WO2015124531A2 - Laserdiodenchip - Google Patents

Laserdiodenchip Download PDF

Info

Publication number
WO2015124531A2
WO2015124531A2 PCT/EP2015/053218 EP2015053218W WO2015124531A2 WO 2015124531 A2 WO2015124531 A2 WO 2015124531A2 EP 2015053218 W EP2015053218 W EP 2015053218W WO 2015124531 A2 WO2015124531 A2 WO 2015124531A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
laser diode
diode chip
organic
reflection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2015/053218
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2015124531A3 (de
Inventor
Alfred Lell
Sebastian Taeger
Sophia HUPPMANN
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to CN201580010230.9A priority Critical patent/CN106063058B/zh
Priority to DE112015000938.8T priority patent/DE112015000938B4/de
Priority to JP2016553884A priority patent/JP6321197B2/ja
Priority to US15/118,041 priority patent/US20160365699A1/en
Publication of WO2015124531A2 publication Critical patent/WO2015124531A2/de
Publication of WO2015124531A3 publication Critical patent/WO2015124531A3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US16/386,879 priority patent/US11695251B2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments
    • H01S5/0283—Optically inactive coating on the facet, e.g. half-wave coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287—Facet reflectivity

Definitions

  • Laser diode chip The invention relates to a laser diode chip which has at least one laser facet with a coating.
  • Laser diode chips which can emit, for example, in the UV spectral range, in the visible spectral range or in the infrared spectral range, are used in many applications such as
  • the high optical power density achieved with laser diode chips has the consequence that in particular the light-emitting laser facet very high electrical, optical and
  • the high sensitivity of the laser facets further requires a very high effort in the assembly of the
  • An object to be solved is to provide a laser diode chip, which is characterized by an improved long-term stability.
  • Laser diode chip at least one laser facet, which has a coating.
  • the laser facet forms one of the resonator mirrors of the laser diode chip.
  • the laser diode chip may be an edge emitter laser diode chip in which the resonator mirrors are formed by two opposing laser facets. In this case, preferably both laser facets each have one
  • Reflectance can differ from each other.
  • the coating of the at least one laser facet advantageously has at least one inorganic one Layer, preferably several inorganic layers, and at least one organic layer.
  • the coating is an inorganic-organic
  • inorganic layer may be, for example, a
  • the coating may have multiple inorganic
  • reflection-reducing or reflection-enhancing layer sequence are included.
  • reflection-reducing layer or layer sequence can be adjusted selectively the reflectivity of the laser facet.
  • the at least one organic layer may have the function of a protective layer, which in particular improves the long-term stability of the laser diode chip.
  • a protective layer which in particular improves the long-term stability of the laser diode chip.
  • Hybrid structure is therefore characterized in comparison to pure inorganic coatings by improved protection of the laser diode chip from degradation.
  • the at least one inorganic layer of the coating is advantageously produced by atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), plasma-assisted chemical vapor deposition (PECVD), Ion Beam Deposition (IBD) or Ion Plating (IP).
  • ALD atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PECVD plasma-assisted chemical vapor deposition
  • IBD Ion Beam Deposition
  • IP Ion Plating
  • the at least one organic layer is preferably prepared by Molecular Vapor Deposition (MVD) or Molecular Layer Deposition (MLD). These deposition methods are particularly suitable for organic layers
  • the at least one organic layer can be produced, for example, by a PVD method, a sol-gel method or by dip coating.
  • the organic diffusion barrier layer forms a barrier to moisture and / or oxygen. In this way, a degradation of the laser facet, in particular by oxidation, is reduced.
  • the at least one organic layer has the further advantage that it is compared to inorganic
  • Dielectric layers is comparatively elastic, so that the organic layer can deform elastically at operational temperature changes. In this way, the risk of cracking in the coating due to thermally induced stresses is reduced.
  • the at least one organic layer in particular the diffusion barrier layer, preferably contains an alkane, an alkene, an alkyne, a cycloalkane, a cycloalkene, a polyamide or an aluminum alcoholate.
  • the at least one organic layer in particular the diffusion barrier layer, preferably contains an alkane, an alkene, an alkyne, a cycloalkane, a cycloalkene, a polyamide or an aluminum alcoholate.
  • At least one organic layer is an organic one
  • the organic cover layer is the outermost layer of the coating adjacent to the surrounding medium.
  • the organic cover layer is advantageously a hydrophobic layer and / or an anti-adhesion layer.
  • the surface of the coating facing away from the laser facet is advantageously water-repellent and / or adhesion-inhibiting. The ingress of moisture and / or the attachment of
  • Particles are advantageously reduced by the hydrophobic layer and / or the non-stick layer.
  • Cover layer advantageously has a contact angle for water which is greater than 90 °.
  • the contact angle is a measure of the wettability of the surface with water.
  • the organic cover layer can in particular
  • Carbon nanotubes an organic fluorine or
  • Sulfur compound a thiol or a silane. These materials are in particular for the formation of a
  • the organic cover layer is preferably a monolayer layer, in particular a
  • SAM self-assembled monolayer layer
  • the organic cover layer contains a chlorosilane, an amine, a
  • Alcohol a carboxylic acid, a siloxane or a
  • Dimethylaminosilane are particularly suitable for forming an anti-adhesive layer.
  • Non-stick layer is preferably applied by an MVD method.
  • the water-repellent or adhesion-inhibiting property of the organic top layer may be due to the material of the
  • the organic cover layer may have a
  • the at least one inorganic layer comprises a thermally conductive layer.
  • the heat-conductive layer can advantageously dissipate heat arising during operation of the laser diode chip on the laser facet. Preferred materials for the
  • Thermally conductive layer are transparent conductive oxides such as ITO or ZnO. Other preferred materials are GaN, AlN, diamond-like carbon (DLC), SiC or graphene.
  • the thermally conductive layer may in particular also be electrically conductive. That's why it is
  • thermally conductive layer such a low
  • the heat conductive layer can also be applied directly to the laser facet. In this case, the heat can be particularly good from the
  • Laser diode chip are dissipated.
  • Temperature-induced expansion of the thermally conductive layer can preferably compensate in the elastic strain range.
  • the at least one inorganic layer comprises a dielectric protective layer which directly adjoins the laser facet.
  • Dielectric protective layer is preferably a layer produced by atomic layer deposition.
  • Atomic layer deposition can be made particularly dense layers, in particular a diffusion barrier for
  • the dielectric protective layer preferably comprises an oxide, nitride or oxynitride.
  • the coating can in particular be more inorganic
  • the inorganic layers are at least partially arranged in a reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence.
  • the reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence can in particular have alternating layers with alternately higher and lower refractive indices.
  • the inorganic layers of the coating in particular the reflection-enhancing or reflection-reducing
  • Layer sequence preferably contain dielectric
  • the inorganic layers may in particular at least one the materials Si0 2 , A1 2 0 3 , Ti0 2 , Ta 2 0 5 , Si 3 N 4 , Zr0 2 , Hf0 2 , Nb 2 0 5 , Y 2 0 3 , Ho 2 0 3 , Ce0 3 , Lu 2 0 3 , V 2 O 5 , HfZrO, MgO, TaC, ZnO, CuO, In 2 O 3 , Yb 2 O 3 , Sm 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sc 2 O 3 ; B 2 0 3 , He 2 0 3 , Dy 2 0 3 , Tm 2 0 3 , SrTi0 3 , BaTi0 3 , PbTi0 3 , PbZr0 3 , Ga 2 0 3 , HfAlO or HfTaO
  • reflection-reducing layer sequence consists exclusively of inorganic layers.
  • the coating has a thermally conductive layer which is between a
  • Diffusion barrier layer is arranged.
  • the heat conductive layer is advantageous by the
  • dielectric reflection-enhancing or reflection-reducing layer sequence of the laser facet isolated which may therefore also have an electrically conductive material.
  • the reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence may alternately comprise high refractive index inorganic layers and low refractive index organic layers, or alternatively alternately low refractive index inorganic layers and high refractive index organic layers.
  • the inorganic and / or the organic layers advantageously each have a thickness between 1 nm and 350 nm, preferably between 5 nm and 200 nm and particularly preferably between 10 nm and 100 nm.
  • Layer sequence is advantageously between 2 and 50, more preferably between 4 and 20.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a first exemplary embodiment
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a second exemplary embodiment
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a third exemplary embodiment
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a fourth exemplary embodiment
  • FIG. 5 shows a schematic illustration of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a fifth exemplary embodiment
  • 6 shows a schematic representation of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a sixth exemplary embodiment
  • FIG. 7 shows a schematic illustration of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to a seventh exemplary embodiment
  • FIG. 8 shows a schematic representation of a cross section through a partial region of a laser diode chip according to an eighth embodiment.
  • Laser diode chip 1 has a semiconductor layer sequence applied to a substrate 6.
  • the semiconductor layer sequence contains, for example, a buffer layer 2 applied to the substrate 6, a first one
  • Cladding layer 3a Cladding layer 3a, a first waveguide layer 4a, an active layer 5, a second waveguide layer 4b and a second cladding layer 3b.
  • the semiconductor layer sequence may contain further layers, which are not shown for the sake of simplicity. Furthermore, at least partial regions of the semiconductor layer sequence can be structured, for example to a rib waveguide structure.
  • the active layer 5 of the edge emitting semiconductor laser may be formed, for example, as a pn junction, as a double heterostructure, as a single quantum well structure or a multiple quantum well structure.
  • Quantum well structure includes in the context of the application any structure, in the charge carriers by inclusion
  • confinement experience a quantization of their energy states.
  • the name includes
  • Quantum well structure no information about the dimensionality of the quantization. It thus includes u.a. Quantum wells,
  • Quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the semiconductor layer sequence of the laser diode chip 1 is preferably based on a III-V compound semiconductor material, in particular on an arsenide, nitride or
  • the semiconductor layer sequence In x AlyGa ] _- x -yAs, In x AlyGa ] __ x _yN or In x AlyGa ] __ x _yP, each with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y 1, contain ,
  • the III-V compound semiconductor material does not necessarily have a
  • the above formulas contain only the essential constituents of the crystal lattice, even if these may be partially replaced by small amounts of other substances.
  • the material selection is carried out based on the desired emission wavelength of the laser diode chip 1.
  • the substrate 6 is based on the preferably epitaxially grown
  • Selected semiconductor layer sequence may in particular GaAs, sapphire, SiC, GaN or silicon.
  • the laser diode chip 1 has a laser facet 9, which is provided with a coating 10.
  • the laser facet 9 can in particular form one of the resonator mirrors of the laser diode chip 1.
  • a further laser facet, which is opposite the laser facet 9, can form a second resonator mirror of the laser diode chip and be provided with a further coating, which may have the same advantageous configurations as the coating 10 of the laser facet 9 described below In this case, the further coating does not have to be identical to the coating 10, but can, for example, differentiate from the coating 10
  • the laser facet 9 provided with the coating 10 can be used in particular as a radiation exit surface of the
  • Laser diode chips 1 may be provided.
  • the coating 10 comprises a first reflection-increasing or reflection-reducing Layer sequence 11, which has a plurality of alternating first layers 13 and second layers 14.
  • the reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 has, in the exemplary embodiment, three pairs of layers of first layers 13 and second layers 14, ie a total of 6 layers.
  • the number of layers 13, 14 is between 2 and 50, preferably between 4 and 20.
  • the alternating layers 13, 14 are, for example, each inorganic dielectric layers, which alternately have a high
  • Layer sequence 11 may, for example, alternately first
  • Layers 13 of Al 2 O 3 and second layers 14 of one of the materials T 1 O2, Z rÜ2 or a20s have. At this
  • the first layers each have a low refractive index and the second layers have a high refractive index.
  • the first layers have a high refractive index and the second layers have a low refractive index.
  • reflection-reducing layer sequence 11 also have an odd number of layers, i. a further layer with a low or high refractive index is contained in the layer sequence 11 in addition to the layer pairs.
  • the coating 10 further comprises, in the embodiment, a second reflection-enhancing or
  • reflection-reducing layer sequence 12 which is composed of alternating third layers 15 and fourth layers 16, which as in the first reflection-enhancing or
  • reflection-reducing layer sequence 11 advantageous
  • reflection-reducing layer sequences 11, 12 may be appropriate to, for example, the materials of the first
  • reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 in terms of their thermal expansion coefficient to the adjacent semiconductor material of the laser diode chip
  • the materials of the second reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 can be any material of the second reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11.
  • the coating 10 it is also possible for the coating 10 to be only a reflection-increasing or reflection-reducing
  • Layer sequence 11 contains. It is also possible that instead of the first and / or the second reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11, 12 a
  • reflection-enhancing or reflection-reducing single layer is used.
  • reflection-reducing layer sequence 11 alternating
  • the organic layers 13 integrated in the reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 have the advantage that they are relatively elastic compared to inorganic dielectric layers. This is particularly advantageous when thermally induced voltages occur during operation of the laser diode 1.
  • the coating 10 advantageously comprises a
  • the hydrophobic organic cover layer 20 which is a hydrophobic organic layer in the embodiment of Figure 1.
  • the hydrophobic organic cover layer 20 has a contact angle for
  • the hydrophobic organic cover layer 20 serves in particular to protect the laser facet 9 from moisture.
  • the hydrophobic organic capping layer 20 may be, for example, carbon nanotubes or organic
  • the hydrophobic organic cover layer 20 is preferably a monolayer layer, in particular a self-assembled monolayer layer.
  • FIG. 2 shows a second exemplary embodiment of the invention
  • Laser diode chips 1 shown. This differs from the first exemplary embodiment in that the second reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 12 in the growth direction of the coating 10 is followed by an organic layer, which in particular has a
  • Diffusion barrier layer 21 for reducing the diffusion of oxygen or moisture. This will be the
  • the organic diffusion barrier layer 21 contains
  • the second embodiment corresponds to the first embodiment described above.
  • a coating 10 is applied to the laser facet 9, which, starting from the laser facet 9, has a dielectric protective layer 18, a reflection-enhancing or anti-reflection coating
  • reflection-reducing layer sequence 11 and an organic diffusion barrier layer 21 has.
  • the dielectric protective layer 18 advantageously borders directly on the
  • Laser facet 9 and is preferably a means
  • Atomic layer deposition can be deposited particularly dense dielectric layers, which provide a particularly good protection against the ingress of moisture.
  • the dielectric protective layer preferably comprises an oxide, nitride or oxynitride.
  • the dielectric protective layer 18 may, for example, S1O 2, Si (O x Ni_ x) 2, Al 2 O 3 or Al 2 (O x Ni_ x) 3 or combinations thereof.
  • the dielectric protective layer 18 following
  • reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 corresponds with regard to their advantageous
  • Embodiments of the first embodiment Embodiments of the first embodiment.
  • the organic layer 21 may be the same as the second
  • Embodiment in particular act as a diffusion barrier. In this embodiment, it forms
  • the organic diffusion barrier layer 21 has the advantage that it is comparatively elastic and thus particularly resistant to cracking in comparison to inorganic layers.
  • Diffusion barrier layer 21 occur.
  • a coating 10 is applied to the laser facet 9, said coating starting from the laser facet 9
  • reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 a thermally conductive layer 17, an organic
  • Diffusion barrier layer 21 and a hydrophobic organic layer 20 has as a cover layer.
  • This embodiment differs from the previously described second embodiment in that between the reflection-enhancing or reflection-reducing layer sequence 11 and the organic
  • Diffusion barrier layer 21 advantageously the heat-conductive layer 17 is arranged can be derived by the at least a portion of the heat generated during operation of the laser diode chip 1 at least.
  • the thermally conductive layer 17 may in particular also have an electrically conductive material, since it depends on the semiconductor layer sequence of the
  • the thermally conductive layer 17 may contain, for example, ITO, ZnO, GaN, AlN, diamond-like carbon (DLC), SiC or graphene.
  • the fifth embodiment shown in Figure 5 differs from the fourth embodiment in that instead of the hydrophobic organic
  • Cover layer is contained in the coating 10.
  • Non-stick layer 22 advantageously reduces the attachment of Particles on the laser facet. Such accumulation of particles could otherwise be due to electrostatic
  • the non-stick layer 22 is preferably applied by an MVD method or MLD method and preferably contains a chlorosilane, an amine, an alcohol, a carboxylic acid, a siloxane or a dimethylaminosilane.
  • the coating 10 starting from the laser facet 9, has a dielectric protective layer 18, a thermally conductive layer 17, a reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 and a hydrophobic organic layer 20 as a cover layer.
  • the coating 10, starting from the laser facet 9, has a reflection-increasing or reflection-reducing effect
  • Diffusion barrier layer 21a a thermally conductive layer 17, a second organic diffusion barrier layer 21b and a hydrophobic organic cover layer 20 on.
  • the heat-conductive layer 17 is arranged between two organic diffusion barrier layers 21a, 21b, which are advantageously elastic and can thus compensate for a temperature-induced expansion of the thermally conductive layer, preferably in the elastic expansion region.
  • the functions and advantageous embodiments of individual layers correspond to those described above
  • the coating has an inorganic dielectric protective layer 18, starting from the laser facet 9
  • reflection-increasing or reflection-reducing layer sequence 11 a thermally conductive layer 17, an organic
  • hydrophobic organic top layer 20 could also be an organic
  • Non-stick layer act as a cover layer.
  • the functioning of the individual layers corresponds to the previous ones

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Es wird ein Laserdiodenchip (1) beschrieben, bei dem mindestens eine Laserfacette (9) eine Beschichtung (10) aufweist. Die Beschichtung (10) weist mindestens eine anorganische Schicht (14, 15, 16, 17, 18) und mindestens eine organische Schicht (20, 21, 22) auf.

Description

Beschreibung
Laserdiodenchip Die Erfindung betrifft einen Laserdiodenchip, der mindestens eine Laserfacette mit einer Beschichtung aufweist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102014102360.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Laserdiodenchips, die zum Beispiel im UV-Spektralbereich, im sichtbaren Spektralbereich oder im Infrarot-Spektralbereich emittieren können, werden in vielen Anwendungen wie
beispielsweise Projektionsvorrichtungen, in der
Beleuchtungstechnik oder in optischen Sensoren, zum Beispiel zur Gestenerkennung, eingesetzt.
Bei vielen Anwendungen von Laserdiodenchips wird die
erzielbare hohe optische Leistungsdichte ausgenutzt. Die bei Laserdiodenchips erreichte hohe optische Leistungsdichte hat allerdings zur Folge, dass insbesondere die lichtemittierende Laserfacette sehr hohen elektrischen, optischen und
thermischen Belastungen ausgesetzt ist. Insbesondere hat sich herausgestellt, dass beim Betrieb einer Laserdiode unter dem Einfluss von Feuchte eine Oxidation der Laserfacette
auftreten kann, die zu einer Degradation des Laserdiodenchips führt. Weiterhin besteht das Risiko, dass sich beim Betrieb des Laserdiodenchips in Folge elektrostatischer
Wechselwirkung Partikel auf der Laserfacette anlagern, die Abschattungseffekte im Fernfeld, eine verringerte Steilheit der Laserkennlinie oder eine Überhitzung des Spiegels bis hin zur Zerstörung (COD, catastrophic optical damage) zur Folge haben können.
Die hohe Empfindlichkeit der Laserfacetten erfordert weiter einen sehr hohen Aufwand bei der Montage der
Laserdiodenchips .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen Laserdiodenchip anzugeben, der sich durch eine verbesserte Langzeitstabilität auszeichnet.
Diese Aufgabe wird durch einen Laserdiodenchip gemäß dem unabhängigen Patentanspruch gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Laserdiodenchip mindestens eine Laserfacette auf, die eine Beschichtung aufweist. Die Laserfacette bildet insbesondere einen der Resonatorspiegel des Laserdiodenchips aus. Der Laserdiodenchip kann insbesondere ein Kantenemitter- Laserdiodenchip sein, bei dem die Resonatorspiegel durch zwei gegenüberliegende Laserfacetten gebildet sind. In diesem Fall weisen vorzugsweise beide Laserfacetten jeweils eine
Beschichtung auf, wobei sich die Beschichtungen zumindest in ihren optischen Eigenschaften, insbesondere dem
Reflexionsgrad, voneinander unterscheiden können.
Vorzugsweise weist zumindest die als
Strahlungsaustrittsfläche fungierende Laserfacette des
Laserdiodenchips die hier beschriebene Beschichtung auf.
Bei dem Laserdiodenchip weist die Beschichtung der mindestens einen Laserfacette vorteilhaft mindestens eine anorganische Schicht, bevorzugt mehrere anorganische Schichten, und mindestens eine organische Schicht auf. Mit anderen Worten ist die Beschichtung eine anorganisch-organische
Hybridstruktur .
Die in der Beschichtung enthaltene mindestens eine
anorganische Schicht kann zum Beispiel eine
reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schicht sein. Insbesondere kann die Beschichtung mehrere anorganische
Schichten enthalten, die zumindest zum Teil in einer
reflexionsmindernden oder reflexionserhöhenden Schichtenfolge enthalten sind. Durch die reflexionserhöhende oder
reflexionsmindernde Schicht oder Schichtenfolge kann gezielt die Reflektivität der Laserfacette eingestellt werden.
Durch die in der Beschichtung enthaltene mindestens eine organische Schicht kann vorteilhaft mindestens eine
zusätzliche Funktion der Beschichtung realisiert werden.
Insbesondere kann die mindestens eine organische Schicht die Funktion einer Schutzschicht aufweisen, welche insbesondere die Langzeitstabilität des Laserdiodenchips verbessert. Durch die mindestens eine organische Schicht können insbesondere die Diffusion von Feuchtigkeit oder die Anlagerung von
Partikeln vermindert werden. Die anorganisch-organische
Hybridstruktur zeichnet sich daher im Vergleich zu reinen anorganischen Beschichtungen durch einen verbesserten Schutz des Laserdiodenchips vor Degradation aus.
Die mindestens eine anorganische Schicht der Beschichtung wird vorteilhaft durch Atomlagenabscheidung (ALD, atomic layer deposition) , chemische Gasphasenabscheidung (CVD) , plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) , Ionenabstrahlabscheidung (IBD) oder Ionenplatieren (IP) hergestellt .
Die mindestens eine organische Schicht wird vorzugsweise durch molekulare Gasphasenabscheidung (MVD) oder molekulare Schichtabscheidung (MLD) hergestellt. Diese Abscheidemethoden sind insbesondere dazu geeignet, organische Schichten
herzustellen, die als Diffusionsbarriere wirken. Weiterhin kann die mindestens eine organische Schicht zum Beispiel durch ein PVD-Verfahren, ein Sol-Gel-Verfahren oder durch Tauchbeschichtung hergestellt werden,
Gemäß einer Ausgestaltung umfasst die mindestens eine
organische Schicht eine Diffusionsbarriereschicht. Die organische Diffusionsbarriereschicht bildet insbesondere eine Barriere für Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff aus. Auf diese Weise wird eine Degradation der Laserfacette, insbesondere durch Oxidation, vermindert. Die mindestens eine organische Schicht hat weiterhin den Vorteil, dass sie im Vergleich zu anorganischen
dielektrischen Schichten vergleichsweise elastisch ist, sodass sich die organische Schicht bei betriebsbedingten Temperaturänderungen elastisch verformen kann. Auf diese Weise wird das Risiko einer Rissbildung in der Beschichtung aufgrund thermisch induzierter Spannungen vermindert.
Die mindestens eine organische Schicht, insbesondere die Diffusionsbarriereschicht, enthält vorzugsweise ein Alkan, ein Alken, ein Alkin, ein Cycloalkan, ein Cycloalken, ein Polyamid oder ein Aluminiumalkoholat . Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die
mindestens eine organische Schicht eine organische
Deckschicht. Bei dieser Ausgestaltung ist die organische Deckschicht die an das Umgebungsmedium angrenzende äußerste Schicht der Beschichtung.
