WO2024252517A1

WO2024252517A1 - ミラーデバイス、ミラーアレイ及びｍｅｍｓ型光スイッチ装置

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Publication number: WO2024252517A1
Application number: PCT/JP2023/020989
Authority: WO
Inventors: 秀治田中
Original assignee: Tohoku University NUC
Current assignee: Tohoku University NUC
Priority date: 2023-06-06
Filing date: 2023-06-06
Publication date: 2024-12-12
Anticipated expiration: 2025-12-06

Abstract

本発明のミラーデバイス（１００）は、空洞部（Ｋ１）を有する筐体（Ｋ）と、筐体（Ｋ）の一面側に配置されたミラー（Ｍ）と、筐体（Ｋ）の他面側に配置された機能層（１）と、筐体（Ｋ）の空洞部（Ｋ１）内に配置されて、機能層（１）とミラー（Ｍ）とを連結する操作部（Ｋ４）と、を備え、機能層（１）には、ミラー（Ｍ）を第１の回転方向に回動させる静電駆動式の第１アクチュエータと、第１の回転方向と交差する第２の回転方向にミラーを回動させる静電駆動式の第２アクチュエータと、筐体（Ｋ）とは反対側の面に配置された端子部と、が備えられている。

Description

ミラーデバイス、ミラーアレイ及びＭＥＭＳ型光スイッチ装置

　本発明は、ミラーデバイス、ミラーアレイ及びＭＥＭＳ型光スイッチ装置に関する。

　光通信において、光ファイバーの分岐点に、光信号の伝送経路を切り替えるためのＭＥＭＳ型の光スイッチ装置が備えられている。ＭＥＭＳ型光スイッチ装置の要求事項として、装置内部に、出来るだけ数多くのミラーを密に配設したいという要望がある。

　ＭＥＭＳ型光スイッチ装置の内部には、複数のミラーが配設されたミラーアレイが備えられている。ミラーアレイは、例えば、複数個のＭＥＭＳミラーと呼ばれる静電駆動式ミラーデバイスが支持基材に装着されて構成されている。静電駆動式ミラーデバイスは、例えばシリコンチップ上に、ミラーやこれを駆動する櫛歯電極などが形成されたもので、フォトソリグラフィやエッチングなどの技術を用いて、サブミクロンレベルの精度の加工を行うことで製造されたものである。

　ＭＥＭＳ型光スイッチ装置の内部に数多くのミラーを密に配設したいという要望に応えるためには、第一に、静電駆動式ミラーデバイスに搭載されるミラーのサイズを大きくすること、第二に、複数の静電駆動式ミラーデバイスを支持基材上に配置させる際に、静電駆動式ミラーデバイス同士の間隔を狭くすること、が求められる。これにより、ミラーを密に配置することが可能になる。

　しかし、従来の静電駆動式ミラーデバイスの上面には、ミラーのほか、これを駆動する櫛歯状電極、櫛歯状電極に電力を供給するための配線などの周辺回路を配置する必要がある。そのため、従来の静電駆動式ミラーデバイスは、これらの周辺回路を配置するスペースを確保するために、ミラーのサイズをある程度制限せざるを得ない状況にあった。また、従来の静電駆動式ミラーデバイスを実装する場合、当該デバイスの外部端子と、外部配線とをワイヤーボンディング等で接続する必要がある。その場合、静電駆動式ミラーデバイス間に、外部配線を設置するためのスペースを設ける必要がある。ＭＥＭＳ型光スイッチ装置の内部に複数の静電駆動式ミラーデバイスを配設する場合、外部配線の設置スペースを確保するために、静電駆動式ミラーデバイス同士の間隔を空けざるを得ない状況であった。

特開２０１５－１４６０１８号公報

　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、搭載するミラーのサイズが大きく、かつ、相互に隣接して支持基材上に配置可能な、ミラーデバイス、ミラーアレイ及びＭＥＭＳ型光スイッチ装置を提供することを課題とする。

　上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
［１］　空洞部を有する筐体と、
　前記筐体の一面側に配置されたミラーと、
　前記筐体の他面側に配置された機能層と、
　前記筐体の前記空洞部内に配置されて、前記機能層と前記ミラーとを連結する操作部と、を備え、
　前記機能層には、前記ミラーを第１の回転方向に回動させる静電駆動式の第１アクチュエータと、前記第１の回転方向と交差する第２の回転方向に前記ミラーを回動させる静電駆動式の第２アクチュエータと、前記筐体とは反対側の面に配置された端子部と、が備えられている、ミラーデバイス。
［２］　筐体と、
　ミラーと、
　前記筐体の上に配置されて前記ミラーを駆動する機能層と、を少なくとも備え、
　前記機能層は、第１半導体層と、第２半導体層と，前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された層間絶縁層とを有しており、
　前記機能層には、前記ミラーを第１の回転方向に回動させる静電駆動式の第１アクチュエータと、前記第１の回転方向と交差する第２の回転方向に前記ミラーを回動させる静電駆動式の第２アクチュエータと、が備えられ、
　前記第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータはそれぞれ、前記第１半導体層よりなる第１櫛歯状電極と、前記第１半導体層、前記層間絶縁層および前記第２半導体層よりなる第２櫛歯状電極と、を有する、ミラーデバイス。
［３］　前記機能層は、第１半導体層と、第２半導体層と，前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された層間絶縁層とを有しており、
　前記第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータはそれぞれ、前記第１半導体層よりなる第１櫛歯状電極と、前記第１半導体層、前記層間絶縁層および前記第２半導体層よりなる第２櫛歯状電極と、を有する、［１］に記載のミラーデバイス。
［４］　前記機能層には、
　前記操作部が接合される第１可動部と、
　前記第１可動部を囲むように配置された環状の第２可動部と、
　前記第２可動部を囲むように配置されて、前記筐体の前記他面側に接合する固定部と、
　前記第２可動部に隣接して、前記筐体の前記他面側に接合する配線部と、
　前記固定部及び前記配線部に配置される複数の前記端子部と、
　前記第１の回転方向の回転軸方向に延在して前記第１可動部と前記第２可動部とを接続する第１ねじり梁部と、
　前記第２の回転方向の回転軸方向に延在して前記第２可動部と前記配線部とを接続する第２ねじり梁部と、
　が備えられ、
　前記第１可動部、前記第２可動部、前記固定部、前記配線部および前記第２ねじり梁部は、前記第１半導体層と、前記第１半導体層の少なくとも一部または全部を覆う前記層間絶縁層および前記第２半導体層と、から構成され、
　前記第１ねじり梁部は、前記第１半導体層から構成される、［３］に記載のミラーデバイス。
［５］　前記機能層には、
　前記ミラーを直接または間接に固定する第１可動部と、
　前記第１可動部を囲むように配置された環状の第２可動部と、
　前記第２可動部を囲むように配置されて、前記筐体の前記他面側に接合する固定部と、
　前記第２可動部に隣接して、前記筐体の前記他面側に接合する配線部と、
　前記固定部及び前記配線部に配置される複数の端子部と、
　前記第１の回転方向の回転軸方向に延在して前記第１可動部と前記第２可動部とを接続する第１ねじり梁部と、
　前記第２の回転方向の回転軸方向に延在して前記第２可動部と前記配線部とを接続する第２ねじり梁部と、
　が備えられ、
　前記第１可動部、前記第２可動部、前記固定部、前記配線部および前記第２ねじり梁部は、前記第１半導体層と、前記第１半導体層の少なくとも一部または全部を覆う前記層間絶縁層および前記第２半導体層と、から構成され、
　前記第１ねじり梁部は、前記第１半導体層から構成される、［２］に記載のミラーデバイス。
［６］　前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極は前記第１可動部に設けられ、前記第２櫛歯状電極は前記第２可動部に設けられ、
　前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極は前記第２可動部に設けられ、前記第２櫛歯状電極は前記固定部に設けられている、［４］または［５］に記載のミラーデバイス。
［７］　前記固定部は、複数の分割領域に分割されており、
　それぞれの前記分割領域には、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極が設けられており、
　それぞれの前記分割領域には、当該分割領域を構成する前記第１半導体層と前記第２半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第１ビアと、前記第２半導体層上にあって前記第１ビアに接続される第１の端子部と、が備えられ、
　前記第１の端子部は、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する第２半導体層に電気的に接続されるとともに、前記第１ビアを介して前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続される、［６］に記載のミラーデバイス。
［８］　前記環状の第２可動部には、その内側に、前記第１アクチュエータを構成する前記第２櫛歯状電極が設けられるとともに、その外側に、前記第２アクチュエータを構成する前記第１櫛歯状電極が設けられており、
　前記第２可動部の前記第１半導体層には、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極と、外側の前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極とを絶縁分離する埋め込み絶縁層が備えられ、
　更に、前記第２可動部には、前記第２半導体層と、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極の前記第１半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第２ビアが備えられている、［７］に記載のミラーデバイス。
［９］　前記第２ねじり梁部の前記第２半導体層は、前記配線部に設けられた第２の端子部に接続されており、
　前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層は、前記配線部に設けられた第３の端子部に接続されており、
　前記第２の端子部は、前記第２ねじり梁部を構成する前記第２半導体層と前記第２可動部の前記第２ビアとを介して、前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層と前記第２半導体層とに電気的に接続されており、
　前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層を介して、前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されており、
　更に前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部、前記第２可動部および前記第１ねじり梁部のそれぞれの前記第１半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されている、［８］に記載のミラーデバイス。
［１０］　前記環状の第２可動部には、その内側に、前記第１アクチュエータを構成する前記第２櫛歯状電極が設けられるとともに、その外側に、前記第２アクチュエータを構成する前記第１櫛歯状電極が設けられ、
　前記第２ねじり梁部の前記第２半導体層は、前記配線部に設けられた第２の端子部に接続されており、
　前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層は、前記配線部に設けられた第３の端子部に接続されており、
　前記第２の端子部は、前記第２ねじり梁部を構成する前記第２半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する前記第２半導体層に電気的に接続されており、
　前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層を介して、前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層と、前記第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層とに電気的に接続されており、
　更に前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部、前記第２可動部および前記第１ねじり梁部のそれぞれの前記第１半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されている、［７］に記載のミラーデバイス。
［１１］　前記固定部は、複数の分割領域に分割されており、
　それぞれの前記分割領域には、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極が設けられており、
　それぞれの前記分割領域では、第２半導体層が２つの領域に分割されており、
　前記第２半導体層の一方の領域は、前記第１半導体層とともに、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成しており、
　前記第２半導体層の他方の領域には、当該領域を構成する前記第２半導体層と前記第１半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第１ビアと、前記第２半導体層の前記他方の領域上にあって前記第１ビアに接続される第１の端子部と、が備えられ、
　前記第１の端子部は、前記第１ビアを介して前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続される、［６］に記載のミラーデバイス。
［１２］　前記環状の第２可動部には、その内側に、前記第１アクチュエータを構成する前記第２櫛歯状電極が設けられるとともに、その外側に、前記第２アクチュエータを構成する前記第１櫛歯状電極が設けられており、
　前記第２可動部の前記第１半導体層には、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極と、外側の前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極とを絶縁分離する埋め込み絶縁層が備えられ、
　更に、前記第２可動部には、前記第２半導体層と、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極の前記第１半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第２ビアが備えられている、［１１］に記載のミラーデバイス。
［１３］　前記第２ねじり梁部の前記第２半導体層は、前記配線部に設けられた第２の端子部に電気的に接続されており、
　前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層は、前記配線部に設けられた第３の端子部に接続されており、
　前記第２の端子部は、前記第２ねじり梁部を構成する前記第２半導体層と前記第２可動部の前記第２ビアとを介して、前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層と前記第２半導体層とに電気的に接続されており、
　前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層を介して、前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されており、
　更に前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部、前記第２可動部および前記第１ねじり梁部のそれぞれの前記第１半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されている、［１２］に記載のミラーデバイス。
［１４］　支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、
　前記ミラーデバイスが、［１］乃至［５］または［７］乃至［１３］の何れか一項に記載のミラーデバイスである、ミラーアレイ。
［１５］　支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、
　前記ミラーデバイスが、［６］に記載のミラーデバイスである、ミラーアレイ。
［１６］　前記ミラーデバイスは、前記端子部に形成されたバンプを介して支持基材に接合されている、［１４］に記載のミラーアレイ。
［１７］　前記ミラーデバイスは、前記端子部に形成されたバンプを介して支持基材に接合されている、［１５］に記載のミラーアレイ。
［１８］　前記ミラーデバイス同士の間隔が０．５ｍｍ以下である、［１４］に記載のミラーアレイ。
［１９］　前記ミラーデバイス同士の間隔が０．５ｍｍ以下である、［１５］に記載のミラーアレイ。
［２０］　ミラーアレイが備えられた光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置であって、前記ミラーアレイは、支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、前記ミラーデバイスが、［１］乃至［５］または［７］乃至［１３］の何れか一項に記載のミラーデバイスである、光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置。
［２１］　ミラーアレイが備えられた光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置であって、前記ミラーアレイは、支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、前記ミラーデバイスが、［６］に記載のミラーデバイスである、光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置。

　上記［１］に記載のミラーデバイスによれば、筐体の一面側にミラーが配置され、筐体の他面側に第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータを含む機能層が配置されるので、アクチュエータの設置面積にミラーのサイズが制約されず、大面積のミラーを備えることができる。
　また、端子部が、機能層の筐体とは反対側の面に配置されているので、例えばミラーアレイを構成する場合に、支持基材側の配線をミラーデバイスの直下に配置させることができ、これにより、複数のミラーデバイスを支持基材等に配設する際にミラーデバイスの間の支持基材上に配線スペースを設ける必要がなく、ミラーデバイスを密に配置することができる。

　上記［２］に記載のミラーデバイスによれば、ミラーを駆動する機能層が、第１半導体層、第２半導体層および層間絶縁層を有するとともに、第１アクチュエータと第２アクチュエータとが備えられ、第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータはそれぞれ、第１櫛歯状電極と第２櫛歯状電極とを有するので、アクチュエータの薄型化が図られるとともに、アクチュエータの構造の簡素化を図ることができる。また、第１アクチュエータおよび第２アクチュエータによって、ミラーの向きを、自在に変更できる。

　上記［３］に記載のミラーデバイスによれば、機能層が、第１半導体層と、第２半導体層と、層間絶縁層とを有しており、第１アクチュエータおよび第２アクチュエータの第１櫛歯状電極および第２櫛歯状電極が、これらの層で構成されるので、アクチュエータの薄型化が図られるとともに、アクチュエータの構造の簡素化を図ることができる。

　上記［４］および［５］に記載のミラーデバイスによれば、第１可動部が第１ねじり梁部を介して第２可動部に取り付けられ、第２可動部が第２ねじり梁部を介して配線部に取り付けられているので、第１可動部を、第1の回転方向および第２の回転方向に回動させることができ、これにより、操作部を介して第１可動部に接続されるミラーの向きを、自在に変更できる。

　上記［６］に記載のミラーデバイスによれば、第１アクチュエータが、第１可動部に設けられた第１櫛歯状電極と、第２可動部に設けられた第２櫛歯状電極とにより構成されるので、第２可動部に対して第１可動部を第１の回転方向に回動させることができ、また、第２アクチュエータは、第２可動部に設けられた第１櫛歯状電極と、固定部に設けられた第２櫛歯状電極とにより構成されるので、固定部および配線部に対して第２可動部を第２の回転方向に回動させることができる。これにより、第１可動部を、筐体に対して、第1の回転方向および第２の回転方向に回動させることができ、しかも、第１アクチュエータおよび第２アクチュエータによって第１の回転方向および第２の回転方向の回動量をそれぞれ個別に変更できるので、第１可動部に接続されるミラーの向きを、自在に変更することができる。

　上記［７］に記載のミラーデバイスによれば、固定部が複数の分割領域に分割され、各分割領域に、第２アクチュエータの第２櫛歯状電極が設けられ、更に各分割領域には、第２アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層と第２半導体層とを電気的に接続する第１ビアと、第１の端子部とが備えられ、第１の端子部は、第２アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層および第２半導体層に電気的に接続されるので、機能層の上面側に配置された第１の端子部から、第２アクチュエータを動作させるための電圧を印加することができる。

　上記［８］に記載のミラーデバイスによれば、第２可動部の第１半導体層に、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極と、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極とを絶縁分離する埋め込み絶縁層が備えられるとともに、第２半導体層と、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極の第１半導体層とを接続する第２ビアが備えられているので、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層と、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層とを電気的に分離することができ、第１アクチュエータと第２アクチュエータを個別に制御することができる。

　上記［９］に記載のミラーデバイスによれば、配線部に備えられた第２の端子部が、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層と第２半導体層とに電気的に接続され、また、配線部に備えられた第３の端子部が、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続され、更に第３の端子部が、第１アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続されているので、機能層の上面側に配置された第２の端子部および第３の端子部から、第１アクチュエータおよび第２アクチュエータを動作させるための電圧を印加することができる。

　上記［１０］に記載のミラーデバイスによれば、配線部に備えられた第２の端子部が、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第２半導体層に電気的に接続され、また、配線部に備えられた第３の端子部が、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層と、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層とに電気的に接続され、更に第３の端子部が、第１アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続されているので、機能層の上面側に配置された第２の端子部および第３の端子部から、第１アクチュエータおよび第２アクチュエータを動作させるための電圧を印加することができる。

　上記［１１］に記載のミラーデバイスによれば、固定部が複数の分割領域に分割され、各分割領域に、第２アクチュエータの第２櫛歯状電極が設けられ、それぞれの分割領域では、第２半導体層が２つの領域に分割されており、この分割された第２半導体層の一方の領域は、第１半導体層とともに、第２アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成しており、第２半導体層の他方の領域には、当該分割領域を構成する第２半導体層と第１半導体層とを電気的に接続する第１ビアと、第１の端子部とが備えられ、第１の端子部は、第２アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続されるので、機能層の上面側に配置された第１の端子部から、第２アクチュエータを動作させるための電圧を印加することができる。

　上記［１２］に記載のミラーデバイスによれば、第２可動部の第１半導体層に、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極と、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極とを絶縁分離する埋め込み絶縁層が備えられるとともに、第２可動部の第２半導体層と、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極の第１半導体層とを電気的に接続する第２ビアが備えられているので、第２可動部にそれぞれ形成された、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層と、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層とを電気的に分離することができ、第１アクチュエータと第２アクチュエータを個別に制御することができる。

　上記［１３］に記載のミラーデバイスによれば、配線部に備えられた第２の端子部が、第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第２半導体層および第１半導体層とに電気的に接続され、また、配線部に備えられた第３の端子部が、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続され、更に第３の端子部が、第１アクチュエータの第１櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続されているので、機能層の上面側に配置された第２の端子部および第３の端子部から、第１アクチュエータおよび第２アクチュエータを動作させるための電圧を印加することができる。

　上記［１４］または［１５］に記載のミラーアレイによれば、複数のミラーを、密に配設することが出来る。
　上記［１６］または［１７］に記載のミラーアレイによれば、端子部に形成されたバンプを介して支持基材に接合されているので、支持基材における配線スペースを縮小することができる。
　上記［１８］または［１９］に記載のミラーアレイによれば、ミラーデバイス同士の間隔が０．５ｍｍ以下であるので、ミラー同士の隙間を小さくすることができる。
　上記［２０］または［２１］に記載のＭＥＭＳ型光スイッチ装置によれば、複数のミラーを密に配設することが可能なミラーアレイを備えるので、光ファイバー切替スイッチの高密度化と大規模化を実現できる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの平面模式図。図１Ｂは、ミラーデバイスを構成する第２半導体層を示す平面模式図。図１Ｃは、ミラーデバイスを構成する第１半導体層を示す平面模式図。図２は、図１ＡのＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図３は、図１ＡのＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図４は、図１ＡのＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図５は、図３に示される埋め込み絶縁層の拡大断面図。図６は、図４に示される埋め込み絶縁層の拡大断面図。図７は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの平面模式図。図８は、図７のＤ－Ｄ線に対応する断面模式図。図９は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの動作を説明する図であって、図１ＡのＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１０－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１０－２は、図１０－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１０－３は、図１０－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１０－４は、図１０－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１１－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１１－２は、図１１－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１１－３は、図１１－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１１－４は、図１１－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１２－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１２－２は、図１２－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１２－３は、図１２－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１２－４は、図１２－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１３－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１３－２は、図１３－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１３－３は、図１３－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１３－４は、図１３－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１４－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１４－２は、図１４－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１４－３は、図１４－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１４－４は、図１４－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１５－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１５－２は、図１５－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１５－３は、図１５－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１５－４は、図１５－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１６－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１６－２は、図１６－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１６－３は、図１６－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１６－４は、図１６－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１７－１は、本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスの製造方法を説明する平面模式図。図１７－２は、図１７－１のＡ－Ａ線に対応する断面模式図。図１７－３は、図１７－１のＢ－Ｂ線に対応する断面模式図。図１７－４は、図１７－１のＣ－Ｃ線に対応する断面模式図。図１８は、本発明の第２の実施形態であるミラーデバイスの平面模式図。図１９は、本発明の第３の実施形態であるミラーデバイスの平面模式図。図２０は、本発明の第４の実施形態であるミラーアレイの側面模式図。図２１は、本発明の第４の実施形態であるミラーアレイの平面模式図。

（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態であるミラーデバイスについて説明する。
　図１Ａおよび図２～図８に示すように、本実施形態のミラーデバイス１００は、筐体Ｋと、ミラーＭと、筐体Ｋの上に配置されてミラーＭを駆動する機能層１とが少なくとも備えられている。より具体的には、本実施形態のミラーデバイス１００は、空洞部Ｋ１を有する筐体Ｋと、筐体Ｋの一面Ｋ２側に配置されたミラーＭと、筐体Ｋの他面Ｋ３側に配置された機能層１と、筐体Ｋの空洞部Ｋ１内に配置されて、機能層１とミラーＭとを連結する操作部Ｋ４と、が備えられている。筐体Ｋおよび操作部Ｋ４は、単結晶シリコンよりなり、例えば、単結晶シリコン基板から切り出されたものである。

　筐体Ｋの一面Ｋ２側に配置されたミラーＭには、筐体Ｋが配置された側とは反対側に反射面Ｍ１が設けられている。

　機能層１には、ミラーＭを第１の回転方向Ｒ１に回動させる静電駆動式の第１アクチュエータ２と、第１の回転方向Ｒ１と交差する第２の回転方向Ｒ２にミラーＭを回動させる静電駆動式の第２アクチュエータ３と、筐体Ｋとは反対側の面１Ａに配置された端子部Ｔ１～Ｔ３と、が備えられている。

　本実施形態において、第１の回転方向Ｒ１とは、図２～図４に示すように、Ｙ方向を回転軸とする回転方向であり、また、第２の回転方向Ｒ２とは、図８に示すように、Ｘ方向を回転軸とする回転方向である。なお、Ｘ方向とＹ方向は、同一平面内において互いに直交する関係にある。

　以下、機能層１、第１アクチュエータ２および第２アクチュエータ３について説明する。
　図２～図４及び図８に示すように、機能層１は、多層構造体であって、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、第１半導体層２１と第２半導体層２２との間に配置された層間絶縁層２３とが備えられている。第１半導体層２１および第２半導体層２２は例えばシリコン層からなり、層間絶縁層２３は例えば酸化シリコン層からなる。また、機能層１には、第１可動部１１と、第２可動部１２と、固定部１３Ｋと、配線部１３Ｈと、複数の端子部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３と、第１ねじり梁部１４と、第２ねじり梁部１５と、が形成されている。図１Ｂ、図１Ｃには、第２半導体層２２および第１半導体層２１の平面模式図を示す。

　第１可動部１１、第２可動部１２、固定部１３Ｋ、配線部１３Ｈ、複数の端子部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、第１ねじり梁部１４および第２ねじり梁部１５は、フォトリソグラフィ技術を含む微細加工技術によって、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３を所望の形状に加工することにより、機能層１に形成されたものである。すなわち、第１可動部１１、第２可動部１２、固定部１３Ｋ、配線部１３Ｈおよび第２ねじり梁部１５は、第１半導体層２１と、第１半導体層２１の少なくとも一部または全部を覆う層間絶縁層２３および第２半導体層２２と、から構成される。また、第１ねじり梁部１４は、第１半導体層２１から構成される。

　また、図１Ａに示すように、機能層１には、２つの第１アクチュエータ２（２Ａ、２Ｂ）と、４つの第２アクチュエータ３（３Ａ～３Ｄ）とが内蔵されている。第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄはそれぞれ、第１半導体層２１よりなる第１櫛歯状電極Ｄ１と、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２よりなる第２櫛歯状電極Ｄ２とを有する。これら、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄは、フォトリソグラフィ技術を含む微細加工技術によって、第１可動部１１、第２可動部１２、固定部１３Ｋおよび配線部１３Ｈとともに形成されたものである。また、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂは、相互に、第１ねじり梁部１４を挟む対称の位置にあり、第２アクチュエータ３Ａ、３Ｂと、３Ｃ、３Ｄとは、第２ねじり梁部１５を挟む対称の位置にある。

　以下、機能層１について、特に、第１可動部１１、第２可動部１２および固定部１３Ｋと、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄとの関係、および、各アクチュエータ２Ａ、２Ｂ、３Ａ～３Ｄを構成する第１櫛歯状電極Ｄ１および第２櫛歯状電極Ｄ２と、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２との関係について、説明する。

　第１可動部１１は、機能層１のほぼ中央に位置しており、この第１可動部１１には、操作部Ｋ４が接合される。操作部Ｋ４にはミラーＭが接合される。第１可動部１１は、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２の積層体であるが、第１可動部１１の一部の領域は、層間絶縁層２３および第２半導体層２２が積層されず、第１半導体層２１のみから構成されている。この第１半導体層２１のみから構成される領域に、第１アクチュエータ２を構成する第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）が設けられている。第１可動部１１における第１櫛歯状電極Ｄ１１は、第１可動部１１を平面視した場合に、第１可動部１１のＸ方向の両側に配置されている。また、第１櫛歯状電極Ｄ１１は、Ｘ方向に向けて突出している。

　第２可動部１２は、第１可動部１１を囲むように配置された環状の部材である。第２可動部１２は、環状部１２Ａと、環状部１２Ａの外側に突出する４つの電極部１２Ｂとを有する。環状部１２Ａは、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２の積層体よりなり、第２ねじり梁部１５と接合されている。電極部１２Ｂは、第１半導体層２１のみからなり、環状部１２Ａから突出されている。環状部１２Ａの第１半導体層２１と電極部１２Ｂの第１半導体層２１は連続した層である。

　環状部１２Ａの内側には、２組の第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを構成する第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）が設けられている。この第２櫛歯状電極Ｄ２１は、第１可動部１１に設けられた２つの第１櫛歯状電極Ｄ１１にそれぞれ対向するように配置されている。第２櫛歯状電極Ｄ２１は、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２の積層体で構成されている。

　一方、第２可動部１２の４つの電極部１２Ｂには、それぞれ、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）が設けられている。この第１櫛歯状電極Ｄ３１は、第１半導体層２１のみからなる。第２可動部１２における第１櫛歯状電極Ｄ３１は、電極部１２ＢからＹ方向に向けて突出するように設けられている。

　また、環状部１２Ａの第１半導体層２１には、図１Ａ、図１Ｃ、図３、図７に示すように、埋め込み絶縁層３１が設けられている。埋め込み絶縁層３１は、第１半導体層２１を２つの領域に分割するために設けられる。すなわち、埋め込み絶縁層３１は、環状部１２Ａの内側にある第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１と、環状部１２Ａの外側の電極部１２Ｂにある第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１を構成する第１半導体層２１とを、電気的に絶縁分離するための絶縁層である。

　図５、図６には、埋め込み絶縁層３１の拡大断面図を示す。図５は、図３における埋め込み絶縁層３１の拡大断面図である。図６は、図４における埋め込み絶縁層３１の拡大断面図である。埋め込み絶縁層３１は、第１半導体層２１に設けられたトレンチ溝３１ａの内部に、壁面絶縁層３２ｂおよび充填層３１ｃが形成されてなるものである。壁面絶縁層３２ｂは例えば窒化シリコンからなり、充填層３１ｃは例えばポリシリコンからなる。このようにして形成された埋め込み絶縁層３１は、図１Ａに示すように、環状部１２Ａの内周部分の一部を取り囲んでいる。埋め込み絶縁層３１によって取り囲まれた領域に、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１と、第２ビア４２とが配置されている。

　図１Ａ～図１Ｃおよび図３に示すように、第２可動部１２には、第２半導体層２２および層間絶縁層２３を貫通する第２ビア４２が設けられている。第２ビア４２は、第２可動部１２の第２半導体層２２と第１半導体層２１とを電気的に接続するために設けられる。より詳細には、第２ビア４２は、埋め込み絶縁層３１によって領域分割されたうちの、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１と、第２半導体層２２とを電気的に接続することが可能な位置に設けられている。第２ビア４２は、例えば多結晶シリコンまたは金属からなる。

　図１Ａに示すように、固定部１３Ｋは、第２可動部１２を囲むように配置されており、筐体Ｋの他面Ｋ３側に接合される。固定部１３Ｋが筐体Ｋの他面Ｋ３側に接合されることで、機能層１全体が筐体Ｋの他面Ｋ３側に配置されるようになる。固定部１３Ｋは、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が積層された積層体で構成される。図１Ａｎｉ示すように、固定部１３Ｋは、４つの分割領域１３Ａ～１３Ｄに分割されている。すなわち、分割領域１３Ａ～１３Ｄは、図１Ａおよび図２に示すように、隣接する他の分割領域との間で、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が連続されておらず、また、筐体Ｋと第１半導体層２１との間には下部絶縁層５１が配置されているため、互いに絶縁分離されている。また、固定部１３Ｋの各分割領域１３Ａ～１３Ｄは、配線部１３Ｈとも絶縁分離されている。

　図１Ａおよび図３に示すように、固定部１３Ｋの各分割領域１３Ａ～１３Ｄには、それぞれ、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）が設けられている。この第２櫛歯状電極Ｄ４１は、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２の積層体で構成されている。固定部１３Ｋにおける第２櫛歯状電極Ｄ４１は、Ｙ方向に向けて突出されており、これにより、第２可動部１２の電極部１２Ｂに設けられた第１櫛歯状電極Ｄ３１と対向している。

　図１Ａ、図１Ｂおよび図２に示すように、更に固定部１３Ｋの分割領域１３Ａ～１３Ｄには、それぞれ、第２半導体層２２および層間絶縁層２３を貫通する第１ビア４１が設けられている。第１ビア４１は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１と、各分割領域１３Ａ～１３Ｄを構成する第２半導体層２２とを電気的に接続する。また、固定部１３Ｋの各分割領域１３Ａ～１３Ｄにおいては、第２半導体層２２の表面に第１ビア４１が露出しており、この第１ビア４１の表面が第１の端子部Ｔ１とされている。すなわち、第１の端子部Ｔ１は、第１ビア４１上にあり、第２半導体層２２の表面と同一面上にある。第１ビア４１は、例えば多結晶シリコンまたは金属からなる。

　以上の構造の特徴によって、次のような電気的な接続構造が実現される。すなわち、第１の端子部Ｔ１は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）を構成する第２半導体層２２に電気的に接続されるとともに、第１ビア４１を介して第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極をＤ２（Ｄ４１）構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。

　次に、配線部１３Ｈ、第１ねじり梁部１４および第２ねじり梁部１５について説明する。

　図１Ａに示すように、配線部１３Ｈは、固定部１３Ｋと同様に第２可動部１２を囲む位置に配置されており、特に第２可動部１２と隣接している。配線部１３Ｈが筐体Ｋの他面Ｋ３側に接合されることで、機能層１が筐体Ｋの他面Ｋ３側に配置されるようになる。配線部１３Ｈは、第１半導体層２１と、第１半導体層２１の一部の上に積層された層間絶縁層２３および第２半導体層２２よりなる積層体で構成されている。

　図１Ｂに示すように、配線部１３Ｈを構成する第２半導体層２２は、２つの領域に分割されており、一方の領域には第２の端子部Ｔ２が設けられている。第２の端子部Ｔ２は、層間絶縁層２３によって、配線部１３Ｈの第１半導体層２１とは電気的に絶縁されている。

　また、分割された第２半導体層の他方の領域には、第３ビア４３が形成されるとともに、第３ビア４３および第２半導体層２２上に第３の端子部Ｔ３が設けられている。第３ビア４３は層間絶縁層２３を貫通して第１半導体層２１と第２半導体層２２を電気的に接続している。これにより、第３の端子部Ｔ３は、配線部１３Ｈの第１半導体層２１と電気的に接続される一方、第２の端子部Ｔ２とは電気的に分離されている。

　図１Ａに示すように、第２ねじり梁部１５は、第２可動部１２と配線部１３Ｈとを接続する部材であって、第２の回転方向Ｒ２の回転軸方向（ｘ方向）に延在している。図４に示すように、第２ねじり梁部１５は、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３の積層体で構成されている。第２ねじり梁部１５の一端は、配線部１３Ｈに接続されている。これにより、第２の端子部Ｔ２は、第２ねじり梁部１５の第２半導体層２２と電気的に接続され、また、第３の端子部Ｔ３は、第２ねじり梁部１５の第１半導体層２１と電気的に接続される。また、第２ねじり梁部１５の他端は、上述したように第２可動部１２に接続される。

　図１Ａおよび図１Ｃに示すように、第１ねじり梁部１４は、第１可動部１１と第２可動部１２とを接続する部材であって、第１の回転方向Ｒ１の回転軸方向（Ｙ方向）に延在している。第１ねじり梁部１４は、第１半導体層２１のみから構成される。

　以上の構造の特徴によって、次のような電気的な接続構造が実現される。すなわち、第２の端子部Ｔ２は、第２ねじり梁部１５を構成する第２半導体層２２と第２可動部の第２半導体層２２と第２ビア４２とを介して、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第１半導体層２１と第２半導体層２２とに電気的に接続される。

　また、第３の端子部Ｔ３は、第２ねじり梁部１５の第１半導体層２１を介して、第２アクチュエータの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。
　更に第３の端子部Ｔ３は、第２ねじり梁部１５、第２可動部１２および第１ねじり梁部１４のそれぞれの第１半導体層２１を介して、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。

　次に、本実施形態のミラーデバイス１００の動作を説明する。
　第１アクチュエータ２Ａ～２Ｂは、第１可動部１１に設けられた第１櫛歯状電極Ｄ１１と、第２可動部１２に設けられた第２櫛歯状電極Ｄ２１とが、相互に対向するように配置されることによって構成される。また、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄは、第２可動部１２に設けられた第１櫛歯状電極Ｄ３１と、固定部１３Ｋに設けられた第２櫛歯状電極Ｄ４１とが、相互に対向するように配置されることによって構成される。各アクチュエータ２Ａ、２Ｂ、３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１１、Ｄ３１は、第１半導体層２１のみからなり、各アクチュエータ２Ａ、２Ｂ、３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２１、Ｄ４１は、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３からなる。第１櫛歯状電極Ｄ１１、Ｄ３１および第２櫛歯状電極Ｄ２１、Ｄ４１は、互いに、機能層１の厚み方向においてほぼ同じ高さに位置している。しかし、第２櫛歯状電極Ｄ２１、Ｄ４１の厚みは、第１櫛歯状電極Ｄ１１、Ｄ３１に比べて大きい。このため、第１の端子部Ｔ１、第２の端子部Ｔ２および第３の端子部Ｔ３から、第１櫛歯状電極Ｄ１１、Ｄ３１および第２櫛歯状電極Ｄ２１、Ｄ４１にそれぞれ適当な電圧を印加した場合には、各楠歯状電極の電気的なバランスが崩れて、第１櫛歯状電極Ｄ１１、Ｄ３１および第２櫛歯状電極Ｄ２１、Ｄ４１のそれぞれが、相互に異なる高さに変位するようになる。

　そして、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂによって第１可動部１１を第１の回転方向Ｒ１に回動させる場合は、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂのいずれか一方において、第１可動部１１と第２可動部１２との間で高さの変位を生じさせる。例えば、図２の右側の第１アクチュエータ２Ａの第１櫛歯状電極Ｄ１１を、図２において上方向に変位させるようにする。これにより、第１可動部１１の全体が傾けられ、しかも、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂが第１ねじり梁部１４を挟んで対称の位置にあるために、第１可動部１１および第２可動部１２を接続する第１ねじり梁部１４にねじれが生じる。このように第１アクチュエータ２Ａによって、第２可動部１２に対して第１可動部１１を第１の回転方向Ｒ１に回動させることが可能になる。図９は、第１アクチュエータ２Ａ（右側）によって、第２可動部１２に対して第１可動部１１が第１の回転方向Ｒ１に回動させられた状態を示している。反対方向の回転を得るには、第１アクチュエータ２Ｂ（左側）を駆動させればよい。

　同様に、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄによって第２可動部１２を第２の回転方向Ｒ２に回動させる場合は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄのうち、第２アクチュエータ３Ａおよび３Ｃか、第２アクチュエータ３Ｂおよび３Ｄのいずれかの組において、第２可動部１２と固定部１３Ｋとの間で高さの変位を生じさせる。例えば、図１Ａの上側の２つの第２アクチュエータ３Ａ、３Ｃの第１櫛歯状電極Ｄ３１を、図１Ａにおいて紙面の手前方向に変位させるようにする。反対方向の回転を得るには、第２アクチュエータ３Ｂ、３Ｄを用いる。これにより、第２可動部１２が傾けられ、しかも、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄが第２ねじり梁部１５を挟んで対称の位置にあるために、第２可動部１２および配線部１３Ｈを接続する第２ねじり梁部１５にねじれが生じる。このように第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄによって、固定部１３Ｋに対して第２可動部１２を第２の回転方向Ｒ２に回動させることが可能になる。

　以上のように、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂは、第２可動部１２に対して第１可動部１１を第１の回転方向Ｒ１に回動させることができ、また、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄは、固定部１３Ｋおよび配線部１３Ｈに対して第２可動部１２を第２の回転方向Ｒ２に回動させることができるので、第１可動部１１を、第１の回転方向Ｒ１および第２の回転方向Ｒ２に回動させることができ、しかも、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄによって第１の回転方向Ｒ１および第２の回転方向Ｒ２の回動量をそれぞれ個別に変更できるので、第１可動部１１に接続されるミラーＭの反射面Ｍ１向きを、筐体Ｋに対して、自在に変更することが可能になる。

　次に、各アクチュエータ２Ａ、２Ｂ、３Ａ～３Ｄを作動させるための電圧の印加方法をより具体的に説明する。
　第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させるためには、第２の端子部Ｔ２から第１駆動電圧を第２半導体層２２に印加する。第２の端子部Ｔ２から第２半導体層２２に印加された第１駆動電圧は、第２ねじり梁部１５を経由して第２可動部１２の第２半導体層２２に達し、そのまま、第２可動部１２に設けられた第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第２半導体層２２に印加される。また、第２可動部１２の第２半導体層２２に達した第１駆動電圧は、第２ビア４２を経由して、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１にも印加される。この際、第２可動部１２の第１半導体層２１には埋め込み絶縁層３１が設けられているため、第１駆動電圧は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１には印加されない。

