WO1996005936A1 - Laser marking method - Google Patents

Laser marking method Download PDF

Info

Publication number
WO1996005936A1
WO1996005936A1 PCT/JP1995/001087 JP9501087W WO9605936A1 WO 1996005936 A1 WO1996005936 A1 WO 1996005936A1 JP 9501087 W JP9501087 W JP 9501087W WO 9605936 A1 WO9605936 A1 WO 9605936A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
liquid crystal
pattern
laser beam
crystal mask
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP1995/001087
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yukinori Matsumura
Hirokazu Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to DE69519678T priority Critical patent/DE69519678T2/de
Priority to US08/793,830 priority patent/US5747772A/en
Priority to EP95920243A priority patent/EP0783932B1/en
Publication of WO1996005936A1 publication Critical patent/WO1996005936A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K1/00Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion
    • G06K1/12Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching
    • G06K1/126Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching by photographic or thermographic registration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks

Definitions

  • the present invention relates to a laser marking method in which a laser beam is raster-scanned on a liquid crystal mask on which a required engraved pattern is displayed, and the engraved pattern is marked on a workpiece such as an IC by the laser beam passing through the liquid crystal mask.
  • a laser marking method in which a laser beam is raster-scanned on a liquid crystal mask on which a required engraved pattern is displayed, and the engraved pattern is marked on a workpiece such as an IC by the laser beam passing through the liquid crystal mask.
  • a required engraving pattern is displayed on the liquid crystal mask, and the laser beam is applied to the workpiece through the liquid crystal mask to mark the engraving pattern on the workpiece. I do.
  • the laser beam is scanned on the liquid crystal mask by so-called raster scanning by main scanning and sub scanning.
  • FIG. 9 shows the transmittance characteristics of the liquid crystal.
  • the transmittance of the liquid crystal reaches a predetermined transmittance after a lapse of a predetermined time after the driving voltage is turned on. In this case, as the voltage-on time becomes longer, the transmittance gradually increases.
  • the transmittance of the liquid crystal can be made constant by making the time during which the liquid crystal is kept on after the voltage is turned on as constant as possible.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a laser marking method capable of reducing variations in the transmittance of liquid crystal and forming a mark with less image unevenness. Disclosure of the invention
  • the present invention in a laser marking method in which a laser beam is raster-scanned on a liquid crystal mask on which a required engraving pattern is displayed, and a workpiece is masked by the laser beam passing through the liquid crystal mask,
  • the engraving pattern of the liquid crystal mask is sequentially switched to the next engraving pattern for each scan line after scanning is completed.
  • the display pattern of the liquid crystal mask is switched in units of one scanning line for each scanning line for which laser beam scanning has been completed.
  • a laser marking method in which a laser beam is raster-scanned on a liquid crystal mask on which a required engraving pattern is displayed, and a workpiece is marked by a laser beam passing through the liquid crystal mask, The engraving pattern of the liquid crystal mask is sequentially switched to the next engraving pattern in units of liquid crystal pixels for which the process has been completed.
  • the display pattern of the liquid crystal mask is switched on a pixel-by-pixel basis for each liquid crystal pixel for which laser beam scanning has been completed.
  • the laser scanning is performed by switching the liquid crystal display pattern in units of one main scanning line or one pixel, so that the transmittance variation of each pixel of the liquid crystal mask can be reduced.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing the entire configuration of the laser marker device.
  • FIG. 3 is a diagram showing raster scanning.
  • FIG. 4 is a diagram showing switching of the engraving pattern in units of one scanning line.
  • FIG. 5 is a flowchart showing another embodiment of the present invention.
  • FIGS. 6 (a), (b), (c); FIGS.
  • FIG. 7 is a flowchart showing another embodiment of the present invention.
  • Fig. 8 Illustration for explaining the conventional technology.
  • FIG. 9 A graph showing the temporal characteristics of the transmittance of the liquid crystal. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 2 shows an example of the overall configuration of a laser beam controller to which the method of the present invention is applied.
  • the laser beam oscillated from a laser oscillator 1 is a scanner mirror 2 as a Y-direction deflector, a lens 3, and an X-direction.
  • the light enters a liquid crystal mask 6 via a polygon mirror 4 as a deflector and a lens 5. That is, the laser beam is converted by the sub-scanning (Y direction) by the scanner mirror 12 and the main scanning (X direction) by the polygon mirror 4.
