CH452710A - Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen EmitterzoneInfo
- Publication number
- CH452710A CH452710A CH1875766A CH1875766A CH452710A CH 452710 A CH452710 A CH 452710A CH 1875766 A CH1875766 A CH 1875766A CH 1875766 A CH1875766 A CH 1875766A CH 452710 A CH452710 A CH 452710A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- manufacturing
- short circuits
- controllable semiconductor
- zone provided
- emitter zone
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
- H10D64/233—Cathode or anode electrodes for thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1875766A CH452710A (de) | 1966-12-29 | 1966-12-29 | Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone |
| DE19671589425 DE1589425A1 (de) | 1966-12-29 | 1967-01-25 | Kontaktierung einer Halbleiterscheibe mit Emitterkurzschluessen |
| DE6606783U DE6606783U (de) | 1966-12-29 | 1967-01-25 | Steuerbares halbleiterventil. |
| US671640A US3506503A (en) | 1966-12-29 | 1967-09-29 | Method of contacting a multishort-circuited emitter zone of pnpn semiconductor structure |
| NL676717646A NL151561B (nl) | 1966-12-29 | 1967-12-24 | Werkwijze voor het vervaardigen van een bestuurbare halfgeleidergelijkrichter, waarvan het emittergebied is kortgesloten met het basisgebied en een bestuurbare halfgeleidergelijkrichter vervaardigd volgens deze werkwijze. |
| SE17856/67A SE350154B (de) | 1966-12-29 | 1967-12-27 | |
| FR1549065D FR1549065A (de) | 1966-12-29 | 1967-12-27 | |
| GB58619/67A GB1206480A (en) | 1966-12-29 | 1967-12-27 | Making contact with a semiconductor device with emitter short-circuits |
| JP42084072A JPS4825819B1 (de) | 1966-12-29 | 1967-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1875766A CH452710A (de) | 1966-12-29 | 1966-12-29 | Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH452710A true CH452710A (de) | 1968-03-15 |
Family
ID=4435109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH1875766A CH452710A (de) | 1966-12-29 | 1966-12-29 | Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3506503A (de) |
| JP (1) | JPS4825819B1 (de) |
| CH (1) | CH452710A (de) |
| DE (2) | DE6606783U (de) |
| FR (1) | FR1549065A (de) |
| GB (1) | GB1206480A (de) |
| NL (1) | NL151561B (de) |
| SE (1) | SE350154B (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2050694B (en) * | 1979-05-07 | 1983-09-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Electrode structure for a semiconductor device |
| FR2617208B1 (fr) * | 1987-06-26 | 1989-10-20 | Inst Textile De France | Procede et materiel d'aiguilletage de mat de verre et produit composite realise a partir dudit mat |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3363308A (en) * | 1962-07-30 | 1968-01-16 | Texas Instruments Inc | Diode contact arrangement |
| US3375143A (en) * | 1964-09-29 | 1968-03-26 | Melpar Inc | Method of making tunnel diode |
| GB1127213A (en) * | 1964-10-12 | 1968-09-18 | Matsushita Electronics Corp | Method for making semiconductor devices |
-
1966
- 1966-12-29 CH CH1875766A patent/CH452710A/de unknown
-
1967
- 1967-01-25 DE DE6606783U patent/DE6606783U/de not_active Expired
- 1967-01-25 DE DE19671589425 patent/DE1589425A1/de active Pending
- 1967-09-29 US US671640A patent/US3506503A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-24 NL NL676717646A patent/NL151561B/xx unknown
- 1967-12-27 FR FR1549065D patent/FR1549065A/fr not_active Expired
- 1967-12-27 GB GB58619/67A patent/GB1206480A/en not_active Expired
- 1967-12-27 SE SE17856/67A patent/SE350154B/xx unknown
- 1967-12-28 JP JP42084072A patent/JPS4825819B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6717646A (de) | 1968-07-01 |
| GB1206480A (en) | 1970-09-23 |
| SE350154B (de) | 1972-10-16 |
| DE6606783U (de) | 1970-12-10 |
| NL151561B (nl) | 1976-11-15 |
| FR1549065A (de) | 1968-12-06 |
| JPS4825819B1 (de) | 1973-08-01 |
| DE1589425A1 (de) | 1970-06-04 |
| US3506503A (en) | 1970-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AT280349B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH513514A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| AT280350B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH533907A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| AT322632B (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleitervorrichtung | |
| CH482306A (de) | Verfahren zur Herstellung einer mit Kontakten versehenen Halbleiter-Anordnung | |
| AT256938B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH395349A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| CH423999A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| CH474856A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH452710A (de) | Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone | |
| CH418466A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH431727A (de) | Verfahren zur Herstellung von mit ohmschen Kontakten versehenen Halbleitervorrichtungen | |
| CH444975A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone | |
| DE1800347B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| DE1639146B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszenten halbleiterdiode mit p-n-uebergang | |
| AT299309B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH470759A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| AT260308B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Mesa | |
| CH474158A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH462338A (de) | Anordnung mit einem lichtempfindlichen Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung | |
| CH468721A (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen | |
| AT262383B (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung | |
| AT271570B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| AT292786B (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung |