ATE535020T1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit übergang - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit übergang

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ATE535020T1
ATE535020T1 AT06005896T AT06005896T ATE535020T1 AT E535020 T1 ATE535020 T1 AT E535020T1 AT 06005896 T AT06005896 T AT 06005896T AT 06005896 T AT06005896 T AT 06005896T AT E535020 T1 ATE535020 T1 AT E535020T1
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AT
Austria
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forming
resistance layer
region
junction
gate region
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Application number
AT06005896T
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Inventor
Ken-Ichi Nonaka
Hideki Hashimoto
Seiichi Yokoyama
Kensuke Iwanaga
Yoshimitsu Saito
Hiroaki Iwakuro
Masaaki Shimizu
Yusuke Fukuda
Koichi Nishikawa
Yusuke Maeyama
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Shindengen Electric Mfg
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
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