WO2012113648A1 - Verfahren zur herstellung einer vielzahl optoelektronischer halbleiterchips - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer vielzahl optoelektronischer halbleiterchips Download PDF

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WO2012113648A1
WO2012113648A1 PCT/EP2012/052120 EP2012052120W WO2012113648A1 WO 2012113648 A1 WO2012113648 A1 WO 2012113648A1 EP 2012052120 W EP2012052120 W EP 2012052120W WO 2012113648 A1 WO2012113648 A1 WO 2012113648A1
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Stefan Eisenreich
Thomas Veit
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material

Definitions

  • An object to be solved is to provide a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, in which the most uniform possible optoelectronic semiconductor chips can be produced in large quantities.
  • the method comprises a step in which a carrier
  • the optoelectronic semiconductor chips to be produced are, for example,
  • Luminescence diode chips such as light-emitting diode chips or
  • the active regions are the epitaxially produced semiconductor structures of the optoelectronic semiconductor chips, which comprise, for example, at least one active zone in each case, which belongs to the
  • the active regions are formed by epitaxially produced semiconductor layer stacks.
  • Semiconductor layer stacks may be based, for example, on an I I I-V semiconductor material system.
  • the active areas are at the top of a carrier, for example at the grid points of an imaginary one
  • the active regions are preferably arranged at a distance from one another such that in each case a section of the carrier is located between adjacent active regions in which the upper side of the carrier is free of an active region.
  • a bottom-side separating area is produced in a method step on an underside of the carrier facing away from the upper side by removing material, that is to say by material removal.
  • the bottom separation area is
  • the lower-side separation area for example, a trench, which is introduced at the bottom of the carrier by removing material in the carrier.
  • the lower-side separation area In cross-section, the lower-side separation area
  • the lower-side parting portion may be tapered from the lower side toward the upper side.
  • the lower-side separation region is preferably designed such that it does not completely cover the carrier
  • the lower-side separation regions are in particular arranged on the underside in such a way that they are projected onto the upper side between adjacent active regions are arranged. That is, the lower-side separation areas are adjusted to the top of the carrier, that they extend in sections on the underside, in which on the opposite side of the carrier, ie at the
  • top-side separating areas are produced in one method step.
  • the topside partitions are made by removing material from the backing at the top of the backing
  • the upper-side separation areas are arranged between adjacent active areas. That is, even the upper-side separation areas do not damage the active areas, but are incorporated between active areas in the carrier.
  • the upper-side separation areas may be formed as trenches, which may have the shape of a notch or a wedge in cross section.
  • the upper-side separation regions taper in cross-section from the upper side of the carrier in the direction of the underside of the carrier.
  • the carrier becomes between one another in a method step
  • opposite separating regions, in particular side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip to be produced are generated by the carrier.
  • each optoelectronic Semiconductor chip comprises a part of the carrier.
  • Each part of the carrier has side surfaces which connect the top and the bottom of the carrier part. These side surfaces run along the top and bottom
  • Each carrier part has at least one active region on its surface. That is, every optoelectronic
  • Semiconductor chip produced by the method comprises at least one active region. That's it
  • Semiconductor chip includes a plurality of active areas such as two, three, four and so on active areas.
  • the method comprises the following steps:
  • One of the methods described here is based, inter alia, on the knowledge that the introduction of On the upper and lower separation areas on opposite outer surfaces of the carrier germs are formed for a later step of severing the carrier, which ensure that the carrier can be divided along straight lines of weakness.
  • top and bottom separation areas are arranged directly opposite one another, so that fault lines do not obliquely cross-section,
  • optoelectronic semiconductor chips are generated, which extends substantially perpendicularly, for example, to a bottom surface on a bottom side of the optoelectronic semiconductor chip. That the optoelectronic semiconductor chip
  • assigned carrier part then has, for example, the shape of a cuboid.
  • the assigned carrier part then has, for example, the shape of a cuboid.
  • the optoelectronic semiconductor chips produced by means of the method are then distinguished by a particularly uniform external shape.
  • the lower-side separation areas are in front of the upper-side
  • Separation areas generated That is, the removal of material to produce the separation areas is first carried out by the
  • Penetration depth from the top into the carrier into as a bottom penetration depth of some, preferably a majority, in particular all, lower-side separation areas in the carrier from the bottom. That is, the
  • Upper-side separation areas are formed deeper into the carrier than the lower-side separation areas.
  • the carrier is merely scored in the region of the lower-side separating regions. From the top, however, a material entry takes place deep in the carrier
  • the carrier is severed by breaking, wherein the force for breaking on the part of the carrier to be detached is exerted on the carrier from the top side. In other words, it turns out to be a larger one
  • a “majority” means here and below at least 75%, preferably at least 85%, in particular at least 90%.
  • the thickness of the carrier is measured in a direction from the top to the bottom of the carrier. Such a depth of the removal of material from the upper side to produce the upper-side separating regions proves to be optimal, in particular for a severing by breaking the carrier.
  • At least some, preferably a majority, in particular all, underside penetration depths are at most one tenth of the thickness of the carrier. That is, the lower-side penetration depths are formed substantially smaller than the upper side
  • the underside penetration depths serve in this way, in particular, to "catch" the break line running from top to bottom during breakage of the beam so as to avoid a sloping fracture flank and inclined side surfaces produced thereby.
  • Carrier that is, when forming the lower side
  • the carrier comprises a lower-side contact layer which has a
  • Copper has. That is, the wearer is at his
  • the contact layer Underside as completely as possible of an electric conductive layer, the contact layer, covered, which may be in direct contact with a body of the carrier, for example. It is possible that the contact layer is formed as a contact layer sequence containing two or more layers of electrically conductive material.
  • the contact layer is preferably formed with metals.
  • the contact layer has a ductility which is greater than that of copper.
  • the contact layer may contain metals such as nickel, platinum, titanium, silver and / or gold.