  • Raster scan as shown in Figure 3 on disk 6
  • the controller 7 controls raster scanning on the liquid crystal mask 6 by controlling driving of the scanner mirror motor 8 and the polygon mirror motor 9, and also controls laser oscillation by the laser oscillator 1. Further, the controller 7 executes display switching control of the engraved pattern on the liquid crystal mask 6-the laser beam passing through the liquid crystal mask 6 is turned into a mirror 10 as a Y-direction deflector, a lens 11 and an X.
  • the workpiece 13 is irradiated via a lens 12 having a moving table, which is a directional deflector, whereby the marking pattern displayed on the liquid crystal mask 6 is stamped on the workpiece 13.
  • the mirror 10 serving as a Y-direction deflector deflects laser light in the Y-direction by being rotationally driven by a motor 14, and the lens 12 serving as an X-direction deflector has a moving table 16 driven by a motor 15.
  • the laser beam is deflected in the X direction by the movement.
  • the mirror 10 and the lens 12 are provided for alignment of the laser beam with respect to the workpiece 13, and the alignment control of these is performed by the controller 7.
  • the controller 7 executes laser scanning control and marking pattern display switching control as shown in the flowchart of FIG.
  • the controller 7 drives the liquid crystal mask 6 to display an engraving pattern to be first imprinted on the liquid crystal mask 6 (Step 100) (:
  • the controller 7 turns on the laser oscillator 1 and drives and controls the motors 8 and 9 to start raster scanning as shown in FIG. 3 by the laser beam (step 110).
  • Step 120 when the controller 7 detects the end of the raster scanning of one main scanning line (step 120), the controller 7 shifts the raster scanning to the next main scanning line, and at the same time, ends the raster scanning of the main scanning line.
  • the liquid crystal mask 6 is driven so as to switch the engraving pattern for the next to the engraving pattern to be displayed next (Step 130):
  • the controller 7 shifts the raster scanning to the next main scanning line, and changes the engraving pattern of the main scanning line after the raster scanning is completed.
  • the controller 7 drives the motors 14 and 15 to change the engraving position of the workpiece, and then raster-scans the liquid crystal mask 6 again.
  • the next engraving pattern on the workpiece step 150
  • Fig. 4 shows how the engraving pattern of the liquid crystal mask is switched in units of one main scanning line.
  • the first engraving pattern "A” changes to the next engraving pattern "B” in units of one main scanning line.
  • C being switched
  • FIG. 5 shows another embodiment of the present invention, in which step 144 is additionally inserted between steps 140 and 150 of the flowchart shown in FIG. I have.
  • the liquid crystal driving voltage of the liquid crystal panel is once turned off for a predetermined time before the laser scanning of a certain marking pattern is completed and before the laser scanning of the next marking pattern is started. After that, the liquid crystal is driven according to the next engraving pattern.
  • FIG. 7 shows still another embodiment of the present invention, in which the display of the engraving pattern is switched for each pixel of the liquid crystal:
  • the controller 7 drives the liquid crystal mask 6 to display an engraving pattern to be imprinted first on the liquid crystal mask 6 (step 200).
  • the controller 7 turns on the laser oscillator 1 and drives and controls the motors 8 and 9 to start raster scanning as shown in FIG. 3 using laser light [ Step 2 10)
  • Step 220 the controller 7 shifts the laser scanning to the next pixel, and displays the engraving pattern of the pixel for which the laser scanning has been completed next.
  • the liquid crystal mask 6 is driven so as to switch to the desired engraving pattern (step 230).
  • Step 240 to Step 230 the controller 7 shifts the laser scanning to the next pixel and displays the engraved pattern of the one pixel that has completed the laser scanning.
  • Driving LCD mask 6 to switch to the desired engraving pattern Step 240 to Step 230:
  • Step 240 when the laser scanning of the current engraving pattern is completed (Step 240), the controller 7 drives the motors 14 and 15 to change the engraving position of the workpiece, and then raster-scans the liquid crystal mask 6 again. Then, the next engraving pattern is engraved on the workpiece (Step 250).
  • Step 26 the same control is repeatedly executed until all the markings are completed (Step 26)
  • the operation shown in FIG. 5 is performed between Step 240 and Step 250.
  • a voltage off step similar to the example, that is, a step of turning off the liquid crystal drive voltage for a predetermined time may be inserted.
  • the engraving pattern is switched in units of one pixel.
  • the engraving pattern may be switched in units of two to three pixels, several ten pixels, or several hundred pixels.
  • the present invention is effective in a laser marking method for marking an engraved pattern on a workpiece such as an IC by a laser beam having passed through a liquid crystal mask, since it is possible to perform engraving with less image unevenness.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

