ATE498180T1 - Nichtflüchtiger speicher mit inkrement/dekrement, chipauswahl und wählbarem beschreiben unter verwendung eines zweisignal-steuerprotokolls für ein integriertes schaltungsbauelement - Google Patents

Nichtflüchtiger speicher mit inkrement/dekrement, chipauswahl und wählbarem beschreiben unter verwendung eines zweisignal-steuerprotokolls für ein integriertes schaltungsbauelement

Info

Publication number
ATE498180T1
ATE498180T1 AT05775227T AT05775227T ATE498180T1 AT E498180 T1 ATE498180 T1 AT E498180T1 AT 05775227 T AT05775227 T AT 05775227T AT 05775227 T AT05775227 T AT 05775227T AT E498180 T1 ATE498180 T1 AT E498180T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
integrated circuit
decrement
increment
volatile memory
signal control
Prior art date
Application number
AT05775227T
Other languages
English (en)
Inventor
James Simons
Original Assignee
Microchip Tech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Microchip Tech Inc filed Critical Microchip Tech Inc
Application granted granted Critical
Publication of ATE498180T1 publication Critical patent/ATE498180T1/de

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/42Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation
    • G06F13/4282Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a serial bus, e.g. I2C bus, SPI bus
    • G06F13/4286Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a serial bus, e.g. I2C bus, SPI bus using a handshaking protocol, e.g. RS232C link
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/42Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Communication Control (AREA)
  • Dram (AREA)
AT05775227T 2004-07-30 2005-07-25 Nichtflüchtiger speicher mit inkrement/dekrement, chipauswahl und wählbarem beschreiben unter verwendung eines zweisignal-steuerprotokolls für ein integriertes schaltungsbauelement ATE498180T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US59303504P 2004-07-30 2004-07-30
US10/946,432 US7199603B2 (en) 2004-07-30 2004-09-21 Increment/decrement, chip select and selectable write to non-volatile memory using a two signal control protocol for an integrated circuit device
PCT/US2005/026259 WO2006014860A1 (en) 2004-07-30 2005-07-25 Increment/decrement, chip select and selectable write to non-volatile memory using a two signal control protocol for an integrated circuit device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE498180T1 true ATE498180T1 (de) 2011-02-15

Family

ID=35229707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT05775227T ATE498180T1 (de) 2004-07-30 2005-07-25 Nichtflüchtiger speicher mit inkrement/dekrement, chipauswahl und wählbarem beschreiben unter verwendung eines zweisignal-steuerprotokolls für ein integriertes schaltungsbauelement

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7199603B2 (de)
EP (1) EP1779389B1 (de)
KR (1) KR100911013B1 (de)
AT (1) ATE498180T1 (de)
DE (1) DE602005026295D1 (de)
TW (1) TWI340977B (de)
WO (1) WO2006014860A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091740B2 (en) * 2004-07-30 2006-08-15 Microchip Technology Incorporated Write protection using a two signal control protocol for an integrated circuit device having parameter change capability, chip select and selectable write to non-volatile memory
CN102401875A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 软性电路板测试电路
US10264640B2 (en) * 2012-11-14 2019-04-16 Signify Holding B.V. Phase-cut dimmer device and method of phase-cut dimming for a lighting unit controlled by a rocker-type user interface
TWI503818B (zh) * 2013-01-21 2015-10-11 Richtek Technology Corp 具共用腳位之馬達控制器與相關控制方法
TWI565376B (zh) * 2014-07-14 2017-01-01 緯創資通股份有限公司 印刷電路板的佈線方法、印刷電路板及電子裝置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2897214B2 (ja) * 1988-04-15 1999-05-31 ソニー株式会社 テレビ受像機の自動レベル補正装置
EP0602723B1 (de) * 1992-12-15 1998-03-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrierte Schaltung mit einem elektrisch einstellbaren Parameter
US5933026A (en) * 1997-04-11 1999-08-03 Intel Corporation Self-configuring interface architecture on flash memories
KR19990055326A (ko) * 1997-12-27 1999-07-15 전주범 텔레비젼에 있어서 비휘발성 메모리 데이터 갱신방법
JP4650651B2 (ja) * 2000-08-31 2011-03-16 ソニー株式会社 情報処理装置および方法、メモリカード、並びにプログラム格納媒体
FI117489B (fi) * 2003-02-07 2006-10-31 Nokia Corp Menetelmä muistikortin osoittamiseksi, muistikorttia käyttävä järjestelmä, ja muistikortti
DE102004015928A1 (de) * 2004-03-31 2005-10-27 Infineon Technologies Ag Schreib-/Lösch-Verfahren für resistiv schaltende Speicherbauelemente
US7091740B2 (en) * 2004-07-30 2006-08-15 Microchip Technology Incorporated Write protection using a two signal control protocol for an integrated circuit device having parameter change capability, chip select and selectable write to non-volatile memory

