TWI509367B - 投影光學系統，曝光設備，以及製造裝置的方法 - Google Patents

投影光學系統，曝光設備，以及製造裝置的方法 Download PDF

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Description

投影光學系統，曝光設備，以及製造裝置的方法
本發明相關於投影光學系統、曝光設備、以及製造裝置的方法。
已普遍地將液晶顯示面板使用為顯示裝置，諸如，FPD(平板顯示器)。液晶顯示面板使用採用曝光設備的光微影法製造。另外，隨著，例如，最近在電視尺寸上的增加，已揭示，如日本特許公開專利申請案序號第2001-290279號所述之，與此種尺寸的增加相容之使用複數個投影光學系統的曝光設備。
已揭示垂直地堆疊二投影光學系統，以在使用複數個投影光學系統的曝光設備中形成直立影像的方法。然而，在堆疊二投影光學系統時，該等投影光學系統的整體高度上升，且該曝光設備的高度依次上升，因此增加該曝光設備的尺寸。
本發明提供實現良好成像效能及緊密度二者的投影光學系統。
本發明在其之一實施樣態中提供一種投影光學系統，包括形成定位在物面上之物件的中間影像之單位放大的第一反射光學系統，以及將該中間影像投影在成像平面上之 單位放大的第二反射光學系統，該第一反射光學系統包含第一反射鏡，反射從該物面發射並於垂直於該物面之第一方向中行進而入射於其上的光，第一光學系統，反射來自該第一反射鏡的該光；以及第二反射鏡，在朝向該中間影像之形成位置的該第一方向中反射來自該第一光學系統的該光，該第二反射光學系統包含第三反射鏡，反射從該中間影像之形成位置發射並在該第一方向中行進而入射於其上的光，第二光學系統，反射來自該第三反射鏡的該光；以及第四反射鏡，在朝向該成像平面的該第一方向中反射來自該第二光學系統的該光，其中將該第一反射鏡、該第二反射鏡、該第三反射鏡、該第四反射鏡、該第一光學系統、以及該第二光學系統定位，藉此滿足至少一條件，其中在該光在該第二反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第一反射鏡上的反射位置與該物面之間在該第一方向中的距離，以及一條件，其中在該光在該第三反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第四反射鏡上的反射位置與該成像平面之間在該第一方向中的距離。
本發明之其他特性將從以下對示範實施例的描述及對該等隨附圖式的參考而變得顯而易知。
茲參考該等隨附圖式於下文中詳細描述本發明之實施 例。
[第一實施例]
圖1係顯示根據第一實施例之藉由以單位放大(1倍放大)將遮罩(原始)的直立影像投影在基材上，曝光基材之曝光設備的圖。如圖1所示，此實施例中的曝光設備包括照明光學系統IL、投影光學系統PO、具有畫於其上之預定型樣的遮罩1，用於保持遮罩1的遮罩台2、基材3、以及用於保持基材3的基材台4。可藉由彼此同步地在y-方向上掃描遮罩台2及基材台4而曝光較寬區域。投影光學系統PO包括形成遮罩1之中間影像的第一反射光學系統PO1，以及將藉由第一反射光學系統PO1形成之中間影像再度形成在基材3上的第二反射光學系統PO2。第一反射光學系統PO1形成作為定位在平行於預定平面之物面上的物件之遮罩1的中間影像，且第二反射光學系統PO2將中間影像投影在平行於預定平面的成像平面上。
可從，例如，準分子雷射及高壓水銀燈選擇最適宜用於待製造之裝置的光源，作為包括在照明光學系統IL中的光源。為製造液晶顯示裝置，可將，例如，g-線(436nm)、h-線(405nm)、或i-線(365nm)的高壓水銀燈使用為光源。將用於製造裝置的可取型樣畫在遮罩1上並藉由投影光學系統PO投影在基材3上。將對使用在照明光學系統IL中的光源之波長具有給定靈敏度的光阻劑施用在基材3上，所以在顯影處理時將可取型樣形成在基 材3上。
第一反射光學系統PO1包括第一平面反射鏡5、第一光學系統、以及第二平面反射鏡7。第一平面反射鏡5反射由遮罩台2上的物面發射並在垂直於此物面之第一方向(z-方向)上行進而入射於其上的光。第一光學系統朝向第二平面反射鏡7反射由第一平面反射鏡5反射的光。第一光學系統係藉由將包括一凹反射鏡、第一凸反射鏡11、以及第二凹反射鏡的奧夫納(offner)系統定位在第一平面反射鏡5及第二平面反射鏡7之間的光學路徑中而實作。在第一實施例中，將一對第一凹反射鏡及及第二凹反射鏡使用為整體凹反射鏡10。第二平面反射鏡7在朝向中間影像形成位置6的z-方向上反射來自第一光學系統的光。中間影像形成位置6光學共軛於遮罩1。第一光學系統係單位放大光學系統。
第二反射光學系統PO2包括第三平面反射鏡21、第二光學系統、以及第四平面反射鏡24。第三平面反射鏡21反射由中間影像形成位置6發射並在z-方向上行進而入射於其上的光。第二光學系統朝向第四平面反射鏡24反射由第三平面反射鏡21反射的光。第二光學系統可使用包括第三凹反射鏡、第二凸反射鏡23、以及第四凹反射鏡的奧夫納系統實作。在第一實施例中，將一對第三凹反射鏡及及第四凹反射鏡使用為整體凹反射鏡22。第四平面反射鏡24在朝向基材台4上之成像平面的z-方向上反射來自第二光學系統的光。第二光學系統係單位放大光學系 統。第三平面反射鏡21之反射表面的形狀並未受限於平坦平面。第一平面反射鏡5、第二平面反射鏡7、以及第四平面反射鏡24也是如此。
圖1所示之線101-102指示第一光學系統的光學軸，其將包括在第一光學系統中之第一凸反射鏡11及凹反射鏡10的曲率中心彼此連接。圖1所示之線103-104指示第二光學系統的光學軸，其將包括在第二光學系統中之第二凸反射鏡23及凹反射鏡22的曲率中心彼此連接。在圖1所示的掃描曝光設備中，遮罩台2在y-方向上掃描。因此，為防止在遮罩台2與第一凹反射鏡之間的干涉，必須將遮罩台2及第一平面反射鏡5之間在z-方向上的距離保持為預定值或以上。相似地，為防止在包括在第二反射光學系統PO2中之凹反射鏡22、基材3、以及基材台4之間的干涉，必須將在包括在第二反射光學系統PO2中的第四平面反射鏡24與基材3之間在z-方向上的距離保持為預定值或以上。
另一方面，沒有掃描台存在於第二平面反射鏡7與第三平面反射鏡21之間。因此，可能減少中間影像形成位置6與第二平面反射鏡7上的光反射位置之間在z-方向上的距離，以及中間影像形成位置6與第三平面反射鏡21上的光反射位置之間在z-方向上的距離。這樣作，將第二平面反射鏡7上的反射位置與第一光學系統之間在y-方向上的距離設定成大於第一平面反射鏡5上的反射位置與第一光學系統之間在y-方向上距離。又，將第三平面反射鏡 21上的反射位置與第二光學系統之間在y-方向上的距離設定成大於第四平面反射鏡24上的反射位置與第二光學系統之間在y-方向上距離。此使當遮罩台2與第一平面反射鏡5之間在z-方向上的距離保持相同時，可能減少第二平面反射鏡7與中間影像形成位置6之間在z-方向上的距離。結果，可將第一光學系統的光學軸101-102與中間影像形成位置6之間的距離設定成小於第一光學系統的光學軸101-102與遮罩1之間的距離。第二反射光學系統PO2也是如此，所以第三平面反射鏡21相對於第四平面反射鏡24在-y-方向上偏移。此使當第四平面反射鏡24與基材3之間在y-方向上的距離保持相同時，可能減少中間影像與第三平面反射鏡21之間在y-方向上的距離。結果，可將中間影像與第二光學系統的光學軸103-104之間的距離設定成小於光學軸103-104與基材3之間的距離。圖1描繪在-y-方向上移動第二平面反射鏡7及第三平面反射鏡21二者的範例。
然而，可藉由在-y-方向上移動第二平面反射鏡7及第三平面反射鏡21之至少一者以減少遮罩1及基材3之間在z-方向上的距離，所以可縮小投影光學系統PO且最終縮小曝光設備。在上文提及的關係中，令A係圖1中從遮罩1至第一平面反射鏡5上之光反射位置的距離，且B係圖1中從第二平面反射鏡7上之光反射位置至中間影像的距離。又，令C係圖1中從中間影像至第三平面反射鏡21上之光反射位置的距離，且D係圖1中從第四平面反 射鏡24上之光反射位置至基材3的距離。為減少遮罩1及基材3之間的距離，必須將第一至第四平面反射鏡及第一及第二光學系統定位成滿足A>B及D>C之至少一者。各平面反射鏡的位置未不利地影響投影光學系統PO的光學效能。當滿足上文提及的條件時，可能降低投影光學系統PO的高度，而不會不利地影響投影光學系統PO的效能，因此將設備縮小。
[第二實施例]
將參考圖2描述根據第二實施例的曝光設備。在此實施例的曝光設備中，由照明光學系統IL發射的照明光通過遮罩201以及第一平面反射鏡203、由第一凹反射鏡204反射、並通過第一凸反射鏡205及第二凹反射鏡206。然後藉由第二平面反射鏡207反射該光，以將中間影像形成在與遮罩201共軛的位置221。將第一平面反射鏡203及第二平面反射鏡207積體為稜形反射鏡，以使彼此成為直角。在該反射光形成中間影像之後，另外藉由包括在第二反射光學系統PO2中的第三平面反射鏡208反射。該反射光通過第三凹反射鏡209、第二凸反射鏡210、第四凹反射鏡211，並由第四平面反射鏡212反射，以在基材213上形成影像。將包括在第二反射光學系統PO2中的第三平面反射鏡208及第四平面反射鏡212積體為稜形反射鏡，以使彼此成為直角。將用於製造裝置的預定型樣畫在遮罩201上，並可將攜載其資訊的影像形成在基材213 上。將遮罩201固定在能驅動其的遮罩台202上。又，將基材213固定在能驅動其的基材台214上。可藉由彼此同步地在y-方向上掃描遮罩台202及基材台214而曝光較寬區域。
將包括在第一光學系統中的第一凸反射鏡205與該對第一及第二凹反射鏡204及206之曲率中心彼此連接的線215-216指示第一光學系統的光學軸。相似地，將包括在第二光學系統中的第二凸反射鏡210與該對第三及第四凹反射鏡209及211之曲率中心彼此連接的線217-218指示第二光學系統的光學軸。在第一實施例中，接近中間影像的第二平面反射鏡7僅在-y-方向上移動，以減少光學軸及中間影像之間的距離。然而，在第二實施例中，因為將二平面反射鏡：第一及第二平面反射鏡203及207積體為稜形反射鏡，不可能僅移動接近中間影像的第二平面反射鏡207。因此，如圖2所示，由包括在第一反射光學系統PO1中的第一及第二平面反射鏡203及207形成之稜形反射鏡的頂點219相對於光學軸215-216在z-及-y-方向上移動。此使當遮罩台202與第一凹反射鏡204之間的距離保持相同時，可能降低從第二平面反射鏡207至中間影像的距離而不會不利地影響反射光學系統的光學效能。須注意由包括在根據相關技術的曝光設備之第一反射光學系統中的第一及第二平面反射鏡203及207形成之稜形反射鏡的頂點219係位於第一光學系統的光學軸215-216上，如圖5所示。
相似地，由第二反射光學系統PO2中的第三及第四平面反射鏡208及212形成之稜形反射鏡的頂點220相對於光學軸217-218在-y-及-z-方向上移動。此使減少中間影像及第三平面反射鏡208之間在z-方向上的距離變得可能，而不會不利地影響反射光學系統及基材台214之掃描的效能。令A2係從遮罩201至第一平面反射鏡203上之反射位置的距離，且B2係從第二平面反射鏡207上之反射位置至中間影像的距離。又，令C2係從中間影像至第三平面反射鏡208上之反射位置的距離，且D2係從第四平面反射鏡212上之反射位置至基材213的距離。為減少遮罩201及基材213之間在z-方向上的距離，必須滿足A2>B2或D2>C2。當滿足此條件時，可能降低投影光學系統PO的高度，而不會不利地影響投影光學系統PO的效能，因此將設備縮小。
[第三實施例]
將參考圖3描述根據第三實施例的曝光設備。由照明光學系統(未圖示)發射的照明光通過遮罩301，以經由第一反射光學系統PO1在共軛於遮罩301的位置314形成中間影像，然後經由第二反射光學系統PO2在基材303上形成遮罩型樣。藉由遮罩台302保持遮罩301，並藉由基材台304保持基材303。可藉由彼此同步地在y-方向上掃描遮罩台302及基材台304而曝光較寬範圍。第一反射光學系統PO1包括第一平面反射鏡305、第一凹反射鏡306 、第一凸反射鏡307、第二凹反射鏡308、以及第二平面反射鏡311。第三實施例中的第一光學系統另外包括定位在第二凹反射鏡308及第二平面反射鏡311之間的一對平面反射鏡309及310。將該對平面反射鏡309及310定位成彼此平行，並在z-方向(第二方向)上朝物面偏移至由第二凹反射鏡308反射並入射在第二平面反射鏡311上之光的位置。
當將繞x-軸周圍的旋轉方向界定為假設順時鐘方向為正的ωx時，平面反射鏡309相關於x-z平面在ωx-方向上傾斜45°，且平面反射鏡310也相關於x-z平面在ωx-方向上傾斜45°。又，將平面反射鏡310定位成平行於平面反射鏡309，亦即，相關於x-z平面在ωx-方向上傾斜45°。將第二平面反射鏡311定位成與第一平面反射鏡305成直角。將第一凸反射鏡307與該對第一及第三凹反射鏡306及308之曲率中心彼此連接的線312-313指示第一光學系統的光學軸。藉由定位該對平面反射鏡309及310，可將從光學軸312-313至中間影像的距離設定成小於從光學軸312-313至遮罩301的距離。參考至圖3，令A3係從遮罩301至第一平面反射鏡305上之反射位置的距離，且B3係從第二平面反射鏡311上之反射位置至中間影像的距離。為減少遮罩301及基材303之間在z-方向上的距離，必須滿足A3>B3。
描述於上文提及之實施例中的方法可彼此組合，如圖4所示。又，與本發明是否施用至第一反射光學系統PO1 或第二反射光學系統PO2無關，可縮小投影光學系統PO而不會不利地影響反射光學系統的成像效能。雖然在此實施例中將奧夫納系統使用為第一及第二光學系統各者，也可將其與戴森(Dyson)光學系統組合使用。奧夫納系統也可包括在遮罩及凹反射鏡之間或在凹反射鏡及凸反射鏡之間的折光構件。
此外，第一及第二光學系統並未限制係單位放大光學系統，並可能係縮小系統或放大系統。
[製造裝置的方法]
根據本發明的實施例之製造裝置的方法適合用於製造裝置，諸如，半導體裝置或FPD。此方法可包括使用上文提及的曝光設備曝光塗佈有光阻劑之基材的步驟，以及顯影已曝光基材的步驟。此方法也可包括後續已知步驟(例如，氧化、膜形成、氣相沈積、摻雜、平坦化、蝕刻、光阻移除、切割、壓焊、以及封裝)。
當已參考示範實施例而描述本發明後，待理解本發明並未受限於該等已揭示之示範實施例。下文之申請專利範圍待受最廣泛之解釋以包含所有此種修改及均等結構與功能。
1、201、301‧‧‧遮罩
2、202、302‧‧‧遮罩台
3、213、303‧‧‧基材
4、214、304‧‧‧基材台
5、203、305‧‧‧第一平面反射鏡
6‧‧‧中間影像形成位置
7、207、311‧‧‧第二平面反射鏡
10‧‧‧整體凹反射鏡
11、205、307‧‧‧第一凸反射鏡
21、208‧‧‧第三平面反射鏡
22‧‧‧積體凹反射鏡
23、210‧‧‧第二凸反射鏡
24、212‧‧‧第四平面反射鏡
101-102、103-104、215-216、217-218、312-313‧‧‧線
204、306‧‧‧第一凹反射鏡
206、308‧‧‧第二凹反射鏡
209‧‧‧第三凹反射鏡
211‧‧‧第四凹反射鏡
219、220‧‧‧頂點
221、314‧‧‧位置
309、310‧‧‧平面反射鏡
A、A2、A3、B、B2、B3、C、C2、D、D2‧‧‧距離
IL‧‧‧照明光學系統
PO‧‧‧投影光學系統
PO1‧‧‧第一反射光學系統
PO2‧‧‧第二反射光學系統
圖1係顯示根據第一實施例之曝光設備的圖；圖2係顯示根據第二實施例之曝光設備的圖； 圖3係顯示根據第三實施例之曝光設備的圖；圖4係顯示根據第三實施例之另一曝光設備的圖；且圖5係顯示習知曝光設備的圖。
1‧‧‧遮罩
2‧‧‧遮罩台
3‧‧‧基材
4‧‧‧基材台
5‧‧‧第一平面反射鏡
6‧‧‧中間影像形成位置
7‧‧‧第二平面反射鏡
10‧‧‧整體凹反射鏡
11‧‧‧第一凸反射鏡
21‧‧‧第三平面反射鏡
22‧‧‧積體凹反射鏡
23‧‧‧第二凸反射鏡
24‧‧‧第四平面反射鏡
101-102、103-104‧‧‧線
A、B、C、D‧‧‧距離
IL‧‧‧照明光學系統
PO‧‧‧投影光學系統
PO1‧‧‧第一反射光學系統
PO2‧‧‧第二反射光學系統

Claims (12)

  1. 一種投影光學系統，包括形成定位在物面上之物件的中間影像之單位放大的第一反射光學系統，以及將該中間影像投影在成像平面上之單位放大的第二反射光學系統，該第一反射光學系統包含第一反射鏡，反射從該物面發射並於垂直於該物面之第一方向中行進而入射於其上的光，第一光學系統，反射來自該第一反射鏡的該光；以及第二反射鏡，在朝向該中間影像之形成位置的該第一方向中反射來自該第一光學系統的該光，以及該第二反射光學系統包含第三反射鏡，反射從該中間影像之該形成位置發射並在該第一方向中行進而入射於其上的光，第二光學系統，反射來自該第三反射鏡的該光；以及第四反射鏡，在朝向該成像平面的該第一方向中反射來自該第二光學系統的該光，其中該第一光學系統從該第一反射鏡的一側依序包括第一凹反射鏡、第一凸反射鏡、以及第二凹反射鏡在該第一反射鏡及該第二反射鏡之間的光學路徑中，其中該第二光學系統從該第三反射鏡的一側依序包括第三凹反射鏡、第二凸反射鏡、以及第四凹反射鏡在該第三反射鏡及該第四反射鏡之間的光學路徑中，其中將該第一反射鏡、該第二反射鏡、該第三反射 鏡、該第四反射鏡、該第一光學系統、以及該第二光學系統定位，藉此滿足至少一條件，其中在該光在該第二反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第一反射鏡上的反射位置與該物面之間在該第一方向中的距離，以及一條件，其中在該光在該第三反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第四反射鏡上的反射位置與該成像平面之間在該第一方向中的距離。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中將一對該第一反射鏡及該第二反射鏡及一對該第三反射鏡及該第四反射鏡之至少一者整體地形成。
  3. 一種投影光學系統，包括形成定位在物面上之物件的中間影像之單位放大的第一反射光學系統，以及將該中間影像投影在成像平面上之單位放大的第二反射光學系統，該第一反射光學系統包含第一反射鏡，反射從該物面發射並於垂直於該物面之第一方向中行進而入射於其上的光，第一光學系統，反射來自該第一反射鏡的該光；以及第二反射鏡，在朝向該中間影像之形成位置的該第一方向中反射來自該第一光學系統的該光，以及該第二反射光學系統包含第三反射鏡，反射從該中間影像之該形成位置發射並 在該第一方向中行進而入射於其上的光，第二光學系統，反射來自該第三反射鏡的該光；以及第四反射鏡，在朝向該成像平面的該第一方向中反射來自該第二光學系統的該光，其中該第一光學系統從該第一反射鏡的一側依序包括第一凹反射鏡、第一凸反射鏡、以及第二凹反射鏡在該第一反射鏡及該第二反射鏡之間的光學路徑中，其中該第二光學系統從該第三反射鏡的一側依序包括第三凹反射鏡、第二凸反射鏡、以及第四凹反射鏡在該第三反射鏡及該第四反射鏡之間的光學路徑中，其中將該第一反射鏡、該第二反射鏡、該第三反射鏡、該第四反射鏡、該第一光學系統、以及該第二光學系統定位，藉此滿足至少一條件，其中在該光在該第二反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第一反射鏡上的反射位置與該物面之間在該第一方向中的距離，以及其中在該光在該第二反射鏡上的該反射位置與該第二凹反射鏡之間在垂直於該第一方向的第二方向中的距離大於在該光在該第一反射鏡上的該反射位置與該第一凹反射鏡之間在該第二方向中的距離，以及一條件，其中在該光在該第三反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第四反射鏡上的反射位置與該成像平面之間在該第一方向中的距離，以及其中該光在該第三反射鏡上的該反射位置與該第三凹反射鏡之間在該第二方 向中的距離大於在該光在該第四反射鏡上的該反射位置與該第四凹反射鏡之間在該第二方向中的距離。
