JPH01318272A - 半導体レーザの共振器端面コーテイング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体レーザの共振器端面コーティング方法に
関する。

幹）従来の技術 現在、半導体レーザ材料として、　ＩｎＧａＡｌ！Ｐ系
、１ｎＱａＡｓＰ系、ＡＪＧａＡ係等の化合物半導体が
多く用いられている。

第２因にこれら半導体レーザ材料の−っであるＩｎｏ、
４ａＱａＩＩＬｓｚｐの熱処理温度とＰＬ（７オトルミ
ネツセンス］ビ一ク強度との関係を示す。同図から明ら
かなように、４００℃以上の熱が加わるとＰＬピーク強
度が急激に低下することがわかる。

このように、半導体レーザ材料は高温に晒された場合、
結晶欠陥を生じ、ＰＬピーク強度が低下するものが多い
。

ところで、一般に半導体レーザの共振器端面には、当該
端面の光反射率を所望の値とした）、斯る端面の保護を
目的として誘電体膜、例えばアモルファスＳ　ｉ　：　
Ｈｓ　８　ｓ　Ｑ　２等が形成されている（特開昭６０
−２５５４８２号公報）。そしてこれら誘電体膜の形成
には、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏ
ｓ目ｉｏｎ珠、ＥＢ　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ１３ｅａｍ）
法等のように半導体レーザ自身を低温（３００″Ｃ糧度
以下）に保持した状態で、誘電体膜を形成可能な方法が
採用されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 熱るに、例えば、Ｉｎｏ、４ｓＱａｆｉ、ｓｚＰ層を５
００°Ｃ程度に保持し、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＥＢ法
等によ〕アモルファス８ｉ：Ｈ等からなる誘電体膜を形
成した場合であっても、上記誘電体膜の形成後には上記
層のＰＬピーク強度が１／１ｏ以下となつてしまうとい
う問題があった。

本発明者らがこの原因について種々の実験管行ないなが
ら検討した結果、上記誘電体膜原料が被着形成される層
の表面温度が斯る被着時の原料の衝突によシ４００℃以
上に上昇してしまい、その結果、上記層が熱的に劣化す
るものとの結論に達した。

に）課題を解決するための手段 本発明は斯る点に度みてなされたもので、その構成的特
徴は、半導体レーザの共振器端面上にスピンオン塗布法
を用いて誘電体膜を形成することにある。

（ホ）作　用 上記方法によれば、誘電体膜材料が斯る誘電体膜の被着
形成される層表面に衝突することはないので、当該誘電
体膜が被着される層の表面温度が加熱温度以上に上昇す
ることはない。

（へ）実施例 第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を示す工程別
断面図である。

第１図（ａ）は第１工程を示し、活性層（１］がＩｎＣ
Ｌ４＠Ｇａ１５２Ｐからなる半導体レーザ（２）を用意
し、該半導体レーザ（２）をへき関して一対の共振器端
面（３）、（４）を形成する。

第１図（ｂ）は第２工程を示し、上記半導体レーザ（２
）の一方の共振器端面（３）に膜厚（１）３＾程度の８
　ｉ　０２　Ｍ！（５１をスピンオン塗布法を用いて形
成する。

具体的には、例えば東京応化工業■製のＯ，Ｃ。

ＤＣ商品名）の如（ＳｉＱｍを６％溶解したアルコール
液を粘着テープあるいは真空チャックにてスピナー上に
固定された上記半導体レーザ（２）の上記端面（３）に
摘下し、回転数５５０Ｏｒｐｍ１回転時間３０秒という
条件下で半導体レーザ１２）をスピンさせ、その後５０
０℃で熱処理することにより形成する。

第１図（ｃ）は第３工程を示し、他方の共振器端面（４
ンに第１工程と同様に膜厚（１）３層程度の８３０２膜
（６）を形成する。

第１図（ｄ）は第４工程を示し、他方の共振器端面（４
）に形成されたＳ　ｉ　Ｏ２＃！Ｉｆ６１上に膜厚９３
４Ｘ程度のポリイミド膜（７）をスピンオン法を用いて
形成する。

具体的には例えば宇部興産■製のりソコート５Ｉ−１０
０（商品名）の如く、ポリイミド溶液を同様にして固定
された半導体レーザ（２）の上記３ｉ０２膜（６）上に
摘下し、回転数５００Ｏｒｐｍ、＠転時間５０秒という
条件下で半導体レーザ（２）をスピンさせた後、３００
°Ｃで熱処理することによ多形成する。

第１図（ｅ）は第５工程を示し、上記他方の共振器端面
（４）上に、第５、第４工程を２回繰返して行うことに
よって、更にＳｉＯ２膜（６）とポリイミド膜（７）と
を交互に２層ずつ積層する。

第１図（ｅ）に示した半導体レーザ（２）では各共振器
端面（３１（４１の光反射率は夫々６％及び６８％とな
る。

従って、斯る半導体レーザでは５ｉＯｚ膜（５）が−層
だけ形成された共振器端面（３）側より高出力のレーザ
光が出射されることとなる。

次に、斯る半導体レーザ（２）において上記５１０２膜
（６）及びポリイミド膜（７）形成後の活性層Ｉｌｌの
ＰＬピーク強度を調べたところ、上記各誘電体膜（６）
（７）形成前のそれと路間−であフた。

これに対して、上記共振器端面ｆ３３．１４）上に基板
温度を１２０℃として周知のスパッタ法によシ５ｊＱｚ
膜を形成したところ、活性層は１のＰＬピーク強度は形
成前に比較して１／１ｏ以下となり、活性層（１）の熱
的劣化が認められた。

尚、本実施例では、活性層がＩｎｏ、４ｇＱａｏ、ｇ２
ｐからなる半導体レーザの共振器端面へ、９ｉＱｚ、ポ
リイミド等の誘電体膜を形成する例について説明し九が
、本発明はＩｎＧａＡｓＰ系、ＡＪＧａＡｓ系等の材料
で活性ノーが構成された周知の半導体レーザの共振器端
面のコーティングに適用し得ることは明白であり、同様
に熱的劣化ｔ−極力抑えることができる。

（ト）　　発明の効果 本発明によれば、誘電体膜形成時に、該膜材料の衝突に
よる半導体レーザ共振器端面の温度上昇が抑止されるの
で、半導体レーザに熱的劣化を発生させることなく、共
振器端面へ誘電体膜を被着することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の一実施例を示す工程
別断面図、第２図はＩｎｏ、４ａＧａｎ、ｓ２ｐの熱劣
化を示す特性図である。 ｆｉ＋・・・活性層、　（２１・・・半導体レーザ、　
（３１（４１・・・共振器端面、　１５）１６１・・・
５ｉ０２膜、　（７１・・・ポリイミド膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体レーザの共振器端面上にスピンオン塗布法
   を用いて誘電体膜を形成することを特徴とする半導体レ
   ーザの共振器端面コーティング方法。