WO2024257841A1

WO2024257841A1 - 弾性波装置及び弾性波フィルタ装置

Info

Publication number: WO2024257841A1
Application number: PCT/JP2024/021587
Authority: WO
Inventors: 克也大門; 優太石井; 明洋井山
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2023-06-13
Filing date: 2024-06-13
Publication date: 2024-12-19
Anticipated expiration: 2025-12-13
Also published as: DE112024001670T5; KR20260006672A; CN121285950A

Abstract

弾性波装置は、第１主面と、第１方向において第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、圧電層の第１主面および第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、圧電層の第２主面と対向し、圧電層の第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、ＩＤＴ電極の複数の電極指の配列方向における少なくとも一方の端部と第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、端部は複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指を含み、圧電層の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

Description

弾性波装置及び弾性波フィルタ装置

　本発明は、弾性波装置及び弾性波フィルタ装置に関する。

　特許文献１及び特許文献２には、弾性波装置が記載されている。

特表２０２２－５２４１３６号公報米国特許第１１３４９４５０号明細書

　特許文献１及び特許文献２に示す弾性波装置は、電極指の配列方向で弾性波の漏洩が生じる可能性があった。

　本発明は、弾性波の漏洩を抑制することができる弾性波装置及び弾性波フィルタ装置を提供することを目的とする。

　一態様に係る弾性波装置は、第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指の配列方向における少なくとも一方の端部と前記第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、前記端部は前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指を含み、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

　一態様に係る弾性波装置は、第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、前記圧電層の前記第２主面と対向する支持部材と、前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜と、前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指よりも前記配列方向の外側であって、前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた負荷膜と、を有し、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であり、平面視で、前記複数の電極指の配列方向での前記第１電極指と前記負荷膜との距離をＬとしたときに、Ｌ／ｐは０．９以下である。

　一態様に係る弾性波フィルタ装置は、少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が上記の弾性波装置である。

　本発明の弾性波装置及び弾性波フィルタ装置によれば、弾性波の漏洩を抑制することができる。

図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１７は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１８は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１９は、第１実施形態の第５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２０は、第１実施形態の第４変形例及び第５変形例に係る弾性波装置の、負荷膜と重なる電極指の数と、位相との関係を示す説明図である。図２１は、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２２は、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２３は、第１実施形態の第７変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２４は、第１実施形態の第７変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２５は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２６は、第２実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２７は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２８は、第３実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２９は、第３実施形態に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図３０は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図３１は、第３実施形態の第８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３２は、第３実施形態の第８変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３３は、第３実施形態の第９変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３４は、第３実施形態の第９変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３５は、第３実施形態の第１０変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３６は、第３実施形態の第１１変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３７は、第３実施形態の第１１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３８は、第３実施形態の第１２変形例に係る弾性波装置の、スプリアスの位相と、負荷膜のヤング率との関係を示す説明図である。図３９は、第３実施形態に係る弾性波装置のインピーダンス特性の一例を示す説明図である。図４０は、第４実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図４１は、第４実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４２は、第５実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図４３は、第５実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４４は、第５実施形態の第１３変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４５は、第５実施形態の第１４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４６は、第５実施形態の第１５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図４７は、第５実施形態の第１５変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４８は、第５実施形態の第１６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４９は、第５実施形態の第１７変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５０は、第６実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図５１は、第６実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５２は、第６実施形態の第１８変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５３は、第６実施形態の第１９変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５４は、第６実施形態の第２０変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図５５は、第６実施形態の第２０変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５６は、第７実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図５７は、第７実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５８は、第７実施形態に係る弾性波装置の、負荷膜と第１電極指との距離と、アドミタンスとの関係を示す説明図である。図５９は、第８実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。図６０は、第８実施形態の第２１変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図６１は、第８実施形態の第２２変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図６２は、第９実施形態に係る弾性波装置を示す回路図である。図６３は、第２３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図６４は、第２４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図６５は、第２５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図６６は、第２５変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図６７は、第２６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図６８は、第２６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図６９は、第２７変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図７０は、高次モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。図７１は、第２８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図７２は、第２８変形例に係る弾性波装置の、負荷膜の移動量とアドミタンスとの関係を示す説明図である。図７３は、第２９変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７４は、第２９変形例に係る弾性波装置の、インピーダンス特性の一例を示す説明図である。図７５は、図７４の点線Ｈ１を拡大して示す説明図である。図７６は、第３０変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７７は、第３１変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７８は、第３２変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７９は、第３３変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８０は、図７９のＬＸＸＸ－ＬＸＸＸ’断面図である。図８１は、第３４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図８２は、図８１の一部を拡大して示す断面図である。図８３は、第３４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図８４は、第３５変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図８５は、第３６変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８６は、第３７変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８７は、第３８変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８８は、第３９変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。

　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。なお、図１では図面を見やすくするために、負荷膜５０にハッチングを付けて示している。また、図１では第１保護膜４１を二点鎖線で示している。

　図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１０は、圧電層２０と、ＩＤＴ電極３０と、支持基板１１と、第１保護膜４１と、第２保護膜４２と、負荷膜５０と、を有する。図２に示すように、弾性波装置１０は、支持基板１１の上に第２保護膜４２、圧電層２０、ＩＤＴ電極３０、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される。

　圧電層２０は、第１主面２０ａと、第１主面２０ａと反対側の第２主面２０ｂとを有する平板状である。圧電層２０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）で形成される。あるいは、圧電層２０は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。好ましくは、圧電層２０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）を含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである。

　圧電層２０の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。第１実施形態に係る圧電層２０の膜厚は、例えば１８０ｎｍ程度である。

　ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。図１に示すように、ＩＤＴ電極３０は、電極指３１、３２と、バスバー電極３３、３４と、を有する。複数の電極指３１は、Ｙ方向に延在し、延在方向の一端側がバスバー電極３３に接続される。複数の電極指３２は、Ｙ方向に延在し、延在方向の他端側がバスバー電極３４に接続される。複数の電極指３１と複数の電極指３２とは、間隔を有してＸ方向に交互に配列される。バスバー電極３３及びバスバー電極３４は、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向で離隔して配置される。バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に、複数の電極指３１、３２が配列される。

　以下の説明では、圧電層２０の厚み方向をＺ方向とし、電極指３１、３２の延在方向をＹ方向とし、電極指３１、３２の配列方向をＸ方向として、説明することがある。また、以下の説明において、平面視とは、圧電層２０の第１主面２０ａに垂直な方向から視たときの配置関係を示す。

　電極指３１と電極指３２との間の中心間距離（以下、電極間ピッチと表す）は、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極間ピッチとは、電極指３１の延在方向と直交する方向における電極指３１の幅寸法の中心と、電極指３２の延在方向と直交する方向における電極指３２の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。また、電極指３１、電極指３２の幅（以下、電極幅と表す）、すなわち電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。

　さらに、電極指３１、電極指３２の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３１、電極指３２を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３１、電極指３２の電極間ピッチは、１．５対以上の電極指３１、電極指３２のうち隣り合う電極指３１、電極指３２それぞれの中心間距離の平均値を指す。

　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向は、圧電層２０の分極方向に直交する方向となる。圧電層２０として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。

　ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２及びバスバー電極３３、３４）は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態ではＩＤＴ電極３０は、チタン（Ｔｉ）膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。

　より詳細には、ＩＤＴ電極３０の電極構成は、圧電層２０側からＴｉ／ＡｌＣｕ／Ｔｉ／ＡｌＣｕの積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。また、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、電極指３２の合計は５１本とした。電極指３１、３２の電極間ピッチは、２．３８μｍであり、電極幅はそれぞれ０．６μｍである。

　ここで、図１に示す交差領域Ｃ（励振領域）は、Ｘ方向に視たときに電極指３１と電極指３２とが重なっている領域である。交差領域Ｃの長さとは、交差領域Ｃでの電極指３１、電極指３２の延在方向での寸法である。本実施形態では、交差領域Ｃの長さは、例えば４０μｍである。

　駆動に際しては、複数の電極指３１と、複数の電極指３２との間に交流電圧が印加される。より具体的には、バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に交流電圧が印加される。それによって、圧電層２０において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。

　また、弾性波装置１０では、圧電層２０の厚みをｄ、複数対の電極指３１、電極指３２の電極間ピッチをｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。

　第１実施形態の弾性波装置１０では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３１、電極指３２の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。

　第１保護膜４１は、ＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成されている。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれＩＤＴ電極３０の膜厚より厚い。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれ１４２ｎｍである。なお、第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、少なくとも一方が設けられていればよい。例えば第１保護膜４１が設けられ第２保護膜４２が設けられない構成であってもよい。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられる。負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する電極指３１（以下、第１電極指３１ａと表す）と重なる領域に設けられる。また、負荷膜５０は、第１電極指３１ａとは反対側で、最も外側に位置する電極指３２（以下、第２電極指３２ａと表す）と重なる領域にも設けられる。

　負荷膜５０の、第１電極指３１ａと重なる部分を第１延在部５１と表し、第２電極指３２ａと重なる部分を第２延在部５２と表す。第１延在部５１と第２延在部５２とは、複数の電極指３１、３２の配列方向で離隔して配置され、第１延在部５１と第２延在部５２との間に複数の電極指３１、３２が配置される。第１延在部５１は、第１電極指３１ａの一部と重なって、第１電極指３１ａの延在方向に沿って延在する。また、第２延在部５２は、第２電極指３２ａの一部と重なって、第２電極指３２ａの延在方向に沿って延在する。なお、負荷膜５０の詳細な構成については、図１２、１３にて後述する。

　支持基板１１（支持部材）は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向して配置される。支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向する面にキャビティ部１４（空間部）を有する。より詳細には、支持基板１１は、底部１２と、底部１２の上面に枠状に設けられた壁部１３とを有する。底部１２と、壁部１３とで囲まれた空間にキャビティ部１４が形成される。支持基板１１の壁部１３の上面に、第２保護膜４２を介して圧電層２０が積層される。このように、弾性波装置１０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造を有する。なお、支持部材は、支持基板１１及び中間（絶縁）層を含んでいてもよい。すなわち、支持基板１１は、圧電層２の第２主面２ｂに間接に積層されていてもよい。その場合、支持基板１１及び中間層は、枠状の形状を有し、それによってキャビティ部１４が形成されていてもよい。また、中間層に凹部が設けられており、それによってキャビティ部１４が、形成されていてもよい。

　キャビティ部１４は、圧電層２０の交差領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。なお、第２保護膜４２は、キャビティ部１４の開口部を覆って設けられる。ただし、上述したように第２保護膜４２は設けられなくてもよい。この場合、支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂに直接に積層され得る。あるいは、第２保護膜４２は、壁部１３の上面と圧電層２０の第２主面２０ｂとの間の領域に設けられ、キャビティ部１４と重なる領域には設けられなくてもよい。

　支持基板１１は、シリコン（Ｓｉ）により形成されている。Ｓｉの圧電層２０側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板１１についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板１１の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。

　図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。

　図３に示すように、第１実施形態の弾性波装置１０では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２０の第１主面２０ａと第２主面２０ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。

　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２０の交差領域Ｃ（図１参照）に含まれる第１領域２５１と、交差領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３１と電極指３２との間に、電極指３２が電極指３１よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。ここで、仮想平面ＶＰ１は、圧電層２０の厚み方向に直交し圧電層２０を２分する平面である。第１領域２５１は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第１主面２０ａとの間の領域である。第２領域２５２は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２０ｂとの間の領域である。

　弾性波装置１０では、電極指３１と電極指３２とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。

　例えば、上記電極指３１がホット電位に接続される電極であり、電極指３２がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３１がグラウンド電位に、電極指３２がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。

　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図５に示す共振特性を得た弾性波装置１０の設計パラメータは以下の通りである。

　圧電層２０：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ_３
　圧電層２０の厚み：４００ｎｍ

　交差領域Ｃの長さ：４０μｍ
　電極指３１、電極指３２からなる電極の対数：２１対
　電極指３１と電極指３２との間の電極間ピッチ：３μｍ
　電極指３１、電極指３２の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３

　第１保護膜４１、第２保護膜４２：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜

　支持基板１１：Ｓｉ

　第１実施形態では、電極指３１、電極指３２からなる電極対の電極間ピッチは、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３１と電極指３２とを等ピッチで配置した。

　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。

　ところで、上記圧電層２０の厚みをｄ、電極指３１と電極指３２との電極間ピッチをｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。

　図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図６では、図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。

　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。

　なお、圧電層２０の厚みｄについて、圧電層２０が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。

　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０では、圧電層２０の第１主面２０ａ上において、電極指３１と電極指３２とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置１０では、電極の対数は１対であってもよい。この場合でも、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。

　弾性波装置１０では、好ましくは、交差領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３１、電極指３２のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。

　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図８に示すように、矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。

　メタライゼーション比ＭＲを、図１を参照して説明する。図１の電極構造において、１対の電極指３１、電極指３２に着目した場合、この１対の電極指３１、電極指３２のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が交差領域Ｃとなる。この交差領域Ｃとは、電極指３１と電極指３２とを、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３１における電極指３２と重なり合っている領域、電極指３２における電極指３１と重なり合っている領域、及び、電極指３１と電極指３２との間の領域における電極指３１と電極指３２とが重なり合っている領域である。そして、この交差領域Ｃの面積に対する、交差領域Ｃ内の電極指３１、電極指３２の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の交差領域Ｃの面積に対する比である。

　なお、複数対の電極指３１、電極指３２が設けられている場合、交差領域Ｃの面積の合計に対する全交差領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。

　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層２０を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２０を用いた場合においても、同様の傾向となる。

　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。

　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１０において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１０を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。

　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）

　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。

　次に負荷膜５０の詳細な構成について説明する。図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。なお、図１２では、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる負荷膜５０（第１延在部５１）について説明するが、第１電極指３１ａとは反対側で、最も外側に位置する第２電極指３２ａと重なる第２延在部５２（図１、２参照）も第１延在部５１と線対称となる配置関係を有している。第１延在部５１についての説明は、第２延在部５２にも適用できる。また、以下の説明において、第１延在部５１及び第２延在部５２を区別して説明する必要が無い場合には、単に負荷膜５０と表す。

　図１２に示すように負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられ、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。本実施形態では、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。具体的には、電極指３１、３２が設けられた領域、及び、電極指３１、３２が設けられていない領域に亘って、第１保護膜４１の上面は実質的に平坦に形成される。

　負荷膜５０は第１保護膜４１の上面から突出して設けられる。第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０と第１保護膜４１とで段差が形成される。より詳細には、圧電層２０の第１主面２０ａの上に、第１電極指３１ａ、第１保護膜４１の順に積層される領域と、第１電極指３１ａ、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される領域と、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される領域と、を有する。第１電極指３１ａと重なる領域で、第１保護膜４１が設けられ負荷膜５０が設けられない部分と、負荷膜５０と第１保護膜４１とが積層される部分と、で段差が形成される。

　負荷膜５０は、第１電極指３１ａに対して、複数の電極指３１、３２の配列方向の外側にずれた位置に設けられる。負荷膜５０の一方の側面は、第１電極指３１ａの幅方向の中点と重なって配置され、負荷膜５０の他方の側面は、第１電極指３１ａよりも配列方向の外側に位置する。すなわち、負荷膜５０は、第１電極指３１ａと重畳する重畳領域と、第１電極指３１ａと重畳しない非重畳領域と、を含む。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば０．８μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．５μｍである。

　本実施形態では、負荷膜５０の膜厚ｔ４は５５ｎｍである。また、上述したように、第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は１４２ｎｍであり、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３は１１２ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、負荷膜５０の膜厚ｔ４よりも厚く、かつ、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３よりも厚い。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１と同じ材料で形成される。本実施形態では、負荷膜５０及び第１保護膜４１は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。なお、負荷膜５０及び第１保護膜４１が同じ材料で形成された場合であっても、負荷膜５０の密度は、第１保護膜４１の密度と異なっていてもよい。例えば、負荷膜５０が蒸着により成膜されている場合、負荷膜５０の実際の密度は、第１保護膜４１の密度よりも小さい。

　このように、負荷膜５０が第１電極指３１ａと重なって設けられているので、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域において、負荷膜５０と第１保護膜４１とが積層された領域は、負荷膜５０が設けられず第１保護膜４１のみが積層された領域と異なる音響インピーダンスを有する。この結果、負荷膜５０と第１保護膜４１との段差部（負荷膜５０の側面と重なる部分）において、音響反射面Ｒが形成される。

　これにより、圧電層２０に励振された弾性波は音響反射面Ｒで反射されるので、弾性波装置１０は、複数の電極指３１、３２の配列方向で弾性波の漏洩を抑制できる。

　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。より詳しくは、図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンスの実部、すなわち、コンダクタンス成分を示す説明図である。図１３に示すアドミタンス特性は、第１実施形態に係る弾性波装置１０のアドミタンス特性のシミュレーション結果を示す。また、図１３では、比較例に係る弾性波装置のアドミタンス特性のシミュレーション結果も併せて示す。比較例は、第１実施形態に対して負荷膜５０を有さない弾性波装置である。

　図１３に示すように、比較例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる周波数領域でリップルが生じている。比較例では、特に、点線Ｅ１、Ｅ２で示す大きなリップルが生じている。これに対し、第１実施形態に係る弾性波装置１０では、負荷膜５０を設けることにより、比較例に比べて、点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。第１実施形態に係る弾性波装置１０は、比較例に係る弾性波装置より、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されており、弾性波の漏洩が抑制されていることがわかる。

　なお、上述した負荷膜５０、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０の形状、幅、膜厚等はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、負荷膜５０の側面はテーパー状に形成されていてもよい。図１に示す負荷膜５０の第１延在部５１と第２延在部５２とは、同じ幅、同じ膜厚であってもよい。あるいは、負荷膜５０の第１延在部５１と第２延在部５２とは、例えば製造工程上のばらつきにより異なる幅、異なる膜厚を有していてもよい。

（第１実施形態の第１変形例）
　図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０に比べて、負荷膜５０が酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成されている構成が異なる。すなわち、第１変形例では、負荷膜５０は、第１保護膜４１と異なる材料で形成される。より具体的には、第１変形例の負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも密度が高い材料で形成される。また、負荷膜５０の膜厚ｔ４は２５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１、Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。なお、本実施形態における「密度」とは、特に説明が無い場合、材料固有の物性値を表す。

　図１４に示すように、第１変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。また、第１変形例においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されることが示された。

（第１実施形態の第２変形例）
　図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第２変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０に比べて、負荷膜５０が炭素添加酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）で形成されている構成が異なる。すなわち、第２変形例では、負荷膜５０は、第１保護膜４１と異なる材料で形成される。より具体的には、第２変形例の負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも密度が低い材料で形成される。また、負荷膜５０の膜厚ｔ４は１０５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１、Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。

　図１５に示すように、第２変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。また、第２変形例においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されることが示された。

（第１実施形態の第３変形例）
　図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第３変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０に比べて、負荷膜５０が窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）で形成されている構成が異なる。すなわち、第３変形例では、負荷膜５０は、第１保護膜４１と異なる材料で形成される。より具体的には、第３変形例の負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも硬さが硬い材料で形成される。また、負荷膜５０の膜厚ｔ４は５５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１、Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。なお、本実施形態における「硬さ」とは、特に説明が無い場合、材料固有の物性値を表す。

　図１６に示すように、第３変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。さらに第３変形例に係る弾性波装置は、点線Ｅ３で示すリップルも抑制される。第３変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、リップルが抑制され伝搬ロスが抑制される。

　なお、第１変形例から第３変形例に示した負荷膜５０の材料はあくまで一例であり、これに限定されない。負荷膜５０の材料は、例えば、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミ、アルミナ、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる。

（第１実施形態の第４変形例）
　図１７は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１７に示すように、第４変形例に係る弾性波装置１０Ａにおいて、負荷膜５０は、最も外側に位置する第１電極指３１ａ、及び、第１電極指３１ａと隣接する電極指３２と重なる領域に設けられる。

　負荷膜５０は、２本の電極指（第１電極指３１ａ及び電極指３２）に亘って連続して設けられる。負荷膜５０の一方の側面は、電極指３２の幅方向の中点と重なって配置され、負荷膜５０の他方の側面は、第１電極指３１ａよりも配列方向の外側に位置する。負荷膜５０は、第１実施形態と同様に、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。

　第４変形例では、負荷膜５０の膜厚ｔ４は３５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば２．８８μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば２．６３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．２５μｍである。

　図１８は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１８に示すように、第４変形例に係る弾性波装置１０Ａは、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。さらに第４変形例に係る弾性波装置１０Ａは、点線Ｅ３で示すリップルも抑制されることが示された。また、第４変形例において、点線Ｅ２から点線Ｅ３に亘る高周波側での伝搬ロスが抑制されることが示された。

（第１実施形態の第５変形例）
　図１９は、第１実施形態の第５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１９に示すように、第５変形例に係る弾性波装置１０Ｂでは、第４変形例とは異なり、複数の電極指３１（第１電極指３１ａ）、３２ごとに複数の負荷膜５０が設けられる。複数の負荷膜５０は、最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域、及び、第１電極指３１ａと隣接する電極指３２と重なる領域のそれぞれに設けられる。第１電極指３１ａに重なる負荷膜５０と、電極指３２に重なる負荷膜５０とは離隔して配置される。

　第５変形例では、複数の負荷膜５０の材料、形状はそれぞれ第１実施形態と同様である。すなわち、負荷膜５０は、第１実施形態と同様に、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。負荷膜５０の膜厚ｔ４は５５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば０．８μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．５μｍである。

　図２０は、第１実施形態の第４変形例及び第５変形例に係る弾性波装置の、負荷膜と重なる電極指の数と、位相との関係を示す説明図である。図２０に示す、縦軸の位相は、共振周波数の近傍の位相を示す。

　上述した第１実施形態及び各変形例では、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、最も外側に位置する１つ又は２つの電極指３１、３２に重なって配置される例を示したが、これに限定されない。図２０に示すように、負荷膜５０と重なる電極指３１、３２の数が３以下の範囲で、大きい位相（例えば８１ｄｅｇ以上）が示されており、負荷膜５０と重なる電極指３１、３２の数が４以上で位相が小さく（例えば７６ｄｅｇ以下）なる。これにより、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、最も外側に位置する３つの電極指３１、３２に重なって配置されてもよいことが示された。

（第１実施形態の第６変形例）
　図２１は、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２１に示すように、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置１０Ｂにおいて、負荷膜５０は、第１電極指３１ａと重なる第１延在部５１と、第１延在部５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられた外側負荷膜５３と、を有する。

　外側負荷膜５３は、第１延在部５１と同層に第１保護膜４１の上に設けられ、第１延在部５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５３は、第１延在部５１と同じ酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。外側負荷膜５３の膜厚ｔ５は、第１延在部５１の膜厚ｔ４と同じく５５ｎｍである。外側負荷膜５３の幅Ｗ３は、第１延在部５１の幅Ｗ１と同じく０．８μｍである。ただし、これに限定されず、外側負荷膜５３の膜厚ｔ５及び幅Ｗ３は、第１延在部５１の膜厚ｔ４及び幅Ｗ１と異なっていてもよい。

　図２２は、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２２に示すように、第６変形例に係る弾性波装置１０Ｂは、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。また、第６変形例に係る弾性波装置１０Ｂは、点線Ｅ１よりも低周波側での伝搬ロスが抑制されている。

（第１実施形態の第７変形例）
　図２３は、第１実施形態の第７変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２３に示すように、第７変形例に係る弾性波装置１０Ｃにおいて、第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は、圧電層２０の膜厚よりも薄い。具体的には、圧電層２０の膜厚は、例えば３６０ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、３０ｎｍである。第２保護膜４２の膜厚ｔ２は、３０ｎｍである。ＩＤＴ電極３０の積層構成は、上述した第１実施形態と同様であり、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３は１１２ｎｍである。

　負荷膜５０の材料は、第１実施形態と同様に酸化ケイ素を用い、負荷膜５０の膜厚ｔ４は７０ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、負荷膜５０の膜厚ｔ４よりも薄く、かつ、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３よりも薄い。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば０．９８μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．６８μｍである。

　第７変形例では、第１保護膜４１は、電極指３１、３２の表面、側面及び圧電層２０の第１主面２０ａに倣って設けられる。第１保護膜４１の膜厚ｔ１が薄いので、第１保護膜４１の上面には電極指３１、３２の形状を反映した凹凸が形成される。

　負荷膜５０は、第１実施形態と同様に第１電極指３１ａと重畳して設けられる。負荷膜５０は、第１電極指３１ａの上面、側面を覆うとともに、第１電極指３１ａよりも配列方向の外側で第１保護膜４１の上に設けられる。本変形例においても第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０と第１保護膜４１との段差部（負荷膜５０の側面と重なる部分）において、音響反射面Ｒが形成される。

　図２４は、第１実施形態の第７変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２４に示す比較例は、第７変形例に示す弾性波装置１０Ｃ、すなわち第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚が圧電層２０の膜厚よりも薄い構成の弾性波装置１０Ｃにおいて、負荷膜５０が設けられていない構成の弾性波装置である。比較例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる周波数領域でリップルが生じている。比較例では、特に、点線Ｅ２、Ｅ４で示す大きなリップルが生じている。

　これに対し、第７変形例に係る弾性波装置１０Ｃでは、負荷膜５０を設けることにより、比較例に比べて点線Ｅ２、Ｅ４で示すリップルが抑制されることが示された。第７変形例に係る弾性波装置１０Ｃは、比較例に係る弾性波装置より、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されており、弾性波の漏洩が抑制されていることがわかる。このように、第１保護膜４１及び第２保護膜４２が薄い場合であっても、負荷膜５０を設けることにより、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第２実施形態）
　図２５は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。第１実施形態及び第１変形例から第７変形例では、負荷膜５０が、圧電層２０の第１主面２０ａ側であって、第１保護膜４１の上に設けられる構成について説明したが、これに限定されない。図２５に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１０Ｄにおいて、負荷膜５０（下部第１延在部５４）は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側であって、第２保護膜４２の下面に設けられる。言い換えると、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側には設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。なお、第２保護膜４２の下面とは、第２保護膜４２の、支持基板１１（図２参照）と対向する面である。

　第２保護膜４２の下面は、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。負荷膜５０は、第２保護膜４２の下面に設けられ、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。負荷膜５０は、第２保護膜４２の下面から突出して設けられる。本実施形態では、第１電極指３１ａと重なる領域で、圧電層２０の第２主面２０ｂに、第２保護膜４２が設けられ負荷膜５０が設けられない領域と、第２保護膜４２と負荷膜５０とが積層される領域と、を有する。これにより、第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０と第２保護膜４２とで段差が形成される。

　第２実施形態において、負荷膜５０は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と同じ材料が用いられ、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。負荷膜５０の幅Ｗ２は例えば０．６μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ２ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ２ｂは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の膜厚ｔ４は５５ｎｍである。

　なお、平面視での下部第１延在部５４の構成は、第１延在部５１（図１参照）と同様であり繰り返しの説明は省略する。また、図示は省略するが、下部第１延在部５４の、複数の電極指３１、３２の配列方向の反対側にも、第２電極指３２ａ（図１参照）と重なる位置に下部第２延在部が設けられる。

　図２６は、第２実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２６に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１０Ｄは、負荷膜５０が圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられている構成であっても、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制されることが示された。また、第２実施形態においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されることが示された。また、第２実施形態では、第１実施形態に比べて第１保護膜４１の上に負荷膜５０が設けられていないので、第１保護膜４１の膜厚を変更して、共振周波数の調整を容易に行うことができる。

　なお、第２実施形態において、上述した第１変形例から第７変形例と適宜組み合わせることができる。すなわち、負荷膜５０は第２保護膜４２の下面に設けられ、かつ、第２保護膜４２と異なる各種材料が用いられてもよい。あるいは、負荷膜５０は第２保護膜４２の下面に設けられ、かつ、配列方向の外側に位置する２本の電極指（第１電極指３１ａ及び電極指３２）又は３本の電極指と重なる領域に設けられていてもよい。あるいは、負荷膜５０は第２保護膜４２の下面に設けられ、かつ。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚が圧電層２０の膜厚よりも薄い構成であってもよい。

（第３実施形態）
　図２７は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２７に示すように第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅにおいて、負荷膜５０は、第１保護膜４１の上、及び、第２保護膜４２の下面（支持基板１１（図２参照）と対向する面）のそれぞれに設けられる。以下の説明では、第１保護膜４１の上に設けられた負荷膜５０を上部負荷膜５０Ａと表し、第２保護膜４２の下面に設けられた負荷膜５０を下部負荷膜５０Ｂと表す。なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂを区別する必要が無い場合には、単に負荷膜５０と表す。

　本実施形態では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、同じ材料で形成され、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）が用いられる。上部負荷膜５０Ａの第１延在部５１及び下部負荷膜５０Ｂの下部第１延在部５４は、重なって設けられ、それぞれ第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。

　上部負荷膜５０Ａ（第１延在部５１）の幅Ｗ１及び下部負荷膜５０Ｂ（下部第１延在部５４）の幅Ｗ２は、それぞれ０．６μｍである。上部負荷膜５０Ａの重畳領域の幅Ｗ１ａ及び下部負荷膜５０Ｂの重畳領域の幅Ｗ２ａは、それぞれ例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの非重畳領域の幅Ｗ１ｂ及び下部負荷膜５０Ｂの非重畳領域の幅Ｗ２ｂは、それぞれ例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの膜厚ｔ４及び下部負荷膜５０Ｂの膜厚は５５ｎｍである。

　なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、同じ材料、同じ形状を有する例を示したがこれに限定されない。第８変形例から第１０変形例にて後述するように、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、異なる材料、異なる形状を有していてもよい。

　図２８は、第３実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２８に示すように、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅは、負荷膜５０が圧電層２０の第１主面２０ａ側及び第２主面２０ｂ側の両方に設けられることで、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが良好に抑制されることが示された。また、第３実施形態においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制される。

　図２９は、第３実施形態に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図３０は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図３０に示す比較例では、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅに対し、負荷膜５０（上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂ）が設けられていない構成である。

　図２９及び図３０では、第３実施形態及び比較例について、横軸をＸ方向（電極指３１、３２の配列方向）とし、縦軸を周波数として、圧電層２０の変位の大きさの分布を示している。図２９及び図３０の上図には、それぞれＸ方向に対応する弾性波装置の断面図を模式的に示し、図２９及び図３０の左図には、弾性波装置のインピーダンス特性を示している。

　図３０に示すように、比較例に係る弾性波装置では、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、大きな周波数依存性を有する。例えば、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数によってずれており、電極間で安定して励振されていない。また、所定のＸ位置（Ｘ＝５．０μｍ近傍）に注目すると、共振周波数５０３０ＭＨｚ及びリップルが生じた周波数４９００ＭＨｚ、５１２０ＭＨｚで位相が反転している。このように、比較例に係る弾性波装置では、理想的な励振モードが得られない場合がある。

　これに対し、図２９に示すように第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅでは、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、周波数依存性を有していない。すなわち、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数よらず一定であり、電極間で安定して励振されていることが示された。また、変位の大きさ（振幅）も電極間の領域ごとに一定となっており、共振周波数及びリップルが生じた周波数配列での位相の反転も生じていない。このように、配列方向の最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる位置に負荷膜５０を設けるのみで、比較例に比べて良好な励振モードが得られることが示された。

（第３実施形態の第８変形例）
　図３１は、第３実施形態の第８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３１に示すように、第８変形例に係る弾性波装置１０Ｆにおいて、上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１は、下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２と異なる。下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２は、上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１よりも長い。また、本変形例では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。

　上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１は、０．６μｍである。上部負荷膜５０Ａの重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの膜厚ｔ４は５５ｎｍである。

　下部負荷膜５０Ｂは、配列方向で最も外側に位置する２本の電極指、すなわち、第１電極指３１ａ、及び、第１電極指３１ａと隣接する電極指３２と重なる領域に設けられる。

　下部負荷膜５０Ｂは、２本の電極指（第１電極指３１ａ及び電極指３２）に亘って連続して設けられる。下部負荷膜５０Ｂの一方の側面は、電極指３２の幅方向の中点と重なって配置され、下部負荷膜５０Ｂの他方の側面は、第１電極指３１ａよりも配列方向の外側に位置する。下部負荷膜５０Ｂの他方の側面は、上部負荷膜５０Ａの側面と重なる位置に設けられる。

　第８変形例において、下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２は例えば２．９８μｍである。下部負荷膜５０Ｂの重畳領域の幅Ｗ２ａは例えば２．６８μｍである。下部負荷膜５０Ｂの非重畳領域の幅Ｗ２ｂは例えば０．３μｍである。下部負荷膜５０Ｂの膜厚は４０ｎｍである。すなわち、下部負荷膜５０Ｂの膜厚は、上部負荷膜５０Ａの膜厚と異なる。

　図３２は、第３実施形態の第８変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３２は、周波数５５００ＭＨｚ近傍のアドミタンス特性を拡大して示している。また、図３２では、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅ及び比較例に係る弾性波装置のアドミタンス特性を併せて示している。

　図３２に示すように、第８変形例に係る弾性波装置１０Ｆでは、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ１、Ｗ２を異ならせることにより、比較例に比べて点線Ｅ３で示すリップルが抑制されることが示された。また、第８変形例に係る弾性波装置１０Ｆは、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅに比べて、点線Ｅ３で示す反共振周波数付近での、伝搬ロスが抑制されることが示された。

　なお、第８変形例に係る弾性波装置１０Ｆでは、下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２が上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１よりも長い構成について示したが、これに限定されない。上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１が下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２よりも長い構成であってもよい。

（第３実施形態の第９変形例）
　図３３は、第３実施形態の第９変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３３に示すように、第９変形例に係る弾性波装置１０Ｇにおいて、上部負荷膜５０Ａの膜厚は、下部負荷膜５０Ｂの膜厚と異なる。本変形例では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。

　本変形例では、上部負荷膜５０Ａの膜厚は、下部負荷膜５０Ｂの膜厚よりも薄い。上部負荷膜５０Ａの膜厚は、例えば１０ｎｍであり、下部負荷膜５０Ｂの膜厚は８０ｎｍである。上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１及び下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２は０．６μｍである。上部負荷膜５０Ａの重畳領域の幅Ｗ１ａ及び下部負荷膜５０Ｂの重畳領域の幅Ｗ２ａは例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの非重畳領域の幅Ｗ１ｂ及び下部負荷膜５０Ｂの非重畳領域の幅Ｗ２ｂは例えば０．３μｍである。

　図３４は、第３実施形態の第９変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３４に示すように、第９変形例に係る弾性波装置１０Ｇでは、上部負荷膜５０Ａの膜厚と下部負荷膜５０Ｂの膜厚とが異なる場合であっても、点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制され、伝搬ロスが抑制されている。

　また、本変形例では、上部負荷膜５０Ａの膜厚が下部負荷膜５０Ｂの膜厚よりも薄いので、共振周波数の調整を行うために第１保護膜４１の膜厚を変更した場合であっても、アドミタンス特性の変化を抑制できる。

　なお、第９変形例に係る弾性波装置１０Ｇでは、上部負荷膜５０Ａの膜厚が下部負荷膜５０Ｂの膜厚よりも薄い構成を示したが、これに限定されない。下部負荷膜５０Ｂの膜厚が上部負荷膜５０Ａの膜厚よりも薄くてもよい。

（第３実施形態の第１０変形例）
　図３５は、第３実施形態の第１０変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１０変形例に係る弾性波装置は、第３実施形態の弾性波装置１０Ｅ（図２７参照）に比べて、上部負荷膜５０Ａの材料が、下部負荷膜５０Ｂの材料と異なる。具体的には、上部負荷膜５０Ａの材料は酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用い、下部負荷膜５０Ｂの材料は炭素添加酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）を用いた。

　第１０変形例に係る弾性波装置において、その他の構成は、第３実施形態の弾性波装置１０Ｅ（図２７参照）と同様であり、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの、形状（幅、膜厚）、配置関係等は上述した第３実施形態と同様とした。

　図３５に示すように、第１０変形例に係る弾性波装置では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの材料が異なる場合であっても、点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制され、また、伝搬ロスが抑制されている。

　なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの材料の組み合わせはあくまで一例であり、適宜変更することができる。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの材料は、それぞれ、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミ、アルミナ、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる。

（第３実施形態の第１１変形例）
　図３６は、第３実施形態の第１１変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３６に示すように、第１１変形例に係る弾性波装置１０Ｈにおいて、第１保護膜４１の膜厚及び第２保護膜４２の膜厚は、圧電層２０の膜厚よりも薄い。具体的には、圧電層２０の膜厚は、例えば３６０ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚は、３０ｎｍである。第２保護膜４２の膜厚は、３０ｎｍである。

　上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１は例えば０．９８μｍである。上部負荷膜５０Ａの重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．６８μｍである。下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２は例えば０．９８μｍである。下部負荷膜５０Ｂの重畳領域の幅Ｗ２ａは例えば０．３μｍである。下部負荷膜５０Ｂの非重畳領域の幅Ｗ２ｂは例えば０．６８μｍである。

　上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの膜厚はそれぞれ７０ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚は、負荷膜５０の膜厚よりも薄く、かつ、ＩＤＴ電極３０の膜厚よりも薄い。

　第１１変形例では、第１保護膜４１は、電極指３１、３２の表面、側面及び圧電層２０の第１主面２０ａに倣って設けられる。第１保護膜４１の上面は、電極指３１、３２の形状を反映した凹凸が形成される。第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。

　上部負荷膜５０Ａは、第１電極指３１ａの上面、側面を覆うとともに、第１電極指３１ａよりも配列方向の外側で第１保護膜４１の上に設けられる。下部負荷膜５０Ｂは、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。

　図３７は、第３実施形態の第１１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３７に示すように、第１１変形例に係る弾性波装置１０Ｈでは、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。このように、負荷膜５０が圧電層２０の第１主面２０ａ側及び第２主面２０ｂ側の両方に設けられており、かつ、第１保護膜４１及び第２保護膜４２が薄い場合であっても、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

　なお、第１１変形例に係る弾性波装置１０Ｈでは、第１保護膜４１の膜厚及び第２保護膜４２の膜厚が、圧電層２０の膜厚よりも薄い構成を示したが、これに限定されない。第１保護膜４１の膜厚及び第２保護膜４２のいずれか一方の膜厚が、圧電層２０の膜厚より薄い構成であってもよい。

（第３実施形態の第１２変形例）
　図３８は、第３実施形態の第１２変形例に係る弾性波装置の、スプリアスの位相と、負荷膜のヤング率との関係を示す説明図である。図３９は、第３実施形態に係る弾性波装置のインピーダンス特性の一例を示す説明図である。図３９は、上述した第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅ（図２７参照）及び比較例に係る弾性波装置のインピーダンス特性を示している。図３８は、第１２変形例に係る弾性波装置について、図３９の点線Ｅ５で示すスプリアス領域のリップルの位相と、負荷膜のヤング率との関係を示している。

　第３実施形態の第１２変形例に係る弾性波装置は、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅ（図２７参照）に対して、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの材料のヤング率を異ならせた構成が異なる。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの幅、膜厚等の条件は、上述した第３実施形態と同様である。

　図３８に示すように、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂのヤング率が５０ＧＰａ以上３００ＧＰａ以下の範囲で、スプリアスの位相が小さくなり、リップルが抑制されることが示された。

　なお、第１２変形例では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの両方のヤング率を異ならせた構成について示したが、これに限定されない。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂの少なくとも一方のヤング率が５０ＧＰａ以上３００ＧＰａ以下の範囲であれば、スプリアスの位相を抑制できる。

　なお、第３実施形態及び第８変形例から第１２変形例に示した構成は、適宜組み合わせることができる。また、第３実施形態及び第８変形例から第１２変形例において、上述した第１変形例から第７変形例と適宜組み合わせることができる。例えば、第３実施形態及び第８変形例から第１２変形例において、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、配列方向の外側に位置する２本の電極指（第１電極指３１ａ及び電極指３２）又は３本の電極指と重なる領域に設けられていてもよい。

（第４実施形態）
　図４０は、第４実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態から第３実施形態では、負荷膜５０が第１保護膜４１の上、及び、第２保護膜４２の下面の少なくとも一方に設けられる構成について説明したが、これに限定されない。

　図４０に示すように、第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｉにおいて、負荷膜５０は圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。第１電極指３１ａは、負荷膜５０の一部を覆うとともに圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。すなわち、圧電層２０の第１主面２０ａと垂直な方向で、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａと、第１電極指３１ａとの間に設けられる。

　第１保護膜４１は、負荷膜５０及びＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。すなわち、本実施形態では、圧電層２０の第１主面２０ａの上に、第１電極指３１ａ、第１保護膜４１の順に積層される領域と、負荷膜５０、第１電極指３１ａ、第１保護膜４１の順に積層される領域と、負荷膜５０、第１保護膜４１の順に積層される領域と、を有する。第１保護膜４１の上面は、負荷膜５０及びＩＤＴ電極３０と重なる領域、及び、負荷膜５０及びＩＤＴ電極３０が設けられていない領域に亘って平坦に形成される。

　負荷膜５０は酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば０．６μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の膜厚は４５ｎｍである。また、上述した第１実施形態と同様に、第１保護膜４１の膜厚及び第２保護膜４２の膜厚は１４２ｎｍであり、ＩＤＴ電極３０の膜厚は１１２ｎｍである。

　図４１は、第４実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４１に示すように、第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｉでは、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。このように、負荷膜５０が圧電層２０の第１主面２０ａ上に設けられた構成であっても、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。また、本実施形態では、第１保護膜４１の上面が平坦に形成されているので、第１保護膜４１の膜厚を変更して共振周波数の調整を容易に行うことができる。

（第５実施形態）
　図４２は、第５実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図４２に示すように、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊにおいて、負荷膜５０は、最も外側に位置する第１電極指３１ａの上に設けられる。より具体的には、負荷膜５０は、第１電極指３１ａの上面、側面、及び、電極指３１、３２が設けられていない部分の圧電層２０の第１主面２０ａに亘って設けられる。負荷膜５０は、圧電層２０と第１電極指３１ａとで形成される段差に倣って設けられる。

　負荷膜５０は酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成されている。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば０．８９μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．５９μｍである。負荷膜５０の膜厚は３５ｎｍである。また、上述した第１実施形態と同様に、第１保護膜４１の膜厚及び第２保護膜４２の膜厚は１４２ｎｍであり、ＩＤＴ電極３０の膜厚は１１２ｎｍである。

　第１保護膜４１は、負荷膜５０及びＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。本実施形態では、負荷膜５０の上面は第１保護膜４１の上面と同一面内に設けられる。また、第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０が設けられ第１保護膜４１が設けられない部分と、第１保護膜４１が設けられ負荷膜５０が設けられない部分と、を有する。第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０の膜厚と、第１保護膜４１の膜厚と、は等しい。

　図４３は、第５実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４３に示すように、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊでは、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制されることが示された。このように、負荷膜５０が第１電極指３１ａの上に設けられ、かつ、負荷膜５０の上面が第１保護膜４１の上面と同一面内に設けらた構成であっても、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第５実施形態の第１３変形例）
　図４４は、第５実施形態の第１３変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１３変形例に係る弾性波装置は、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊに比べて、負荷膜５０が炭素添加酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）で形成されている構成が異なる。負荷膜５０の膜厚は４５ｎｍである。また、負荷膜５０の幅、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第５実施形態と同様である。

　図４４に示すように、第１３変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。第１３変形例に係る弾性波装置は、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第５実施形態の第１４変形例）
　図４５は、第５実施形態の第１４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１４変形例に係る弾性波装置は、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊに比べて、負荷膜５０が窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）で形成されている構成が異なる。また、負荷膜５０の膜厚は７５ｎｍである。また、負荷膜５０の幅、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第５実施形態と同様である。

　図４５に示すように、第１４変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１で示すリップルが抑制されることが示された。第１４変形例に係る弾性波装置は、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第５実施形態の第１５変形例）
　図４６は、第５実施形態の第１５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図４６に示すように、第１５変形例に係る弾性波装置１０Ｋは、上述した第５実施形態の弾性波装置１０Ｊに比べて、負荷膜５０が突出部５１ａを有する構成が異なる。突出部５１ａは、負荷膜５０の第１電極指３１ａと重なる重畳部分の上に設けられ、第１保護膜４１の上面よりも突出する。

　負荷膜５０及び突出部５１ａの材料は、上述した第５実施形態と同様に酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成されている。負荷膜５０の膜厚は３５ｎｍであり、突出部５１ａの膜厚（第１保護膜４１の上面からの突出量）は５ｎｍである。また、負荷膜５０の幅、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第５実施形態と同様である。

　図４７は、第５実施形態の第１５変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図４７に示すように、第１５変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制されることが示された。第１５変形例に係る弾性波装置は、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｊと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第５実施形態の第１６変形例）
　図４８は、第５実施形態の第１６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１６変形例に係る弾性波装置は、第１５変形例に係る弾性波装置１０Ｋに比べて、負荷膜５０が炭素添加酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）で形成されている構成が異なる。また、負荷膜５０の膜厚は６５ｎｍであり、突出部５１ａの膜厚（第１保護膜４１の上面からの突出量）は３５ｎｍである。また、負荷膜５０の幅、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１５変形例と同様である。

　図４８に示すように、第１６変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。第１６変形例に係る弾性波装置は、第１５変形例に係る弾性波装置１０Ｋと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第５実施形態の第１７変形例）
　図４９は、第５実施形態の第１７変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１７変形例に係る弾性波装置は、第１５変形例に係る弾性波装置１０Ｋに比べて、負荷膜５０が窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）で形成されている構成が異なる。また、負荷膜５０の膜厚は７５ｎｍであり、突出部５１ａの膜厚（第１保護膜４１の上面からの突出量）は４５ｎｍである。負荷膜５０の幅、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１５変形例と同様である。

　図４９に示すように、第１７変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制される。第１７変形例に係る弾性波装置は、第１５変形例に係る弾性波装置１０Ｋと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第６実施形態）
　図５０は、第６実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図５０に示すように、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２は、負荷膜５０を覆って圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２の下面は、負荷膜５０と重なる領域、及び、負荷膜５０と重ならない領域に亘って平坦に設けられる。また、本実施形態では、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側には設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。

　負荷膜５０は、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。第６実施形態において、負荷膜５０は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と異なる材料が用いられ、例えば酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。負荷膜５０の幅Ｗ２は例えば０．８μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ２ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ２ｂは例えば０．５μｍである。負荷膜５０の膜厚ｔ４は９５ｎｍである。

　図５１は、第６実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５１に示すように、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌでは、比較例に比べて、点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制される。このように、第６実施形態では、負荷膜５０が圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられた構成であっても、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第６実施形態の第１８変形例）
　図５２は、第６実施形態の第１８変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１８変形例に係る弾性波装置は、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌに比べて、負荷膜５０が炭素添加酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）で形成されている構成が異なる。また、負荷膜５０の膜厚、幅、第１保護膜４１、第２保護膜４２、ＩＤＴ電極３０等の構成は第６実施形態と同様である。

　図５２に示すように、第１８変形例に係る弾性波装置は、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌと同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制される。このように、第１８変形例では、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第６実施形態の第１９変形例）
　図５３は、第６実施形態の第１９変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１９変形例に係る弾性波装置は、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌに比べて、負荷膜５０が窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）で形成されている構成が異なる。また、負荷膜５０の膜厚は５５ｎｍである。負荷膜５０の幅、第１保護膜４１、第２保護膜４２、ＩＤＴ電極３０等の構成は第６実施形態と同様である。

　図５３に示すように、第１９変形例に係る弾性波装置は、比較例に係る弾性波装置に比べて、少なくとも点線Ｅ２で示すリップルが抑制される。第１９変形例においても、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌに比べて効果は小さいものの、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第６実施形態の第２０変形例）
　図５４は、第６実施形態の第２０変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図５４に示すように、第２０変形例に係る弾性波装置１０Ｍにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられる。より具体的には、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向し、かつ、第２主面２０ｂと離隔して設けられる。

　負荷膜５０は、第２保護膜４２の中に配置される。すなわち、第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂと負荷膜５０との間に設けられ、かつ、負荷膜５０の側面及び下面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。言い換えると、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂに垂直な方向で、圧電層２０の第２主面２０ｂよりも外側に設けられる。負荷膜５０は、第２保護膜４２の中に配置される構成に限定されず、第２保護膜４２の下面に設けられていてもよい。

　負荷膜５０は、第６実施形態と同様に、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。負荷膜５０の幅Ｗ２は例えば０．８μｍである。負荷膜５０の幅、膜厚、第１保護膜４１、第２保護膜４２、ＩＤＴ電極３０等の構成は第６実施形態と同様である。圧電層２０の第２主面２０ｂと垂直な方向で、負荷膜５０と、圧電層２０の第２主面２０ｂとの間隔は１０ｎｍである。

　図５５は、第６実施形態の第２０変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５５に示すように、第２０変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制される。このように、負荷膜５０が圧電層２０の第２主面２０ｂと離隔して配置された構成であっても、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｌと同様に、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

（第７実施形態）
　図５６は、第７実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図５６に示すように、第７実施形態に係る弾性波装置１０Ｎにおいて、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａよりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０と重ならない領域に設けられる。

　本実施形態の負荷膜５０は、第３実施形態（図２７参照）と同様に第１保護膜４１の上に設けられた上部負荷膜５０Ａと、第２保護膜４２の下面に設けられた下部負荷膜５０Ｂとを含む。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、いずれも第１電極指３１ａよりも配列方向の外側に設けられる。

