CS244095B1 - Způsob kontroly vyvolávání fotochemických materiálů - Google Patents

Abstract

Způsob kontroly vyvolávání fotochemických materiálů, zejména fotorezistů. V některých případech je cílem fotochemického procesu vytvoření obrazové struktury a předepsanou tloušťkou. Ta závisí na radě činitelů, zejména na výchozí tlouštce vrstvy, na vlastnostech fotoche* mlckého materiálu, na expozici, způsobu a době vyvolávání aj. K dosaženi výsledků je podle užívaných postupů nezbytné dodržet eelou řadu podmínek a veličin, podstatou vynálezu je sníženi nároků na přesnost a reprodukovatelnost jednotlivých technologických kroků tím, že se v průběhu vyvolávání měří vlastnosti obrazu s využitím skutečnosti, že rozloženi intenzity záření v difraktograMech, vznikajících na ekvidletančních obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změnách tlouštky těohto prvků. Při postupu podle vynálezu se na fotochemicky materiál aktlnickým zářením exponuje struktura, obsahující ekvidistantní obrazové prvky, záznam se vloží v nádobě obsahující vývojku do difraktometru a v průběhu vyvoláváni ee meři veličiny charakterizuj ioi rozloženi intenzity zářeni v difrakčníoh maximech. Vyvolávání se přeruší, jestliže rozložení intenzit záření odpovídá stavu vyvolávání, který poskytuje požadovaný výsledek fotochemické operace.

Description

Vynález ee týká kontroly vyvolávání fotochemických materiálů, zejména fotorezietů.

Některé fotochemické materiály, zejména fotoreziety, poskytují po ozáření a následujícím zpracování ve vhodném plynném nebo kapalném prostředí (tzv. vývojce) obraz, tvořený oblastmi vrstvy zpracovaného fotochemického materiálu s různou tloušťkou. Prakticky zvláště významný je případ, že obraz tvoří jednak oblasti s odhalenou podložkou, dílem oblastí pokryté vrstvou zpracovaného fotochemického materiálu. Tloušťka vrstvy (popřípadě rozdíly v tloušťce) závisí na řadě činitelů, především na výchozí tloušťce vrstvy, na vlastnostech fotochemického materiálu, na expozici, způsobu a době vyvolávání. Oestliže výsledkem fotochemického procesu má být vrstva β určitou tloušťkou, je při dosud- užívaných postupech nutno dodržovat (často velmi přesně) celou řadu podmínek a veličin.

Uvedenou nevýhodu nemá postup podle vynálezu, jehož podstatou je měření vlastností obrazu v průběhu vyvolávání a využitím skutečnosti, že rozložení intenzity záření v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantních obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změnách tloušťky těchto obrazových prvků.

Předností postupu podle vynálezu je snížení nároků na přesnost a reprodukovatelnost řady technologických kroků a veličin a skutečnost, že se technologický proces řídí a přerušuje podle požadovaného výsledku. Důsledkem je zmenšení náročnosti procesu a/nebo zvýšení jeho výtěžnosti.

244 095

Při postupu podle vynálezu ee na podložku nanese vrstva fotochemického materiálu, na ni se aktinickým zářením exponuje obrazová struktura, odpovídající požadovanému výsledku. Tato struktura bučí sama obsahuje ekvidistantní prvky, nebo jimi musí být doplněna. Ozářené vrstva se v nádobě s vývojkou umístí do difraktometru. V průběhu vyvolávání se nepřetržitě nebo ve zvolených časových intervalech měří a vyhodnocuje rozložení intenzity záření v difrakčních maximech, odpovídajících ohybu světla na ekvidietantních prvcích vznikajícího obrazu. Vyvolávání se přeruší, jestliže rozložení intenzity záření indikuje stav vrstvy, poskytující požadovaný výsledek.

Příklad:

Fotochemickým procesem má být vytvořena vrstva přesně určené tlouštky, v níž jsou na šroubovici 8 konstantním stoupáním otvory. Na planparalelní skleněnou desku se nanese vrstva pozitivního fotorezistu o tlouštce větší, než je požadovaná výsledná tlouštka. Známým způsobem se naexponuje soustava ozářených plošek, ležících na zvolené šroubovici. Deska ee umístí ve vertikální poloze do kyvety, jež má vertikální stěny z planparalelních skleněných desek a obsahuje vývojku (tj. kapalinu rozpouštějící ozářené oblasti fotorezistu). Kyveta je umístěna v difraktometru tak, že optická osa je kolmá na povrch desky s foto rezistem a na uvedené vertikální stěny. Vývojkou se přerušovaně míchá. Na ozářených místech se fotorezist rozpouští rychle, na neozářených místech pomalu. Na prohlubních (později oivorech) ve vrstvě fotorezistu dochází k ohybu světla a úseky šroubovice, vymezené clonou difraktometru, působí jako soustava ekvidistantních obrazových prvků. Vznikají ohybová maxima, jejichž intenzity se měří. Po vzniku otvorů ve vrstvě indikují změny rozložení intenzity záření v ohybových maximech postupné zmenšování tloušíky vrstvy na neozářených místech fotorezistu . Vyvolávání se přeruší, jestliže rozložení intenzit záření odpovídá stavu vyvolávání, který poskytuje požadovaný výsledek fotochemické operace.

Claims (1)

1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU

   244 095

   Způsob kontroly vyvolávání fotochemických materiálů, vyznačený tím, že na vrstvu fotochemického materiálu se expozicí aktinickým zářením zaznamená obrazec obsahující ekvidistantní prvky, záznam se vloží v nádobě obsahující vývojku do difraktometru a v průběhu vyvolávání se měří veličiny charakterizující intenzitu záření v difrakčních maximech odpovídajících ekvidietantním obrazovým prvkům.