WO2004013374A2 - Einrichtung und verfahren zum beschichten von substraten - Google Patents

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    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Definitions

  • the invention relates to a device and a method for coating substrates by magnetron sputtering, also called cathode sputtering.
  • Magnetron sputtering also called cathode sputtering.
  • Vacuum coating processes using magnetron sputtering are widely used in many industries, such as electrical engineering / electronics, optics, mechanical engineering and the glass industry, for finishing surfaces and for producing certain functions of the surface.
  • the Contacting can prove to be complex and technically unreliable when coating substrates that are typically moved relative to the magnetron source.
  • They generally require even more equipment.
  • the possibilities for influencing the layer properties by charge carrier bombardment are also limited by the associated thermal load on the substrate and possible radiation damage, increased internal stresses or other side effects the layer properties.
  • Specify magnetron sputtering which leads to an improved structure of the deposited layer, for. B. lead to a denser layer, or to better related layer properties, the thermal substrate loading or the effects of high-energy species of the plasma in magnetron sputtering being limited to the layer or the energy input in magnetron sputtering being set within certain limits can.
  • Claim 10 specifies a method for improved magnetron sputtering. A further advantageous embodiment of the method is specified in claim 1 1.
  • the essence of the invention relates to influencing the known magnetron discharge by an additional magnetic field, which changes the flow of electrons from the dense cathode plasma in the vicinity of the target to an electrode connected as an anode.
  • the change in the electron trajectories is obviously associated with a shift in the potential relationships in the coating arrangement.
  • the flow of energetic particles from the plasma to the substrate is determined by the strength and shape of the magnetic field that penetrates the electrode.
  • Layer structure and other layer properties can be influenced by this flow of energy-rich particles.
  • 1 to 3 show devices according to the invention, the essential difference of which is the design of the additional magnetic field penetrating the anode.
  • Fig. 1 Section through an inventive device for magnetron sputtering.
  • the device includes a target 1 with a cooling plate 2, a vacuum flange 3 and a magnetic field generating device 4, which generates a tunnel-shaped magnetron magnetic field 5 penetrating the target, as well as a plasma screen 6, an electrode 7 and a power supply device 8.
  • the power supply device 8 causes that the target is at least partially switched as a cathode and the electrode at least temporarily as an anode.
  • the inventive teaching is implemented by a magnetic field generating device 9 in the vicinity of the electrode. It generates a magnetic field 10 on parts of the surface of the electrode, the maximum value of which is at least 5% of the maximum strength of the magnetic field 5 acting on the target. In many applications, it is advisable to set the magnetic field strength at the electrode much higher.
  • the magnetic field strength in the vicinity of the electrodes can have a value which corresponds to or even exceeds the value of the magnetron field in the vicinity of the target. This leads to shielding of the electrode, which takes place more effectively the greater the field strength of the field component parallel to the electrode surface. This in turn causes an increase in the plasma impedance and thus enables higher particle energies. It is advantageous if a magnetic field generating device is assigned to the electrode in such a way that the electrode surface is at least partially penetrated by a magnetic field, the maximum value of the magnetic field component parallel to the electrode surface H E n , max at least 5% of the maximum value of the magnetic field component parallel to the target surface H ⁇ ⁇ lmax is. It is also advantageous if the magnetic field is at least partially closed in a ring around the electrode.
  • the magnetic field penetrating the electrode is expediently generated by permanent magnets which are arranged to be fixed or movable with respect to the electrode. It can also be expedient to generate this magnetic field electromagnetically. It is particularly advantageous to accommodate a magnetic field generating device inside a hollow electrode.
  • Fig. 2 shows a section through a rotationally symmetrical embodiment with two concentrically arranged targets.
  • An electromagnetic coil is located inside a hollow electrode surrounding the plasma screen 6.
  • this electrode variant is also applicable to other, e.g. B. rectangular designs transferable.
  • the strength of the magnetic field on the electrode surface can be adjusted in the case of electromagnetic excitation by changing the current strength.
  • the magnetic field forms self-contained field lines that do not emerge perpendicularly from the surface of the electrode.
  • Another embodiment includes magnetic field generating means that lead to a vertical exit and / or entry of magnetic field lines on defined predetermined parts of the electrode surface. Among other things, this produces an additional, advantageous cleaning effect for the electrode. Since the position of the exit and / or entry points of field lines on the electrode surface also influences the local potential distribution in the plasma of the magnetron discharge, an embodiment of the invention is advantageous in which the position of the entry and / or exit points of the field lines or is made possible by these exemplary model field relationships.