  4. 如申請專利範圍第3項之系統，其中將一對該第一反射鏡及該第二反射鏡及一對該第三反射鏡及該第四反射鏡之至少一者整體地形成。
  5. 一種投影光學系統，包括形成定位在物面上之物件的中間影像之單位放大的第一反射光學系統，以及將該中間影像投影在成像平面上之單位放大的第二反射光學系統，該第一反射光學系統包含第一反射鏡，反射從該物面發射並於垂直於該物面之第一方向中行進而入射於其上的光，第一光學系統，反射來自該第一反射鏡的該光；以及第二反射鏡，在朝向該中間影像之形成位置的該第一方向中反射來自該第一光學系統的該光，以及該第二反射光學系統包含第三反射鏡，反射從該中間影像之該形成位置發射並在該第一方向中行進而入射於其上的光，第二光學系統，反射來自該第三反射鏡的該光；以及第四反射鏡，在朝向該成像平面的該第一方向中反射來自該第二光學系統的該光，其中該第一光學系統包括第五凹反射鏡，反射來自該第一反射鏡的該光至該第二反射鏡，其中該第二光學系統包括第六凹反射鏡，反射來自該 第三反射鏡的該光至該第四反射鏡，其中將該第一反射鏡、該第二反射鏡、該第三反射鏡、該第四反射鏡、該第一光學系統、以及該第二光學系統定位，藉此滿足至少一條件，其中在該光在該第二反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第一反射鏡上的反射位置與該物面之間在該第一方向中的距離，以及其中在該光在該第二反射鏡上的該反射位置與該第五凹反射鏡之間在垂直於該第一方向的第二方向中的距離大於在該光在該第一反射鏡上的該反射位置與該第五凹反射鏡之間在該第二方向中的距離，以及一條件，其中在該光在該第三反射鏡上的反射位置與該中間影像的該形成位置之間在該第一方向中的距離小於在該光在該第四反射鏡上的反射位置與該成像平面之間在該第一方向中的距離，以及其中該光在該第三反射鏡上的該反射位置與該第六凹反射鏡之間在該第二方向中的距離大於在該光在該第四反射鏡上的該反射位置與該第六凹反射鏡之間在該第二方向中的距離。
  6. 如申請專利範圍第5項之系統，其中將一對該第一反射鏡及該第二反射鏡及一對該第三反射鏡及該第四反射鏡之至少一者整體地形成。
  7. 一種曝光設備，其使用如申請專利範圍第1項中之投影光學系統，藉由將定位在該物面上之原始的型樣投影至該基材上，曝光定位在該成像平面上之基材。
  8. 一種曝光設備，其使用如申請專利範圍第3項中之 投影光學系統，藉由將定位在該物面上之原始的型樣投影至該基材上，曝光定位在該成像平面上之基材。
  9. 一種曝光設備，其使用如申請專利範圍第5項中之投影光學系統，藉由將定位在該物面上之原始的型樣投影至該基材上，曝光定位在該成像平面上之基材。
  10. 一種製造裝置的方法，該方法包含：使用如申請專利範圍第7項之曝光設備以曝光基材；顯影該已曝光基材；且處理該已顯影基材以製造該裝置。
  11. 一種製造裝置的方法，該方法包含：使用如申請專利範圍第8項之曝光設備以曝光基材；顯影該已曝光基材；且處理該已顯影基材以製造該裝置。
  12. 一種製造裝置的方法，該方法包含：使用如申請專利範圍第9項之曝光設備以曝光基材；顯影該已曝光基材；且處理該已顯影基材以製造該裝置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6344933B2 (ja) * 2014-03-03 2018-06-20 株式会社ミツトヨ 光電式エンコーダ
JP6635904B2 (ja) 2016-10-14 2020-01-29 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法
