板。一般而言，與由玻璃等無機材料形成之基板相較，樹脂基板具有明顯很強勢的水蒸氣等氣體穿透性之性質。因此在上述用途中，會要求在維持樹脂基板之光穿透性的同時亦須使其氣體障蔽性提升。
而，電子組件的氣體障蔽性則要求須有遠勝過食品包裝方面之氣體障蔽性的更高水準。氣體障蔽性係例如 以水蒸氣穿透速度(Water Vapor Transmission Rate；以下WVTR)表示。在習知食品包裝用途中之WVTR值為1~10g‧m-2 ‧day-1 程度，相對於此，例如薄膜矽太陽電池或化合物薄膜系太陽電池用途之基板所需的WVTR認為在1×10-3 g‧m-2 ‧day-1 以下，此外有機EL用途基板所需的WVTR則認為在1×10-5g‧m-2 ‧day-1 以下。光是針對上述要求非常高的氣體障蔽性，使氣體障蔽層形成於樹脂基板上之方法就有各種提議(例如參照專利文獻1、2)。但，該等技術中作為代表之藉由真空程序而形成的無機膜之氣體障蔽性並無法滿足上述要求。
爰此提議出使無機層與聚合物層交互地且複數層地積層、混成化，藉以提升氣體障蔽性(例如參照專利文獻3~5)。然而，由於是藉由不同程序來形成不同材料之層，因此從生產效率及成本觀點而言稱不上理想。又，由於無機層與聚合物層之層間的密著性不高，因此會產生因彎折所致之層剝離，結果有氣體障蔽性劣化之問題，且對可撓組件之適用有所困難。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平8-164595號公報
專利文獻2：日本特開2004-151528號公報
專利文獻3：日本專利第2996516號公報
專利文獻4：日本特開2007-230115號公報
專利文獻5：日本特開2009-23284號公報
 發明概要
又，在前述先前技術文獻中雖未指出，但氣體障蔽層有裂縫問題，且該裂縫問題會對氣體障蔽性造成影響。爰此，本發明目的在於提供一種氣體障蔽性優異且透明氣體障蔽層之內部應力非常低的透明氣體障蔽膜及其製造方法。
本發明之透明氣體障蔽膜係於樹脂基板上形成有透明氣體障蔽層者，其特徵在於：前述透明氣體障蔽層含有選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種物質；前述透明氣體障蔽層具有複數層密度於厚度方向連續且周期地起變化之層；且前述密度之變化係從高密度往低密度之變化、或從低密度往高密度之變化。
本發明其他態樣之透明氣體障蔽膜係於樹脂基板上形成有透明氣體障蔽層者，其特徵在於：前述透明氣體障蔽層含有選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種物質及選自於由氧、氮及碳所構成群組中之至少1種元素；前述透明氣體障蔽層具有複數層原子比(X/M)於厚度方向連續且周期地起變化之層，該原子比(X/M)係選自於由 氧、氮及碳所構成群組中之至少1種元素之含有比率(X(原子%))相對於選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比；前述原子比之變化係從大原子比往小原子比之變化、或從小原子比往大原子比之變化。
又，本發明之透明氣體障蔽膜之製造方法係於樹脂基板上形成透明氣體障蔽層者，其特徵在於包含：透明氣體障蔽層形成步驟，係使電弧放電電漿產生並在反應氣體之存在下使金屬氧化物及類金屬氧化物之至少一方蒸鍍於樹脂基板而形成透明氣體障蔽層；在前述透明氣體障蔽層形成步驟中，係一邊使前述樹脂基板與電漿源之距離起變化且一邊進行蒸鍍；且前述距離之變化係遠離前述距離之變化、及靠近前述距離之變化中之至少一變化。
本發明其他態樣之透明氣體障蔽膜之特徵在於其係以如前述本發明之透明氣體障蔽膜之製造方法所製造者。
又，本發明之有機EL元件係於基板上具有依序設有陽極層、有機EL(電發光)層及陰極層之積層體者，其特徵在於前述基板係前述本發明之透明氣體障蔽膜。
又，本發明之有機EL元件係於基板上具有依序設有陽極層、有機EL層及陰極層之積層體者，其特徵在於：其更具有背面密封構件；前述積層體之至少一部分係被前述背面密封構件被覆 著；且前述基板及前述背面密封構件之至少一方係前述本發明之透明氣體障蔽膜。
本發明之太陽電池係包含太陽電池單元者，其特徵在於：前述太陽電池單元係被前述本發明之透明氣體障蔽膜被覆著。
本發明之薄膜電池係具有依序設有集電層、陽極層、固體電解質層、陰極層及集電層之積層體者，其特徵在於：前述積層體係被前述本發明之透明氣體障蔽膜被覆著。
依據本發明，可提供一種氣體障蔽性優異且透明氣體障蔽層之內部應力非常低之透明氣體障蔽膜及其製造方法。
1‧‧‧真空槽
2‧‧‧壓力梯度型電漿槍
3‧‧‧基板
4‧‧‧電漿束
5‧‧‧反射電極
6‧‧‧會聚電極
7‧‧‧蒸鍍源
8‧‧‧蒸鍍材料
9‧‧‧電子束
10‧‧‧晶體監測器
11‧‧‧放電氣體供給機構
12‧‧‧反應氣體供給機構
13‧‧‧基板用輥
20‧‧‧真空泵
21‧‧‧放電氣體用氣缸
22‧‧‧反應氣體用氣缸
100‧‧‧透明氣體障蔽膜
110‧‧‧樹脂基板
120‧‧‧透明氣體障蔽層
500‧‧‧製造裝置
圖1係顯示本發明透明氣體障蔽膜之構成一例的概略截面圖。
圖2係顯示本發明透明氣體障蔽膜中，氣體障蔽層在厚度方向之密度分布一例的示意圖。
圖3係顯示本發明透明氣體障蔽膜中，氣體障蔽層在厚度方向之密度分布之其他例的示意圖。
圖4係顯示本發明透明氣體障蔽膜中，透明氣體障蔽層在厚度方向之原子比分布一例的示意圖。
圖5係顯示製造本發明透明氣體障蔽膜之裝置構造一 例的示意圖。
圖6係顯示在實施例1中所製得之透明氣體障蔽膜之影像解析結果之圖。
圖7係顯示在實施例4中所製得之透明氣體障蔽膜之影像解析結果之圖。
圖8係顯示本發明實施例5中，透明氣體障蔽層內之厚度方向之原子比N/Si(XN /M)變化的圖表。
圖9係顯示本發明實施例6中，透明氣體障蔽層內之厚度方向之原子比O/Si(XO /M)變化的圖表。
圖10係顯示本發明實施例7中，透明氣體障蔽層內之厚度方向之原子比C/Si(XC /M)變化的圖表。
 用以實施發明之形態
在本發明之透明氣體障蔽膜中，前述透明氣體障蔽層中密度之極大值(Dmax )相對於極小值(Dmin )之比(Dmax /Dmin )在1.1以上為佳。
在本發明之透明氣體障蔽膜中，前述密度於厚度方向起變化之層的各層厚度在50~200nm之範圍為佳。
在本發明之透明氣體障蔽膜中，前述原子比(X/M)於前述厚度方向起變化之層的各層厚度在20~200nm之範圍為佳。
在本發明之透明氣體障蔽膜中，選自於由前述金屬及前述類金屬所構成群組中之至少1種物質係選自於由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮 化碳化物及氧化氮化碳化物所構成群組中之至少1種化合物為佳。
在本發明之透明氣體障蔽膜之製造方法中係一邊反覆前述距離之變化且一邊進行前述透明氣體障蔽層形成步驟為佳。
接下來詳細說明本發明。惟，本發明不受以下記載限制。
本發明之透明氣體障蔽膜中之透明氣體障蔽層具有複數層密度於厚度方向連續且周期地起變化之層，前述密度之變化係從高密度往低密度之變化或從低密度往高密度之變化。
又，本發明之透明氣體障蔽膜中之透明氣體障蔽層具有複數層前述元素之原子比(X/M)於厚度方向連續且周期地起變化之層，前述原子比之變化係從大原子比至小原子比之變化或從小原子比至大原子比之變化。變化之原子比係源自於含有選自於由氧、氮及碳所構成群組中之至少1種的反應氣體之元素的含有比率(X(原子%))相對於選自於由前述金屬及前述類金屬所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比。
前述透明氣體障蔽層含有選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種物質。選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種物質係選自於由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物所構成群組中之至少1種化合物為佳。金屬係例如 鋁、鈦、銦、鎂等，而類金屬係例如、矽、鉍、鍺等。為了氣體障蔽性之提升，前述透明氣體障蔽層宜含有如可緻密地形成透明氣體障蔽層內之網狀結構(網目狀結構)的碳、氮。此外，為了使透明性提升，前述透明氣體障蔽層宜含氧。前述透明氣體障蔽層之成分含有金屬及類金屬之至少1種物質且亦含有碳、氧以及氮中任一者元素尤佳。
前述透明氣體障蔽層可藉由例如使用如蒸鍍、濺鍍、化學氣相沉積法(CVD)之真空的乾式程序形成。藉此，可製得非常緻密且氣體障蔽性高的薄膜。當中又以蒸鍍法為佳。因為蒸鍍法係成膜速度非常快速的程序且為生產性高的程序，故而生產效率佳。尤其理想係使用利用電弧放電電漿之蒸鍍法來形成前述透明氣體障蔽層。悉知，電弧放電電漿不同於一般使用的輝光放電電漿，電子密度非常高。在蒸鍍法使用電弧放電電漿，藉此可提高反應性而可形成非常緻密的透明氣體障蔽層。
電弧放電電漿可以例如壓力梯度型電漿槍、直流放電電漿產生裝置、及高頻放電電漿產生裝置等形成，當中又以使用即便在蒸鍍中亦相當穩定且可產生高密度電漿的壓力梯度型電漿槍為佳。
圖1係本發明之透明氣體障蔽膜之構成一例的概略截面圖。如圖示，該透明氣體障蔽膜100於樹脂基板110上具有透明氣體障蔽層120。透明氣體障蔽層120具有複數層密度於厚度方向連續且周期地起變化之層，且前述密度之變化係從高密度往低密度之變化或從低密度往高密度之 變化。在此，「周期地起變化」表示反覆1次或2次以上從高密度往低密度之變化或從低密度往高密度之變化。
圖2及圖3係顯示本發明之透明氣體障蔽膜中，氣體障蔽層在厚度方向之密度分布例的示意圖。在圖2顯示之密度分布例中反覆著下述型態：密度從樹脂基板側朝向表面側徐緩地增加，經過極大值後徐緩地減少，並經過極小值再徐緩地增加(高密度→低密度→高密度)。在圖3顯示之密度分布例中反覆著下述型態：密度從樹脂基板側朝向表面側徐緩地增加(高密度→低密度)。而，前述密度之變化可為直線性亦可為曲線性。
