CN1448902A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1448902A
CN1448902A CN03108536A CN03108536A CN1448902A CN 1448902 A CN1448902 A CN 1448902A CN 03108536 A CN03108536 A CN 03108536A CN 03108536 A CN03108536 A CN 03108536A CN 1448902 A CN1448902 A CN 1448902A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
display device
layer
tft
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03108536A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100416627C (zh
Inventor
犬饲和隆
濑尾哲史
山崎舜平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1448902A publication Critical patent/CN1448902A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100416627C publication Critical patent/CN100416627C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
    • G09G3/2022—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals using sub-frames
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
    • G09G3/2022—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals using sub-frames
    • G09G3/2029—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals using sub-frames the sub-frames having non-binary weights
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种没有由EL元件中退化而导致的亮度偏差的EL显示设备。该显示设备使用电路控制型像素以控制由EL元件中退化而导致的流经EL元件的电流的变化。该显示设备进一步使用能同时短路或断开三个节点的元件。使用了混合结型EL元件。反向偏压被以规则间隔施加给EL元件。显示设备抑制了由EL元件中退化而导致的亮度的偏差。

Description

显示设备
发明领域
本发明涉及一种显示设备，在其中发光元件被提供于每个像素中。具体而言，本发明涉及一种有源矩阵型显示设备，在其中晶体管被提供给每个像素以控制从发光元件发光。本发明进一步涉及使用该显示设备的电子设备。
发明背景
已经提出一种有源矩阵型显示设备，在其中为每个像素发光元件和晶体管安排以控制从发光元件发光。具体而言，已经注意了将薄膜晶体管(以下被称为TFT)用作晶体管的有源矩阵型显示设备。
发光元件具有第一电极和第二电极，并根据在第一电极和第二电极上流动的电流量而改变其亮度。对于发光元件，已经注意了利用电致发光的元件(被称为EL元件)。已经特别注意了使用EL元件(利用有机物质的EL元件亦被称为有机EL元件或OLED(有机发光二极管)元件(OLE设备，OELD))的显示设备(以下被称为EL显示设备)。
在此，EL元件代表具有阳极、阴极以及阳极和阴极之间所容纳的EL层的元件。阳极和阴极对应于第一电极和第二电极。基于在这些电极上施加电压，电流在电极之间流动。EL元件根据流动的电流量而发光。
EL层可被构造为堆叠层结构。代表性实例可以是由Kodak EastmanCo.的Tang等提出的堆叠层结构“空穴输送层/发光层/电子输送层”。在此，电子输送层是由显示出比空穴迁移率高的电子迁移率(电子输送功能)的材料(以下亦被称为电子输送材料)制成的。发光层是由具有发光特性(发光功能)的材料(以下被称为发光材料)制成的。空穴输送层是由显示出比电子迁移率高的空穴迁移率(空穴输送功能)的材料(以下被称为空穴输送材料)制成的。可进一步采用一种结构，在其中空穴注入层/空穴输送层/发光层/电于输送层、或者空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层被以该顺序堆叠在阳极上。发光层可被掺杂以荧光染色物质。在此，电子注入层是由具有从阴极接收电子的电子注入特性(电子注入功能)的材料(以下被称为电子注入材料)制成的。此外，空穴注入层是由具有从阳极接收空穴的空穴注入特性(空穴注入功能)的材料(以下被称为空穴注入材料)制成的。在阴极和阳极之间形成的层通常均被称为EL层。当从一对电极(阳极和阴极)将预定电压施加给具有以上结构的EL层时，载流子经历EL层中的重新组合而发光。EL元件的阳极和阴极之间所容纳的层通常被描述为EL层。
EL显示设备具有这样的优点如：极佳的响应特征，以低电压操作和提供宽视角，并且作为下一代平板显示器而引起注意。在有源矩阵型EL显示设备中，通过在EL元件的阳极和阴极之间流动预定电流而控制像素中EL元件的亮度的方法被称为电流控制型。
以下所述为电流控制型像素的构造。也就是说，以下所述为电流控制型像素，在其中像素的信号线(源信号线)提供与由视频信号表示的亮度数据线性地对应的电流信号(以下被称为信号电流)。
每个像素都具有接收信号电流作为漏电流的TFT和用于保持TFT栅电压的电容器单元。也就是说，每个像素都具有将流入信号电流转换为电压(栅电压)并维持该电压的功能，而且每个像素都具有将被存储于电容器单元的电压再次转换为电流的功能，并且即使在信号电流不再从源信号线被输入之后，继续使所转换的电流流入EL元件。流入EL元件的电流基于改变被输入源信号线的信号电流而改变，由此EL元件的亮度被控制以表示灰度。
图10示出电流控制型的常规像素及其驱动方法(例如，见专利文献1)。在图10中，像素由EL元件709、选择TFT 704、驱动TFT 707、电流TFT 706、电容器元件(保持电容器)708、保持TFT 705、源信号线S、第一栅信号线G、第二栅信号线GH和电源线W构成(专利文献1：JP-A-2001-147659)。
TFT的源端子或漏端子被称为第一端子，而另一个被称为第二端子。
选择TFT 704的栅电极被连接于第一栅信号线G。选择TFT 704的第一端子被连接于源信号线S，而第二端子被连接于电流TFT 706的第一端子和保持TFT 705的第一端子。电流TFT 706的第二端子被连接于电源线W。保持TFT 705的第二端子被连接于保持电容器708的一个电极和驱动TFT 707的栅电极。保持电容器708在不连接于保持TFT 705的一侧被连接于电源线W。保持TFT 705的栅电极被连接于第二栅信号线GH。驱动TFT 707的第一端子被连接于EL元件709的一个电极709a，而其第二端子被连接于电源线W。EL元件709的另一个电极709b被维持在预定电势。被输入源信号线S的信号电流的值由视频信号输入电流源777控制。EL元件709的电极709a被称为像素电极而另一个电极709b被称为相反电极。
在此，驱动TFT 707和电流TFT 706具有相同的极性，并且认为驱动TFT 707的Id-Vgs特征等效于电流TFT 706的Id-Vgs特征。进一步示出了一个构造的像素，在其中选择TFT 704和保持TFT 705为N沟道TFT，驱动TFT 707和电流TFT 706为P沟道TFT，并且像素电极709a为阳极。
现在将参照图11A-C和12描述如何驱动图10构造的像素。在图11A-C中，选择TFT 704和保持TFT 705被表示为开关以使其开/关状态可容易理解。像素状态(TA1)到(TA3)对应于图12的时序图中的周期TA1到TA3的状态。
在图12中，G-1和G-2表示第一栅信号线G和第二栅信号线GH的电势。此外，|Vgs|为驱动TFT 707的栅电压(栅-源电压)的绝对值。IBL表示流经EL元件709的电流，而Ivideo表示由视频信号输入电流源777确定的电流。
在周期TA1中，选择TFT 704和保持TFT 705由于第一栅信号线G和第二栅信号线GH的信号而被开启。这样，电源线W通过电流TFT706、保持TFT 705和选择TFT 704被连接于源信号线S。由视频信号输入电流源777确定的电流Ivideo流入源信号线S。因此，当假定在经过足够的时间周期之后为稳态时，电流TFT 706的漏电流变为Ivideo。这样，对应于电流TFT 706的漏电流Ivideo的栅电压由保持电容器保持。然后，在周期TA2中，第二栅信号线GH上的信号改变，且保持TFT 705被关闭。漏电流Ivideo流入驱动TFT 707。这样，信号电流Ivideo通过驱动TFT 707的源和漏从电源线W流入EL元件709。EL元件709发射维持对应于信号电流Ivideo的亮度的光。
在图10中所示的构造中，由于以上方法，电流从EL元件709的阳极709a流到阴极709b。当EL元件709发光时，电流TFT 706的第二端子对应于源端子，而第一端子对应于漏端子。此外，驱动TFT 707的第二端子对应于源端子，而第一端子对应于漏端子。
在接下来的周期TA3中，第一栅信号线G上的信号改变，且选择TFT 704被关闭。即使在选择TFT 704被关闭之后，信号电流Ivideo也继续通过驱动TFT 707的源和漏从电源线W流入EL元件709。EL元件709继续发光。
周期TA1到TA3的一系列操作被称为信号电流Ivideo写操作。在此情况下，信号电流Ivideo。以模拟方式被改变，从而改变EL元件709的亮度并表示灰度。
在以上电流控制显示设备中，驱动TFT 707在饱和区操作。在此，驱动TFT 707的漏电流由从源信号线S输入的信号电流而确定。即，如果在相同的像素中，驱动TFT 707和电流TFT 706之间的电流特征相同，则驱动TFT 707自动变化其栅电压以连续流动恒定的漏电流，而不管阈电压和迁移率的偏差。
在EL元件中，在阳极和阴极上流动的电流和在其上的电压之间的关系(I-V特征)依赖于EL元件的使用的环境温度和EL元件的退化(deterioration)而变化。然而，电流控制型像素能维持流入EL元件的电流几乎为恒定，而不管EL元件的使用的环境温度和EL元件的退化。
图9示出经过流入EL元件的电流被维持为恒定的时间时，EL元件退化的变化，并且其中纵坐标表示EL元件的亮度L而横坐标表示时间t。曲线900表示流入EL元件的电流被维持为恒定时的亮度的变化。当时间为t0时，EL元件的亮度L被假定为100％。EL元件经历了依赖于预定电流连续流动的时间的退化。因此，即使在相同的电流在EL元件的阳极和阴极之间流动时，亮度亦降低。
因此，在电流控制型像素中，引起了有关由于EL元件的退化所造成的亮度偏差的问题。
发明概述
因此本发明提供一种显示设备，其能通过降低由源于EL元件退化的电流特征变化而导致的亮度变化，发射维持几乎恒定亮度的光。
本发明的显示设备采用电流控制型像素以抑制由EL元件退化而导致的通过EL元件流动的电流的变化。
例如，电流控制型像素包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间所容纳的EL层；
用于将输入像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置。
在使用以上电流控制型像素时，为了抑制EL元件的退化，至少一种方法与以下三种方法(第一方法到第三方法)中的一种方法组合使用。这样，EL元件的退化以协同方式被降低。
首先，这三种方法将被描述，然后这些方法的组合使用将从使用电流控制型像素的观点被描述。
第一方法是增加像素的数值孔径。像素被设计以拥有大面积(以下被称为发光面积)，EL元件在其上对显示图像做贡献。基于增加发光区域，流入EL元件的电流密度可被降低以产生相同的亮度。在此，EL元件经历与流动的电流密度成比例的退化。因此，通过增加数值孔径以降低用于发光的电流密度，EL元件的退化可被抑制。
为了这个目的，以下两个构造(第一构造和第二构造)之一或两者被使用。第一构造和第二构造将被按顺序描述。
依照第一构造，元件如TFT以小比率占用像素。这是因为在通过由像素拥有的元件如TFT从EL元件发光的类型的显示设备中，由像素拥有的元件如TFT所占用的面积被减小以增加数值孔径。
第一构造使用能将如下所述的同时短路或断开每个像素中三个或更多节点的开关元件。在此，多个节点被短路的状态表示使得该多个节点中任何两个节点之间被电连接的状态。此外，多个节点被断开的状态表示该多个节点中任何两个节点之间没有电连接的状态。
第一构造的开关元件将被更详细地描述。开关元件包括在绝缘表面上由半导体薄膜形成的有源层、与有源层接触的绝缘膜以及通过绝缘膜在有源层上重叠的栅电极，并且有源层包括至少一个沟道形成区和数量为n(n为不小于3的自然数)的杂质区(杂质元素被添加的区域)。在数量为n的杂质区中，数量为m(m为不小于3但不大于n的自然数)的杂质区与不同的连接电极接触。数量为n的杂质区与沟道形成区接触。
数量为n的杂质区可拥有包含比它们自己和沟道形成区之间的杂质区的杂质浓度低的杂质的区域(以下被称为低浓度杂质区)。
在此，在数量为m的杂质区中，任何两个杂质区仅通过沟道形成区在有源层中被连接在一起。或者，在数量为m的杂质区中，任何两个杂质区仅通过低浓度杂质区被连接于沟道区。或者，在数量为m的杂质区中，任何两个杂质区通过数量为n的杂质区中除了数量为m的杂质区的杂质区被连接于沟道区。或者，在数量为m的杂质区中，任何两个杂质区通过低浓度杂质区并通过数量为n的杂质区中除了数量为m的杂质区的杂质区被连接于沟道区。
由此构造的开关元件(以下称为多漏元件)能依赖于栅电极处的电势而选择在沟道形成区形成沟道的情况和没有沟道被形成的情况。这样，允许选择在被连接于数量为m的杂质区的连接电极中使得任何两个连接电极导通的情况和使得它们不导通的情况。这样，所有连接电极可被同时短路或断开。现在可通过仅使用一个如上所述构造的开关元件(多漏极元件)来实现短路或断开三个或更多节点的操作，尽管迄今为止它是使用多个TFT而完成的。
这样，有可能减小由元件(开关元件)占用的像素面积。
依照第二构造，当发射不同颜色光的EL元件在像素部分上安排很受限时，对应于所发射光颜色的EL元件的EL层边界被以重叠方式安排。例如，发射第一颜色光的EL元件的EL层(第一EL层)和发射第二颜色光的EL元件的EL层(第二EL层)被安排以使其末端相互重叠。在此，在常规EL显示设备中，边界是通过由绝缘体形成的围堤(bank)而设置的，并且对应于所发射光颜色的EL元件的EL层被分为不同的颜色。另一方面，依照本发明的第二构造，对应于所发射光颜色的EL元件的EL层边界被安排相互重叠以消除用于分为不同颜色的围堤。由于围堤被省略，EL元件对显示图像做贡献的面积可被增加。
第二构造不局限于使得图像能通过由像素拥有的元件如TFT被观察的类型的显示设备。也就是说，第二构造可被应用于使得图像能从衬底的相反侧被观察的类型的显示设备，由像素拥有的元件如TFT在所述衬底上被形成。
在以上描述了增加像素的数值孔径并降低流入EL元件的电流密度以获得相同亮度的第一方法。接下来，以下所述为第二方法。
第二方法采用被安排于像素中退化很少的EL元件。现在将描述EL元件的构造。
形成EL元件的EL层不是以堆叠层结构被构造的，即由空穴注入材料制成的空穴注入层、由空穴输送材料制成的空穴输送层、由发光材料制成的发光层、由电子输送材料制成的电子输送层以及由电子注入材料制成的电子注入层，其彼此可被清楚地区分。相反，形成EL元件的EL层是由以下被称为混合结型EL元件的多个材料如空穴注入材料、空穴输送材料、发光材料、电子输送材料和电子注入材料的混合物的层(混合层：混合区)制成的。在此，空穴注入材料、空穴输送材料、发光材料、电子输送材料和电子注入材料被称为具有不同功能的功能材料。
例如，EL元件的EL层由第一功能材料被添加于其的第一区、具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料被添加于其的第二区以及第一功能材料和第二功能材料均被添加于其的混合区构成。
以上构造可能不具有仅第一功能材料被添加于其的区域(第一区)，但可以是浓度的比在第一功能材料和第二功能材料的混合区中变化(具有浓度梯度)。或者，以上构造可能既不具有仅第一功能材料被添加于其的区域(第一区)也不具有仅第二功能材料被添加于其的区域(第二区)，但可以是浓度的比在第一功能材料和第二功能材料的混合区中变化(具有浓度梯度)。浓度比可进一步依赖于从阳极到阴极的距离而变化。此外，浓度比可连续变化。浓度梯度的方式可被自由设置。
在具有明确的堆叠层结构的EL元件中，引起了有关以下的问题：由具有不同功能的材料构造的层的界面上电荷的积累。在层界面上电荷的积累是缩短EL元件寿命的重要原因。另一方面，在混合结型EL元件中，不存在明确的层界面，并且电荷积累得较少。这样，混合结型EL元件的特点是延长了寿命。驱动电压亦可被降低。
此外，金属材料可被添加给与EL元件的电极接触的部分的EL层。这个构造的EL元件亦被称为混合结型EL元件。以上构造提高了通过电极注入载流子的效率，而防止了EL元件的电极被氧化。这样，混合结型EL元件的特点是延长了寿命。驱动电压亦可被降低。
在此，EL元件的EL层不局限于由有机材料制成的那些。EL层可由无机材料制成。或者，EL层可由有机材料和无机材料两者制成。
由于本发明的以上构造，提供了一种显示设备，能发射维持几乎恒定亮度的光，而降低由源于EL元件退化的电流特征变化而导致的亮度变化。
在以上描述了第二方法。接下来，将描述第三方法。第三方法抑制EL元件的退化。依照该方法，反向偏压被以规则间隔施加给EL元件。这样，EL元件被抑制了退化。
在以上描述了第一方法到第三方法。这些方法在抑制EL元件退化上是有效的。接下来，以下所述为与电流控制型像素组合的这些方法的使用。
首先，以下所述为与电流控制型像素组合而使用第一方法(第一构造或第二构造)的情况。
例如，第一构造可被用于与电流控制型像素组合。以下所述为其构造。
显示设备包括：
多个像素和多个信号线，其被输入电流信号；
多个像素的每个都具有多漏极元件、第一TFT、电容器元件、发射维持与电流信号对应的亮度的光的EL元件、以及与EL元件串联连接的第二TFT；
多漏极元件具有在绝缘表面上由半导体薄膜形成的有源层、与有源层接触的绝缘膜、以及通过绝缘膜在有源层上重叠的栅电极；
有源层具有至少一个沟道形成区和数量为n(n为不小于3的自然数)的杂质区；
在数量为n的杂质区中，数量为m(m为不小于3但不大于n的自然数)的杂质区与不同的连接电极接触；
数量为n的杂质区与沟道形成区接触；并且
在数量为m的杂质区中，任何两个杂质区仅通过沟道形成区在有源层中被连接在一起；其中，
第二TFT的栅电极被连接于第一TFT的栅电极；
电容器元件的一个电极被连接于第一TFT的栅电极；并且
第一TFT的第一端子、第一TFT的栅电极以及多个信号线之一被连接于不同的连接电极。
显示设备包括：
多个像素和多个信号线，其被输入电流信号；
多个像素的每个都具有多漏极元件、第一TFT、电容器元件、发射维持与电流信号对应的亮度的光的EL元件、以及与EL元件串联连接的第二TFT；
多漏极元件具有在绝缘表面上由半导体薄膜形成的有源层、与有源层接触的绝缘膜、以及通过绝缘膜在有源层上重叠的栅电极；
有源层具有至少一个沟道形成区和数量为n(n为不小于3的自然数)的杂质区；
在数量为n的杂质区中，数量为m(m为不小于3但不大于n的自然数)的杂质区与不同的连接电极接触；
数量为n的杂质区具有包含比它们自己和沟道形成区之间的杂质区的杂质浓度低的低浓度杂质区；并且
在数量为m的杂质区中，任何两个杂质区仅通过低浓度杂质区和沟道形成区在有源层中被连接在一起；其中，
第二TFT的栅电极被连接于第一TFT的栅电极；
电容器元件的一个电极被连接于第一TFT的栅电极；并且
第一TFT的第一端子、第一TFT的栅电极以及多个信号线之一被连接于不同的连接电极。
在此，显示设备可以是第二TFT的第一端子被连接于EL元件的一个电极，而第一TFT的第二端子和第二TFT的第二端子被连接于相同的线路。
由此允许增加电流控制型像素中的数值孔径并抑制EL元件的退化。
当第一构造与电流控制型像素组合时，此外还允许组合使用第二构造。以下所述为其构造。
所述多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素，并且第一像素EL元件的EL层的末端被形成为重叠在第二像素EL元件的EL层的末端上。
由此允许进一步增加电流控制型像素中的数值孔径并进一步抑制EL元件的退化。
当电流控制型像素与第一构造和第二构造之一或两者组合时，可进一步组合第二方法。以下所述为其构造。
EL元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，并且EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
这使得有可能进一步抑制EL元件的退化。
当电流控制型像素与第一构造、第二构造和第二方法的任何之一或多个组合时，则可进一步组合第三方法。也就是说，以上构造包括用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
这进一步抑制了EL元件的退化。
接下来，以下所述为电流控制型像素与第二构造组合的构造。
显示设备包括：
多个像素；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，以及
用于将在EL元件的第一电极和第二电极上流动的电流设为恒定的装置；
多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素；并且
第一像素中EL元件的EL层的末端在第二像素中EL元件的EL层的末端上被重叠。
显示设备包括：
多个像素和多个信号线，其被输入电流信号；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，
用于将从多个信号线被输入到多个像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置；
多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素；并且
第一像素中EL元件的EL层的末端在第二像素中EL元件的EL层的末端上被重叠。
由此允许增加电流控制型像素中的数值孔径并抑制EL元件的退化。
当电流控制型像素与第二构造组合时，则可进一步组合第二方法。以下所述为其构造。
EL元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，并且EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其。
这进一步抑制了EL元件的退化。
当电流控制型像素与第一方法和第二方法中的第二构造之一或两者组合时，允许进一步组合第三方法。也就是说，以上构造具有用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
这进一步抑制了EL元件的退化。
此外，电流控制型像素可与第二方法组合。以下所述为其构造。
显示设备包括：
多个像素；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层；以及
用于将在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的电流设为恒定的装置；
EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
显示设备包括：
多个像素和多个信号线，其被输入电流信号；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，
用于将从多个信号线被输入到多个像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置；
EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
通过使用被抑制退化的EL元件，使得获得了抑制其亮度偏差的显示设备。
当电流控制型像素与第二方法组合时，允许进一步组合第三方法。也就是说，以上构造拥有用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
这进一步抑制了EL元件的退化。
电流控制型像素可进一步与第三方法组合。
显示设备包括：
多个像素；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层；以及
用于将在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的电流设为恒定的装置；
EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极，而另一个为阴极；并且进一步包括：
用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
显示设备包括：
多个像素和多个信号线，其被输入电流信号；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，
用于将从多个信号线被输入到多个像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置；
EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极，而另一个为阴极；并且进一步包括：
用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
这进一步抑制了EL元件的退化。
EL元件的EL层可由高分子材料(聚合体)、低分子材料或中等分子材料制成。或者，这些材料可被组合使用。中等分子材料是不升华并具有不大于约20的聚合度的材料。EL元件可以是利用源自单重激子的光(荧光)的发射或利用源自三重激子的光(磷光)的发射。
以上构造使得有可能提供一种显示设备，能发射维持几乎恒定亮度的光，而降低由源于EL元件中退化的电流特征变化而导致的亮度变化。
附图简述
图1A和图1B为示出本发明显示设备中像素构造的图；
图2A-D为示出由本发明显示设备中像素所拥有的多漏极元件的构造的图；
图3为示出本发明显示设备中像素单元构造的图；
图4A和图4B为示出如何驱动本发明显示设备的时序图；
图5为示出本发明显示设备中像素构造的图；
图6为示出本发明显示设备中像素单元构造的图；
图7A和图7B为示出如何驱动本发明显示设备的时序图；
图8A和图8B为示出本发明显示设备中像素构造的图；