Die organische Deckschicht ist vorteilhaft eine hydrophobe Schicht und/oder eine Antihaftschicht . In diesem Fall ist die von der Laserfacette abgewandte Oberfläche der Beschichtung vorteilhaft wasserabweisend und/oder adhäsionshemmend. Das Eindringen von Feuchtigkeit und/oder die Anlagerung von
Partikeln werden durch die hydrophobe Schicht und/oder die Antihaftschicht vorteilhaft vermindert. Die organische
Deckschicht weist vorteilhaft einen Kontaktwinkel für Wasser auf, der größer ist als 90°. Der Kontaktwinkel ist ein Maß für die Benetzbarkeit der Oberfläche mit Wasser.
Die organische Deckschicht kann insbesondere
Kohlenstoffnanoröhren, eine organische Fluor- oder
Schwefelverbindung, ein Thiol oder ein Silan aufweisen. Diese Materialien sind insbesondere zur Ausbildung einer
hydrophoben Schicht geeignet. Bevorzugt ist die organische Deckschicht eine Monolagenschicht , insbesondere eine
selbstorganisierte Monolagenschicht (SAM, seif assembled monolayer) .
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung enthält die organische Deckschicht ein Chlorsilan, ein Amin, einen
Alkohol, eine Carbonsäure, ein Siloxan oder ein
Dimethylaminosilan . Diese Materialien sind insbesondere zur Ausbildung einer Antihaftschicht geeignet. Die
Antihaftschicht wird bevorzugt durch ein MVD-Verfahren aufgebracht . Die wasserabweisende oder adhäsionshemmende Eigenschaft der organischen Deckschicht kann durch das Material der
Deckschicht, insbesondere durch die chemischen Eigenschaften der Oberfläche, und/oder durch dessen Struktur bedingt sein. Insbesondere kann die organische Deckschicht eine
Oberflächenstruktur aufweisen, durch die ein
wasserabweisender Effekt, der sogenannte Lotus-Effekt, erzielt wird.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung umfasst die mindestens eine anorganische Schicht eine wärmeleitfähige Schicht. Durch die wärmeleitfähige Schicht kann vorteilhaft beim Betrieb des Laserdiodenchips an der Laserfacette entstehende Wärme abgeführt werden. Bevorzugte Materialien für die
wärmeleitfähige Schicht sind transparente leitfähige Oxide wie zum Beispiel ITO oder ZnO. Weitere bevorzugte Materialien sind GaN, A1N, diamantartiger Kohlenstoff (DLC) , SiC oder Graphen. Die wärmeleitfähige Schicht kann insbesondere auch elektrisch leitfähig sein. Aus diesem Grund ist es
vorteilhaft, die wärmeleitfähige Schicht nicht unmittelbar auf die Laserfacette aufzubringen, da ansonsten die Gefahr eines Kurzschlusses der Halbleiterschichten des
Laserdiodenchips bestehen würde.
Falls die wärmeleitfähige Schicht eine derart geringe
elektrische Leitfähigkeit aufweist, dass keine Gefahr eines Kurzschlusses besteht, kann die wärmeleitfähige Schicht auch unmittelbar auf die Laserfacette aufgebracht werden. In diesem Fall kann die Wärme besonders gut von dem
Laserdiodenchip abgeführt werden. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist die wärmeleitfähige Schicht zwischen einer ersten organischen
Diffusionsbarriereschicht und einer zweiten organischen
Diffusionsbarriereschicht angeordnet. Dies ist vorteilhaft, da die organischen Diffusionsbarriereschichten
vergleichsweise elastisch sind und somit eine
temperaturbedingte Ausdehnung der wärmeleitfähigen Schicht vorzugsweise im elastischen Dehnungsbereich kompensieren können .
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung umfasst die mindestens eine anorganische Schicht eine dielektrische Schutzschicht, welche unmittelbar an die Laserfacette angrenzt. Die
dielektrische Schutzschicht ist vorzugsweise eine mittels Atomlagenabscheidung hergestellte Schicht. Mittels der
Atomlagenabscheidung lassen sich besonders dichte Schichten herstellen, die insbesondere eine Diffusionssperre für
Feuchtigkeit ausbilden. Die dielektrische Schutzschicht weist vorzugsweise ein Oxid, Nitrid oder Oxynitrid auf.
Die Beschichtung kann insbesondere mehrere anorganische
Schichten aufweisen. Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung sind die anorganischen Schichten zumindest teilweise in einer reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge angeordnet. Die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge kann insbesondere alternierende Schichten mit abwechselnd höherem und niedrigerem Brechungsindex aufweisen.
Die anorganischen Schichten der Beschichtung, insbesondere der reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden
Schichtenfolge, enthalten bevorzugt dielektrische
Materialien, insbesondere Oxide, Nitride oder Oxynitride. Die anorganischen Schichten können insbesondere zumindest eines der Materialien Si02, A1203, Ti02, Ta205, Si3N4, Zr02, Hf02, Nb205, Y203,Ho203, Ce03, Lu203, V205, HfZrO, MgO, TaC, ZnO, CuO, ln203, Yb203, Sm203, Nd203, Sc203; B203, Er203, Dy203, Tm203, SrTi03, BaTi03, PbTi03, PbZr03, Ga203, HfAlO oder HfTaO
aufweisen.
Es ist möglich, dass die reflexionserhöhende oder
reflexionsmindernde Schichtenfolge ausschließlich aus anorganischen Schichten besteht.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist die Beschichtung eine wärmeleitfähige Schicht auf, die zwischen einer
dielektrischen reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge und einer organischen
Diffusionsbarriereschicht angeordnet ist. In diesem Fall wird die wärmeleitfähige Schicht vorteilhaft durch die
dielektrische reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge von der Laserfacette isoliert, die deshalb ein auch elektrisch leitfähiges Material aufweisen kann.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung enthält die
reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge sowohl anorganische als auch organische Schichten,
insbesondere alternierende anorganische und organische
Schichten. Die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge kann insbesondere abwechselnd anorganische Schichten mit hohem Brechungsindex und organische Schichten mit niedrigem Brechungsindex, oder alternativ abwechselnd anorganische Schichten mit niedrigem Brechungsindex und organische Schichten mit hohem Brechungsindex aufweisen. Bei dieser Ausgestaltung weisen die anorganischen und/oder die organischen Schichten vorteilhaft jeweils eine Dicke zwischen 1 nm und 350 nm, bevorzugt zwischen 5 nm und 200 nm und besonders bevorzugt zwischen 10 nm und 100 nm auf.
Die Anzahl der Schichten in der reflexionserhöhenden
Schichtenfolge beträgt vorteilhaft zwischen 2 und 50, besonders bevorzugt zwischen 4 und 20.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von
Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 8 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
Figur 2 schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
Figur 3 schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,
Figur 4 schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, Figur 5 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel, Figur 6 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel, Figur 7 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel, und
Figur 8 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Teilbereich eines Laserdiodenchips gemäß einem achten Ausführungsbeispiel.
Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die
dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen .
Der in Figur 1 schematisch im Querschnitt dargestellte
Laserdiodenchip 1 weist eine auf ein Substrat 6 aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge auf.
Die Halbleiterschichtenfolge enthält beispielsweise eine auf das Substrat 6 aufgebrachte Pufferschicht 2, eine erste
Mantelschicht 3a, eine erste Wellenleiterschicht 4a, eine aktive Schicht 5, eine zweite Wellenleiterschicht 4b und eine zweite Mantelschicht 3b. Die Halbleiterschichtenfolge kann weitere Schichten enthalten, die zur Vereinfachung nicht dargestellt sind. Weiterhin können zumindest Teilbereiche der Halbleiterschichtenfolge strukturiert sein, zum Beispiel zu einer Rippenwellenleiterstruktur . Geeignete
Wellenleiterstrukturen für Laserdiodenchips sind an sich bekannt und daher zur Vereinfachung nicht im Detail
dargestellt .
Die aktive Schicht 5 des kantenemittierenden Halbleiterlasers kann zum Beispiel als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-Quantentopfstruktur oder Mehrfach- Quantentopfstruktur ausgebildet sein. Die Bezeichnung
Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss
( "confinement " ) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung
Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit u.a. Quantentröge,
Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
Die Halbleiterschichtenfolge des Laserdiodenchips 1 basiert vorzugsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere auf einem Arsenid-, Nitrid- oder
Phosphidverbindungshalbleitermaterial . Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge InxAlyGa]_-x-yAs, InxAlyGa]__x_yN oder InxAlyGa]__x_yP, jeweils mit O ^ x ^ l, O ^ y ^ l und x + y 1, enthalten. Dabei muss das III-V- Verbindungshalbleitermaterial nicht zwingend eine
mathematisch exakte Zusammensetzung nach einer der obigen Formeln aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die physikalischen Eigenschaften des Materials im
Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhalten obige Formeln jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Die Materialauswahl erfolgt dabei anhand der gewünschten Emissionswellenlänge des Laserdiodenchips 1. Das Substrat 6 wird anhand der vorzugsweise epitaktisch aufgewachsenen
Halbleiterschichtenfolge ausgewählt und kann insbesondere GaAs, Saphir, SiC, GaN oder Silizium aufweisen.
Zur elektrischen Kontaktierung des Laserdiodenchips ist eine erste Kontaktschicht 7 an einer von der
Halbleiterschichtenfolge abgewandte Rückseite des Substrats 6 und eine zweite Kontaktschicht 8 an der vom Substrat 6 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet.
Der Laserdiodenchip 1 weist eine Laserfacette 9 auf, die mit einer Beschichtung 10 versehen ist. Die Laserfacette 9 kann insbesondere einen der Resonatorspiegel des Laserdiodenchips 1 ausbilden. Eine in dem Ausschnitt nicht dargestellte weitere Laserfacette, die der Laserfacette 9 gegenüberliegt, kann einen zweiten Resonatorspiegel des Laserdiodenchips ausbilden und mit einer weiteren Beschichtung versehen sein, welche die gleichen vorteilhaften Ausgestaltungen aufweisen kann wie die im Folgenden beschriebene Beschichtung 10 der Laserfacette 9. In diesem Fall muss die weitere Beschichtung nicht zur Beschichtung 10 identisch sein, sondern kann zum Beispiel von der Beschichtung 10 verschiedene optische
Eigenschaften, insbesondere eine andere Reflektivität , aufweisen .
Die mit der Beschichtung 10 versehene Laserfacette 9 kann insbesondere als Strahlungsaustrittsfläche des
Laserdiodenchips 1 vorgesehen sein.
Bei dem Ausführungsbeispiel umfasst die Beschichtung 10 eine erste reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11, die mehrere alternierende erste Schichten 13 und zweite Schichten 14 aufweist. Die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 weist bei dem Ausführungsbeispiel drei Schichtpaare aus ersten Schichten 13 und zweiten Schichten 14 auf, also insgesamt 6 Schichten. Im Allgemeinen beträgt die Anzahl der Schichten 13, 14 zwischen 2 und 50, bevorzugt zwischen 4 und 20. Die alternierenden Schichten 13, 14 sind zum Beispiel jeweils anorganische dielektrische Schichten, die abwechselnd einen hohen
Brechungsindex und einen niedrigen Brechungsindex aufweisen. Die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde
Schichtenfolge 11 kann zum Beispiel abwechselnd erste
Schichten 13 aus AI2O3 und zweite Schichten 14 aus einem der Materialien T 1 O2 , Z rÜ2 oder a20s aufweisen. Bei dieser
Ausgestaltung weisen die ersten Schichten jeweils einen niedrigen Brechungsindex und die zweiten Schichten einen hohen Brechungsindex auf. Alternativ ist es auch möglich, dass die ersten Schichten einen hohen Brechungsindex und die zweiten Schichten einen niedrigen Brechungsindex aufweisen. Weiterhin kann die reflexionserhöhende oder
reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 auch eine ungerade Anzahl an Schichten aufweisen, d.h. dass zusätzlich zu den Schichtpaaren noch eine weitere Schicht mit niedrigem oder hohem Brechungsindex in der Schichtenfolge 11 enthalten ist.
Die Beschichtung 10 umfasst bei dem Ausführungsbeispiel weiterhin eine zweite reflexionserhöhende oder
reflexionsmindernde Schichtenfolge 12, die aus alternierenden dritten Schichten 15 und vierten Schichten 16 aufgebaut ist, die wie bei der ersten reflexionserhöhenden oder
reflexionsmindernden Schichtenfolge 11 vorteilhaft
abwechselnd niedrige Brechungsindizes und hohe
Brechungsindizes aufweisen. Die Verwendung von zwei aufeinanderfolgenden reflexionserhöhenden oder
reflexionsmindernden Schichtenfolgen 11, 12 kann zweckmäßig sein, um beispielsweise die Materialien der ersten
reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge 11 hinsichtlich ihres Wärmeausdehnungskoeffizienten an das angrenzende Halbleitermaterial des Laserdiodenchips