藉由形成高密度層，可獲得高氣體障蔽性，但若加厚高密度層的厚度或製成與其他層的積層結構，內部應力即會提高而產生微裂，易使氣體障蔽性降低。爰此，如前述，藉由具有複數層密度連續且周期地起變化之層，可減低內部應力，故而可防止微裂產生而可實現高氣體障蔽性。而，理由雖不明確，但密度在某一定層厚下起變化與在無規的層厚下之變化相較，前者具有應力減低之傾向。
而，在圖2及圖3之任一種梯度結構下皆可獲得可撓性高的透明氣體障蔽層，惟以圖3之結構具有較可形成內部應力低的透明氣體障蔽層之傾向，較為理想。
前述透明氣體障蔽層中，密度之極大值(Dmax )相對於極小值(Dmin )的比(Dmax /Dmin )在1.1以上為佳。當前述Dmax 相對於前述Dmin 的比接近1且差異很小時，氣體障蔽性提升及內部應力降低其中一項機能會變得不夠充分。前述 氣體障蔽層之密度依材質、組成及成膜方法亦有所不同，例如氧化矽層為1.6~2.2g‧cm-3 ，而氮化矽層為2.3~2.7g‧cm-3 。
在圖1中，透明氣體障蔽層120具有複數層原子比(X/M)於厚度方向連續且周期地起變化之層，且前述原子比之變化可為從大原子比至小原子比之變化，或亦可為從小原子比至大原子比之變化。在此，「周期地起變化」表示反覆1次或2次以上從大原子比至小原子比之變化或從小原子比至大原子比之變化。
圖4係顯示本發明之透明氣體障蔽膜中，透明氣體障蔽層在厚度方向之原子比分布-例如反應氣體元素相對於金屬元素的原子比(X/M)之分布例-的示意圖。在圖4顯示之原子比分布例中反覆著下述型態：前述原子比從樹脂基板側朝向表面側徐緩地變大，經過極大值後徐緩地變小，並經過極小值再徐緩地變大(大原子比→小原子比→大原子比)。而，前述原子比之變化例如可為直線性亦可為曲線性。
在透明氣體障蔽層中，反應氣體所含之元素即氧、碳、氮中任一者的原子比較大時，因反應性佳，故可形成緻密的層。藉此，可獲得高氣體障蔽性。然而，若增加該原子比較高之層的厚度或製成與其他層的積層結構，內部應力便會增高而易於產生微裂。而且會因該微裂之產生而降低透明氣體障蔽膜之氣體障蔽性。爰此，在本發明中，如前述具有複數層前述原子比連續且周期地起變化之 層，藉此可降低內部應力，故而可防止微裂產生而可實現高氣體障蔽性。
當前述透明氣體障蔽層含有氧時，前述原子比(XO /M)在1~1.9之範圍為佳。又，當前述透明氣體障蔽層含有氮時，前述原子比(XN /M)在0.5~1.2之範圍為佳。當前述透明氣體障蔽層含有碳時，前述原子比(XC /M)在0.5~1.7之範圍為佳。本發明人等研討的結果發現，該等原子比與層密度有密切關聯，有前述原子比愈高層密度即變高且愈低層密度即變低之傾向。而且，由於藉由將前述原子比設在前述範圍可使層密度成為較適當的範圍，因此例如可使氣體障蔽性較為優異且使內部應力較為降低，故而可使可撓性較為優異。
考慮氣體障蔽性、透明性、成膜時間、及層之內部應力的觀點，前述透明氣體障蔽層之厚度在1μm以下為佳，較理想為100~800nm之範圍，更理想為200~500nm之範圍。前述密度或原子比於厚度方向起變化之層的各層厚度在50~200nm之範圍為佳，較理想在20~200nm或10~100nm之範圍。而，前述密度或原子比於厚度方向起變化之層以具有3~20層之範圍為佳，較理想在5~16層之範圍。
就樹脂基板而言，若考慮源自電弧放電電漿或蒸鍍源之輻射熱所造成的加熱影響，以耐熱性尤其是Tg(玻璃轉移溫度)及熱收縮性優異者為佳。當該等皆低時，認為在透明氣體障蔽層形成之際會於膜產生應變，而於透明氣體障蔽層產生裂縫等，使氣體障蔽性劣化。因此，就樹脂基 板而言以耐熱性高的透明膜為佳。例如，就膜之收縮率而言以寬方向(TD)與流動方向(MD)雙方皆在0.5%以下為佳。作為本發明中之樹脂基板，可舉如環烯聚合物、聚萘二甲酸乙二酯、聚環硫乙烷、聚硫化苯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺等具透明性之膜。前述樹脂基板之厚度以20~200μm為佳，從操作面看來以50~150μm之厚度尤佳。
本發明中之樹脂基板亦可係在前述透明氣體障蔽層形成前已將其表面進行例如電暈放電處理、電漿放電處理或離子蝕刻(RIE)處理者。又，亦可係作為平滑層或接著層已藉由真空程序或塗佈形成無機物或聚合物之層者。
在本發明中，當選自於由前述金屬及前述類金屬所構成群組中之至少1種物質係選自於由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物所構成群組時，氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物中所含之氧、碳或氮例如可藉由在反應氣體之存在下使電弧放電電漿產生並進行選自於由前述金屬及前述類金屬所構成群組中之至少1種物質之蒸鍍而導入。作為前述蒸鍍中之蒸鍍材料，例如亦可使用金屬氧化物及類金屬氧化物。作為前述反應氣體，例如可使用含氧氣體、含氮氣體、含烴氣體或該等之混合氣體。
