CH504103A - Verfahren zum Kontaktieren der Zone einer monolithischen Festkörperschaltung - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren der Zone einer monolithischen Festkörperschaltung

Info

Publication number
CH504103A
CH504103A CH1733669A CH1733669A CH504103A CH 504103 A CH504103 A CH 504103A CH 1733669 A CH1733669 A CH 1733669A CH 1733669 A CH1733669 A CH 1733669A CH 504103 A CH504103 A CH 504103A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
contacting
zone
state circuit
monolithic solid
monolithic
Prior art date
Application number
CH1733669A
Other languages
English (en)
Inventor
Kraft Wolfgang
Original Assignee
Itt
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19681811019 external-priority patent/DE1811019C3/de
Application filed by Itt filed Critical Itt
Publication of CH504103A publication Critical patent/CH504103A/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/611—Combinations of BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/613—Combinations of vertical BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/615—Combinations of vertical BJTs and one or more of resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/021—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]
CH1733669A 1968-11-26 1969-11-21 Verfahren zum Kontaktieren der Zone einer monolithischen Festkörperschaltung CH504103A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19681811019 DE1811019C3 (de) 1968-11-26 Verfahren zum Kontaktieren einer an der Oberfläche einer monolithischen Festkörperschaltung befindlichen Halbleiterzone

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH504103A true CH504103A (de) 1971-02-28

Family

ID=5714381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1733669A CH504103A (de) 1968-11-26 1969-11-21 Verfahren zum Kontaktieren der Zone einer monolithischen Festkörperschaltung

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH504103A (de)
FR (1) FR2024284A1 (de)
GB (1) GB1240256A (de)
NL (1) NL6917817A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58223345A (ja) * 1982-06-21 1983-12-24 Toshiba Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE1811019B2 (de) 1971-01-21
FR2024284A1 (de) 1970-08-28
DE1811019A1 (de) 1970-05-21
NL6917817A (de) 1970-05-28
GB1240256A (en) 1971-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH505473A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
AT293950B (de) Verfahren zum Kommissionieren
CH516227A (de) Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Halbleitervorrichtung
CH485500A (de) Verfahren zum hydromechanischen Ziehen
AT283078B (de) Verfahren zum Nachbehandeln von Phosphatschichten auf Metalloberflächen
CH444542A (de) Verfahren zum Bestimmen der Geschwindigkeit
BG16183A3 (bg) Метод за получаване на адипонитрил
CH506574A (de) Verfahren zum Rauhen der Oberflächen von Polyolefin-Gebilden
BG15753A3 (bg) Метод за получаване на 1-халоген-1-формил-карбонид- фенилхидразони
DE2024349B2 (de) Verfahren zum schmelzen einer abschmelzenden elektrode
CH501314A (de) Verfahren zum Prüfen der Vollständigkeit von Ätzungen
CH513252A (de) Verfahren zum thermischen Auftragen von Schichten
AT265556B (de) Verfahren zum Verbinden der Enden von Faservliesen
AT307514B (de) Verfahren der direkten Kanaleinigung zum Betrieb von adreßcodierten Fernsprechsystemen
CH468721A (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen
DE1640005B2 (de) Verfahren zum anschliessen der zufuehrungen einer modul baugruppe
BG16179A3 (bg) Метод за получаване на нови субституирани фенетилови естери
AT280085B (de) Verfahren zum Läppen von Kugeln
CH537643A (de) Verfahren zum Herstellen einer monolithischen Festkörperschaltung
CH504105A (de) Verfahren zum Herstellen einer Widerstandszone in einer monolithischen Festkörperschaltung
DK125949B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en lynlås.
CH484288A (de) Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen
CH490737A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
CH505765A (de) Verfahren zum Herstellen von Keramikteilen
BG16035A3 (bg) Метод за получаване на хиназолин-2-тиони

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased