CZ20013899A3 - Povlečené sklo pro regulaci slunečního záření - Google Patents
Povlečené sklo pro regulaci slunečního záření Download PDFInfo
- Publication number
- CZ20013899A3 CZ20013899A3 CZ20013899A CZ20013899A CZ20013899A3 CZ 20013899 A3 CZ20013899 A3 CZ 20013899A3 CZ 20013899 A CZ20013899 A CZ 20013899A CZ 20013899 A CZ20013899 A CZ 20013899A CZ 20013899 A3 CZ20013899 A3 CZ 20013899A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- layer
- antimony
- dopant
- glass
- low emissivity
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 179
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 154
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 107
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 93
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 71
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 52
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 37
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 27
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical group CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 27
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N benzyl n-(2-oxopyrrolidin-3-yl)carbamate Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC(=O)NC1CCNC1=O DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 16
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 11
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 7
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N TRIFLUOROACETIC ACID ETHYL ESTER Chemical compound CCOC(=O)C(F)(F)F STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- OCJKUQIPRNZDTK-UHFFFAOYSA-N ethyl 4,4,4-trifluoro-3-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)C(F)(F)F OCJKUQIPRNZDTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 3
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L dichloro(dimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- YFRLQYJXUZRYDN-UHFFFAOYSA-K trichloro(methyl)stannane Chemical compound C[Sn](Cl)(Cl)Cl YFRLQYJXUZRYDN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K Antimony trifluoride Inorganic materials F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 10
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 9
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N difluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)F PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- ODNBVEIAQAZNNM-UHFFFAOYSA-N 1-(6-chloroimidazo[1,2-b]pyridazin-3-yl)ethanone Chemical compound C1=CC(Cl)=NN2C(C(=O)C)=CN=C21 ODNBVEIAQAZNNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K diacetyloxystibanyl acetate Chemical compound [Sb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 5
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims 5
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims 5
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims 4
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 claims 3
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims 3
- JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N triethyl stiborite Chemical compound [Sb+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- LPGXUEOAYSYXNJ-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroacetyl fluoride Chemical compound FCC(F)=O LPGXUEOAYSYXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 22
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 8
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 266
- 239000010408 film Substances 0.000 description 184
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- COFWJARDGQSZLX-UHFFFAOYSA-N [F].[Sb] Chemical compound [F].[Sb] COFWJARDGQSZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 antimony trichloride Chemical class 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- WROMPOXWARCANT-UHFFFAOYSA-N tfa trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F.OC(=O)C(F)(F)F WROMPOXWARCANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 2
- 239000005344 low-emissivity glass Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000002478 γ-tocopherol Substances 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N Busulfan Chemical compound CS(=O)(=O)OCCCCOS(C)(=O)=O COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150071882 US17 gene Proteins 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPPCMVNDPDQNRG-UHFFFAOYSA-L [F-].[F-].[Sb++] Chemical compound [F-].[F-].[Sb++] SPPCMVNDPDQNRG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 1
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical group [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
- C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/244—Doped oxides with Sb
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
- C03C2218/1525—Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31627—Next to aldehyde or ketone condensation product
- Y10T428/3163—Next to acetal of polymerized unsaturated alcohol [e.g., formal butyral, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Povlečené sklo pro regulaci slunečního záření
Oblast techniky
Předložený vynález je pokračováním US patentové přihlášky č. 09/249 761, podané dne 16. února 1999, na kterou se zde odkazuje.
Vynález se týká povlečeného skla používaného v oknech obytných budov, architektonických zaskleních a oknech pro automobily a v různých aplikacích, kde je požadována jak schopnost regulace slunečního záření, tak nízká emisivita. Povlaky pro regulaci slunečního záření a nízkou emisivitu obsahují oxid cínu s různými dopanty. Vynález umožňuje vynechat antiiridescenční podkladovou vrstvu. Skleněné výrobky mohou být libovolného tvaru, zpravidla jsou však rovné nebo zakřivené. Složení skla může být velmi široké, avšak typické je sodnovápenaté sklo vyrobené procesem float. Může být žíhané, tepelně tvrzené nebo temperované.
Dosavadní stav techniky
Regulace slunečního světla je termín označující schopnost regulace množství sluneční tepelné energie, která může procházet skrze skleněný výrobek do uzavřeného prostoru, jako například budovy nebo interiéru automobilu. Nízká emisivita je termín označující schopnost povrchu, kdy je potlačena absorpce a emise středního pásma infračerveného záření tím, že povrch je odrazivý ve středním pásmu infračerveného záření, čímž je snížen tok tepla skrze tento výrobek potlačením radiačním složky přestupu tepla do a z povrchu s nízkou emisivitou (někdy se používá označení Low-E). Potlačením tepla slunečního záření jsou budovy a
-29 · • · · ft í I * · • r · ·· interiéry automobilů udržovány chladnější, což umožňuje snížit požadavky a náklady na klimatizaci. Efektivní povlaky s nízkou emisivitou zlepšují komfort v létě i v zimě zlepšením tepelně izolačního účinku oken.
Pro komerčně akceptovatelné povlečené skleněné výrobky, které mají schopnost regulace slunečního záření a nízkou emisivitu, jsou samozřejmě důležité ekonomické způsoby výroby těchto výrobků a trvalost a zachovávání souvisejících vlastností, jako například prostupu světla, viditelnosti, barvy, čirosti a odrazivosti.
Jak je objasněno dále, pro splnění požadavku regulace slunečního záření a nízké emisivity byly vyvinuty různé technologie, nicméně žádný systém poskytuje všechny požadované vlastnosti ekonomickým způsobem.
Četné povlaky a povlakové systémy způsobují vznik iridescenčních barev v povlečeném výrobku. To může být způsobeno chemickým složením povlaku, tloušťkou individuální vrstvy nebo vrstev, nebo interakcí substrátu a povlaku s dopadajícím světlem. V některých případech může být tato iridescence minimalizována nebo eliminována umístěním anitiiridescenční vrstvy mezi skleněný substrát a první povlak. Použití interferenční vrstvy mezi sklem a následnou funkční vrstvou nebo vrstvami pro potlačení iridescence nebo barevného odrazu poprvé ukázal Roy G. Gordon a bylo předmětem US patentu 4 187 336, vydaného 5.února 1980. Gordonova technologie je stavem techniky pro povlečené sklo pro regulaci slunečního záření, jak dokládá v současné době vydaný US patent 5 780 149 (McCurdy aj., 14. července 1998), který používá dvě vrstvy pro regulaci slunečního záření navrch interferenční vrstvy Gordonova typu. Interferenční vrstva často obsahuje oxid křemičitý. Předložený vynález
• · · ·
-3představuje dramatický průlom a překvapivě eliminuje potřebu podkladové vrstvy Gordonova typu pro regulaci zbarvení v odrazu.
Patent US 3 149 989 popisuje kompozice povlaků použitelné při výrobě skla odrážejícího záření (regulujícího sluneční záření). Jsou použity alespoň dva povlaky, s prvním povlakem, lpícím na skleněném substrátu, sestávajícím z oxidu cínu dopovaného poměrně vysokým množstvím antimonu. Druhý povlak také sestává z oxidu cínu, a je dopován poměrně nízkým množstvím antimonu. Tyto dva filmy mohou být na sobě, nebo mohou být naneseny na opačných stranách skleněného substrátu. V každém případě, tyto povlaky pro regulaci slunečního záření nepřispívají podstatně k nízké emisivitě skleněného výrobku.
Patent US 4 287 009 popisuje sklo absorbující teplo navržené pro převádění dopadajících slunečních paprsků na tepelnou energii, která je přenášena do pracovního média pro přenos tepla. Povlečené sklo tak absorbuje alespoň 85 % pásma vlnových délek slunečního záření a má poměrně nízkou emisivitu, menší než 0,2. Povlaky jsou umístěny na vnější straně skla (tj. na straně přivrácené ke slunci), a médium pro přenos tepla je ve styku s vnitřním povrchem skla. Povlaky zahrnují první povlak z oxidů kovů uložený na hladké vrstvě skla, přičemž tyto oxidy jsou zvoleny z oxidů cínu, antimonu, india a železa, a druhý povlak z oxidů kovů uložený na prvním povlaku, zvolený ze stejné skupiny kovů. Tyto povlaky jsou navrženy pro velmi nízký prostup viditelného světla a není popsána regulace barvy v odrazu.
Patent US 4 601 917 popisuje kapalné povlékací kompozice pro vytvoření vysoce kvalitních, vysoce účinných povlaků oxidu cínu dopovaného fluorem chemickým ukládáním
-4. * · # * ·. » 9 *« ··♦ * ♦ « «* ι . :
• · « H j *1 ·* t ······3 ·· ··· z par. Jedním z použití takovýchto povlaků je výroba energeticky účinných oken, známých na trhu jako okna s nízkou emisivitou (Low-E). Jsou popsány také způsoby výroby povlečeného skla. Tento patent neuvádí jak vyrobit výrobky z povlečeného skla, které mají zároveň schopnost regulace slunečního záření a nízkou emisivitu.
Patent US 4 504 109, patřící Kabuishi Kaisha Toyota Chou, popisuje sklo povlečené souvrstvím stínícím infračervené záření, zahrnující substrát transparentní ve viditelném světle a překrytý laminací sestávající z „alespoň jedné vrstvy stínící infračervené záření a alespoň jedné interferenční odrazivé vrstvy ležících střídavě jedna na druhé.... V příkladech byl použit jako vrstva stínící infračervené záření oxid india dopovaný Sn a jako interferenční stínící vrstva TÍO2. Pro snížení iridescence musí mít tloušťka vrstvy stínící infračervené záření a tloušťka interferenční odrazivé vrstvy hodnotu jedné čtvrtiny lambda (lambda/4) s přípustnou odchylkou od 75 % do 130 % lambda/4. Ačkoliv jsou pro vrstvy stínící infračevené záření a interferenční odrazivé vrstvy popsány i jiné kompozice, jako například SnO2 s dopanty nebo bez nich (viz sl. 6 ř. 12 až 27), není pro potlačení iridescence nebo barevného odrazu popsán ani uveden žádný příklad specifické kombinace vrstev dopovaného SnO2 podle předloženého vynálezu, který dosahuje regulace slunečního záření a nízké emisivity bez iridescence aniž by bylo nutné omezení tloušťky na lambda/4.
Patent US 4 583 815, také patřící Kabuishi Kaisha Toyota Chou, popisuje laminát stínící tepelné záření, sestávající ze dvou vrstev oxidu india a cínu obsahujících různá množství cínu. Jsou popsány také antireflexní vrstvy nad nebo pod vrstvami oxidu india a cínu. Jsou popsány také
-5*44 »4 jiné kompozice pro vrstvy stínící ínfračevené záření a interferenční odrazivé vrstvy, jako například SnO2 s dopanty tvořícími kladný iont s mocenstvím +5, jako například Sb, P, As, Nb, Ta, W, nebo Mo nebo prvek jako například F, který snadno tvoří záporný iont s mocenstvím -1 (viz sl. 22, ř. 17 až 23). Není však popsán ani uveden žádný příklad specifické kombinace vrstev dopovaného SnO2 podle předloženého vynálezu, který dosahuje regulace slunečního záření a nízké emisivity bez iridescence. Nejsou zde nárokovány vrstvy oxidu cínu ani v popisu není uvedeno složení takovýchto vrstev, např. poměr dopantu k oxidu cínu. Je třeba poznamenat, že popis vede k použití stejných dopantů v obou vrstvách (oxidu india a cínu), zatímco podle předmětné patentové přihlášky musí jedna vrstva obsahovat jiný dopant než druhá vrstva.
Patent US 4 828 880, patřící Pilkington PLC, popisuje bariérové vrstvy které účinkují inhibičně na migraci iontů alkalických kovů z povrchu skla a/nebo účinkují jako zbarvení potlačující podklad pro vrchní vrstvy odrážející infračervené záření nebo elektricky vodivé vrstvy. Některé z těchto vrstev potlačujících zbarvení se používají při výrobě skla pro regulaci slunečního záření nebo skla s nízkou emisivitou.
Patent US 4 900 634, patřící Glaverbel, popisuje pyrolytický povlak oxidu cínu, obsahující směs fluoru a antimonu jako dopant, propůjčující sklu nízkou emisivitu a specifický faktor snížení zakalení nanejvýš 1,5.
Patent US 5 168 003, patřící Ford Motor Company, popisuje zasklívací výrobek nesoucí v podstatě transparentní povlak sestávající z opticky funkční vrstvy (jejímž účelem může být nízká emisivita nebo regulace slunečního záření) a
kterou je vrstva možná alternativa nebo s nízkou emisivitou je
-6tenčí antiiridescenční vrstvy, s vícestupňovým gradientem. Jako volitelná složka příkladné vrstvy zmíněn oxid cínu dopovaný antimonem.
Patent US 5 780 149, patřící Libbey-Owens-Ford, popisuje povlečené sklo pro regulaci slunečního záření, kde jsou přítomny alespoň tři vrstvy povlaku, první a druhý transparentní povlak a vrstva potlačující iridescenci ležící mezi skleněným substrátem a transparentními vrchními vrstvami. Vynález spočívá v transparentních vrstvách majících rozdíl indexů lomu v blízkém infračerveném pásmu větší než rozdíl indexů lomu ve viditelném pásmu. Tento rozdíl způsobuje, že sluneční tepelné záření je odráženo v blízkém IR pásmu, místo aby bylo absorbováno. Jako první transparentní vrstva se používají dopované oxidy kovů, které mají nízkou emisivitu, jako například oxid cínu dopovaný fluorem. Jako druhá vrstva se používají oxidy kovů jako nedopovaný oxid cínu. Není popsána žádná kombinace absorbující v blízkém IR pásmu.
Patent EP-B1 0 546 302, vydaný 16. července 1997, patří Asahi Glass Co. Tento patent popisuje povlakové systémy pro sklo pro regulaci slunečního záření, tepelně upravované (temperované nebo ohýbané), zahrnující ochrannou vrstvu na bází nitridů kovů. Ochranná vrstva nebo vrstvy se používají pro překrytí vrstvy pro regulaci slunečního záření (pro zabránění její oxidací v průběhu tepelné úpravy). Jako vrstva pro regulaci slunečního záření jsou uvedeny různé příklady, včetně oxidu cínu dopovaného antimonem nebo fluorem. Nicméně není popsán ani uveden žádný příklad specifické kombinace vrstev dopovaného SnO2 podle předloženého vynálezu, který dosahuje regulace slunečního záření a nízké emisivity bez iridescence aniž by bylo nutné
-7použít opatření která uvádí Gordon.
EP-A1 0 735 009 je patentová přihláška zveřejněná v únoru 1996, patřící Central Glass Co. Tato patentová přihláška popisuje tepelně odrazivou skleněnou tabuli mající vícevrstvý povlak, zahrnující skleněnou tabuli a dvě vrstvy. První vrstva je oxid kovu s vysokým indexem lomu na bázi Cr, Mn, Fe, Co, Ni nebo Cu, druhá vrstva je film s nižším indexem lomu na bázi oxidu kovu jako například oxidu cínu. Nejsou zde popsány dopované vrstvy ani kombinace nízké emisivity nebo absorpce v blízkém IR pásmu.
Patentová přihláška WO 98/11031 byla zveřejněna v březnu 1998 á patří Pilkington PLC. Popisuje vysoce účinné sklo pro regulaci slunečního záření zahrnující skleněný substrát s povlakem zahrnujícím tepelně absorpční vrstvu a vrstvu s nízkou emisivitou z oxidu kovu. Tepelně absorpční vrstva může být vrstva z oxidu kovu. Tato vrstva může být dopovaný oxid wolframu, chrómu, železa, molybdenu, niobu nebo vanadu nebo jejich směs. Vrstva s nízkou emisivitou může být dopovaný oxid cínu. Podle výhodného aspektu vynálezu je pod povlakem zahrnujícím tepelně absorpční vrstvu a vrstvu s nízkou emisivitou začleněna vrstva nebo vrstvy potlačující iridescenci. Tato přihláška nepopisuje ani nenavrhuje specifickou kombinaci vrstev dopovaného SnO2 podle předloženého vynálezu, která dosahuje regulace slunečního záření a nízké emisivity bez iridescence aniž by byla nutná podkladová vrstva Gordonova typu pro potlačení iridescence nebo barevného odrazu.
Kanadský patent 2 193 158 popisuje vrstvu oxidu cínu dopovaného antimonem na skle s poměrem cínu k antimonu 1:0,2 až 1:0,5, která snižuje prostup světla sklem.
Článek „Dopant Effects in Sprayed Tin Oxide Films,
-8♦ · » »
·*· a · »
E.Shanti, A.Banerjee a K.L.Chopra, Thin Solid Films 88, 1981, str. 93-100, diskutuje účinky antimonu, fluoru a antimonu-fluoru jako dopantů na elektrické vlastnosti filmů z oxidu cínu. Tento článek nepopisuje žádné optické vlastnosti filmů z antimonu-fluoru ani účinek na barvu v prostupu nebo odrazu.
Britská patentová přihláška GB 2 302 101, patřící Glaverbel, popisuje skleněný výrobek povlečený filmem antimonu/oxidu cínu alespoň 400 nm s molárním poměrem Sb/Sn 0,05 až 0,5, s prostupem viditelného světla menším než 35 %. Filmy se nanášejí postupem CVD pomocí vodného postřiku a jsou určeny pro aplikace skla pro soukromí. Jsou popsány podkladové povlaky snižující zákal jakož i silné vrstvy s nízkými poměry Sb/Sn, které mají nízkou emisivitu a vysokou absorpci slunečního světla. Uvádí také, že je možné vytvořit jednu nebo více dodatečných povlakových vrstev pro dosažení určitých požadovaných optických vlastností. Není zmíněna žádná z těchto vlastností jiná než zákal. Tato přihláška neuvádí nic o tenčích vrstvách, použití více než jednoho dopantu, nebo řízení barvy filmu.
Britská patentová přihláška GB 2 302 102, také patřící Glaverbel, popisuje skleněný substrát povlečený vrstvou oxidu Sn/Sb obsahující cín a antimon v molárním poměru 0,01 až 0,5, přičemž uvedená vrstva je uložena pomocí CVD, přičemž povlečený substrát má sluneční faktor (koeficient výtěžku slunečního tepla) menší než 0,7. Povlaky jsou určeny pro okenní aplikace a mají prostup světla 40 až 65 % a tloušťku v rozmezí 100 až 500 nm. Nárokovány jsou podkladové povlaky snižující zákal a povlaku může být propůjčená nízká emisivita vhodnou volbou poměru Sb/Sn. Obdobně jako ve výše uvedené přihlášce, je uvedeno vytvoření jedné nebo více přídavných povlakových vrstev pro dosažení určitých
požadovaných optických vlastností. Také mohou být na vrstvy Sb/Sn ukládány vrstvy oxidu cínu dopovaného fluorem s nízkou emisivitou, nebo mohou být ke složkám Sb/Sn přidávány sloučeniny fluoru pro vytvoření filmů s nízkou emisivitou, které obsahují F, Sb a Sn. Poslední dva způsoby nejsou výhodné kvůli času a nákladům potřebným pro přidání třetí vrstvy a kvůli skutečnosti, že emisivita filmů Sb/F byla zvýšena a ne snížena. Není zmíněna regulace barvy ani barevná neutralita.
GB 2 200 139, patřící Glaverbel, popisuje způsob ukládání povlaku nanášením povlaku aplikací postřiku roztokem obsahujícím prekurzory cínu, sloučeniny obsahující fluor a alespoň jeden jiný dopant zvolený ze skupiny zahrnující antimon, arzen, vanad, kobalt, zinek, kadmium, wolfram, telur nebo mangan.
Dříve výrobci skla řídili přestup tepla okny použitím absorpčních a/nebo reflexních povlaků, barev a dodatečně nanesených filmů. Většina těchto povlaků a filmů je vytvořena pro regulací jen jedné části slunečního tepelného spektra, buď blízkého IR, tj. blízké infračervené složky elektromagnetického spektra mající vlnovou délku v pásmu 750-2500 nm, nebo střední IR složky elektromagnetického spektra mající vlnovou délku v pásmu 2,5-25 mikrometrů. Výrobek byl navrhován pro regulaci celého tepelného spektra, avšak naprašované filmy kovu/dielektríka narůstají aby byly účinné, mají omezenou životnost a musí být chráněny a utěsněny v středním úseku vícetabulkové izolované zasklívací jednotky (IGU, Insulated Glass Unit). Je požadován film nebo kombinace filmů pro regulaci celkového slunečního záření, které mohou být snadno aplikovány pyrolytíckým ukládáním během procesu výroby skla, který poskytuje výrobek, který má akceptovatelný prostup viditelného světla, odráží nebo ·· ♦ · . .
• · » • « · >
- 10absorbuje blízké IR záření, odráží střední IR záření a má neutrální nebo neutrálnímu blízké zbarvení.
Výše nepopisuj í uvedené odkazy jednotlivě ani v kombinaci ani nenavrhují specifickou kombinaci vrstev dopovaného SnO2 podle předloženého vynálezu, která dosahuje regulace slunečního záření a nízké emisivity bez iridescence aniž by byla nutná podkladová vrstva Gordonova typu.
Podstata vynálezu
Předložený vynález poskytuje zlepšené sklo pro regulaci slunečního záření, které má akceptovatelný prostup viditelného světla, absorbuje světlo v pásmu vlnových délek blízkého infračerveného záření (NIR, Near Infrared) a odráží světlo ve středním infračerveném pásmu (sklo s nízkou emisivitou, Low-E) spolu s předem zvolenou barvou ve viditelném spektru pro odražené světlo, které může být regulováno na specifickou barvu nebo vytvořeno v podstatě bezbarvé (neutrální jak je definováno dále). Také je poskytnut způsob výroby zlepšeného povlečeného skla pro regulaci slunečního záření. Zlepšený povlak skla je povlak oxidu cínu s různými dopanty a modifikátory zákalu ve specifických vrstvách povlaku. Jednou vrstvou je vrstva absorbující energii slunečního záření (NIR) obsahující oxid cínu s dopantem jako je antimon. Další vrstvou v povlaku z oxidu cínu je vrstva s nízkou emisivitou schopná odrážet světlo ve středním pásmu infračerveného světla a obsahující oxid cínu s fluorem a/nebo fosforem jako dopantem. Zvláštní vrstva potlačující iridescenční zbarvení, jaká je popsána v dosavadním stavu techniky jako Gordonova, obecně není nutná pro dosažení neutrálního (bezbarvého) vzhledu pro světlo odražené od povlečeného skla, nicméně vrstva
potlačující iridescenci nebo jiné vrstvy mohou být kombinovány s vícevrstvým povlakem z oxidu cínu vytvořeným podle předloženého vynálezu. NIR vrstva a vrstva s nízkou emisivitou jsou zvláštními částmi jediného filmu z oxidu cínu, neboť obě vrstvy sestávají z dopovaného oxidu cínu. Je také poskytnut způsob výroby povlečeného skla pro regulaci slunečního záření. Předložený vynález dále reguluje nebo mění barvu prostupujícího světla prostřednictvím přídavku barevných přísad k NIR vrstvě. Fluor jako dopant, který poskytuje bezbarvý film oxidu cínu, překvapivě funguje jako barevná přísada, když se přidává jako přídavný dopant k NIR vrstvě, a modifikuje barvu světla prostupujícícho skrze NIR film. Ve specifických vrstvách povlaku z oxidu cínu jsou také dopanty snižující zákal.
Přehled obrázků na výkresech
Obr. 1 až 4 a 8 až 14 znázorňují řez povlečeným sklem majícím různý počet vrstev či filmů uspořádaných v různém pořadí jakožto vrstvu oxidu cínu na skleněném substrátu. Obr. 5 a 6 graficky znázorňují regulaci slunečního záření dosaženou s filmy dopovanými antimonem při různých koncentracích dopantu a různých tloušťkách filmu na okenních tabulkách, t j. jednotlivé tabuli skla (Win), nebo na izolovaných zasklívacích jednotkách (IGU), které jsou spojením alespoň dvou skleněných tabulí. Obr. 7 znázorňuje barevné spektrum v souřadnicích x a y podle C.I.E (Commission Internationale de L'Exclairage) a specifické barvy dosažitelné s různými tloušťkami filmu a koncentracemi dopantu. C.I.E v překladu znamená Mezinárodní komise pro osvětlování. Obr. 15 představuje hodnoty snížení zákalu pro povlaky z oxidu cínu podle předloženého vynálezu s a bez přísad pro snížení zákalu v NIR vrstvě 28 . Obr. 16, 17, 18 a
- 12·<· · »<
graficky znázorňují data získaná v příkladech.
Cíle vynálezu
Cílem vynálezu je připravit transparentní výrobek s regulovaným zbarvením v odrazu (jak je zde definováno, rovněž s neutrálním zbarvením), který absorbuje sluneční záření v pásmu vlnových délek blízkého infračerveného záření (NIR) a odráží světlo ve středním infračerveném pásmu (sklo s nízkou emisivitou), zahrnující sklo mající povlak z oxidu cínu sestávající ze dvou vrstev tenkého filmu obsahujícího dopovaný SnC>2 s přísadami nebo dopanty snižujícími zákal v alespoň jedné z vrstev. Dalším cílem je nanášení vrstev postupem chemického ukládání z parní fáze :CVD) za atmosférického tlaku, nebo jinými postupy jako například být stříkáním roztoku, nebo mohou odpařené/sublimované kapaliny/pevné látky. Výhodným způsobem nanášení pro tento vynález je postup CVD za atmosférického tlaku za použití odpařených kapalných prekurzorů. Dalším cílem je vytvořit vícenásobné vrstvy pro regulaci slunečního záření a/nebo s nízkou emisivitou spolu s jinými vrstvami v kombinaci s vrstvou pro regulaci slunečního záření a/nebo s nízkou emisivitou. Dalším cílem je poskytnout film nebo kombinaci filmů pro regulaci slunečního záření, které mohou být snadno nanášeny pyrolytickým ukládáním v průběhu výroby skla za vzniku výrobku, který má akceptovatelný prostup viditelného světla, odráží nebo absorbuje NIR, odráží střední IR (má nízkou emisivitu), a má neutrální nebo neutrálnímu blízké zbarvení, jehož výroba je cílem předloženého vynálezu. Dalším cílem vynálezu je regulace barvy prostupujícího světla nezávisle na barvě odraženého světla přídavkem barevných přísad do NIR vrstvy.
použity
-13Podrobný popis vynálezu a výhodná.provedení
Povlečené sklo pro regulaci slunečního záření a s nízkou emisivitou se vyrábí ukládáním, na zahřátý transparentní substrát, alespoň dvou vrstev, totiž vrstvy s nízkou emisivitou zahrnující film z SnO2 obsahující jako dopant fluor a/nebo fosfor, a absorpční NIR vrstvy zahrnující film z SnO2 obsahující jako dopant antimon, wolfram, vanad, železo, chrom, molybden, niob, kobalt, nikl nebo jejich směsi. Bylo zjištěno, že tato kombinace efektivně reguluje sluneční a tepelnou část elektromagnetického spektra, takže okno povlečené těmito filmy má velmi zlepšené vlastnosti.
Schopnost regulace slunečního záření se zpravidla vyjadřuje v termínech koeficientu výtěžku slunečního tepla (SHGC, Solar Heat Gain Coefficient) a hodnoty U. SHGC je mírou celkového výtěžku slunečního tepla prošlého okenním systémem vzhledem k dopadajícímu slunečnímu záření, zatímco hodnota U je celkový koeficient přestupu tepla pro okno. SHGC povlečeného skla primárně závisí na tloušťce a obsahu antimonu ve filmu absorbujícím NIR (viz obr. 5 a 6), zatímco hodnota U primárně závisí na emisivitě filmu a' konstrukci okna. SHGC měřený ve středu skla může být v rozmezí asi 0,40 až 0,80, zatímco hodnota U měřená ve středu skla se může pohybovat od asi 0,7-1,2 pro jednotlivou tabuli povlečenou filmem podle preferovaného vytvoření. V izolované zasklívací jednotce (IGU) se SHGC snižuje na asi 0,30, s hodnotami U jenom asi 0,28.
Barva v odrazu i v prostupu povlečeného skla podle vynálezu může být regulována. Navíc množství viditelného světla prostupujícího skrze povlečené sklo může být regulováno mezi asi 28-80 % regulováním tloušťky NIR filmu a
- 14* » filmu s nízkou emisivitou a regulováním obsahu dopantu v NIR filmu. Barva v prostupu, tj. barva světla prostupujícího skrze povlečené sklo, může být regulována odděleně od barvy v odrazu přidáním barevně účinného množství barevné přísady k NIR vrstvě povlaku. Barva v odrazu se může měnit od téměř neutrální do červené, žluté, modré nebo zelené a může být regulována měněním tloušťky filmu a obsahu dopantu ve vrstvách. Neutrálnosti barvy, jak je zde definována, je překvapivě možno dosáhnout pro barvu v odrazu bez potřeby antiiridescenční vrstvy. Ačkoliv indexy lomy NIR filmu a filmu s nízkou emisivitou jsou různé, barva v odrazu nezávisí na klasických interferenčních jevech, které objevil Gordon (patent' US 4 187 336) . Pozorovaná barva v odrazu je neočekávaně regulována kombinací absorpce a odrazu dosaženou NIR vrstvou (absorpce) a odrazu dosaženého vrstvou nebo vrstvami s nízkou emisivitou. Absorpce NIR vrstvy může být regulována měněním tloušťky její vrstvy SnO2 a koncentrace dopantu v NIR vrstvě, zpravidla antimonu. Odrazivost vrstvy s nízkou emisivitou může být regulována měněním tloušťky její vrstvy SnO2 a koncentrace dopantu ve vrstvě s nízkou zpravidla fluoru. Vrstva s nízkou emisivitou z SnO2 obsahujícího fluor nebo fosfor jako dopant se někdy označuje zkratkou TOF nebo TOP, a NIR vrstva z SnO2, když obsahuje antimon jako dopant, se někdy označuje zkratkou TOSb.
emisivitou, sestáváj ící
Výhodné vytvoření vynálezu používá povlak z oxidu cínu, který má vrstvu z fluorem dopovaného oxidu cínu (TOF) jako vrstvu s nízkou emisivitou, a vrstvu z antimonem dopovaného oxidu cínu (TOSb) jako NIR vrstvu, s přísadou pro snížení zákalu v alespoň jedné z těchto vrstev, s výhodou ve vrstvě uložené bezprostředně na skle. TOF filmy a postupy jejich ukládání na sklo jsou v oboru známy a označují se jako filmy
- 15 s nízkou emisivitou. NIR absorbující film je také film z SnO2, ale obsahuje jiný dopant než vrstva s nízkou emisivitou. Tímto dopantem v NIR vrstvě je s výhodou antimon, nicméně dopantem může být prvek zvolený ze skupiny sestávající z antimonu, wolframu, vanadu, železa, chrómu, molybdenu, niobu, kobaltu, niklu a jejích směsí. V NIR vrstvě může být použita směs jednoho nebo více dopantů, nicméně vrstva s nízkou emisivitou musí obsahovat dopant s nízkou emisivitou, který propůjčuje vrstvě významnou vodivost, jako například fluor nebo fosfor, ačkoliv v kombinaci s dopantem s nízkou emisivitou mohou být použity také jiné dopanty. Protože vrstva s nízkou emisivitou i NIR vrstva podle vynálezu obě využívají SnO2 jako matrici oxidu kovu obsahující dopant, tvoří NIR vrstva a vrstva s nízkou emisivitou s výhodou část jediného filmu majícího gradient dopantu, nebo vrstvy mající různé dopanty. Jediný film využívající gradient dopantu je znázorněn na obr. 3 jako film 16. Ve filmu 16 je gradient dopantu, přičemž dopant NIR má vyšší koncentraci než druhý dopant či dopanty na jednom povrchu filmu, buď povrchu 18 nebo 22, a dopant s nízkou emisivitou má vyšší koncentraci než druhé dopanty na druhém povrchu filmu. To má za následek změnu nebo 'gradient koncentrace dopantu NIR a dopantu s nízkou emisivitou mezi povrchem 18 a povrchem 22. V mezilehlém bodě 20 mezi povrchem 18 a povrchem 22 se koncentrace dopantu mění z nejvyšší koncentrace dopantu na jedné straně od bodu 22 na již nikoliv nejvyšší koncentraci dopantu na druhé straně od bodu 22 . Obr. 8 představuje film 10 s nízkou emisivitou nad NIR filmem 12 . NIR film 12 na obr. 8 má gradient koncentrace dopantu NIR v oxidu cínu s nejnižší koncentrací dopantu v sousedství filmu 10 s nízkou emisivitou. Povlečené sklo podle obr. 9 je obdobné jako struktura znázorněná na obr. 8 s tou výjimkou, že gradient koncentrace dopantu NIR,
- 16zpravidla antimonu, je vyšší v blízkosti filmu 10 s nízkou emisivitou a nižší blíže substrátu. Film 12 se liší od filmu 16 znázorněného na obr. 3 tím, že film 12 je NIR film, zatímco film 16 má jak schopnost absorpce NIR, tak nízkou emisivitu, a obsahuje dopant s nízkou emisivitou i dopant NIR s gradientem koncentrace dopantu s nízkou emisivitou a gradientem koncentrace dopantu NIR. Obr. 10, 11, 12 a 13 znázorňují NIR vrstvu jako dva zvláštní filmy 28 a 30 . Film 28 je znázorněn silnější než film 30 a celková tloušťka NIR vrstvy je součet tlouštěk filmů 28 a 30 a měla by být v mezích tlouštěk uvedených výše pro NIR vrstvu, s výhodou 80 až 300 nm. Na obr. 10 a 11 spolu filmy 28 a 30 sousedí, zatímco na obr. 12 a 13 jsou filmy 28 a 30 na opačných stranách filmu 10 s nízkou emisivitou. Koncentrace dopantu ve filmu 28 je s výhodou jiná než koncentrace dopantu ve filmu 30.
Obr. 14 představuje dvouvrstvý film oxidu cínu uložený bezprostředně na skleněném substrátu 14 se spodní vrstvou 32 kde jedna část 34 obsahuje přísadu pro snížení zákalu a druhá část 36 je bez přísady pro snížení zákalu, zatímco horní vrstva 10 je vrstva s nízkou emisivitou, jako například oxid cínu dopovaný fluorem.
Obr. 15 představuje hodnoty snížení zákalu pro povlaky z oxidu cínu podle předloženého vynálezu s aditivy pro snížení zákalu v NIR vrstvě 32 a bez nich. Znázorněny jsou čtyři skleněné substráty, každý mající antimonem dopovanou NIR vrstvu 32 z oxidu cínu, asi 2400 angstromů silnou, pod fluorem dopovanou vrstvou s nízkou emisivitou, asi 3000 angstromů silnou. V povlečeném skle vlevo byl zákal 1,13 % oproti 0,72 % ve druhém zleva, kde byl do NIR vrstvy přidán TFA. Dále doprava na obr. 15, zákal dvouvrstvého povlaku 32, 10 byl 0,84 když bylo v průběhu ukládání prvních 550 »♦ ft ♦ • ft
- 179^ Λ »· · ··« ··« • ftft angstromů (přibližně) NIR vrstvy zamezeno přístupu vody, oproti zákalu 0,70 skla dvouvrstvým povlakem zcela vpravo, kde při ukládání prvních 550 angstromů NIR vrstvy 32 byl mezi prekurzory přítomen TFA, avšak žádná voda.
Výhodné vytvoření vynálezu využívá jako NIR film film dopovaný antimonem. Takovýto film může být ukládán různými technikami včetně pyrolýzy postřiku, postupu PVD a CVD. Pyrolýza postřiku je známa a popsána v kanadském patentu 2 193 158. CVD postupy pro ukládání filmů Sn02 s dopantem nebo bez dopantu a chemické prekurzory vytváření filmů obsahujících dopant jsou dobře známy a popsány v patentech US 4 601 917 a 4 265 974. Výhodné je ukládání vrstev z SnO2 obsahujících dopant postupem CVD známým způsobem přímo v lince na výrobu skla float, vně nebo v komoře pro tavení skla, za použití konvenčních on-line technik ukládání a chemických prekurzorů podle US patentu 4 853 257 (Henery). Nicméně film z SnO2 obsahující dopant může být nanášen jako vrstva na sklo za použití jiných postupů, jako například stříkáním roztoku nebo odpařené/sublimované kapaliny/pevné látky při atmosférickém tlaku. Když se nanášení provádí stříkáním roztoku, jsou stejné prekurzory SnO2 a. dopanty rozpuštěny ve vhodném nereaktivním rozpouštědle a nanášejí se známými technikami na pás horkého skla při atmosférickém tlaku. Vhodná rozpouštědla pro nanášení stříkáním roztoku, jak je uvedeno v kanadské patentové přihlášce 2 193 158, zahrnují alkoholy jako například ethanol a isopropanol, ketony jako například aceton a 2-butanon, a estery jako ethylacetát a butylacetát. Výhodný postup nanášení pro tento vynález je postup CVD při atmosférickém tlaku za použití odpařených kapalných prekurzorů. Tento postup je dobře použitelný v existujících komerčních systémech on-line ukládání. Prekurzory podle výhodného vytvoření vynálezu se
- 1899 9 · *· ·♦ >
* · · · · · * · · · * * · « · * * · · ···* ·· · · « ekonomicky nanášejí, umožňují dlouhé doby povlékání, snižují frekvenci čištění systému, a jsou schopné použití s malými nebo žádnými změnami existujícího zařízení pro povlékání skla float.
Účinek povlaků spočívá ve spojení odrazu a absorpce. Film s nízkou emisivitou odráží teplo ve středním pásmu infračerveného záření v 2,5-25 mikrometrové oblasti spektra, zatímco NIR absorpční film absorbuje teplo primárně v oblastí 750-2500 nm. Aniž bychom se omezovali touto teorií, vysvětlujeme tento efekt tím, že vlnová délka plazmy (PL - vlnová délka kde se film s nízkou emisivitou mění z přenašeče na odražeč světelné energie) pro film s nízkou emisivitou leží v NIR pásmu. V oblasti kolem PL je absorpce filmu s nízkou emisivitou nejvyšší, a když je kombinován s NIR absorpšním filmem, dochází ke zvýšení absorbance. NIR absorpční filmy podle výhodného vytvoření vynálezu jsou také dopovány polovodiči a mají proto odrazivé vlastnosti ve středním pásmu IR. Tento odraz spojený s odrazem filmu s nízkou emisivitou poskytuje celkově vyšší reflektanci tepla ve středním pásmu IR.
S výhodou se SnO2 pyrolyticky nanáší na sklo za použiti prekurzorů cínu, zejména organocínové prekurzorové sloučeniny jako například monobutylcíntrichloridu (MBTC), dimethylcíndichloridu, dibutylcíndiacetátu, methylcíntrichloridu nebo jiné známého prekurzorů pro ukládání SnO2 postupem CVD, například jaké jsou popsány v US 4 601 917, který se odkazem začleňuje. Často tyto organocínové sloučeniny používané jako prekurzory pyrolytického ukládání SnO2 obsahují stabilizátory, jako například ethanol. S výhodou je koncentrace stabilizátorů menší než 1 %, pro snížení požárního rizika při kontaktování horkého skla s těmito chemikáliemi v přítomnosti kyslíku. Prekurzory pro
- 19• · · <· · · » dopant v NIR vrstvě (antimon, wolfram, vanad, iron, chrom, molybden, niob, kobalt a nikl) jsou s výhodou halogenidy, jako například chlorid antimonitý, mohou však být použity také alkoxidy, estery, acetylacetonáty a karbonyly. Odborníkovi jsou známy další vhodné prekurzory pro dopant a SÍO2. Vhodné prekurzory a jejich množství pro fluor jako dopant ve vrstvě SnO2 s nízkou emisivitou jsou popsány v patentu US 4 601 917 a zahrnují kyselinu trifluoroctovou, ethyltrifluoracetát, fluorid amonný a kyselinu fluorovodíkovou. Koncentrace dopantu s nízkou emisivitou je zpravidla menší než 30 %, přičemž výhodná koncentrace dopantu s nízkou emisivitou je 1 až 15 % hmotn. prekurzoru dopantu, vztaženo na spojenou hmotnost prekurzoru dopantu a prekurzoru cínu. To obecně koreluje s koncentrací dopantu ve filmu s nízkou emisivitou 1 až 5 %, vztaženo na hmotnost oxidu cínu ve filmu s nízkou emisivitou.
Ve výhodném provedení vynálezu vlastnosti závisí na tloušťce vrstvy s nízkou emisivitou a absorpční vrstvy, jakož i na obsahu antimonu v absorpční NIR vrstvě. Tloušťka filmu s nízkou emisivitou může být v rozmezí 200 až 450 nm, přičemž nejvýhodnější je 320 nm. Výhodný film absorbující NIR se může ukládat obdobným způsobem jako film s nízkou emisivitou za použití postupů popsaných v patentu US 4 601 917. Organocínový prekurzor SnO2 se může odpařovat ve vzduchu nebo jiném vhodném nosném plynu obsahujícím zdroj O2, při koncentraci prekurzoru 0,25-4,0 % mol. (výhodnější je 0,5-3,0 % mol). Koncentrace prekurzoru SnO2 jsou zde vyjádřeny jako procento vztažené na moly prekurzoru a moly nosného plynu. Výhodné koncentrace prekurzoru NIR dopantu jsou asi 1 % až asi 20 % (výhodněji 2,5 % až 7,5 %, nejvýhodněji 3,0 až 6,0 %), a jsou vypočteny z hmotnosti prekurzoru dopantu a hmotnosti prekurzoru SnO2. Zvláště
P
-20výhodný jako dopant je antimon, za použití chloridu antimonitého jako prekurzoru v množství asi 2 % až asi 8 % hmotnostně, zvláště výhodně asi 4,0 % hmotn s obdobným hmotnostním procentem antimonu z oxidu cínu.
To koreluje v NIR filmu
Povlečené sklo podle předloženého vynálezu je znázorněno na výkresech. Obr. 1 představují filmy v řezu. Tloušťka filmu může být v rozmezí 200 až 450 nm pro film s nízkou emisivitou (položka 10) a 80 až 300 nm pro NIR film (položka 12). Výhodná tloušťka je 250 až 350 nm pro film s nízkou emisivitou a 200 až 280 nm pro NIR film. Ne j výhodně j ší je 280 až 320 nm pro film s nízkou emisivitou a 220 až 260 nm pro NIR film. Za použití filmů podle výhodných vytvoření je možno vyrobit povlečené sklo pro regulaci slunečního záření s neutrálně-modrou barvu, které je zde definováno jako povlečené sklo jehož převládající odražené světlo v C.I.E. barevných souřadnicích má hodnoty x mezi 0,285 až 0,310 a y mezi 0,295 až 0,325. Definice neutrálně-modré je znázorněna na obr. 7 oblastí uvnitř obdélníku označeného Neutrálně-modrá. Jak je znázorněno na obr. 7 na příkladech 15, 20 a 22, může být vytvořena regulovaná nebo předem zvolená barva v odrazu blízko neutrální barvy, avšak poněkud na žluté straně od neutrální (hodnoty x až 0,325 a hodnoty y až 0,33), ale takovéto v podstatě neutrální až poněkud žluté odstíny barvy v odrazu nejsou příjemné zákazníkům. Obr. 2 představuje dva filmy nebo vrstvy v opačném sledu než je znázorněno obr. 1. Na obr. 2 je film s nízkou emisivitou blíže sklu 14 než NIR film 12.· Obr. 3 představuje NIR vrstvu a vrstvu s nízkou emisivitou integrované do jediného filmu 16 z SnO2 majícího gradient dopantu ve filmu 16. Film 16 má převážnou část jednoho dopantu (např. dopantu s nízkou emisivitou, fluoru)
-21 4 4 ·
na horním povrchu 18, vzdáleném od skla 14, a převážnou část druhého dopantu (např. antimonu jako dopantu NIR) na povrchu 22 filmu bližším sklu. Koncentrace dopantu se mění od povrchu 18 k povrchu 22, takže jeden dopant ubývá z více než 50 % dopantu na povrchu 18 na asi 0 % na povrchu 22. V mezilehlém bodě 20 pod horním povrchem 18 se převládající dopant mění z převládajícího dopantu na povrchu 18 na převládající dopant na povrchu 22 . Převládajícím dopantem na povrchu 18 může být buď NIR dopant nebo dopant s nízkou emisivitou (fluor), zatímco druhý dopant je převládajícím dopantem na povrchu 22. Obr. 4 představuje povlečené sklo mající přídavné vrstvy 24 a 26 navíc k vrstvě 10 a NIR vrstvě 12. Přídavnými vrstvami 24 a 26 mohou být mohou být přídavné vrstvy s nízkou emisivitou a/nebo NIR vrstvy nebo jiné konvenční vrstvy používané pro povlékání skla, jako například barvící vrstva. Například může být uspořádána NIR vrstva 12 (např. cín dopovaný antimonem), vrstva 10 s nízkou emisivitou (cín dopovaný fluorem) a druhá NIR vrstva 24. Vrstva 26 může být druhá vrstva s nízkou emisivitou nebo nějaká jiná obvyklá vrstva. Když je použita více než jedna vrstva s nízkou emisivitou, koncentrace dopantu může být stejná nebo různá a tloušťky všech vrstev ' s nízkou emisivitou také mohou být stejné nebo různé. Obdobně, když je použita více než jedna NIR vrstva, koncentrace a volba dopantu (antimon, wolfram, vanad, železo, chrom, molybden, niob, kobalt a nikl) může být stejná nebo různá a tloušťky všech NIR vrstev mohou být stejné nebo různé. Dopantem pro NIR vrstvu, zde diskutovaným většinou jako antimon, je obecně třeba rozumět dopant NIR vrstvy zvolený ze skupiny sestávající ze skupiny antimon, wolfram, vanad, železo, chrom, molybden, niob, kobalt, nikl a jejich směsi. Obdobně, v gradientově vrstvě podle vytvoření vynálezu znázorněného na obr. 3, převládající dopant na NIR povrchu 18 nebo 22
-22* • ·
může být zvolen ze skupiny zahrnující antimon, wolfram, vanad, železo, chrom, molybden, niob, kobalt, nikl a jejich směsi, podstatné pouze je, že dopant s nízkou emisívitou, např. fluor, je převládajícím dopantem na opačném povrchu. S gradientovou vrstvou může být kombinována jedna nebo více vrstev 10 a 12 na obr. 1 až 3 a/nebo jiných konvenčních vrstev.
S výhodou se používá pro urychlení ukládání filmu z SnO2 na sklo voda, jak je uvedeno v patentu US 4 590 096 (Lindner), která se používá v koncentracích od asi 0,75 do 12 % mol. H2O, vztaženo na složení plynu.
Jiné vytvoření vynálezu představuje snížení zákalu filmu. Zákal je důsledkem rozptylu světla když naráží na povrch. Může být zapříčiněn drsností povrchu v důsledku velikosti krystalitů, širokým rozmezí velikosti krystalitů a/nebo částic zabudovaných do povrchu filmu. Může být také zapříčiněna mezerami (otvory) ve filmu v důsledku těkavosti meziproduktů jako NaCl. Filmy uložené podle tohoto vynálezu mají zákal převážně způsobený povrchovou drsností. Zákal se snižuje pečlivě zvoleným začleněním nebo vyloučením určitých přísad do povlékacího procesu na rozhraní sklo-film nebo na rozhraní dvou vrstev filmu. Regulací drsnosti ve vrstvách filmu tímto způsobem je snížena drsnost a tedy zákal vrchní vrstvy dvouvrstvého povlaku oxidu cínu. To je zlepšení proti dosavadnímu stavu techniky, který dosahuje snížení zákalu přidáním pomocné vrstvy navrch funkční vrstvy. Jediným účelem pomocné vrstvy podle dosavadního stavu techniky je srovnání drsného povrchu funkční vrstvy zaplněním oblastí mezi vrcholky krystalitů a prohlubněmi mezi nimi.
Jednou z těchto přísad snižujících drsnost je fluor buď v anorganické formě jako je HF nebo v organické formě jako
-23jsou kyselina antimonitý a například kyselina trifluoroctová TFA nebo ethyltrífluoracetát. Jiné zdroje fluoru vhodné pro snížení zákalu difluoroctová, monofluoroctová, fluorid fluorid antimoničný, a ethyltrifluoracetoacetát. Když je v celém nebo v části podkladového povlaku TOSb přítomen fluor, velikost krystalitů je značně menší a celkový zákal filmu se zmenšuje. SEM mikrosnímky ukazují, že velikost krystalitů ve vrchní vrstvě je ovlivněna zmenšenou velikostí krystalitů v podkladové vrstvě. Další přísady, které byly zjištěny jako účinné pro snížení zákalu, jsou kyseliny jako například octová, mravenčí, propionová, methansulfonová, máselná a její ízomery, kyselina dusičná a dusitá. Zákal může být snížen také vyloučením určitých aditiv, jako například vody. Když v průběhu ukládání prvních několika stovek angstromů podkladové vrstvy není přítomna voda, je snížena celková velikost krystalitů. Zákal může být také snížen spojením jednoho nebo více výše uvedených aspektů. Jestliže je do postupu ukládání přidána TFA za vyloučení vody, je snížen celkový zákal filmu. Například, když je voda odstraněna z ukládání prvních 50-60 nm vrstvy TOSb, je redukována celková morfologie filmu a je dosaženo hodnot zákalu' asi 0,8 %. Jestliže je při ukládání prvních 50-60 nm vrstvy TOSb přidána TFA a vyloučena voda, jsou zaznamenány obdobné morfologické efekty a hodnoty zákalu.
Když se do filmu oxidu cínu přidává jako dopant fluor, snižuje se emisivita a vzrůstá vodivost filmu. V tomto vynálezu, kdy je přidán k antimonem dopované vrstvě povlaku z oxidu cínu, však neúčinkuje jako tradiční dopant. V antimonem dopované vrstvě účinkuje jako modifikátor velikosti krystalitů oxidu cínu dopovaného antimonem, což se projevuje snížením celkového zákalu filmu (měřeného měřidlem
-24zákalu a potvrzeného SEM mikrosnímky). Nárůst odporu tabule spojený s nárůstem emisivity, zřejmý na výsledcích v tabulce 3, potvrzuje účinek přídavku fluoru k antimonem dopované vrstvě z oxidu cínu (TOSb) . Když je ve vrstvě TOSb přítomen fluor, výsledná emisivita kombinované vrstvy je zvýšena, nikoliv snížena jak by bylo možno očekávat kdyby účinkoval jako dopant. Aniž bychom se vázali na toto vysvětlení, předpokládáme, že fluor se může přednostně vázat na místa antimonu, což efektivně vede k odstranění obou jako dopantů ve filmu a celková emisivita narůstá.
Jiné vytvoření vynálezu poskytuje možnost měnit zbarvení povlečeného skla v prostupu. Zbarvení v prostupu představuje barva vnímaná pozorovatelem na opačné straně povlečeného skla od zdroje světla, zatímco zbarvení v odrazu je barva vnímaná pozorovatelem na téže straně jako je zdroj světla. Prostupující světlo může být ovlivněno přídavkem přídavných dopantů k NIR filmu. Jak bylo objasněno výše, NIR vrstva obsahuje dopant zvolený ze skupiny sestávající z antimonu, wolframu, vanadu, železa, ohromu, molybdenu, niobu, kobaltu a niklu. Zbarvení světla prostupujícího skrze NIR vrstvu se může měnit přídavkem přídavného dopantů jiného než je první dopant NIR vrstvy a zvoleného ze skupiny sestávající z wolframu, vanadu, železa, chrómu, molybdenu, niobu, kobaltu, niklu nebo kombinace více než jednoho přídavného dopantů NIR vrstvy. Na barvu v prostupu má vliv také fluor jako přísada pro zákal. Jak je znázorněno v příkladech 40-43, přídavek prekurzoru fluoru, například kyseliny trifluoroctové (TFA) k roztoku NIR prekurzoru, jako například SbCl3/MBTC, produkuje film, jehož zbarvení v prostupu je neutrální oproti modrému zbarvení v prostupu pro antimonem dopovanou vrstvu oxidu cínu bez fluoru jako dopantů. Tato přísada má malý nebo žádný účinek na odražené
| 4 4 | • *4 | «4 4 | ||
| 9 4 | ·· · 4 | • · | 4 4 | |
| 9 | 4 4 | 4 4 | ||
| • 4 | 4 4 | 4 4 4 | ||
| 4 | 4 4 | 4 4 | ||
| • 4 | 44 4 | 44« 44 4 4 | 44 | 4 4 |
světlo, a v souladu s tím může být vyrobeno povlečené sklo, které má odražené světlo jiné než prostupující světlo.
