UA32284A - Аппарат высокого давления и температуры - Google Patents

Аппарат высокого давления и температуры

Info

Publication number
UA32284A
UA32284A UA99020794A UA99020794A UA32284A UA 32284 A UA32284 A UA 32284A UA 99020794 A UA99020794 A UA 99020794A UA 99020794 A UA99020794 A UA 99020794A UA 32284 A UA32284 A UA 32284A
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
diamond
temperature
high pressure
increase
single crystals
Prior art date
Application number
UA99020794A
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Микола Васильович Новіков
Николай Васильевич Новиков
Олександр Ананійович Будяк
Александр Ананьевич Будяк
Сергій Олексійович Івахненко
Сергей Алексеевич Ивахненко
Ігор Святославович Білоусов
Игорь Святославович Белоусов
Original Assignee
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля Національної академії наук України
Институт Сверхтвердых Материалов Им. В.М. Бакуля Национальной Академии Наук Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля Національної академії наук України, Институт Сверхтвердых Материалов Им. В.М. Бакуля Национальной Академии Наук Украины filed Critical Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля Національної академії наук України
Priority to UA99020794A priority Critical patent/UA32284A/ru
Publication of UA32284A publication Critical patent/UA32284A/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике высоких давлений и температур, а именно к устройствам для получения крупных монокристаллов алмаза ювелирного качества на затравке в области его термодинамической стабильности. B основу изобретения поставлена задача такого усовершенствования аппарата, при котором за счет введения новых конструктивных элементов обеспечивается повышение скорости роста монокристаллов алмаза, и, как следствие, повышение производительности процесса синтеза.
UA99020794A 1999-02-11 1999-02-11 Аппарат высокого давления и температуры UA32284A (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA99020794A UA32284A (ru) 1999-02-11 1999-02-11 Аппарат высокого давления и температуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA99020794A UA32284A (ru) 1999-02-11 1999-02-11 Аппарат высокого давления и температуры

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA32284A true UA32284A (ru) 2000-12-15

Family

ID=74284193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA99020794A UA32284A (ru) 1999-02-11 1999-02-11 Аппарат высокого давления и температуры

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA32284A (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU7729700A (en) Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
ATE425279T1 (de) Wachstum von aluminium-einkristallen
TW200502444A (en) Annealing single crystal chemical vapor deposition diamonds
TW200632154A (en) Process for producing high quality large size silicon carbide crystals
GB2429213B (en) Single crystal diamond
PL371405A1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
MY141883A (en) Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PL314673A1 (en) Method of obtaining melamine
BG102504A (en) Method for the preparation of pure melamine
RU2005121920A (ru) Термостойкое композитное алмазное спеченное изделие и способ его получения
HRP950605B1 (en) Melamine purifying process
WO2007059416A3 (en) Unseeded silicon carbide single crystals
Kanda et al. Growth temperature effects of impurities in HP/HT diamonds
UA32284A (ru) Аппарат высокого давления и температуры
TWI262969B (en) Method for growth of silicon carbide single crystal, silicon carbide seed crystal, and silicon carbide single crystal
GB0512728D0 (en) High colour diamond
SI0775146T1 (en) Novel process for the preparation of diisopinocampheylchloroborane
IL154236A0 (en) Abrasive product
KR950700222A (ko) 질화붕소에 근거한 비결정성 초경질 재료의 제조방법(process for preparing an amprhous, extra-hard material based on boron nitride)
UA6823A (ru) Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке
WO1999007841A3 (en) Regulatory mutants of adp-glucose pyrophosphorylase and related compositions and methods
Aksenenkov et al. Investigation of Phase Equilibria in a Diamond Chamber for Shear at Pressures up to 25. 0 GPa
SU987910A1 (ru) Способ получения порошков кубического нитрида бора
JPS6418436A (en) Synthesizing method for cubic boron nitride single crystal
JPS5356197A (en) Gas phase growing method of ultraphosphate