  • the carrier is severed between each other
  • the separation regions form fracture nuclei, between which fracture lines form, which lead to the formation of fracture flanks, which form the later side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the underside separation region has in particular the function of the top to the bottom
  • optoelectronic semiconductor chips are generated, which extend substantially perpendicular or perpendicular to a bottom surface on an underside of the carrier. That is, by dividing the carrier carrier parts are generated, which are cuboidal.
  • the carrier comprises a growth substrate for the epitaxial
  • the main body of the wearer may therefore be a
  • the base body of the carrier can then be made of sapphire or Sic, for example. Furthermore, it is possible that the
  • Base of the carrier made of GaN, GaAs, GaP, silicon,
  • the basic body of the carrier can be made of a ceramic
  • Material such as: SixNx, A1N, A1203.
  • the active regions are deposited on a growth substrate and attached to the carrier, for example, with its side facing away from the growth substrate.
  • the growth substrate may subsequently be partially or completely removed from the active areas.
  • the carrier is a material which is alternative to the growth substrate and which may be particularly well suited, for example, with regard to its thermal conductivity and / or its thermal expansion coefficient for the material of the active regions.
  • the carrier is then formed with germanium, that is, the main body of the carrier may for example consist of germanium. Furthermore, it is possible that the
  • Base body of the carrier of GaN, GaAs, GaP, silicon, or other semiconductor materials are included in Base body of the carrier of GaN, GaAs, GaP, silicon, or other semiconductor materials. Furthermore, the
  • Base body of the carrier consist of a ceramic material such as: SixNx, A1N, A1203.
  • the generation of the top side and / or bottom side takes place
  • wedge-shaped separation regions are generated, which taper from the respective side in which they are introduced into the carrier towards the opposite side.
  • Scratches can be carried out in particular by means of a laser beam.
  • the top and bottom separation areas are particularly simple and precisely adjusted to each other, so that generating particularly straight side surfaces of the support part of an optoelectronic semiconductor chip, with the
  • FIG. 1 shows a micrograph of a carrier to explain the problem underlying the method described.
  • An exemplary embodiment of a method described here is explained in more detail with reference to the schematic representations of FIGS. 2A, 2B, 2C and 2D.
  • a carrier 2 is shown.
  • the carrier 2 comprises a main body 21, which consists for example of germanium.
  • a lower-side contact layer 22b is formed, which is formed with a ductile metal.
  • an upper-side separating region 4a is introduced into the carrier from the upper side 2a of the carrier 2.
  • Preferred breaking direction is not oriented perpendicular to the first. The formation of a cuboid chip carrier by breaking is then hardly possible.
  • the lower-side contact layer 22b prevents complete separation of the carrier 2 by the
  • Hinge linked together It is caused by dicing contiguous optoelectronic semiconductor chips, so-called double or multiple systems.
  • Optoelectronic semiconductor chip lead to a mispositioning of the semiconductor chip, for example on a connection carrier such as a printed circuit board. Because of the material of the lower-side contact layer 22b which connects the carrier parts, further method steps are necessary for a complete severing of the carrier, which are time-consuming and to a further extent
  • each optoelectronic semiconductor chip 1 includes a rotation of the optoelectronic semiconductor chip 1 by the self-centering of the connecting means
  • Semiconductor chip 1 is later attached to a connection carrier, almost out. This makes it possible, for example, in the finished optoelectronic component, for example a light-emitting diode, focusing errors during the irradiation of
  • FIG. 2A now shows a first method step of an exemplary embodiment of a method described here.
  • the carrier 2 comprises a
  • the lower-side contact layer 22b is made of, for example, a material of high ductility.
  • the lower-sided contains
  • Contact layer 22b at least one of the following metals: gold, platinum, titanium. In the present case, the lower-sided
  • Contact layer 22b for example, by the following Layer layer can be formed: gold / platinum / titanium, wherein the gold on the bottom 2b of the carrier 2 is arranged.
  • Bottom 2b of the carrier 2 is arranged.
  • Such a bottom contact layer 22b is highly thermally conductive and moreover solderable.
  • the thickness of the lower-side contact layer 22b is for example at least 100 nm, in particular at least 400 nm, for example 550 nm.
  • the main body 21 is, for example, with a ceramic material or a semiconductor material such as germanium
  • the top contact layer 22a may also be formed with a high ductility metal, such as one
  • Layer stack that may include the following layer sequence: titanium / platinum / gold.
  • the thickness of this layer stack is, for example, at least 1000 nm, for example 2000 nm.
  • top-side contact layer 22a it is possible for the top-side contact layer 22a to extend over the entire top 2a of the carrier 2.
  • the active areas 3 are each formed as a semiconductor layer stack and
  • doped semiconductor layers 32 between which active layers 31 are arranged, which are provided in operation, for example, for the detection or generation of electromagnetic radiation, comprise, for example.
  • these can each have a contact pad 33 for contacting the
  • the support further comprises on its upper side 2a a top-side passivation layer 23a which contains, for example, one of the following materials or consists of one of the following materials: silicon dioxide,
  • top passivation layer 23a comprises multiple layers. It has, for example, a thickness of less than 1000 nm and greater than 50 nm, for example 150 nm.
  • the top side passivation layer 23a also extends on the side edges of the active regions 3 and may also touch or even partially overmold the contact pad 33 of each active region 3.
  • the lower side Contact layer 22b is applied in such a structured manner on the underside 2b of the carrier 2 that it already comprises lower-side separating regions 4b, in which the main body 21 is free of the material of the lower-side contact layer 22b.
  • structuring of the lower-side contact layer 22b may be wet or dry chemical.
  • the penetration depth Da on the upper side 2a of the carrier amounts to for example one third of the thickness of the carrier 2. It is also advantageous if the upper-side penetration depth into the main body 21 is approximately one third of the thickness D21 of the main body.
  • a notch low underside penetration depth Db ranges. By way of example, this is at most one tenth of the thickness D2 of the carrier 2.
  • lateral surfaces 5 can be formed in this way, which each delimit an optoelectronic semiconductor chip 1 laterally, wherein each optoelectronic semiconductor chip 1 comprises at least one active region 3.
  • a severing of the carrier 2 takes place by breaking through, wherein a force is exerted from the upper side 2 a in such a way that a break line from the upper side 2 a in FIG
  • the dicing can be done for example by means of a wedge breaking device.
  • Upper separation area 4a and lower separation area 4b are each adjusted to each other in such a way that they are as close as possible to each other congruent

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Abstract

Es wird ein zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägers (2), der an einer Oberseite (2a) eine Vielzahl von aktiven Bereichen (3) aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind, Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen (4b) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an einer der Oberseite (2a) abgewandten Unterseite (2b) des Trägers (2), wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) in Projektion auf die Oberseite (2a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen (4a) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an der Oberseite (2a) des Träger (2), wobei die oberseitigen Trennbereiche (4a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b).

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl
optoelektronischer Halbleiterchips angegeben.
Bei der Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips, beispielsweise von Leuchtdiodenchips, im Waferverbund treten insbesondere bei der Vereinzelung des Waferverbunds Probleme auf, wie beispielsweise die Entstehung von schrägen
Bruchkanten, die zu einzelnen Halbleiterchips mit schrägen Seitenflächen führen.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips anzugeben, bei dem möglichst einheitliche optoelektronische Halbleiterchips in hoher Stückzahl erzeugt werden können.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, bei dem ein Träger
bereitgestellt wird, der an einer Oberseite eine Vielzahl von aktiven Bereichen aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind. Bei den herzustellenden optoelektronischen Halbleiterchips handelt es sich beispielsweise um
Lumineszenzdiodenchips wie Leuchtdiodenchips oder
Laserdiodenchips oder um Detektorchips wie beispielsweise Fotodiodenchips. Bei den aktiven Bereichen handelt es sich um die epitaktisch hergestellten Halbleiterstrukturen der optoelektronischen Halbleiterchips, die beispielsweise jeweils zumindest eine aktive Zone umfassen, die zur
Strahlungserzeugung oder Strahlungsdetektion vorgesehen ist. Beispielsweise sind die aktiven Bereiche durch epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenstapel gebildet. Die
Halbleiterschichtenstapel können beispielsweise auf einem I I I-V-HalbleitermaterialSystem basieren .
Die aktiven Bereiche sind an der Oberseite eines Trägers, beispielsweise an den Gitterpunkten eines gedachten
regelmäßigen Gitters, angeordnet. Die aktiven Bereiche sind dabei vorzugsweise beabstandet zueinander angeordnet, sodass sich zwischen benachbarten aktiven Bereichen jeweils ein Abschnitt des Trägers befindet, in dem die Oberseite des Trägers frei von einem aktiven Bereich ist.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird in einem Verfahrensschritt an einer der Oberseite abgewandten Unterseite des Trägers durch Entfernen von Material, also durch Materialabtrag, ein unterseitiger Trennbereich erzeugt. Bei dem unterseitigen Trennbereich handelt es sich
beispielsweise um einen Graben, der an der Unterseite des Trägers durch Materialabtrag in den Träger eingebracht wird. Im Querschnitt kann der unterseitige Trennbereich
beispielsweise die Form einer Kerbe oder eines Keils
aufweisen. Das heißt, der unterseitige Trennbereich kann sich von der Unterseite in Richtung der Oberseite verjüngen. Der unterseitige Trennbereich ist dabei vorzugsweise derart ausgebildet, dass er den Träger nicht vollständig
durchtrennt, sondern lediglich bis zu einer bestimmten, vorgebbaren unterseitigen Eindringtiefe von der Unterseite des Trägers in diesen hineinreicht.
Die unterseitigen Trennbereiche sind dabei insbesondere derart an der Unterseite angeordnet, dass sie in Projektion auf die Oberseite zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind. Das heißt, die unterseitigen Trennbereiche sind derart zur Oberseite des Trägers justiert, dass sie sich in Abschnitten an der Unterseite erstrecken, in denen an der gegenüberliegenden Seite des Trägers, also an dessen
Oberseite, keine aktiven Bereiche angeordnet sind.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens werden in einem Verfahrensschritt oberseitige Trennbereiche erzeugt. Die oberseitigen Trennbereiche werden durch Entfernen von Material des Trägers an der Oberseite des Trägers
hergestellt, wobei die oberseitigen Trennbereiche zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind. Das heißt, auch die oberseitigen Trennbereiche beschädigen die aktiven Bereiche nicht, sondern sind zwischen aktiven Bereichen in den Träger eingebracht. Auch die oberseitigen Trennbereiche können als Gräben ausgebildet sein, die im Querschnitt die Form einer Kerbe oder eines Keils aufweisen können.
Beispielsweise verjüngen sich die oberseitigen Trennbereiche im Querschnitt von der Oberseite des Trägers in Richtung zur Unterseite des Trägers.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Träger in einem Verfahrensschritt zwischen einander
gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen und
unterseitigen Trennbereichen zertrennt. Das heißt, das
Vereinzeln des Trägers erfolgt entlang der oberseitigen und unterseitigen Trennbereiche, wobei zwischen einander
gegenüberliegenden Trennbereichen insbesondere Seitenflächen des zu erzeugenden optoelektronischen Halbleiterchips durch den Träger hindurch erzeugt werden.
Auf diese Weise werden einzelne optoelektronische
Halbleiterchips erzeugt, wobei jeder optoelektronische Halbleiterchip einen Teil des Trägers umfasst. Jeder Teil des Trägers weist Seitenflächen auf, welche die Oberseite und die Unterseite des Trägerteils verbinden. Diese Seitenflächen verlaufen entlang der oberseitigen und unterseitigen
Trennbereiche, die vorher im Träger erzeugt worden sind.
Jeder Trägerteil weist an seiner Oberfläche wenigstens einen aktiven Bereich auf. Das heißt, jeder optoelektronische
Halbleiterchip, der mittels des Verfahrens hergestellt wird, umfasst zumindest einen aktiven Bereich. Dabei ist es
insbesondere auch möglich, dass der optoelektronische
Halbleiterchip mehrere aktive Bereiche wie zwei, drei, vier und so weiter aktive Bereiche umfasst.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips umfasst das Verfahren die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines Trägers, der an einer Oberseite eine Vielzahl von aktiven Bereichen aufweist, die lateral
benachbart zueinander angeordnet sind,
- Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen durch Entfernen von Material des Trägers an eine der Oberseite abgewandten Unterseite des Trägers, wobei die unterseitigen Trennbereiche in Projektion auf die Oberseite zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind,
- Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen durch Entfernen von Material des Trägers an der Oberseite des Trägers, wobei die oberseitigen Trennbereiche zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind, und
- Zertrennen des Trägers zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen und unterseitigen Trennbereichen.
Einem hier beschriebenen Verfahren liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass durch das Einbringen von oberseitigen und unterseitigen Trennbereichen an einander gegenüberliegenden Außenflächen des Trägers Keime für einen späteren Schritt des Zertrennens des Trägers gebildet werden, die dafür sorgen, dass der Träger entlang gerader Bruchlinien zerteilt werden kann. Dazu sind oberseitige und unterseitige Trennbereiche einander direkt gegenüberliegend angeordnet, sodass sich Bruchlinien im Querschnitt nicht schräg,
beispielsweise zu einer unterseitigen Bodenfläche des
Trägers, erstrecken, sondern diese Bodenfläche senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht schneiden. Mit anderen Worten kann mittels des Verfahrens eine Seitenfläche des
optoelektronischen Halbleiterchips erzeugt werden, die im Wesentlichen senkrecht, beispielsweise zu einer Bodenfläche an einer Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips verläuft. Das dem optoelektronischen Halbleiterchip
zugeordnete Trägerteil weist dann beispielsweise die Form eines Quaders auf. Insbesondere können mittels eines hier beschriebenen Verfahrens also schräge Bruchlinien und damit schräge Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips vermieden werden. Die mittels des Verfahrens hergestellten optoelektronischen Halbleiterchips zeichnen sich dann durch eine besonders gleichmäßige äußere Form aus.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens werden die unterseitigen Trennbereiche vor den oberseitigen
Trennbereichen erzeugt. Das heißt, der Materialabtrag zur Erzeugung der Trennbereiche erfolgt zunächst von der
Unterseite in den Träger hinein. Dies erweist sich als vorteilhaft, da auf diese Weise die mechanische Stabilität des Trägers sichergestellt bleibt, insbesondere dann, wenn die unterseitigen Trennbereiche eine geringere Eindringtiefe als die oberseitigen Trennbereiche in den Träger hinein aufweisen. Ferner hat sich gezeigt, dass eine Erzeugung der oberseitigen Trennbereiche vor den unterseitigen Trennbereichen eine Krümmung des Trägers, die ein Zertrennen des Trägers erschwert, verstärkt. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens weisen zumindest manche, bevorzugt ein Großteil, insbesondere alle, der oberseitigen Trennbereiche eine größere oberseitige
Eindringtiefe von der Oberseite in den Träger hinein auf als eine unterseitige Eindringtiefe mancher, bevorzugt eines Großteils, insbesondere aller, unterseitigen Trennbereiche in den Träger von der Unterseite her. Das heißt, die
oberseitigen Trennbereiche werden tiefer in den Träger hinein ausgebildet als die unterseitigen Trennbereiche.
Beispielsweise wird der Träger im Bereich der unterseitigen Trennbereiche lediglich angeritzt. Von der Oberseite hingegen erfolgt ein Materialeintrag, der tief in den Träger
eindringen kann. Dies erweist sich insbesondere als
vorteilhaft, wenn ein Zertrennen des Trägers durch Brechen erfolgt, wobei die Kraft zum Brechen auf das abzulösende Teil des Trägers von der Oberseite her auf den Träger ausgeübt wird. Mit anderen Worten erweist sich eine größere
oberseitige Eindringtiefe als vorteilhaft, wenn beim
Zertrennen eine Bruchlinie von der Oberseite zur Unterseite erzeugt wird. Eine solche Richtung der Bruchlinie erweist sich als günstig, da dadurch die Gefahr der Beschädigung der aktiven Bereiche an der Oberseite des Trägers durch das
Zertrennen des Trägers minimiert wird.
Ein „Großteil" heißt hier und im folgenden wenigstens 75%, bevorzugt wenigstens 85%, insbesondere wenigstens 90%.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens betragen zumindest manche, bevorzugt ein Großteil, insbesondere alle, oberseitigen Eindringtiefen zwischen einem Viertel und der Hälfte, insbesondere etwa ein Drittel, der Dicke des Trägers. Die Dicke des Trägers wird dabei in einer Richtung von der Oberseite zur Unterseite des Trägers gemessen. Eine solche Tiefe des Materialabtrags von der Oberseite her zur Erzeugung der oberseitigen Trennbereiche erweist sich insbesondere für ein Zertrennen durch Brechen des Trägers als optimal.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens betragen zumindest manche, bevorzugt ein Großteil, insbesondere alle, unterseitigen Eindringtiefen höchstens ein Zehntel der Dicke des Trägers. Das heißt, die unterseitigen Eindringtiefen sind wesentlich kleiner ausgebildet als die oberseitigen
Eindringtiefen. Die unterseitigen Eindringtiefen dienen auf diese Weise insbesondere dazu, beim Zertrennen des Trägers die Bruchlinie, die von der Oberseite zur Unterseite läuft, "einzufangen" , um auf diese Weise eine schräg verlaufende Bruchflanke und dadurch erzeugte schräge Seitenflächen zu vermeiden. Auf der anderen Seite wird durch den sehr geringen Materialabtrag bei der Bearbeitung der Unterseite des
Trägers, das heißt beim Ausbilden der unterseitigen
Trennbereiche, die mechanische Stabilität des Trägers
beibehalten, sodass die oberseitigen Trennbereiche
nachfolgend ohne frühzeitigen Bruch des Trägers an der
Oberseite eingebracht werden können.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst der Träger eine unterseitige Kontaktschicht, die einen
Grundkörper des Trägers an der Unterseite des Trägers im Wesentlichen vollständig oder vollständig bedeckt, wobei die unterseitige Kontaktschicht eine größere Duktilität als
Kupfer aufweist. Das heißt, der Träger ist an seiner
Unterseite möglichst vollständig von einer elektrisch leitenden Schicht, der Kontaktschicht, bedeckt, die mit einem Grundkörper des Trägers beispielsweise in direktem Kontakt stehen kann. Dabei ist es möglich, dass die Kontaktschicht als Kontaktschichtenfolge ausgebildet ist, die zwei oder mehr Schichten elektrisch leitenden Materials enthält. Die
Kontaktschicht ist dabei vorzugsweise mit Metallen gebildet. Die Kontaktschicht weist eine Duktilität auf, die größer ist als die von Kupfer. Beispielsweise kann die Kontaktschicht dazu Metalle wie Nickel, Platin, Titan, Silber und/oder Gold enthalten.
„Im Wesentlichen vollständig bedeckt" bedeutet hier und im folgenden, dass der Bedeckungsgrad wenigstens 90%,
insbesondere wenigstens 95%, zum Beispiel wenigstens 99% beträgt.
Bei einem Träger, der eine solche Kontaktschicht hoher
Duktilität aufweist, erweist sich das hier beschriebene
Verfahren als besonders vorteilhaft. Wird ein Zertrennen des Trägers lediglich dadurch vorbereitet, dass oberseitige
Trennbereiche erzeugt werden, ohne, dass unterseitige
Trennbereiche erzeugt werden, kann eine Kontaktschicht hoher Duktilität insbesondere beim Brechen des Trägers nicht auf einfache Weise in gleicher Weise wie der Grundkörper
durchtrennt werden. Vielmehr bildet eine Kontaktschicht zwischen bereits durchtrennten Bereichen des Grundkörpers eine Verbindung aus, die die beiden Teile des Grundkörpers wie ein Scharnier miteinander verbindet. Werden die unterseitigen Trennbereiche insbesondere derart tief ausgebildet, dass beim Erzeugen der unterseitigen
Trennbereiche die unterseitige Kontaktschicht im Bereich des jeweiligen Trennbereichs vollständig entfernt wird oder vollständig durchtrennt wird, tritt eine solche
Scharnierwirkung der Kontaktschicht nicht auf.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt das Zertrennen des Trägers zwischen einander
gegenüberliegenden oberseitigen und unterseitigen
Trennbereichen mittels Brechens. Das heißt, die Trennbereiche bilden Bruchkeime, zwischen denen sich Bruchlinien ausbilden, die zur Entstehung von Bruchflanken führen, welche die späteren Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips bilden. Der unterseitige Trennbereich hat dabei insbesondere die Funktion, die von der Oberseite zur Unterseite
verlaufende Bruchlinie einzufangen, um einen schrägen Verlauf dieser Bruchlinie zu verhindern.
Auf diese Weise ist insbesondere ein Verfahren ermöglicht, bei dem durch das Zertrennen Seitenflächen der
optoelektronischen Halbleiterchips erzeugt werden, die im Wesentlichen senkrecht oder senkrecht zu einer Bodenfläche an einer Unterseite des Trägers verlaufen. Das heißt, durch das Zertrennen des Trägers werden Trägerteile erzeugt, die quaderförmig ausgebildet sind.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst der Träger ein Aufwachssubstrat für das epitaktische
Abscheiden der aktiven Bereiche. Beispielsweise bei dem
Grundkörper des Trägers kann es sich also um ein
Aufwachssubstrat für die aktiven Bereiche handeln. Der
Grundkörper des Trägers kann dann beispielsweise aus Saphir oder Sic bestehen. Ferner ist es möglich, dass der
Grundkörper des Trägers aus GaN, GaAs, GaP, Silizium,
Germanium oder anderen Halbleitermaterialien besteht. Ferner kann der Grundkörper des Trägers aus einem keramischen
Material bestehen wie etwa: SixNx, A1N, A1203.
Gemäß einer alternativen Aus führungs form eines hier
beschriebenen Verfahrens ist der Träger von einem
Aufwachssubstrat für das epitaktische Abscheiden der aktiven Bereiche verschieden. Das heißt, die aktiven Bereiche werden auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden und beispielsweise mit ihrer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite am Träger befestigt. Das Aufwachssubstrat kann nachfolgend teilweise oder vollständig von den aktiven Bereichen entfernt werden. Auf diese Weise handelt es sich bei dem Träger um ein zum Aufwachssubstrat alternatives Material, das beispielsweise hinsichtlich seiner thermischen Leitfähigkeit und/oder seines thermischen Ausdehnungskoeffizienten für das Material der aktiven Bereiche besonders gut geeignet sein kann.
Beispielsweise ist der Träger dann mit Germanium gebildet, das heißt der Grundkörper des Trägers kann beispielsweise aus Germanium bestehen. Ferner ist es möglich, dass der
Grundkörper des Trägers aus GaN, GaAs, GaP, Silizium, oder anderen Halbleitermaterialien besteht. Ferner kann der
Grundkörper des Trägers aus einem keramischen Material bestehen wie etwa: SixNx, A1N, A1203.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt das Erzeugen der oberseitigen und/oder unterseitigen
Trennbereiche durch Einritzen. Auf diese Weise werden
insbesondere keilförmige Trennbereiche erzeugt, die sich von der jeweiligen Seite, in der sie in den Träger eingebracht werden, zur gegenüberliegenden Seite hin verjüngen. Das
Ritzen kann dabei insbesondere mittels eines Laserstrahls erfolgen. Bei der Verwendung eines Laserstrahls können die oberseitigen und unterseitigen Trennbereiche besonders einfach und genau zueinander justiert werden, sodass ein Erzeugen von besonders geraden Seitenflächen des Trägerteils eines optoelektronischen Halbleiterchips, der mit dem
Verfahren hergestellt ist, ermöglicht ist.
Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .
Figur 1 zeigt eine mikroskopische Aufnahme eines Trägers zur Erläuterung des dem beschriebenen Verfahren zugrundeliegenden Problems. Anhand der schematischen Darstellungen der Figuren 2A, 2B, 2C und 2D ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In Verbindung mit der mikroskopischen Darstellung der Figur 1 ist das den hier beschriebenen Verfahren zugrundeliegende Problem näher erläutert. In der Figur 1 ist ein Träger 2 dargestellt. Der Träger 2 umfasst einen Grundkörper 21, der beispielsweise aus Germanium besteht. An der Unterseite 2b des Trägers 2 ist eine unterseitige Kontaktschicht 22b ausgebildet, die mit einem duktilen Metall gebildet ist. Zum Durchtrennen des Trägers ist von der Oberseite 2a des Trägers 2 her ein oberseitiger Trennbereich 4a in den Träger eingebracht. Ein unterseitiger Trennbereich besteht
vorliegend nicht. Beim Brechen des Trägers 2 vom oberseitigen Trennbereich 4a her entstehen Seitenflächen 5, die schräg, das heißt nicht senkrecht, zur Bodenfläche an der Unterseite 2b des Trägers 2 verlaufen. Das heißt, es entstehen schräge Bruchkanten .
Die Entstehung von schrägen Bruchkanten und damit schrägen Seitenflächen 5 ist auch damit zu begründen, dass der Träger 2 nicht entlang der Vorzugsbruchrichtung des den Träger bildenden Kristalls ausgerichtet ist. Wollte man die
Seitenflächen 5 ohne das Erzeugen von unterseitigen
Trennbereichen 4b rechtwinklig, beispielsweise zur
Bodenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, erzeugen, müsste man die oberseitigen Trennbereiche 4a sehr genau an der Vorzugsbruchrichtung des Kristalls des Grundkörpers 21 des Trägers 2 orientieren. Diese Orientierung müsste mit einer Genauigkeit erfolgen, die wesentlich kleiner als 1° ist. Bei vielen Materialien für Grundkörper 21 des Trägers 2 kommt jedoch erschwerend hinzu, dass eine zweite
Vorzugsbruchrichtung nicht senkrecht zur ersten orientiert ist. Die Ausbildung eines quaderförmigen Chipträgers durch Brechen ist dann kaum möglich.
Ferner verhindert die unterseitige Kontaktschicht 22b ein vollständiges Durchtrennen des Trägers 2 durch den
Brechvorgang. Das heißt, zwei Teile des Trägers sind durch die unterseitige Verbindungsschicht 2b wie durch ein
Scharnier miteinander verbunden. Es entstehen beim Zertrennen zusammenhängende optoelektronische Halbleiterchips, so genannte Doppel- oder Mehrfachsysteme.
Aufgrund der schrägen Bruchkante und der daraus
resultierenden schrägen Seitenfläche 5 des durch das
Zertrennen herzustellenden optoelektronischen Halbleiterchips verläuft eine Deckfläche an der Oberseite des Halbleiterchips nicht planparallel und deckungsgleich zu einer Bodenfläche an der Unterseite des Halbleiterchips. Dieses Problem kann bei nachfolgenden Befestigungsverfahren für den
optoelektronischen Halbleiterchip zu einer Fehlpositionierung des Halbleiterchips, beispielsweise auf einem Anschlussträger wie einer Leiterplatte führen. Aufgrund des die Trägerteile verbindenden Materials der unterseitigen Kontaktschicht 22b sind für ein vollständiges Durchtrennen des Trägers ferner weitere Verfahrensschritte notwendig, welche zeitaufwändig sind und zu weiteren
Beschädigungen der optoelektronischen Halbleiterchips führen können.
In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der Figuren 2A bis 2D ist ein Ausführungsbeispiel eines hier
beschriebenen Verfahrens näher erläutert.
Bei diesem Verfahren wird neben der Oberseite 2a des Trägers 2 auch die Unterseite beispielsweise durch Ritzen und das damit erfolgende Herstellen von unterseitigen Trennbereichen 4b eine Bearbeitung der Unterseite des Trägers 2
durchgeführt. Die Zahl der Doppel- oder Mehrfachsysteme kann damit praktisch auf null reduziert werden. Ein weiterer
Vorteil ist die Vermeidung von schrägen Seitenflächen 5, da ein Bruch des Trägers 2 durch den rückseitigen Trennbereich definiert werden kann und eine Bruchlinie nicht mehr schräg durch den Träger 2 verläuft. Damit ist gewährleistet, dass aktive Bereiche 3 an der Oberseite 2a des Trägers 2
deckungsgleich mit der Bodenfläche an der Unterseite 2b eines jeden optoelektronischen Halbleiterchips 1 übereinander liegen. Diese definierte Lage der Oberseite und der
Unterseite eines jeden optoelektronischen Halbleiterchips 1 schließt ein Verdrehen des optoelektronischen Halbleiterchips 1 durch die Eigenzentrierung des Verbindungsmittels,
beispielsweise des Lotes, mit dem der optoelektronische
Halbleiterchip 1 später auf einem Anschlussträger befestigt wird, nahezu aus. Dadurch lassen sich beispielsweise im fertigen optoelektronischen Bauelement, beispielsweise einer Leuchtdiode, Fokussierungsfehler beim Durchstrahlen von
Linsen vermeiden, da eine Justage des optoelektronischen
Halbleiterchips 1 zur optischen Achse der Linse sehr genau möglich wird. Zusätzlich kann die mechanische Belastung der optoelektronischen Halbleiterchips 1 während des
Zertrennungs-Prozesses , also des Brechens, verringert werden, da geringere Brechkräfte benötigt werden, um das Material zu vereinzeln .
Die Figur 2A zeigt nun einen ersten Verfahrensschritt eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Träger 2 einen
Grundkörper 21. An der Unterseite 2b des Trägers 2 ist eine unterseitige Kontaktschicht 22b angeordnet. Die unterseitige Kontaktschicht 22b besteht beispielsweise aus einem Material hoher Duktilität. Zum Beispiel enthält die unterseitige
Kontaktschicht 22b wenigstens eines der folgenden Metalle: Gold, Platin, Titan. Vorliegend kann die unterseitige
Kontaktschicht 22b beispielsweise durch folgenden Schichtenstapel gebildet sein: Gold/Platin/Titan, wobei das Gold an der Unterseite 2b des Trägers 2 angeordnet ist.
Alternativ kann die unterseitige Kontaktschicht 22b
beispielsweise durch folgenden Schichtenstapel gebildet sein: Platin/Gold/Titan/Platin/Gold, wobei das Gold an der
Unterseite 2b des Trägers 2 angeordnet ist. Eine solche unterseitige Kontaktschicht 22b ist thermisch hoch leitfähig und darüber hinaus lötbar.
Die Dicke der unterseitigen Kontaktschicht 22b beträgt beispielsweise wenigstens 100 nm, insbesondere wenigstens 400 nm, zum Beispiel 550 nm. Der Grundkörper 21 ist beispielsweise mit einem keramischen Material oder einem Halbleitermaterial wie Germanium
gebildet .
An der Oberseite 2a des Trägers 2 ist vorliegend eine
oberseitige Kontaktschicht 22a ausgebildet. Die oberseitige Kontaktschicht 22a kann ebenfalls mit einem Metall hoher Duktilität gebildet sein, beispielsweise mit einem
Schichtenstapel, der die folgende Schichtenfolge umfassen kann: Titan/Platin/Gold. Die Dicke dieses Schichtenstapels beträgt beispielsweise wenigstens 1000 nm, zum Beispiel 2000 nm.
Anders als in Figur 2A dargestellt, ist es dabei auch
möglich, dass sich die oberseitige Kontaktschicht 22a über die gesamte Oberseite 2a des Trägers 2 erstreckt.
An der Oberseite 2a des Trägers sind zueinander benachbart aktive Bereiche 3 angeordnet. Die aktiven Bereiche 3 sind jeweils als Halbleiterschichtenstapel ausgebildet und
umfassen beispielsweise dotierte Halbleiterschichten 32, zwischen denen aktive Schichten 31 angeordnet sind, die im Betrieb beispielsweise zur Detektion oder Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen sind. An der dem Träger 2 abgewandten Seite der aktiven Bereiche 3 können diese jeweils ein Kontaktpad 33 zur Kontaktierung des
optoelektronischen Halbleiterchips umfassen. Vorliegend umfasst der Träger an seiner Oberseite 2a ferner eine oberseitige Passivierungsschicht 23a, die beispielsweise eines der folgenden Materialien enthält oder aus einem der folgenden Materialien besteht: Siliziumdioxid,
Siliziumnitrid. Dabei ist es auch möglich, dass die
oberseitige Passivierungsschicht 23a mehrere Schichten umfasst. Sie weist beispielsweise eine Dicke von kleiner 1000 nm und größer 50 nm, zum Beispiel 150 nm, auf.
Die oberseitige Passivierungsschicht 23a erstreckt sich auch an den Seitenflanken der aktiven Bereiche 3 und kann auch das Kontaktpad 33 eines jeden aktiven Bereichs 3 berühren oder stellenweise sogar überformen.
In Verbindung mit Figur 2D ist ein nachfolgender
Verfahrensschritt beschrieben, bei dem von der Unterseite 2b her in den Träger 2 hinein der unterseitige Trennbereich 4b durch Ritzen, beispielsweise mittels eines Laserstrahls, erzeugt wird. Dabei wird zumindest die unterseitige
Kontaktschicht 22b im Bereich des Trennbereichs 4b
vollständig durchtrennt. Auf diese Weise kann der in
Verbindung mit der Figur 1 beschriebene Scharniereffekt beim späteren Durchtrennen des Trägers 2 vermieden werden.
Alternativ ist es möglich, dass die unterseitige Kontaktschicht 22b derart strukturiert an der Unterseite 2b des Trägers 2 aufgebracht wird, dass sie bereits unterseitige Trennbereiche 4b umfasst, in denen der Grundkörper 21 frei vom Material der unterseitigen Kontaktschicht 22b ist. Ferner kann eine Strukturierung der unterseitigen Kontaktschicht 22b nass- oder trockenchemisch erfolgen.
Wie in der Figur 2B dargestellt, erweist es sich jedoch als vorteilhaft, wenn der Trennbereich 4b bis in den Grundkörper 21 des Trägers 2 reicht. Auf diese Weise wird zusätzlich zur Vermeidung des oben beschriebenen Scharniereffekts auch ein Bruchkeim gebildet, der später zur Ausbildung nicht schräger Seitenflächen 5 entlang des Bruchs des Trägers 2 führt. In Verbindung mit Figur 2C ist ein Verfahrensschritt
beschrieben, bei dem nachfolgend der oberseitige Trennbereich 4a in den Träger 2 eingebracht wird. Die Eindringtiefe Da an der Oberseite 2a des Trägers beträgt dabei beispielsweise ein Drittel der Dicke des Trägers 2. Vorteilhaft ist es auch, wenn die oberseitige Eindringtiefe in den Grundkörper 21 hinein zirka ein Drittel der Dicke D21 des Grundkörpers beträgt .
An der Unterseite 2b des Trägers reicht hingegen eine Kerbe geringer unterseitiger Eindringtiefe Db . Beispielsweise beträgt diese höchstens ein Zehntel der Dicke D2 des Trägers 2.
Wie aus der Figur 2D ersichtlich, können auf diese Weise Seitenflächen 5 ausgebildet werden, welche jeweils einen optoelektronischen Halbleiterchip 1 seitlich begrenzen, wobei jeder optoelektronische Halbleiterchip 1 zumindest einen aktiven Bereich 3 umfasst. Ein Zertrennen des Trägers 2 erfolgt durch Durchbrechen, wobei von der Oberseite 2a her eine Kraft derart ausgeübt wird, dass sich eine Bruchlinie von der Oberseite 2a in
Richtung der Unterseite 2b erstreckt. Das Zertrennen kann beispielsweise mittels einer Keilbrechanlage erfolgen.
Oberseitiger Trennbereich 4a und unterseitiger Trennbereich 4b sind dabei jeweils derart zueinander justiert, dass sie möglichst an einander deckungsgleich gegenüberliegenden
Seiten des Trägers 2 ausgebildet sind, was die Erzeugung von Seitenflächen 5 ermöglicht, die senkrecht zur Bodenfläche an der Unterseite 2b des Trägers 2 verlaufen. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102011011862.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl
optoelektronischer Halbleiterchips (1) mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Trägers (2), der an einer Oberseite (2a) eine Vielzahl von aktiven Bereichen (3) aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind,
- Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen (4b) durch
Entfernen von Material des Trägers (2) an einer der Oberseite (2a) abgewandten Unterseite (2b) des Trägers (2), wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) in Projektion auf die
Oberseite (2a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind,
- Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen (4a) durch
Entfernen von Material des Trägers (2) an der Oberseite (2a) des Träger (2), wobei die oberseitigen Trennbereiche (4a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind,
- Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander
gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b) .
2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei
- zumindest 75% der oberseitigen Trennbereiche (4a) eine größere oberseitige Eindringtiefe (Da) von der Oberseite (2a) in den Träger (2) aufweisen als eine unterseitige
Eindringtiefe (Db) der unterseitigen Trennbereiche (4b) in den Träger (2) von der Unterseite (2b) her,
- zumindest 75% der oberseitigen Eindringtiefen (Da) zwischen einem Viertel und der Hälfte, der Dicke (D2) des Trägers (2) betragen, - zumindest 75% der unterseitigen Endringtiefen (Db)
höchstens ein Zehntel der Dicke (D2) des Trägers (2)
betragen,
- der Träger (2) eine unterseitige Kontaktschicht (22b) umfasst, die einen Grundkörper (21) des Trägers (2) an der Unterseite (2b) des Trägers (2) zum mindestens 99% oder vollständig bedeckt, wobei die unterseitige Kontaktschicht (22b) eine größere Duktilität als Kupfer aufweist, und
- die unterseitige Kontaktschicht (22b) beim Erzeugen
mancher, insbesondere aller, unterseitigen Trennbereiche (4b) im Bereich des jeweiligen Trennbereichs (4b) vollständig entfernt oder vollständig durchtrennt wird.
3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) vor den
oberseitigen Trennbereichen (4a) erzeugt werden.
4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei zumindest manche, insbesondere alle, der oberseitigen Trennbereiche (4a) eine größere oberseitige Eindringtiefe
(Da) von der Oberseite (2a) in den Träger (2) aufweisen als eine unterseitige Eindringtiefe (Db) mancher, insbesondere aller, unterseitigen Trennbereiche (4b) in den Träger (2) von der Unterseite (2b) her.
5. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei zumindest manche, insbesondere alle, oberseitigen
Eindringtiefen (Da) zwischen einem Viertel und der Hälfte, insbesondere ein Drittel, der Dicke (D2) des Trägers (2) betragen und/oder zumindest manche, insbesondere alle, unterseitigen Endringtiefen (Db) höchstens ein Zehntel der Dicke (D2) des Trägers (2) betragen.
6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Träger (2) eine unterseitige Kontaktschicht (22b) umfasst, die einen Grundkörper (21) des Trägers (2) an der Unterseite (2b) des Trägers (2) im Wesentlichen vollständig oder vollständig bedeckt, wobei die unterseitige
Kontaktschicht (22b) eine größere Duktilität als Kupfer aufweist .
7. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei die unterseitige Kontaktschicht (22b) beim Erzeugen mancher, insbesondere aller, unterseitigen Trennbereiche (4b) im Bereich des jeweiligen Trennbereichs (4b) vollständig entfernt oder vollständig durchtrennt wird.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei das Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b) mittels Brechen erfolgt.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei durch das Zertrennen Seitenflächen (5) erzeugt werden, die im Wesentlichen senkrecht oder senkrecht zu einer
Bodenfläche an einer Unterseite (2b) des Trägers (2)
verlaufen .
10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der Träger (2) ein Aufwachssubstrat für das
epitaktische Abscheiden der aktiven Bereiche (3) umfasst.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei der Träger (2) von einem Aufwachssubstrat für das epitaktische Abscheiden der aktiven Bereiche (3) verschieden ist .
12. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei die aktiven Bereiche (3) frei von einem
Aufwachssubstrat sind.
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Träger (2) einen Grundkörper (21) aus Germanium umfasst .
14. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Erzeugen der oberseitigen Trennbereiche (4a) und/oder der unterseitigen Trennbereich (4b) durch Ritzen erfolgt .
15. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei das Ritzen mittels eines Laserstrahls erfolgt.
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