WO2007020752A1

WO2007020752A1 - 真空デバイス

Info

Publication number: WO2007020752A1
Application number: PCT/JP2006/312901
Authority: WO
Inventors: Hideki Shimoi; Hiroyuki Sugiyama; Hiroyuki Kyushima
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2005-08-12
Filing date: 2006-06-28
Publication date: 2007-02-22
Anticipated expiration: 2008-02-12
Also published as: EP1921662A1; US7906725B2; CN101238542A; EP1921662A4; CN101238542B; US20090283290A1; CN102496555A; JP4331147B2; JP2007048690A

Description

明細書

真空デバイス

技術分野

[0001] 本発明は、真空封止されたパッケージを有する真空デバイスに関し、特に、該真空デバイスにおけるパッケージの封止構造に関するものである。

背景技術

[0002] 従来カゝら電子管、 CRT等の真空封止された真空容器を有する真空デバイスが知られている。このような真空デバイスの例としては、例えば、下記特許文献 1に記載された画像表示装置がある。この画像表示装置は、前面板と背面板とがシール材で接合された構成の真空容器を有してヽる。

特許文献 1 :特開 2002— 352713号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] ところで、近年における光電子増倍管を初めとする光センサ等の真空デバイスの用途の多様ィ匕により、真空デバイスの小型化の要望が強くなつてきている。しかしながら

、上述した画像表示装置における真空容器の構成においては、シール材によって形成される接合面が面板全体の面積に比較して広く取れないため、特にデバイスの小型化をすすめた場合に封止が不完全となる場合がある。

[0004] そこで、本発明は、カゝかる課題に鑑みて為されたものであり、小型化された場合であっても真空容器における気密性を十分に維持することが可能な真空デバイスを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0005] 上記課題を解決するため、本発明の真空デバイスは、平板状の基板と、その基板上に立設された枠状の側壁と、その側壁の開口部に低融点金属を挟んで気密に接合された蓋部材と、基板上の側壁の内側において側壁に並設された枠状の突起とを備える。なお、ここでいう真空デバイスとは、ノッケージ内部が真空状態にある、或いは、パッケージ内部に特定のガスを封入した電子デバイスである。 [0006] このような真空デバイスによれば、平板状の基板に立設された側壁の開口部と、蓋部材とが低融点金属を挟んで封止されており、封止により開口部からはみ出した低融点金属は、基板の中心部に向けて流入することなく側壁と側壁に並設された突起との間に閉じ込められた状態とされている。このような封止部の構成により、側壁と蓋部材との接合面がより広くされる。また、封止部材として使用した低融点金属の表面には、酸化膜が形成されやすぐ確実な接合の障害になりうる可能性がある。そこで、突起部を設けて基板の中心部、つまりデバイスとしての機能部に低融点金属が到らないようにした上で、接合時に低融点金属の表面域が容器内へ流入するので、気密維持のために最重要である側壁と蓋部材との接合部分に、封止に適した純度の高、低融点金属を露出させることができる。従って、真空容器が小型化された場合であつても真空容器の気密性が確保される。

発明の効果

[0007] 本発明による真空デバイスによれば、小型化された場合であっても真空容器における気密性を十分に維持することができる。

図面の簡単な説明

[0008] [図 1]本発明の真空デバイスの一実施形態である光電子増倍管の構成を示す斜視図である。

[図 2]図 1の光電子増倍管 1の II II線に沿った分解断面図である。

[図 3]図 2のフレームの平面図、及びフレームの III III線に沿った断面図である。

[図 4]本発明の変形例である光電子増倍管の分解断面図、及び下側基板側の平面図である。

[図 5]本発明の別の変形例である光電子増倍管の分解断面図、及び下側基板側の平面図である。

[図 6]本発明の別の変形例である光電子増倍管の分解断面図、及び下側基板側の平面図である。

[図 7]図 6の光電子増倍管における真空容器の接合手順を説明する図である。

[図 8]本発明の別の変形例である光電子増倍管の分解断面図、下側基板側の平面図、及びフレームを含む下側基板の VIII— VIII線に沿った断面図である。符号の説明

[0009] 1, 41, 51, 61, 71…光電子増倍管、 2…上側基板、 3, 3a, 3b…フレーム (側壁) 、 4· · ·下側基板、 14, 54b, 62, 72· · ·接合層、 25a, 25b, 42a, 42b, 52a, 52b- - - 突起、 29· · ·窪み部、 63, 64…溝部。

発明を実施するための最良の形態

[0010] 以下、図面を参照しつつ本発明に係る真空デバイスの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図面は説明用のために作成されたものであり、説明の対象部位を特に強調するように描かれている。そのため、図面における各部材の寸法比率は、必ずしも実際のものとは一致しな、。

[0011] 図 1は、本発明の真空デバイスの一実施形態である光電子増倍管 1の構成を示す斜視図である。同図に示すように、光電子増倍管 1は、透過型の電子増倍管であつて、上側基板 2とフレーム (側壁） 3と下側基板 4とにより構成された真空容器 5を有し、真空容器 5の内部に光電面 6、電子増倍部 7、及びアノード 8を収納して構成されている。この光電子増倍管 1は、光電面 6への光の入射方向と電子増倍部 7での電子の走行方向とが交差する光電子増倍管である。つまり、光電子増倍管 1は、矢印 Aで示された方向から光が入射されると、光電面 6から放出された光電子が電子増倍部 7 に入射し、矢印 Bで示された方向に該光電子が走行していくことにより二次電子を力スケード増倍する。以下、各構成要素について詳細に説明する。

[0012] 図 1の光電子増倍管 1の II II線に沿った分解断面図である図 2に示すように、上側基板 2及び下側基板 4は、例えば、 15mm X 7mmの大きさを有する矩形状のガラス製の平板であり、フレーム 3は、基板面に沿って接合された、 2つの中空四角柱状の枠状部材力構成されている。これらの枠状部材のそれぞれは、上側基板 2及び下側基板 4の周縁部に、各基板の四辺と枠状部材の四辺とが平行になるように接続されている。

[0013] すなわち、フレーム 3は、枠状部材としてのフレーム 3aとフレーム 3bとから構成されている。より詳細には、上側基板 2に接続されたフレーム 3aは、上側基板 2の内面 2r の周縁部に陽極接合されたシリコン（Si)製のフレーム本体 9aと、フレーム本体 9a上にチタン (Ti)力もなる金属膜 l la、白金 (Pt)からなる金属膜 12a、及び金 (Au)からなる金属膜 13aが、下側基板 4に向力てこの順で積層されてなる多層金属膜 10aとを有している。同様に、下側基板 4に接続されたフレーム 3bは、下側基板 4の内面 4r の周縁部に陽極接合された Si製のフレーム本体 9bと、フレーム本体 9b上にチタンからなる金属膜 l lb、白金力もなる金属膜 12b、及び金力もなる金属膜 13bが、上側基板 2に向力つてこの順で積層されてなる多層金属膜 10bとを有している。各金属膜の膜厚は、例えば、金属膜 11a, l ibが 30nm、金属膜 12a, 12bが 20nm、金属膜 13a, 13b力 Si /z mである。このように、フレーム 3a, 3biま、それぞれ、フレーム本体 9a, 9b の基板 2, 4と反対側の端部によって規定される開口を形成し、それぞれの開口には多層金属膜 10a, 10bが形成された構造を有している。

[0014] さらに、下側基板 4上におけるフレーム 3bの内側には、フレーム本体 9bに平行に枠状の突起 25bが設けられている。突起 25bは、フレーム本体 9bに一体的に形成されたフレーム本体 9bとほぼ同一の厚さ（高さ）を有する Si層 26bと、 Si層 26b上に形成された多層金属膜 10bとほぼ同一の組成及び厚さ（高さ）を有する多層金属膜 27 bと力なる。これにより、フレーム 3bと突起 25bとの間には、下側基板 4の縁部に沿つて真空容器 5の内部を一周するような溝部 28bが形成されている。同様に、上側基板 2上には、 Si層 26aと多層金属膜 27aとからなる突起 25aが設けられ、フレーム 3a と突起 25aとの間には、溝部 28aが形成されている。

[0015] これらのフレーム 3aとフレーム 3bとは、多層金属膜 10aと多層金属膜 10bとの間にインジウム (In)等の低融点金属を含む接合材料 (例えば、 In、 Inと Snの合金、 Inと A gの合金等を含む)で挟むことによって接合されて、真空容器 5の内部が気密に保たれている。ここで、図 2には、多層金属膜 10b上に接合材料力もなる接合層 14が形成されているが、多層金属膜 10a上に接合層を形成してもよい。このような構成において、フレーム 3aを含む上側基板 2は、フレーム 3bの開口に気密に封着される蓋部材としての役割を発揮し、この場合下側基板 4が基板、フレーム 3bが側壁に該当する。一方、フレーム 3bを含む下側基板 4は、フレーム 3aの開口に気密に封着される蓋部材としての役割を発揮し、この場合上側基板 2が基板、フレーム 3aが側壁に該当する。そのために、それぞれの多層金属膜 10a, 10bは、それぞれ、フレーム 3b, 3aの開口との接合部分、換言すれば、基板 2, 4の周縁部に形成されている。

[0016] なお、フレーム 3は、フレーム 3aとフレーム 3bの 2部材の接合からなるのではなぐ S i製の 1部材力成っていても良い。この場合、枠状突起も 1部材力なる。なお、この場合の基板を下側基板 4、側壁をフレーム 3、蓋部材を上側基板 2とすると、陽極接合により下側基板 4 (基板)とフレーム 3 (側壁)とを接合した後に、多層金属膜と接合層による接合により光電面 6を有する上側基板 2 (蓋部材)とフレーム 3 (側壁）との接合を行うのが好ましい。ただし、光電面 6に電気的に接続された Si層 17を形成する際は、フレーム 3は、フレーム 3aとフレーム 3bの 2部材を備えることが好ましい。また、フレーム 3が、フレーム 3aとフレーム 3bの 2部材を備える場合において、突起は接合材料が流れる側の一部材にのみ設けても良いが、接合材料の真空容器 5内部への流れ込みを防止の点からは、突起 25aと突起 25bとを両方備えることが好ま、。

[0017] また、フレーム 3bのフレーム 3aとの接合面には下側基板 4に向けて窪み部が形成されていてもよい。図 3は、窪み部を形成した場合のフレーム 3bを示し、領域 (a)は、フレーム 3bの平面図、領域（b)は、領域（a)のフレーム 3bの III III線に沿った断面図である。同図に示すように、フレーム 3bには、接合面における下側基板 4の外縁に平行な方向（図 3領域 (a)の X方向）、及び下側基板 4の外縁に垂直な方向（図 3領域 (a)の Y方向）に沿って、四角柱状の窪み部 29が 2次元的にほぼ等間隔で配列されて形成されている。この窪み部 29は、フレーム 3bの接合層 14の表面からフレーム本体 9bにかけて窪んで形成され、フレーム本体 9bにおいて底部が形成されている。従つて、フレーム 3bの接合面においては、接合層 14がメッシュ状に露出された状態とされる。なお、フレーム 3aのフレーム 3bとの接合面においても、窪み部 29が形成されていてもよい。

[0018] 図 2に戻って、真空容器 5の内部構成について説明する。

[0019] 真空容器 5における上側基板 2の内面 2rには、外部から入射した光に応じて光電子を真空容器 5内部に向けて放出するアルカリ金属を含有する透過型の光電面 6が形成されている。この場合、上側基板 2は、外部カゝら入射した光を光電面⁶に向けて透過させる透過窓として機能する。この光電面 6は、上側基板 2の内面 2rの長手方向 (図 2の左右方向）の端部寄りにおいて内面 2rに沿って形成されている。上側基板 2 には、表面 2sから内面 2rにかけて貫通する孔 16が設けられており、孔 16の内面 2r 側には光電面 6に電気的に接続された Si層 17が形成されている。孔 16には、光電面端子 18が配置され、該光電面端子 18は Si層 17に電気的に接触することにより光電面 6に電気的に接続されて!、る。

[0020] 下側基板 4の内面 4rには、内面 4rに沿って電子増倍部 7とアノード 8が形成されている。電子増倍部 7は、下側基板 4の長手方向に向けて互いに沿うように立設された複数の壁部を有し、これらの壁部の間には溝部が形成されている。この壁部の側壁及び底部には二次電子放出材料力なる二次電子放出面が形成されている。電子増倍部 7は、真空容器 5内において光電面 6に対向する位置に配置されている。この電子増倍部 7から離間した位置にアノード 8が設けられる。さらに、下側基板 4には、表面 4sから内面 4rに向けて貫通する孔 19, 20, 21がそれぞれ設けられている。孔 1 9には光電面側端子 22が、孔 20には陽極側端子 23が、孔 21には陽極端子 24が、それぞれ挿入されている。光電面側端子 22及び陽極側端子 23は、それぞれ、電子増倍部 7の両端部に電気的に接触してヽるので、光電面側端子 22及び陽極側端子 23に所定の電圧を印加することで下側基板 4の長手方向に電位差を生じさせることができる。また、陽極端子 24は、電気的にアノード 8に接触しているので、アノード 8 に到達した電子を信号として外部に取り出すことができる。

[0021] 以上説明した光電子増倍管 1の動作について説明する。上側基板 2を透過して光電面 6に光が入射すると、光電面 6から下側基板 4に向けて光電子が放出される。この放出された光電子は、光電面 6に対向する電子増倍部 7に到達する。電子増倍部 7の長手方向には光電面側端子 22及び陽極側端子 23への電圧の印加によって電位差が生じているので、電子増倍部 7に到達した光電子はアノード 8側に向かう。その後、光電面 6から電子増倍部 7に到達した光電子は、電子増倍部 7の側壁及び底部に衝突しながらカスケード増倍されて、二次電子を発生させながらアノード 8に到達する。発生した二次電子はアノード 8から陽極端子 24を介して外部に取り出される

[0022] 以上説明した光電子増倍管 1においては、平板状の下側基板 4に立設されたフレーム 3bの開口部と、フレーム 3aが設けられた上側基板 2とが接合層 14を挟んで封止されており、封止によりフレーム 3bの開口部からはみ出した低融点金属を含む接合層 14がフレーム 3bに沿って流入するために、接合層 14とフレーム 3bとの接触面積が増大するとともに、基板 2, 4の中心部、つまり光電面 6、電子増倍部 7及び陽極 8 に向けて流入することなくフレーム 3a, 3bとフレーム 3a, 3bに並設された突起 25a, 25bとの間の溝咅 28a, 28bに閉じ込められる。このように枠状のフレーム 3a, 3bの間に接合材を積層させる構成により基板 2, 4間の接合面がより広くされる。さらには、溝部 28a, 28bの存在により、接合工程において接合層 14の上層部が真空容器 5側に流入しても動作部への影響が防止できるとともに、その流入により結果的に接合層 14における低融点金属の高純度の面が露出され易くなり、確実な接合を行うことが可能となる。また、 Si製のフレーム本体 9a, 9bをフレーム 3の本体としているために、接合時の熱等によってフレーム本体 9a, 9b自体の変形は生じ難い。そのため、フレーム本体の変形を原因とした接合層 14の不均一性は生じ難ぐ接合が確実に行われる。このように、真空容器 5が小型化された場合であっても真空容器 5の気密性が確保される。

[0023] また、突起 25a, 25bは、それぞれ、フレーム本体 9a, 9bと一体的に形成されていることで、上側基板 2および下側基板 4とフレーム本体 9a, 9bとの接合面積が大きくなり、確実な気密性の確保が可能になるとともに、突起 25a, 25bの形成が容易となり、真空デバイスを効率的に製造することができる。

[0024] フレーム 3bにおけるフレーム 3aとの接合面、又はフレーム 3aにおけるフレーム 3bとの接合面には、複数の窪み部 29が形成されているので、接合時に低融点金属が窪み部 29に流れ込みやすくなり基板 2, 4の中心部への流出がより少なくされるとともに、接合面積が増加し、フレーム 3a, 3bの接合面の微小範囲ごとに低融点金属の高純度面の露出効果が発揮される。また、窪み部 29は、接合面に沿った X方向、及び接合面に沿った X方向と直交する Y方向に 2次元的に配列されている。これにより、窪み部 29を除いた接合面カッシュ状を成すことになるので、接合面においては接合材が X方向及び Y方向に均一かつ連続的に配置され、フレーム 3aとフレーム 3bとの封止がより確実に行われる。

[0025] 上記突起は、側壁と一体的に形成されて、ることが好ま、。このように突起を側壁と一体的に形成することで、基板と側壁との接合面積を大きくできるとともに、真空デバイスを効率的に製造できる。

[0026] さらに、側壁における蓋部材との接合面、及び蓋部材における側壁との接合面の少なくともいずれか一方には、複数の窪み部が形成されていることも好ましい。この場合、接合時における低融点金属の基板の中心部に向けての流出がより少なくされるとともに、接合面積も増加し、かつ接合面の微小範囲ごとに低融点金属の高純度面の露出効果が発揮される。

[0027] またさらに、複数の窪み部は、接合面に沿った第 1の方向、及び接合面に沿った第 1の方向と直交する第 2の方向に 2次元的に配列されて、ることも好ま U、。このような窪み部の配列により、窪み部を除いた接合面カ^ッシュ状を成すことになるので、接合面において第 1の方向及び第 2の方向には低融点金属が均一かつ連続的に配置され、側壁と蓋部材との封止がより確実に行われる。

[0028] また、突起を複数有していることも好ましい。複数の突起により、基板の中心部への低融点金属の流入がより確実に阻止される。

[0029] またさらに、複数の突起のうち、最も内側に形成されたものを除く突起は、低融点金属を挟んで、蓋部材と気密に接合されていることも好ましい。この場合、蓋部材の接合が多重化されてより確実な気密接合が実現される。

[0030] さらにまた、複数の突起は、低融点金属を挟んで蓋部材と気密に接合されており、内側に形成された突起の基板の内面に沿った方向における幅力外側に形成された突起の内面に沿った方向における幅よりも小さ、ことも好ま、。このように構成すれば、内側の突起上の低融点金属力のガス放出量が少なぐかつ、外側の突起において接合面積を確保でき、内部へのガスの進入を低減しつつ、確実な接合を実現できる。

[0031] また、突起は、突起で囲まれた空間と突起の外側の空間とを連通する溝部を有することも好ましい。力かる溝部を備えることで、接合により発生するガスを外部に排気することによって、内部の気密性をより高めることができる。

[0032] なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上側基板 2又は下側基板 4に形成された枠状の突起の数は特定の数に限定されな、。図 4において、領域 (a)は、本発明の変形例である光電子増倍管 41の分解断面図、領域（ b)は、領域 (a)の下側基板 4の平面図である。なお、光電面等の動作部の記載は省略する。同図に示す光電子増倍管 41は、フレーム 3bと突起 25bとの間にフレーム 3b とほぼ同一の厚さ（高さ)及び積層構造を有する突起 42bを有し、突起 42bと突起 25 bとの間、及び突起 42bとフレーム 3bとの間には、それぞれ、溝部 43b、及び溝部 44 bが形成されている。すなわち、突起 25bよりも内側にある突起 42bには、接合層 14 が形成されている。また、フレーム 3aと突起 25aとの間にフレーム 3aとほぼ同一の厚さ（高さ)及び積層構造を有する突起 42aを有し、突起 42aと突起 25aとの間、及び突起 42aとフレーム 3aとの間には、それぞれ、溝部 43a、及び溝部 44aが形成されている。このような光電子増倍管 41においては、フレーム 3aとフレーム 3bとが接合される際に、突起 42aと突起 42bとが低融点金属を挟んで気密に接合される結果、接合が多重化されてより確実な気密接合が実現される。その際、接合材が溝部 43b, 44b及び溝部 43a, 44aに流れ込むので、真空容器内への接合材の浸入を防止することができる。

[0033] また、以下に説明するように、基板 2, 4上の枠状の突起には接合層を形成しても良いし、複数の突起の接合層の厚さに変化をもたせてもよい。

[0034] 図 5において、領域 (a)は、本発明の他の変形例である光電子増倍管 51の分解断面図、領域 (b)は、領域 (a)の下側基板 4の平面図である。図 4と同様、光電面等の動作部の記載は省略する。光電子増倍管 51においては、光電子増倍管 41に対して、突起 42bの内側にフレーム 3bと同一の積層構造を有する枠状の突起 52bが形成されている。突起 52bには、フレーム 3bの接合層 14よりも大きい膜厚を有する接合層 5 4bが形成されており、突起 52bの下側基板 4の内面 4rに沿った方向における幅は、フレーム 3b及び突起 52bの外側にある突起 42bに比較して小さくされている。

[0035] このような光電子増倍管 51においては、上側基板 2と下側基板 4との接合の際に、上側基板 2と下側基板 4とを互いに圧着させて接合すると、まず、突起 52aと突起 52 bとが接触することで接合される。さらに加圧していくと、突起 52b上の接合層 54bが変形することで、突起 42aと突起 42b、及びフレーム 3aとフレーム 3bが接触することで接合される。このとき、接合層 54bはその幅が小さく接合の際のガス発生量が少ないので真空容器 5へのガスの流入を低減することができるとともに、突起 42b及びフレーム 3bはその幅が比較的大きいので真空容器 5の気密性を十分に保つことができる。一方、突起 42b及びフレーム 3bを接合する際に発生するガスは、突起 52bの接合により真空容器 5の内部に流入することはないので、真空容器 5内の真空度の向上と気密性の維持とを両立することができる。

[0036] 図 6において、領域 (a)は、本発明の他の変形例である光電子増倍管 61の分解断面図、領域 (b)は、領域 (a)の下側基板 4の平面図である。図 4と同様、光電面等の動作部の記載は省略する。光電子増倍管 61においては、光電子増倍管 51に対して、フレーム 3b上に成膜された接合層 62の膜厚が突起 42bよりも小さくされ、下側基板 4上における接合材の膜厚が縁部に向けて順に小さくなるようにされている。また、突起 42b及び突起 52bには、それぞれ、下側基板 4の内面 4r上の突起 42b, 52bで囲まれた内側の空間と突起 42b, 52bの外側の空間とを連通するガス排気用の溝部 63 及び溝部 64が形成されてヽる。

[0037] 図 7は、光電子増倍管 61における真空容器 5の接合手順を説明する図である。ここでは、便宜上、上側基板 2に直接多層金属膜が形成されている場合の接合手順を示している。同図に示すように、上側基板 2と下側基板 4とを、溝部 64における通気性を確保したまま互いに圧着させて接合すると、まず、突起 52bと上側基板 2上の多層金属膜 65とが接触することによって接合される（図 7領域 (a) )。このとき、接合により発生したガスは、溝部 64を通じて外部に排気される。上側基板 2と下側基板 4とを溝部 63における通気性を確保したまま更に加圧してゆくと、突起 42bと上側基板 2との接合が開始されると同時に、溝部 64が突起 52b上の接合材の侵入によって塞がれることにより、真空容器 5内が高真空に保たれる（図 7領域 (b) )。このとき、接合により発生したガスは、溝部 63を通じて外部に排気される。さらに、上側基板 2と下側基板 4とを加圧すると、フレーム 3bと上側基板 2とが接合されると同時に、接合材によって溝部 63が塞がれることによって、突起 42b, 52b及びフレーム 3bの全面による接合が完了する（図 7領域 (c) )。このような光電子増倍管 61の構成により、真空容器 5の内側から順に接合及びガスの排気が確実に行われる結果、製造工程の効率化及び真空容器 5内の真空度の向上を実現する事ができる。 [0038] また、基板 2, 4上の枠状の突起又はフレームに形成する接合層の膜厚を、基板 2, 4の縁部に沿って徐々に、或いは段階的に変化させて形成しても良い。図 8は、このような場合の光電子増倍管 71の分解断面図、領域 (b)は、領域 (a)の下側基板 4の平面図、領域 (c)は、領域 (b)の VIII— VIII線に沿った断面図である。図 4と同様、光電面等の動作部の記載は省略する。同図に示すように、フレーム 3bの接合面には、下側基板 4の縁部に沿ってほぼ直線状に膜厚が変化する接合層 72が形成されている。この接合層 72は、下側基板 4の縁部を周回する方向に沿って、膜厚が直線的に変化するように形成されている。このようにすれば、フレーム 3aとフレーム 3bとの接合の際に、下側基板 4の縁部を周回する方向において接合のタイミングをずらすことができるので、接合により発生したガスを効率的に排気させながら真空容器 5内を高真空に維持することができる。

[0039] 上記実施形態の真空デバイスは光電子増倍管であるが、本発明は、様々な真空デバイスに適用可能である。例えば、電子増倍部を有しない光電管等の電子管、内部に特定のガスを封入した放電管、電子銃を内蔵する真空デバイス、イオン化装置、及び表示管、 LED, PD、 CCD,有機 EL等の半導体プロセスで製造される発光 Z光検出テノイス、 PDP (Plasma Display Panel)、 MEMS (Micro Electro Mechanical System s)型圧力センサ、 MEMS型衝撃センサ、 MEMS型ミラーデバイス、 MEMS型光チヨッパー等の内部を真空にすること、或いは内部に特定のガスを封入することで機能が向上する半導体デバイス等に適用可能である。

産業上の利用可能性

[0040] 本発明は、真空封止されたパッケージを有する真空デバイスに関し、特に、該真空デバイスにおけるノッケージの封止構造に関し、小型化された場合であっても真空容器における気密性の十分な維持を可能にするものである。

Claims

請求の範囲

[1] 平板状の基板と、

前記基板上に立設された枠状の側壁と、

前記側壁の開口部に低融点金属を挟んで気密に接合された蓋部材と、前記基板上の前記側壁の内側において前記側壁に並設された枠状の突起と、を備えることを特徴とする真空デバイス。

[2] 前記突起は、前記側壁と一体的に形成されていることを特徴とする請求項 1記載の真空デバイス。

[3] 前記側壁における前記蓋部材との接合面、及び前記蓋部材における前記側壁との接合面の少なくともいずれか一方には、複数の窪み部が形成されていることを特徴とする請求項 1又は 2記載の真空デバイス。

[4] 前記複数の窪み部は、前記接合面に沿った第 1の方向、及び前記接合面に沿った前記第 1の方向と直交する第 2の方向に 2次元的に配列されている、

ことを特徴とする請求項 3記載の真空デバイス。

[5] 前記突起を複数有して、ることを特徴とする請求項 1〜4の、ずれか一項に記載の真空デバイス。

[6] 前記複数の突起のうち、最も内側に形成されたものを除く突起は、低融点金属を挟んで、前記蓋部材と気密に接合されている、

ことを特徴とする請求項 5に記載の真空デバイス。

[7] 前記複数の突起は、低融点金属を挟んで前記蓋部材と気密に接合されており、内側に形成された突起の前記基板の内面に沿った方向における幅力外側に形成された突起の前記内面に沿った方向における幅よりも小さい、

ことを特徴とする請求項 5に記載の真空デバイス。

[8] 前記突起は、前記突起で囲まれた空間と前記突起の外側の空間とを連通する溝部を有する、

ことを特徴とする請求項 1〜7のいずれか一項に記載の真空デバイス。