JP7005364B2 (ja) * 2018-01-29 2022-01-21 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置、物品の製造方法及び調整方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0723173B1 (en) * 1995-01-18 2003-11-05 Nikon Corporation Exposure apparatus
EP2000840A9 (en) * 2006-03-24 2009-03-18 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
EP2136231A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-23 Carl Zeiss SMT AG High aperture catadioptric system

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5298939A (en) * 1991-11-04 1994-03-29 Swanson Paul A Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning
KR100319216B1 (ko) 1993-06-30 2002-06-28 시마무라 테루오 노광장치
JP3348467B2 (ja) * 1993-06-30 2002-11-20 株式会社ニコン 露光装置及び方法
US5585972A (en) * 1995-02-15 1996-12-17 Ultratech Stepper, Inc. Arbitrarily wide lens array with an image field to span the width of a substrate
JPH09293676A (ja) 1996-04-24 1997-11-11 Nikon Corp 投影光学系及び投影露光装置
JP2001215718A (ja) * 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2001290279A (ja) 2000-04-04 2001-10-19 Canon Inc 走査型露光装置
JP4707924B2 (ja) * 2002-08-30 2011-06-22 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
JP5201979B2 (ja) * 2007-12-26 2013-06-05 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
TWI566051B (zh) * 2008-01-21 2017-01-11 尼康股份有限公司 照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP2011039172A (ja) 2009-08-07 2011-02-24 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0723173B1 (en) * 1995-01-18 2003-11-05 Nikon Corporation Exposure apparatus
EP2000840A9 (en) * 2006-03-24 2009-03-18 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
EP2136231A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-23 Carl Zeiss SMT AG High aperture catadioptric system

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