Dopanty v NIR vrstvě jako vanad, nikl, chrom a netradiční barvící přísady jako kyselina trifluoroctová (TFA) mohou být přidány k prekurzorům TOSb v množství 1-5 % hmotn. (vztaženo na celkovou hmotnost prekurzoru a přísad), pro vyvolání změny zbarvení konečného filmu v prostupu avšak bez podstatného ovlivnění barevné neutrality celkového zbarvení v odrazu.
Příklady provedení vynálezu
Výhodná vytvoření vynálezu jsou uvedena v následujících příkladech. Odborníkovi je zřejmé, že menší odchylky od vytvoření zde uvedených neunikají z myšlenky a rozsahu vynálezu.
V současné době nejvýhodnější vytvoření pro získání povlečeného skla s nízkou emisivitou a NIR vlastnostmi s neutrálním zbarvením v odrazu s povlakem z oxidu cínu sestávajícího jen ze dvou vrstev, nehledě na zákal, jsou popsána v příkladech 1 až 30. Jedna vrstva je asi 3000 Á silný film TO:F (fluorem dopovaný oxid cínu) v kombinaci s filmem 2400 Á TO:Sb (antimonem dopovaný oxid cínu) na skle. Tloušťka filmu pro TO:F vrstvu se může měnit v rozmezí asi 2800-3200 Á a stále dosahuje překvapujícího výsledku neutrálního zbarvení v odrazu. Koncentrace fluoru může být v rozmezí asi 1-5 atomárních %. Tloušťka filmu TO:Sb může být v rozmezí asi 2200-2600 Á s koncentrací antimonu asi 3-8 % a stále dosahuje překvapujícího výsledku neutrálního zbarvení v odrazu pro povlečené sklo. V rámci výhodných rozmezí tlouštěk a koncentrací dopantu podle předloženého vynálezu může být vyrobeno povlečené sklo pro regulaci
-26slunečního emisivitou
44 • · • · • · ··& *44 *4 • · • 44 44
4 »
4 4
4 »4 «
*44 záření mající NIR vrstvu a vrstvu s nízkou a mající neutrálně-modré zbarvení v odraženém světle, tj . povlečené sklo mající odražené světlo převážně v mezích hodnot koordinát barevnosti C.I.E. x 0,285 až 0,310 a y 0,295 až 0,325, jak je znázorněno na obr. 7 obdélníkem označeným Neutrálně-modrá.
Všechny SHGC a hodnoty U v tabulce byly stanoveny za použití jednopásmového přístupu pomocí programu NFRC Window 4.1. Použití přesnějšího vícepásmového přístupu (požadovaný soubor spektrálních dat) zlepší SHGC přibližně o 14 %.
Tříimpulzové hodnoty C.I.E. pro zbarvení v odrazu a v prostupu povlečeného výrobku byly vyhodnoceny podle standardu ASTM E 308, s Iluminantem C jako standardním zdrojem světla. Podle tohoto standardu ASTM E 308 může být barva objektu určena s jednou nebo více různými stupnicemi. Stupnice použitá pro povlečené výrobky podle vynálezu je v koordinátách barevnosti x, y podle C.I.E. 1931. Na stupnici barev C.I.E. 197 6 L*, a*, b* může být převedena pomocí následuj1clch rovnic:
x=X/(X+Y+Z) y=(X+Y+Z)
L* = 116 (Y/Yn) 1/3-16 a* = 500 ( (X/Xn)1/3-(Y/Yn)1/3) b*=200 ( (Y/Yn) 1/3- (Z/Zn) 1/3) kde X,Y a Z jsou tříimpulzové hodnoty C.I.E. povlečeného výrobku, a Xn, Yn resp. Zn jsou 98,074, 100,000 resp. 118,232 pro standardní Ilumínant C. Z hodnot L*, a*, b* může být vypočten index sytosti barvy c* podle rovnice c*= ( (a*) 2+(b*)2)1/2. Index sytosti barvy 12 nebo menší se pokládá za neutrální.
-27Definice neutrálně-modré barvy pro odražené světlo, tj. povlečené sklo mající odražené světlo převážně v mezích hodnot koordinát barevnosti C.I.E. x 0,285 až 0,310 a y 0,295 až 325, jak je znázorněno na obr. 7 obdélníkem označeným Neutrálně-modrá koreluje s koordinátami C.I.E. 1976 L*, a*, b* 37,85, -1,25, -5,9 a 39,62, -2,25, 1,5.
Příklad konverze je následující:
Příklad 40 (tabulka 3)
5,5 % SbCl3 300/240 (F/Sb/sklo)
X=9,797 Y=9,404 Z=12,438 x=0,310 y=0,297 L*=36,751 a*=4,624 b*=-3,466 c*=5,778
Schopnost zasklení regulovat sluneční záření byla posuzována a hodnocena za použití systému hodnocení „Energy Star agentury pro ochranu životního prostředí USA. Hodnocení Energy Star pro centrální oblast Spojených Států
| vyžaduj e | U-faktor | 0,40 | nebo | nižší a | SHGC | 0,55 nebo | nižší. |
| Hodnocení | Energy | Star | pro | jižní oblast | Spoj ených | Států | |
| vyžaduj e | U-faktor | 0,75 | nebo | nižší a | SHGC | 0,40 nebo | nižší. |
| Povlečené | sklo | mající | NIR | povlak | 3 | povlak s | nízkou |
emisivitou podle vynálezu, zabudované do okna konvenční konstrukce, dosahuje hodnocení Energy Star pro střední a/nebo jižní oblast. Například okno vertikálně posuvné konstrukce 3 stopy široké a 4 stopy vysoké, mající absopční
-28hodnotu rámu 0,5 podle hodnocení NFRC (National Fenestration Rating Council) montované s povlečeným sklem pro regulaci slunečního záření podle vynálezu, majícím NIR film a film s nízkou emisivitou ve výhodných mezích pro neutrálně-modré zbarvení, dosahuje SHGC menší než 0,40 a hodnoty U menší než 0,64 pro monolitní konstrukci skla s rámem s hodnotou U 0,7 nebo menší, a dosahuje SHGC menší než 0,38 a hodnoty U menší než 0,48 pro izolovanou zasklívací jednotku (IGU) vytvořenou s čirou tabulkou 2,5 mm, 0,5 palcovou vzduchovou mezerou a NIR povlakem a povlakem s nízkou emisivitou na #2 povrchu vnější tabulky a hodnotou U rámu 1,0 nebo menší.
Tyto příklady dokládají to, že s minimálně dvěma vrstvami z dopovaného SnO2 může být vyrobeno vynikající povlečené sklo pro regulaci slunečního záření, mající předem zvolené zbarvení v odrazu. Tabulky 1, 2 a 3 obsahují data, zatímco obr. 5 a 6 znázorňují graficky, jak se vlastnosti povlečeného skla mění s koncentrací dopantu a tloušťkou filmu, zejména NIR filmu. Obr. 7 znázorňuje koordináty barevnosti x a y podle C.I.E reprezentativního výběru povlečených skel podle příkladů 1 až 30. Jak je zřejmé na obr. 7, specifické kombinace tloušťky NIR filmu, a filmu s nízkou emisivitou a specifické koncentrace dopantu (dopantů) mohou být použity pro vytvoření povlečených skel pro regulaci slunečního záření s jakoukoliv požadovanou barvou světla odraženého povlečeným povrchem skla, například červenou, zelenou, žlutou, modrou a jejich odstíny, nebo neutrálně-modrou barvu. Zvláště překvapující je, že neutrálně-modré barvy může být dosaženo s NIR vrstvou a vrstvou s nízkou emisivitou, avšak bez antiíridescenční vrstvy podle Gordona.