　上部負荷膜５０Ａと下部負荷膜５０Ｂとは、重なる領域に設けられ、同じ形状を有する。上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１は下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２と等しく、いずれも０．６μｍである。上部負荷膜５０Ａの一方の側面と、第１電極指３１ａの幅方向の中点との距離Ｌ１は、０．４μｍである。下部負荷膜５０Ｂの一方の側面と、第１電極指３１ａの幅方向の中点との距離Ｌ２は、距離Ｌ１と等しく０．４μｍである。

　図５７は、第７実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図５７では、第７実施形態に係る弾性波装置１０Ｎのアドミタンス特性を、第３実施形態（図２７、２８参照）に係る弾性波装置１０Ｅのアドミタンス特性と比較して示す。

　図５７に示すように、第７実施形態に係る弾性波装置１０Ｎは、負荷膜５０がＩＤＴ電極３０よりも配列方向の外側に設けられている構成であっても、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｅと同様に、リップルが抑制され、また、伝搬ロスが抑制されることが示された。また、第７実施形態では、第３実施形態に比べて点線Ｅ６に示す高周波側で良好にリップルが抑制される。

　図５８は、第７実施形態に係る弾性波装置の、負荷膜と第１電極指との距離と、アドミタンスとの関係を示す説明図である。ここで、複数の電極指３１の配列方向で、最も外側に位置する第１電極指３１ａと負荷膜５１との距離を距離Ｌ１ａ（図５６参照）とする。図５８に示すグラフにおいて、横軸は、電極間ピッチｐに対する距離Ｌ１ａの比（Ｌ１ａ／ｐ）であり、縦軸は点線Ｅ２（図１４等参照）に示す周波数におけるアドミタンスの実部である。

　図５８に示すように、比Ｌ１ａ／ｐが小さいほど、すなわち、第１電極指３１ａと負荷膜５１との距離Ｌ１ａが小さいほどアドミタンスが小さくなる。Ｌ１ａ／ｐは０．９以下であることが好ましい。

　なお、本実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。例えば、負荷膜５０は、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂのいずれか一方のみ設けられていてもよい。あるいは、上部負荷膜５０Ａと下部負荷膜５０Ｂとは、異なる形状（幅、膜厚）を有していてもよい。あるいは、上部負荷膜５０Ａと下部負荷膜５０Ｂとは、複数の電極指３１、３２の配列方向での位置がずれて配置されていてもよい。

（第８実施形態）
　図５９は、第８実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。図５９に示すように第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｏにおいて、負荷膜５０は枠状に形成される。具体的には、負荷膜５０は、第１延在部５１と、第２延在部５２と、第３延在部５５と、第４延在部５６と、を含む。

　第１延在部５１は、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられ第１電極指３１ａの延在方向に沿って延在する。第２延在部５２は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、第１電極指３１ａの反対側で最も外側に位置する第２電極指３２ａと重なる領域に設けられ第２電極指３２ａの延在方向に沿って延在する。

　第３延在部５５は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の一端側に接続され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。また、第３延在部５５は、複数の電極指３１の延在方向の端部と重なって延在する。第４延在部５６は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の他端側に接続され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。また、第４延在部５６は、複数の電極指３２の延在方向の端部と重なって延在する。

　このように、第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｏでは、負荷膜５０は枠状に連続して形成される。これにより、音響反射面Ｒ（図１２参照）は、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６のそれぞれに沿って形成される。したがって、弾性波装置１０Ｏは、複数の電極指３１、３２の配列方向で弾性波の漏洩を抑制するとともに、複数の電極指３１、３２の延在方向で弾性波の漏洩を抑制することができる。

　第３延在部５５及び第４延在部５６は、第１実施形態（図１２参照）に示す第１延在部５１及び第２延在部５２と同層に設けられ、同じ材料、同じ膜厚で形成される。これにより、第３延在部５５及び第４延在部５６は、第１延在部５１及び第２延在部５２と同一工程で形成できるため、製造コストを低減できる。

　第８実施形態において負荷膜５０は、第１実施形態（図１２参照）と同様に第１保護膜４１の上に設けられる。ただし、これに限定されず、第８実施形態の負荷膜５０は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第８実施形態の第２１変形例）
　図６０は、第８実施形態の第２１変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。上述した第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｏでは、負荷膜５０が枠状に連続して形成される構成について説明したがこれに限定されない。

　図６０に示すように、第２１変形例に係る弾性波装置１０Ｐにおいて、第３延在部５５は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の一端側に配置され、第１延在部５１及び第２延在部５２とスリットＳＬを介して離隔して配置される。第４延在部５６は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の他端側に配置され、第１延在部５１及び第２延在部５２と接続される。

　第２１変形例では、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６は、少なくとも一部にスリットＳＬが設けられているので、第８実施形態に比べて負荷膜５０をリフトオフ法で形成する際に有利である。

　なお、負荷膜５０の構成は適宜変更できる。例えば、第３延在部５５が、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の一端側と接続され、第４延在部５６が第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の他端側とスリットＳＬを介して離隔して配置されてもよい。あるいは、第３延在部５５及び第４延在部５６の両方が、第１延在部５１及び第２延在部５２とスリットＳＬを介して離隔して配置されてもよい。

（第８実施形態の第２２変形例）
　図６１は、第８実施形態の第２２変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図６１に示すように、第２２変形例に係る弾性波装置１０Ｑにおいて、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に、枠状の下部負荷膜５０Ｂが設けられる。下部負荷膜５０Ｂの第１延在部５１Ｂ、第２延在部５２Ｂ、第３延在部５５Ｂ及び第４延在部５６Ｂの構成は、上述した第８実施形態と同様であり繰り返しの説明は省略する。ただし、下部負荷膜５０Ｂでは、第３延在部５５Ｂ及び第４延在部５６Ｂの幅（延在方向と直交する方向の長さ）は、第１延在部５１Ｂ及び第２延在部５２Ｂの幅（延在方向と直交する方向の長さ）よりも大きい。

　また第２２変形例に係る弾性波装置１０Ｑにおいて、圧電層２０の第１主面２０ａ側には、上述した第１実施形態の負荷膜５０と同様に第１延在部５１及び第２延在部５２（図１、２参照）を含む上部負荷膜５０Ａが設けられる。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、第１実施形態と同様に酸化ケイ素が用いられる。

　圧電層２０の第１主面２０ａ側に設けられた上部負荷膜５０Ａと、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられた下部負荷膜５０Ｂの構成を異ならせることで、圧電層２０のメンブレン形状が、第１主面２０ａ側に凸形状となる。これにより、圧電層２０のスティッキングを抑制することができる。

（第９実施形態）
　図６２は、第９実施形態に係る弾性波装置を示す回路図である。図６２に示すように第９実施形態に係る弾性波装置１０Ｒは、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７と、を含む。複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路に直列に接続される。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路と、グランド６８との間に並列に接続される。第９実施形態に係る弾性波装置１０Ｒは、いわゆるラダー型フィルタとなっている。

　直列接続された複数の直列腕共振子６１、６２、６３の一方の端子は、入力端子６０Ａに電気的に接続され、他方の端子が出力端子６０Ｂに電気的に接続される。並列腕共振子６４の一方の端子は、入力端子６０Ａと電気的に接続され、他方の端子はグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６５の一方の端子は、直列腕共振子６１と直列腕共振子６２との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６６の一方の端子は、直列腕共振子６２と直列腕共振子６３との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６７の一方の端子は、出力端子６０Ｂに電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。

　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、異なる構成の負荷膜５０を採用している。例えば、複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、第１実施形態（図１２、１３参照）に示す負荷膜５０を有する。複数の直列腕共振子６１、６２、６３のアドミタンス特性は、図１３と同様であり、繰り返しの説明は省略する。

　一方、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、第４変形例（図１７、１８参照）に示す負荷膜５０を有する。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７のアドミタンス特性は、図１７と同様であり、繰り返しの説明は省略する。

　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、負荷膜５０の構成を変えることにより、フィルタとしてよりよい出力波形を得ることができる。

　第９実施形態に係る弾性波装置１０Ｒでは、第１実施形態及び第４変形例に示す負荷膜５０と組み合わせる例を示したが、これに限定されない。第９実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第２３変形例）
　図６３は、第２３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、支持基板１１がキャビティ部１４を有し、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造について説明したが、これに限定されない。

　図６３に示すように、第２３変形例に係る弾性波装置１０Ｓでは、圧電層２０の第２主面２０ｂに音響多層膜４３が積層されている。音響多層膜４３は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄとの積層構造を有する。低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅは、例えばＳｉＯ_２の層であり、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、例えばＷ、Ｐｔ等の金属層又はＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４等の誘電体層である。音響多層膜４３を用いた場合、キャビティ部１４を用いずとも、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２０内に閉じ込めることができる。

　弾性波装置１０Ｓにおいても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑り１次モードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜４３においては、その低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの積層数は特に限定されない。少なくとも１層の高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄが、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅよりも圧電層２０から遠い側に配置されていればよい。

　上記低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅの材料としては、酸化ケイ素又は、酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素又は、金属などを挙げることができる。

　図６３では、第１実施形態に示す負荷膜５０が設けられた例を示したが、これに限定されない。第２３変形例は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第２４変形例）
　図６４は、第２４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、ＩＤＴ電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる構成について説明したがこれに限定されない。図６４に示すように、第２４変形例に係る弾性波装置１０Ｔは、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられた第１ＩＤＴ電極３０Ａと、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられた第２ＩＤＴ電極３０Ｂと、を有する。第１ＩＤＴ電極３０Ａ及び第２ＩＤＴ電極３０Ｂは、ＩＤＴ電極３０（図１、２参照）と同様の構成を有する。

　第２ＩＤＴ電極３０Ｂの電極指３６、３７は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの電極指３１、３２と重なる領域に設けられる。第２ＩＤＴ電極３０Ｂの電極指３６、３７は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの電極指３１、３２と同じ幅、同じ電極間ピッチを有して設けられる。また、負荷膜５０は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの第１電極指３１ａ及び第２ＩＤＴ電極３０Ｂの第１電極指３６ａと重なる領域に設けられる。

　第２４変形例では、圧電層２０の第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂにそれぞれ第１ＩＤＴ電極３０Ａ及び第２ＩＤＴ電極３０Ｂが設けられるので、周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を改善することができる。

　図６４では、第１実施形態に示す負荷膜５０が設けられた例を示したが、これに限定されない。第２４変形例は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第２５変形例）
　図６５は、第２５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図６５に示すように、第２５変形例に係る弾性波装置１０Ｕにおいて、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの電極幅は、配列方向で中央部に位置する電極指３１、３２の電極幅よりも小さい。かつ、配列方向で最も外側の電極間ピッチＰ２は、電極間ピッチＰ２よりも中央部の電極間ピッチＰ１よりも小さい。ここで、電極間ピッチＰ２は、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと、これに隣接する電極指３２との間の電極間距離である。電極間ピッチＰ１は、第１電極指３１ａ及びこれに隣接する電極指３２よりも配列方向で中央部に位置する複数の電極指３１、３２の電極間距離である。

　具体的には、例えば、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの電極幅は０．３μｍであり、中央部に位置する他の複数の電極指３１、３２の電極幅は０．６μｍである。また、配列方向で最も外側の電極間ピッチＰ２は２．２３μｍであり、電極間ピッチＰ２よりも中央部での電極間ピッチＰ１は２．３８μｍである。

　負荷膜５０は、第１電極指３１ａと重ならない領域に設けられる。すなわち、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａよりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０と重ならない領域に設けられる。負荷膜５０の幅Ｗ１は０．６μｍである。また、負荷膜５０の膜厚は９０ｎｍである。

　図６６は、第２５変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図６６に示すように、第２５変形例に係る弾性波装置１０Ｕは、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制される。このように、第１電極指３１ａの電極幅が他の電極指３１、３２の電極幅よりも小さく、電極間ピッチＰ２が電極間ピッチＰ１よりも小さい構成であっても、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。また、第２５変形例に係る弾性波装置１０Ｕは、上述した各実施形態及び各変形例に比べて、４７００ＭＨｚから５５００ＭＨｚまでの広い周波数範囲で、効果的に伝搬ロスが抑制される。

　なお、図６５に示す第２５変形例では、１つの第１電極指３１ａの電極幅が、他の電極指３１、３２の電極幅よりも小さい構成を示したが、これに限定されない。複数の電極指３１、３２の配列方向で、最も外側に位置する複数の電極指３１、３２の電極幅が、中央部に位置する他の電極指３１、３２の電極幅よりも小さい構成であってもよい。同様に、複数の電極指３１、３２の配列方向で、最も外側に位置する３本以上の電極指３１、３２の電極間ピッチＰが、中央部に位置する他の電極指３１、３２の電極間ピッチＰよりも小さい構成であってもよい。

　図６５に示す第２５変形例では、負荷膜５０が第１電極指３１ａと重ならない領域に設けられる構成を示したが、これに限定されない。第２５変形例において、負荷膜５０は第１電極指３１ａと重なる領域に設けられてもよい。負荷膜５０は第１保護膜４１の上に設けられているが、これに限定されない。第２５変形例では、上述した各実施形態及び各変形例と組み合わせることができる。

（第２６変形例）
　図６７は、第２６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図６７に示すように、第２６変形例に係る弾性波装置１０Ｖにおいて、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの電極幅Ｗ４は、配列方向で中央部に位置する電極指３１、３２の電極幅よりも大きい。かつ、配列方向で最も外側の電極間ピッチＰ２は、電極間ピッチＰ２よりも中央部の電極間ピッチＰ１よりも大きい。

　具体的には、例えば、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの電極幅は１．０μｍであり、中央部に位置する他の複数の電極指３１、３２の電極幅は０．６μｍである。また、配列方向で最も外側の電極間ピッチＰ２は２．５８μｍであり、電極間ピッチＰ２よりも中央部での電極間ピッチＰ１は２．３８μｍである。

　第２６変形例では、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられる。負荷膜５０の幅Ｗ１は０．８μｍである。また、負荷膜５０の膜厚は１５ｎｍである。負荷膜５０の一方の側面は、第１電極指３１ａの幅方向の中央よりも、隣接する電極指３２側にずれた位置に配置される。負荷膜５０の第１電極指３１ａとの重畳領域の幅は例えば０．７μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅は例えば０．１μｍである。

　図６８は、第２６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図６８に示すように、第２６変形例に係る弾性波装置１０Ｖは、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制される。このように、第１電極指３１ａの電極幅が他の電極指３１、３２の電極幅よりも大きく、電極間ピッチＰ２が電極間ピッチＰ１よりも大きい構成であっても、リップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

　なお、図６７に示す第２６変形例では、１つの第１電極指３１ａの電極幅が、他の電極指３１、３２の電極幅よりも大きい構成を示したが、これに限定されない。複数の電極指３１、３２の配列方向で、最も外側に位置する複数の電極指３１、３２の電極幅が、中央部に位置する他の電極指３１、３２の電極幅よりも大きい構成であってもよい。同様に、複数の電極指３１、３２の配列方向で、最も外側に位置する３本以上の電極指３１、３２の電極間ピッチＰが、中央部に位置する他の電極指３１、３２の電極間ピッチＰよりも大きい構成であってもよい。

　図６７に示す第２６変形例では、負荷膜５０が第１電極指３１ａと重なる領域に設けられる構成を示したが、これに限定されない。また、負荷膜５０は第１保護膜４１の上に設けられているが、これに限定されない。第２６変形例では、上述した各実施形態及び各変形例と組み合わせることができる。

（第２７変形例）
　図６９は、第２７変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図７０は、高次モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。図６９に示す第２７変形例に係る弾性波装置は、上述した第１実施形態に係る弾性波装置１０において、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた構成について説明する。

　図６９は、第２７変形例に係る弾性波装置の、アドミタンスの絶対値の周波数特性を示している。図６９に示すように、第２７変形例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる一点鎖線Ｆ１に示す周波数領域で、高次モードの共振が生じている（以下、Ｓ２モードと表す）。

　図７０に示すグラフの横軸は、第１保護膜４１の膜厚ｔ１と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ１＋ｔＬＮ／２）と、第２保護膜４２の膜厚ｔ２と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ２＋ｔＬＮ／２）と、の比（（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２））を示す。図７０に示すグラフの縦軸は、Ｓ２モードの強度に対応する。

　図７０において、矢印Ｆ２、Ｆ３で示す範囲は、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置の構成における、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）を示す。特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が、０．９３以下、かつ、１．０７以上であり、Ｓ２モードの強度が大きい。

　これに対し、第２７変形例では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が０．９４以上１．０６以下の範囲であり、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置に比べてＳ２モードの強度が小さくなる。言い換えると、第２７変形例では、圧電層２０の膜厚中央から第１保護膜４１の天面までの距離の合計をＡとし、圧電層２０の膜厚中央から第２保護膜４２の天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となることが好ましい。

　なお、第２７変形例では、第１実施形態に係る弾性波装置１０において第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた場合について説明したが、これに限定されない。第２７変形例における第１保護膜４１の膜厚ｔ１、圧電層２０の膜厚ｔＬＮ及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２の関係は、上述した各実施形態及び各変形例と組み合わせることができる。

（第２８変形例）
　図７１は、第２８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図７２は、第２８変形例に係る弾性波装置の、負荷膜の移動量とアドミタンスとの関係を示す説明図である。図７１に示すように、第２８変形例に係る弾性波装置１０Ｗでは、負荷膜５０の一方の側面の位置が、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの、幅方向の中点３０Ｃからずれて配置された場合について説明する。

　第２８変形例では、複数の電極指３１、３２の配列方向で、負荷膜５０の一方の側面と、第１電極指３１ａの幅方向の中点３０Ｃとの距離を、「負荷膜５０の移動量Ｇ」と表す。負荷膜５０の一方の側面が、第１電極指３１ａの幅方向の中点３０Ｃに対して、複数の電極指３１、３２の配列方向で内側に位置する場合を、移動量＋Ｇと表す。負荷膜５０の一方の側面が、第１電極指３１ａの幅方向の中点３０Ｃに対して、複数の電極指３１、３２の配列方向で外側に位置する場合を、移動量－Ｇと表す。なお、図７１では、負荷膜５０の一方の側面が、第１電極指３１ａの幅方向の中点３０Ｃと重なって配置されており、この場合、負荷膜５０の移動量Ｇは、Ｇ＝０である。

　なお、以下の説明では、第１電極指３１ａに重なる負荷膜５０について説明するが、第１電極指３１ａと反対側に位置する第２電極指３２ａと重なって配置された負荷膜５０においても、同様に負荷膜５０の一方の側面と、第２電極指３２ａの幅方向の中点３０Ｃとの距離を、負荷膜５０の移動量Ｇと表す。第１電極指３１ａ、及び、第１電極指３１ａに重なる負荷膜５０についての説明は、第２電極指３２ａ、及び、第２電極指３２ａと重なる負荷膜５０にも適用できる。

　図７２に示すグラフの横軸は、負荷膜５０の移動量Ｇと、隣り合う電極指３１、３２同士の中心間距離ｐとの比Ｇ／ｐである。縦軸は、周波数５２５０ＭＨｚにおけるアドミタンスの実部を示す。

　図７２に示すように、比Ｇ／ｐが０においてアドミタンスは最小値を示し、比Ｇ／ｐが＋方向に大きくなる、あるいは、－方向に小さくなると、アドミタンスが増大する。言い換えると、負荷膜５０の一方の側面の位置が、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの、幅方向の中点３０Ｃと重なって配置された場合にアドミタンスは最小値を示す。また、負荷膜５０の一方の側面の位置が、第１電極指３１ａの幅方向の中点３０Ｃからずれて配置されるとアドミタンスが増大することが示された。

　より詳細には、＋Ｇ側では、比Ｇ／ｐが＋０以上＋０．２以下の範囲でアドミタンスが増大し、比Ｇ／ｐが＋０．２以上＋０．３以下の範囲でアドミタンスは最大となる。－Ｇ側では、比Ｇ／ｐが－０以下－０．７以下の範囲でアドミタンスが増大し、比Ｇ／ｐが－０．７近傍でアドミタンスは最大となる。以上のように、第２８変形例では、負荷膜５０の移動量Ｇと、隣り合う電極指３１、３２同士の中心間距離ｐとの比Ｇ／ｐは、－０．２≦Ｇ／ｐ≦＋０．２を満たす。

（第２９変形例）
　図７３は、第２９変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７４は、第２９変形例に係る弾性波装置の、インピーダンス特性の一例を示す説明図である。図７５は、図７４の点線Ｈ１を拡大して示す説明図である。

　図７３に示すように、第２９変形例に係る弾性波装置１０ＡＡは、上述した各実施形態及び各変形例に比べて、負荷膜５０のＸ方向（配列方向）での幅が、Ｙ方向（列方向と直交する方向）に沿って異なる構成が異なる。具体的には、負荷膜５０のＸ方向での幅は、Ｙ方向の一方からＹ方向の他方に向かうにしたがって、連続的に大きくなる。負荷膜５０の、バスバー電極３３側の端部におけるＸ方向での幅は、バスバー電極３４側の端部におけるＸ方向での幅よりも大きい。ただし、図７３はあくまで一例であり、負荷膜５０の形状は適宜変更できる。たとえば、負荷膜５０の延在方向の少なくとも一部において、Ｘ方向での幅が、他の部分のＸ方向での幅と異なっていてもよい。

　第２９変形例に係る圧電層２０の膜厚は、例えば１８０ｎｍ程度である。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素からなる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれ１４２ｎｍである。ＩＤＴ電極３０の電極構成は、圧電層２０側からＴｉ／ＡｌＣｕ／Ｔｉ／ＡｌＣｕの積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍとした。また、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、電極指３２の合計は１０１本とした。電極指３１、３２の電極間ピッチは、２．３８μｍであり、電極幅はそれぞれ０．６μｍである。交差領域Ｃでの電極指３１、電極指３２の延在方向での長さは、例えば４０μｍである。

　負荷膜５０の材料は酸化ケイ素とし、負荷膜５０の膜厚は５５ｎｍとした。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば０．８μｍである。負荷膜５０の第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａとの重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．３μｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１は、Ｙ方向に沿って０．４μｍ変化させた。

　図７４及び図７５に示すように、第２９変形例に係る弾性波装置１０ＡＡは、共振周波数よりも低域側でのスプリアスを抑制できる。すなわち、第２９変形例では、負荷膜５０の幅が一定に形成された比較例に比べてスプリアスが高周波側にシフトする。

（第３０変形例）
　図７６は、第３０変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７６に示すように、第３０変形例に係る弾性波装置１０ＡＢは、上述した各実施形態及び各変形例に比べて、負荷膜５０の延在方向が、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａの延在方向（Ｙ方向）に対して傾斜して設けられる構成が異なる。

　より詳細には、負荷膜５０のＸ方向での幅は、負荷膜５０の延在方向に沿って一定である。また、負荷膜５０の第１延在部５１及び第２延在部５２は、平行となるように、負荷膜５０の第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａとの重畳領域の幅Ｗ１ａは、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａの延在方向（Ｙ方向）に対して同じ側に傾斜する。

　負荷膜５０（第１延在部５１）の、バスバー電極３３側の端部における第１電極指３１ａとの重畳領域の幅Ｗ１ａは、バスバー電極３４側の端部における第１電極指３１ａとの重畳領域の幅Ｗ１ａよりも小さい。負荷膜５０（第２延在部５２）の、バスバー電極３３側の端部における第２電極指３２ａとの重畳領域の幅Ｗ１ａは、バスバー電極３４側の端部における第２電極指３２ａとの重畳領域の幅Ｗ１ａよりも大きい。

（第３１変形例）
　図７７は、第３１変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７７に示すように、第３１変形例に係る弾性波装置１０ＡＣは、上述した各実施形態及び各変形例に比べて、複数の負荷膜５０が、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａの延在方向（Ｙ方向）に沿って、離隔して配列される構成が異なる。１つの第１電極指３１ａに重なって、４個の負荷膜５０が配列される。また、１つの第２電極指３２ａに重なって、４個の負荷膜５０が配列される。ただし、１つの第１電極指３１ａに重なって配置される負荷膜５０は、３個以下又は５個以上であってもよい。また、１つの第２電極指３２ａに重なって配置される負荷膜５０は、３個以下又は５個以上であってもよい。

（第３２変形例）
　図７８は、第３２変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図７８に示すように、第３２変形例に係る弾性波装置１０ＡＤは、上述した各実施形態及び各変形例に比べて、圧電層２０の第１主面２０ａ側に設けられた負荷膜５０（第１延在部５１、第２延在部５２）の形状と、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられた負荷膜５０（第１下部延在部５４Ａ、第２下部延在部５４Ｂ）の形状とが異なる。

　圧電層２０の第１主面２０ａ側に設けられた負荷膜５０（第１延在部５１、第２延在部５２）は、Ｙ方向の一方から他方に向かうにしたがってＸ方向での幅が大きくなる。圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられた負荷膜５０（第１下部延在部５４Ａ、第２下部延在部５４Ｂ）は、Ｙ方向の一方から他方に向かうにしたがってＸ方向での幅が小さくなる。

　なお、図７８に示す、圧電層２０の第１主面２０ａ側に設けられた負荷膜５０（第１延在部５１、第２延在部５２）の形状、及び、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられた負荷膜５０（第１下部延在部５４Ａ、第２下部延在部５４Ｂ）の形状は、あくまで一例であり、どのような形状であってもよい。

（第３３変形例）
　図７９は、第３３変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８０は、図７９のＬＸＸＸ－ＬＸＸＸ’断面図である。図７９及び図８０に示すように、第３３変形例に係る弾性波装置１０ＡＥは、上述した各実施形態及び各変形例に比べて、第１電極指３１ａに重なる負荷膜５０が、第１負荷膜５７Ａと、第１負荷膜５７Ａの一部に重なる第２負荷膜５７Ｂとを有し、第２電極指３２ａに重なる負荷膜５０が、第１負荷膜５８Ａと、第１負荷膜５８Ａの一部に重なる第２負荷膜５８Ｂとを有する構成が異なる。これにより、負荷膜５０の音響反射面が階段状に形成される。

　図８０に示すように、負荷膜５０の第１負荷膜５７Ａは、第１電極指３１ａに対して、複数の電極指３１、３２の配列方向の外側にずれた位置に設けられる。第１負荷膜５７Ａの一方の側面は、第１電極指３１ａの幅方向の中央部に配置され、第１負荷膜５７Ａの他方の側面は、第１電極指３１ａよりも配列方向の外側に位置する。すなわち、第１負荷膜５７Ａは、第１電極指３１ａと重畳する重畳領域と、第１電極指３１ａと重畳しない非重畳領域と、を含む。

　第２負荷膜５７Ｂは、第１負荷膜５７Ａの一方の側面を覆って設けられる。第２負荷膜５７Ｂは、第１負荷膜５７Ａと重畳する部分と、第１負荷膜５７Ａと重畳しないで第１電極指３１ａと重畳する部分と、を含む。

（第３４変形例）
　図８１は、第３４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図８２は、図８１の一部を拡大して示す断面図である。図８３は、第３４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図８１及び図８２に示すように、第３４変形例に係る弾性波装置１０ＡＦは、上述した第２３変形例（図６３参照）に比べて、ＩＤＴ電極３０は高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄ又は低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅに埋め込まれるように圧電層２０上に形成される構成が異なる。また、第３４変形例に係る弾性波装置１０ＡＦにおいて、負荷膜５０の材料はＩＤＴ電極３０を埋め込んでいる層と異なる。

　より具体的には、ＩＤＴ電極３０及び負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられ、低音響インピーダンス層４３ａは、ＩＤＴ電極３０及び負荷膜５０を覆って設けられる。

　第３４変形例において、第１保護膜４１は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成され、第１保護膜４１の膜厚は、３３ｎｍである。

　圧電層２０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）を含み、１２０°±１０°回転Ｙカットである。圧電層２０の膜厚は、例えば３００ｎｍ程度である。

　ＩＤＴ電極３０は、Ａｌで形成され、ＩＤＴ電極３０の膜厚は９２ｎｍとした。また、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、電極指３２の合計は４３本とした。ＩＤＴ電極３０の電極指３１、３２の電極間ピッチは、３μｍであり、電極幅はそれぞれ０．９μｍである。

　音響多層膜４３は、圧電層２０の第２主面２０ｂから、ＳｉＯ_２（２００ｎｍ）／Ｔａ_２Ｏ_５（１２２ｎｍ）／ＳｉＯ_２（１８８ｎｍ）／Ｔａ_２Ｏ_５（１２２ｎｍ）／ＳｉＯ_２（１８８ｎｍ）／Ｔａ_２Ｏ_５（１２２ｎｍ）／ＳｉＯ_２（１８８ｎｍ）の順に積層されている。

　支持基板１１は、シリコン（Ｓｉ（１００））により形成されている。

　負荷膜５０の材料はＴａ_２Ｏ_５とし、負荷膜５０の膜厚ｔは８０ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば８００ｎｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば４５０ｎｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば３５０ｎｍである。

　図８３に示すように、第３４変形例に係る弾性波装置１０ＡＦは、負荷膜５０を有さない比較例に比べて、点線Ｉ１、Ｉ２で示す周波数領域でロスが抑制されることが示された。

（第３５変形例）
　図８４は、第３５変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第３５変形例は、上述した第３４変形例に比べて、負荷膜５０の材料がＳｉ_３Ｎ_４である構成が異なる。また、負荷膜５０の膜厚ｔは１００ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば１０００ｎｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば４５０ｎｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば５５０ｎｍである。

　図８４に示すように、第３５変形例に係る弾性波装置は、負荷膜５０を有さない比較例に比べて、点線Ｊ１、Ｊ２で示す周波数領域でロスが抑制されることが示された。

（第３６変形例）
　図８５は、第３６変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８５に示すように、第３６変形例に係る弾性波装置１０ＡＧは、図５９に示す第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｏに比べて、負荷膜５０の第１延在部５１と、第２延在部５２と、第３延在部５５と、第４延在部５６と、がスリットＳＬを介して離隔して配置される構成が異なる。

　具体的には、第１延在部５１は、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられ第１電極指３１ａの延在方向に沿って延在する。第１延在部５１は、第３延在部５５及び第４延在部５６の延在方向の一端側に配置され、第３延在部５５及び第４延在部５６とスリットＳＬを介して離隔して配置される。

　また、第１延在部５１の延在方向（Ｙ方向）の一端側は、バスバー電極３４と重なる領域まで延びている。第１延在部５１の延在方向（Ｙ方向）の他端側は、バスバー電極３３と重なる領域まで延びている。

　第２延在部５２は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、第１電極指３１ａの反対側で最も外側に位置する第２電極指３２ａと重なる領域に設けられ第２電極指３２ａの延在方向に沿って延在する。第２延在部５２は、第３延在部５５及び第４延在部５６の延在方向の他端側に配置され、第３延在部５５及び第４延在部５６とスリットＳＬを介して離隔して配置される。

　また、第２延在部５２の延在方向（Ｙ方向）の一端側は、バスバー電極３４と重なる領域まで延びている。第２延在部５２の延在方向（Ｙ方向）の他端側は、バスバー電極３３と重なる領域まで延びている。

　第３延在部５５は、Ｘ方向で、第１延在部５１と第２延在部５２との間に配置され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。また、第３延在部５５は、複数の電極指３１の延在方向の端部と重なって延在する。

　第４延在部５６は、Ｘ方向で、第１延在部５１と第２延在部５２との間に配置され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。また、第４延在部５６は、複数の電極指３２の延在方向の端部と重なって延在する。

（第３７変形例）
　図８６は、第３７変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８６に示すように、第３７変形例に係る弾性波装置１０ＡＨは、図５９に示す第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｏに比べて、負荷膜５０の第３延在部５５のＸ方向の中央部にスリットＳＬが設けられ、第４延在部５６のＸ方向の中央部にスリットＳＬが設けられる構成が異なる。

　第３延在部５５は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の一端側に接続され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。第３延在部５５は、複数の電極指３１の延在方向の端部と重なって延在する。また、第３延在部５５は、スリットＳＬにより２つの部分に分割される。

　第４延在部５６は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の他端側に接続され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。第４延在部５６は、複数の電極指３２の延在方向の端部と重なって延在する。また、第４延在部５６は、スリットＳＬにより２つの部分に分割される。

　なお、スリットＳＬの位置は、第３延在部５５のＸ方向の中央部及び第４延在部５６のＸ方向の中央部に限定されず、他の異なる位置であってもよい。スリットＳＬは第３延在部５５に２つ以上設けられていてもよく、第３延在部５５は、スリットＳＬにより３つ以上の部分に分割されてもよい。また、スリットＳＬは第４延在部５６に２つ以上設けられていてもよく、第４延在部５６は、スリットＳＬにより３つ以上の部分に分割されてもよい。

（第３８変形例）
　図８７は、第３８変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８７に示すように、第３８変形例に係る弾性波装置１０ＡＩは、図５９に示す第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｏに比べて、負荷膜５０の第１延在部５１のＹ方向の中央部にスリットＳＬが設けられ、第２延在部５２のＹ方向の中央部にスリットＳＬが設けられる構成が異なる。

　第１延在部５１は、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられ第１電極指３１ａの延在方向に沿って延在する。第１延在部５１は、第３延在部５５及び第４延在部５６の延在方向の一端側に接続される。また、第１延在部５１は、スリットＳＬにより２つの部分に分割される。

　第２延在部５２は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、第１電極指３１ａの反対側で最も外側に位置する第２電極指３２ａと重なる領域に設けられ第２電極指３２ａの延在方向に沿って延在する。第２延在部５２は、第３延在部５５及び第４延在部５６の延在方向の他端側に接続される。また、第２延在部５２は、スリットＳＬにより２つの部分に分割される。

　なお、スリットＳＬの位置は、第１延在部５１のＹ方向の中央部及び第２延在部５２のＹ方向の中央部に限定されず、他の異なる位置であってもよい。スリットＳＬは第１延在部５１に２つ以上設けられていてもよく、第１延在部５１は、スリットＳＬにより３つ以上の部分に分割されてもよい。また、スリットＳＬは第２延在部５２に２つ以上設けられていてもよく、第２延在部５２は、スリットＳＬにより３つ以上の部分に分割されてもよい。

（第３９変形例）
　図８８は、第３９変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。図８８に示すように、第３９変形例に係る弾性波装置１０ＡＪは、図１に示す第１実施形態に係る弾性波装置１０に比べて、負荷膜５０がバスバー電極３３、３４と重なる位置まで延在して設けられる構成が異なる。

　負荷膜５０の第１延在部５１の延在方向（Ｙ方向）の一端は、バスバー電極３４のＹ方向の端部（電極指３２と反対側の端部）と重なる。第１延在部５１の延在方向（Ｙ方向）の他端は、バスバー電極３３のＹ方向の端部（電極指３１と反対側の端部）と重なる。

　負荷膜５０の第２延在部５２の延在方向（Ｙ方向）の一端は、バスバー電極３４のＹ方向の端部（電極指３２と反対側の端部）と重なる。第２延在部５２の延在方向（Ｙ方向）の他端は、バスバー電極３３のＹ方向の端部（電極指３１と反対側の端部）と重なる。

　このような構成により、第３９変形例に係る弾性波装置１０ＡＪは、複数の電極指３１、３２の配列方向で弾性波の漏洩を良好に抑制できる。なお、負荷膜５０の延在方向の端部は、バスバー電極３３、３４の端部と一致しているが、これに限定されず、負荷膜５０の延在方向の長さは適宜変更することができる。

　上述した各実施形態及び各変形例で示した負荷膜５０の材料はあくまで一例であり適宜変更することができる。負荷膜５０は、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミ、アルミナ、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つから形成される。負荷膜５０は、単層膜に限定されず積層膜であってもよい。負荷膜５０は、上記材料のうち２以上を組み合わせてもよい。

　なお、上記した実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。

　なお、本開示は、下記の構成をとることもできる。

（１）第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
　前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指の配列方向における少なくとも一方の端部と前記第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、
　前記端部は前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指を含み、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
　弾性波装置。
（２）前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
　（１）に記載の弾性波装置。
（３）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の上に設けられる
　（２）に記載の弾性波装置。
（４）前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される
　（３）に記載の弾性波装置。
（５）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられる
　（２）に記載の弾性波装置。
（６）前記圧電層の前記第１方向で、前記負荷膜は、前記圧電層の前記第１主面と、前記第１電極指との間に設けられる
　（１）に記載の弾性波装置。
（７）前記負荷膜は、前記第１電極指、及び、前記第１電極指と隣接する電極指と重なる領域に設けられる
　（１）から（６）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（８）前記負荷膜と重なる、前記第１電極指、前記第１電極指と隣接する電極指、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２電極指、及び、前記第２電極指と隣接する電極指の数は６本以下である
　（１）から（７）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（９）前記負荷膜は、前記第１電極指と重なる領域に設けられた第１延在部と、前記第１延在部よりも前記配列方向の外側であって、前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた外側負荷膜と、を有する
　（１）から（８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１０）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上に設けられた上部負荷膜、及び、前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられた下部負荷膜を含む
　（２）に記載の弾性波装置。
（１１）前記上部負荷膜の幅は、前記下部負荷膜の幅と異なる
　（１０）に記載の弾性波装置。
（１２）前記上部負荷膜の膜厚は、前記下部負荷膜の膜厚よりも薄い
　（１０）又は（１１）に記載の弾性波装置。
（１３）前記上部負荷膜の材料は、前記下部負荷膜の材料と異なる
　（１０）から（１２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１４）前記保護膜の膜厚は、前記圧電層の膜厚よりも薄い
　（２）から（５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１５）前記上部負荷膜及び前記下部負荷膜の少なくとも一方のヤング率は５０ＧＰａ以上である
　（１０）から（１３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１６）前記負荷膜は、前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指の上に設けられる
　（２）に記載の弾性波装置。
（１７）前記保護膜は、前記負荷膜及び前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域で、前記負荷膜が設けられ前記第１保護膜が設けられない部分と、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、を有する
　（１６）に記載の弾性波装置。
（１８）前記保護膜は、前記負荷膜及び前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上面よりも突出する突出部を有する
　（１６）又は（１７）に記載の弾性波装置。
（１９）前記保護膜は、前記負荷膜及び前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜の上面は前記第１保護膜の上面と同一面内に設けられる
　（１６）又は（１７）に記載の弾性波装置。
（２０）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面に設けられ、
　前記第２保護膜は、前記負荷膜を覆う
　（２）に記載の弾性波装置。
（２１）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面と対向し、かつ、前記第２主面と離隔して設けられ、
　前記第２保護膜は前記圧電層の前記第２主面と前記負荷膜との間に設けられるとともに、前記負荷膜の前記圧電層と反対側の面を覆う
　（２）に記載の弾性波装置。
（２２）前記負荷膜は、前記第１方向で、前記圧電層の前記第２主面よりも外側に設けられる
　（１）に記載の弾性波装置。
（２３）前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる
　（１）から（２２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２４）少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が（１）に記載の弾性波装置である
　弾性波フィルタ装置。
（２５）入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜は、前記並列腕共振子の前記負荷膜と異なる構成を有する
　（２４）に記載の弾性波フィルタ装置。
（２６）前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域に設けられ前記第１電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２電極指と重なる領域に設けられ前記第２電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に接続され、前記配列方向に延在し、
　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に接続され、前記配列方向に延在する
　（１）から（２３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２７）前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域に設けられ前記第１電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２電極指と重なる領域に設けられ前記第２電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に配置され、前記配列方向に延在し、
　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に配置され、前記配列方向に延在し、
　前記第３延在部及び前記第４延在部の少なくとも一方は、前記第１延在部及び前記第２延在部と離隔して配置される
　（１）から（２３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２８）第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向する支持部材と、
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜と、
　前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指よりも前記配列方向の外側であって、前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた負荷膜と、を有し、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であり、
　前記複数の電極指の配列方向での、前記第１電極指と前記負荷膜との距離をＬとしたときに、Ｌ／ｐは０．９以下である
　弾性波装置。
（２９）前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が高い材料で形成される
　（２）から（５）及び（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３０）前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が低い材料で形成される
　（２）から（５）及び（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３１）前記負荷膜は、前記保護膜よりもヤング率が高い材料で形成される
　（２）から（５）及び（２８）から（３０）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３２）前記負荷膜及び前記保護膜は、同じ材料で形成され、
　前記負荷膜の密度は、前記保護膜の密度と異なる
　（２）から（５）及び（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３３）前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される
　（２）から（５）及び（２８）から（３２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３４）前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである
　（１）から（２３）及び（２６）から（３３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３５）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
　（２）から（５）及び（２８）から（３３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３６）前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い
　（２）から（５）及び（２８）から（３５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３７）前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる
　（３５）に記載の弾性波装置。
（３８）前記第１保護膜の上面、及び、前記第２保護膜の下面は平坦に形成される
　（３５）に記載の弾性波装置。
（３９）前記負荷膜の材料は、炭素添加酸化ケイ素、酸化シリコン、窒化シリコン、五酸化タンタル、窒化アルミ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、五酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる
　（１）から（２３）及び（２６）から（３８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４０）前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指の電極幅は、前記配列方向で中央部に位置する前記電極指の電極幅よりも小さく、
　前記第１電極指と、前記第１電極指と隣接する前記電極指との間の電極間ピッチは、前記配列方向で中央部に位置する複数の前記電極指の電極間ピッチよりも小さい
　（１）から（２３）及び（２６）から（３９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４１）前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指の電極幅は、前記配列方向で中央部に位置する前記電極指の電極幅よりも大きく、
　前記第１電極指と、前記第１電極指と隣接する前記電極指との間の電極間ピッチは、前記配列方向で中央部に位置する複数の前記電極指の電極間ピッチよりも大きい
　（１）から（２３）及び（２６）から（３９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４２）ｄ／ｐが０．２４以下である
　（１）から（２３）及び（２６）から（４１）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４３）前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
　（１）から（２３）及び（２６）から（４２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４４）前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる
　（１）から（２３）及び（２６）から（４３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４５）前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
　（１）から（２３）及び（２６）から（４４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
（４６）前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　（１）から（２３）及び（２６）から（４５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４７）前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　（１）から（２３）及び（２６）から（４５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４８）前記複数の電極指の配列方向で、前記負荷膜の一方の側面と、前記第１電極指の幅方向の中点との距離を、前記負荷膜の移動量Ｇとしたときに、
　前記負荷膜の移動量Ｇと、隣り合う前記電極指同士の中心間距離ｐとの比Ｇ／ｐは、－０．２≦Ｇ／ｐ≦＋０．２を満たす
　（１）から（２３）及び（２６）から（４７）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（４９）前記負荷膜の前記配列方向での幅は、前記配列方向と直交する方向に沿って異なる
　（１）から（２３）及び（２６）から（４８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（５０）前記ＩＤＴ電極が前記高音響インピーダンス層または前記低音響インピーダンス層に埋め込まれるように前記圧電層上に形成されており、前記負荷膜の材料は前記ＩＤＴ電極を埋め込んでいる層と異なる
　（４７）に記載の弾性波装置。

　１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ、１０Ｍ、１０Ｎ、１０Ｏ、１０Ｐ、１０Ｑ、１０Ｒ、１０Ｓ、１０Ｔ、１０Ｕ、１０Ｖ　弾性波装置
　１１　支持基板
　１２　底部
　１３　壁部
　１４　キャビティ部
　２０、２０１　圧電層
　２０ａ、２０１ａ　第１主面
　２０ｂ、２０１ｂ　第２主面
　３０　ＩＤＴ電極
　３１、３２　電極指
　３１ａ　第１電極指
　３２ａ　第２電極指
　３３、３４　バスバー電極
　４１　第１保護膜
　４２　第２保護膜
　５０　負荷膜
　５０Ａ　上部負荷膜
　５０Ｂ　下部負荷膜
　５１　第１延在部
　５２　第２延在部
　５３　外側負荷膜
　５４　下部第１延在部

Claims

　第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
　前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指の配列方向における少なくとも一方の端部と前記第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、
　前記端部は前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指を含み、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
　弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
　請求項１に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の上に設けられる
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される
　請求項３に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられる
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１方向で、前記負荷膜は、前記圧電層の前記第１主面と、前記第１電極指との間に設けられる
　請求項１に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記第１電極指、及び、前記第１電極指と隣接する電極指と重なる領域に設けられる
　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜と重なる、前記第１電極指、前記第１電極指と隣接する電極指、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２電極指、及び、前記第２電極指と隣接する電極指の数は６本以下である
　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記第１電極指と重なる領域に設けられた第１延在部と、前記第１延在部よりも前記配列方向の外側であって、前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた外側負荷膜と、を有する
　請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上に設けられた上部負荷膜、及び、前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられた下部負荷膜を含む
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記上部負荷膜の幅は、前記下部負荷膜の幅と異なる
　請求項１０に記載の弾性波装置。
　前記上部負荷膜の膜厚は、前記下部負荷膜の膜厚よりも薄い
　請求項１０又は請求項１１に記載の弾性波装置。
　前記上部負荷膜の材料は、前記下部負荷膜の材料と異なる
　請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記保護膜の膜厚は、前記圧電層の膜厚よりも薄い
　請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記上部負荷膜及び前記下部負荷膜の少なくとも一方のヤング率は５０ＧＰａ以上である
　請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指の上に設けられる
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記負荷膜及び前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域で、前記負荷膜が設けられ前記第１保護膜が設けられない部分と、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、を有する
　請求項１６に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記負荷膜及び前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上面よりも突出する突出部を有する
　請求項１６又は請求項１７に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記負荷膜及び前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜の上面は前記第１保護膜の上面と同一面内に設けられる
　請求項１６又は請求項１７に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面に設けられ、
　前記第２保護膜は、前記負荷膜を覆う
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面と対向し、かつ、前記第２主面と離隔して設けられ、
　前記第２保護膜は、前記圧電層の前記第２主面と前記負荷膜との間に設けられるとともに、前記負荷膜の前記圧電層と反対側の面を覆う
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記第１方向で、前記圧電層の前記第２主面よりも外側に設けられる
　請求項１に記載の弾性波装置。
　前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる
　請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が請求項１に記載の弾性波装置である
　弾性波フィルタ装置。
　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜は、前記並列腕共振子の前記負荷膜と異なる構成を有する
　請求項２４に記載の弾性波フィルタ装置。
　前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域に設けられ前記第１電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２電極指と重なる領域に設けられ前記第２電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に接続され、前記配列方向に延在し、
　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に接続され、前記配列方向に延在する
　請求項１から請求項２３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指と重なる領域に設けられ前記第１電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２電極指と重なる領域に設けられ前記第２電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に配置され、前記配列方向に延在し、
　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に配置され、前記配列方向に延在し、
　前記第３延在部及び前記第４延在部の少なくとも一方は、前記第１延在部及び前記第２延在部と離隔して配置される
　請求項１から請求項２３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向する支持部材と、
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜と、
　前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指よりも前記配列方向の外側であって、前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた負荷膜と、を有し、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であり、
　前記複数の電極指の配列方向での、前記第１電極指と前記負荷膜との距離をＬとしたときに、Ｌ／ｐは０．９以下である
　弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が高い材料で形成される
　請求項２から請求項５及び請求項２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が低い材料で形成される
　請求項２から請求項５及び請求項２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記保護膜よりもヤング率が高い材料で形成される
　請求項２から請求項５及び請求項２８から請求項３０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜及び前記保護膜は、同じ材料で形成され、
　前記負荷膜の密度は、前記保護膜の密度と異なる
　請求項２から請求項５及び請求項２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される
　請求項２から請求項５及び請求項２８から請求項３２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項３３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
　請求項２から請求項５及び請求項２８から請求項３３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い
　請求項２から請求項５及び請求項２８から請求項３５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる
　請求項３５に記載の弾性波装置。
　前記第１保護膜の上面、及び、前記第２保護膜の下面は平坦に形成される
　請求項３５に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜の材料は、炭素添加酸化ケイ素、酸化シリコン、窒化シリコン、五酸化タンタル、窒化アルミ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、五酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項３８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指の電極幅は、前記配列方向で中央部に位置する前記電極指の電極幅よりも小さく、
　前記第１電極指と、前記第１電極指と隣接する前記電極指との間の電極間ピッチは、前記配列方向で中央部に位置する複数の前記電極指の電極間ピッチよりも小さい
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項３９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記配列方向で最も外側に位置する前記第１電極指の電極幅は、前記配列方向で中央部に位置する前記電極指の電極幅よりも大きく、
　前記第１電極指と、前記第１電極指と隣接する前記電極指との間の電極間ピッチは、前記配列方向で中央部に位置する複数の前記電極指の電極間ピッチよりも大きい
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項３９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　ｄ／ｐが０．２４以下である
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極指の配列方向で、前記負荷膜の一方の側面と、前記第１電極指の幅方向の中点との距離を、前記負荷膜の移動量Ｇとしたときに、
　前記負荷膜の移動量Ｇと、隣り合う前記電極指同士の中心間距離ｐとの比Ｇ／ｐは、－０．２≦Ｇ／ｐ≦＋０．２を満たす
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜の前記配列方向での幅は、前記配列方向と直交する方向に沿って異なる
　請求項１から請求項２３及び請求項２６から請求項４８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記ＩＤＴ電極が前記高音響インピーダンス層または前記低音響インピーダンス層に埋め込まれるように前記圧電層上に形成されており、前記負荷膜の材料は前記ＩＤＴ電極を埋め込んでいる層と異なる
　請求項４７に記載の弾性波装置。