明 細 書 レーザマ—キング方法
技術分野
この発明は所要の刻印パターンが表示された液晶マスク上にレーザビームをラ スタ走査させ、 該液晶マスクを通過したレーザビームによって I Cなどの被加工 物に前記刻印パターンをマーキングするレーザマーキング方法に関し、 特に液晶 の透過率のばらつきを低減して画像むらを少なくするための方法に関する 背景技術
液晶マスクを用いたレーザマーキング方式においては、 液晶マスクに所要の刻 印パターンを表示するとともに、 この液晶マスクを介してレーザビームを被加工 物に照射することにより被加工物に前記刻印パターンをマーキングする。 レーザ ビームは、 主走査および副走査による謂ゆるラスタ走査によって液晶マスク上を 走査される。
この種レーザマーキング装置の従来技術として、 特開平 2— 2 6 8 9 8 8号公 報がある- この従来技術においては、 図 8に示すように、 液晶マスクを複数のブロックに 分割し、 各プロックの始点から終点の間をレーザビームが走査するに要する時間 を予め測定しておき、 走査開始後の時間経過をタイマ一などにより検出すること により各区分単位に刻印パターンの書き換えを行うようにしている 例えば、 液 晶マスクを 2区分に分割した場合は、 上区分のレーザ走査が終了すると、 その後 下区分のレーザ走査を行うと同時に、 上区分に表示されていた刻印パターンを次 の刻印パターンに切り換えるようにする。
このようにすることにより、 液晶マスクの書き換えとレーザ走査が並列に行わ れるので、 液晶マスク全体のレーザ走査が終了した後に液晶マスクの表示パター ンを次の刻印パターンに切り換える方式に比べマーキング処理時間を短縮するこ とができる。 しかしながら、 上記従来技術においては、 上記分割ブロック単位が比較的大面 積であるので、 同一分割プロック内の各液晶画素間で透過率や温度のばらつきが 発生し、 これが刻印された画像のむらの原因となってた:
すなわち、 同一ブロック内においても、 その上部領域と下部領域とでは液晶の 切り換え時点からレーザ走査が行われるまでの時間に大きな差があり、 この時間 差が透過率ばらつきの原因となっていた。 例えば、 先の図 8において、 ブロック A内の液晶画素 aと bとを考えた場合、 これら画素 a, bの刻印パターンが切り 換えられる時刻は同じであるが、 レーザ走査は左上から右下へのラスタ形式であ るので、 画素 aについてのレーザ走査が行われる時刻は画素 bについてのレーザ 走査が行われる時刻よりかなりはやい時点となる。 よって、 これら画素 a, b間 で、 液晶の切り換え時点からレーザ走査が行われるまでの時間に大きな差ができ てしまい、 これが透過率ばらつきの原因となる。
図 9は、 液晶の透過率特性を示すもので、 この図からも判るように、 液晶の透 過率は駆動電圧がオンされた後所定の時間経過で所定の透過率に達するが、 その 後においても電圧オンの時間が長くなると透過率が徐々に上昇してくる。
このように、 液晶は電圧オンにしてからそのオン状態を保持している時間をで きるだけ一定にしたほうが透過率を一定にできるものである。
この発明はこのような実情に鑑みてなされたもので、 液晶の透過率ばらっきを 低減して画像むらの少ない刻印をなし得るレーザマ一キング方法を提供すること を目的とする。 発明の開示
この発明では、 所要の刻印パタ一ンが表示された液晶マスク上にレーザビーム をラスタ走査させ、 該液晶マスクを通過したレーザビームによって被加工物をマ —キングするレーザマーキング方法において、 レーザビームの走査が終了した走 査線単位に、 液晶マスクの刻印パタ一ンを順次次の刻印パターンに切り換えるよ うにしている。
すなわち、 本発明においては、 レーザビーム走査の終了した走査線毎に、 1走 査線単位に液晶マスクの表示パターンの切り換えを行うようにしている _ またこの発明では、 所要の刻印パターンが表示された液晶マスク上にレーザビ —ムをラスタ走査させ、 該液晶マスクを通過したレーザビームによって被加工物 をマーキングするレーザマ一キング方法において、 レーザビームの走査が終了し た液晶画素単位に、 液晶マスクの刻印パターンを順次次の刻印パターンに切り換 えるようにしている。
すなわち、 本発明においては、 レーザビーム走査の終了した液晶画素毎に、 1 画素単位に液晶マスクの表示パターンの切り換えを行うようにしている
したがつてこの発明によれば、 1主走査線または 1画素単位に液晶表示パタ一 ンを切り換えるようにしてレーザ走査を行うようにしたので、 液晶マスクの各画 素の透過率ばらつきを低減して画像むらの少ない刻印をなし得るようになる,: 図面の簡単な説明
図 1 ; この発明の実施例を示すフローチャー ト
図 2 ; レーザマーカ装置の全体構成を示す概念図- 図 3 ; ラスタ走査を示す図。
図 4 ; 1走査線単位の刻印パターンの切換えを示す図- 図 5 ; この発明の他の実施例を示すフローチャート。
図 6 (a)、 (b)、 (c) ;図 5の実施例を説明する図。
図 7 ; この発明の他の実施例を示すフローチャート。
図 8 ;従来技術を説明する図。
図 9 ;液晶の透過率の経時特性を示す図。 発明を実施するための最良の形態
以下この発明を添付図面に示す実施例に従つて詳細に説明する。
図 2は、 この発明の方法を適用するレーザマ一力装置の全体構成例を示すもの で、 レーザ発振器 1から発振されたレーザ光は、 Y方向偏向器としてのスキャナ ミラー 2、 レンズ 3、 X方向偏向器としてのポリゴンミラー 4、 レンズ 5を介し て液晶マスク 6に入射される。 すなわち、 スキャナミラ一 2による副走査 (Y方 向) およびポリゴンミラー 4による主走査 (X方向) によってレーザ光は液晶マ スク 6上で図 3に示すようなラスタ走査される
コン トローラ 7は、 スキャナミラー用モータ 8およびポリゴンミラ一用モータ 9を駆動制御することにより液晶マスク 6上でのラスタ走査を制御すると共に、 レーザ発振器 1によるレーザ発振を制御する。 さらに、 コン トローラ 7は、 液晶 マスク 6上の刻印パタ一ンの表示切り換え制御を実行する - 液晶マスク 6を通過したレーザ光は、 Y方向偏向器としてのミラー 1 0、 レン ズ 1 1、 X方向偏向器である移動テーブル付きのレンズ 1 2を介して被加工物 1 3に照射され、 これにより液晶マスク 6上に表示された刻印パターンが被加工物 1 3に刻印される。 Y方向偏向器としてのミラー 1 0はモータ 1 4によって回転 駆動されることによりレーザ光を Y方向に偏向し、 また X方向偏向器であるレン ズ 1 2はモータ 1 5による移動テーブル 1 6の移動によってレーザ光を X方向に 偏向する。 これらミラー 1 0およびレンズ 1 2はレーザ光の被加工物 1 3に対す る位置合わせのために設けられており、 これらの位置合わせ制御はコントローラ 7によって行われる。
かかる構成において、 コン トローラ 7は図 1のフローチヤ一トに示すようなレ 一ザ走査制御及び刻印パターン表示切換制御を実行する
まず、 コン トローラ 7は液晶マスク 6を駆動して最初に刻印すべき刻印パター ンを液晶マスク 6上に表示する (ステップ 1 0 0 ) (:
次に、 コン トローラ 7は、 レーザ発振器 1をオンにするとともに、 モータ 8お よび 9を駆動制御してレーザ光による図 3に示すようなラスタ走査を開始する ( ステップ 1 1 0 )
その後、 コン トローラ 7は 1主走査線のラスタ走査の終了を検知すると (ステ ップ 1 2 0 ) 、 ラスタ走査を次の主走査線に移行させるとともに、 前記ラスタ走 査を終了した主走査線についての刻印パターンを次に表示すべき刻印パターンに 切り換えるよう液晶マスク 6を駆動する (ステップ 1 3 0 ) :
以下同様にして、 コントローラ 7は 1主走査線のラスタ走査が終了する度に、 ラスタ走査を次の主走査線に移行させるとともに、 前記ラスタ走査を終了した主 走査線についての刻印パターンを次に表示すべき刻印パターンに切り換えるよう 液晶マスク 6を駆動する (ステップ 1 4 0〜ステップ 1 3 0 ) その後、 現在の刻印パターンのレーザ走査が終了すると (ステップ 1 4 0 ) 、 コントローラ 7はモータ 1 4、 1 5を駆動して被加工物の刻印位置を変えた後、 再度液晶マスク 6をラスタ走査することにより次の刻印パターンを被加工物上に 刻印していく (ステップ 1 5 0 )
以下同様の制御を全ての刻印が終了するまで繰り返し実行する (ステップ 1 6 0 ) 。
図 4は、 1主走査線単位に液晶マスクの刻印パターンが切り換えられていく様 子を示すもので、 最初の刻印パターン 「A」 が 1主走査線単位に次の刻印パター ン 「B」 に切り換えられている c
図 5はこの発明の他の実施例を示すもので、 先の図 1に示したフローチヤ一ト のステップ 1 4 0とステップ 1 5 0との間にステップ 1 4 5を追加挿入するよう にしている。
すなわち、 この実施例では或る刻印パターンのレーザ走査が終了して、 次の刻 印パターンのレーザ走査を開始する前に、 一旦液晶パネルの液晶駆動電圧を所定 時間の間オフにし、 このオフ時間を経過させた後、 次の刻印パターンに対応して 液晶を駆動するようにしている。
例えば、 表示内容を図 6 (a)に示すパターンから図 6 (b)に示すパターンに切り 換える場合、 従来方式では図示 「*」 の 2画素は連続してオン状態が続くために 、 他の部分と透過率が異なり、 これが画像むらの原因となってしまう そこで、 この実施例では、 図 6 (c)に示すように、 全体の駆動電圧を所定時間の間オフにす る工程を入れることで、 各画素の透過率をほぼ一様にし、 画像むらを低減するよ うにしている。 すなわち、 本実施例では、 (a)→(b)→(c)→ (b)のように刻印バタ ーンの切り換えが行われる。
図 7はこの発明の更に別の実施例を示すもので、 この場合は液晶 1画素単位に 刻印パタ一ンの表示切換えを行うようにしている:
すなわち、 まず、 コン トローラ 7は液晶マスク 6を駆動して最初に刻印すべき 刻印パターンを液晶マスク 6上に表示する (ステップ 2 0 0 )
次に、 コントローラ 7は、 レーザ発振器 1をオンにするとともに、 モータ 8お よび 9を駆動制御してレーザ光による図 3に示すようなラスタ走査を開始する 〔 ステップ 2 1 0 )
その後、 コントローラ 7は 1液晶画素のレーザ走査を終了すると (ステップ 2 2 0 ) 、 レーザ走査を次の画素に移行させるとともに、 前記レーザ走査を終了し た 1画素についての刻印パターンを次に表示すべき刻印パターンに切り換えるよ う液晶マスク 6を駆動する (ステップ 2 3 0 ) 。
以下同様にして、 コン トローラ 7は 1画素のレーザ走査が終了する度に、 レー ザ走査走査を次の画素に移行させるとともに、 前記レーザ走査を終了した 1画素 についての刻印パターンを次に表示すべき刻印パターンに切り換えるよう液晶マ スク 6を駆動する (ステップ 2 4 0〜ステップ 2 3 0 ) :
その後、 現在の刻印パターンのレーザ走査が終了すると (ステップ 2 4 0 ) 、 コントローラ 7はモータ 1 4、 1 5を駆動して被加工物の刻印位置を変えた後、 再度液晶マスク 6をラスタ走査することにより次の刻印パターンを被加工物上に 刻印していく (ステップ 2 5 0 ) 。
以下同様の制御を全ての刻印が終了するまで繰り返し実行する (ステップ 2 6 なお、 上記図 7の実施例においても、 ステップ 2 4 0とステップ 2 5 0との間 に、 図 5に示した実施例と同様な電圧オフ工程、 すなわち液晶駆動電圧を所定時 間オフにする工程を挿入するようにしてもよい。
また、 上記実施例では 1画素単位に刻印パターンを切り換えるようにしたが、 2〜 3画素や数 1 0画素や数 1 0 0画素単位に刻印パターンの切替えを行うよう にしてもよい。 産業上の利用可能性
この発明は、 液晶マスクを通過したレーザビームによって I Cなどの被加工物 に刻印パターンをマーキングするレーザマーキング方法において、 画像むらの少 ない刻印をなし得るうえで有効である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 所要の刻印パターンが表示された液晶マスク上にレーザビームをラスタ走 査させ、 該液晶マスクを通過したレーザビームによって被加工物をマーキングす るレーザマーキング方法において、
レーザビームの走査が終了した走査線単位に、 液晶マスクの刻印パターンを順 次次の刻印パターンに切り換えることを特徴とするレーザマーキング方法:
2 . 所要の刻印パターンが表示された液晶マスク上にレーザビームをラスタ走 査させ、 該液晶マスクを通過したレーザビームによって被加工物をマ一キングす るレーザマーキング方法において、
レーザビームの走査が終了した液晶画素単位に、 液晶マスクの刻印パターンを 順次次の刻印パターンに切り換えることを特徴とするレーザマーキング方法:
3 . 液晶マスクの刻印パターンの次のパターンへの切り換えが終了し、 次のパ 夕一ンへのレーザビーム走査を開始する前に、 一旦液晶駆動電圧を所定時間オフ にし、 その後切り換えるべき刻印パタ一ンに対応して液晶を駆動するようにした ことを特徴とする請求項 1記載のレーザマーキング方法。
4 . 液晶マスクの刻印パターンの次のパターンへの切り換えが終了し、 次のパ ターンへのレーザビーム走査を開始する前に、 一旦液晶駆動電圧を所定時間オフ にし、 その後切り換えるべき刻印パターンに対応して液晶を駆動するようにした ことを特徴とする請求項 2記載のレーザマーキング方法。
PCT/JP1995/001087 1994-08-19 1995-06-02 Laser marking method Ceased WO1996005936A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69519678T DE69519678T2 (de) 1994-08-19 1995-06-02 Lasermarkierungsverfahren
US08/793,830 US5747772A (en) 1994-08-19 1995-06-02 Laser marking method including raster scanning of rapidly rewritten liquid crystal mask
EP95920243A EP0783932B1 (en) 1994-08-19 1995-06-02 Laser marking method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6/195559 1994-08-19
JP19555994A JP3265553B2 (ja) 1994-08-19 1994-08-19 レーザマーキング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1996005936A1 true WO1996005936A1 (en) 1996-02-29

Family

ID=16343134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1995/001087 Ceased WO1996005936A1 (en) 1994-08-19 1995-06-02 Laser marking method

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5747772A (ja)
EP (1) EP0783932B1 (ja)
JP (1) JP3265553B2 (ja)
KR (1) KR960007081A (ja)
CA (1) CA2197884A1 (ja)
DE (1) DE69519678T2 (ja)
WO (1) WO1996005936A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5932119A (en) * 1996-01-05 1999-08-03 Lazare Kaplan International, Inc. Laser marking system
JPH09277069A (ja) * 1996-04-12 1997-10-28 Komatsu Ltd 液晶マスク、液晶式レーザマーカ及びそれを用いた刻印方法
JP2001212797A (ja) * 2000-02-03 2001-08-07 Canon Inc 露光装置およびレーザ加工方法
US6436093B1 (en) * 2000-06-21 2002-08-20 Luis Antonio Ruiz Controllable liquid crystal matrix mask particularly suited for performing ophthamological surgery, a laser system with said mask and a method of using the same
US6464692B1 (en) 2000-06-21 2002-10-15 Luis Antonio Ruiz Controllable electro-optical patternable mask, system with said mask and method of using the same
US6660964B1 (en) * 2000-09-22 2003-12-09 David Benderly Optical modification of laser beam cross section in object marking systems
JP2004158768A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハおよびサブストレート

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02268988A (ja) * 1989-04-10 1990-11-02 Hitachi Ltd 液晶マーキングシステム
JPH06155054A (ja) * 1992-11-26 1994-06-03 Komatsu Ltd レーザマーカにおける液晶表示切換え装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0825044B2 (ja) * 1989-06-15 1996-03-13 株式会社小松製作所 レーザ印字装置
US5231263A (en) * 1990-03-09 1993-07-27 Hitachi, Ltd. Liquid crystal mask type laser marking system
JPH04251683A (ja) * 1991-01-24 1992-09-08 Komatsu Ltd レーザマーキング装置
JP2701183B2 (ja) * 1991-08-09 1998-01-21 株式会社小松製作所 液晶マスク式レーザマーカ
JP2640321B2 (ja) * 1992-05-08 1997-08-13 株式会社小松製作所 液晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法
JPH05313085A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Komatsu Ltd 走査装置
KR950703427A (ko) * 1992-11-11 1995-09-20 가따다 데쯔야 레이저 마커에서의 액정표시장치
JP2811138B2 (ja) * 1992-11-11 1998-10-15 株式会社小松製作所 レーザマーキング装置及びレーザマーキング方法
JP2588281Y2 (ja) * 1992-11-25 1999-01-06 株式会社小松製作所 レーザマーキング装置
KR950704082A (ko) * 1992-11-25 1995-11-17 카타다 테쯔야 레이저마아킹장치 및 방법(laser marking apparatus and method)
TW245844B (ja) * 1993-01-29 1995-04-21 Komatsu Mfg Co Ltd

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02268988A (ja) * 1989-04-10 1990-11-02 Hitachi Ltd 液晶マーキングシステム
JPH06155054A (ja) * 1992-11-26 1994-06-03 Komatsu Ltd レーザマーカにおける液晶表示切換え装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0783932A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP3265553B2 (ja) 2002-03-11
JPH0857666A (ja) 1996-03-05
EP0783932A4 (en) 1999-02-03
CA2197884A1 (en) 1996-02-29
US5747772A (en) 1998-05-05
DE69519678T2 (de) 2001-04-26
DE69519678D1 (de) 2001-01-25
EP0783932A1 (en) 1997-07-16
EP0783932B1 (en) 2000-12-20
KR960007081A (ko) 1996-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5198843A (en) Optical marking system having marking mode selecting function
JP3265553B2 (ja) レーザマーキング方法
JP2860765B2 (ja) レーザ刻印装置の制御装置
JPH08243765A (ja) レーザ刻印装置
JP3258804B2 (ja) マーキング装置の制御装置
CN100445809C (zh) 液晶显示装置的缺陷像素修正方法及缺陷像素修正装置
JP3413645B2 (ja) レーザ刻印装置における刻印位置補正装置
US5726673A (en) Liquid crystal display for laser marker
JP3673742B2 (ja) 液晶ディスプレイ装置の輝点欠陥修正方法およびその装置
JP2633954B2 (ja) 液晶式マーキング方法及びその装置
JP3812091B2 (ja) 液晶表示装置、液晶パネル、lcdドライバ、並びにポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法、およびレーザアニール装置
US5734145A (en) Laser marking method using laser heated liquid crystal mask
JP2833959B2 (ja) 集積回路装置のレーザマーキング装置
JP3289258B2 (ja) ワークの刻印方法
JP3195449B2 (ja) レーザマーカにおける液晶表示切換え装置
US6184917B1 (en) Laser marking method and apparatus and liquid crystal element driving method
JP2811138B2 (ja) レーザマーキング装置及びレーザマーキング方法
JP2591473B2 (ja) レーザマーキング方法およびレーザマーキング装置
JPH0839283A (ja) レ−ザ照射装置およびその方法
JPH08184830A (ja) 液晶表示装置の欠陥修正方法
US5760370A (en) Image display method for liquid crystal mask laser marker
EP0349347A1 (en) Optical marking system having marking mode selecting function
JPH06262376A (ja) レーザマーキングシステム
JPH03178462A (ja) レーザ印字装置
JP2001322312A (ja) 複数の光走査ユニットを備える描画装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CA US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2197884

Country of ref document: CA

Ref document number: 08793830

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1995920243

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1995920243

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1995920243

Country of ref document: EP