作為含氧氣體可舉例如氧(O2 )、一氧化二氮(N2 O)及一氧化氮(NO)；作為含氮氣體可舉例如氮(N2 )、氨(NH3 )及一氧化氮(NO)；作為含烴氣體可舉例如甲烷(CH4 )、乙烷 (C2 H6 )、丙烷(C3 H8 )、丁烷(C4 H10 )、乙烯(C2 H4 )及乙炔(C2 H2 )等。
作為使前述蒸鍍材料蒸發之手段，例如可使用將電阻加熱、電子束及電弧放電電漿中任一者導入至蒸鍍材料(蒸鍍源)之方法。當中，又以可進行高速蒸鍍之電子束或電弧放電電漿之方法為佳。該等方法亦可併用。
前述透明氣體障蔽膜可在透明氣體障蔽層形成步驟中例如一邊使前述樹脂基板與電漿源之距離起變化且一邊進行蒸鍍而製造，惟本發明並不受此限定。
圖5中顯示以批次生產方式製造本發明中之透明氣體障蔽膜之裝置的構成一例。如圖示，該製造裝置500具有真空槽1、壓力梯度型電漿槍2、反射電極5、會聚電極6、蒸鍍源7、放電氣體供給機構11、反應氣體供給機構12及真空泵20作為主要構成構件。真空槽1內配置有基板用輥13，且樹脂基板(例如透明樹脂膜)3係設置在基板用輥13。蒸鍍源7係以與基板用輥13相對向的方式設置在真空槽1之底部。蒸鍍源7上面裝接著蒸鍍材料8。真空泵20係配置在真空槽1之側壁(同圖中為右側側壁)，藉此可將真空槽1內減壓。放電氣體供給機構11及反應氣體供給機構12係配置在真空槽1之側壁(同圖中為右側側壁)。放電氣體供給機構11連接於放電氣體用氣缸21，藉此可將適度壓力的放電氣體(例如氬氣)供給至真空槽1內。反應氣體供給機構12連接於反應氣體用氣缸22，藉此可將適度壓力的反應氣體(例如氧氣、氮氣及甲烷氣)供給至真空槽1內。於基板用輥13連接 著溫度控制機構(未圖示)。藉此，藉由調整基板用輥13之表面溫度，可將樹脂基板3之溫度設在預定範圍。作為前述溫度控制機構，可舉例如使聚矽氧油等循環之熱媒循環裝置等。
使用圖5中顯示之製造裝置時的製造程序之一例如下。將真空槽1內排氣至10-3 Pa以下之後，從放電氣體供給機構11將作為放電氣體的氬導入至電弧放電電漿產生源即壓力梯度型電漿槍2，並施加一定電壓以使樹脂基板3曝露的方式將電漿束4朝向反射電極5照射。電漿束4受會聚電極6控制而成一定的形狀。電弧放電電漿之輸出例如為1~10kW。另一方面，從反應氣體供給機構12導入反應氣體。又，對設置在蒸鍍源7之蒸鍍材料8照射電子束9，使材料朝向基板3蒸發。在反應氣體存在之狀態下進行蒸鍍，使基板3上形成預定的透明氣體障蔽層。透明氣體障蔽層之形成速度(蒸鍍速度)係藉由設置在基板3附近的晶體監測器10計測並控制。從蒸發開始至蒸鍍速度穩定化為止，宜先將覆蓋基板3之光閘(未圖示)關閉，至蒸鍍速度穩定以後再開啟前述光閘來進行透明氣體障蔽層之形成。
此時，藉由使基板用輥13旋轉，可使基板3與電漿槍2之距離起變化。當設置在基板用輥13之基板3從靠近電漿槍2之位置(圖5中之左側)被搬送至遠離電漿槍2之位置(圖5中之右側)時，由於在靠近電漿槍2之位置電漿密度相對較高，因此可獲得密度高的層。又，由於在靠近電漿槍2之位置電漿密度相對較高，因此可獲得反應性高且反應氣體 元素之原子比較高的高密度層。另一方面，由於在遠離電漿槍2之位置電漿密度相對較低，因此可獲得密度低的層。又，由於在遠離電漿槍2之位置電漿密度相對較低，因此可獲得反應性低且反應氣體元素之原子比較低的低密度層。因此，藉由一邊反覆同一方向的旋轉且一邊進行蒸鍍，可形成具有如圖3顯示之密度變化的氣體障蔽層。又，藉由一邊交互地反覆順向、逆向且一邊進行蒸鍍，可形成具有例如圖2顯示之密度變化的透明氣體障蔽層或可形成具有例如圖4顯示之原子比變化的透明氣體障蔽層。
透明氣體障蔽層形成時的系內壓力例如在0.01Pa~0.1Pa之範圍內，且以在0.02Pa~0.05Pa之範圍內為佳。又，基板溫度例如在20℃~200℃之範圍內，且以在80℃~150℃之範圍內為佳。而，前述電弧放電電漿之產生與反應氣體之導入可同時或前後進行，即反應氣體導入與前述電漿產生可同時進行，亦可於反應氣體導入後使前述電漿產生，或可於前述電漿產生後導入反應氣體。反應氣體只要在透明氣體障蔽層形成時存在於系內即可。
本發明之有機EL元件係於基板上具有依序設有陽極層、有機EL(電發光)層及陰極層之積層體者，其特徵在於前述基板為前述本發明之透明氣體障蔽膜。作為前述陽極層，例如可形成可作為透明電極層使用之ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)或IZO(註冊商標、Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)之層。前述有機EL層例如係由電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層所 構成。作為陰極層可兼具反射層形成鋁層、鎂/鋁層及鎂/銀層等。為了不使該積層體曝露於大氣，從其上方藉由金屬、玻璃、樹脂等進行密封。
本發明之有機EL元件之特徵在於：更具有背面密封構件，前述積層體之至少一部分被前述背面密封構件被覆著，且前述基板及前述背面密封構件之至少一方係前述本發明之透明氣體障蔽膜。即，前述本發明之透明氣體障蔽膜亦可適用作為有機EL元件之背面密封構件。此時，使用接著劑或藉由熱封等將前述本透明氣體障蔽膜設置在前述積層體上，藉此可充分地保持密封性。而，亦可將前述積層體作為樹脂基板使用，於前述積層體需要被覆的部分形成前述本發明之透明氣體障蔽膜中之透明氣體障蔽層來進行密封。
若使用前述本發明之透明氣體障蔽膜作為有機EL元件之基板，可達成有機EL元件的輕量化、薄型化及柔軟化。因此，作為顯示器的有機EL元件可成為可撓物，亦可做到將之捲起等如電子紙般作使用。又，若將前述本發明之透明氣體障蔽膜作為背面密封構件使用，即易於進行被覆又可達成有機EL元件的薄型化。
本發明之太陽電池包含太陽電池單元，且前述太陽電池單元被前述本發明之透明氣體障蔽膜被覆著。前述本發明之透明氣體障蔽膜亦適合作為太陽電池之受光側前罩板及保護用後罩板使用。就太陽電池結構之一例而言，可舉如藉由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等樹脂將藉由薄膜矽 或CIGS(Copper Indium Gallium DiSelenide：硒化銅銦鎵)薄膜所形成的太陽電池單元予以密封，再藉由前述本發明之透明氣體障蔽膜夾住而構成者。亦可不施行前述樹脂之密封而直接以前述本發明之透明氣體障蔽膜夾住。
本發明之薄膜電池係具有依序設有集電層、陽極層、固體電解質層、陰極層及集電層之積層體者，且前述積層體係被前述本發明之透明氣體障蔽膜被覆著。作為薄膜電池，可舉例如薄膜鋰離子電池等。就前述薄膜電池而言，其代表構成係於基板上依序積層有使用金屬之集電層、使用金屬無機膜之陽極層、固體電解質層、陰極層及使用金屬之集電層的構成。前述本發明之透明氣體障蔽膜亦可作為薄膜電池之基板使用。
實施例
接下來，就本發明之實施例合併比較例一起作說明。而，本發明並不受下述實施例及比較例任何限定及限制。又，各實施例及各比較例中之各種特性以及物性的測定及評估係藉由下述方法而實施。
(水蒸氣穿透速度)
水蒸氣穿透速度(WVTR)係以JIS K7126中規定之水蒸氣穿透速度測定裝置(MOCON公司製、商品名PERMATRAN)在溫度40℃且濕度90%RH之環境下所測定。而，前述水蒸氣穿透率測定裝置之測定範圍在0.005g‧m-2 ‧day-1 以上。
(可撓試驗)
藉由圓筒形心軸法(JIS K5600-5-1、使用COTEC公司製試驗裝置)，以透明氣體障蔽膜之透明氣體障蔽層側為外側，藉由直徑20mm之心軸實施1000次的彎折後，以與前述同樣的方式測定WVTR。
(構成透明氣體障蔽膜之各層厚度)
構成透明氣體障蔽膜之各層厚度係以股份有限公司日本電子製的掃描型電子顯微鏡(商品名：JSM-6610)觀察透明氣體障蔽膜之截面，測出從基板(膜)表面至各層表面為止之長度而算出。
(構成透明氣體障蔽膜之各層密度)
構成透明氣體障蔽膜之各層的密度ρ係藉由股份有限公司RIGAKU製的X射線繞射裝置(商品名：Smart Lab)測定構成透明氣體障蔽層之各層的X射線反射率而算出各層密度。一般而言，膜密度愈高，電子射線穿透率愈低。因此，膜密度高的部分電子射線會難以穿透而形成暗沉之像。另一方面，膜密度愈低，電子射線穿透率即愈高，因此膜密度低的部分電子射線會易於穿透而形成明亮之像。因此認為在TEM像中的對比變化與層密度之變化具有相關關係。
(構成透明氣體障蔽膜之各層的原子比變化)
藉由X射線光電子光譜測定裝置(ULVAC-PHI製)，從透明氣體障蔽層之表面進行一定深度的Ar離子蝕刻並測定厚度方向之原子比，藉此測定各層的原子比變化。
[實施例1]
[透明樹脂膜之準備]
作為透明樹脂膜(樹脂基板)，準備了帝人杜邦薄膜公司製之聚萘二甲酸乙二酯膜(厚度100μm、商品名「TEONEX」)。
[透明氣體障蔽層形成步驟]
接下來，將前述聚萘二甲酸乙二酯膜裝接至圖5中顯示之製造裝置。將氬氣20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)導入至壓力梯度型電漿槍內並對前述電漿槍施加5kW的放電輸出，使電弧放電電漿產生。作為反應氣體，在氧(純度5N：99.999%)10sccm(10×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)及氮(純度5N：99.999%)20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內，在該狀態下對蒸鍍材料之矽粒(純度3N：99.9%)照射電子束(加速電壓6kV、施加電流50mA)，並以蒸鍍速度100nm/min的方式進行蒸發。此時，系內壓力為2.0×10-2 Pa，且令基板加熱的加熱器溫度為100℃。反覆5次下述步驟：使基板用輥13從圖5中電漿槍2側進行左旋轉(拉遠距離之變化)，接下來使其從會聚電極6側進行右旋轉(拉近距離之變化)。令基板用輥13之旋轉速度為0.5m/min。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的結構及密度。圖6顯示製得之透明氣體障蔽層的影像解析結果。該透明氣體障蔽層中之密度的極大值為2.68g‧cm-3 且極小值為2.30g‧cm-3 。密度於厚度方向起變化之層形成有10層且各層厚度約30nm。
[實施例2]
除了將前述左旋轉之終點及前述右旋轉之起點的位置 設在與實施例1相較下離電漿槍2更遠之位置以外，以同於實施例1的方式製得本實施例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的結構及密度。透明氣體障蔽層中之密度的極大值為2.68g‧cm-3 且極小值為2.20g‧cm-3 。密度於厚度方向起變化之層形成有10層且各層厚度約30nm。
[實施例3]
除了將前述左旋轉之終點及前述右旋轉之起點的位置設在與實施例1相較下離電漿槍2更近之位置以外，以同於實施例1的方式製得本實施例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的結構及密度。透明氣體障蔽層中之密度的極大值為2.68g‧cm-3 且極小值為2.45g‧cm-3 。密度於厚度方向起變化之層形成有10層且各層厚度約30nm。
[實施例4]
除了在圖5中使基板用輥13從電漿槍2側以左旋轉之一方向(拉遠距離之變化)進行4旋轉以外，以同於實施例1的方式製得本實施例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的結構及密度。圖7中顯示製得之透明氣體障蔽層的影像解析結果。該透明氣體障蔽層中之密度的極大值為2.68g‧cm-3 且極小值為2.30g‧cm-3 。密度於厚度方向起變化之層形成有4層且各層厚度約60nm。
[比較例1]
將基板用輥13固定使其不會旋轉而形成透明氣體障蔽層。將氬氣20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)導入至壓力梯度型電漿槍內並對前述電漿槍施加5kW之放電輸出，使電弧放電電漿產生。作為反應氣體，在氧(純度5N：99.999%)10sccm(10×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)及氮(純度5N：99.999%)20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內，在該狀態下對蒸鍍材料之矽粒(純度3N：99.9%)照射電子束(加速電壓6kV、施加電流50mA)，在蒸鍍速度為100nm/min下使其蒸發並以厚度成為50nm的方式於基板上蒸鍍氧化氮化矽層。接下來，令施加至前述電漿槍之放電輸出為2kW，並同樣地以厚度成為50nm的方式蒸鍍氧化氮化矽層。此時，系內壓力為2.0×10-2 Pa且令基板加熱的加熱器溫度為100℃。交互地反覆該程序並合計形成8層的1層厚度為50nm之層而製得本比較例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析各層厚度及密度。以放電輸出為5kW所形成之層的密度為2.68g‧cm-3 ，而以放電輸出為2kW所形成之層的密度為2.30g‧cm-3 。
[實施例5]
[透明樹脂膜之準備]
作為透明樹脂膜(樹脂基板)，準備了帝人杜邦薄膜公司製之聚萘二甲酸乙二酯膜(厚度100μm、商品名「TEONEX」)。
[透明氣體障蔽層形成步驟]
接下來，將前述聚萘二甲酸乙二酯膜裝接至圖5顯示之製造裝置。將氬氣20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)導入至壓力梯度型電漿槍內並對前述電漿槍施加5kW之放電輸出，使電弧放電電漿產生。作為反應氣體，在氮(純度5N：99.999%)20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內，在該狀態下對蒸鍍材料之矽粒(純度3N：99.9%)照射電子束(加速電壓6kV、施加電流50mA)並在蒸鍍速度為100nm/min下使其蒸發。此時，令系內壓力為2.0×10-2 Pa並令基板加熱的加熱器溫度為100℃。各反覆5次下述步驟：使基板用輥13在圖5中從電漿槍2側進行左旋轉(拉遠距離之變化)，接下來從反射電極5側進行右旋轉(拉近距離之變化)。令基板用輥13之旋轉速度為0.5m/min。原子比於厚度方向起變化之層(計10層)的各層厚度為30nm。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的厚度方向之原子比N/Si(XN /M)。圖8中顯示從透明氣體障蔽層表面往深度方向之原子比N/Si的變化。如圖8顯示，在透明氣體障蔽層中，原子比N/Si其極大值為1.1且其極小值為0.6。
