ATE549744T1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiterschicht auf ein substrat - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer halbleiterschicht auf ein substratInfo
- Publication number
- ATE549744T1 ATE549744T1 AT01870282T AT01870282T ATE549744T1 AT E549744 T1 ATE549744 T1 AT E549744T1 AT 01870282 T AT01870282 T AT 01870282T AT 01870282 T AT01870282 T AT 01870282T AT E549744 T1 ATE549744 T1 AT E549744T1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- substrate
- producing
- semiconductor
- layer
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/139—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
- H10P10/12—Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates
- H10P10/128—Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates by direct semiconductor to semiconductor bonding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00870312A EP1217663A1 (de) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Herstellungsverfahren einer Halbleiterschicht auf einem Substrat |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATE549744T1 true ATE549744T1 (de) | 2012-03-15 |
Family
ID=8175883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT01870282T ATE549744T1 (de) | 2000-12-21 | 2001-12-19 | Verfahren zur herstellung einer halbleiterschicht auf ein substrat |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1217663A1 (de) |
| AT (1) | ATE549744T1 (de) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW211621B (de) * | 1991-07-31 | 1993-08-21 | Canon Kk | |
| JPH05218464A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 半導体基体と太陽電池の製造方法及びこれらの方法により得られた半導体基体と太陽電池 |
| EP1179842A3 (de) * | 1992-01-31 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren |
| CN1132223C (zh) * | 1995-10-06 | 2003-12-24 | 佳能株式会社 | 半导体衬底及其制造方法 |
| EP0797258B1 (de) * | 1996-03-18 | 2011-07-20 | Sony Corporation | Herstellungsverfahren von Dünnschichthalbleitern, Solarzellen und lichtemittierenden Dioden |
| DE19851873A1 (de) * | 1998-11-10 | 2000-05-11 | Zae Bayern | Verfahren zum Aufwachsen einer kristallinen Struktur |
-
2000
- 2000-12-21 EP EP00870312A patent/EP1217663A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-12-19 AT AT01870282T patent/ATE549744T1/de active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1217663A1 (de) | 2002-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE263429T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleitergegenstands | |
| DE69728950D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergegenstands | |
| DE502004003085D1 (de) | Hochtemperatur-schichtsystem zur wärmeableitung und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE69225650D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates | |
| ATE248357T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines platin- temperatursensors unter verwendung von gebrannten keramiksubstraten | |
| ATE451085T1 (de) | Saugfähiger gegenstand mit einer endlosfilament enthaltenden oberflächigen schicht und verfahren zur dessen herstellung | |
| WO2003046265A3 (en) | Thick porous anodic alumina films and nanowire arrays grown on a solid substrate | |
| DE69826053D1 (de) | Halbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE69937803D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines czochralski silizium wafers ohne sauerstoffniederschlag | |
| ATE531077T1 (de) | Belastungsfreies zusammengesetztes substrat und verfahren zur herstellung eines solchen zusammengesetzten substrats | |
| EP1122794A3 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren | |
| CA2233115A1 (en) | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| ATE261612T1 (de) | Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht | |
| ATE373121T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer epitaktischen schicht | |
| ATE259098T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines soi-substrats | |
| WO2004101177A3 (de) | Verfahren zur beschichtung von substraten mit kohlenstoffbasiertem material | |
| DE602008005556D1 (de) | Verfahren zur Herstellung beschichteter Paneele und beschichtetes Paneel | |
| ATE473800T1 (de) | Zusammengesetzter zeolithfilm und verfahren zur herstellung desselben | |
| WO2003016203A3 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements sowie halbleiterbauelement, insbesondere membransensor | |
| DE60037194D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen substrats | |
| DE69938800D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer organischen Elektrolumineszenzanzeige | |
| WO2003026011A3 (en) | Fabrication of organic light emitting diode using selective printing of conducting polymer layers | |
| DE60238752D1 (de) | Ein verfahren zum erzeugen einer hohlen struktur aus einer silizium-struktur | |
| EP1172847A3 (de) | Methode, eine poröse Siliziumoxidschicht herzustellen | |
| ATE412256T1 (de) | Verfahren zur herstellung strukturierter schichten |