CH458300A - Verfahren zur Beeinflussung des Oberflächenprofils von aus der Gasphase abgeschiedenen Halbleiterschichten und Halbleiterscheibe mit derartig hergestellten Halbleiterschichten - Google Patents

Verfahren zur Beeinflussung des Oberflächenprofils von aus der Gasphase abgeschiedenen Halbleiterschichten und Halbleiterscheibe mit derartig hergestellten Halbleiterschichten

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CH458300A
CH458300A CH1172065A CH1172065A CH458300A CH 458300 A CH458300 A CH 458300A CH 1172065 A CH1172065 A CH 1172065A CH 1172065 A CH1172065 A CH 1172065A CH 458300 A CH458300 A CH 458300A
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CH1172065A
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Hermann Dipl Phys Steggewentz
Schlueter Kurt
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Siemens Ag
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
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CH1172065A 1964-08-21 1965-08-20 Verfahren zur Beeinflussung des Oberflächenprofils von aus der Gasphase abgeschiedenen Halbleiterschichten und Halbleiterscheibe mit derartig hergestellten Halbleiterschichten CH458300A (de)

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