　また、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させるために、第３駆動電圧を、第３の端子部Ｔ３に印加する。第３駆動電圧は、第１駆動電圧と異なる電圧値を持つ電圧であり、接地電圧でもよい。第３の端子部Ｔ３から印加された第３駆動電圧は、第２ねじり梁部１５の第１半導体層２１を経由して第２可動部１２の第１半導体層２１に達し、更に第１ねじり梁部１４を経由して、第１可動部１１の第１半導体層２１、すなわち、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）に印加される。これにより、第１アクチュエータ２Ａまたは２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）が変位される。なお、第３駆動電圧は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１にも印加される。

　このようにして、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１に第１駆動電圧が印加され、第１櫛歯状電極Ｄ１１に第３駆動電圧（例えば接地電圧）が印加されることで、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させることができる。なお、ミラーＭを駆動させる場合、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの両方ではなく、いずれか一方を作動させればよい。

　次に、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを作動させるためには、第１の端子部Ｔ１から第２駆動電圧を固定部１３Ｋの第２半導体層２２に印加する。第２駆動電圧は、第１駆動電圧と同じ電圧値を持つ電圧でもよく、異なる電圧値を持つ電圧でもよい。また、第２駆動電圧は、第３駆動電圧と異なる電圧値を持つ電圧とする。第１の端子部Ｔ１から第２半導体層２２に印加された第２駆動電圧は、そのまま、分割領域１３Ａ～１３Ｄに設けられた第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第２半導体層２２に印加される。また、第２半導体層２２に印加された第２駆動電圧は、第１ビア４１を経由して、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１にも印加される。

　また、上述したように、第３の端子部Ｔ３に印加された第３駆動電圧（例えば接地電圧）は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１を構成する第１半導体層２１にも印加される。これにより、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１が変位される。

　このようにして、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１に第２駆動電圧が印加され、第１櫛歯状電極Ｄ３１に第３駆動電圧（例えば接地電圧）が印加されることで、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを作動させることができる。なお、ミラーＭを駆動させる場合、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの全部ではなく、第２アクチュエータ３Ａおよび３Ｃを作動させるか、第２アクチュエータ３Ｂおよび３Ｄを作動させればよい。

　次に、図１０－１～図１７－４を参照して、本実施形態のミラーデバイス１００の製造方法を説明する。なお、図１０－１、図１１－１、図１２－１、図１３－１、図１４－１、図１５－１、図１６－１および図１７－１においては、以下に説明するハードマスク層ＨＭの表記を省略する。

　まず、図１０－１～図１０－４に示すように、基板として支持基板５０と、下部絶縁層５１と、第１半導体層２１とが積層されたものを用意する。これは成膜によって準備してもよく、ＳＯＩ基板を用いてもよい。支持基板５０は例えばシリコン基板であり、下部絶縁層５１は例えば酸化シリコン層であり、第１半導体層２１は例えばシリコン層である。

　この第１半導体層２１に、埋め込み絶縁層３１を形成する。埋め込み絶縁層３１は、第１半導体層２１にトレンチ溝を設け、次いで、第１半導体層２１上およびトレンチ溝内に壁面絶縁層３２ｂとなる絶縁膜を形成し、次いで、第１半導体層２１上およびトレンチ溝内に充填層３１ｃとなるポリシリコン層を形成し、第１半導体層２１上に積層された絶縁膜およびポリシリコン層を除去することによって、詳細を図５、図６に示すような、埋め込み絶縁層３１を形成する。

　次に、図１１－１～図１１－４に示すように、第１半導体層２１上に、層間絶縁層２３および第２半導体層２２を形成する。層間絶縁層２３は例えば酸化シリコン層であり、第２半導体層は例えばシリコン層である。層間絶縁層２３および第２半導体層２２は、通常の成膜技術によって形成してもよく、ＳＯＩ基板を貼り合わせることによって形成してもよい。そして、第２半導体層２２の所定の位置に、第１ビア４１および第２ビア４２を形成する。第１ビア４１および第２ビア４２は、第２半導体層２２および層間絶縁層２３を貫通する貫通孔を形成し、その貫通孔に例えばポリシリコンや金属を充填することによって形成する。次いで、第２半導体層２２上に、上部絶縁層５２を形成する。上部絶縁層５２は、例えば、酸化シリコン層よりなる。この上部絶縁層５２は、機能層１の各部を形成するためのハードマスク層となる。以下、上部絶縁層５２をハードマスク層ＨＭと呼ぶ場合がある。

　次に、図１２－１～図１２－４に示すように、上部絶縁層５２に対して、その膜厚の１／４～１／３程度の深さまでのエッチングを、部分的に行うことにより、上部絶縁層５２を、図１２－２～図１２－４に示すような断面形状のハードマスク層ＨＭとする。なお、図１２－１では、ハードマスク層ＨＭの記載を省略している。

　次に、図１３－１～図１３－４に示すように、ハードマスク層ＨＭ（上部絶縁層５２）に対して、更に、元の膜厚の１／４～１／３程度の深さまでのエッチングを、部分的に行うことにより、上部絶縁層５２を、図１３－２～図１３－４に示すような断面形状のハードマスク層ＨＭとする。図１２－１～図１２－４および図１３－１～図１３－４の一連の工程によって、ハードマスク層ＨＭには、膜厚が比較的厚い部分と、膜厚が比較的薄い部分とが形成され、更に、ハードマスク層ＨＭが存在しない部分も形成される。ハードマスク層ＨＭの膜厚が比較的厚い部分は、最終的に、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が残存する部分になる。また、ハードマスク層ＨＭの膜厚が比較的薄い部分は、最終的に、第１半導体層２１が残存し、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が除かれる部分になる。更に、ハードマスク層ＨＭが存在しない部分は、最終的に、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が全て除かれる部分になる。

　次に、図１４－１～図１４－４に示すように、ハードマスク層ＨＭをマスクにしてエッチングを行うことにより、第２半導体層２２を部分的に除去する。第２半導体層２２が除去される部分は、図１３－１～図１３－４において、ハードマスク層ＨＭが存在しない部分に相当する。

　次に、図１５－１～図１５－４に示すように、第２半導体層２２が除去されることによって部分的に露出された層間絶縁層２３を、エッチングを行うことにより除去する。この際、ハードマスク層ＨＭの一部も除去される。この段階で残存するハードマスク層ＨＭは、図１３－１～図１３－４において膜厚が比較的厚い部分に対応する。

　次に、図１６－１～図１６－４に示すように、残存するハードマスク層ＨＭをマスクにして、第１半導体層２１の一部および第２半導体層２２の一部をエッチングにより除去する。

　次に、図１７－１～図１７－４に示すように、第１半導体層２１が除去されることによって部分的に露出された下部絶縁層５１を、エッチングを行うことにより除去する。この際、ハードマスク層ＨＭの残存部分が全て除去される。この段階において、機能層１の第１可動部１１、第２可動部１２、固定部１３Ｋ、配線部１３Ｈ、第１ねじり梁部１４および第２ねじり梁部１５が形成される。

　図１７－１～図１７－４より後の工程では、単結晶シリコン基板５０の一部を除去することによって、空洞部Ｋ１および操作部Ｋ４を形成する。そして、単結晶シリコン基板５０の一部の除去により露出された下部絶縁層５１を除去することで、機能層１が形成される。更に、操作部Ｋ４にミラーＭを取り付ける。このような工程を経ることで、図１Ａ～図８に示すミラーデバイス１００が製造される。

　以上、ミラーデバイス１００の製造方法の一例を説明した。本実施形態のミラーデバイス１００は、上記の製造方法によって製造されたものに限定されるものではない。

　以上説明したように、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、筐体Ｋの一面Ｋ２側にミラーＭが配置され、筐体Ｋの他面Ｋ３側に第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを含む機能層１が配置されるので、アクチュエータ２Ａ～３Ｄの設置面積にミラーＭのサイズが制約されず、大面積のミラーＭを備えることができる。
　また、複数の端子部（第１の端子部Ｔ１、第２の端子部Ｔ２、第３の端子部Ｔ３）が、機能層１の筐体Ｋとは反対側の面に配置されているので、例えばミラーアレイを構成する場合に、支持基材側の配線をミラーデバイス１００の直下に配置させることができ、これにより、複数のミラーデバイス１００を支持基材等に配設する際にミラーデバイス１００の間の支持基材上に配線スペースを設ける必要がなく、ミラーデバイス１００を密に配置することができる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、機能層１が、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、層間絶縁層２３とを有しており、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１および第２櫛歯状電極Ｄ２が、これらの層２１～２３で構成されるので、アクチュエータ２Ａ～３Ｄの薄型化が図られるとともに、アクチュエータ２Ａ～３Ｄの構造の簡素化を図ることができる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、ミラーＭを駆動する機能層１が、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３を有するとともに、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂと第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄとが備えられ、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび前記第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄはそれぞれ、第１櫛歯状電極Ｄ１と第２櫛歯状電極Ｄ２とを有するので、アクチュエータの薄型化が図られるとともに、アクチュエータ２Ａ～３Ｄの薄型化が図られるとともに、アクチュエータ２Ａ～３Ｄの構造の簡素化を図ることができる。
また、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄによって、ミラーＭ向きを、自在に変更できる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、第１可動部１１が第１ねじり梁部１４を介して第２可動部１２に取り付けられ、第２可動部１２が第２ねじり梁部１５を介して配線部１３Ｈに取り付けられているので、第１可動部１１を、第１の回転方向Ｒ１および第２の回転方向Ｒ２に回動させることができ、これにより、操作部Ｋ４を介して第１可動部１１に接続されるミラーＭの向きを、自在に変更できる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂが、第１可動部１１に設けられた第１櫛歯状電極Ｄ１１と、第２可動部１２に設けられた第２櫛歯状電極Ｄ２１とにより構成されるので、第２可動部１２に対して第１可動部１１を第１の回転方向Ｒ１に回動させることができる。また、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄは、第２可動部１２に設けられた第１櫛歯状電極Ｄ３１と、固定部１３Ｋに設けられた第２櫛歯状電極Ｄ４１とにより構成されるので、固定部１３Ｋおよび配線部１３Ｈに対して第２可動部１２を第２の回転方向Ｒ２に回動させることができる。これにより、第１可動部１１を、筐体Ｋに対して、第1の回転方向Ｒ１および第２の回転方向Ｒ２に回動させることができ、しかも、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄによって第１の回転方向Ｒ１および第２の回転方向Ｒ２の回動量をそれぞれ個別に変更できるので、第１可動部１１に接続されるミラーＭの向きを、自在に変更することができる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、固定部１３Ｋが４つの分割領域１３Ａ～１３Ｄに分割され、各分割領域１３Ａ～１３Ｄに、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１と第２半導体層２２とを接続する第１ビア４１と、第１の端子部Ｔ１とが備えられるので、機能層１の上面側から第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを動作させるための電圧を印加することができる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、第２可動部１２の第１半導体層２１に、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１と、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１とを絶縁分離する埋め込み絶縁層３１が備えられるとともに、第２半導体層２２と、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１の第１半導体層２１とを接続する第２ビア４２が備えられているので、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１と、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１を構成する第１半導体層２１とを電気的に分離することができ、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂと第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを個別に制御することができる。

　また、本実施形態のミラーデバイス１００によれば、配線部１３Ｈに備えられた第２の端子部Ｔ２が、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１と第２半導体層２２とに電気的に接続され、また、配線部１３Ｈに備えられた第３の端子部Ｔ３が、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１を構成する第１半導体層２１に電気的に接続され、更に第３の端子部Ｔ３が、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１１を構成する第１半導体層２１に電気的に接続されているので、機能層１の上面側に配置された第２の端子部Ｔ２および第３の端子部Ｔ３から、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを動作させるための電圧を印加することができる。

（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態であるミラーデバイス２００を説明する。図１８には、第２の実施形態のミラーデバイス２００の平面模式図を示す。
　本実施形態のミラーデバイス２００と、第１の実施形態のミラーデバイス１００との相違点は、次の通りである。

　すなわち、図１８に示すミラーデバイス２００では、その第２可動部１２に、ミラーデバイス１００の第２ビア４２及び埋め込み絶縁層３１に相当するものが設けられていない。これ以外の構造は、第１の実施形態のミラーデバイス１００と同じである。これにより、第２の端子部Ｔ２および第３の端子部Ｔ３に電圧を印加した場合の動作が、第１の実施形態とは異なるものとなる。

　すなわち、本実施形態のミラーデバイス２００の第２可動部１２は、第１可動部１１を囲むように配置された環状の部材である。第２可動部１２は、環状部１２Ａと、環状部１２Ａの外側に突出する４つの電極部１２Ｂとを有する。環状部１２Ａは、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２の積層体よりなり、第２ねじり梁部１５と接合されている。電極部１２Ｂは、第１半導体層２１のみからなる。環状部１２Ａの第１半導体層２１と電極部１２Ｂの第１半導体層２１は連続した層である。

　第１可動部１１および固定部１３Ｋは、第１の実施形態と同様の構成である。このため、第１の端子部Ｔ１は、第１の実施形態と同様に、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）を構成する第２半導体層２２に電気的に接続されるとともに、第１ビア４１を介して第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極をＤ２（Ｄ４１）構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。

　また、配線部１３Ｈ、第１ねじり梁部１４および第２ねじり梁部１５についても、第１の実施形態と同様の構成である。

　以上の構造の特徴によって、次のような電気的な接続構造が実現される。すなわち、第２の端子部Ｔ２は、第２ねじり梁部１５を構成する第２半導体層２２と第２可動部の第２半導体層２２とを介して、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第２半導体層２２に電気的に接続される。

　また、第３の端子部Ｔ３は、第２ねじり梁部１５の第１半導体層２１を介して、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）を構成する第１半導体層２１と、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第１半導体層２１とに、電気的に接続される。
　更に第３の端子部Ｔ３は、第２ねじり梁部１５、第２可動部１２および第１ねじり梁部１４のそれぞれの第１半導体層２１を介して、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。

　以下、本実施形態のミラーデバイス２００における、各アクチュエータ２Ａ、２Ｂ、３Ａ～３Ｄを作動させるための電圧の印加方法をより具体的に説明する。
　第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させるためには、第２の端子部Ｔ２から第１駆動電圧を第２半導体層２２に印加する。第２の端子部Ｔ２から第２半導体層２２に印加された第１駆動電圧は、第２ねじり梁部１５を経由して第２可動部１２の第２半導体層２２に達し、そのまま、第２可動部１２に設けられた第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第２半導体層２２に印加される。

　また、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させるために、第３駆動電圧を、第３の端子部Ｔ３に印加する。第３駆動電圧は、第１駆動電圧と異なる電圧値を持つ電圧であり、接地電圧でもよい。第３の端子部Ｔ３から印加された第３駆動電圧は、第２ねじり梁部１５の第１半導体層２１を経由して第２可動部１２の第１半導体層２１に達し、そのまま、第２可動部１２に設けられた第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１に印加される。更に、この第３駆動電圧は、第１ねじり梁部１４を経由して、第１可動部１１の第１半導体層２１、すなわち、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）に印加される。その結果、第１アクチュエータ２Ａまたは２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）が変位される。

　このようにして、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１の第２半導体層２２に第１駆動電圧が印加され、第１櫛歯状電極Ｄ１１に第３駆動電圧（例えば接地電圧）が印加されることで、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させることができる。なお、ミラーＭを駆動させる場合、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの両方ではなく、いずれか一方を作動させればよい。

　第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを作動させるためには、第１の端子部Ｔ１から第２駆動電圧を第２半導体層２２に印加する。第２駆動電圧は、第１駆動電圧と同じ電圧値を持つ電圧でもよく、異なる電圧値を持つ電圧でもよい。また、第２駆動電圧は、第３駆動電圧と異なる電圧値を持つ電圧とする。第１の端子部Ｔ１から第２半導体層２２に印加された第２駆動電圧は、そのまま、分割領域１３Ａ～１３Ｄに設けられた第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第２半導体層２２に印加される。また、第２半導体層２２に印加された第２駆動電圧は、第１ビア４１を経由して、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１にも印加される。

　また、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを駆動させるために第３の端子Ｔ３に印加された第３駆動電圧（例えば接地電圧）は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１を構成する第１半導体層２１にも印加される。その結果、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１が変位される。

　このようにして、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１に第２駆動電圧が印加され、第１櫛歯状電極Ｄ３１に例えば第３駆動電圧（例えば接地電圧）が印加されることで、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを作動させることができる。なお、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの全部ではなく、第２アクチュエータ３Ａおよび３Ｃを作動させるか、第２アクチュエータ３Ｂおよび３Ｄを作動させればよい。

　これにより、本実施形態のミラーデバイス２００は、第１の実施形態の場合と同様に、ミラーを自由に変位させることができる。

　以上説明したように、本実施形態のミラーデバイス２００によれば、配線部１３Ｈに備えられた第２の端子部Ｔ２が、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第２半導体層２２に電気的に接続され、また、配線部１２Ｈに備えられた第３の端子部Ｔ３が、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）を構成する第１半導体層２１と、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第１半導体層２１とに電気的に接続され、更に第３の端子部Ｔ３が、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（（Ｄ１１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続されているので、機能層１の上面側に配置された第２の端子部Ｔ２および第３の端子部Ｔ３から、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを動作させるための電圧を印加することができる。

（第３の実施形態）
　次に、本発明の第３の実施形態であるミラーデバイス３００を説明する。図１９には、第３の実施形態のミラーデバイス３００の平面模式図を示す。
　本実施形態のミラーデバイス３００と、第１の実施形態のミラーデバイス１００との相違点は、次の通りである。

　すなわち、図１９に示すミラーデバイス２００では、固定部１３Ｋを構成する第２半導体層２２が、２つの領域に分割されている。これ以外の構造は、第１の実施形態のミラーデバイス１００と同じである。これにより、第２の端子部Ｔ２および第３の端子部Ｔ３に電圧を印加した場合の動作が、第１の実施形態と異なるものとなる。

　すなわち、本実施形態のミラーデバイス２００の固定部１３Ｋは、第２可動部１２を囲むように配置されており、筐体Ｋの他面Ｋ３側に接合される。固定部１３Ｋが筐体Ｋの他面Ｋ３側に接合されることで、機能層１全体が筐体Ｋの他面Ｋ３側に配置されるようになる。固定部１３Ｋは、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が積層された積層体で構成される。固定部１３Ｋは、４つの分割領域１３Ａ～１３Ｄに分割されている。分割領域１３Ａ～１３Ｄは、隣接する他の分割領域との間で、第１半導体層２１、第２半導体層２２および層間絶縁層２３が連続されておらず、また、筐体Ｋと第１半導体層２１との間には下部絶縁層５１が配置されているため、互いに絶縁分離されている。分割領域１３Ａ～１３Ｄは、配線部１３Ｈとも絶縁分離されている。

　各分割領域１３Ａ～１３Ｄには、それぞれ、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）が設けられている。この第２櫛歯状電極Ｄ４１は、第１半導体層２１、層間絶縁層２３および第２半導体層２２の積層体で構成されている。固定部１３Ｋにおける第２櫛歯状電極Ｄ４１は、Ｙ方向に向けて突出されており、これにより、第２可動部１２の電極部１２Ｂに設けられた第１櫛歯状電極Ｄ３１と対向している。

　固定部１３Ｋを構成する第２半導体層２２は、２つの領域に分割されている。第２半導体層２２の一方の領域は、第１半導体層２１とともに、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）を構成している。

　また、第２半導体層２２の他方の領域には、当該領域を構成する第２半導体層２２と第１半導体層２１とを電気的に接続するために層間絶縁層２３を貫通する第１ビア４１が設けられている。また、固定部１３Ｋの各分割領域１３Ａ～１３Ｄには、第１ビア４１に接続される第１の端子部Ｔ１が備えられている。第１の端子部Ｔ１は、第１ビア４１と同様に、第２半導体層２２の他方方の領域にある。第１ビア４１は、各分割領域１３Ａ～１３Ｄに備えられる第１の端子部Ｔ１と、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１とを電気的に接続する。第１ビア４１は、例えば多結晶シリコンまたは金属からなる。

　以上の構造の特徴によって、次のような電気的な接続構造が実現される。すなわち、第１の端子部Ｔ１は、第１ビア４１を介して、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極をＤ２（Ｄ４１）構成する第１半導体層２１に電気的に接続されるが、第２櫛歯状電極をＤ２（Ｄ４１）構成する第２半導体層２２には電気的に接続されない。

　第１可動部１１、第２可動部１２、固定部１３Ｋおよび配線部１３Ｈは、第１の実施形態と同様の構成である。このため、第２の端子部Ｔ２は、第１の実施形態と同様に、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第２半導体層２２および第１半導体層２１に電気的に接続される。また、第３の端字部Ｔ３は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。また、第３の端子部Ｔ３は、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極をＤ１（Ｄ１１）構成する第１半導体層２１に電気的に接続される。

　以下、本実施形態のミラーデバイス３００における、各アクチュエータ２Ａ、２Ｂ、３Ａ～３Ｄを作動させるための電圧の印加方法をより具体的に説明する。
　第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させるためには、第２の端子部Ｔ２から第１駆動電圧を第２半導体層２２に印加する。第２の端子部Ｔ２から第２半導体層２２に印加された第１駆動電圧は、第２ねじり梁部１５を経由して第２可動部１２の第２半導体層２２に達し、そのまま、第２可動部１２に設けられた第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第２半導体層２２に印加される。また、第２可動部１２の第２半導体層２２に達した第１駆動電圧は、第２ビア４２を経由して、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１を構成する第１半導体層２１にも印加される。この際、第２可動部１２の第１半導体層２１には埋め込み絶縁層３１が設けられているため、第１駆動電圧は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１には印加されない。

　また、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させるために、第２駆動電圧を、第３の端子部Ｔ３に印加する。第２駆動電圧は、第１駆動電圧と異なる電圧値を持つ電圧である。第３の端子部Ｔ３から印加された第２駆動電圧は、第２ねじり梁部１５の第１半導体層２１を経由して第２可動部１２の第１半導体層２１に達し、更に第１ねじり梁部１４を経由して、第１可動部１１の第１半導体層２１、すなわち、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）に印加される。第２駆動電圧は、第１駆動電圧とは異なる電圧である。これにより、第１アクチュエータ２Ａまたは２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）が変位される。なお、第２電圧は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１にも印加される。

　このようにして、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２１に第１駆動電圧が印加され、第１櫛歯状電極Ｄ１１に第２駆動電圧が印加されることで、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを作動させることができる。なお、ミラーＭを駆動させる場合、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの両方ではなく、いずれか一方を作動させればよい。

　第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを作動させるためには、第１の端子部Ｔ１から第３駆動電圧を固定部１３Ｋの第１ビア４１に印加する。第３駆動電圧は、第２駆動電圧と異なる電圧値を持つ電圧である。第１の端子部Ｔ１に印加された第３駆動電圧は、第１ビア４１を経由して、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１を構成する第１半導体層２１に印加される。

　また、上述したように、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂを駆動するために第３の端子Ｔ３に印加された第２駆動電圧は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１を構成する第１半導体層２１にも印加される。これにより、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ３１が変位される。

　このようにして、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ４１に第３駆動電圧が印加され、第１櫛歯状電極Ｄ３１に第２駆動電圧が印加されることで、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを作動させることができる。なお、ミラーＭを駆動させる場合、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの全部ではなく、第２アクチュエータ３Ａおよび３Ｃを作動させるか、第２アクチュエータ３Ｂおよび３Ｄを作動させればよい。

　これにより、本実施形態のミラーデバイス３００は、第１の実施形態の場合と同様に、ミラーを自由に変位させることができる。

　以上説明したように、本実施形態のミラーデバイス３００によれば、固定部１３Ｋが複数の分割領域１３Ａ～１３Ｄに分割され、各分割領域１３Ａ～１３Ｄに、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）が設けられ、それぞれの分割領域１３Ａ～１３Ｄでは、第２半導体層２２が２つの領域に分割されており、この分割された第２半導体層２２の一方の領域は、第１半導体層２１とともに、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）を構成しており、第２半導体層２２の他方の領域には、当該分割領域を構成する第２半導体層２２と第１半導体層２１とを電気的に接続する第１ビア４１と、第１の端子部Ｔ１とが備えられ、第１の端子部Ｔ１は、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ４１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続されるので、機能層１の上面側に配置された第１の端子部Ｔ１から、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを動作させるための電圧を印加することができる。

　また、本実施形態のミラーデバイス３００によれば、第２可動部１２の第１半導体層２１に、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）と、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）とを絶縁分離する埋め込み絶縁層３１が備えられるとともに、第２可動部１２の第２半導体層２２と、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）の第１半導体層２２とを電気的に接続する第２ビア４２が備えられているので、第２可動部１２にそれぞれ形成された、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第１半導体層２１と、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）を構成する第１半導体層２１とを電気的に分離することができ、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂと第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを個別に制御することができる。

　更に、本実施形態のミラーデバイス３００によれば、配線部１３Ｈに備えられた第２の端子部Ｔ２が、第１アクチュエータ２Ａ，２Ｂの第２櫛歯状電極Ｄ２（Ｄ２１）を構成する第２半導体層２２および第１半導体層２１とに電気的に接続され、また、配線部１３Ｈに備えられた第３の端子部Ｔ３が、第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ３１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続され、更に第３の端子部Ｔ３が、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂの第１櫛歯状電極Ｄ１（Ｄ１１）を構成する第１半導体層２１に電気的に接続されているので、機能層１の上面側に配置された第２の端子部Ｔ２および第３の端子部Ｔ３から、第１アクチュエータ２Ａ、２Ｂおよび第２アクチュエータ３Ａ～３Ｄを動作させるための電圧を印加することができる。

（第４の実施形態）
　図２０および図２１には、本発明の第４の実施形態であるミラーアレイ４００を示す。図２０はミラーアレイ４００の側面図であり、図２１はミラーアレイ４００の平面図である。このミラーアレイは、支持基材４０１と、支持基材４０１上に備えられた複数のミラーデバイス１００とから構成される。ミラーデバイス１００は、第１の実施形態のミラーデバイス１００であるが、他の実施形態のミラーデバイス２００、３００でもよい。ミラーデバイス１００には、ミラーＭが備えられている。

　支持基材４０１には、各ミラーデバイス１００を駆動するための配線が設けられており、各配線は、図２０に示すバンプ４０２を介して、各ミラーデバイス１００の端子部Ｔ１～Ｔ３に接続されている。これにより、支持基材４０１に設けられる配線は、各ミラーデバイス１００の真下に配設することができる。そして、支持基材４０１に設けられる配線は、各ミラーデバイス１００の間に配設する必要がないため、各ミラーデバイス１００の間隔を狭くすることができ、例えば、０．５ｍｍ以下とすることができる。これにより、複数のミラーＭを密に配設できる。

　また、本実施形態のミラーアレイは、ＭＥＭＳ型光スイッチ装置を構成することもできる。ＭＥＭＳ型光スイッチ装置は、複数のミラーＭを密に配設することが可能なミラーアレイ４００を備えるので、光ファイバー切替スイッチの高密度化と大規模化を実現できる。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、例えば、ミラーＭは筐体Ｋの一面Ｋ１側に配置されるが、本発明の駆動機構と回路構成、すなわち機能層１を用いて、機能層１側にミラーＭを配置することもできる。また、第１可動部１１の第１半導体層２１または第２半導体層２２の表面にミラーＭを形成してもよいし、第１半導体層２１または第２半導体層２２の表面にミラーＭを接合してもよい。

　また、第３の実施形態のミラーデバイス３００における固定部の構造を、第２の実施形態のミラーデバイス２００の固定部の構造に適用してもよい。すなわち、第２の実施形態の固定部の分割領域において、第２半導体層を２つの領域に分割させ、その一方の領域は、前記第１半導体層とともに、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成させ、他方の領域には、当該領域を構成する第２半導体層と第１半導体層とを電気的に接続するために層間絶縁層を貫通する第１ビアと、第２半導体層の前記他方の領域上にあって第１ビアに接続される第１の端子部と、を備えさせ、第１の端子部を、第１ビアを介して第２アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続させてもよい。

　本発明のミラーデバイス、ミラーアレイ、ＭＥＭＳ型光スイッチ装置は、例えば、光通信技術において好適に用いることができる。

１…機能層、２、２Ａ、２Ｂ…第１アクチュエータ、３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ…第２アクチュエータ、１１…第１可動部、１２…第２可動部、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ…分割領域、１３Ｋ…固定部、１３Ｈ…配線部、１４…第１ねじり梁部、１５…第２ねじり梁部、２１…第１半導体層、２２…第２半導体層、２３…層間絶縁層、３１…埋め込み絶縁層、４１…第１ビア、４２…第２ビア、１００、２００、３００…ミラーデバイス、４００…ミラーアレイ、Ｄ１、Ｄ１１、Ｄ３１…第１櫛歯状電極、Ｄ２、Ｄ２１、Ｄ４１…第２櫛歯状電極、Ｋ…筐体、Ｋ１…空洞部、Ｋ２…筐体の一面、Ｋ３…筐体の他面、Ｋ４…操作部、Ｍ…ミラー、Ｒ１…第１の回転方向、Ｒ２…第２の回転方向、Ｔ１…第１の端子部（端子部）、Ｔ２…第２の端子部（端子部）、Ｔ３…第３の端子部（端子部）。

Claims

　空洞部を有する筐体と、
　前記筐体の一面側に配置されたミラーと、
　前記筐体の他面側に配置された機能層と、
　前記筐体の前記空洞部内に配置されて、前記機能層と前記ミラーとを連結する操作部と、を備え、
　前記機能層には、前記ミラーを第１の回転方向に回動させる静電駆動式の第１アクチュエータと、前記第１の回転方向と交差する第２の回転方向に前記ミラーを回動させる静電駆動式の第２アクチュエータと、前記筐体とは反対側の面に配置された端子部と、が備えられている、ミラーデバイス。
　筐体と、
　ミラーと、
　前記筐体の上に配置されて前記ミラーを駆動する機能層と、を少なくとも備え、
　前記機能層は、第１半導体層と、第２半導体層と，前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された層間絶縁層とを有しており、
　前記機能層には、前記ミラーを第１の回転方向に回動させる静電駆動式の第１アクチュエータと、前記第１の回転方向と交差する第２の回転方向に前記ミラーを回動させる静電駆動式の第２アクチュエータと、が備えられ、
　前記第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータはそれぞれ、前記第１半導体層よりなる第１櫛歯状電極と、前記第１半導体層、前記層間絶縁層および前記第２半導体層よりなる第２櫛歯状電極と、を有する、ミラーデバイス。
　前記機能層は、第１半導体層と、第２半導体層と，前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された層間絶縁層とを有しており、
　前記第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータはそれぞれ、前記第１半導体層よりなる第１櫛歯状電極と、前記第１半導体層、前記層間絶縁層および前記第２半導体層よりなる第２櫛歯状電極と、を有する、請求項１に記載のミラーデバイス。
　前記機能層には、
　前記操作部が接合される第１可動部と、
　前記第１可動部を囲むように配置された環状の第２可動部と、
　前記第２可動部を囲むように配置されて、前記筐体の前記他面側に接合する固定部と、
　前記第２可動部に隣接して、前記筐体の前記他面側に接合する配線部と、
　前記固定部及び前記配線部に配置される複数の前記端子部と、
　前記第１の回転方向の回転軸方向に延在して前記第１可動部と前記第２可動部とを接続する第１ねじり梁部と、
　前記第２の回転方向の回転軸方向に延在して前記第２可動部と前記配線部とを接続する第２ねじり梁部と、
　が備えられ、
　前記第１可動部、前記第２可動部、前記固定部、前記配線部および前記第２ねじり梁部は、前記第１半導体層と、前記第１半導体層の少なくとも一部または全部を覆う前記層間絶縁層および前記第２半導体層と、から構成され、
　前記第１ねじり梁部は、前記第１半導体層から構成される、請求項３に記載のミラーデバイス。
　前記機能層には、
　前記ミラーを直接または間接に固定する第１可動部と、
　前記第１可動部を囲むように配置された環状の第２可動部と、
　前記第２可動部を囲むように配置されて、前記筐体の前記他面側に接合する固定部と、
　前記第２可動部に隣接して、前記筐体の前記他面側に接合する配線部と、
　前記固定部及び前記配線部に配置される複数の端子部と、
　前記第１の回転方向の回転軸方向に延在して前記第１可動部と前記第２可動部とを接続する第１ねじり梁部と、
　前記第２の回転方向の回転軸方向に延在して前記第２可動部と前記配線部とを接続する第２ねじり梁部と、
　が備えられ、
　前記第１可動部、前記第２可動部、前記固定部、前記配線部および前記第２ねじり梁部は、前記第１半導体層と、前記第１半導体層の少なくとも一部または全部を覆う前記層間絶縁層および前記第２半導体層と、から構成され、
　前記第１ねじり梁部は、前記第１半導体層から構成される、請求項２に記載のミラーデバイス。
　前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極は前記第１可動部に設けられ、前記第２櫛歯状電極は前記第２可動部に設けられ、
　前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極は前記第２可動部に設けられ、前記第２櫛歯状電極は前記固定部に設けられている、請求項４または請求項５に記載のミラーデバイス。
　前記固定部は、複数の分割領域に分割されており、
　それぞれの前記分割領域には、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極が設けられており、
　それぞれの前記分割領域には、当該分割領域を構成する前記第１半導体層と前記第２半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第１ビアと、前記第２半導体層上にあって前記第１ビアに接続される第１の端子部と、が備えられ、
　前記第１の端子部は、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する第２半導体層に電気的に接続されるとともに、前記第１ビアを介して前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続される、請求項６に記載のミラーデバイス。
　前記環状の第２可動部には、その内側に、前記第１アクチュエータを構成する前記第２櫛歯状電極が設けられるとともに、その外側に、前記第２アクチュエータを構成する前記第１櫛歯状電極が設けられており、
　前記第２可動部の前記第１半導体層には、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極と、外側の前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極とを絶縁分離する埋め込み絶縁層が備えられ、
　更に、前記第２可動部には、前記第２半導体層と、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極の前記第１半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第２ビアが備えられている、請求項７に記載のミラーデバイス。
　前記第２ねじり梁部の前記第２半導体層は、前記配線部に設けられた第２の端子部に接続されており、
　前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層は、前記配線部に設けられた第３の端子部に接続されており、
　前記第２の端子部は、前記第２ねじり梁部を構成する前記第２半導体層と前記第２可動部の前記第２ビアとを介して、前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層と前記第２半導体層とに電気的に接続されており、
　前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層を介して、前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されており、
　更に前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部、前記第２可動部および前記第１ねじり梁部のそれぞれの前記第１半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されている、請求項８に記載のミラーデバイス。
　前記環状の第２可動部には、その内側に、前記第１アクチュエータを構成する前記第２櫛歯状電極が設けられるとともに、その外側に、前記第２アクチュエータを構成する前記第１櫛歯状電極が設けられ、
　前記第２ねじり梁部の前記第２半導体層は、前記配線部に設けられた第２の端子部に接続されており、
　前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層は、前記配線部に設けられた第３の端子部に接続されており、
　前記第２の端子部は、前記第２ねじり梁部を構成する前記第２半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する前記第２半導体層に電気的に接続されており、
　前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層を介して、前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層と、前記第１アクチュエータの第２櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層とに電気的に接続されており、
　更に前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部、前記第２可動部および前記第１ねじり梁部のそれぞれの前記第１半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されている、請求項７に記載のミラーデバイス。
　前記固定部は、複数の分割領域に分割されており、
　それぞれの前記分割領域には、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極が設けられており、
　それぞれの前記分割領域では、第２半導体層が２つの領域に分割されており、
　前記第２半導体層の一方の領域は、前記第１半導体層とともに、前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成しており、
　前記第２半導体層の他方の領域には、当該領域を構成する前記第２半導体層と前記第１半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第１ビアと、前記第２半導体層の前記他方の領域上にあって前記第１ビアに接続される第１の端子部と、が備えられ、
　前記第１の端子部は、前記第１ビアを介して前記第２アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する第１半導体層に電気的に接続される、請求項６に記載のミラーデバイス。
　前記環状の第２可動部には、その内側に、前記第１アクチュエータを構成する前記第２櫛歯状電極が設けられるとともに、その外側に、前記第２アクチュエータを構成する前記第１櫛歯状電極が設けられており、
　前記第２可動部の前記第１半導体層には、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極と、外側の前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極とを絶縁分離する埋め込み絶縁層が備えられ、
　更に、前記第２可動部には、前記第２半導体層と、内側の前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極の前記第１半導体層とを電気的に接続するために前記層間絶縁層を貫通する第２ビアが備えられている、請求項１１に記載のミラーデバイス。
　前記第２ねじり梁部の前記第２半導体層は、前記配線部に設けられた第２の端子部に電気的に接続されており、
　前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層は、前記配線部に設けられた第３の端子部に接続されており、
　前記第２の端子部は、前記第２ねじり梁部を構成する前記第２半導体層と前記第２可動部の前記第２ビアとを介して、前記第１アクチュエータの前記第２櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層と前記第２半導体層とに電気的に接続されており、
　前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部の前記第１半導体層を介して、前記第２アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されており、
　更に前記第３の端子部は、前記第２ねじり梁部、前記第２可動部および前記第１ねじり梁部のそれぞれの前記第１半導体層を介して、前記第１アクチュエータの前記第１櫛歯状電極を構成する前記第１半導体層に電気的に接続されている請求項１２に記載のミラーデバイス。
　支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、
　前記ミラーデバイスが、請求項１乃至請求項５または請求項７乃至請求項１３の何れか一項に記載のミラーデバイスである、ミラーアレイ。
　支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、
　前記ミラーデバイスが、請求項６に記載のミラーデバイスである、ミラーアレイ。
　前記ミラーデバイスは、前記端子部に形成されたバンプを介して支持基材に接合されている、請求項１４に記載のミラーアレイ。
　前記ミラーデバイスは、前記端子部に形成されたバンプを介して支持基材に接合されている、請求項１５に記載のミラーアレイ。
　前記ミラーデバイス同士の間隔が０．５ｍｍ以下である、請求項１４に記載のミラーアレイ。
　前記ミラーデバイス同士の間隔が０．５ｍｍ以下である、請求項１５に記載のミラーアレイ。
　ミラーアレイが備えられた光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置であって、前記ミラーアレイは、支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、前記ミラーデバイスが、請求項１乃至請求項５または請求項７乃至請求項１３の何れか一項に記載のミラーデバイスである、光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置。
　ミラーアレイが備えられた光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置であって、前記ミラーアレイは、支持基材上に、複数のミラーデバイスが備えられており、前記ミラーデバイスが、請求項６に記載のミラーデバイスである、光ファイバー用のＭＥＭＳ型光スイッチ装置。