[實施例6]
除了作為反應性氣體在氧(純度5N：99.999%)30sccm(30×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內以外，以同於實施例5的方式製得本實施例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的厚度方向之原子比O/Si(XO /M)。圖9中顯示從透明氣體障蔽層表面往 深度方向之原子比O/Si的變化。如圖9顯示，在透明氣體障蔽層中，原子比O/Si其極大值為1.8且其極小值為1.2。
[實施例7]
除了作為反應性氣體在甲烷(純度4N：99.99%)15sccm(15×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內以外，以同於實施例5的方式製得本實施例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析層內的厚度方向之原子比C/Si(XC /M)。圖10中顯示從透明氣體障蔽層表面往深度方向之原子比C/Si的變化。如圖10顯示，在透明氣體障蔽層中，原子比C/Si其極大值為1.5且其極小值為0.9。
[比較例2]
固定基板用輥13使其不會旋轉而形成透明氣體障蔽層。將氬氣20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)導入至壓力梯度型電漿槍內並對前述電漿槍施加5kW之放電輸出，使電弧放電電漿產生。作為反應氣體，在氮(純度5N：99.999%)20sccm(20×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內，在該狀態下對蒸鍍材料之矽粒(純度3N：99.9%)照射電子束(加速電壓6kV、施加電流50mA)，在蒸鍍速度為100nm/min下使其蒸發並於基板上以厚度成為30nm的方式蒸鍍氮化矽層。接下來，令施加至前述電漿槍之放電輸出為2kW，並同樣地以厚度成為30nm的方式蒸鍍氮化矽層。此時，系內壓力為2.0×10-2 Pa，且令基板加熱的加熱器溫度為100℃。交互地反覆該程序並合計形成10層的 1層厚度為30nm之層而製得本比較例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析厚度方向之原子比N/Si。在透明氣體障蔽層中，原子比N/Si無關乎厚度方向之位置均恆定在1.2。
[比較例3]
除了作為反應性氣體在氧(純度5N：99.999%)30sccm(30×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內以外，以同於比較例2的方式製得本比較例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析厚度方向之原子比O/Si。在透明氣體障蔽層中，原子比O/Si無關乎厚度方向之位置均恆定在1.8。
[比較例4]
除了作為反應性氣體在甲烷(純度4N：99.99%)15sccm(15×1.69×10-3 Pa‧m3 /秒)之流量下將之導入至真空槽內以外，以同於比較例2的方式製得本比較例之透明氣體障蔽膜。
就製得之透明氣體障蔽層分析厚度方向之原子比C/Si。在透明氣體障蔽層中，原子比C/Si無關乎厚度方向之位置均恆定在1.5。
就實施例1~7及比較例1~4中製得之透明氣體障蔽膜測定可撓試驗前後之水蒸氣穿透速度(WVTR)。測定結果顯示於表1及表2。
如前述表1顯示，可知實施例1~4中所得之透明氣體障蔽膜皆可獲得可撓試驗前後之水蒸氣穿透速度在0.007g‧m-2 ‧day-1 以下的良好的氣體障蔽性。實施例1、2及4中所得之透明氣體障蔽膜在透明氣體障蔽層中，密度的極大值(Y)相對於極小值(X)之比(Y/X)在1.1以上，且在可撓試驗前後的水蒸氣穿透速度上未觀察到變化，亦有獲得良好的耐可撓性。另一方面，在比較例1中可撓試驗前之水蒸氣穿透速度為0.005g‧m-2 ‧day-1 相當良好，但可撓試驗後之水蒸氣穿透速度為0.010g‧m-2 ‧day-1 ，可知氣體障蔽性 有所劣化。此認為是因為在比較例1中，層間生成內部應力差並產生裂縫而使氣體障蔽性降低。
如前述表2顯示，實施例5~7中所得之透明氣體障蔽膜顯示出優異的氣體障蔽性，此外在可撓試驗前後之水蒸氣穿透速度上未觀察到變化，亦顯示出良好的耐可撓性。另一方面，在比較例2~4中，在可撓試驗後之水蒸氣穿透速度與在可撓試驗前之水蒸氣穿透速度相較下有所增大，可知氣體障蔽性有所劣化。此認為是因為在比較例2~4中，層間生成內部應力差並產生裂縫而使氣體障蔽性降低之故。
產業上之可利用性
本發明之透明氣體障蔽膜係氣體障蔽性優異且透明氣體障蔽層之內部應力非常低者。本發明之透明氣體障蔽膜可作為例如有機EL顯示裝置、場發射顯示裝置以及液晶顯示裝置等各種顯示裝置(顯示器)、太陽電池、薄膜電池、電雙層電容器等各種電元件‧電元件的可撓基板以及密封材料等使用，其用途不受限定，除前述用途以外並可在各種領域作使用。
100‧‧‧透明氣體障蔽膜
110‧‧‧樹脂基板
120‧‧‧透明氣體障蔽層

Claims (12)

  1. 一種透明氣體障蔽膜，係於樹脂基板上形成有透明氣體障蔽層者，其特徵在於：前述透明氣體障蔽層含有選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種物質、及氧及氮之至少1種元素；前述透明氣體障蔽層具有複數層原子比(X/M)於厚度方向連續且周期地起變化之層，該原子比(X/M)係氧及氮之至少1種元素之含有比率(X(原子%))相對於選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比；且前述原子比之變化係從大原子比往小原子比之變化或從小原子比往大原子比之變化。
  2. 如申請專利範圍第1項之透明氣體障蔽膜，其中前述原子比於厚度方向起變化之層的各層厚度在20~200nm之範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項之透明氣體障蔽膜，其中於前述透明氣體障蔽層，原子比(XO /M)係在1~1.9之範圍，該原子比(XO /M)係氧之含有比率(XO (原子%))相對於選自於由金屬及類金屬元素所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比。
  4. 如申請專利範圍第1項之透明氣體障蔽膜，其中於前述透明氣體障蔽層，原子比(XN /M)係在0.5~1.2之範圍， 該原子比(XN /M)係氮之含有比率(XN (原子%))相對於選自於由金屬及類金屬元素所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比。
  5. 一種透明氣體障蔽膜，係於樹脂基板上形成有透明氣體障蔽層者，其特徵在於：前述透明氣體障蔽層含有選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種物質與碳；前述透明氣體障蔽層具有複數層原子比(XC /M)於厚度方向連續且周期地起變化之層，該原子比(XC /M)係碳之含有比率(XC (原子%))相對於選自於由金屬及類金屬所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比；前述原子比之變化係從大原子比往小原子比之變化或從小原子比往大原子比之變化；其中於前述透明氣體障蔽層，原子比(XC /M)係在0.5~1.7之範圍，該原子比(XC /M)係碳之含有比率(XC (原子%))相對於選自於由金屬及類金屬元素所構成群組中之至少1種元素之含有比率(M(原子%))的比。
  6. 如申請專利範圍第1項之透明氣體障蔽膜，其中選自於由前述金屬及前述類金屬所構成群組中之至少1種物質，係選自於由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物所構成群組中之至少1種化合物。
  7. 一種透明氣體障蔽膜之製造方法，係於樹脂基板上形成 透明氣體障蔽層者，其特徵在於包含：透明氣體障蔽層形成步驟，係使電弧放電電漿產生，並在反應氣體之存在下使金屬氧化物及類金屬氧化物之至少一方蒸鍍至樹脂基板而形成透明氣體障蔽層；在前述透明氣體障蔽層形成步驟中，係一邊使前述樹脂基板與電漿源之距離起變化且一邊進行蒸鍍：且前述距離之變化係遠離前述距離之變化、及靠近前述距離之變化中之至少一變化。
  8. 如申請專利範圍第7項之透明氣體障蔽膜之製造方法，其係一邊反覆前述距離之變化且一邊進行前述透明氣體障蔽層形成步驟。
  9. 一種有機EL元件，係於基板上具有依序設有陽極層、有機EL層及陰極層之積層體者，其特徵在於：前述基板係如申請專利範圍第1至6項中任一項之透明氣體障蔽膜。
  10. 一種有機EL元件，係於基板上具有依序設有陽極層、有機EL層及陰極層之積層體者，其特徵在於：其更具有背面密封構件；前述積層體之至少一部分係被前述背面密封構件被覆著；且前述基板及前述背面密封構件之至少一方係如申請專利範圍第1至6項中任一項之透明氣體障蔽膜。
  11. 一種太陽電池，係包含太陽電池單元者，其特徵在於：前述太陽電池單元係被如申請專利範圍第1至6項中任一項之透明氣體障蔽膜被覆著。
  12. 一種薄膜電池，係具有依序設有集電層、陽極層、固體電解質層、陰極層及集電層之積層體者，其特徵在於：前述積層體係被如申請專利範圍第1至6項中任一項之透明氣體障蔽膜被覆著。
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