  • FIG 3 shows a schematic cross section through a device according to the invention for magnetron sputtering, in which permanent magnets are arranged with respect to the electrode in such a way that the magnetic field has an essential component perpendicular to the electrode surface.
  • the invention further comprises a method for magnetron sputtering using the device according to the invention, in which the maximum value of the component of the magnetic field strength acting on the electrode surface and / or the position of the exit points of the magnetic field lines is varied step by step until a desired property of the deposited layer is reached becomes.
  • This can be, for example, the grain size, the hardness, the surface roughness or the electrical resistance of the layer.
  • the method can further include that the maximum value of the magnetic field strength or the position of the pole points of the magnetic field on the Electrode surface are performed according to a predetermined time function. Such a procedure is e.g. B. for the production of layers with a gradient of the layer properties depending on the distance from the substrate surface advantageous.
  • the method can further include that the electrode, which is at least temporarily switched as an anode, can also be temporarily, e.g. B. periodically, to a negative potential with respect to the target area. If necessary, a higher rollover security can be achieved.
  • the device is designed for the deposition of layers of titanium dioxide with a crystalline structure and high hardness.
  • a titanium target 11 of the dimensions 160 x 600 x 10 mm 3 is bonded to a cooling plate 12.
  • a vacuum flange 13 serves as a vacuum and carrier flange.
  • Target and cooling plate are surrounded by a plasma screen 16, which spatially limits the discharge and protects the electrode 17 against direct coating.
  • a plasma screen 16 Below this self-contained, rectangular-shaped electrode and at a free distance of 5 mm there is an uninterrupted row of permanent magnets 19 with holding elements, not shown here. These generate a magnetic field 20.
  • the field lines enter or exit the surface of the electrode 17.
  • the component of the magnetic field H E , rr ⁇ ax) parallel to the surface of the electrode is fixed at 20 kA / m by the position and strength of the permanent magnets.
  • the power supply unit 18 generates a direct current pulsating at a frequency of 30 kHz in order to maintain the magnetron discharge. With the exception of the pulse pauses, the target 11 is connected as the cathode and the electrode 17 as the anode.
  • the coating method with the described device includes a series of preliminary tests with variation of the free distance between the electrode 17 and the permanent magnets 19, as a result of which the suitable value of the magnetic field strength H E ⁇ ma x) was determined.
  • the subsequent series of coatings led to the layer parameters listed in the table, column 1, which corresponded to the objective.
  • those layer parameters are listed in column 2 which are achieved on the surface of the electrode 17 without the magnetic field according to the invention.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Beschichten von Substraten durch Magnetron-Sputtern mit mindestens einer Sputterquelle nach dem Magnetronprinzip mit mindestens je einem auf wahlfreies elektrisches Potential legbaren Target (1) mit in sich geschlossenem tunnelförmigen Magnetfeld (5) oberhalb der Oberfläche, welches mindestens zeitweise als Katode geschaltet ist, und mindestens einer zumindest zeitweise als Anode (7) geschalteten Elektrode und mindestens einer Stromversorgungseinheit (8) zur Erzeugung einer Spannung zwischen dem Target bzw. den Targets und der Elektrode bzw. den zugeordneten Elektroden, bei der der Elektrode eine magnetfelderzeugende Einrichtung (9) derart zugeordnet ist, dass die Elektrodenoberfläche zumindest teilweise von einem Magnetfeld durchdrungen wird, wobei der Maximalwert der Magnetfeldkomponente parallel zur Elektrodenoberfläche H<E >II,max mindestens 5% des Maximalwertes der Magnetfeldkomponente parallel zur Targetoberfläche H<T >II,max beträgt.

Description

Einrichtung und Verfahren zum Beschichten von Substraten
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung und ein Verfahren zum Beschichten von Substraten durch Magnetron-Sputtem, auch Kathodenzerstäubung genannt. Vakuumbeschichtungs- verfahren mittels Magnetron-Sputtem finden breite Anwendung in vielen Branchen, wie Elektrotechnik/Elektronik, Optik, Maschinenbau und Glasindustrie, zur Veredelung von Oberflächen und zur Erzeugung bestimmter Funktionen der Oberfläche.
Es ist allgemein bekannt, dass die Struktur und zahlreiche Eigenschaften der durch Sputtem hergestellten Schichten von den gewählten Prozessbedingungen abhängen. Den größten Einfluss haben der Druck der Gasentladung und die Temperatur des Substrates. Für zahlreiche Anwendungen können diese Prozessbedingungen nicht frei gewählt werden, weil z. B. hoher Druck die Schichtstruktur nachteilig beeinflussen oder zu Gaseinschlüssen führen kann oder eine hohe Temperatur nicht mit der thermischen Beanspruchbarkeit des Substrates vereinbar ist. Deshalb wird durch Ladungsträgerbeschuss während oder anschließend an die Beschichtung häufig eine Verbesserung der Struktur und der Schichteigenschaften angestrebt. Zahlreiche Verfahren und Anordnungen nutzen das Vorspannen des Substrates durch eine negative elektrische Spannung, um einen Strom energiereicher Ionen zum Substrat zu erzeugen („Bias-Sputtern"). Für zahlreiche Anwendungen werden damit gute Ergebnisse erreicht [vgl. z. B. „Dünnschichttechnologie" H. Frey, G. Kienel (Hsg.) VDI-Verlag Düsseldorf 1987, S. 1 19 bis 121 und „Vakuumbeschichtung" G. Kienel (Hsg.) Bd. 4 VDI-Verlag Düsseldorf 1993, S. 26 bis 33].
Für kompliziert geformte Teile entstehen jedoch durch Verzerrungen des elektrischen Feldes am Substrat örtlich sehr unterschiedlich Bias-Wirkungen, die vor allem an Spitzen und
Kanten der Substrate zu Problemen führen. Werden elektrisch isolierende Schichten durch Magnetron-Sputtem erzeugt, so entstehen durch das Anlegen einer geeigneten Bias- Spannung zusätzliche Schwierigkeiten. Wird eine Hochfrequenzspannung (z. B. mit 13,56 MHz) angelegt, so ergeben sich Probleme der Ankoppelung und Gleichverteilung. Es sind auch Verfahren mit mittelfrequent gepulster Bias-Spannung (10 ... 100 kHz) bekannt (DE 44 12 906 C1), die den Aufwand gegenüber einer Hochfrequenz-Bias- spannung verringern, aber nicht allgemein anwendbar sind, da die Bias-Wirkung nur für dünne isolierende Schichten auf elektrisch leitfähigen Substraten erreicht wird. In allen Fällen erfordert das Bias-Sputtern eine spezielle Stromversorgungseinheit zur Bereitstellung der Bias-Spannung und Einrichtungen zur Kontaktierung der Substrate. Die Kontaktierung kann sich bei der Beschichtung von Substraten, die typischerweise relativ zur Magnetronquelle bewegt werden, als aufwändig und technisch unzuverlässig erweisen. Es werden deshalb auch Einrichtungen zur separaten Erzeugung beschleunigter Ladungsträger, z. B. lonenstrahlquellen, benutzt, um eine Verbesserung der Struktur und der Eigenchaften abgeschiedener Schichten zu erreichen [vgl. z. B. „Dünnschichttechnologie" H. Frey, G. Kienel (Hsg.) VDI-Verlag Düsseldorf 1987, S. 145 und G. Kienel loc.cit. S. 27 bis 32]. Sie erfordern im Allgemeinen einen noch höheren apparativen Aufwand. Außerdem erweist sich eine gleichmäßige Beaufschlagung großer oder dreidimensionaler Substratoberflächen oft als schwierig oder gar nicht durchführbar. Die Möglichkeiten zur Beeinflussung der Schichteigenschaften durch Ladungsträger- beschuss werden außerdem begrenzt durch die damit verbundene thermische Belastung des Substrates und mögliche Strahlenschäden, erhöhte innere Spannungen oder andere Nebenwirkungen auf die Schichteigenschaften.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Einrichtung und ein zugehöriges Verfahren zum
Magnetron-Sputtern anzugeben, die zu einer verbesserten Struktur der abgeschiedenen Schicht, z. B. zu einer dichteren Schicht, bzw. zu besseren damit im Zusammengang stehenden Schichteigenschaften führen, wobei die thermische Substratbelastung oder die Wirkungen energiereicher Spezies des Plasmas beim Magnetron-Sputtern auf die Schicht begrenzt bzw. der Energieeintrag beim Magnetron-Sputtern innerhalb bestimmter Grenzen eingestellt werden können.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Einrichtung gelöst, die die Merkmale gemäß Anspruch 1 aufweist. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 9 angegeben. Anspruch 10 gibt ein Verfahren zum verbesserten Magnetron-Sputtern an. Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens ist in Anspruch 1 1 angegeben.
Der Kern der Erfindung bezieht sich auf eine Beeinflussung der an sich bekannten Magnetronntladung durch ein zusätzliches Magnetfeld, das den Fluss der Elektronen aus dem dichten Katoden-Plasma in Targetnähe zu einer als Anode geschalteten Elektrode verändert. Mit der Veränderung der Elektronenbahnen ist offensichtlich eine Verschiebung der Potentialverhältnisse in der Beschichtungsanordnung verbunden. Als Folge dessen wird der Fluss energiereicher Teilchen aus dem Plasma zum Substrat durch Stärke und Form des Magnetfeldes, das die Elektrode durchdringt, bestimmt. Schichtstruktur und andere Schichteigenschaften sind durch diesen Fluss energiereicher Teilchen beeinflussbar. Die Erfindung wird im Folgenden näher beschrieben, wobei die Figuren der Erläuterung dienen.
Es zeigen Fig. 1 bis 3 erfindungsgemäße Einrichtungen, deren wesentlicher Unterschied in der Ausgestaltung des zusätzlichen die Anode durchdringenden Magnetfeldes besteht.
Fig. 1 : Schnitt durch eine erfindungsgemäße Einrichtung zum Magnetron-Sputtern.
Die Einrichtung beinhaltet ein Target 1 mit Kühlplatte 2, einen Vakuumflansch 3 und eine magnetfelderzeugende Einrichtung 4, die ein tunnelförmiges, das Target durchdringendes Magnetron-Magnetfeld 5 erzeugt, sowie einen Plasmaschirm 6, eine Elektrode 7 und eine Stromversorgungseinrichtung 8. Die Stromversorgungseinrichtung 8 bewirkt, dass das Target zumindest teilweise als Katode und die Elektrode zumindest zeitweise als Anode geschaltet wird. Die erfinderische Lehre wird durch eine magnetfelderzeugende Einrichtung 9 in der Umgebung der Elektrode verwirklicht. Sie erzeugt auf Teilen der Oberfläche der Elektrode ein Magnetfeld 10, dessen Maximalwert dem Betrage nach mindestens 5 % der maximalen Stärke des am Target wirkenden Magnetfeldes 5 beträgt. In vielen Anwendungsfällen ist es zweckmäßig, die Magnetfeldstärke an der Elektrode wesentlich höher einzustellen. So kann die magnetische Feldstärke in Elektrodennähe einen Wert aufweisen, der dem Wert des Magnetronfeldes in Targetnähe entspricht oder diesen sogar übersteigt. Das führt zu einer Abschirmung der Elektrode, die umso effektiver erfolgt, je größer die Feldstärke der zur Elektrodenoberfläche parallelen Feldkomponente ist. Das wiederum bewirkt eine Erhöhung der Plasmaimpedanz und ermöglicht somit höhere ι Teilchenenergien. Vorteilhaft ist es, wenn der Elektrode eine magnetfelderzeugende Einrichtung derart zugeordnet ist, dass die Elektrodenoberfläche zumindest teilweise von einem Magnetfeld durchdrungen wird, wobei der Maximalwert der Magnetfeldkomponente parallel zur Elektrodenoberfläche HEn,max mindestens 5% des Maximalwertes der Magnetfeldkomponente parallel zur Targetoberfläche Hτιlmax beträgt. Vorteilhaft ist es außerdem, wenn das Magnetfeld zumindest teilweise ringförmig um die Elektrode geschlossen ist.
Das die Elektrode durchdringende Magnetfeld wird zweckmäßigerweise durch Permanentmagnete erzeugt, die fest oder in Bezug auf die Elektrode bewegbar angeordnet sind. Es kann auch zweckmäßig sein, dieses Magnetfeld elektromagnetisch zu erzeugen. Besonders vorteilhaft ist dabei eine Unterbringung einer magnetfelderzeugenden Einrichtung im Inneren einer hohlen Elektrode.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch eine rotationssymmetrische Ausführungsvariante mit zwei konzentrisch angeordneten Targets. Eine elektromagnetische Spule befindet sich im Inneren einer hohlen, den Plasmaschirm 6 umgebenden Elektrode. Diese Elektrodenvariante ist jedoch auch auf andere, z. B. rechteckige Bauformen übertragbar. Die Stärke des Magnetfeldes auf der Elektrodenoberfläche ist bei elektromagnetischer Erregung durch eine Ver- änderung der Stormstärke einstellbar.
In einer zweckmäßigen Ausführungsform bildet das Magnetfeld in sich geschlossene Feldlinien, die nicht senkrecht aus der Oberfläche der Elektrode austreten. Eine andere Ausführungsform beinhaltet magnetfelderzeugende Mittel, die zu einem senkrechten Aus- und/oder Eintritt von Magnetfeldlinien auf definiert vorgegebenen Teilen der Elektrodenoberfläche führen. Dadurch wird unter anderem ein zusätzlicher, vorteilhafter Reinigungseffekt für die Elektrode bewirkt. Da die Lage der Aus- und/oder Eintrittsstellen von Feldlinien auf der Elektrodenoberfläche ebenfalls die lokale Potentialverteilung im Plasma der Magnetronentladung beeinflusst, ist eine Ausgestaltung der Erfindung vorteilhaft, bei der eine Einstellbarkeit der Lage der Ein- und/oder Austrittsstellen der Feldlinien bzw. der durch diese modellhaft veranschaulichten Feldverhältnisse ermöglicht wird.
Fig. 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Einrichtung zum Magnetronsputtern, bei der Permanentmagneten in Bezug auf die Elektrode so angeordnet sind, dass das Magnetfeld eine wesentliche Komponente senkrecht zur Elektrodenoberfläche aufweist.
Die Erfindung umfasst gemäß Anspruch 10 weiterhin ein Verfahren zum Magnetronsputtern unter Verwendung der erfindungsgemäßen Einrichtung, bei dem der Maximalwert der auf der Elektrodenoberfläche wirkenden Komponente der Magnetfeldstärke und/oder die Lage der Austrittsstellen der Magnetfeldlinien schrittweise variiert wird, bis eine angestrebte Eigenschaft der abgeschiedenen Schicht erreicht wird. Das kann beispielsweise die Korngröße, die Härte, die Oberflächenrauheit oder der elektrische Widerstand der Schicht sein. Erfindungsgemäß kann das Verfahren weiterhin beinhalten, dass der Maximalwert der Magnetfeldstärke bzw. die Lage der Polstellen des Magnetfeldes auf der Elektrodenoberfläche nach einer vorgegebenen Zeitfunktion geführt werden. Eine solche Verfahrensweise ist z. B. für die Herstellung von Schichten mit einem Gradienten der Schichteigenschaften in Abhängigkeit vom Abstand von der Substratoberfläche vorteilhaft. Das Verfahren kann weiterhin beinhalten, dass die zumindest zeitweise als Anode geschaltete Elektrode auch zeitweise, z. B. periodisch, auf ein in Bezug auf die Targetfläche negatives Potential gelegt wird. Damit kann gegebenenfalls eine höhere Überschlagsicherheit erreicht werden.
An einem Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Einrichtung wird die Erfindung mit Bezug auf Fig. 3 näher erläutert:
Die Einrichtung ist für die Abscheidung von Schichten aus Titandioxid mit kristalliner Struktur und hoher Härte ausgestaltet.
Ein Titantarget 1 1 der Abmessung 160 x 600 x 10 mm3 ist auf eine Kühlplatte 12 gebondet. Ein Vakuumflansch 13 dient als Vakuum- und Trägerflansch. Außerhalb der Vakuumkammer ist eine magnetfelderzeugende Einrichtung 14 zur Erzeugung eines Feldes vom Magnetrontyp montiert. Das Feld durchdringt in allgemein bekannter Weise das Target 1 1 und erzeugt auf der Targetoberfläche ein Magnetfeld 15 mit einer maximalen Komponente parallel zum Target Hτn(max) = 18 kA/m.
Target und Kühlplatte sind von einem Plasmaschirm 16 umgeben, der die Entladung räumlich begrenzt und die Elektrode 17 gegen direkte Beschichtung schützt. Unterhalb dieser in sich geschlossenen, rechteckig gestalteten Elektrode und in einem freien Abstand von 5 mm befindet sich eine ununterbrochene Reihe von Permanentmagneten 19 mit hier nicht dargestellten Halteelementen. Diese erzeugen ein Magnetfeld 20. Entlang von Pollinien 21 treten die Feldlinien in die Oberfläche der Elektrode 17 ein bzw. dort aus. Die zur Oberfläche der Elektrode parallele Komponente des Magnetfeldes HE, rrιax) ist durch Lage und Stärke der Permanentmagnete auf den Wert 20 kA/m festgelegt. Die Stromversorgungseinheit 18 erzeugt einen mit einer Frequenz von 30 kHz pulsierenden Gleichstrom zur Aufrechterhaltung der Magnetronentladung. Mit Ausnahme der Pulspausen sind dabei das Target 11 als Kathode und die Elektrode 17 als Anode geschaltet.
Das Beschichtungsverfahren mit der beschriebenen Einrichtung beinhaltet eine Reihe von Vorversuchen mit Variation des freien Abstandes zwischen der Elektrode 17 und den Permanentmagneten 19, in dessen Ergebnis der geeignete Wert der Magnetfeldstärke HEικmax) ermittelt wurde. Die anschließend durchgeführte Serie von Beschichtungen führte zu den in der Tabelle, Spalte 1 , aufgeführten und mit der Zielstellung übereinstimmenden Schichtparametern. Zum Vergleich sind in Spalte 2 diejenigen Schichtparameter aufgeführt, die ohne das erfindungsgemäße Magnetfeld auf der Oberfläche der Elektrode 17 erreicht werden.
Spalte 1 Spalte 2
Härte 16,6 GPa 7,9 GPa
Elastizitätsmodul 256 GPa 180 GPa
Kristallstruktur Rutil Anatas mittlere Korngröße 14 nm 6 nm

Claims

Patentansprüche
1. Einrichtung zum Beschichten von Substraten durch Magnetron-Sputtern mit mindestens einer Sputterquelle nach dem Magnetronprinzip mit mindestens je einem auf wahlfreies elektrisches Potential legbaren Target (1) mit in sich geschlossenem tunnelförmigen Magnetfeld (5) oberhalb der Oberfläche, welches mindestens zeitweise als Katode geschaltet ist, und mindestens einer zumindest zeitweise als Anode (7) geschalteten Elektrode und mindestens einer Stromversorgungseinheit (8) zur Erzeugung einer Spannung zwischen dem Target bzw. den Targets und der Elektrode bzw. den zugeordneten Elektroden, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrode eine magnetfelderzeugende Einrichtung (9) derart zugeordnet ist, dass die Elektrodenoberfläche zumindest teilweise von einem Magnetfeld durchdrungen wird, wobei der Maximalwert der Magnetfeldkomponente parallel zur Elektrodenoberfläche HE,lmax mindestens 5 % des Maximalwertes der Magnetfeldkomponente parallel zur Targetoberfläche Hτn;max beträgt.
2. Einrichtung gemäß Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung des die Elektrode durchdringenden Magnetfeldes Permanentmagneten dienen.
3. Einrichtung gemäß Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung des die Elektrode durchdringenden Magnetfeldes mindestens ein Elektromagnet dient.
4. Einrichtung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetfeld durch stromdurchflossene Mittel innerhalb der Elektrode erzeugt wird.
5. Einrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Maximalwert der Parallelkomponente des auf der Elektrodenoberfläche wirkenden Magnetfeldes HEιι,maχ durch Lageveränderung der Permanentmagneten veränderbar ist.
6. Einrichtung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Maximalwert der Parallelkomponente des auf der Elektrodenoberfläche wirkenden Magnetfeldes HEιι,max durch Stromstärkeänderung des Elektromagneten veränderbar ist.
7. Einrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetfeld zumindest teilweise ringförmig um die Elektrode geschlossen ist.
8. Einrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass auf Teilbereichen der Elektrodenoberfläche Magnetfeldlinien im Wesentlichen senkrecht austreten.
9. Einrichtung gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Position der Austrittstellen auf der Elektrodenoberfläche durch Lageveränderung der Permanent- magneten oder durch Änderung des Stromes mindestens eines Elektromagneten veränderbar ist.
10. Verfahren zum Beschichten von Substraten durch Magnetronsputtern mit einer Einrichtung gemäß Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Maximalwert der Parallelkomponente des auf der Elektrodenoberfläche wirkenden Magnetfeldes HEnmax und/oder die Lage der Austrittstellen des Magnetfeldes derart eingestellt wird, dass eine Schichteigenschaft der auf einem Substrat abgeschiedenen Schicht einen gewünschten Wert annimmt.
1 1. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke des
Magnetfeldes und/oder die Lage der Austrittstellen des Magnetfeldes zum Zweck der Beschichtung von Substraten nach einer vorgegebenen Zeitfunktion geführt wird.
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