图9为示出EL元件中的退化的图；
图10为示出电流控制型像素的构造的图；
图11A-C为示出如何驱动电流控制型像素的图；
图12为示出如何驱动本发明显示设备的时序图；
图13A-D为示出由本发明显示设备中像素所拥有的多漏极元件的构造的图；
图14A-D示意性地示出本发明显示设备中EL元件构造的图；
图15为示意性地示出本发明显示设备中EL元件构造的图；
图16为示出本发明显示设备中像素单元构造的截面图；
图17A-C为示出本发明显示设备中像素构造的图；
图18A-C为示出本发明显示设备中像素构造的图；
图19A和图19B为示出本发明显示设备中像素构造的图；
图20A和图20B为示出本发明显示设备中像素构造的图；以及
图21A-21D为示出由本发明显示设备中像素所拥有的多漏极元件的构造的图。
优选实施例描述
(实施例1)
实施例1涉及多漏极元件的构造和使用多漏极元件的本发明显示设备中像素的构造。图1A示出使用本发明多漏极元件的像素的构造。在图1A中，与图10中所示常规像素构造相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。图1A示出了驱动TFT 707和电流TFT 706为p沟道并且像素电极为阳极的情况。
图1A采用多漏极元件101以取代图10中所使用的选择TFT 704和保持TFT 705。图1A中的多漏极元件101的端子将参照图1B来描述。多漏极元件101具有端子T0和端子T1到T3。
根据被输入到端子T0的信号电势，多漏极元件101选择端子T1到T3(在端子T1和端子T2之间，在端子T2和端子T3之间，在端子T1和端子T3之间)被断开的状态或它们被闭合的状态。图1B通过使用符号示出了能根据被输入到端子T0的信号电势来选择端子T1到T3被断开的状态或它们被闭合的状态的多漏极元件。
返回图1A，多漏极元件101的端子T0被连接于栅信号线G。电流TFT 706的栅电极通过多漏极元件101的端子T2和T3被连接于电流TFT 706的第一端子。此外，电流TFT 706的第一端子通过多漏极元件101的端子T3和T1被连接于信号线S。
在图1A中，电流TFT 706的第二端子和驱动TFT 707的第二端子被连接于电源线W。然而，本发明的像素构造决不仅仅局限于此。通常，电流TFT 706的第二端子和驱动TFT 707的第二端子可被构造以使当漏电流流到此的时候有相同的电势。
此外，在保持电容708的两个电极之间，未被连接于驱动TFT 707栅电极的一侧上的电极被连接于电源线W。然而，本发明的像素构造决不仅仅局限于此。通常，在保持电容708的两个电极之间，未被连接于驱动TFT 707栅电极的一侧上的电极可被构造以在电流流入电流TFT706或驱动TFT 707时维持与相应TFT的第二端子处的电势相等的电势。
不象图1A-B，当EL元件的像素电极为阴极时并且当EL元件发光时，理想的是像素以被固定的电流TFT 706和驱动TFT 707源端子处的电势来操作。因此，理想的是使用N沟道TFT作为电流TFT 706和驱动TFT 707。
在此，图2A-D示出了制造图1A-B的多漏极元件101的实例。
首先，图2A示出多漏极元件的符号。图2B为在图2A中所示多漏极元件被制造时的顶视图。图2C为沿图2B中的线A-A’的截面图。图2D为沿图2B中的线B-B’的截面图。在图2B中，多漏极元件101具有有源层201、电极220和连接电极221到223。在图2C和2D中，在具有绝缘表面的衬底200上形成的有源层201包括给予相同导电类型的杂质被添加于其的杂质区203a到203c、以及沟道区204。电极220通过栅绝缘膜205在沟道形成区204上被重叠。连接电极221到223被形成于在电极220上形成的绝缘膜206上，并且通过接触孔202a到202c被电连接于杂质区203a到203c。电极220对应于图2A中的端子T0。此外，连接电极221对应于端子T1，连接电极222对应于端子T2，而连接电极223对应于端子T3。
此外，连接电极221可对应于端子T2，连接电极222可对应于端子T3，而连接电极223可对应于端子T1。或者，连接电极221可对应于端子T3，连接电极222可对应于端子T1，而连接电极223可对应于端子T2。
杂质区203a到203c与沟道形成区204接触。在本实施例中，杂质区都是与沟道形成区204接触，但本发明决不仅仅局限于此。具有比杂质区203a到203c低的杂质浓度的低浓度杂质区(LDD区)可被提供于杂质区203a到203c和沟道形成区204之间。
在图2C和2D中，栅绝缘膜205覆盖杂质区203a到203c，但本发明决不仅仅局限于此。杂质区203a到203c不必要用栅绝缘膜205覆盖，而可以是暴露的。
多漏极元件101可通过与制造一般TFT相同的过程来制造。在图2C和2D中，本发明多漏极元件101的电极220可由与已知TFT栅电极相同的材料制成。此外，沟道形成区204和杂质区203a到203c能以与常规TFT相同的方式在有源层201中被形成。
在此，覆盖有源层201的电极220的部分亦被称为多漏极元件的栅电极。多漏极端子的端子T1到T3被连接于其的杂质区203a到203c被称为源区或漏区。此外，多漏极元件的端子T1到T3亦被称为源端子或漏端子。
依赖于被施加给电极(栅电极)220的电势，图2A-D中所示的多漏极元件101改变其在沟道形成区204中形成的沟道并且为其在端子T1到T3中(对应于源端子和漏端子之间)的电阻控制。也就是说，由于栅电极220处的电势，沟道被形成于沟道形成区中，并且源端子和漏端子之间的通路被变得导通。
例如，在图2A-D中，给予N型的杂质元素被添加给多漏极元件101中的杂质区203a到203c。在此情况下，栅电极T0处的电势被设置为比对应于杂质区203a到203c的任何一个或两个的源区中的电势足够高。这样，端子T1到端子T3可被短路。由此构成的多漏极元件101被称为N沟道多漏极元件。
另一方面，在图2A-D中，给予P型的杂质元素被添加给多漏极元件101中的杂质区203a到203c。在此情况下，栅电极T0处的电势被设置为比对应于杂质区203a到203c的任何一个或两个的源区中的电势足够低。这样，端子T1到端子T3可被短路。由此构成的多漏极元件101被称为P沟道多漏极元件。
开关元件(多漏极元件)不局限于以有源层、绝缘膜和栅电极该顺序被形成于在衬底上形成的绝缘表面上的构造。所述构造可以是以栅电极、绝缘膜和有源层该顺序被形成于在衬底上形成的绝缘表面上。此外，多漏极元件的栅电极可分别通过绝缘膜在有源层的上侧和下侧被形成。
这样，图2A-D的多漏极元件101能同时连接三个节点，或具体而言，同时连接端子T1到T3。
通过使用由此构成的多漏极元件101，允许抑制像素中开关元件占用的面积并因此增加像素的数值孔径。
如图1A-B所示构造的像素通过与用图12时序图示出的常规方法相同的方法来驱动。然而，在此，图10中所示像素构造中的第一栅信号线G和第二栅信号线GH被共享为图1A-B中所示本发明像素构造中的栅信号线G。这样，在周期TA1期间，多漏极元件101的端子T1到T3由于栅信号线G的信号而被短路。然而，在周期TA2结束之后，多漏极元件的端子T1到T3由于栅信号线G的信号而被断开。这样，EL元件709在每个像素中发光以显示图像。
在图1A-B中所示的构造中，由于以上方法，电流从EL元件709的阳极709a流到阴极709b，并且当EL元件709发光时，电流TFT 706的第二端子对应于源端子，而其第一端子对应于漏端子。此外，驱动TFT 707的第二端子对应于源端子，而第一端子对应于漏端子。
一对电流TFT 706和驱动TFT 707构成了电流镜面电路。因此，这两个TFT必须具有相同的极性。进一步要求这两个TFT在相同的像素内具有相等的特性。TFT具有相等特性表示TFT具有相同阈电压、相同迁移率等。
在此，亦有可能通过改变相对于电流TFT 706的栅长和栅宽比的驱动TFT 707的栅长和栅宽比，从而改变被输入源信号线的电流和流入EL元件的电流的比。
在图1A-B中，多漏极元件101为N沟道型构造。然而，在此，图1的多漏极元件可以是N沟道型或P沟道型。然而，如在图1A-B中所示的像素构造中，当EL元件709的像素电极为阳极时，理想的是多漏极元件101的源端子被确定为当EL元件发光时的一个类型。因此，理想的是使用N沟道型多漏极元件101。
作为灰度显示方法，可采用模拟灰度系统，其通过接收具有模拟电流值的信号电流来表示灰度。亦允许使用数字灰度系统，其通过接收具有数字电流值的信号电流来表示灰度。数字灰度系统可以是通过控制像素中EL元件发光的周期来表示灰度的时间灰度系统或通过控制像素中发光部分的面积来表示灰度的面积灰度系统。
作为时间灰度系统，例如可使用时分灰度系统。时分灰度系统可以是：在其中一个帧周期被划分为多个子帧，并且在每个子帧周期中，数字信号电流被输入到像素，因此根据EL元件在一个帧周期中已发光的子帧周期的积累长度，像素中的EL元件可发射或不发射维持几乎恒定亮度的光以由此表示灰度。一个帧周期表示用于显示一个图像的周期。
以下所示为本发明的显示设备由时分灰度系统来驱动的情况。为了说明，图3示出具有图1A-B中所示构造的像素的像素单元的电路图。与图1A-B相同的部分用相同的参考数字来表示。在图3中，像素单元包括x列和y行的像素。通常，第i(i为不大于x的自然数)列和第j(j为不大于y的自然数)行的像素的源信号线S由Si表示，其栅信号线G由Gj表示，而其电源线W由Wi表示。在此，在像素单元中，电源线W可由不同列的像素来共享。
当由时分方法驱动时，现在将参照图4A-B中所示时序图来描述图3中所示构造的像素单元。在图4A和4B中，相同的部分由相同的符号来表示。在此，在图4B中，G1到Gy表示被输入到栅信号线G1到Gy的信号的电势。
一个帧周期F1被划分为多个子帧周期SF1到SFn(n为自然数)。在第一子帧周期SF1中，第一行的栅信号线G1被首先选择。在此，选择栅信号线表示信号电势被输入到栅信号线以短路多漏极元件101的端子T1到T3，多漏极元件在其栅电极处被连接于栅信号线。这样，在其端子T0处被连接于栅信号线G1的多漏极元件101被置于其端子T1到T3被短路的状态。
然后，数字信号电流被输入到源信号线S1到Sx。在对应于信号电流被输入其的源信号线的像素中，信号电流通过多漏极元件101在电流TFT 706的第一端子和第二端子之间(对应于源和漏之间)流动。在此，电流TFT 706的栅电极和第一端子通过多漏极元件101被电连接在一起。在经过足够的时间周期之后，驱动TFT 707允许预定电流流入EL元件709。响应于输入信号电流而发光的像素EL元件的操作与实施例1相同，并且在此不再被描述。这样，根据信号电流是否输入到源信号线S1到Sx，选择第一行像素发光或不发光的状态。在第一行像素中，当驱动TFT 707用来流动恒定电流的电荷由已被选择为发光的像素中的保持电容器708来保持时，则栅信号线G1的信号变化以呈现非选择的状态。这样，多漏极元件101的端子T1到T3被断开。
在发光状态已被选择的像素中，在保持电容器708中保持电荷以使驱动TFT 707流动恒定电流的操作被称为像素的写操作。
一旦栅信号线G1被置于非选择状态，则第二行的栅信号线G2被选择，由此在其栅电极(端子T0)处被连接于栅信号线G2的多漏极元件101在其端子T1到T3处被短路。之后，数字信号电流被输入到源信号线S1到Sx。以下操作与第一行的像素相同。
对所有栅信号线G1到Gy进行相同的操作。选择所有栅信号线G1到Gy的周期被表示为寻址周期Ta。对应于第m(m为不大于n的自然数)个子帧周期SFm的寻址周期被表示为Tam。
已完成写操作的像素行被置于发光或不发光的状态。此外，依赖于所写信号像素行而发光或不发光的周期被表示为显示周期Ts。在相同的子帧周期中，像素行的显示周期Ts都具有相同的长度，尽管其时序不同。对应于第m(m为不大于n的自然数)个子帧周期SFm的显示周期被表示为Tsm。
在此，由于写操作不能为不同像素行而被同时执行，显示周期Ts被设置为比寻址周期Ta长。第二子帧周期SF2在预定长度的显示周期Ts1之后开始。即使对第二子帧周期SF2直到第n个子帧周期SFn，与第一子帧周期SF1相同的操作被进行以完成一个帧周期F。在此，子帧周期SF1到SFn中的寻址周期Ta1到Tan都具有相同的长度。
显示设备如上所述被操作，并且子帧周期SF1到SFn的寻址周期Ta1到Tan的长度被适当设置以表示灰度。
在此，本发明不局限于通过以与一个帧周期中视频信号位数相同的数量提供子帧周期来表示灰度的方法。例如，可在一个帧周期中提供多个子帧周期，为其根据对应于视频信号给定位的信号选择发光或不发光的状态。也就是说，对应于一个位的显示周期由多个子帧周期的积累显示周期来表示。具体而言，对应于视频信号上位的显示周期由多个子帧周期的积累显示周期来表示，而这些子帧周期被变得以离散方式出现以抑制伪轮廓的出现。
如何设置子帧周期的显示周期Ts的长度不仅仅局限于以上方法，而是可通过任何已知方法来实现。此外，在图7A-B中，尽管第一子帧周期SF1到第n个子帧周期SFn被设置为连续出现，本发明决不仅仅局限于此。子帧周期出现的顺序可被任意设置。
不仅通过时分灰度系统，灰度甚至亦可通过面积灰度系统或通过时间灰度系统和面积灰度系统的组合来表示。
依照如上所述的实施例1，图像由具有图1A-B和3中所示构造的像素的显示设备来显示。
(实施例2)
实施例2涉及不同于实施例1的构造的像素。图5示出本实施例的像素构造。与图1A-B相同的部分由相同的参考数字来表示，但在此不再被描述。图5中所示构造的像素被提供有与保持电容器708并联的擦除TFT 501。擦除TFT 501和保持电容器708不必要被并联连接。当被变得导通时，擦除TFT 501可被连接以使保持电容器708的两个电极处的电势几乎相等。由于以上构造，由保持电容器708保持的电荷可通过使擦除TFT 501导通来放电。这样，驱动TFT 707被变得不导通。在驱动TFT 707被变得不导通的像素中，EL元件709不发光。
在此，擦除TFT 501的栅电极被连接于与栅信号线G不同的线，即擦除栅信号线RG。由于被输入到擦除栅信号线RG的信号，擦除TFT501的导通/不导通状态被改变过来。因此，当视频信号(信号电流)被输入到给定行的像素时，不同行的像素可被置于不发光的状态。
图6为具有如图5中所示被构造的像素的像素单元的电路图。与图5相同的部分由相同的参考数字来表示，但不重复描述它们。在图6中，像素单元包括x列和y行的像素。通常，第i(i为不大于x的自然数)列和第j(j为不大于y的自然数)行的像素的源信号线S由Si表示，其栅信号线G由Gj表示，擦除栅信号线RG由RGj表示，而其电源线W由Wi表示。
当由时分方法驱动时，图6中所示构造的像素单元现在将参照图7A-B中所示的时序图来描述。在图7A和7B中，相同的部分由相同的符号来表示。在此，在图7B中，G1到Gy表示被输入到栅信号线G1到Gy的信号的电势。此外，RG1到RGy表示被输入到擦除栅信号线RG1到RGy的信号的电势。
在图5和6中，多漏极元件101为N沟道型。然而，在此，多漏极元件可以是N沟道型或P沟道型。然而，如在图5和6中所示的像素构造中，当EL元件709的像素电极为阳极时，理想的是多漏极元件101的源端子以被确定为当EL元件发光时的一个类型来操作。因此，理想的是使用N沟道型多漏极元件101。此外，在图5和6中，尽管擦除TFT 501为N沟道TFT，该设备决不仅仅局限于此。擦除TFT 501简单地作为开关而操作并可因此为N沟道TFT或P沟道TFT。
子帧周期SF1到SFn中显示周期Ts和寻址周期Ta的基本操作与参照图4A-B的时序图所述的实施例1的操作相同。
由于视频信号(信号电流)不能被同时写给多个行的像素，子帧周期SF1到SFn的寻址周期Ta被设置以使将不相互重叠。因此，在实施例1中，显示周期Ts不能被设置为比寻址周期Ta短。然而，如果图5和6中所示构造的像素被用于实施例2，则显示周期Ts可被设置为比寻址周期Ta短。
现在假定从第一子帧周期SF1直到第(k-1)(k为不大于n的自然数)个子帧周期SFk-1的显示周期Ts被设置为比寻址周期Ta长。此时的驱动方法与参照图4A-B的时序图所示的实施例1的操作相同。在此，每个像素中的擦除TFT 501总是不导通的。
以下详述为显示周期Ts被设置为比寻址周期Ta短的从第k个子帧周期SFk直到第n个子帧周期SFn驱动显示设备的方法。
第k个子帧周期SFk中寻址周期Tak的操作方法与从第一子帧周期SF1到第(k-1)个子帧周期SFk-1的相同。然而，在此，正在执行写操作的像素行中的擦除TFT 501是不导通的。在预定长度的显示周期Tsk之后，擦除栅信号线RG1到RGy被连续选择，擦除TFT 501在每个像素行中被连续使得导通，并且像素行被连续置于不发光的状态。所有像素的擦除TFT 501被变得导通的周期由复位周期Tr表示。具体而言，对应于第p(p为不小于k而不大于n的自然数)个子帧周期SFp的复位周期由Trp表示。这样，在信号电流被输入到给定行像素的同时，另一行的像素可被置于不发光的状态。这样，显示周期Ts的长度可被自由控制。
在此，寻址周期Tap的长度被设置为与复位周期Trp的长度相同。也就是说，在写视频信号时连续选择行的速率与连续将像素行置于不发光的状态的速率相同。因此，在相同的子帧周期中，像素行的显示周期Ts都具有相同的长度，尽管它们的开始时序不同。
通过使像素行中的擦除TFT 50改变而在一个时间将像素行置于不发光状态的周期是由非显示周期Tus表示的。在相同的子帧周期中，像素行的非显示周期Tus具有不同的时序但都具有相同的长度。具体而言，对应于第p个子帧周期SFp的非显示周期由Tusp表示。
在预定长度的非显示周期Tusk之后，第(k+1)个子帧周期SFk+1开始。与第k个子帧周期SFk相同的操作对第(k+1)个子帧周期SFk+1到第n个子帧周期SFn进行重复以完成一个帧周期F1。
显示设备如以上所述操作，并且显示周期TS1到TSn在子帧周期SF1到SFn中被适当确定以表示灰度。子帧周期中显示周期Ts的长度以与实施例1中相同的方式被设置。
实施例2已涉及以下驱动方法：仅在显示周期Ts被设置为比寻址周期Ta短的子帧周期中设置复位周期Tr和非显示周期Tus。然而，本发明决不仅仅局限于此。驱动方法可以是在显示周期Ts被设置为比寻址周期Ta长的子帧周期中设置复位周期Tr和非显示周期Tus。
图5和6已示出基于使擦除TFT 501导通而使保持电容器708的电荷被放电的构造。然而，本发明亦决不仅仅局限于此。构造可以是擦除TFT 501被变得导通以增加或减少被连接于驱动TFT 707的栅电极的一侧的保持电容器708的电势，从而驱动TFT 707被变得不导通。也就是说，构造可以是：驱动TFT 707的栅电极通过擦除TFT 501被连接于使得驱动TFT 707不导通的电势的信号被输入的线路。
取代以上擦除TFT 501被变得导通以改变被连接于驱动TFT 707的栅电极的一侧的保持电容器708的电势的类型的构造，构造可以是擦除TFT 502被与驱动TFT 707串联安排并且非显示周期通过使擦除TFT不导通而获得。
进一步有可能不使用擦除TFT而同时将像素置于不发光的状态，即形成非显示周期，而不管栅信号线上的信号或源信号线上的信号(视频信号)。
例如，有一种方法是：通过升高或降低在不被连接于驱动TFT 707的栅电极的一侧保持电容器708的两个电极之一的电势，使驱动TFT707不导通。当驱动TFT 707为P沟道型时，在不被连接于驱动TFT 707的栅电极的一侧的保持电容器708的电势被升高。由于由保持电容器708保持的电荷保持恒定，保持电容器708的另一个电势增加以使驱动TFT 707不导通。这样，非显示周期Tus被形成。
作为另一种方法，所有像素中EL元件709的相反电极的电势被同时改变以将所有像素中EL元件709的发光/不发光状态同时改变过来。依照该方法，在子帧周期中的每个寻址周期Ta中，相反电极的电势被维持为几乎与电源线W的电势相同。当寻址周期Ta结束时，相反电极的电势改变以拥有相对于电源线W的预定电势差。此时，电流通过驱动TFT 707从电源线W流入选择发光状态的像素中的EL元件709以发光。由此显示周期Ts开始。显示周期Ts的时序在所有像素中是相同的。在预定长度的显示周期Ts之后，EL元件709的相反电极的电势以与电源线W的电势相同的方式被再次改变以同时将所有像素置于不发光的状态。非显示周期Tus由此被形成。非显示周期Tus的时序在所有像素中是相同的。
(实施例3)
本实施例涉及与实施例1和2中像素不同的构造的像素。图8A和8B示出依照实施例3的像素的构造。在图8A和8B中，与图1A-B和5相同的部分由相同的参考数字来表示，但不重复其描述。在图8A和8B中，像素中的驱动TFT 707和电流TFT 706为P沟道晶体管，而像素电极为阳极。
在图8A和8B中，电流TFT 706的第一端子、驱动TFT 707的栅电极以及源信号线S被连接于多漏极元件101的不同端子T1到T3之一。此外，电流TFT 706的第一端子被连接于栅电极，而电流TFT 706的第二端子被连接于电源线W。驱动TFT 707的第一端子被连接于EL元件709的一个电极(阳极)，而驱动TFT 707的第二端子被连接于电源线W。保持电容器708的一个电极被连接于驱动TFT 707的栅电极，而其另一个电极被连接于电源线W。此外，在图8B中，提供了擦除TFT 501。擦除TFT 501的第一端子被连接于电源线W，而擦除TFT501的第二端子被连接于保持电容器708的一个电极。
在图8A和8B中，电流TFT 706的第二端子和驱动TFT 707的第二端子被连接于电源线W，然而本发明的像素构造决不仅仅局限于此。通常，电流TFT 706的第二端子和驱动TFT 707的第二端子被构造以使漏电流流动向其时有相同的电势。
此外，在未连接于驱动TFT 707栅电极的一侧的保持电容器708的两个电极之一被连接于电源线W，然而本发明的像素构造决不仅仅局限于此。通常，在保持电容器708的两个电极之间，未连接于驱动TFT707栅电极的一侧的电极可被构造以使在电流流入电流TFT 706或驱动TFT 707时有与电流TFT 706和驱动TFT 707的第二端子处的电势相等的电势。
此外，在图8B中，擦除TFT 501的第一端子可被连接于与电源线W不同的线路。此外，擦除TFT 501可被与驱动TFT 707串联连接。
此外，不象图8，当EL元件的像素电极为阴极时，理想的是在EL元件发光时电流TFT 706和驱动TFT 707的源电极处的电势被固定。因此，理想的是使用N沟道TFT作为电流TFT 706和驱动TFT 707。
驱动方法与实施例1和2中所示的方法相同，并且在此不被重复。
(实施例4)
本实施例涉及使用与实施例1中所述多漏极元件不同构造的多漏极元件的像素。描述参考图20A-B和21A-D。在图20A-B中，与图8A-B相同的部分由相同的参考数字来表示，但不重复其描述。图20A-B采用与图8A-B不同的多漏极元件8101。响应于输入到栅信号线G的信号，多漏极端子8101将电流TFT 706和驱动TFT 707的栅电极以及电流TFT 706的第一端子连接于信号线S。保持电容器8708的一个电极被连接于电流TFT 706的栅电极。保持电容器8708的另一个电极被连接于电源线W。与图20A形成对比，擦除TFT 501被用于图20B。图20A中所示构造的像素通过与实施例1相同的方法来驱动，因此其在此不再被描述。此外，图20B中所示构造的像素通过与实施例2相同的方法来驱动，因此其在此不再被描述。
多漏极元件8101的端子现在将参照图21A来描述。根据输入到端子T0的信号电势，多漏极元件8101选择端子T1到T4(在端子T1和端子T2之间，在端子T2和端子T3之间，在端子T1和端子T3之间，在端子1和端子4之间，在端子2和端子4之间，以及在端子3和端子4)之间被断开的状态或它们被短路的状态。
制造多漏极元件8101的实例在图21B到21D中示出。图21C为沿图21B中的线A-A’的截面图。图21D为沿图21B中的线B-B’的截面图。与图2B到2D相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。在图21B中，形成了对应于端子T1到T4之一的连接电极224，这不象图2B。连接电极224通过接触孔202d被连接于有源层中的杂质区203d(见图21D)。
(实施例5)
本实施例涉及被安排于本发明显示设备中的像素中的EL元件的结构。EL层可由有机材料或无机材料制成。或者，EL层可由有机材料和无机材料两者制成。
形成EL元件的EL层不是以堆叠层结构被构造的，如在其中由空穴注入材料制成的空穴注入层、由空穴输送材料制成的空穴输送层、由发光材料制成的发光层、由电子输送材料制成的电子输送层以及由电子注入材料制成的电子注入层可被清楚地区分的构造。相反，EL层是由多个材料如空穴注入材料、空穴输送材料、发光材料、电子输送材料和电子注入材料的混合物的层(混合层)制成的(以下被称为混合结型EL元件)。
图14A-D和15为示意性地示出混合结型EL元件结构的图。在图14A-D和15中，参考数字1401表示EL元件的阳极，而1402表示EL元件的阴极。在阳极1401和阴极1402之间所容纳的层对应于EL层。
在图14A中，EL层包括由空穴输送材料制成的空穴输送区1403和由电子输送材料制成的电子输送区1404，空穴输送区1403被放置得距离阳极比电子输送区1404近。包含空穴输送材料和电子输送材料两者的混合区1405被提供于空穴输送区1403和电子输送区1404之间。
在此，以从阳极1401到阴极1402的方向，空穴输送材料的浓度可在混合区1405中降低而电子输送材料的浓度可在混合区1405中增加。
以上构造可能不包括仅由空穴输送材料制成的空穴输送区1403，而是可被构造以使空穴输送材料和电子输送材料的浓度的比在包含它们两者的混合区1405中变化(具有浓度梯度)。或者，以上构造可能既不包括仅由空穴输送材料制成的空穴输送区1403也不包括仅由电子输送材料制成的电子输送区1404，而是可被构造以使空穴输送材料和电子输送材料的浓度的比在包含它们两者的混合区中变化(具有浓度梯度)。或者，浓度比可根据从阳极到阴极的距离而变化。此外，浓度比可连续变化。浓度梯度可被自由设置。
混合区1405包括发光材料被添加于其的区域1406。发光材料控制从EL元件发射的光的颜色。此外，载流子可被发光材料捕获。作为发光材料，可使用包含喹啉骨架(skeleton)的金属络合物、包含苯并恶唑骨架的金属络合物、包含苯并噻唑骨架的金属络合物，以及任何荧光染色材料。添加这些发光材料使得有可能控制由EL元件所发射光的颜色。
作为阳极1401，从有效注入空穴的观点来看，理想的是使用具有大功函数的电极材料。可使用透明电极，如掺杂锡的氧化铟(ITO)、掺杂锌的氧化铟(IZO)、ZnO、SnO2或In2O3。如果光不需要被透射，则阳极1401可由不透明的金属材料制成。
此外，作为空穴输送材料，可使用芳族胺化合物。作为电子输送材料，可使用有喹啉衍生物、8-喹啉(8-quinolinol)或其衍生物作为配位体的金属络合物(具体地，三(8-喹啉)铝(tris(8-quinolinolite)aluminum(Alq3))等。
作为阴极1402，从有效注入电子的观点来看，理想的是使用具有小功函数的电极材料。可使用金属，如铝、铟、镁、银、钙、钡或锂的一种。或者，可使用这些金属的合金或这些金属与任何其它金属的合金。
图14B为不同于图14A构造的EL元件的示意图。与图14A相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。图14B不具有发光材料被添加于其的区域。然而，在此，具有电子输送特性和发光特性两者的材料(电子输送发光材料)如三(8-喹啉)铝(Alq3)可被添加给电子输送区1404以发光。
或者，具有空穴输送特性和发光特性两者的材料(空穴输送发光材料)可被添加给空穴输送区1403。
图14C为不同于图14A和14B构造的EL元件的示意图。与图14A和14B相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。在图14C中，混合区1405包括区域1407，具有比空穴输送材料大的最大占用分子轨道和最小空闲分子轨道之间的能隙的空穴阻塞材料被添加于其中。空穴阻塞材料被添加于其中的区域1407被安排在距离阴极1402比在混合区1405中发光材料被添加于其中的区域1406更近的一侧，从而增加载流子的复合系数并因此提高发光效率。空穴阻塞材料被添加于其的区域1407的提供是有效的，特别是对于利用通过三重激发子的光(磷光)发射的EL元件。
图14D为不同于图14A、14B和14C构造的EL元件的示意图。与图14A、14B和14C相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。在图14D中，混合区1405包括区域1408，具有比电子输送材料大的最大占用分子轨道和最小空闲分子轨道之间的能隙的电子阻塞材料被添加于其。电子阻塞材料被添加于其中的区域1408被安排于距离阳极1401比在混合区1405中发光材料被添加于其中的区域1406更近的一侧，从而增加载流子的复合系数并因此提高发光效率。电子阻塞材料被添加于其的区域1408的提供是有效的，特别是对于利用通过三重激发子的光(磷光)发射的EL元件。
图14A到14D所示的混合结型EL元件没有明确的层界面，并且以被减小的量而积累电荷。因此，寿命可被延长，此外，驱动电压可被降低。
混合结型EL元件可通过共同汽化方法来制造。
图14A到14D所示的构造可自由组合而应用。混合结型EL元件的构造不仅仅局限于此，并且任何已知构造可被自由使用。
本实施例可与实施例1到4自由组合地应用。也就是说，本实施例的混合结型EL元件可被用于采用实施例1到4的多漏极元件的构造的像素。这进一步降低了EL元件中的退化。
(实施例6)
本实施例涉及不同于实施例5的构造的EL元件。图15为示出不同于图14A-D的混合结型EL元件的构造的示意图。图15示出金属材料被添加给与EL元件的电极接触的EL层部分的构造。在图15中，与图14A-D相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。该构造为MgAg(Mg-Ag合金)被用作阴极1402，而Al(铝)合金被添加给与阴极1402接触、电子输送材料已被添加于其的区域1404的部分。以上构造防止了阴极被氧化，并且提高了从阴极注入电子的效率。这样，混合结型EL元件的特点是被延长了寿命。此外，驱动电压可被降低。
混合结型EL元件的构造不仅仅局限于此，并且任何已知构造可被自由使用。
本实施例可与实施例1到4自由组合地应用。也就是说，本实施例的混合结型EL元件可被用于采用实施例1到4的多漏极元件的构造的像素。这进一步降低了EL元件中的退化。
(实施例7)
本实施例涉及将本发明显示设备中像素的EL元件分为不同颜色的构造。图16为依照本实施例的EL显示设备中的像素的截面图。EL显示设备的仅三个像素在此被代表性地示出。对于构成这些像素的元件，仅示出了EL元件和被连接于EL元件像素电极的TFT。与EL元件串联连接的TFT可以是图1A-B和5中所示的驱动TFT 707。
在图16中，在像素衬底1900上形成了TFT 1901-R、1901-G和1901-B。在本实施例中，TFT 1901-R、1901-G和1901-B可分别为图1A-B和5中所示的驱动TFT 707。
驱动TFT 1901-R、1901-G和1901-B不仅仅局限于所示的构造，而是能以已知方式自由地构造。例如，在图16中，驱动TFT 1901-R、1901-G和1901-B为单栅极TFT。然而，它们可以是多栅极TFT。此外，在图16中，驱动TFT 1901-R、1901-G和1901-B为顶部栅极TFT。然而，它们可以是底部栅极TFT。或者，它们可以是具有两个栅电极的双栅极TFT，其通过栅绝缘膜在沟道形成区之上和之下被安排。
第一夹层膜1910被形成于驱动TFT 1901-R、1901-G和1901-B上。接触孔在第一夹层膜1910中形成以触及驱动TFT 1901-R、1901-G和1901-B的源区或漏区，并且在图形形成为所需形状以形成线路1919-R、1919-G和1919-B之后，线路层被形成。第二夹层膜1911被形成于线路1919-R、1919-G和1919-B上。接下来，接触孔在第二夹层膜1911中形成以触及线路1919-R、1919-G和1919-B，从而形成像素电极1912-R、1912-G和1912-B。
在此，第二夹层膜1911可以不形成。也就是说，像素电极1912-R、1912-G和1912-B可在与线路1919-R、1919-G和1919-B相同的层上形成。
然后，红光发射层1914-R、绿光发射层1914-G和蓝光发射层1914-B被连续形成。之后，EL元件1614的相反电极1915被形成。这样，红光发射EL元件由像素电极1912-R、红光发射EL层1914-R和相反电极1915形成。绿光发射EL元件由像素电极1912-G、绿光发射EL层1914-G和相反电极1915形成。蓝光发射EL元件由像素电极1912-B、蓝光发射EL层1914-B和相反电极1915形成。
在形成EL层1914-R、1914-G和1914-B(分为不同颜色)的过程中，EL层1914-R、1914-G和1914-B在其边界(末端)1900处被重叠。以上构造不需要围堤，迄今为止围堤是通过使用绝缘膜形成以将对应于所发射光的颜色的EL层分为不同颜色。因此，EL层被分为不同的颜色需要小的边缘，这使得有可能增加像素中发光区的面积。
在图16中对应于红、蓝和绿三个颜色的像素中，EL元件的EL层的末端被安排得重叠，然而本发明显示设备的构造不局限于此。以上构造可被应用于对应于所发射光的任何数量颜色的像素。
本实施例可与实施例1到6自由组合而实现。也就是说，在使用实施例1到4的多漏极元件的构造的像素中，EL元件的EL层可被安排以使在其末端处被重叠。这进一步提高了数值孔径并降低了EL元件的退化。亦在具有实施例5和6的混合结型EL元件的像素中，EL元件的EL层可被安排以使在其末端处被重叠。这进一步提高了数值孔径并降低了EL元件的退化。此外，在使用实施例1到4的多漏极元件的像素中并亦在具有实施例5和6的混合结型EL元件的像素中，EL元件的EL层可被安排以使在其末端处被重叠。这进一步提高了数值孔径并降低了EL元件的退化。
(实施例8)
本实施例涉及被安排于本发明显示设备中的EL元件的结构。
构成EL元件EL层的有机材料可以是低分子材料或高分子材料。或者，这些材料均可被使用。当低分子材料被用作有机化合物材料时，可通过汽化方法形成膜。另一方面，当高分子材料被用作EL层时，高分子材料可被溶解于溶液中以通过旋涂方法或墨水喷射方法形成膜。
此外，EL层可由中等分子材料构成。中等分子材料表示不升华并具有不大于约20的聚合度的有机材料。当中等分子材料被用作EL层时，可通过墨水喷射方法或类似方法形成膜。
亦允许组合使用低分子材料、高分子材料和中等分子材料。
此外，EL元件可以是利用源自单重激子的光(荧光)的发射或利用源自三重激发子的光(磷光)的发射。
本实施例可与实施例1到7自由组合而应用。
(实施例9)
本实施例参照图13A-D示出了与图2A-D中所示实施例1的多漏极元件构造不同的构造的多漏极元件的制造。在图13A-D中，与图2A-D相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。
图13A示出多漏极元件的符号。图13B为当图13A中所示多漏极元件被制造时的顶视图。图13C为沿图13B中的线A-A’的截面图。图13D为沿图13B中的线B-B’的截面图。
在图13C和13D中，在具有绝缘表面的衬底200上形成的有源层201包括给予相同导电时间的杂质被添加于其的杂质区203a、203b、203c和230、以及沟道区204a、204b和204c。电极220通过栅绝缘膜205在沟道形成区204a、204b和204c上被重叠。连接电极221到223被形成于在电极220上形成的绝缘膜206上，并且通过接触孔202a到202c被电连接于杂质区203a、203b和203c。电极220对应于图13A中的端子T0。图13A-D中电极220的形状与图2A-D中电极220的形状不同。此外，连接电极221对应于端子T1，连接电极222对应于端子T2，而连接电极223对应于端子T3。
此外，连接电极221可对应于端子T2，连接电极222可对应于端子T3，而连接电极223可对应于端子T1。或者，连接电极221可对应于端子T3，连接电极222可对应于端子T1，而连接电极223可对应于端子T2。
杂质区203a、203b、203c和230与沟道形成区204a、204b和204c的一个或所有接触。在本实施例中，杂质区都是与沟道形成区直接接触，但本发明决不仅仅局限于此。具有比杂质区的杂质浓度低的低浓度杂质区(LDD区)可被提供于杂质区203a、203b、203c和230与沟道形成区204a、204b和204c之间。
在图13C和13D中，栅绝缘膜205覆盖杂质区203a、203b、203c和230，但本发明决不仅仅局限于此。杂质区203a、203b、203c和230不必要用栅绝缘膜205覆盖，而可以是暴露的。
多漏极元件101可通过与制造一般TFT相同的过程来制造。在图13C和13D中，本发明多漏极元件101的电极220可由与已知TFT栅电极相同的材料制成。此外，沟道形成区204a、204b和204c和杂质区203a、203b、203c和230能以与常规TFT相同的方式在有源层201中被形成。
在此，重叠有源层201的电极220的部分亦被称为多漏极元件的栅电极。多漏极端子的端子T1到T3被连接于其的杂质区203a到203c被分别称为源区或漏区。此外，多漏极元件的端子T1到T3亦被称为源端子或漏端子。
依赖于被施加给电极(栅电极)220的电势，图13A-D中所示的多漏极元件101改变其在沟道形成区204a、204b和204c中形成的沟道并为在端子T1到T3中(对应于源端子和漏端子之间)的电阻所控制。也就是说，由于栅电极220处的电势，沟道被形成于沟道形成区中，并且源端子和漏端子之间的通路被变得导通。
例如，在图13A-D中，给予N型的杂质元素被添加给多漏极元件101中的杂质区203a、203b、203c和230。在此情况下，栅电极T0处的电势被设置为比对应于杂质区203a、203b和203c的任何一个或两个的源区中的电势足够高。这样，端子T1到端子T3可被短路。由此构成的多漏极元件101被称为N沟道多漏极元件。
另一方面，在图13A-D中，给予P型的杂质元素被添加给多漏极元件101中的杂质区203a、203b、203c和230。在此情况下，栅电极T0处的电势被设置为比对应于杂质区203a、203b和203c的任何一个或两个的源区中的电势足够低。这样，端子T1到端子T3可被短路。由此构成的多漏极元件101被称为P沟道多漏极元件。
这样，图13A的多漏极元件101能同时连接三个节点，或具体而言，同时连接端子T1到T3。
本实施例可与实施例1到9自由组合而应用。也就是说，本实施例构造的多漏极元件可取代实施例1到4构造的多漏极元件而被使用。此外，本实施例的多漏极元件可被用于具有实施例5和6的混合结型EL元件的像素。这进一步增加了数值孔径并降低了EL元件中的退化。进一步允许采用EL元件的EL层在其末端被重叠的构造。这进一步增加了数值孔径并降低了EL元件中的退化。
(实施例10)
在本实施例中，反向偏压被以规则间隔施加给EL元件以抑制退化。图17A-C、18A-C、19A和19B示出采用以上驱动方法的像素的构造。在图17A-C和18A-C中，与图1A相同的部分由相同的参考数字表示，但不重复其描述。此外，在图19A和19B中，与图20A和20B相同的部分由相同的参考数字表示。在此，像素电极为阳极，而相反电极为阴极。
在图17A中，端子992通过开关991被连接于EL元件709的像素电极。在此，端子992处的电势VB被设置为比EL元件709相反电极处的电势小。一旦开启开关991，EL元件709的像素电极处的电势变得比相反电极处的电势小。这样，反向偏压被施加给EL元件709。
接下来，以下所述为将反向偏压施加给图17A构造的像素时的驱动方法。例如，以下所述为采用实施例1中所述时分灰度系统的情况。施加反向偏压的操作可在像素不显示的周期内进行。例如，像素显示被暂时中断，开关991被开启并且反向偏压被施加给EL元件709。在像素显示的周期内，开关991保持关闭。与实施例1相同的操作在此不再被描述，除了在实施时分灰度系统时开关991的操作。
类似地，施加反向偏压的操作对图18A、19A和20A的构造的像素也是有效的。
图17A中所示的像素构造可进一步包括擦除晶体管。该构造在图17B中示出。与图17A相同的部分由相同的参考数字表示。
以下所述为在图17B中所示构造的像素中施加反向偏压时的驱动方法。以下所述为当实施例2中所述时分灰度系统被使用时。施加反向偏压的操作可在像素不显示的周期内进行。例如，反向偏压可在非显示周期内被施加给EL元件709。在显示周期内，开关991保持关闭。与实施例2相同的操作在此不再被描述，除了在实施时分灰度系统时开关991的操作。
类似地，施加反向偏压的操作对图18B、19B和20B的构造的像素也是有效的。
图17C示出当在图17B的构造中TFT被用作开关991时的实例。在此，可依赖于在非显示周期内施加反向偏压的驱动方法来实施时分灰度显示。为了这个目的，当擦除TFT 501正被开启时，开关991被操作以使得被开启。在此，输入到开关991的栅电极的信号可与输入到擦除TFT 501的栅电极的信号(在擦除栅信号线RG上)相同。
类似地，施加反向偏压的操作对图18C的构造的像素也是有效的。
以上构造抑制了像素中的EL元件中的退化。
本实施例亦可与实施例1到9自由组合而实施。也就是说，将反向偏压施加给EL元件的构造可被应用于实施例1到4的多漏极元件。这进一步降低了EL元件中的退化。此外，将反向偏压施加给EL元件的构造亦可被应用于具有实施例5和6的混合结型EL元件的像素。这进一步降低了EL元件中的退化。可进一步采用EL元件的EL层在其末端被重叠的构造。这进一步增加了数值孔径并降低了EL元件中的退化。
(实施例11)
本实施例可被应用于具有显示设备的显示系统。在此，显示系统包括用于存储输入到显示设备的视频信号的存储器、用于产生输入到显示设备驱动电路的控制信号(时钟脉冲、开始脉冲和类似的脉冲)的控制器、以及用于控制存储器和控制器的CPU。
此外，本发明的显示设备可被应用于各种电子设备。通过使用本发明而制造的电子设备可包括被配备有再现记录介质并显示其图像的显示器的设备，如视频照相机、数字照相机、护目镜型显示器(头戴显示器)、导航系统、音响再现设备(车载音响、音频部件等)、笔记本型个人计算机、游戏设备、便携数字终端(移动计算机、蜂窝电话、便携游戏设备、电子图书)、被配备有记录介质(具体而言，数字通用盘(DVD))的图像再现设备等。
本实施例可与实施例1到10自由组合而应用。
依赖于上述构造，本发明提供了一种显示设备，能发射维持几乎恒定亮度的光，而降低由源于EL元件中退化的电流特征变化而导致的亮度变化。

Claims (50)

1.一种显示设备，包括：
多个像素和被输入电流信号的多个信号线；
多个像素的每个都具有多漏极元件、第一TFT、电容器元件、发光的EL元件、以及与EL元件串联连接的第二TFT，
所述第二TFT的栅电极被连接于第一TFT的栅电极；
电容器元件的一个电极被连接于第一TFT的栅电极；
其中多漏极元件包括与绝缘表面相邻的有源层、与有源层相邻的绝缘膜以及与绝缘膜相邻的栅电极，并且有源层包括至少一个沟道形成区和数量为n(n为不小于3的自然数)的杂质区，
其中第一TFT的第一端子、第一TFT的栅电极以及多个信号线之一被分别电连接于每个杂质区。
2.依照权利要求1的显示设备，其中：
有源层在绝缘表面之上；
绝缘膜在有源层之上；并且
栅电极通过绝缘膜在有源层上被重叠。
3.依照权利要求1的显示设备，其中每个杂质区都与沟道形成区接触。
4.依照权利要求1的显示设备，其中第二TFT的第一端子被连接于EL元件的一个电极，而第一TFT的第二端子和第二TFT的第二端子被连接于相同的线路。
5.依照权利要求1的显示设备，其中：
所述多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素；并且
第一像素EL元件的EL层的末端在第二像素EL元件的EL层的末端上被重叠。
6.依照权利要求1的显示设备，其中EL元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，并且EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
7.依照权利要求1的显示设备，其中EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极而另一个为阴极，并且提供用以将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处的电势的装置。
8.依照权利要求1的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合体、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
9.一种具有依照权利要求1的所述显示设备的显示系统。
10.一种具有依照权利要求1的所述显示设备的电子设备。
11.一种显示设备，包括：
多个像素和被输入电流信号的多个信号线；
多个像素的每个都具有多漏极元件、第一TFT、电容器元件、EL元件、以及与EL元件串联连接的第二TFT，
所述第二TFT的栅电极被连接于第一TFT的栅电极；
电容器元件的一个电极被连接于第一TFT的栅电极；
其中多漏极元件包括与绝缘表面相邻的有源层、与有源层相邻的绝缘膜以及与绝缘膜相邻的栅电极，并且有源层包括至少一个沟道形成区和数量为n(n为不小于3的自然数)的杂质区；
其中浓度比杂质区浓度低的低浓度杂质区在数量为n的杂质区的每个与沟道形成区之间；并且
其中第一TFT的第一端子、第一TFT的栅电极以及多个信号线之一被分别电连接于每个杂质区。
12.依照权利要求11的显示设备，
其中有源层在绝缘表面之上；
绝缘膜在有源层之上；并且
栅电极通过绝缘膜在有源层上被重叠。
13.依照权利要求11的显示设备，其中第二TFT的第一端子被连接于EL元件的一个电极，而第一TFT的第二端子和第二TFT的第二端子被连接于相同的线路。
14.依照权利要求11的显示设备，其中：
所述多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素；并且
第一像素EL元件的EL层的末端在第二像素EL元件的EL层的末端上被重叠。
15.依照权利要求11的显示设备，其中EL元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，并且EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
16.依照权利要求11的显示设备，其中EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极而另一个为阴极，并且提供用以将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处的电势的装置。
17.依照权利要求11的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合体、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
18.一种具有依照权利要求11的所述显示设备的显示系统。
19.一种具有依照权利要求11的所述显示设备的电子设备。
20.一种显示设备，包括：
多个像素；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，以及
用于将在EL元件的第一电极和第二电极上流动的电流设为恒定的装置；
多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素；并且
第一像素中EL元件的EL层的末端在第二像素中EL元件的EL层的末端上被重叠。
21.依照权利要求20的显示设备，其中EL元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，并且EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
22.依照权利要求20的显示设备，其中EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极而另一个为阴极，并且提供用以将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处的电势的装置。
23.依照权利要求20的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合体、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
24.一种具有依照权利要求20的所述显示设备的显示系统。
25.一种具有依照权利要求20的所述显示设备的电子设备。
26.一种显示设备，包括：
多个像素和被输入电流信号的多个信号线；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，
用于将从多个信号线被输入到多个像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置；
多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素；并且
第一像素中EL元件的EL层的末端在第二像素中EL元件的EL层的末端上被重叠。
27.依照权利要求26的显示设备，其中EL元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，并且EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
28.依照权利要求26的显示设备，其中EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极而另一个为阴极，并且提供用以将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处的电势的装置。
29.依照权利要求26的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合体、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
30.一种具有依照权利要求26的所述显示设备的显示系统。
31.一种具有依照权利要求26的所述显示设备的电子设备。
32.一种显示设备，包括：
多个像素；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层；以及
用于将在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的电流设为恒定的装置；
EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
33.依照权利要求32的显示设备，其中所述多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素，并且第一像素EL元件的EL层的末端在第二像素EL元件的EL层的末端上被重叠。
34.依照权利要求32的显示设备，其中EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极而另一个为阴极，并且提供将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处的电势的装置。
35.依照权利要求33的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合体、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
36.一种具有依照权利要求32的所述显示设备的显示系统。
37.一种具有依照权利要求32的所述显示设备的电子设备。
38.一种显示设备，包括：
多个像素和被输入电流信号的多个信号线；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，
用于将从多个信号线被输入到多个像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置；
EL层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。
39.依照权利要求38的显示设备，其中所述多个像素包括发射第一颜色光的第一像素和发射不同于第一颜色的颜色的光的第二像素，并且第一像素EL元件的EL层的末端在第二像素EL元件的EL层的末端上被重叠。
40.依照权利要求38的显示设备，其中EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极而另一个为阴极，并且提供将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处的电势的装置。
41.依照权利要求38的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合物、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
42.一种具有依照权利要求38的所述显示设备的显示系统。
43.一种具有依照权利要求38的所述显示设备的电子设备。
44.一种显示设备，包括：
多个像素；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层；以及
用于将在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的电流设为恒定的装置；
EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极，而另一个为阴极；并且进一步包括：
用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
45.一种具有依照权利要求44的所述显示设备的显示系统。
46.一种具有依照权利要求44的所述显示设备的电子设备。
47.一种显示设备，包括：
多个像素和被输入电流信号的多个信号线；
多个像素的每个都包括：
EL元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的EL层，
用于将从多个信号线被输入到多个像素的第一电流转换为电压的装置；
用于保持电压的装置；以及
用于将电压转换为在EL元件的第一电极和第二电极之间流动的第二电流的装置；
EL元件的第一电极或第二电极之一为阳极，而另一个为阴极；并且进一步包括：
用于将EL元件阳极处的电势降低到低于EL元件阴极处电势的装置。
48.依照权利要求47的显示设备，其中EL元件的EL层包括聚合体、低分子材料和中等分子材料的一个或多个。
49.一种具有依照权利要求47的所述显示设备的显示系统。
50.一种具有依照权利要求47的所述显示设备的电子设备。
CNB031085369A 2002-03-26 2003-03-26 显示设备 Expired - Fee Related CN100416627C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP87223/02 2002-03-26
JP2002087223A JP4046267B2 (ja) 2002-03-26 2002-03-26 表示装置
JP87223/2002 2002-03-26

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100058282A Division CN102063866B (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备
CN2008101361020A Division CN101312606B (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1448902A true CN1448902A (zh) 2003-10-15
CN100416627C CN100416627C (zh) 2008-09-03

Family

ID=28449362

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101361020A Expired - Fee Related CN101312606B (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备
CNB031085369A Expired - Fee Related CN100416627C (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备
CN2011100058282A Expired - Fee Related CN102063866B (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101361020A Expired - Fee Related CN101312606B (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100058282A Expired - Fee Related CN102063866B (zh) 2002-03-26 2003-03-26 显示设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7091938B2 (zh)
JP (1) JP4046267B2 (zh)
KR (1) KR100936632B1 (zh)
CN (3) CN101312606B (zh)
TW (1) TWI264688B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018449B2 (en) 2005-08-11 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display capable of controlling brightness
CN102842272A (zh) * 2011-06-20 2012-12-26 佳能株式会社 显示装置及其驱动方法
CN103794724A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 三星显示有限公司 有机发光晶体管及包含此的显示装置
CN103915510A (zh) * 2014-03-27 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
US9590055B2 (en) 2014-03-25 2017-03-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate, and display device
CN108461504A (zh) * 2017-02-22 2018-08-28 昆山国显光电有限公司 晶体管的版图结构、像素驱动电路、阵列基板和显示装置
US10692432B2 (en) 2017-02-22 2020-06-23 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Pixel driving circuit and driving method thereof, and layout structure of transistor

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100945467B1 (ko) * 2001-10-09 2010-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위칭소자, 표시장치, 그 스위칭소자를 사용한 발광장치및 반도체장치
JP4202012B2 (ja) * 2001-11-09 2008-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電流記憶回路
JP4034122B2 (ja) * 2002-05-31 2008-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び素子基板
JP2004109991A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 表示駆動回路
US7928945B2 (en) 2003-05-16 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
TWI253616B (en) * 2003-05-16 2006-04-21 Toshiba Matsushita Display Tec Active matrix type display apparatus
JP4618986B2 (ja) * 2003-05-16 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4546177B2 (ja) 2003-07-28 2010-09-15 パナソニック株式会社 無線通信装置および無線通信方法
GB0323622D0 (en) * 2003-10-09 2003-11-12 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display-devices
KR20050061799A (ko) * 2003-12-18 2005-06-23 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
JP5313438B2 (ja) * 2004-05-20 2013-10-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示装置
KR100649253B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치와, 그 표시 패널 및 구동 방법
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
JP4958392B2 (ja) * 2004-08-11 2012-06-20 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置
US8248392B2 (en) * 2004-08-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device using light emitting element and driving method of light emitting element, and lighting apparatus
KR100570774B1 (ko) * 2004-08-20 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 발광표시 장치의 표시 데이터용 메모리 관리 방법
EP1648042B1 (en) * 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG A method for doping a semiconductor material with cesium
JP2006184576A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 自発光型表示装置及びアレイ基板
TWI288378B (en) * 2005-01-11 2007-10-11 Novatek Microelectronics Corp Driving device and driving method
KR100731741B1 (ko) * 2005-04-29 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광장치
DE502005009415D1 (de) * 2005-05-27 2010-05-27 Novaled Ag Transparente organische Leuchtdiode
EP2045843B1 (de) * 2005-06-01 2012-08-01 Novaled AG Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung
DE502005003742D1 (de) * 2005-06-14 2008-05-29 Novaled Ag Verfahren zum Betreiben eines organischen lichtemittierenden Bauteils und organisches lichtemittierendes Bauteil
JP2007005072A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した発光装置及び表示装置
EP1739765A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
JP2007042727A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101143009B1 (ko) * 2006-01-16 2012-05-08 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100774905B1 (ko) * 2006-08-16 2007-11-09 엘지전자 주식회사 전계발광소자를 이용한 광원장치의 구동방법
JP5473199B2 (ja) * 2006-09-05 2014-04-16 キヤノン株式会社 発光表示デバイス
JP5184042B2 (ja) * 2007-10-17 2013-04-17 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 画素回路
FR2931007A1 (fr) * 2008-07-11 2009-11-13 Commissariat Energie Atomique Procede de controle d'une diode organique electroluminescente avec application d'une tension negative de depolarisation
FR2931008A1 (fr) * 2008-07-11 2009-11-13 Commissariat Energie Atomique Procede de controle d'une diode organique electroluminescente a alimentation pulsee

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2411512A1 (fr) * 1977-12-06 1979-07-06 Lardy Jean Louis Porte logique a transistor mos multidrain
JPS5921065A (ja) 1982-07-26 1984-02-02 Nec Corp 半導体装置
JPS60241266A (ja) 1984-05-16 1985-11-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置及びその製造方法
US4917467A (en) 1988-06-16 1990-04-17 Industrial Technology Research Institute Active matrix addressing arrangement for liquid crystal display
US5331192A (en) 1989-06-15 1994-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
US5198379A (en) 1990-04-27 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making a MOS thin film transistor with self-aligned asymmetrical structure
JPH0492475A (ja) 1990-08-08 1992-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 相補型薄膜トランジスタ
US5376561A (en) 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5258325A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
JPH04267551A (ja) 1991-02-22 1992-09-24 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3364559B2 (ja) 1995-10-11 2003-01-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH09319323A (ja) 1996-05-28 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 定電流駆動回路
JPH10144928A (ja) 1996-11-08 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JPH11177102A (ja) 1997-12-08 1999-07-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP3686769B2 (ja) 1999-01-29 2005-08-24 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子駆動装置と駆動方法
JP3353731B2 (ja) 1999-02-16 2002-12-03 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子駆動装置
JP3589892B2 (ja) 1999-03-18 2004-11-17 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP3259774B2 (ja) 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 画像表示方法および装置
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
TW522453B (en) * 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
WO2001021729A1 (en) * 1999-09-21 2001-03-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence and organic luminous medium
TW468283B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW591584B (en) 1999-10-21 2004-06-11 Semiconductor Energy Lab Active matrix type display device
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
JP4377013B2 (ja) 1999-11-18 2009-12-02 國寛 渡辺 固体撮像装置及び固体撮像素子
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW511298B (en) * 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
TW493152B (en) * 1999-12-24 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Electronic device
SG114502A1 (en) 2000-10-24 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG2009086778A (en) 2000-12-28 2016-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Luminescent device
US20020139303A1 (en) 2001-02-01 2002-10-03 Shunpei Yamazaki Deposition apparatus and deposition method
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US7199515B2 (en) 2001-06-01 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the element
KR100945467B1 (ko) 2001-10-09 2010-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위칭소자, 표시장치, 그 스위칭소자를 사용한 발광장치및 반도체장치
JP4202012B2 (ja) 2001-11-09 2008-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電流記憶回路
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US6809481B2 (en) 2002-02-28 2004-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electric device using the same
JP4034122B2 (ja) 2002-05-31 2008-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び素子基板

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018449B2 (en) 2005-08-11 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display capable of controlling brightness
CN102842272A (zh) * 2011-06-20 2012-12-26 佳能株式会社 显示装置及其驱动方法
US9142161B2 (en) 2011-06-20 2015-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus and a method for driving the same
CN102842272B (zh) * 2011-06-20 2015-12-16 佳能株式会社 显示装置及其驱动方法
CN103794724A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 三星显示有限公司 有机发光晶体管及包含此的显示装置
CN103794724B (zh) * 2012-10-30 2018-01-02 三星显示有限公司 有机发光晶体管及包含此的显示装置
US9590055B2 (en) 2014-03-25 2017-03-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate, and display device
CN103915510A (zh) * 2014-03-27 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN103915510B (zh) * 2014-03-27 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
US9553196B2 (en) 2014-03-27 2017-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Multi-gate thin film transistor, array substrate and display device
CN108461504A (zh) * 2017-02-22 2018-08-28 昆山国显光电有限公司 晶体管的版图结构、像素驱动电路、阵列基板和显示装置
US10692432B2 (en) 2017-02-22 2020-06-23 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Pixel driving circuit and driving method thereof, and layout structure of transistor
CN108461504B (zh) * 2017-02-22 2021-02-19 昆山国显光电有限公司 晶体管的版图结构、像素驱动电路、阵列基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101312606B (zh) 2011-03-16
US20030184505A1 (en) 2003-10-02
TWI264688B (en) 2006-10-21
CN102063866A (zh) 2011-05-18
JP4046267B2 (ja) 2008-02-13
TW200305123A (en) 2003-10-16
CN101312606A (zh) 2008-11-26
KR20030077474A (ko) 2003-10-01
CN100416627C (zh) 2008-09-03
US7091938B2 (en) 2006-08-15
JP2003280557A (ja) 2003-10-02
CN102063866B (zh) 2013-02-06
KR100936632B1 (ko) 2010-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1227634C (zh) 电子设备
CN1133972C (zh) 电光装置
CN1265471C (zh) 电光装置及驱动该电光装置的方法
CN1271725C (zh) 显示装置
CN1252665C (zh) 电致发光显示器件及电子装置
CN1244896C (zh) 电子装置
CN1248185C (zh) 显示器件
CN1263164C (zh) 电致发光显示器件、驱动方法和电子设备
CN1292486C (zh) 发光器件
CN100350447C (zh) 显示器件及其驱动方法和电子装置
CN1409289A (zh) 半导体器件
CN1245763C (zh) 自发光器件及采用自发光器件的电气设备
CN1201275C (zh) 制作电光器件的方法
CN1975844A (zh) 半导体器件、显示装置和电子装置
CN1304182A (zh) 电子器件
CN1892766A (zh) 半导体器件、显示装置和电子设备
CN1932940A (zh) 显示器件及显示器件的驱动方法
CN1866341A (zh) 显示装置及电子装置
CN101051439A (zh) 半导体器件、显示装置、以及电子设备
CN1941029A (zh) 显示装置及电子设备
CN1329368A (zh) 显示器件
CN1319892A (zh) 光电器件
CN1598914A (zh) 显示器件
CN1912980A (zh) 半导体器件、显示器件和具有该半导体器件的电子器件
CN1799081A (zh) 像素电路、显示设备以及驱动像素电路的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080903

Termination date: 20180326