anzupassen. Die Materialien der zweiten reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge 11 können
beispielsweise zur Erzielung eines möglichst großen
Unterschieds ihrer Brechungsindizes ausgewählt werden.
Es ist aber alternativ auch möglich, dass die Beschichtung 10 nur eine reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde
Schichtenfolge 11 enthält. Außerdem ist es möglich, dass anstelle der ersten und/oder der zweiten reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge 11, 12 eine
reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Einzelschicht verwendet wird. Die erste reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde
Schichtenfolge 11 und die zweite reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 12 müssen nicht
notwendigerweise nur aus anorganischen Schichten bestehen. Vielmehr ist es alternativ auch möglich, dass mindestens eine der reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden
Schichtenfolgen 11, 12 abwechselnde anorganische und
organische Schichten aufweist. Bei einer Ausgestaltung weist zum Beispiel die erste reflexionserhöhende oder
reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 alternierende
organische erste Schichten 13 und anorganische zweite
Schichten 14 auf. Bei dieser Ausgestaltung haben die in die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 integrierten organischen Schichten 13 den Vorteil, dass sie im Vergleich zu anorganischen dielektrischen Schichten vergleichsweise elastisch sind. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn im Betrieb der Laserdiode 1 thermisch bedingte Spannungen auftreten.
Weiterhin umfasst die Beschichtung 10 vorteilhaft eine
Deckschicht 20, die bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 eine hydrophobe organische Schicht ist. Die hydrophobe organische Deckschicht 20 weist einen Kontaktwinkel für
Wasser auf, der größer als 90° ist. Die hydrophobe organische Deckschicht 20 dient insbesondere zum Schutz der Laserfacette 9 vor Feuchtigkeit. Die hydrophobe organische Deckschicht 20 kann zum Beispiel Kohlenstoffnanoröhren oder organische
Fluor- oder Schwefelverbindungen enthalten, die insbesondere Thiol- oder Silangruppen aufweisen. Die hydrophobe organische Deckschicht 20 ist vorzugsweise eine Monolagenschicht , insbesondere eine selbstorganisierte Monolagenschicht.
In Figur 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel des
Laserdiodenchips 1 dargestellt. Dieses unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel dadurch, dass der zweiten reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge 12 in Wachstumsrichtung der Beschichtung 10 eine organische Schicht nachfolgt, die insbesondere eine
Diffusionsbarriereschicht 21 zur Verminderung der Diffusion von Sauerstoff oder Feuchtigkeit ist. Dadurch wird die
Laserfacette 9 noch besser gegen Oxidation geschützt.
Die organische Diffusionsbarriereschicht 21 enthält
vorzugsweise ein Alkan, ein Alken, ein Alkin, ein Cycloalkan, ein Cycloalken, ein Polyamid oder ein Aluminiumalkoholat . Ansonsten entspricht das zweite Ausführungsbeispiel dem zuvor beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel.
Bei dem in Figur 3 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel ist auf die Laserfacette 9 eine Beschichtung 10 aufgebracht, welche ausgehend von der Laserfacette 9 eine dielektrische Schutzschicht 18, eine reflexionserhöhende oder
reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 und eine organische Diffusionsbarriereschicht 21 aufweist. Die dielektrische Schutzschicht 18 grenzt vorteilhaft unmittelbar an die
Laserfacette 9 an und ist vorzugsweise eine mittels
Atomlagenabscheidung hergestellte Schicht. Mittels
Atomlagenabscheidung können besonders dichte dielektrische Schichten abgeschieden werden, die einen besonders guten Schutz gegen das Eindringen von Feuchtigkeit darstellen. Die dielektrische Schutzschicht weist vorzugsweise ein Oxid, Nitrid oder Oxynitrid auf. Die dielektrische Schutzschicht 18 kann zum Beispiel S1O2, Si (OxNi_x ) 2, AI2O3 oder AI2 (OxNi_x ) 3 oder Kombinationen daraus aufweisen.
Die der dielektrischen Schutzschicht 18 nachfolgende
reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 entspricht hinsichtlich ihrer vorteilhaften
Ausgestaltungen dem ersten Ausführungsbeispiel.
Die organische Schicht 21 kann wie bei dem zweiten
Ausführungsbeispiel insbesondere als Diffusionsbarriere fungieren. Bei diesem Ausführungsbeispiel bildet sie
gleichzeitig die Deckschicht der Beschichtung 10 aus. Die organische Diffusionsbarriereschicht 21 hat den Vorteil, dass sie im Vergleich zu anorganischen Schichten vergleichsweise elastisch und somit insbesondere besonders rissfest ist.
Dadurch wird das Risiko vermindert, dass beispielsweise durch temperaturbedingte Spannungen, die beim Betrieb des
Laserdiodenchips 1 auftreten, Risse in der organischen
Diffusionsbarriereschicht 21 auftreten. Bei dem in Figur 4 dargestellten vierten Ausführungsbeispiel ist auf die Laserfacette 9 eine Beschichtung 10 aufgebracht, welche ausgehend von der Laserfacette 9 eine
reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11, eine wärmeleitfähige Schicht 17, eine organische
Diffusionsbarriereschicht 21 und eine hydrophobe organische Schicht 20 als Deckschicht aufweist.
Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem zuvor beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel dadurch, dass zwischen der reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge 11 und der organischen
Diffusionsbarriereschicht 21 vorteilhaft die wärmeleitfähige Schicht 17 angeordnet ist, durch die zumindest ein Teil der beim Betrieb des Laserdiodenchips 1 entstehenden Wärme abgeleitet werden kann. Die wärmeleitfähige Schicht 17 kann insbesondere ein auch elektrisch leitfähiges Material aufweisen, da sie von der Halbleiterschichtenfolge der
Laserdiode 1 durch die dielektrische reflexionserhöhende Schichtenfolge 11 isoliert ist. Die wärmeleitfähige Schicht 17 kann zum Beispiel ITO, ZnO, GaN, A1N, diamantartigen Kohlenstoff (DLC) , SiC oder Graphen enthalten.
Das in Figur 5 dargestellte fünfte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem vierten Ausführungsbeispiel dadurch, dass anstelle der hydrophoben organischen
Deckschicht eine organische Antihaftschicht 22 als
Deckschicht in der Beschichtung 10 enthalten ist. Die
Antihaftschicht 22 vermindert vorteilhaft die Anlagerung von Partikeln auf der Laserfacette. Eine solche Anlagerung von Partikeln könnte ansonsten infolge elektrostatischer
Wechselwirkungen beim Betrieb des Laserdiodenchips 1
auftreten .
Die Antihaftschicht 22 wird bevorzugt durch ein MVD-Verfahren oder MLD-Verfahren aufgebracht und enthält bevorzugt ein Chlorsilan, ein Amin, einen Alkohol, eine Carbonsäure, ein Siloxan oder ein Dimethylaminosilan .
Bei dem in Figur 6 dargestellten sechsten Ausführungsbeispiel weist die Beschichtung 10 ausgehend von der Laserfacette 9 eine dielektrische Schutzschicht 18, eine wärmeleitfähige Schicht 17, eine reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11 und eine hydrophobe organische Schicht 20 als Deckschicht auf. Die Funktionen und vorteilhaften
Ausgestaltungen der einzelnen Schichten entsprechen den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen und werden daher nicht näher im Detail erläutert.
Bei dem in Figur 7 dargestellten siebten Ausführungsbeispiel weist die Beschichtung 10 ausgehend von der Laserfacette 9 eine reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde
Schichtenfolge 11, eine erste organische
Diffusionsbarriereschicht 21a, eine wärmeleitfähige Schicht 17, eine zweite organische Diffusionsbarriereschicht 21b und eine hydrophobe organische Deckschicht 20 auf. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die wärmeleitfähige Schicht 17 zwischen zwei organischen Diffusionsbarriereschichten 21a, 21b angeordnet, die vorteilhaft elastisch sind und somit eine temperaturbedingte Ausdehnung der wärmeleitfähigen 17 Schicht vorzugsweise im elastischen Dehnungsbereich kompensieren können. Die Funktionen und vorteilhaften Ausgestaltungen der einzelnen Schichten entsprechen den zuvor beschriebenen
Ausführungsbeispielen und werden daher nicht näher im Detail erläutert . Bei dem weiteren in Figur 8 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Beschichtung ausgehend von der Laserfacette 9 eine anorganische dielektrische Schutzschicht 18, eine
reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge 11, eine wärmeleitfähige Schicht 17, eine organische
Diffusionsbarriereschicht 21 und eine hydrophobe organische Schicht 20 als Deckschicht auf. Anstelle der hydrophoben organischen Deckschicht 20 könnte auch eine organische
Antihaftschicht als Deckschicht fungieren. Die Funktionsweise der einzelnen Schichten entspricht den vorhergehenden
Ausführungsbeispielen und wird daher nicht näher erläutert.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Laserdiodenchip (1) mit mindestens einer Laserfacette (9), die eine Beschichtung (10) aufweist,
wobei die Beschichtung (10) mindestens eine anorganische Schicht (14, 15, 16, 17, 18) und mindestens eine
organische Schicht (20, 21, 22) aufweist.
Laserdiodenchip nach Anspruch 1,
wobei die mindestens eine organische Schicht eine
Diffusionsbarriereschicht (21) umfasst.
Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine organische Schicht (21) ein Alkan, ein Alken, ein Alkin, ein Cycloalkan, ein
Cycloalken, ein Polyamid oder ein Aluminiumalkoholat aufweist .
Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine organische Schicht eine organische Deckschicht (20, 22) umfasst.
Laserdiodenchip nach Anspruch 4,
wobei die organische Deckschicht (20, 22) eine
hydrophobe Schicht (20) und/oder eine Antihaftschicht (22) ist.
Laserdiodenchip nach Anspruch 5,
wobei die organische Deckschicht (20, 22) einen
Kontaktwinkel für Wasser aufweist, der größer ist als 90° . Laserdiodenchip nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei die organische Deckschicht (20, 22)
Kohlenstoffnanoröhren, eine organische Fluor- oder
Schwefelverbindung, ein Thiol, ein Silan, ein
Chlorsilan, ein Amin, einen Alkohol, eine Carbonsäure, ein Siloxan oder ein Dimethylaminosilan enthält.
Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine anorganische Schicht eine wärmeleitfähige Schicht (17) umfasst.
Laserdiodenchip nach Anspruch 8,
wobei die wärmeleitfähige Schicht (17) zwischen einer ersten organischen Diffusionsbarriereschicht (21b) und einer zweiten organischen Diffusionsbarriereschicht (21b) angeordnet ist.
Laserdiodenchip nach Anspruch 8 oder 9,
wobei die wärmeleitfähige Schicht (17) ein transparentes leitfähiges Oxid, ITO, ZnO, GaN, A1N, diamantartigen Kohlenstoff (DLC) , SiC oder Graphen aufweist.
Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine anorganische Schicht eine dielektrische Schutzschicht (18) umfasst, welche
unmittelbar an die Laserfacette (9) angrenzt.
12. Laserdiodenchip nach Anspruch 11,
wobei die dielektrische Schutzschicht (18) eine ALD- Schicht ist.
Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine anorganische Schicht eine reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schicht umfasst .
14. Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (10) mehrere anorganische
Schichten (14, 15, 16) aufweist, die zumindest teilweise in einer reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge (11, 12) angeordnet sind.
15. Laserdiodenchip nach Anspruch 14,
wobei die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Schichtenfolge (12) sowohl anorganische Schichten (14) als auch organische Schichten (13) enthält.
16. Laserdiodenchip nach den Ansprüchen 2, 8 und 14,
wobei die wärmeleitfähige Schicht (17) zwischen der reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden
Schichtenfolge (11, 12) und der organischen
Diffusionsbarriereschicht (21) angeordnet ist.
17. Laserdiodenchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine anorganische Schicht (14, 15, 16, 17, 18) mindestens eines der Materialien Si02, AI2O3, Ti02, Ta205, S13N4, Zr02, Hf02, Nb205, Y203,Ho203, Ce03, Lu203, V205, HfZrO, MgO, TaC, ZnO, CuO, ln203, Yb203, Sm203, Nd203, Sc203; B203, Er203, Dy203, Tm203, SrTi03, BaTi03, PbTi03, PbZr03, Ga203, HfAlO oder HfTaO aufweist.
PCT/EP2015/053218 2014-02-24 2015-02-16 Laserdiodenchip Ceased WO2015124531A2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580010230.9A CN106063058B (zh) 2014-02-24 2015-02-16 具有覆层的激光器端面的激光二极管芯片
DE112015000938.8T DE112015000938B4 (de) 2014-02-24 2015-02-16 Laserdiodenchip
JP2016553884A JP6321197B2 (ja) 2014-02-24 2015-02-16 被覆されたレーザファセットを有するレーザダイオードチップ
US15/118,041 US20160365699A1 (en) 2014-02-24 2015-02-16 Laser Diode Chip Having Coated Laser Facet
US16/386,879 US11695251B2 (en) 2014-02-24 2019-04-17 Laser diode chip having coated laser facet

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014102360.9 2014-02-24
DE102014102360.9A DE102014102360A1 (de) 2014-02-24 2014-02-24 Laserdiodenchip

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/118,041 A-371-Of-International US20160365699A1 (en) 2014-02-24 2015-02-16 Laser Diode Chip Having Coated Laser Facet
US16/386,879 Division US11695251B2 (en) 2014-02-24 2019-04-17 Laser diode chip having coated laser facet

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2015124531A2 true WO2015124531A2 (de) 2015-08-27
WO2015124531A3 WO2015124531A3 (de) 2015-10-15

Family

ID=52574133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/053218 Ceased WO2015124531A2 (de) 2014-02-24 2015-02-16 Laserdiodenchip

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20160365699A1 (de)
JP (2) JP6321197B2 (de)
CN (1) CN106063058B (de)
DE (2) DE102014102360A1 (de)
WO (1) WO2015124531A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016209687A1 (de) 2016-06-02 2017-12-07 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014102360A1 (de) 2014-02-24 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenchip
KR102512274B1 (ko) * 2016-08-12 2023-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10651103B2 (en) 2016-10-28 2020-05-12 Qorvo Us, Inc. Environmental protection for wafer level and package level applications
DE102017112610A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser und Betriebsverfahren für einen solchen Halbleiterlaser
JP7160579B2 (ja) * 2018-06-28 2022-10-25 トヨタ自動車株式会社 熱伝導構造体又は半導体装置
US12120896B2 (en) * 2018-07-05 2024-10-15 Basf Coatings Gmbh Transparent conductive film
US11877505B2 (en) 2020-10-15 2024-01-16 Qorvo Us, Inc. Fluorinated polymers with low dielectric loss for environmental protection in semiconductor devices
JP7802468B2 (ja) * 2021-06-29 2026-01-20 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物半導体発光素子
DE102021121115A1 (de) 2021-08-13 2023-02-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Spiegel für einen laser, laser und laserbauteil
TWI810873B (zh) * 2022-03-29 2023-08-01 華信光電科技股份有限公司 具有高導熱低反射前鏡面之邊射型半導體雷射

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4317086A (en) * 1979-09-13 1982-02-23 Xerox Corporation Passivation and reflector structure for electroluminescent devices
NL8700904A (nl) * 1987-04-16 1988-11-16 Philips Nv Halfgeleiderlaserinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
JPH01318272A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザの共振器端面コーテイング方法
JPH03142892A (ja) * 1989-10-27 1991-06-18 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH04176180A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ素子のチップ
JPH06283811A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Nippon Steel Corp 半導体レーザの製造方法
US5802091A (en) * 1996-11-27 1998-09-01 Lucent Technologies Inc. Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices
JPH10190120A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Sharp Corp 半導体レーザの製造方法
US5851849A (en) * 1997-05-22 1998-12-22 Lucent Technologies Inc. Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography
US6396864B1 (en) * 1998-03-13 2002-05-28 Jds Uniphase Corporation Thermally conductive coatings for light emitting devices
JP2001119090A (ja) * 1999-10-21 2001-04-27 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
US6727520B2 (en) * 2000-12-29 2004-04-27 Honeywell International Inc. Spatially modulated reflector for an optoelectronic device
JP3856300B2 (ja) * 2002-03-11 2006-12-13 ソニー株式会社 半導体レーザ素子
CN100407463C (zh) * 2002-09-27 2008-07-30 三菱电机株式会社 半导体光电器件
US6819697B2 (en) * 2003-01-13 2004-11-16 Agilent Technologies, Inc. Moisture passivated planar index-guided VCSEL
WO2005053000A2 (en) * 2003-11-24 2005-06-09 Tyco Electronics Corporation Encapsulated gaas - based laser devices
DE102004010094B3 (de) * 2004-02-27 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit mindestens einer organischen Halbleiterschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
ES2444703T3 (es) 2007-06-29 2014-02-26 Cellutech Ab Métodos para preparar superficies superhidrofóbicas sobre cuerpos sólidos mediante soluciones de expansión rápida
WO2009039354A2 (en) * 2007-09-19 2009-03-26 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid organic-inorganic dielectric bragg mirrors, and methods of use thereof
TW200924234A (en) * 2007-11-30 2009-06-01 Uni Light Touchtek Corp Semiconductor photoelectric element and light emitting diode made thereof
JP2009277844A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Rohm Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子
US8144743B2 (en) * 2008-03-05 2012-03-27 Rohm Co., Ltd. Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same
JP5193718B2 (ja) * 2008-07-18 2013-05-08 パナソニック株式会社 窒化物半導体レーザ装置
DE102009058796A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2011151310A (ja) 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 窒化物系半導体発光素子、および、窒化物系半導体発光素子をパッケージに搭載した発光素子
JP2012015155A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ素子および光装置
CN102403652A (zh) * 2010-09-14 2012-04-04 三洋电机株式会社 半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置
JP2012064886A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Sony Corp 半導体レーザ
DE102011113428A1 (de) * 2011-09-14 2013-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2013161146A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP5491679B1 (ja) * 2012-06-29 2014-05-14 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光素子
DE102014102360A1 (de) 2014-02-24 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenchip

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016209687A1 (de) 2016-06-02 2017-12-07 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
WO2017207228A1 (de) 2016-06-02 2017-12-07 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US11695251B2 (en) 2023-07-04
JP2017506834A (ja) 2017-03-09
DE102014102360A1 (de) 2015-08-27
WO2015124531A3 (de) 2015-10-15
JP2018137462A (ja) 2018-08-30
CN106063058B (zh) 2019-03-05
JP6629378B2 (ja) 2020-01-15
US20190245323A1 (en) 2019-08-08
US20160365699A1 (en) 2016-12-15
DE112015000938B4 (de) 2020-01-09
CN106063058A (zh) 2016-10-26
DE112015000938A5 (de) 2016-12-22
JP6321197B2 (ja) 2018-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015000938B4 (de) Laserdiodenchip
EP1906499A1 (de) Kantenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden
EP1630915A2 (de) Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement mit einer Quantentopfstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1769540B1 (de) Reflektierendes schichtsystem mit einer mehrzahl von schichten zur aufbringung auf ein iii/v-verbindungshalbleitermaterial
DE102013017275B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE112019005876T5 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
EP1906461A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102016106949A1 (de) Kantenemittierender Halbleiterlaser
DE102016109022A1 (de) Laserdiodenchip
DE102012102306B4 (de) Laserdiodenvorrichtung
WO2023213480A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2016066477A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
WO2010048918A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102018110985B4 (de) Halbleiterlaserdiode, laserbauteil und verfahren zur herstellung einer halbleiterlaserdiode
WO2015189062A1 (de) Licht emittierendes halbleiterbauelement
DE102007046752B4 (de) Quasisubstrat für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
WO2023213710A1 (de) Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterlaserbauelements und optoelektronisches modul
DE102018126924B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips mit einer Konverterschicht und Leuchtdiodenchip
DE102012102305A1 (de) Laserdiodenvorrichtung
EP1739758A2 (de) Strahlungsemittierender optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Diffusionsbarriere
DE112022000389B4 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
WO2018188976A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE112019005563B4 (de) Laserdiode und Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung mindestens zweier Frequenzen
DE102018107470A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE112023000449T5 (de) Halbleiterchip und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15705965

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15118041

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016553884

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112015000938

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112015000938

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15705965

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2