明 細 書
ォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバ の試験方法
技術分野
[0001] 本発明はォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバ の試験方法に係り、特に、被測定光ファイバに光パルスを入射し、この光パルスの入 射に伴って被測定光ファイバから戻ってくる反射光の検出結果に基づいて被測定光 ファイバの障害点位置を検出したり、被測定光ファイバの伝送損失特性や接続損失 特性などを測定する光パルス試験器としてのォプチカルタイムドメインリフレクトメータ
(OTDR)及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法に関する。
背景技術
[0002] 光ノ ルス試験器としてのォプチカルタイムドメインリフレクトメータ(OTDR)は、被測 定光ファイバに光パルスを入射し、この光パルスの入射に伴って被測定光ファイバか ら戻ってくる反射光を検出し、この反射光の検出結果に基づいて被測定光ファイバ の障害点位置を検出したり、被測定光ファイバの伝送損失特性や接続損失特性など を測定するために用いられて 、る。
[0003] 図 9は、従来から一般的に知られている光パルス試験器としてのォプチカルタイムド メインリフレクトメータ (OTDR)の一例として、下記特許文献 1に開示されて!ヽる光パ ルス試験器の構成を説明するために示すブロック図である。
[0004] この図 9に示す光パルス試験器(OTDR) 49は、タイミング発生部 52、駆動回路 53
、光源 54、光方向性結合器 55、受光器 56、増幅部 57、加算平均処理部 58、対数 変換部 59、表示部 60を備えて構成される。
[0005] この種の光パルス試験器(OTDR) 49では、タイミング発生部 52からの電気パルス により、駆動回路 53でパルス電流を作り、光源 54を発光させる。
[0006] 光源 54から出射される光パルスは、光方向性結合器 55を通過し、試験対象となる 被測定光ファイバ 61に入射される。
[0007] 被測定光ファイバ 61からの後方散乱光や反射光などの戻り光は、光方向性結合器
55から受光器 56へ送られる。
[0008] 受光器 56は、光方向性結合器 55から受光器 56へ送られる被測定光ファイバ 61か らの後方散乱光や反射光などの戻り光を電気信号に変換する。
[0009] 受光器 56から出力される電気信号は、増幅部 57で増幅される。
[0010] 平均加算処理部 58は、増幅部 57で増幅されたアナログの電気信号を内蔵のアナ ログ Zディジタル (AZD)変翻によりディジタル信号に変換すると共に、所定回数 に渡って累積加算した後、平均化処理する。
[0011] 平均加算処理部 58からの平均化出力は、対数変換部 59で対数変換された後、そ の対数変換結果が通常右下がりの測定波形として表示部 60に表示される。
[0012] ところで、この種の光パルス試験器(OTDR) 49では、大きく分けて、アベレージ測 定とリアルタイム測定との 2種類の測定方法が知られている。
[0013] アベレージ測定は、数秒力も数十秒間の比較的長い時間にわたる所定回数の繰り 返し測定波形を累積加算して、平均化することにより、信号対雑音比 (SN比)の良い 測定波形を得るための測定である。
[0014] そして、このアベレージ測定では、特許文献 1に開示される光パルス試験器 (OTD
R) 49のように、 SN比の悪い測定波形の部分では増幅部 57の利得及び平均加算処 理部 58での加算回数 (平均回数)を値を適宜切り替えながら測定を行って、結果的 に、 SN比の良い測定波形の部分だけをつなぎ合わせることにより、広範囲にわたつ て所定値以上の SN比の良い観測に利用可能な領域を得ることができるようにしてい る。
[0015] この場合、図 9に示す光ノ ルス試験器 (OTDR) 49では、上述した構成にカ卩えて、 さらに、 SN比比較部 50とデータ記憶部 51とを備えるようにしている。
[0016] そして、 SN比比較部 50の比較結果によって所定値以上の SN比の良い測定波形 の部分のデータをそのままデータ記憶部 51に記憶しておく。
[0017] 次に、 SN比比較部 50の比較結果によって所定値以下の SN比の悪い測定波形の 部分での増幅部 57の利得及び平均加算処理部 58での加算回数 (平均回数)を値を 適宜切り替えながら測定を行うことにより、結果的に、所定値以上に SN比が改善され た SN比の良 、測定波形の部分のデータを順次にデータ記憶部 51に記憶しておく。
[0018] これにより、結果的に、データ記憶部 51に記憶されている所定値以上の SN比の良 い測定波形の部分のデータをだけをつなぎ合わせて表示部 60に表示させることによ り、広範囲にわたって所定値以上の SN比の良い観測に利用可能な領域を得ること ができる。
[0019] これは、増幅部 57の利得は連続的に変更できるわけではないので、通常、増幅部 57の利得及び周波数特性を含むハード設定と平均加算処理部 58での加算回数( 平均回数)との特定の組み合わせをアツテネータ値と表現するとき、予め、複数組の アツテネータ値を dB単位の減衰量で表記しておくことにより、測定波形の SN比に応 じて最適となるアツテネータ値を適宜設定するようにして 、ると見ることもできる。
[0020] 従って、この場合、増幅部 57と平均加算処理部 58とは、電気信号に変換される前 の光信号に対して等価的なアツテネータを構成していると見ることもできる。
[0021] そして、アベレージ測定を行う場合には、このような増幅部 57と平均加算処理部 58 とによる等価的なアツテネータに対して、測定波形の SN比に応じて、増幅部 57の利 得及び周波数特性を含むハード設定と平均加算処理部 58での平均加算回数との 複数の組み合わせによる特定のアツテネータ値を適宜変更しながら測定を行うことに より、結果的に、所定値以上の SN比の良い測定波形の部分だけをつなぎ合わせる ことができるようにしている。
[0022] ところで、上述したように、アツテネータ値を適宜変更しながら測定を行うアベレージ 測定に対して、リアルタイム測定は、アツテネータ値を固定して 0. 1秒〜 1秒間程度 の比較的短い時間にわたる測定波形を累積加算して平均化し、そのような測定結果 を次々と表示更新を行うので、その時点での光ファイバの状況 ·変化を観察するため の測定に適している。
[0023] このため、リアルタイム測定は、光ファイバの敷設工事において、例えば、コネクタ 接続ゃ融着による光ファイバの接続を行いながら、その光ファイバの接続状態の善し 悪しをチ ックする場合のように、即応性が必要な用途で良く用いられる。
[0024] ところで、測定対象である被測定光ファイバ 61から戻ってくる後方散乱光は光ファ ィバ 61内で生じるレーリ散乱に起因するものである。
[0025] この後方散乱光のレベルは、被測定光ファイバ 61が通常のシングルモード光フアイ
バであって、当該被測定光ファイバに入射される光パルス幅が 1 X 10_6秒のとき、入 射パルス光レベルよりも約 50dB低!、値となる。
[0026] 従って、光パルス試験器 (OTDR) 49は、このような微小な信号を扱うために、所定 回繰り返し測定して累積加算し、それを平均化処理するディジタルアベレージングを 用いることにより、 SN比を改善する必要がある。
[0027] 図 9に示す光パルス試験器(OTDR) 49の加算平均処理部 58は、このようなデイジ タルアベレージングを用いることにより、 SN比を改善するためのものである。
[0028] そして、このディジタルアベレージングを用いる場合、加算平均処理部 58に内蔵さ れる AZD変^^の量子化ビットが 8のとき、平均回数と SN比との間には、図 10に示 すような関係があることが知られて 、る。
[0029] 図 10において、例えば、平均回数が 10回、 SN比が— 30dBのときに、 102回の平 均をとれば SN比が 10dBになり、 20dB改善されることになる。
[0030] なお、このようなディジタルアベレージングを用いる SN比の改善テクニックに関して は、下記非特許文献 1にも記載されている。
[0031] 図 11は、図 9に示す従来の光パルス試験器 (OTDR) 49を用いてアベレージ測定 によって測定波形におけるレベル差の大きい反射減衰量の測定を行ったときの測定 波形を例示する図である。
[0032] すなわち、図 11に示すように、アベレージ測定によって測定波形におけるレベル差 の大きい反射減衰量の測定を行なう場合には、時間をかけることによって測定波形 の加算回数 (平均回数)を十分に増やすことができるため、マーカ 1が位置するフレ ネル反射の直前の波形レベルと、マーカ 2が位置するフレネル反射の頂点のレベル とを同時に観測できるので、これらの差力 反射減衰量を測定することができる。
[0033] そして、上述した反射減衰量の測定は、例えば、当該測定端から 20Km以上も離 れて 、る遠隔地における光ファイバの敷設現場にぉ 、て接続すべき光ファイバの各 端面同士を融着して接続する作業が測定者とは別の作業者によって行われている 際に、行われること〖こなる。
[0034] しかるに、アベレージ測定では反射減衰量の測定に時間が力かるため、反射減衰 量の測定結果が合格範囲を外れていることが判明する頃には、融着作業者が既に
次の光ファイバの融着作業に移ってしまっていることが往々にして生じ、測定タイミン グと融着作業タイミングとが合わな 、と 、う問題がある。
[0035] 一方、この種の光パルス試験器(OTDR) 49にお!/、て行われて!/、るリアルタイム測 定では、反射減衰量の測定に時間が力からないため、測定タイミングと融着作業タイ ミングとが合わな 、と 、う問題につ!ヽては回避することができる。
[0036] しかるに、リアルタイム測定では、アベレージ測定に比べて測定波形の加算回数( 平均回数)が少ないと共に、アツテネータ値を固定して測定するので、結果的に、得 られる測定波形において良好な SN比を持つ波形の観測に適した領域が狭くなる。
[0037] このため、図 9に示す従来の光パルス試験器 (OTDR) 49では、リアルタイム測定に おいて、得られる測定波形において測定対象の波形レベルが大きく変動したり、別の 距離の状況を見ようとした場合に、操作者が注目している距離の波形レベルが測定 に適した領域から外れやす ヽと ヽぅ問題がある。
[0038] また、図 9に示す従来の光パルス試験器 (OTDR) 49では、リアルタイム測定にお いて、得られる測定波形において 2点間の損失値が知りたい場合や、 2点間の損失 値から計算される反射減衰量を測定したい場合に、 2点間の波形レベル差が大きい と、測定に適した領域に、その 2点の波形レベルが同時に含まれるようにアツテネータ 値を設定することができな 、と 、う問題がある。
[0039] 従って、このような状況下において、図 9に示す従来の光パルス試験器(OTDR) 4 9では、上述したような反射減衰量の測定を含めて良好なリアルタイム測定を行うこと が極めて困難である。
[0040] 図 12及び図 13は、図 9に示す従来の光パルス試験器(OTDR) 49を用いてリアル タイム測定を行なったときの測定波形を例示する図である。
[0041] 図 12に示すように、リアルタイム測定によってレベル差の大きい反射減衰量の測定 を行なう場合には、マーカ 2が位置するフレネル反射の頂点の波形レベルを測定で きるようにアツテネータ値を選択すると、マーカ 1が位置するフレネル反射の直前の波 形レベルの SN比が悪くなつて波形が見えなくなる。
[0042] 図 13に示すように、リアルタイム測定によってレベル差の大きい反射減衰量の測定 を行なう場合には、マーカ 1が位置するフレネル反射の直前の波形レベルに合わせ
てアツテネータ値を選択すると、マーカ 2が位置するフレネル反射の頂点の波形レべ ルが飽和して正しく測定することができな!/、。
[0043] 従って、図 12及び図 13に示すリアルタイム測定では、何れの場合においても、正 確に反射減衰量を測定することが困難である。
[0044] また、リアルタイム測定は、被測定光ファイバの状態の変化に対する即応性が求め られる用途で行われて ヽる。
[0045] し力るに、測定対象となる被測定光ファイバの状態が変化したり、ある光ファイバの 測定を行ったまま測定対象となる被測定光ファイバを別の光ファイバに変更した場合 には、測定レンジを合せるため、アツテネータ値を測定者が手動で変更する必要があ る。
[0046] 一方、リアルタイム測定においても、表示部 60に表示させる測定位置指定手段で あるマーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上の S N比の良 、状態で行うことができるようにすることが要望されて!、る。
[0047] 例えば、リアルタイム測定にお!、て、所定値以下の SN比の悪 、測定波形の部分に 表示部 60上でマーカ(図示せず)を移動させて、当該マーカ位置での SN比に応じ てアツテネータ値を自動的に最適値に変更して測定を行うことにより、当該マーカ位 置の部分で SN比を改善して結果的に所定値以上の SN比の良い測定波形を自動 的に観測することができるようにすることが要望されて 、る。
[0048] しかるに、図 9に示す従来の光パルス試験器 (OTDR) 49では、リアルタイム測定に おいて、上述したような幾多の問題もあって、この種の要望に応じることは極めて困 難であると!/、のが実情である。
特許文献 1 :特開平 04— 158237号公報
非特干文献 1: BacKscattenng Measurement and Fault Location m O ptical Fibers"Kenji OKADA et al. THE TRANSACTION OF THE IECE JAPAN . VOL. E 63. NO. 2. ABSTRACTS FEBRUARY 1980 ppl45- 146
発明の開示
[0049] 本発明の目的は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、リアルタイム測定に
おいて、表示部に表示させる測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め 設定される有効測定レベル範囲内にある力否かの判定結果に基づいて、アツテネー タ値を最適値に設定して被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、マーカを 目的位置に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状 態で行うことができるようにすると共に、被測定光ファイバの状態変化に伴うレベル変 動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易 に測定を行うことができるようにしたォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パ ルスを用いる光ファイバの試験方法を提供することである。
本発明の第 1の態様によれば、上記目的を達成するために、
被測定光ファイバ(61)に入射させる光パルスを出射する光源(54)と、
前記光源 (54)から出射される光パルスに応じて、前記被測定光ファイバ(61)から 戻ってくる後方散乱光を受光する受光部 (56)と、
前記受光部(56)からの出力信号を所定の利得で増幅する増幅部(57)と、該増幅 部(57)によって増幅された出力信号を所定回数加算して平均化処理する平均加算 処理部(58)とから構成される等価的なアツテネータ (ATT) (11)と、
前記等価的なアツテネータ (ATT) ( 11)からの出力信号を対数変換する対数変換 部(59)と、
前記対数変換部(59)力 の出力信号を波形データとして記憶する波形メモリ(62) と、
前記波形メモリ (62)に記憶された波形データを測定波形として画面上に表示する 表示部(60)と、
前記表示部(60)の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを設定すると 共に、当該マーカの設定位置を移動可能とするマーカ設定部 (63)と、
前記マーカ設定部(63)によって前記表示部(60)の画面上における測定波形上 に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価 的なアツテネータ (ATT) (11)を構成する前記増幅部(57)の利得 aと前記平均加算 処理部(58)の加算回数 mの組合わせ力もなるリアルタイム測定のための複数のアツ テネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数のアツテネータ (ATT)値設定条件毎に
予め設定される有効測定レベル範囲( Δ Li)を記憶するアツテネータ (ATT)値設定 条件記憶部 (6)と、
前記表示部(60)の画面上に表示される測定波形上に前記マーカ設定部(63)に よって移動可能に設定される前記マーカの設定位置における波形レベルを前記波 形メモリ(62)に記憶された波形データ力 取得するマーカレベル取得部(5)と、 前記マーカレベル取得部(5)によって取得された前記マーカの設定位置における 波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて ヽる前 記有効測定レベル範囲( Δ )内にある力否かを判定するレベル比較部(8)と、 前記レベル比較部(8)により、前記マーカレベル取得部(5)によって取得された波 形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて ヽる前記 有効測定レベル範囲(Δ Li)内にないと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT) 値設定条件の変更を決定するアツテネータ (ATT)値変更判定部(9)と、
前記アツテネータ (ATT)値変更判定部(9)からの変更決定を受けて、前記アツテ ネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて 、る前記アツテネータ (ATT)値 設定条件を前記マーカレベル取得部(5)によって取得された前記マーカの設定位 置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲( A Li)内に含まれる新たなアツ テネータ (ATT)値設定条件に変更するアツテネータ (ATT)値設定条件変更部(7) と、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて 、る変更しな力つた 前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たなアツテネータ (ATT M直設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定するアツテネータ (A TT)値設定部(10)と、
前記アツテネータ (ATT)値設定部(10)によって前記等価的なアツテネータ (ATT ) (11)に設定される前記アツテネータ (ATT)値設定条件に基づいて前記被測定光 ファイバ (61)に対する測定を行わせることにより、前記波形メモリ (62)に記憶された 波形データを読み出して前記表示部(60)の画面上に逐次表示することにより、前記 測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とする制御部(3)とを具備し
前記マーカ設定部(63)によって前記表示部(60)の画面上に設定される測定位置 指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲( Δ Li) 内にある力否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に 設定するアツテネータ (ATT)値を最適値に設定して前記被測定光ファイバ(61)に 対する測定を行うことにより、前記マーカ設定部(63)によって前記マーカを目的位置 に移動するだけで前記表示部(60)の画面上に表示される前記波形データに基づ!/、 て所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことを可能とする ォプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。
[0051] また、本発明の第 2の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカ設定部(63)によって、前記表示部(60)の画面上における測定波形上 の第 1の位置に設定されているマーカ(1)が前記測定波形上で所定値以下の SN比 の悪い第 2の位置に移動されたとき、前記第 2の位置におけるマーカ(1)に対応する アツテネータ (ATT)値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバ (61)に 対する測定を行うことにより、前記表示部(60)の画面上に表示される前記波形デー タに基づいて前記第 2の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うこ とを可能とする第 1の態様に従うォプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される
[0052] また、本発明の第 3の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカ設定部(63)によって、前記表示部(60)の画面上における測定波形上 に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とす るマーカを指定するマーカ指定部(2)をさらに具備し、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)には、前記マーカ設定部(63)に よって前記表示部(60)の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの 設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアツテネータ (ATT) (1 1)を構成する前記増幅部(57)の利得 aと前記平均加算処理部(58)の加算回数 m の組合わせ力もなるリアルタイム測定のための複数のアツテネータ (ATT)値設定条 件、及び、該複数のアツテネータ (ATT)値設定条件毎に予め設定される有効測定 レベル範囲( Δ Li)が記憶されており、
前記マーカレベル取得部(5)は、前記マーカ設定部(63)によって前記表示部(60 )の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記マーカ指定 部(2)によって指定された測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベル を前記波形メモリ (62)に記憶された波形データ力 取得し、
前記レベル比較部(8)は、前記マーカレベル取得部(5)によって取得される前記 測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT )値設定条件記憶部(6)に記憶されて 、る前記測定対象とするマーカの設定位置に 対応する有効測定レベル範囲( A Li)内にあるか否かを判定し、
前記アツテネータ (ATT)値変更判定部(9)は、前記レベル比較部(8)により、前記 測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT )値設定条件記憶部(6)に記憶されて ヽる前記測定対象とするマーカに対応する有 効測定レベル範囲(Δ Li)内にないと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT)値 設定条件の変更を決定し、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件変更部(7)は、前記アツテネータ (ATT)値変 更判定部(9)からの変更決定を受けて、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶 部(6)に記憶されて 、るアツテネータ (ATT)値設定条件を前記マーカレベル取得部 (5)によって取得された前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レべ ルが前記有効測定レベル範囲( Δ Li)内に含まれる新たなアツテネータ (ATT)値設 定条件に変更し、
前記アツテネータ (ATT)値設定部(10)は、前記測定対象とするマーカに対応して 前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて 、る変更しな力つた前 記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たなアツテネータ (ATT) 値設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定し、
前記制御部(3)は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アツテネータ (ATT )直設定部(10)によって前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定される前記 アツテネータ (ATT)値設定条件に基づ!/、て前記被測定光ファイバ(61)に対する測 定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ (62) に記憶された波形データを前記表示部(60)の画面上に逐次表示することにより、前
記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とし、
前記測定対象とするマーカに対応して前記アツテネータ (ATT)値設定部(10)に よって前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定された前記アツテネータ (ATT )値設定条件に基づ 、た測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応す る各波形データを前記波形メモリ (62)力 読み出して合成し、合成された各波形デ ータを前記表示部(60)の画面上に表示させる波形合成部 (4)をさらに具備し、 前記マーカ設定部(63)によって前記表示部(60)の画面上に設定される測定位置 指定手段である複数のマーカのそれぞれの各波形レベルが予め設定される有効測 定レベル範囲( Δ )内にある力否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアツテ ネータ (ATT) (11)に設定するアツテネータ (ATT)値を前記複数のマーカのそれぞ れに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバ(61)に対する測定を繰 返すことにより、前記表示部(60)の画面上に表示される前記合成された各波形デー タに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良 い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバ(61)の状態変化に伴う レベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であつ ても容易に測定を行うこと可能とする第 1の態様に従うォプチカルタイムドメインリフレ タトメータが提供される。
また、本発明の第 4の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカ設定部(63)によって前記表示部(60)の画面上における測定波形上 に設定される複数のマーカ力 前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に 設定される第 1のマーカ(1)と、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置 に設定される第 2のマーカ(2)とを含むとき、前記第 1のマーカ(1)及び第 2のマーカ (2)に対応する各アツテネータ (ATT)値設定条件を順次設定して前記被測定光フ アイバ(61)に対する測定を繰返すことにより、前記表示部(60)の画面上に表示され る前記合成された各波形データに基づ ヽて前記フレネル反射の直前の波形レベル と、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上の SN比の良い状態で同時に 観測を行うこと可能とする第 3の態様に従うォプチカルタイムドメインリフレクトメータが 提供される。
[0054] また、本発明の第 5の態様によれば、上記目的を達成するために、 前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度 Nimaxを記 憶した測定頻度記憶部(14)をさらに具備し、
前記測定頻度記憶部(14)に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応す る前記測定頻度 Nimaxに基づ ヽて、前記測定対象とするマーカに対応する前記ァ ッテネータ (ATT)値設定条件により当該マーカに対する測定を繰り返し行った後、 前記測定頻度記憶部(14)に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する 前記測定頻度 Nimaxに基づ 、て、次の測定対象とするマーカに対応する前記アツ テネータ (ATT)値設定条件によりそのマーカに対する測定を繰り返し行う第 3の態 様に従うォプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。
[0055] また、本発明の第 6の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカレベル取得部(5)によって取得された前記測定対象とするマーカに対 応する波形レベルの変動を検出するレベル変動検出部(12)と、
前記レベル変動検出部(12)によって検出される前記測定対象とするマーカに対 応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部(14)に記憶されてい る該マーカに対応した測定頻度を変更する測定頻度設定部(13)とをさらに具備する 第 5の態様に従うォプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。
[0056] また、本発明の第 7の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記波形合成部 (4)は、繰返し測定された波形データのうち前記測定対象とする マーカに対応する前記有効測定レベル範囲( Δ Π)内に含まれる波形レベルの波形 データのみを選択して、測定波形の合成を行う第 3乃至第 6の態様に従うォプチカル タイムドメインリフレクトメータが提供される。
[0057] また、本発明の第 8の態様によれば、上記目的を達成するために、
被測定光ファイバ(61)に光パルスを入射させるステップと、
前記被測定光ファイバ (61)から戻ってくる後方散乱光を受光して電気信号に変換 するステップと、
前記電気信号を増幅部(57)によって所定の利得で増幅するステップと、 前記増幅部(57)によって増幅された出力信号を前記増幅部(57)と共に等価的な
アツテネータ (ATT) (11)を構成する平均加算処理部(58)によって所定回数加算し て平均化処理するステップと、
前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)力もの出力信号を対数変換部(59)によつ て対数変換するステップと、
前記対数変換部(59)力 の出力信号を波形データとして波形メモリ(62)に記憶 するステップと、
前記波形メモリ (62)に記憶された波形データを測定波形として表示部(60)の画面 上に表示するステップと、
前記表示部(60)の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを移動可能に 設定するステップと、
前記表示部(60)の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位 置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)を構 成する前記増幅部(57)の利得 aと前記平均加算処理部(58)の加算回数 mの組合 わせ力もなるリアルタイム測定のための複数のアツテネータ (ATT)値設定条件、及 び、該複数のアツテネータ (ATT)値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル 範囲( Δ Li)をアツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶するステップと、 前記表示部(60)の画面上に表示される測定波形上に任意に設定されるマーカの 設定位置における波形レベルを前記波形メモリ(62)に記憶された波形データから取 得するステップと、
前記波形メモリ (62)に記憶された波形データから取得される前記マーカの設定位 置における波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶さ れて 、る前記有効測定レベル範囲( Δ Li)内にあるか否かを判定するステップと、 前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条 件記憶部(6)に記憶されて ヽる前記有効測定レベル範囲( Δ Li)内にな ヽと判定さ れたときに、前記アツテネータ (ATT)値設定条件の変更を決定するステップと、 前記アツテネータ (ATT)値設定条件の変更決定を受けて、前記アツテネータ (AT T)値設定条件記憶部(6)に記憶されて ヽるアツテネータ (ATT)値設定条件を前記 マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲( Δ )内に含ま
れる新たなアツテネータ (ATT)値設定条件に変更するステップと、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて 、る変更しな力つた 前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たなアツテネータ (ATT M直設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定するステップと、 前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定された前記アツテネータ (ATT)値 設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ(61)に対する測定を行わせることにより 、前記波形メモリ (62)に記憶された波形データを読み出して前記表示部(60)の画 面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測 定を可能とするステップとを具備し、
前記表示部(60)の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レ ベルが予め設定される有効測定レベル範囲( Δ )内にあるか否かの判定結果に基 づいて、前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定するアツテネータ (ATT)値 を最適値に設定して前記被測定光ファイバ(61)に対する測定を行うことにより、前記 マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部(60)の画面上に表示される前記波 形データに基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行 うことを可能とする光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。
[0058] また、本発明の第 9の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記表示部(60)の画面上における測定波形上の第 1の位置に設定されているマ 一力(1)が前記測定波形上で所定値以下の SN比の悪い第 2の位置に移動されたと き、前記第 2の位置におけるマーカ(1)に対応するアツテネータ (ATT)値設定条件 を最適値に設定して前記被測定光ファイバ(61)に対する測定を行うことにより、前記 表示部(60)の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記第 2の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことを可能とする第 8の 態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。
[0059] また、本発明の第 10の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記表示部(60)の画面上に表示される測定波形上に複数のマーカが任意に設定 されたとき、前記複数のマーカの中力 測定対象とするマーカを指定するステップを さらに具備し、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)には、前記表示部(60)の画面上 における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置に対応して予め設定さ れるもので、前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)を構成する前記増幅部(57)の 利得 (a)と前記平均加算処理部(58)の加算回数 (m)の組合わせ力もなるリアルタイ ム測定のための複数のアツテネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数のアツテネー タ (ATT)値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲( Δ Li)が記憶されて おり、
前記マーカの設定位置における波形レベルを取得するステップは、前記表示部(6 0)の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中力 前記測定対象 とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリ(62)に記憶された 波形データから取得し、
前記マーカの波形レベルを判定するステップは、前記測定対象とするマーカの設 定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に 記憶されて ヽる前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲( Δ Li) 内にあるカゝ否かを判定し、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件の変更を決定するステップは、前記測定対象 とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定 条件記憶部(6)に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レ ベル範囲( Δ Li)内にな ヽと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT)値設定条件 の変更を決定し、
前記アツテネータ (ATT)値設定条件を変更するステップは、前記アツテネータ (A TT)値設定条件の変更決定を受けて、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 (6)に記憶されて ヽる前記アツテネータ (ATT)値設定条件を前記測定対象とするマ 一力の設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲( Δ Π)内に含ま れる新たなアツテネータ (ATT)値設定条件に変更し、
前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定するステップは、前記測定対象とす るマーカに対応して前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて ヽ る変更しな力つた前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たなァ
ッテネータ (ATT)値設定条件を設定し、
前記リアルタイム測定を可能とするステップは、前記測定対象とするマーカに対応 して前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定される前記アツテネータ (ATT) 値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ(61)に対する測定を行わせることによ り、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ (62)に記憶された波形デ ータを前記表示部(60)の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を 逐次更新するリアルタイム測定を可能とし、
前記測定対象とするマーカに対応して前記アツテネータ (ATT)値設定部(10)に よって前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定された前記アツテネータ (ATT )値設定条件に基づ 、た測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応す る各波形データを前記波形メモリ (62)力 読み出して合成し、合成された各波形デ ータを前記表示部(60)の画面上に表示させるステップをさらに具備し、
前記表示部(60)の画面上に表示させる測定位置指定手段である複数のマーカの それぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲( A Li)内にあるカゝ否 かの判定結果に基づいて、前記等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定するアツ テネータ (ATT)値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定し て前記被測定光ファイバ(61)に対する測定を繰返すことにより、前記表示部(60)の 画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所 望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことを可能とすると共 に、前記被測定光ファイバ(61)の状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、 測定波形のレベル差が大き 、反射減衰量であっても容易に測定を行うことを可能と する第 8の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。
また、本発明の第 11の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記表示部(60)の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカが、前 記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第 1のマーカ(1)と、 前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第 2のマーカ(2)と を含むとき、前記第 1のマーカ(1)及び第 2のマーカ(2)に対応する各アツテネータ( ATT)値設定条件を順次設定して前記被測定光ファイバ (61)に対する測定を繰返
すことにより、前記表示部(60)の画面上に表示される前記合成された各波形データ に基づ!/ヽて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレ ベルとを所定値以上の SN比の良い状態で同時に観測を行うことを可能とする第 10 の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。
[0061] また、本発明の第 12の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度 (Nimax)を 測定頻度記憶部(14)に記憶するステップをさらに具備し、
前記測定頻度記憶部(14)に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応す る前記測定頻度 (Nimax)に基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記 アツテネータ (ATT)値設定条件により当該マーカに対する連続繰り返し測定を行つ た後、前記測定頻度記憶部(14)に記憶されている次の測定対象とするマーカに対 応する前記測定頻度 Nimaxに基づ ヽて、次の測定対象とするマーカに対応する前 記アツテネータ (ATT)値設定条件によりそのマーカに対する連続繰り返し測定を行 う第 10の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。
[0062] また、本発明の第 13の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するステップと、 前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測 定頻度記憶部(14)に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更するステ ップとをさらに具備する第 12の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が 提供される。
[0063] また、本発明の第 14の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記合成された各波形データを前記表示部(60)の画面上に表示させるステップ は、前記繰返し測定される波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する 前記有効測定範囲( A Li)内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、 測定波形の合成を行う第 12の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が 提供される。
[0064] 以上のような本発明の第 1の態様によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及 び本発明の第 8の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、リア
ルタイム測定にぉ 、て、表示部(60)の画面上に設定される測定位置指定手段であ るマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にある力否かの判 定結果に基づいて、等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設定するアツテネータ (A TT)値を最適値に設定して被測定光ファイバ (61)に対する測定を行うことにより、前 記マーカを目的位置に移動するだけで表示部(60)の画面上に表示される前記波形 データに基づ 、て所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良 、状態で行う ことが可能となる。
[0065] また、以上のような本発明の第 2の態様によるォプチカルタイムドメインリフレクトメー タ及び本発明の第 9の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、 リアルタイム測定において、測定波形上の第 1の位置に設定されているマーカが測 定波形上で所定値以下の SN比の悪い第 2の位置に移動されたとき、前記第 2の位 置におけるマーカに対応するアツテネータ (ATT)値設定条件を最適値に設定して 被測定光ファイバ(61)に対する測定を行うことにより、表示部(60)の画面上に表示 される前記合成された各波形データに基づいて前記第 2の位置の波形観測を所定 値以上の SN比の良い状態で行うことが可能となる。
[0066] また、以上のような本発明の第 3の態様によるォプチカルタイムドメインリフレクトメー タ及び本発明の第 10の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば 、リアルタイム測定において、表示部(60)の画面上に設定される測定位置指定手段 である複数のマーカのそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範 囲内にある力否かの判定結果に基づいて、等価的なアツテネータ (ATT) (11)に設 定するアツテネータ (ATT)値を最適値に順次設定して被測定光ファイバ(61)に対 する測定を繰返すことにより、表示部(60)の画面上に表示される合成された各波形 データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比 の良い状態で行うことが可能となる。
[0067] また、以上のような本発明の第 4の態様によるォプチカルタイムドメインリフレクトメー タ及び本発明の第 11の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば 、リアルタイム測定において、特に、フレネル反射の直前の波形レベルと、フレネル反 射の頂点のレベルとを所定値以上の SN比の良い状態で同時に観測することができ
ると共に、反射減衰量の変化をほぼリアルタイムで観察することができる。
[0068] その結果、本発明のォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の光パル スを用いる光ファイバの試験方法によれば、測定対象のレベル差の大きい反射減衰 量の測定をリアルタイムで容易に行なうことができる。
[0069] し力も、本発明のォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の光パルスを 用いる光ファイバの試験方法によれば、リアルタイム測定時に、測定者が波形のレべ ルに合わせて手動でアツテネータ (利得や減衰量など)を適宜調節する必要も無ぐ 測定者が必要に応じていずれかのマーカを表示画面上の目的位置に移動するだけ で所望の位置の波形を所定値以上の SN比で観測することができる。
[0070] また、以上のような本発明の第 6の態様によるォプチカルタイムドメインリフレクトメー タ及び本発明の第 13の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば 、リアルタイム測定において、複数のマーカに対するそれぞれのアツテネータを設定 する際に、マーカで指定された波形位置のレベルの変動に応じて測定頻度を変更で きるようにして、マーカで指定された波形位置のレベル変動が小さ 、場合は測定頻 度を下げ、レベル変動が大きい場合は測定頻度を一時的に上げることで、より迅速 に測定波形の変化を捉えやすくなる。
図面の簡単な説明
[0071] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及 び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器 (OTDR) の構成を説明するために示すブロック図である。
[図 2]図 2は、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータの測定レベル変更機能の 動作を説明するために示すフローチャートである。
[図 3]図 3は、図 2におけるマーカ位置にレベルを合わせた測定の動作を説明するた めに示すフローチャートである。
[図 4A]図 4Aは、図 2におけるマーカ番号 iの変更有無判別処理の動作の一例を説 明するために示すフローチャートである。
[図 4B]図 4Bは、図 2におけるマーカ番号 iの変更有無判別処理の動作の他の例を説 明するために示すフローチャートである。
[図 4C]図 4Cは、図 2におけるマーカ番号 iの変更有無判別処理の動作のさらに別の 例を説明するために示すフローチャートである。
[図 5A]図 5Aは、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測 定の一例を説明するために示す図である。
[図 5B]図 5Bは、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測 定の一例を説明するために示す図である。
[図 5C]図 5Cは、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測 定の他の例を説明するために示す図である。
[図 5D]図 5Dは、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測 定の他の例を説明するために示す図である。
[図 5E]図 5Eは、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測 定の他の例を示す図である。
[図 6]図 6は、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータにおいて測定波形上に 複数のマーカを設定したときの表示画面を説明するために示す図である。
[図 7]図 7は、図 1のォプチカルタイムドメインリフレクトメータにおいてアツテネータ(A
TT)値設定条件記憶部の内容の一例を説明するために示す図である。
[図 8]図 8は、図 6の測定波形上に設定された各マーカ毎の測定頻度 Nimaxの一例 を説明するために示す図である。
[図 9]図 9は、特許文献 1に開示される従来の光パルス試験器 (OTDR)の構成を説 明するために示すブロック図である。
圆 10]図 10は、非特許文献 1に開示される平均回数と SN比との関係を説明するた めに示す図である。
[図 11]図 11は、従来の光パルス試験器 (OTDR)を用いてアベレージ測定によって レベル差の大きい反射減衰量の測定を行ったときの測定波形の一例を説明するた めに示す図である。
[図 12]図 12は、従来の光パルス試験器 (OTDR)を用いたリアルタイム測定において 、フレネル反射光のピーク位置にアツテネータを合わせたときの測定波形の一例を説 明するために示す図である。
[図 13]図 13は、従来の光パルス試験器 (OTDR)を用いたリアルタイム測定にお!、て 、フレネル反射光の直前の位置にアツテネータを合わせたときの測定波形の一例を 説明するために示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0072] 以下、本発明によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる 光ファイバの試験方法についての実施の形態を図面を参照しながら具体的に説明 する。
[0073] 図 1は、本発明の一実施形態によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光 パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器 (OTDR)の構 成を説明するために示すブロック図である。
[0074] (基本的な構成)
まず、図 1に示すように、本発明によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、 基本的な構成として、被測定光ファイバ 61に入射させるための光ノ ルスを出射する 光源 54と、前記光源 54から出射される光パルスに応じて、前記被測定光ファイバ 61 から戻ってくる後方散乱光を受光する受光部 56と、前記受光部 56からの出力信号を 所定の利得で増幅する増幅部 57と、該増幅部 57によって増幅された出力信号を所 定回数加算して平均化処理する平均加算処理部 58とから構成される等価的なアツ テネータ (ATT) 11と、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11からの出力信号を対数 変換する対数変換部 59と、前記対数変換部 59からの出力信号を波形データとして 記憶する波形メモリ 62と、前記波形メモリ 62に記憶された波形データを測定波形とし て画面上に表示する表示部 60と、前記表示部 60の画面上に表示される測定波形上 に任意にマーカを設定すると共に、当該マーカの設定位置を移動可能とするマーカ 設定部 63と、前記マーカ設定部 63によって前記表示部 60の画面上における測定 波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前 記等価的なアツテネータ (ATT) 11を構成する前記増幅部 57の利得 aと前記平均カロ 算処理部 58の加算回数 mの組合わせ力 なるリアルタイム測定のための複数のアツ テネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数のアツテネータ (ATT)値設定条件毎に 予め設定される有効測定レベル範囲 Δ Liを記憶するアツテネータ (ATT)値設定条
件記憶部 6と、前記表示部 60の画面上に表示される測定波形上に前記マーカ設定 部 63によって任意に設定されるマーカの設定位置における波形レベルを前記波形 メモリ 62に記憶された波形データ力 取得するマーカレベル取得部 5と、前記マーカ レベル取得部 5によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前 記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶されて ヽる前記有効測定レベル 範囲 Δ Li内にある力否かを判定するレベル比較部 8と、前記レベル比較部 8により、 前記マーカレベル取得部(5)によって取得された波形レベルが前記アツテネータ (A TT)値設定条件記憶部(6)に記憶されて ヽる前記有効測定レベル範囲 Δ Li内にな Vヽと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT)値設定条件の変更を決定するアツ テネータ (ATT)値変更判定部 9と、前記アツテネータ (ATT)値変更判定部 9からの 変更決定を受けて、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶されて ヽる 前記アツテネータ (ATT)値設定条件を前記マーカレベル取得部 5によって取得され た前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲 Δ Li内に 含まれる新たなアツテネータ (ATT)値設定条件に変更するアツテネータ (ATT)値 設定条件変更部 7と、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶されてい る変更しな力つた前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たなァ ッテネータ (ATT)値設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定するァ ッテネータ (ATT)値設定部 10と、前記アツテネータ (ATT)値設定部 10によって前 記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定される前記アツテネータ (ATT)値設定条 件に基づいて前記被測定光ファイバ 61に対する測定を行わせることにより、前記波 形メモリ 62に記憶された波形データを読み出して前記表示部 60の画面上に逐次表 示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とす る制御部 3とを具備し、前記マーカ設定部 63によって前記表示部 60の画面上に設 定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定 レベル範囲 Δ Li内にある力否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定するアツテネータ (ATT)値を最適値に設定して前記被測定光ファ ィバ 61に対する測定を行うことにより、前記マーカ設定部 63によって前記マーカを目 的位置に移動するだけで前記表示部 60の画面上に表示される前記波形データに基
づいて所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことが可能と なる。
[0075] すなわち、このようなォプチカルタイムドメインリフレクトメータの基本的な構成では、 マーカ設定部 63によって設定されるマーカが一つ以上である場合を含んでいる。
[0076] この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカ設定 部 63によって、前記測定波形上の第 1の位置に設定されたマーカ 1が前記測定波形 上で所定値以下の SN比の悪い第 2の位置に移動されたとき、前記第 2の位置にお けるマーカ 1に対応するアツテネータ (ATT)値設定条件を最適値に設定して前記被 測定光ファイバ 61に対する測定を行うことにより、前記表示部 60の画面上に表示さ れる測定波形に基づ 、て前記第 2の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良 ヽ 状態で行うことが可能となる。
[0077] そして、本発明のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、マーカ設定部 63によ つて設定されるマーカが二つ以上の複数である場合を含んでいる。
[0078] この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカ設定 部 63によって前記測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数 のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するマーカ指定部 2をさらに具備して いる。
[0079] そして、この場合、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6には、前記マーカ 設定部 63によって前記表示部 60の画面上における測定波形上に設定される複数 のマーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアツテネー タ (ATT) 11を構成する前記増幅部 57の利得 aと前記平均加算処理部 58の加算回 数 mの組合わせカゝらなるリアルタイム測定のための複数のアツテネータ ATT値設定 条件、及び、該複数のアツテネータ (ATT)値設定条件毎に予め設定される有効測 定レベル範囲 Δ Liが記憶されて!、る。
[0080] また、前記マーカレベル取得部 5は、前記マーカ設定部 63によって前記表示部 60 の画面上における前記測定波形上に設定される複数のマーカの中力 前記マーカ 指定部 2によって指定された測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レべ ルを前記波形メモリ 62に記憶された波形データ力 取得するようになされて 、る。
[0081] また、前記レベル比較部 8は、前記マーカレベル取得部 5によって取得される前記 測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT )値設定条件記憶部 6に記憶されて 、る前記測定対象とするマーカの設定位置に対 応する有効測定レベル範囲 Δ Li内にあるか否かを判定するようになされて 、る。
[0082] また、前記アツテネータ (ATT)値変更判定部 9は、前記レベル比較部 8により、前 記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (A TT)値設定条件記憶部 6に記憶されて ヽる前記測定対象とするマーカに対応する有 効測定レベル範囲 Δ Li内にないと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT)値設 定条件の変更を決定するようになされて 、る。
[0083] また、前記アツテネータ (ATT)値設定条件算出部 7は、前記アツテネータ (ATT) 値変更判定部 9からの変更決定を受けて、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記 憶部 6に記憶されて 、るアツテネータ (ATT)値設定条件を前記マーカレベル取得部 5によって取得された前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベル が前記有効測定レベル範囲 Δ Li内に含まれる新たなアツテネータ (ATT)値設定条 件に変更するようになされて 、る。
[0084] また、前記アツテネータ (ATT)値設定部 10は、前記測定対象とするマーカに対応 して前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶されて ヽる変更しなカゝつた 前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たなアツテネータ (ATT )値設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定するようになされて!、る
[0085] また、前記制御部 3は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アツテネータ (A TT)値設定部 10によって前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定される前記ァ ッテネータ (ATT)値設定条件に基づ!/、て前記被測定光ファイバ 61に対する測定を 行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ 62に記憶 された波形データを前記表示部 60の画面上に逐次表示することにより、前記測定波 形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とするようになされて 、る。
[0086] なお、この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記測定 対象とするマーカに対応して前記アツテネータ (ATT)値設定部 10によって前記等
価的なアツテネータ (ATT) 11に設定された前記アツテネータ (ATT)値設定条件に 基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データ を前記波形メモリ 62から読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部 60の画面上に表示させる波形合成部 4をさらに具備している。
[0087] そして、この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、前記マーカ設定部 6 3によって前記表示部 60の画面上に設定される測定位置指定手段である複数のマ 一力のそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲 Δ Li内にある か否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定するァ ッテネータ (ATT)値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定 して前記被測定光ファイバ 61に対する測定を繰返すことにより、前記表示部 60の画 面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望 の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことを可能とすると共に、 前記被測定光ファイバ 61の状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定 波形のレベル差が大き 、反射減衰量であっても容易に測定を行うこと可能とする。
[0088] この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカ設定 部 63によって前記測定波形上に設定される複数のマーカ力 前記測定波形におけ るフレネル反射の直前の位置に設定される第 1のマーカ 1と、前記測定波形における フレネル反射の頂点の位置に設定される第 2のマーカ 2とを含むとき、前記第 1のマ 一力 1及び第 2のマーカ 2に対応する各アツテネータ (ATT)値設定条件を順次設定 して前記被測定光ファイバ 61に対する測定を繰返すことにより、前記表示部 60の画 面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記フレネル反射の直 前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上の SN比の良 い状態で同時に観測を行うことを可能とする。
[0089] また、この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記複数 のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度 Nimaxを記憶した測定 頻度記憶部 14をさらに具備し、前記測定頻度記憶部 14に記憶されている前記測定 対象とするマーカに対応する前記測定頻度 Nimaxに基づ 、て、前記測定対象とす るマーカに対応する前記アツテネータ (ATT)値設定条件により当該マーカに対する
連続繰り返し測定を行った後、前記測定頻度記憶部 14に記憶されて 、る次の測定 対象とするマーカに対応する前記測定頻度 Nimaxに基づ 、て、次の測定対象とす るマーカに対応する前記アツテネータ (ATT)値設定条件によりそのマーカに対する 測定を繰り返し行う。
[0090] また、この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マー カレベル取得部 5によって取得された前記測定対象とするマーカに対応する波形レ ベルの変動を検出するレベル変動検出部 12と、前記レベル変動検出部 12によって 検出される前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて 前記測定頻度記憶部 14に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更する 測定頻度設定部 13とをさらに具備する。
[0091] また、この場合のォプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記波形 合成部 4が、繰返し測定された波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応 する前記有効測定レベル範囲 Δ Li内に含まれる波形レベルの波形データのみを選 択して、測定波形の合成を行う。
[0092] 次に、図 1に示すように、本発明による光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、 基本的な構成として、被測定光ファイバ 61に光パルスを入射させるステップと、前記 被測定光ファイバ 61から戻ってくる後方散乱光を受光して電気信号に変換するステ ップと、前記電気信号を増幅部 57によって所定の利得で増幅するステップと、前記 増幅部 57によって増幅された出力信号を前記増幅部 57と共に等価的なアツテネー タ (ATT) 11を構成する平均加算処理部 58によって所定回数加算して平均化処理 するステップと、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11からの出力信号を対数変換部 59によって対数変換するステップと、前記対数変換部 59からの出力信号を波形デ ータとして波形メモリ 62に記憶するステップと、前記波形メモリ 62に記憶された波形 データを測定波形として表示部 60の画面上に表示するステップと、前記表示部 60の 画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを移動可能に設定するステップと、 前記表示部 60の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置 毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11を構成す る前記増幅部 57の利得 aと前記平均加算処理部 58の加算回数 mの組合わせ力もな
るリアルタイム測定のための複数のアツテネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数 のアツテネータ (ATT)値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲( Δ Li) をアツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶するステップと、前記表示部 60の 画面上に表示される測定波形上に任意に設定されるマーカの設定位置における波 形レベルを前記波形メモリ 62に記憶された波形データから取得するステップと、前記 波形メモリ 62に記憶された波形データ力 取得される前記マーカの設定位置におけ る波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶された前記有 効測定レベル範囲 Δ Li内にある力否かを判定するステップと、前記マーカの設定位 置における波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶され ている前記有効測定レベル範囲 Δ Li内にないと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT)値設定条件の変更を決定するステップと、前記アツテネータ (ATT)値設定 条件の変更決定を受けて、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6)に記憶さ れて 、るアツテネータ (ATT)値設定条件を前記マーカの設定位置における波形レ ベルが前記有効測定レベル範囲 Δ Li内に含まれる新たなアツテネータ (ATT)値設 定条件に変更するするステップと、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に 記憶されて 、る変更しな力つた前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した 前記新たなアツテネータ (ATT)値設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) 11 に設定するステップと、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定された前記アツ テネータ (ATT)値設定条件に基づ!/、て前記被測定光ファイバ 61に対する測定を行 わせることにより、前記波形メモリ (62)に記憶された波形データを読み出して前記表 示部 60の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリ アルタイム測定を可能とするステップとを具備し、前記表示部 60の画面上に表示させ る測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル 範囲 Δ Li内にある力否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアツテネータ (ATT ) 11に設定するアツテネータ (ATT)値を最適値に設定して前記被測定光ファイバ 6 1に対する測定を行うことにより、前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示 部 60の画面上に表示される前記波形データに基づいて所望の位置の波形観測を 所定値以上の SN比の良い状態で行うことが可能となる。
[0093] すなわち、このような光パルスを用いる光ファイバの試験方法の基本的な構成では 、前記測定波形上に設定されるマーカが一つ以上である場合を含んでいる。
[0094] この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定波形 上の第 1の位置に設定されているマーカ 1が前記測定波形上で所定値以下の SN比 の悪い第 2の位置に移動されたとき、前記第 2の位置におけるマーカ 1に対応するァ ッテネータ (ATT)値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバ 61に対す る測定を行うことにより、前記表示部 60の画面上に表示される前記波形データに基 づいて前記第 2の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことが可 能となる。
[0095] そして、本発明の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、前記測定波形上に 設定されるマーカが二つ以上の複数である場合を含んでいる。
[0096] この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定波形 上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象と するマーカを指定するステップをさらに具備している。
[0097] そして、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6には、前記表示部 60の画面 上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置に対応して予め設定 されるもので、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11を構成する前記増幅部 57の利 得 aと前記平均加算処理部 58の加算回数 mの組合わせ力もなるリアルタイム測定の ための複数のアツテネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数のアツテネータ (ATT )値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲 Δ Liが記憶されて 、る。
[0098] また、前記マーカの設定位置における波形レベルを取得するステップは、前記表 示部 60の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中力 前記測定 対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリ 62に記憶され た波形データから取得するようになされて 、る。
[0099] また、前記マーカの波形レベルを判定するステップは、前記測定対象とするマーカ の設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6 に記憶されて 、る前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲 Δ Li 内にあるカゝ否かを判定するようになされて!ヽる。
[0100] また、前記アツテネータ (ATT)値設定条件の変更を決定するステップは、前記測 定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アツテネータ (ATT) 値設定条件記憶部(6)に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有 効測定レベル範囲 Δ Li内にないと判定されたときに、前記アツテネータ (ATT)値設 定条件の変更を決定するようになされて 、る。
[0101] また、前記アツテネータ (ATT)値設定条件を変更するステップは、前記アツテネー タ (ATT)値設定条件の変更決定を受けて、前記アツテネータ (ATT)値設定条件記 憶部 6に記憶されて ヽる前記アツテネータ (ATT)値設定条件を前記測定対象とする マーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲 Δ Li内に含ま れる新たなアツテネータ (ATT)値設定条件に変更するようになされて!、る。
[0102] また、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定するステップは、前記測定対象 とするマーカに対応して前記アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶されて V、る変更しな力つた前記アツテネータ (ATT)値設定条件または変更した前記新たな アツテネータ (ATT)値設定条件を前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定する ようになされている。
[0103] また、前記リアルタイム測定を可能とするステップは、前記測定対象とするマーカに 対応して前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定される前記アツテネータ (ATT M直設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ 61に対する測定を行わせることによ り、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ 62に記憶された波形デー タを前記表示部 60の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次 更新するリアルタイム測定を可能とするようになされて 、る。
[0104] なお、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測 定対象とするマーカに対応して前記アツテネータ (ATT)値設定部 10によって前記 等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定された前記アツテネータ (ATT)値設定条件 に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形デー タを前記波形メモリ 62から読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示 部 60の画面上に表示させるステップをさらに具備している。
[0105] そして、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、前記表示部 60の
画面上に表示させる測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの波形レべ ルが予め設定される有効測定レベル範囲 Δ Li内にあるか否かの判定結果に基づ!/、 て、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11に設定するアツテネータ (ATT)値を前記 複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバ 6 1に対する測定を繰返すことにより、前記表示部 60の画面上に表示される前記合成 された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値 以上の SN比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバ 61の 状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反 射減衰量であっても容易に測定を行うことを可能とする。
[0106] この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定波形 上に設定される複数のマーカ力 前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位 置に設定される第 1のマーカ 1と、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位 置に設定される第 2のマーカ 2とを含むとき、前記第 1のマーカ 1及び第 2のマーカ 2 に対応する各アツテネータ (ATT)値設定条件を順次設定して前記被測定光フアイ バ 61に対する測定を繰返すことにより、前記表示部 60の画面上に表示される前記 合成された各波形データに基づ 、て前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記 フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上の SN比の良い状態で同時に観測を 行うことを可能とする。
[0107] また、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記複数 のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度 Nimaxを測定頻度記憶 部 14に記憶するステップをさらに具備し、前記測定頻度記憶部 14に記憶されて ヽる 前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度 Nimaxに基づ ヽて、前記測定 対象とするマーカに対応する前記アツテネータ (ATT)値設定条件により当該マーカ に対する測定を繰り返し行った後、前記測定頻度記憶部 14に記憶されて 、る次の 測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度 Nimaxに基づ 、て、次の測定対象 とするマーカに対応する前記アツテネータ (ATT)値設定条件によりそのマーカに対 する測定を繰り返し行う。
[0108] また、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定
対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するステップと、前記測定対 象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部
14に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更するステップとをさらに具 備する。
[0109] また、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記合成 された各波形データを前記表示部 60の画面上に表示させるステップは、前記繰返し 測定される波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定レ ベル範囲 Δ Li内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、測定波形の 合成を行う。
[0110] (具体的な実施形態)
次に、図 1に基づいて、本発明によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ (OT DR)及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器 (O TDR)の具体的な実施形態につ!、て説明する。
[0111] 本発明によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファ ィバの試験方法が適用される具体的な実施形態としての光パルス試験器 (OTDR) 1 は、上述したような基本的な構成の説明から明らかなように、リアルタイム測定におい て、測定波形の表示画面上で測定者が指定するマーカの位置に連動して最適なァ ッテネータ (ATT)値を自動的に選択設定して所定値以上の SN比の良 、状態で測 定波形を観測することができるように測定レベルを変更する測定レベル変更機能を 備えている。
[0112] この測定レベル変更機能は、一つまたは二つ以上の複数のマーカに対してそれぞ れ最適なアツテネータを自動的に選択設定して所定値以上の SN比が得られるように 測定レベルを変更して測定し、一つのマーカの場合には測定レベルの変更の前後 の測定波形を表示する機能、二つ以上の複数のマーカの場合にはそれぞれの測定 波形を合成処理して表示する機能、さらには複数のマーカに対するそれぞれのアツ テネータ (ATT)値を設定する際に測定波形のレベル変動に応じて測定頻度に差を 持たせる機能を含んでいる。
[0113] そして、本発明によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用い
る光ファイバの試験方法が適用される具体的な実施形態としての光パルス試験器 (o
TDR) 1は、上記測定レベル変更機能を実現するため、図 1に示すように、図 9に示さ れる従来の光パルス試験器 (OTDR) 49の基本的な構成であるタイミング発生部 52 、駆動回路 53、光源 54、光方向性結合器 55、受光器 56、増幅部 57、加算平均処 理部 58、対数変換部 59、表示部 60に加えて、マーカ指定部 2、制御部 3、波形合成 部 4、マーカレベル取得部 5、アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6、アツテネー タ (ATT)値設定条件算出部 7、レベル比較部 8、アツテネータ (ATT)値変更判定部 9、アツテネータ (ATT)値設定部 10、レベル変動検出部 12、測定頻度設定部 13、 測定頻度記憶部 14、波形メモリ 62、マーカ設定部 63及び操作部 64を備えている。
[0114] この場合、操作部 64は、少なくともマーカ設定部 63、マーカ指定部 2、測定頻度記 憶部 14及びリアルタイム測定開始の指示に関連した操作部材が搭載されており、そ れらの操作部材の操作に応じて制御部 3を介して後述するようにマーカ設定部 63に よるマーカの設定、マーカ指定部 2によるマーカの指定、測定頻度記憶部 14に対す る測定頻度の設定及び光パルス試験器 (OTDR) 1によるリアルタイム測定開始を指 示するようになされて 、る。
[0115] また、制御部 3は、 CPU, ROM. RAM等を含んで構成され、本発明が適用される 光パルス試験器 (OTDR) 1による後述するようなリアルタイム測定のための自動的な 制御を含む光パルス試験器 (OTDR) 1全体の制御を司る。
[0116] なお、図 1において、図 9に示される従来の光パルス試験器(OTDR) 49と同じ構成 部分については同一の参照符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。
[0117] また、図 1において、前述したように、増幅部 57と平均加算処理部 58との組み合わ せを等価的なアツテネータ (ATT) 11と表現し、増幅部 57の利得 a及び周波数特性 を得られるハード設定と平均加算処理部 58で実行される平均加算回数 mとの組み 合わせをアツテネータ (ATT)値と表現して 、る。
[0118] 具体的には、光源 54から出射された光パルスは、光方向性結合器 55を通過した 後、被測定光ファイバ 61に入射される。
[0119] そして、被測定光ファイバ 61からの戻り光は、光方向性結合器 55を介して受光器 5 6へ送られ、この受光器 56によって電気信号に変換される。
[0120] この受光器 56によって変換された電気信号は、後述するようにしてアツテネータ (A TT)値が設定されるアツテネータ (ATT) 11において、増幅部 57によって利得 aで増 幅された後、平均加算処理部 58で内蔵の AZD変換器によりディジタル信号に変換 されて m回加算平均される。
[0121] アツテネータ (ATT) 11の平均加算処理部 58で m回加算平均された出力信号は、 対数変換部 59で対数変換された後、アツテネータ (ATT) 11に設定されるアツテネ ータ (ATT)値毎に異なる波形データとして波形メモリ 62に記憶される。
[0122] この波形メモリ 62にアツテネータ (ATT)値毎に記憶された波形データは、必要に 応じて波形合成部 4で波形合成された後、表示部 60の画面上に測定波形として表 示される。
[0123] マーカ設定部 63は、前記表示部 60の画面上に表示される測定波形上に任意にマ 一力を設定すると共に、当該マーカの設定位置を移動可能とする。
[0124] この場合、マーカ設定部 63は、測定者によってマーカ設定の操作がなされる操作 部 64から制御部 3を介して前記表示部 60の画面上に表示される測定波形上に任意 にマーカを設定するようになされて 、る。
[0125] マーカ指定部 2は、測定波形上に設定された複数のマーカが設定されたとき、その 測定波形上に設定された複数のマーカうちから、波形レベルを測定する対象とする マーカを指示する。
[0126] この場合、マーカ指定部 2は、測定者によってマーカ指定の操作がなされる操作部 64から制御部 3を介して前記表示部 60の画面上に表示される測定波形上に任意に 設定されている複数のマーカのうちから波形レベルを測定する対象とするマーカを指 定することが可能となされていると共に、後述するように複数のマーカに対して付され ているマーカ番号 iに基づいて制御部 3により自動的に波形レベルを測定する対象と するマーカを指定することが可能となされて 、る。
[0127] 図 6は、マーカが設定された測定波形を表示する測定画面を説明するために例示 する図である。
[0128] この例では、測定波形上に表示されている 6個のマーカに対し、測定画面上の一 番左側に設定されたマーカ (測定地点力ゝらの距離が最も近端に位置するマーカ)お
= 1として、マーカ番号 i (i= l〜6)が付されている。
[0129] アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6には、前記表示部 60の画面上における 測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置に対応して予め設定されるもので 、前記等価的なアツテネータ (ATT) 11を構成する前記増幅部 57の利得 (a)と前記 平均加算処理部 58の加算回数 (m)の組合わせ力もなるリアルタイム測定のための 複数のアツテネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数のアツテネータ (ATT)値設 定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲 Δ Liが記憶されている。
[0130] 具体的には、図 7に例示するように、アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6には 、マーカ番号 i毎に、マーカ番号 i(i= l〜6)に対応したアツテネータ(ATT)値として 設定されるアツテネータ (ATT) 11を構成して 、る増幅部 57の利得 aと平均加算処理 部 58の平均加算回数 mの組合せ、及び、アツテネータ (ATT)値として設定される利 得 aと平均加算回数 mの組合せ毎に予め設定されるマーカ番号 i (i= 1〜6)毎の有 効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)が記憶されて!、る。
[0131] この場合、マーカ番号 i= lのマーカには、増幅部 57の利得 aとして 200が設定され 、平均加算処理部 58の平均加算回数 mとして 28が設定され、有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として 25〜一 45が設定されて!、る。
[0132] また、マーカ番号 i= 2のマーカには、増幅部 57の利得 aとして 100が設定され、平 均加算処理部 58の平均加算回数 mとして 28が設定され、有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として 10〜一 30が設定されて!、る。
[0133] また、マーカ番号 i= 3のマーカには、増幅部 57の利得 aとして 300が設定され、平 均加算処理部 58の平均加算回数 mとして 28が設定され、有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として 40〜 - 60が設定されて!、る。
[0134] また、マーカ番号 i=4のマーカには、増幅部 57の利得 aとして 400が設定され、平 均加算処理部 58の平均加算回数 mとして 28が設定され、有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として一 55〜一 75が設定されて!、る。
[0135] また、マーカ番号 i= 5のマーカには、増幅部 57の利得 aとして 300が設定され、平 均加算処理部 58の平均加算回数 mとして 28が設定され、有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として 40〜 - 60が設定されて!、る。
[0136] また、マーカ番号 i= 6のマーカには、増幅部 57の利得 aとして 500が設定され、平 均加算処理部 58の平均加算回数 mとして 21(>が設定され、有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として 70 90が設定されて!、る。
[0137] すなわち、このような図 7に示されているマーカ番号 i (i= l 6)毎のアツテネータ( ATT)値として設定される利得 aと平均加算回数 mの組合せ毎に予め設定されるマ 一力番号 i (i= 1 6)毎の有効測定レベル範囲 Δ Li (dBm)として設定される数値は 、図 6に示されているように、マーカ 1 6の設定位置が測定地点力もの距離として順 次に遠ざ力つていると共に、それらの波形レベルも順次に低下していることに対応し て設定される数値となって 、る。
[0138] 但し、この場合、マーカ番号 i= 2のマーカ及びマーカ番号 i= 5のマーカは、それぞ れ隣接するマーカに比して高レベルの測定波形となっているので、その点を考慮し た数値として設定されて 、る。
[0139] なお、これらの各マーカに対して設定する数値は、図 6の縦軸のレベル値及び横軸 の測定地点力もの距離値毎に予め区分けして割り当てておくことができる。
[0140] 図 1に戻って、アツテネータ (ATT)値設定部 10は、マーカ指定部 2で指示されたマ 一力番号 iに対応して、アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶された利得 a と平均加算回数 mの組合せの情報に基づいて、アツテネータ (ATT) 11を構成する 増幅部 57の利得 aと平均加算処理部 58の平均加算回数 mを設定する。
[0141] マーカレベル取得部 5は、マーカ指定部 2の指示を受けて、マーカ番号 iに対応し たアツテネータ (ATT)値の設定条件で測定されて波形メモリ 62に記憶されて 、る波 形データから、マーカ指定部 2で選択されたマーカ番号 iの波形レベルを取得する。
[0142] レベル比較部 8は、マーカレベル取得部 5によって取得されたマーカ番号 iの波形 レベル力 マーカ番号 iに対応して現在アツテネータ (ATT) 11に設定されているアツ テネータ (ATT)値に対応する有効測定レベル範囲 Δ Li内に含まれて るか否かを レベル比較によって判定する。
[0143] アツテネータ (ATT)値変更判定部 9は、レベル比較部 8によるレベル比較による判 定結果に基づき、現在アツテネータ (ATT) 11に設定されているアツテネータ (ATT) 値の設定条件の変更が必要力否かを判定して 、る。
[0144] この場合、アツテネータ (ATT)値変更判定部 9は、前記レベル比較部 8により、前 記取得された波形レベルが前記有効測定レベル範囲 Δ Li内にな ヽと判定されたとき に、現在アツテネータ (ATT) 11に設定されて!、るアツテネータ (ATT)値の設定条 件の変更が必要であると判定する。
[0145] そして、アツテネータ (ATT)値設定条件変更部 7は、アツテネータ (ATT)値変更 判定部 9により現在アツテネータ (ATT) 11に設定されて!、るアツテネータ (ATT)値 の設定条件の変更が必要であると判定されたとき、それまでのアツテネータ (ATT) 値設定条件をマーカレベル取得部 5が取得した波形レベルが前記有効測定レベル 範囲 Δ Li内に含まれる新たなアツテネータ (ATT)値設定条件に変更する。
[0146] このアツテネータ (ATT)値設定条件変更部 7によって変更された新たなアツテネー タ (ATT)値設定条件は、アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6に更新記憶され ると共に、アツテネータ (ATT)値設定部 10により測定対象であるマーカ iに対応する アツテネータ (ATT) 11のアツテネータ (ATT)値設定条件が変更される。
[0147] なお、アツテネータ (ATT)値設定条件変更部 7は、前述した特許文献 1のように測 定波形から SZNを算出して有効測定レベル範囲を求めるようにしても良い。
[0148] あるいは、アツテネータ (ATT)値毎に波形が飽和するレベルを計算し、そのレベル 力も 1っ低 、レベルの波形を測定できるアツテネータ (ATT)値での波形が飽和する レベルまでを有効測定レベル範囲とするようにしても良 、。
[0149] あるいは、予め実験等で求めたアツテネータ (ATT)値設定条件 (a, m)と有効測定 レベル範囲をアツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6等のメモリに記憶しておき、そ の中からアツテネータ (ATT)値設定条件を選択するようにしても良!、。
[0150] また、上記 、ずれの場合でも、アツテネータ (ATT)値毎の有効測定レベル範囲の 境界で一部重複するように設定することにより、有効測定レベル範囲の境界付近で アツテネータ (ATT)値設定条件 (a, m)の変更が頻繁に起こらな 、ようにしても良!ヽ
[0151] 測定頻度記憶部 14は、マーカ番号 i毎に、対応するアツテネータ (ATT)値設定条 件で連続して測定する回数を示す測定頻度 (Nimax)を記憶して 、る。
[0152] 図 8は、測定頻度記憶部 14の記憶内容の一例を説明するために示す図である。
[0153] 図 8において、マーカ番号 iは、図 6に示される測定波形上のマーカと同じマーカ番 号を示している。
[0154] 次に、この図 8の測定頻度による測定動作を説明する。
[0155] 本発明が適用される光パルス試験器 (OTDR) 1は、制御部 3の制御の下に、マー 力番号 1のアツテネータ (ATT)値設定条件で 2回連続して測定と画面表示を行なつ た後、マーカ番号 2のアツテネータ (ATT)値設定条件で 5回連続して測定と画面表 示を行い、次に、マーカ番号 3のアツテネータ (ATT)値設定条件で 1回のみ測定と 画面表示を行い、以後、同様にマーカ番号 4、 5、 6について、順次、測定と画面表示 を行う。
[0156] そして、本発明が適用される光パルス試験器 (OTDR) 1は、制御部 3の制御の下 に、マーカ番号 1〜6の測定を 1サイクルとして前述したような測定を繰り返す。
[0157] レベル変動検出部 12は、マーカレベル取得部 5によって取得されたマーカの波形 レベルの変動の有無を、例えば、前回の測定時に取得されたマーカの波形レベルと の比較により検出する。
[0158] 測定頻度設定部 13は、レベル変動検出部 12によるマーカの波形レベルの変動の 有無に応じて、測定頻度記憶部 14に記憶されている測定頻度を最適な回数に増減 して変更する。
[0159] この場合、測定頻度設定部 13は、例えば、レベル変動検出部 12によるマーカの波 形レベルの変動量が大きいときには、測定頻度記憶部 14に記憶されている測定頻 度を増やし、変動量が小さいときは測定頻度記憶部 14に記憶されている測定頻度を 少なくするようになされて 、る。
[0160] また、測定波形上に表示されたマーカであっても、操作部 64及び制御部 3を介して 指示される測定者の指示等により測定が不要とされたマーカ番号 iに対応して測定頻 度記憶部 14に記憶されている測定頻度を 0回とすることにより、必要なマーカ(例え ば、後述するフレネル反射をリアルタイム測定するときのように、 2点間のレベル差を 測定する場合のその 2点を示すマーカ)の波形レベルをリアルタイムで測定すること ができる。
[0161] 次に、上記構成による光パルス試験器 (OTDR) 1による具体的な測定例として表
示部 60の画面上に設定されている一つのマーカが移動された場合の波形観測につ いて図 5A, Bを参照しながら説明する。
[0162] 図 5Aは、表示部 60の画面上に表示されているにおけるフレネル反射の頂点の位 置に一つのマーカがマーカ設定部 63によって設定されている状態を示している。
[0163] そして、この状態から、図 5Bに示すように、当該マーカがマーカ設定部 63によって フレネル反射の頂点の位置力 フレネル反射の直前の裾部分の位置に移動された 場合を想定する。
[0164] この場合、上述したように、本発明が適用される光パルス試験器 (OTDR) 1では、 移動されたマーカの位置に対応する最適のアツテネータ (ATT)値設定条件でリア ルタイム測定が行われる。
[0165] この結果、図 5Bに示すように、当該移動されたマーカの位置に対応する部分の SN 比が所定値以上となるように改善された測定波形が表示される。
[0166] 従って、本発明が適用される光パルス試験器 (OTDR) 1では、マーカ設定部 63に よって、前記測定波形上の第 1の位置に設定されているマーカが前記測定波形上で
SN比の悪い第 2の位置に移動されたとき、前記第 2の位置におけるマーカに対応す るアツテネータ (ATT)値設定条件を最適値に設定して測定を行うことにより、前記表 示部 60の画面上に表示される前記波形データに基づいて前記第 2の位置の波形観 測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことが可能となる。
[0167] 次に、本発明に係る光パルス試験器 (OTDR) 1でフレネル反射をリアルタイム測定 するときの波形合成例を図 5C, D, Eを参照して説明する。
[0168] 図 5Cは、マーカ番号 1のアツテネータ (ATT)値設定条件でリアルタイム測定した 測定波形を示している。
[0169] 図 5Dは、マーカ番号 2のアツテネータ (ATT)値設定条件でリアルタイム測定した 測定波形を示している。
[0170] 図 5Eは、図 5Cと図 5Dのそれぞれの有効測定範囲にある波形データを波形合成 部 4で合成して表示部 60の画面上に表示した測定波形を示している。
[0171] 図 5Cに示される測定波形では、フレネル反射の頂点のレベル (マーカ 1)が飽和し て 、ることにより、正しく測定することができな 、。
[0172] また、図 5Dに示される測定波形では、フレネル反射の直前の裾部分のレベル (マ 一力 2)がノイズに埋もれていることにより、正しく測定することができない。
[0173] これに対し、図 5Eに示される合成された測定波形では、フレネル反射 (マーカ 1とマ 一力 2のレベル差)を正確に測定することができる。
[0174] なお、図 5C、図 5D、図 5Eにおいて、 Δ ΙΛ、 A L2は、波形合成の理解を助けるた め便宜上、それぞれ有効測定範囲のレンジを示したもので、実際の光パルス試験器 (OTDR) 1の表示部 60の画面上には表示されない。
[0175] また、このような波形合成は、全測定範囲を対象とするアベレージ測定と異なり、必 要最小限の測定範囲( Δ L1と Δ L2)のみを対象としてアツテネータ (ΑΤΤ)値を設定 してそれぞれリアルタイム測定した波形を合成するので、ほぼリアルタイムに近 、測 定でレベル差の大きな波形の評価を行うことができる。
[0176] 従って、本発明が適用される光パルス試験器 (OTDR) 1では、マーカ設定部 63に よって前記測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネ ル反射の直前の位置に設定される第 1のマーカと、前記測定波形におけるフレネル 反射の頂点の位置に設定される第 2のマーカとを含むとき、前記第 1のマーカ及び第 2のマーカに対応する各アツテネータ (ΑΤΤ)値設定条件を順次設定して測定を繰 返すことにより、前記表示部 60の画面上に表示される前記合成された各波形データ に基づ!/ヽて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレ ベルとを所定値以上の SN比の良い状態で同時に観測することが可能となる。
[0177] 次に、上記構成による光パルス試験器 (OTDR) 1の動作について図 2乃至図 4A, B, Cを参照しながら説明する。
[0178] 上記構成による光パルス試験器 (OTDR) 1では、操作部 64を介して測定者による リアルタイム測定開始が指示されると、制御部 3の制御の下に、図 2に示すようにリア ルタイム測定がスタートされる。
[0179] 但し、説明の都合上、リアルタイム測定のスタートに先立ってマーカ設定部 63によ つて測定波形上に複数のマーカ(マーカ番号 i= 1〜6が付されている 6個のマーカ) が予め設定されているか、または前回のリアルタイム測定の際に設定された複数のマ 一力 (マーカ番号 i= 1〜6が付されて!、る 6個のマーカ)が設定されて!、るものとする
[0180] また、これにより、アツテネータ (ATT)値設定条件記憶部 6には、マーカ設定部 63 によって測定波形上に設定される複数のマーカ(マーカ番号 i= 1〜6が付されて 、る 6個のマーカ)のそれぞれに対応して、等価的なアツテネータ (ATT) 11を構成する 増幅部 57の利得 aと平均加算処理部 58の加算回数 mの組合わせ力もなるリアルタイ ム測定のための複数のアツテネータ (ATT)値設定条件、及び、該複数のアツテネー タ (ATT)値設定条件毎に対応して予め設定される有効測定レベル範囲 Δ Liが記憶 されているものとする。
[0181] まず、制御部 3は、マーカ指定部 2を介してマーカ番号 iを 1に初期化する (ステップ ST1)。
[0182] 次に、制御部 3は、後述するようにマーカ番号 iの変更が自動的になされる力 また は操作部 64を介してマーカ指定部 2によるマーカ番号 iの変更 (またはマーカ設定部 63によるマーカの移動操作)がなされると (ステップ ST2)、図 3のマーカ番号 iのマー 力位置に測定レベルを合わせた測定処理 (マーカ位置測定処理)のサブルーチンに 移行する (ステップ ST3)。
[0183] 図 3に示すマーカ位置測定処理のサブルーチンでは、制御部 3は、アツテネータ( ATT)値設定部 10により、ステップ ST2のマーカ番号 iの変更に対応してアツテネー タ (ATT)値設定条件記憶部 6に記憶されて ヽるマーカ番号 iに対応するリアルタイム 測定のためのアツテネータ (ATT)値設定値 (増幅部利得 a、平均加算回数 m)をアツ テネータ (ATT) 11に設定させる(ステップ ST11)。
[0184] そして、制御部 3は、光パルス試験器 (OTDR) 1によるリアルタイム測定を実施させ ることにより、波形データを取得させると共に、この取得したマーカ番号 iにおける波形 データを波形メモリ 62に記憶させる (ステップ ST12)。
[0185] 次に、制御部 3は、波形メモリ 62に記憶されているマーカ番号 iのマーカ位置の波 形レベルをマーカレベル取得部 5により取得させる(ステップ ST13)。
[0186] そして、制御部 3は、取得した波形レベルと、アツテネータ (ATT)値設定条件記憶 部 6に記憶されたマーカ番号 iの有効測定レベル範囲 Δ Liとをレベル比較部 8により 比較させる(ステップ ST14)。
[0187] そして、制御部 3は、取得したマーカ番号 iのマーカ位置の波形レベルが有効測定 レベル範囲内のレベルであるとレベル比較部 8により判断されたとき(ステップ ST14 OK)、このサブルーチンを終了させて、図 2のマーカ番号 iの変更有無判別処理( ステップ ST4)に移行させる。
[0188] なお、マーカ番号 iの変更有無判別処理 (ステップ ST4)は、マーカ番号 iの変更有 無判定処理としてサブルーチン化されている力 これについては図 4A, B, Cを参照 して後述するものとする。
[0189] これに対し、制御部 3は、レベル比較部 8によりマーカ番号 iのマーカ位置の波形レ ベルが、マーカ番号 iの有効測定レベル範囲内に含まれないと判断されたとき (ステツ プ ST14—NG)、アツテネータ (ATT)値設定条件変更部 7により、その波形レベル が有効測定レベル範囲内に含まれることになる新たなアツテネータ (ATT)値設定条 件 (増幅部利得 a、平均加算回数 m)に変更させると共に、この新たなアツテネータ (A TT)値設定条件 (増幅部利得 a、平均加算回数 m)をアツテネータ (ATT)値設定条 件記憶部 6に更新記憶させ (ステップ ST16)た後、このサブルーチンを終了させて、 図 2のマーカ番号 iの変更有無判別処理 (ステップ ST4)に移行させる。
[0190] そして、制御部 3は、図 2のマーカ番号 iの変更有無判別処理 (ステップ ST4)にお いて、マーカ番号 iの変更の必要なしと判断すると (ステップ ST4— No)、波形メモリ 6 2に記憶されているマーカ番号 i毎の測定波形を読み出して、波形合成部 4に対し読 み出された複数の測定波形の合成処理をさせる (ステップ ST5)。
[0191] そして、制御部 3は、この合成処理された測定波形を表示部 60の画面上に表示さ せ (ステップ ST6)た後、上記マーカ番号 iのマーカ位置に測定レベルを合わせた測 定処理(マーカ位置測定処理)(ステップ ST3)のサブルーチンに移行して、上述した ような処理を繰り返す。
[0192] また、制御部 3は、ステップ ST4において、マーカ番号 iの変更が必要であると判断 すると(ステップ ST4— Yes)、マーカ番号 iを i =i+ lにインクリメントし (ステップ ST7) 、そのインクリメントされたマーカ番号 iが測定波形上に設定されているマーカの個数( この例では 6個)を超えて 、るか否かを判別する (ステップ ST8)。
[0193] そして、制御部 3は、ステップ ST8において、インクリメントされたマーカ番号 iがマー
力の設定個数を超えていると判断すると (ステップ ST8— Yes)、マーカ番号 iを i= l に書き替え (ステップ ST9)た後、波形メモリ 62に記憶されているマーカ番号 i毎の測 定波形を読み出して、波形合成部 4に対し読み出された複数の測定波形の合成処 理をさせる(ステップ ST5)。
[0194] そして、制御部 3は、この合成処理された測定波形を表示部 60の画面上に表示さ せ (ステップ ST6)た後、上記マーカ番号 iのマーカ位置に測定レベルを合わせた測 定処理(マーカ位置測定処理)(ステップ ST3)のサブルーチンに移行して、上述した ような処理を繰り返す。
[0195] なお、制御部 3は、ステップ ST8において、インクリメントされたマーカ番号 iがマー 力の設定個数を超えていないと判断すると (ステップ ST8— No)、波形メモリ 62に記 憶されているマーカ番号 i毎の測定波形を読み出して、波形合成部 4に対し読み出さ れた複数の測定波形の合成処理をさせる (ステップ ST5)。
[0196] そして、制御部 3は、この合成処理された測定波形を表示部 60の画面上に表示さ せ (ステップ ST6)た後、上記マーカ番号 iのマーカ位置に測定レベルを合わせた測 定処理(マーカ位置測定処理)(ステップ ST3)のサブルーチンに移行して、上述した ような処理を繰り返す。
[0197] ここで、上述したステップ ST4におけるマーカ番号 iの変更有無判別処理は、以下 の 3つの場合に分別される。
[0198] (1)マーカ番号 i (i= l, 2, 3, …;)の順に測定波形を交互に測定する場合。
[0199] (2)いずれのマーカの波形レベルにも、アツテネータ(ATT)値設定条件の変更が必 要な程度のレベル変動がな 、場合に、マーカ番号 iを順に変更して測定波形を交互 に測定し、いずれかのマーカ番号 iの波形レベルに、アツテネータ (ATT)値設定条 件の変更が必要な大きさのレベル変動がある場合にぉ 、て、そのマーカ番号 iにつ いて連続して測定する場合。
[0200] (3) V、ずれのマーカ番号 iの波形レベルにも、アツテネータ (ATT)値設定条件のアツ テネータの設定変更が必要な程度のレベル変動がな 、場合に、予め指定された特 定のマーカ番号 iの測定頻度を上げて測定し (その特定のマーカ番号 i以外のマーカ 番号については、特定マーカ番号 iの測定回数に対して 1回の割合で測定を行う)、
ヽずれかのマーカ番号 iの波形レベルにアツテネータ (ATT)値設定条件の変更が 必要となる大きさのレベル変動がある場合にぉ 、て、そのマーカ番号 iにつ 、て連続 して測定する場合。
[0201] そこで、本発明が適用される光パルス試験器 (OTDR) 1では、上記(1)〜(3)の場 合について、選択的な対応を可能とするために、図 4A, B, Cに示すマーカ番号 iの 変更有無判別処理を選択的に実行可能とするようにして 、る。
[0202] 図 4Aは、上記(1)の場合についてのマーカ番号 iの変更有無判別処理を示すフロ 一チャートである。
[0203] すなわち、図 4Aは、マーカ番号 i (i= l, 2, 3, ···)の順にマーカ番号 iを自動的に 変更して測定波形を交互に測定する場合であるので、このマーカ番号 iの変更有無 処理 (ステップ ST4)では、制御部 3は、直ちにマーカ番号 iの変更が必要 (ステップ S T41)として、処理を終了する。
[0204] 図 4Bは、上記(2)の場合にっ 、てのマーカ番号 iの変更有無判別処理を示すフロ 一チャートである。
[0205] すなわち、図 4Bは、いずれのマーカの波形レベルにも、アツテネータ(ATT)値設 定条件の変更が必要な程度のレベル変動がな 、場合に、マーカ番号 iを順に変更し て測定波形を交互に測定し、いずれかのマーカ番号 iの波形レベルに、アツテネータ (ATT)値設定条件の変更が必要な大きさのレベル変動がある場合にぉ 、て、その マーカ番号 iにつ 、て連続して測定する場合であるので、このマーカ番号 iの変更有 無処理 (ステップ ST4)では、制御部 3は、まず、上述したようにして波形メモリ 62から マーカレベル取得部 5を介して取得されたマーカ番号 iの波形レベルに変動が有るか 否かをレベル変動検出部 12により判別させる (ステップ ST21)。
[0206] そして、制御部 3は、レベル変動検出部 12によりレベル変動有りと判断されると (ス テツプ ST21— Yes)、測定頻度設定部 13を介して測定頻度記憶部 14に記憶されて いる測定頻度 (測定回数) niを ni = 1に書き換え (ステップ ST22)た後、マーカ番号 i の変更は不要と判断し (ステップ ST23)、マーカ番号 iの変更有無判別処理を終了 する。
[0207] これに対し、制御部 3は、レベル変動検出部 12によりマーカ番号 iの波形レベルに
変動がないと判断されると (ステップ ST21—No)、マーカ番号 iの変更が必要と判断 し (ステップ ST24)、マーカ番号 iの変更有無判別処理を終了する。
[0208] 図 4Cは、上記(3)の場合につ 、てのマーカ番号 iの変更有無判別処理を示すフロ 一チャートである。
[0209] すなわち、図 4Cは、いずれのマーカ番号 iの波形レベルにも、アツテネータ(ATT) 値設定条件のアツテネータの設定変更が必要な程度のレベル変動がない場合に、 予め指定された特定のマーカ番号 iの測定頻度を上げて測定し (その特定のマーカ 番号 i以外のマーカ番号については、特定マーカ番号 iの測定回数に対して 1回の割 合で測定を行う)、 V、ずれかのマーカ番号 iの波形レベルにアツテネータ (ATT)値設 定条件の変更が必要となる大きさのレベル変動がある場合にぉ 、て、そのマーカ番 号 iにつ 、て連続して測定する場合であるので、このマーカ番号 iの変更有無処理 (ス テツプ ST4)では、制御部 3は、まず、上述したようにして波形メモリ 62からマーカレべ ル取得部 5を介して取得されたマーカ番号 iの波形レベルに変動が有るか否かをレべ ル変動検出部 12により判別させる (ステップ ST31)。
[0210] そして、制御部 3は、レベル変動検出部 12によりレベル変動有りと判断されると (ス テツプ ST31— Yes)、測定頻度設定部 13を介して測定頻度記憶部 14に記憶されて いる測定頻度 (測定回数) niを ni = 1に書き換え (ステップ ST32)た後、マーカ番号 i の変更は不要と判断し (ステップ ST33)、マーカ番号 iの変更有無判別処理を終了 する。
[0211] これに対し、制御部 3は、レベル変動検出部 12によりマーカ番号 iの波形レベルに 変動がな 、と判断されると (ステップ ST31— No)、測定頻度設定部 13を介して測定 頻度記憶部 14に記憶されている測定頻度 (測定回数) niを ni =ni + 1に書き換え( ステップ ST35)、その測定回数が測定頻度 Nimaxを超えている力否かを判断する( ステップ ST36)。
[0212] そして、制御部 3は、測定回数 niが測定頻度 Nimaxを超えて 、な 、と判断した場 合には (ステップ ST36— No)、マーカ番号 iの変更は不要と判断し (ステップ ST32) 、マーカ番号 iの変更有無判別処理を終了する。
[0213] これに対し、制御部 3は、測定回数 niが測定頻度 Nimaxを超えて 、ると判断した
場合には (ステップ ST36— Yes)、測定頻度設定部 13を介して測定頻度記憶部 14 に記憶されている測定頻度 (測定回数) niを ni = 1に書き換え (ステップ ST37)た後
、マーカ番号 iの変更が必要であると判断して (ステップ ST34)、マーカ番号 iの変更 有無判別処理を終了する。
[0214] ここで、測定頻度 Nimaxは、図 8に例示するように、マーカ番号 i毎に設定されて測 定頻度記憶部 14に記憶されて ヽる。
[0215] そして、この測定頻度 Nimaxは、測定者が操作部 64の対応する操作部材を操作 することによって、制御部 3を介して測定頻度記憶部 14に任意の値としてに設定する ことができる。
[0216] そして、この測定頻度 Nimaxについては、制御部 3により、レベル変動があったマ 一力番号 iについて、重点的に監視するため、そのマーカ番号 iの測定頻度 Nimaxを 一時的に上げるように自動的に設定することもできる。
[0217] 図 8の例では、フレネル反射のレベル変動を重点的に測定するために、フレネル反 射の頂点と近傍のマーカ番号 i (i= l, 2, 4, 5)の測定頻度 Nimaxを、他のマーカ番 号よりも大きく設定している。
[0218] そして、制御部 3は、上記マーカ番号 iの変更有無判別処理によってマーカ番号 iの 変更が不要であると判断したときには、図 2のステップ ST5の処理に移行する。
[0219] これに対し、制御部 3は、マーカ番号 iの変更が必要であると判断したときには、図 2 のステップ ST7 (マーカ番号 iを i=i+ 1に書き替え)の処理に移行する。
[0220] 以上のように、本発明の一実施形態によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ 及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器 (OTDR ) 1は、リアルタイム測定時において、マーカ番号 iによって測定位置が指定されたとき に、そのマーカ番号 iの波形レベルが現在選択されて ヽるアツテネータ (ATT)値設 定条件の有効測定レベル範囲内にあるか否かを判別し、有効測定レベル範囲内に ないと判断したときには有効測定レベル範囲内に収まる最適なアツテネータ (ATT) 値設定条件を自動的に設定し、所定値以上の SN比が良 、状態で波形観測が可能 となるようにしている。
[0221] また、以上のような本発明の光ノ ルス試験器 (OTDR)は、リアルタイム測定時にお
いて、波形上に設定された複数のマーカに対して、各マーカの位置する波形レベル に応じてそれぞれ最適なアツテネータ (ATT)値を、測定毎に、自動的に設定し、そ れぞれの測定波形を合成処理して表示するようにして 、る。
[0222] さらには、以上のような本発明の光パルス試験器(OTDR) 1は、複数のマーカにつ いて、各々のマーカの波形レベルの変動量に応じて自動的に、あるいは、測定者に よる設定に基づいて、各々のマーカの測定頻度を独立して可変できるようにすること により、マーカ間の測定頻度に差を持たせるようにしている。
[0223] これにより、以上のような本発明の光ノルス試験器 (OTDR) 1は、リアルタイム測定 時においても、複数のマーカ(少なくとも 2つのマーカ)を設定すれば、各マーカのそ れぞれに連動して最適なアツテネータを自動的に選択設定して測定レベルを変更す るので、広範囲にわたって所定値以上の SN比の良 、状態で測定波形を観測するこ とがでさる。
[0224] そして、以上のような本発明の光パルス試験器(OTDR) 1は、特にフレネル反射の 直前の波形レベルと、フレネル反射の頂点のレベルとが所定値以上の SN比の良い 状態で同時に観測することが可能となり、反射減衰量の変化をほぼリアルタイムで観 察することができる。
[0225] その結果、測定対象のレベル差の大きい反射減衰量の測定をリアルタイムで容易 に行なうことができる。
[0226] しかも、以上のような本発明の光パルス試験器 (OTDR) 1は、測定波形のレベルに 合わせて手動でアツテネータ (利得や平均加算回数)を適宜調節する必要も無ぐュ 一ザが表示画面上のマーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形を所定 値以上の SN比の良い状態で観測することができる。
[0227] さらに、以上のような本発明の光パルス試験器(OTDR) 1は、複数のマーカについ て、各々のマーカの波形レベルの変動量に応じて、各々のマーカの測定頻度を独立 して可変できるようにし、マーカ間の測定頻度に差を持たせることによって、フレネル 反射のようにレベル差の大きな反射減衰量の測定であっても、レベル変動が生じた マーカについて一時的に測定頻度を上げることで、測定波形の変化に迅速に対応し たリアルタイム測定を実現することができる。
[0228] なお、本発明は、上記し且つ図示した実施の形態に限定されることなぐ本発明の 要旨を逸脱しな 、範囲で種々の変形が適用が可能であることは 、うまでもな!/、、 例えば、上記し且つ図示した実施の形態による光パルス試験器 (OTDR) 1のように 、リアルタイム測定時において、複数のアツテネータ (ATT)値設定条件を時間的に 切り替えて複数回の測定を行うのでなぐ複数のアツテネータ (ATT)値設定条件が 各別に設定されている複数のアツテネータ (ATT)を設けて同時に 1回の測定を行う ことにより、上述したような測定レベル変更機能を有する光パルス試験器 (OTDR) 1 を実現することも可能である。
[0229] また、表示部の画面上に表示される測定波形上に設定するマーカは、図示のような 矢印状のマーカに限らず、測定波形を垂直方向に横切る直線状のマーカを含む任 意の形状のマーカを適宜採用することができる。
[0230] 従って、以上詳述したような本発明によれば、リアルタイム測定において、表示部に 表示させる測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測 定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、アツテネータ (ATT)値を最 適値に設定して被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、マーカを目的位置 に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行う ことができるようにすると共に、被測定光ファイバ光ファイバの状態変化に伴うレベル 変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容 易に測定を行うことができるようにしたォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光 パルスを用いる光ファイバの試験方法を提供することができる。
産業上の利用可能性
[0231] 本発明によるォプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファ ィバの試験方法は、リアルタイム測定において、表示部に表示させる測定位置指定 手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか 否かの判定結果に基づ 、て、アツテネータ (ATT)値を最適値に設定して被測定光 ファイバに対する測定を行うことにより、マーカを目的位置に移動するだけで所望の 位置の波形観測を所定値以上の SN比の良い状態で行うことができるようにすると共 に、被測定光ファイバの状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形
のレベル差が大き 、反射減衰量であっても容易に測定を行うことができるので、被測 定光ファイバの状況 ·変化を観察するための測定に適しており、特に、光ファイバの 敷設工事において、例えば、コネクタ接続ゃ融着による光ファイバの接続を行いなが ら、その光ファイバの接続状態の善し悪しをチェックする場合のように、即応性が必要 な用途に用いることができる。