Інженерний Центр "Алмаз" При Одеському Державному Університеті Ім. І.І. Мечнікова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Інженерний Центр "Алмаз" При Одеському Державному Університеті Ім. І.І. МечніковаfiledCriticalІнженерний Центр "Алмаз" При Одеському Державному Університеті Ім. І.І. Мечнікова
Priority to UA4746093ApriorityCriticalpatent/UA7798A1/uk
Publication of UA7798A1publicationCriticalpatent/UA7798A1/uk
Спосіб виготовлення мікросхеми включає формування провідних елементів шляхом селективної обробки лазерним випромінюванням поверхні заготовки з нітриду алюмінію. При формуванні провідних елементів використовують лазер з довжиною хвилі випромінювання С = 1,06 мкм та тривалістю випромінювання 2•10-6с, а селективну обробку заготовки проводять в два етапи: спочатку при щільності потужності випромінювання Q = 5•106-7•107Вт/см2, а потім при щільності потужності випромінювання Q = 3•107- 6•107 Вт/см2.
UA4746093A1989-10-031989-10-03Спосіб виготовлення мікросхеми
UA7798A1
(uk)
Apparecchiatura per concentrare un componente in una soluzione parti colarmente per concentrare salamoie di raffreddamento utilizzate in centrali elettriche