WO2026062995A1 - 接合体および半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

接合体は、セラミックで形成された第１部材と、セラミックまたは金属で形成された第２部材と、第１部材と第２部材との間に配置されるＩｎ（インジウム）とＳｎ（スズ）とのいずれか一方を主成分とする接合層であって、Ｔｉ（チタン）とＨｆ（ハフニウム）とＺｒ（ジルコニウム）とのいずれか１つとを含む接合層と、を備え、接合層はＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つを含む化合物を有し、第１部材と接合層と第２部材とが積層された積層方向に沿った断面において、第１部材と接合層との間に形成される第１界面領域における化合物が占める面積比が６％以上６０％以下である。

Description

接合体および半導体製造装置

　本発明は、接合体および半導体製造装置に関する。

　接合材を含む接合層によって２つの部材が接合された接合体が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された接合層は、インジウム（Ｉｎ）を主成分とする接合材と、メッシュ部材で形成され、接合材が入り込んでいる金属層とを備えている。

特許第７４９８２８３号公報

　接合における重要な課題の１つは、接合される部材および接合材の熱膨張係数の違いを起因とする残留応力の低減である。特に、セラミックと金属材料とが接合される場合には、この２つの材料の熱膨張差は大きい。また、異なる種類のセラミック同士が接合される場合に、熱膨張差は、接合界面に残留するため、脆性材料であるセラミックは残留応力の影響を受けやすい。例えば、アルミナと金属材料とが接合される場合には、アルミナと近い熱膨張係数を有する４２アロイが接合材として用いられたり、軟質材料として薄いＣｕ・Ａｇ箔が用いられていた。

　特許文献１に記載されているように、接合材として融点が低いＩｎを用いることで、低温での接合が可能になる。Ｉｎが軟質な金属であるため、熱膨張係数差に起因して発生する残留応力が低減される。しかしＩｎやＳｎ（スズ）の純金属は、セラミックに濡れづらい。そのため、Ｉｎ等を用いて接合する部材がセラミックの場合には、密着強度を高めるために、接合材とセラミックの界面に何らかの化学的結合などの反応層が必要になる。この点について、特許文献１では、接合層が金属の線材で構成されたメッシュ部材の金属層と、Ｉｎを主成分とする接合材とで構成されることにより、密着強度を高めている。しかしながら、Ｉｎを含む接合層における密着強度には向上の余地があった。

　本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、接合性を向上させ、熱膨張係数の差に起因する残留応力を低減した接合体を提供することを目的とする。

　本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

（１）本発明の一形態によれば、接合体が提供される。この接合体は、セラミックで形成された第１部材と、セラミックまたは金属で形成された第２部材と、前記第１部材と前記第２部材との間に配置されるＩｎ（インジウム）とＳｎ（スズ）とのいずれか一方を主成分とする接合層であって、Ｔｉ（チタン）とＨｆ（ハフニウム）とＺｒ（ジルコニウム）とのいずれか１つを含む接合層と、を備え、前記接合層は、前記ＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つを含む化合物を有し、前記第１部材と前記接合層と前記第２部材とが積層された積層方向に沿った断面において、前記第１部材と前記接合層との間に形成される第１界面領域における前記化合物が占める面積比が６％以上６０％以下である。

　この構成によれば、第１部材と第２部材とは、接合層によって接合される。接合層では、セラミックに対して濡れ性が悪いＩｎやＳｎと、活性金属であるＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つで形成される化合物が含まれている。この化合物が、第１部材と接合層との間に形成される第１界面領域に占める面積比は、６％以上６０％以下である。すなわち、活性金属を含む化合物が第１界面領域に一定量存在するため、セラミックからなる第１部材に対するＩｎまたはＳｎを主成分とする接合層の濡れ性が良くなり、第１部材との接合性が向上する。さらに、ＩｎやＳｎの融点が低いため、低温で第１部材と第２部材とが接合される。ＩｎおよびＳｎは軟質な金属であるため、熱膨張係数の差に起因する接合体における残留応力が低減される。これにより、第１部材と第２部材との接合性が向上する。

（２）上記形態の接合体において、前記面積比は、６％以上３０％以下であってもよい。
　この構成によれば、Ｔｉ等の活性金属の含有量が多いと活性金属が酸化するおそれがあるが、第１界面領域における面積比の上限が制限されることにより、活性金属の酸化が抑制される。これにより、第１部材と接合層との接合性が向上する。

（３）上記形態の接合体において、前記第２部材は、金属で形成され、表面に金属コーティング層を有し、前記金属コーティング層は、前記接合層に含まれるＩｎまたはＳｎと金属間化合物を形成し、前記積層方向に沿った断面において、前記第２部材と前記接合層との間に形成される第２界面領域のＸ線回折における前記金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計が、ＩｎまたはＳｎのピーク強度の０．７未満であってもよい。
　この構成によれば、例えば第２部材がＡｌ合金等のＩｎやＳｎによる濡れ性が悪い場合であっても、表面にＩｎに対して濡れ性の良い金属コーティング層を備えるため、第２部材と接合層との接合性が向上する。さらに、第２部材と接合層との間に形成される第２界面領域において、第２部材表面の金属コーティング層と接合層の主成分であるＩｎとＳｎとのいずれか一方とにより金属間化合物が形成され、Ｘ線回折における金属間化合物のピーク強度の合計は、ＩｎまたはＳｎのピーク強度の０．７未満である。すなわち、第２界面領域における金属間化合物が存在する割合は、接合層の主成分であるＩｎまたはＳｎに対して少ない。第２界面領域において、もろい金属間化合物の存在が制限されることで、接合層の強度が向上する。

　なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、接合体、保持装置、静電チャック、半導体製造装置、およびこれらを備えるシステム等、接合体の製造方法、半導体製造装置の製造方法等の形態で実現できる。

第１実施形態の静電チャックの外観を示す概略斜視図である。 静電チャックの概略断面図である。 第１界面領域と第２界面領域との説明図である。 第１界面領域の定義についての説明図である。 本実施形態の静電チャックの製造方法のフローチャートである。 第１界面領域の接合層化合物の面積比と評価結果との関係についての説明図である。 第２界面領域のＸ線回折のピーク比についての説明図である。

＜実施形態＞
　図１は、第１実施形態の静電チャック（接合体）１の外観を示す概略斜視図である。図２は、静電チャック１の概略断面図である。本実施形態の静電チャック１は、例えば、エッチング装置に備えられ、ウエハＷを静電引力により吸着することで保持する保持装置であり、半導体製造装置とも換言できる。静電チャック１は、図１に示されるように、セラミックで形成されたセラミック部材（第１部材）１０と、金属で形成された金属部材（第２部材）２０と、接合層３０と、を備える。静電チャック１では、ｚ軸方向（上下方向）に、セラミック部材１０、接合層３０、金属部材２０の順に積層されている。静電チャック１では、接合層３０を介して、セラミック部材１０と金属部材２０とが接合されている。

　セラミック部材１０は、略円形状の板状部材であり、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）により形成されている。セラミック部材１０の直径は、例えば、５０ｍｍ～５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ～３５０ｍｍ程度）であり、セラミック部材１０の厚さは、例えば、１ｍｍ～１０ｍｍ程度である。

　図２に示されるように、セラミック部材１０は、積層方向に沿って、面積の異なる２つの円板形状である上部１１および下部１２が組み合わされて形成されている。図２に示されるように、上部１１は、セラミック部材１０において、ｚ軸正方向側に位置する。面方向において、上部１１の面積は、下部１２の面積よりも小さい。なお、セラミック部材１０を形成するセラミックは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ジルコニア（ＺｒＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）などであってもよい。

　上部１１の内部には、円板状のチャック電極１００が配置されている。本実施形態のチャック電極１００は、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成されている。チャック電極１００は、図示されていない電源から電力が供給されることによって静電引力（吸着力）を発生させる。静電引力により、ウエハＷがセラミック部材１０の上面である載置面に吸着固定される。

　金属部材２０は、ステンレス鋼により形成される略円形平面状の板状部材である。金属部材２０の直径は、例えば、２２０ｍｍ～５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ～３５０ｍｍ）であり、金属部材２０の厚さは、例えば、２０ｍｍ～４０ｍｍ程度である。金属部材２０の内部には、図２に示されるように、冷媒流路２００が形成されている。冷媒流路２００に、例えば、フッ素系不活性液体や水などの冷媒が流れると、接合層３０を介してセラミック部材１０が冷却され、セラミック部材１０に載置されたウエハＷが冷却される。なお、金属部材２０を形成する金属の種類は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、チタン（Ｔｉ）、チタン合金などであってもよい。

　接合層３０は、セラミック部材１０と金属部材２０との間に配置されており、セラミック部材１０と金属部材２０とを接合する。本実施形態では、接合層３０は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）とのいずれか一方を主成分として含んでいる。なお、本実施形態における主成分とは、８５ｗｔ％以上を含む成分のことを言う。また、接合層３０は、Ｔｉとハフニウム（Ｈｆ）とジルコニウム（Ｚｒ）とのいずれか１つと、これらの化合物（以降、「接合層化合物」とも言う）を含んでいる。本実施形態における接合層化合物とは、酸化物、セラミック部材１０(第１部材)との反応物、ＩｎとＳｎとのいずれか一方との化合物(固溶体、金属間化合物)がある。

　図３は、セラミック部材１０と接合層３０との間に形成される第１界面領域ＡＲ１と、金属部材２０と接合層３０との間に形成される第２界面領域ＡＲ２との説明図である。図３には、図２における領域ＲＧの拡大断面図が示されている。本実施形態のセラミック部材１０と、金属部材２０と、接合層３０とは、それぞれ別に用意されて焼成により接合されている。焼成により形成される第１界面領域ＡＲ１は、セラミック部材１０を形成するセラミックと、接合層３０に含まれる活性金属とが反応する境界領域である。第２界面領域ＡＲ２は、金属部材２０を形成する金属と、接合層３０を形成するＩｎ等とが混ざり合った境界領域である。

　図４は、第１界面領域ＡＲ１の定義についての説明図である。図４には、第１界面領域ＡＲ１の拡大断面図が示されている。セラミック部材１０と接合層３０との境界ＢＤは、図４に示されるように、必ずしも積層方向に直交する平面（断面では直線）ではなく、曲面（断面では曲線）として表れる場合がある。この場合に、本実施形態では、積層方向に直交する方向に沿って等間隔に、境界ＢＤ上の１０個の点Ｐｔが取得される。取得された１０個の点Ｐｔに対して最小二乗法が用いられ、仮想平面ＰＬが算出される。仮想平面ＰＬからセラミック部材１０側に距離Ｌ１離れた平面と、仮想平面ＰＬとの間に形成される領域が、第１界面領域ＡＲ１として決定される。なお、第２界面領域ＡＲ２の決定方法も、第１界面領域ＡＲ１と同じように、仮想平面と、仮想平面から金属部材２０側に所定距離だけ離れた平面との間に形成される領域である。

　本実施形態では、第１界面領域ＡＲ１において、接合層化合物が占める面積比が６％以上６０％以下である。なお、第１界面領域ＡＲ１において、接合層化合物以外では、Ｉｎなどの金属単体、およびポアが存在する。なお、第１界面領域ＡＲ１において、接合層化合物が占める面積比は、６％以上３０％以下だと更に好ましい。

　図５は、本実施形態の静電チャック１の製造方法のフローチャートである。図５に示される製造フローでは、初めに、セラミック部材１０および金属部材２０のそれぞれが接合されていない別々の部材として準備される（ステップＳ１）。接合前のセラミック部材１０の内部にはチャック電極１００が配置されている。また、接合前の金属部材２０には、冷媒流路２００が形成されている。

　準備されたセラミック部材１０の一方の面に、接合層の元となる接合ペーストが印刷される（ステップＳ２）。接合ペーストの成分としては、ＩｎまたはＳｎを主成分として、Ｔｉ，Ｈｆ，およびＺｒのいずれかを０．０５ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下含んでいる。接合ペーストが印刷されたセラミック部材１０を乾燥させる（ステップＳ３）。乾燥処理は、例えば、大気中、摂氏７０度（℃）で３０分間行われる。次に、乾燥処理後のセラミック部材１０を焼き付けする（ステップＳ４）。焼き付け処理は、例えば、真空中、４００℃以上６００℃以下の温度で３０分間行われる。

　ステップＳ１で準備された金属部材２０の一方の面に、金（Ａｕ）等のコーティングが行われる（ステップＳ５）。コーティング処理では、例えば、Ａｕ，銀（Ａｇ），Ｃｕ，プラチナ（Ｐｔ），およびパラジウム（Ｐｄ）のいずれかの金属またはこれらの合金が、厚さ０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲で蒸着される。蒸着以外の方法として、メッキやスパッタによりコーティングが行われてもよい。なお、コーティング処理により金属部材２０の表面に形成された金属または合金の層は、金属コーティング層に相当する。コーティング処理後の金属部材２０に対してアニールが行われる（ステップＳ６）。アニール処理は、例えば、真空中、２００℃以上４００℃以下の温度で行われる。

　ステップＳ４で焼き付け処理されたセラミック部材１０と、ステップＳ６でアニール処理された金属部材２０とが接合される（ステップＳ７）。セラミック部材１０の一対の面のうち、接合ペーストが印刷された面と、金属部材２０の一対の面のうち、コーティング処理が行われた面とが接した状態で、例えば、真空中、２００℃以上６００℃以下で焼成されることで、接合処理が行われる。この時、セラミック部材１０と金属部材２０との間にＩｎ箔を介在させた状態で接合させてもよい。なお、焼成時の雰囲気は、窒素雰囲気下やアルゴン（Ａｒ）雰囲気下であってもよい。接合処理後の接合体に寸法に合わせた加工が行われることで静電チャック１が製造される。

　図６は、実施例１～１７および比較例１～６における第１界面領域ＡＲ１の接合層化合物の面積比と評価結果との関係についての説明図である。図６に示されるように、「密着強度」と、破断面の破壊形態である「破面」と、焼き付け後（図５のステップＳ４）の接合ペーストの表面の「外観」との３つの結果から、それぞれのサンプルは、「判定」欄においてＡ～Ｄの４段階によって評価された。各サンプルの接合ペーストの組成比（ｗｔ％）は、図６に示される通りである。

　密着強度は、φ１０ｍｍ、長さ１０ｍｍのＳＵＳ丸棒を用いた第１界面領域ＡＲ１の密着強度試験で得られた数値である。密着強度試験では、セラミックに、Ｉｎ－Ｔｉ等のペーストを印刷・乾燥後に焼き付けたサンプルに対して片持ち曲げ強度試験が行われる。破面の評価は、破断させた場合の破断面におけるＩｎまたはＳｎの残存率を画像処理により面積比を算出し、算出された面積比に応じて、下記のようにＡ～Ｄの４段階で評価した。なお、金属間化合物の強度は、ＩｎおよびＳｎの強度よりも小さいため、接合層３０に金属間化合物が多く含まれると、最も強度が低い金属間化合物の部分が破断し、破断面には金属間化合物が多く含まれる。一方で、金属間化合物の含有量が少ないと、軟質な金属であるＩｎやＳｎの部分が破断する。換言すると、破断面に含まれるＩｎまたはＳｎの割合が多いほど金属間化合物の残存率が少なく、接合層３０の強度が高いことを表す。そのため、破断面におけるＩｎまたはＳｎの面積比が多いほど好ましい。
Ａ：残存率が６０％以上
Ｂ：残存率が３０％以上６０％未満
Ｃ：残存率が０％よりも大きく３０％未満
Ｄ：残存率が０％

　外観は、セラミック部材１０と金属部材２０とが接合される前の焼き付け後の接合ペーストの外観である。活性金属であるＴｉ等が酸化すると、外観に酸化に伴う曇りが生じる。活性金属が酸化すると接合層３０の接合強度が低下するため、外観は、活性金属が酸化せずに金属光沢を有していることが好ましい。外観の評価では、「金属光沢」、または多少の曇りがある「曇り」を合格と判定した。なお、図６に示される全サンプルの焼き付け処理は、６００℃で３０分間、真空雰囲気下で行われている。接合層化合物の面積比は、図４に示される距離Ｌ１が１５μｍとして設定された場合の第１界面領域ＡＲ１における接合層化合物の面積比として算出された。

　図６に示されるサンプル判定では、破面の評価がＢ以上であり、かつ、外観が金属光沢または曇りである場合に、合格のＡ，Ｂ，Ｃと判定した。一方で、破面の評価がＣ以下、または、外観が不合格の「酸化・曇り」である場合に、サンプル判定が不合格のＤとして評価された。

　図６に示されるように、第１界面領域ＡＲ１における接合層化合物の面積比が６％以上６０％以下である実施例１～１７のサンプルでは、破面の評価がＡ，Ｂの合格であった。特に、当該面積比が６％以上３０％以下の実施例１～１２のサンプルでは、いずれも外観が「金属光沢」であり、サンプル判定がＡまたはＢであった。一方で、当該面積比が６％未満の比較例１～４では、破面の評価がＣまたはＤであり、サンプル評価がＤであった。また、当該面積比が６０％を超える比較例５，６では、破面の評価がＢであったものの、外観で酸化が確認された「酸化・曇り」であり、サンプル評価がＤであった。比較例１～６のサンプルの密着強度は、２０ＭＰａ未満であり、２０ＭＰａ以上の実施例１～１７の密着強度よりも小さかった。

　図７は、実施例１８～３２および比較例７～９における第２界面領域ＡＲ２のＸ線回折（ＸＲＤ）のピーク比ついての説明図である。図７には、第２界面領域ＡＲ２において、ＩｎまたはＳｎのＸＲＤのピークに対する金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計が「ピーク比」として示されている。また、図７には、第１界面領域ＡＲ１における接合層化合物の面積比である「接合層化合物面積比（％）」と、金属部材２０の製造時のコーティング処理（図５のステップＳ５）で蒸着された金属のコーティング層の種類および膜厚を表す「コーティング（μｍ）」と、コーティング処理後のアニール処理（ステップＳ６）におけるアニール温度を表す「前熱処理（℃）」と、熱伝導試験の判定結果である「熱伝導試験判定」とが示されている。「ピーク比」が小さいことは、もろい金属間化合物の残存量が少ないことを表し、好ましい状態である。「熱伝導試験判定」は、接合体に対して、－４０℃から１１０℃に変化する冷熱サイクルが１０００回行われた各サンプルを、１００℃に加熱されたホットプレートに載せて熱伝導が判定された。熱伝導試験では、放射温度計にて、接合体の表面温度と温度分布とが測定され、下記のように判定された。
Ａ：２秒以内に表面全体の温度分布が１００℃に達した
Ｂ：２秒以内に表面の一部の温度が１００℃に達した
Ｃ：２秒以内に表面全体において１００℃に達する部分が存在しなかった

　図７に示される実施例１８～３２および比較例７～９の各サンプルでは、接合前のセラミック部材１０の接合面に、ＩｎまたはＳｎとＴｉとから成るペーストが印刷され（図５のステップＳ２）、乾燥後に（ステップＳ３）、６００℃で３０分間焼き付けられている（ステップＳ４）。各サンプルの接合ペーストの組成比（ｗｔ％）は、図７に示されるように、比較例９以外のサンプルでは、活性金属として、同じ割合である２．００ｗｔ％のＴｉが含まれている。

　ＸＲＤにおける金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計をＩｎまたはＳｎのピーク強度で除した図７における「ピーク比」が０．７未満である実施例１８～３２では、「熱伝導試験判定」の結果がＡまたはＢであった。そのうち、「ピーク比」が０．２未満の実施例１８～２１の「熱伝導試験判定」の結果がＡと優れていた。一方で、「ピーク比」が０．７以上である比較例７～９の「熱伝導試験判定」の結果はＣであった。

　以上のように、本実施形態の静電チャック１では、接合層３０は、セラミック部材１０と金属部材２０との間に配置されており、セラミック部材１０と金属部材２０とを接合する。接合層３０は、ＩｎとＳｎとのいずれか一方を主成分として含んでいる。接合層３０は、ＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つと、これらで形成される接合層化合物を含んでいる。セラミック部材１０と接合層３０との間に形成される第１界面領域ＡＲ１において、接合層化合物が占める面積比が６％以上６０％以下である。本実施形態の接合層３０では、セラミック部材１０に対して濡れ性が悪いＩｎやＳｎと、活性金属であるＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つで形成される接合層化合物が含まれている。接合層化合物が、第１界面領域ＡＲ１に占める面積比は、６％以上６０％以下である。すなわち、活性金属を含む接合層化合物が第１界面領域に一定量存在するため、セラミック部材１０に対するＩｎまたはＳｎを主成分とする接合層３０の濡れ性が良くなり、セラミック部材１０と接合層３０との接合性が向上する。さらに、ＩｎやＳｎの融点が低いため、低温でセラミック部材１０と金属部材２０とが接合される。ＩｎおよびＳｎは軟質な金属であるため、熱膨張係数の差に起因する接合体における残留応力が低減される。これにより、セラミック部材１０（第１部材）と金属部材２０（第２部材）との接合性が向上する。

　また、図６に示される実施例１～１２では、第１界面領域ＡＲ１において接合層化合物が占める面積比は、６％以上３０％以下である。本実施形態では、Ｔｉ等の活性金属の含有量が多いと活性金属が酸化するおそれがあるが、第１界面領域ＡＲ１における面積比の上限が制限されることにより、活性金属の酸化が抑制される。これにより、セラミック部材１０と接合層３０との接合性が向上する。

　また、図７に示される実施例１８～３２では、ＸＲＤにおける金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計をＩｎまたはＳｎのピーク強度で除した図７における「ピーク比」が０．７未満であった。このことから、本実施形態では、第２界面領域ＡＲ２における金属間化合物が存在する割合は、接合層の主成分であるＩｎまたはＳｎに対して少ないことがわかる。第２界面領域ＡＲ２において、もろい金属間化合物の存在が制限されることで、接合層３０の強度が向上する。

＜本実施形態の変形例＞
　本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

　上記実施形態では、接合層３０がＩｎとＳｎとのいずれか一方を主成分として含み、かつ、ＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つと、これらで形成される接合層化合物を含み、第１界面領域ＡＲ１における接合層化合物の面積比が６％以上６０％以下である接合体の範囲で変形可能である。接合層３０が含む金属の種類や金属の割合については、例えば、図６や図７に記載された実施例１～３２のように変形可能である。上記実施形態では、接合層３０を介してセラミック部材１０に接合される第２部材が、金属部材２０であったが、セラミックで形成されたセラミック部材であってもよい。この場合、第２界面領域ＡＲ２において接合層化合物が６％以上６０％以下の面積比となるように形成されるため、接合層３０と金属部材２０（第２部材）との接合性が向上する。

　図５に示される静電チャック１の製造フローでは、第１界面領域ＡＲ１における接合層化合物が６％以上６０％以下となる接合体の製造フローの一例であり、図５の製造フロー以外の製造方法で、接合体が製造されてもよい。例えば、乾燥処理（ステップＳ３）と、焼き付け処理（ステップＳ４）と、アニール処理（ステップＳ６）と、接合処理（ステップＳ７）とにおける温度条件や雰囲気条件は周知技術の範囲で変形可能である。また、印刷処理（ステップＳ２）において印刷される接合ペーストの成分比についても、第１界面領域ＡＲ１における接合層化合物の面積比が６％以上６０％以下となる範囲で変形可能である。コーティング処理（ステップＳ５）でコーティングされる金属の種類や金属の膜厚についても、第２界面領域のＸ線回折における金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計が、ＩｎまたはＳｎのピーク強度の０．７未満となる範囲で変形可能である。

　上記実施形態の静電チャック１は、接合体であり、半導体製造装置でもあったが、接合体と半導体製造装置との関係については変形可能である。例えば、半導体製造装置は、静電チャックと、静電チャックのチャック電極１００に電力を供給する電源と、静電チャックの冷媒流路２００に冷媒を供給する冷媒供給部とを備えていてもよい。この場合に、静電チャックは、接合体と、内部にチャック電極１００が配置された電極部材とを備えていてもよい。この場合に、接合体は、セラミック部材（第１部材）１０と、セラミックまたは金属で形成された第２部材と、セラミック部材１０と第２部材との間に配置された接合層３０とを備えていてもよい。

　以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

　本発明は、以下の形態としても実現することが可能である。
［適用例１］
　接合体であって、
　セラミックで形成された第１部材と、
　セラミックまたは金属で形成された第２部材と、
　前記第１部材と前記第２部材との間に配置されるＩｎ（インジウム）とＳｎ（スズ）とのいずれか一方を主成分とする接合層であって、Ｔｉ（チタン）とＨｆ（ハフニウム）とＺｒ（ジルコニウム）とのいずれか１つを含む接合層と、
を備え、
　前記接合層は、前記ＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか１つを含む化合物を有し、
　前記第１部材と前記接合層と前記第２部材とが積層された積層方向に沿った断面において、前記第１部材と前記接合層との間に形成される第１界面領域における前記化合物が占める面積比が６％以上６０％以下である、
　ことを特徴とする接合体。
［適用例２］
　適用例１に記載の接合体であって、
　前記面積比は、６％以上３０％以下である、
　ことを特徴とする接合体。
［適用例３］
　適用例１または適用例２に記載の接合体であって、
　前記第２部材は、金属で形成され、表面に金属コーティング層を有し、
　前記金属コーティング層は、前記接合層に含まれるＩｎまたはＳｎと金属間化合物を形成し、
　前記積層方向に沿った断面において、前記第２部材と前記接合層との間に形成される第２界面領域のＸ線回折における前記金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計が、ＩｎまたはＳｎのピーク強度の０．７未満である、
　ことを特徴とする接合体。
［適用例４］
　半導体製造装置であって、
　適用例１から適用例３までのいずれか一例に記載の接合体を備える、
　ことを特徴とする半導体製造装置。

　　１…静電チャック（接合体）
　　１０…セラミック部材（第１部材）
　　１１…上部
　　１２…下部
　　２０…金属部材（第２部材）
　　３０…接合層
　　１００…チャック電極
　　２００…冷媒流路
　　ＡＲ１…第１界面領域
　　ＡＲ２…第２界面領域
　　ＢＤ…境界
　　Ｌ１…距離
　　ＰＬ…仮想平面
　　Ｐｔ…点
　　ＲＧ…領域
　　Ｗ…ウエハ

Claims (4)

1. 　接合体であって、
   　セラミックで形成された第１部材と、
   　セラミックまたは金属で形成された第２部材と、
   　前記第１部材と前記第２部材との間に配置されるＩｎ（インジウム）とＳｎ（スズ）とのいずれか一方を主成分とする接合層であって、Ｔｉ（チタン）とＨｆ（ハフニウム）とＺｒ（ジルコニウム）とのいずれか１つと、を含む接合層と、
   を備え、
   　前記接合層は、前記ＴｉとＨｆとＺｒとのいずれか1つを含む化合物を有し、
   　前記第１部材と前記接合層と前記第２部材とが積層された積層方向に沿った断面において、前記第１部材と前記接合層との間に形成される第１界面領域における前記化合物が占める面積比が６％以上６０％以下である、
   　ことを特徴とする接合体。
2. 　請求項１に記載の接合体であって、
   　前記面積比は、６％以上３０％以下である、
   　ことを特徴とする接合体。
3. 　請求項１に記載の接合体であって、
   　前記第２部材は、金属で形成され、表面に金属コーティング層を有し、
   　前記金属コーティング層は、前記接合層に含まれるＩｎまたはＳｎと金属間化合物を形成し、
   　前記積層方向に沿った断面において、前記第２部材と前記接合層との間に形成される第２界面領域のＸ線回折における前記金属間化合物のそれぞれのピーク強度の合計が、ＩｎまたはＳｎのピーク強度の０．７未満である、
   　ことを特徴とする接合体。
4. 　半導体製造装置であって、
   　請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の接合体を備える、
   　ことを特徴とする半導体製造装置。