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005026295D1 (de) 2011-03-24
TW200617965A (en) 2006-06-01
WO2006014860A1 (en) 2006-02-09
US20060023543A1 (en) 2006-02-02
KR20070052283A (ko) 2007-05-21
EP1779389B1 (de) 2011-02-09
US7199603B2 (en) 2007-04-03
EP1779389A1 (de) 2007-05-02
KR100911013B1 (ko) 2009-08-05
TWI340977B (en) 2011-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200622611A (en) Memory management device and memory device
EP1530219A3 (de) Halbleiterspeicher mit synchronen/asynchronen -Modus-Auswahl während der Abschaltung
TW200701234A (en) Program control circuit of flash memory device having mlc and method thereof
TW200713326A (en) Semiconductor memory device
GB2432945A (en) Command controlling different operations in different chips
MY135115A (en) Portable data storage device using memory address mapping table
DE602006019113D1 (de) Verfahren zur verwendung einer speicherzelle mit einem umschaltbaren halbleiterspeicherelement mit einstellbarem widerstand
WO2008079910A3 (en) Strobe acquisition and tracking
DE60237476D1 (de) Speicherbaustein mit heizelement
ATE490540T1 (de) Variable programmierung von nicht-flüchtigem speicher
ATE512441T1 (de) Bereitstellung von energiereduktion bei der datenspeicherung in einem speicher
ATE486349T1 (de) Gleichzeitige programmierung von nichtflüchtigem speicher
DE602006019571D1 (de) Speicherschnittstelle für flüchtige und nichtflüchtige speicherbausteine
TW200606954A (en) Minimizing adjacent wordline disturb in a memory device
ATE422094T1 (de) Auffrischen von speicherzellen eines phasenwechselmaterialspeicherbausteins
EP1870903A3 (de) Über einen temperaturgesteuerten Impuls programmierte Speicherzelle
ATE437441T1 (de) Selektive anwendung von programmverhinderungsschemata in einem nichtflüchtigen speicher
TW200709398A (en) Process for erasing chalcogenide variable resistance memory bits
UA100118C2 (ru) Система для разбраскывания материала в ветровых условиях и рабочая машина, содержащая указанную систему
DE60319654D1 (de) Nichtflüchtiger variabler Widerstand, Speicherelement, und Skalierungsverfahren für einen nichtflüchtigen variablen Widerstand
TW200731270A (en) Antifuse circuit with current regulator for controlling programming current
TW200731267A (en) Semiconductor memory device controlling program voltage according to the number of cells to be programmed and method of programming the same
ATE450045T1 (de) Schreibschutz durch verwendung eines zweisignal- steuerprotokolls für ein integriertes schaltungsbauelement mit parameteränderungsfähigkeit, chipauswahl und wählbares schreiben in nichtflüchtigem speicher
TW200703120A (en) Memory card capable of supporting various voltage supply and control chip and method of supporting voltage thereof
TW200620311A (en) Self-adaptive program delay circuitry for programmable memories

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties