CH383719A - Verfahren zum Einlegieren eines Dotierungsmetalls in einen Halbleiterkörper, insbesondere zur Herstellung eines pn-Übergangs oder eines sperrfreien Kontakts - Google Patents
Verfahren zum Einlegieren eines Dotierungsmetalls in einen Halbleiterkörper, insbesondere zur Herstellung eines pn-Übergangs oder eines sperrfreien KontaktsInfo
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-
- H—ELECTRICITY
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES60369A DE1132404B (de) | 1958-10-24 | 1958-10-24 | Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Koerper aus Halbleitergrundstoff durch Einlegieren einer Pille eines Dotierungsmetalls |
| DES60606A DE1197178B (de) | 1958-10-24 | 1958-11-14 | Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Halbleiterkoerper |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH383719A true CH383719A (de) | 1964-10-31 |
Family
ID=25995589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH7957959A CH383719A (de) | 1958-10-24 | 1959-10-16 | Verfahren zum Einlegieren eines Dotierungsmetalls in einen Halbleiterkörper, insbesondere zur Herstellung eines pn-Übergangs oder eines sperrfreien Kontakts |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH383719A (2) |
| DE (2) | DE1132404B (2) |
| FR (1) | FR1237641A (2) |
| GB (1) | GB916671A (2) |
| NL (1) | NL244622A (2) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL244622A (2) | 1958-10-24 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE485103C (de) * | 1926-08-20 | 1931-06-12 | Siemens & Halske Akt Ges | Verfahren zur Herstellung von UEberzuegen aus Beryllium auf Metallen oder Legierungen |
| DE1052575B (de) | 1954-06-23 | 1959-03-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Kontaktierungen auf Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen |
| BE546819A (2) * | 1955-01-11 | |||
| GB775616A (en) * | 1955-04-15 | 1957-05-29 | Sylvania Electric Prod | Processing of alloy junction devices |
| NL244622A (2) | 1958-10-24 |
-
0
- NL NL244622D patent/NL244622A/xx unknown
-
1958
- 1958-10-24 DE DES60369A patent/DE1132404B/de active Pending
- 1958-11-14 DE DES60606A patent/DE1197178B/de active Pending
-
1959
- 1959-10-16 FR FR807709A patent/FR1237641A/fr not_active Expired
- 1959-10-16 CH CH7957959A patent/CH383719A/de unknown
- 1959-10-23 GB GB35968/59A patent/GB916671A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1197178B (de) | 1965-07-22 |
| DE1132404B (de) | 1962-06-28 |
| NL244622A (2) | |
| FR1237641A (fr) | 1960-11-25 |
| GB916671A (en) | 1963-01-23 |
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