Ačkoliv hlavních znaků vynálezu může být dosaženo s pouze dvěma vrstvami, NIR vrstvou a vrstvou s nízkou
-29• · o
• · *
• · · · · emisivitou, do rozsahu vynálezu spadají i vícevrstvá vytvoření. Vrstvami navíc mohou být další NIR vrstvy a/nebo vrstvy s nízkou emisivitou, nebo jiné funkční nebo dekorativní vrstvy. Vícevrstvá vytvoření zahrnují
TOSb/TOF/TOSb/sklo, nebo
TO/TOF/TOSb/sklo, nebo
TO/TOSb/TOF/sklo, přičemž TO znamená film ze samotného oxidu cínu. Když se použijí vícenásobné vrstvy NIR nebo vrstvy s nízkou emisivitou, nemusí být koncentrace dopantu nebo volba dopantu ve všech NIR filmech nebo filmech s nízkou emisivitou stejná. Například, když se použijí dvě NIR vrstvy v kombinaci s alespoň jednou vrstvou s nízkou emisivitou, může mít jedna NIR vrstva nízký obsah antimonového dopantu (např. 2,5 %) .pro poskytnutí určité odrazivosti ve středním IR pásmu a jedna vrstva může mít vyšší obsah (>5 %) pro poskytnutí NIR absorbance. Termíny vrstva a film se zde obecně používají zaměnitelně, s výjimkou diskuse gradientního filmu znázorněného na obr. 3, kde část filmu se označuje jako vrstva mající koncentraci dopantu odlišnou od koncentrace dopantu v jiné vrstvě filmu. Při způsobu výroby povlečeného skla podle vynálezu, jak je demonstrován v příkladech, se sklo postupně uvádí do styku s nosným plynem obsahujícím prekurzory. Na skle tedy již 'může být povlak, když se uvádí podruhé do styku s nosným plynem obsahujícím prekurzory. Termín uvádění skla do styku se tedy týká buď přímého styku, nebo styku s jedním nebo více povlaky předtím uloženými na skle. Nej lepší způsoby provádění vynálezu v té části, která se týká snižování zákalu, jsou popsány v příkladech 40-43 a 48-61. Výsledky jsou shrnuty v tabulkách 3, 4 a 5.
Příklady 1 až 30
2,2 mm silný skleněný substrát (sodnovápenaté sklo), dva palce čtvereční, byl zahříván na horkém bloku na 605 až
-30• · ♦ · • · • · Γ» • · • · · · · ·
625 °C. Substrát byl umístěn 25 mm pod střední část vertikální soustředné trubkové povlékací trysky. Nosný plyn tvořený suchým vzduchem, proudící rychlostí 15 litrů za minutu, byl zahříván na 160 °C a veden skrze vertikální odpařovač s horkými stěnami. Kapalný povlékací roztok obsahující asi 95 % hmotn. monobutylcíntrichloridu a asi 5 % hmotn. chloridu antimonitého byl přiváděn do odpařovače prostřednictvím injekčního čerpadla při objemovém průtoku určeném pro poskytnutí koncentrace organocínové sloučeniny v plynné směsi 0,5 % mol. Do odpařovače bylo také přiváděno množství vody určené pro poskytnutí 1,5 % mol. vodní páry v plynné směsi. Plynná směs byla ponechána narážet na skleněný substrát čelní rychlostí 0,9 m/s po dobu asi 6,1 sekund, což vedlo k uložení filmu antimonem dopovaného oxidu cínu asi 240 nm silného. Bezprostředně poté byla použita druhá plynná směs kompozice prekurzoru sestávající z 95 % hotn. monobutylcíntrichloridu a 5 % hmotn. kyseliny trifluoroctové, spolu s nosným plynem a vodou v téže koncentraci jako bylo použito předtím k ukládání antimonem dopované vrstvy SnC>2. Tato druhá plynná směs byla ponechána narážet na povlečený substrát po dobu asi 6,7 sekund. Byl uložen film fluorem dopovaného oxidu cínu asi 280 nm silný. Dvouvrstvý film byl velmi světle modrý v prostupu i v odrazu. Optické vlastnosti byly měřeny pomocí UV/VIS/NIR spektrofotometru a odpor tabule byl měřen pomocí standardní čtyřbodové zkoušky. Koeficient výtěžku slunečního tepla, hodnota U prostup viditelného světla pro střed skla byl počítán pomocí programu Window 4.1 vyvinutého v Lawrence Berkeley National Laboratory, Windows and Daylight Group, Building Technologies Program, Energy and Enviromental Division. Barevné koordináty x a y podle C.I.E. byly počítány podle ASTM E308-96 z dat odrazivosti viditelného světla mezi 380-770 nm a tříimpulzových hodnot pro Iluminant
-31 C. Výsledky analýzy pro tento film jsou uvedeny v tabulce 1, č. 19. Postup podle tohoto příkladu byl dále 29 krát opakován s různými koncentracemi chemických prekurzorů a dobami ukládání pro vyrobení vzorků povlečeného skla majícího různé tloušťky vrstev NIR a vrstev s nízkou emisivitou a různé koncentrace dopantu. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.
Příklady 31 až 38
Byl opakován postup z příkladu 1 s tou výjimkou, že bylo obráceno pořadí přivádění páry. Nejprve byl po dobu asi 8 sekund ukládán film fluorem dopovaného oxidu cínu, načež byl po dobu asi 6 sekund ukládán film antimonem dopovaného oxidu cínu. Výsledný film byl asi 540 nm silný a sestával z vrstvy s nízkou emisivitou (TOF) tloušťky asi 300 nm a NIR vrstvy (TOSb) tloušťky asi 240 nm a měl obdobný vzhled a zbarvení v odraženém světle (neutrálně-modrou barvu) jako film podle příkladu 19. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 2, číslo 31. Postup podle tohoto příkladu byl 7 krát opakován s různými koncentracemi chemických prekurzorů a dobami ukládání pro vyrobení vzorků povlečeného skla majícího různé tloušťky vrstev NIR a vrstev s nízkou emisivitou ' a různé koncentrace dopantu. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.
Příklad 39
Byl opakován postup podle příkladu 1, avšak za použití tří směsí prekurzorů. Složení třetí směsi bylo 90 % hmotn. monobutylcíntrichloridu, 5 % hmotn. kyseliny trifluoroctové a 5 % hmotn. chloridu antimonitého. Gradientový film byl nanesen nejprve ukládáním pouze z prekurzorů antimonem dopovaného oxidu cínu podle příkladu 1 po dobu 7 0 % času potřebného pro uložení 240 nm. Pak bylo započato ukládání z prekurzorů dopovaného antimonem a fluorem. Se směsí obou i
-32• · · prekurzorů bylo pokračováno po dobu 20 % celkového času ukládání, načež bylo ukončeno přidávání antimonového prekurzoru. Se směsným prekurzorem antimonu a fluoru bylo pokračováno po dobu zbývajících 10 % celkového času ukládání 240nm antimonového filmu. V tomto bodě bylo započato přivádění prekurzoru fluorem dopovaného oxidu cínu. Přidávání obou prekurzorů pokračovalo po dobu 20 % celkové doby nezbytné pro uložení 300 nm fluorem dopovaného oxidu cínu. Pak bylo zastaveno přidávání směsného prekurzoru antimonu a fluoru a zbývající dobu ukládání fluorem dopovaného filmu bylo pokračováno s prekurzorem fluorem dopovaného cínu. Výsledná gradientově povlaková vrstva je světle modrá .v prostupu a v odrazu (x=0,292, y=0,316),
SHGC=0,50, hodnota U=0,6, prostup viditelného světla je asi 45 %. Jak je gradientového filmu znázorněno na obr. 3, povrch _ obsahuje v podstatě 100 % antimonového dopantu, zatímco povrch 18 obsahuje v podstatě 100 % fluorového dopantu, s gradientem koncentrace dopantu mezi povrchy 18 a 22, uvnitř matrice SnC>2.
Příklady 40 až 43
V příkladech 40 až 43 byl použit postup podle příkladu 1. Povlaková kompozice pro NIR vrstvu v příkladech 41 a 43 sestávala z prekurzoru fluoru, antimonu a cínu vytvořeného přidáním SbCÍ3 a TFA k MBTC. Tento prekurzor obsahoval 0-5 % hmotn. TFA, 5,2-5,5 % hmotn. SbCl3 a zbytek MBTC, a byl spolu s vodou přidáván do druhého odpařovače. Nosný plyn použitý pro druhý odpařovač byl suchý vzduch v množství 15 1/min. Prekurzor fluoru/antimonu/cínu byl přidáván v množství 0,5 molových procent celkového průtoku nosného plynu, voda byla přidávána v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, a teplota odpařovače byla udržována na 160 °C. Substrát ze sodnovápenatého skla dva ί
·· ·· • · · » · • · » • · · •··· ·· · čtvereční palce a 2,2 mm silný byl předehřát na vyhřívacím bloku na 605 až 625 °C. Vyhřívací blok a substrát byly pak posunuty do polohy přímo pod vertikální povlékací trysku, přičemž substrát je 25 mm pod povlékací tryskou. Páry F/Sb/Sn/H2O z druhého odpařovače byly pak vedeny na skleněný subtrát, přičemž byla v příkladech 41 a 43 ukládána podkladová vrstva z antimonem dopovaného oxidu cínu obsahujícího fluor. Rychlost nosného plynu byla 0,9 m/s a tloušťka filmu z dopovaného oxidu cínu byla asi 240 nm. Vedlejší produkty reakce a páry nezreagovaného prekurzoru byly odtahovány v množství 18 1/min. Po uložení podkladové vrstvy antimonem a fluorem dopovaného oxidu cínu byl ventil povlékací trysky přepnut z druhého odpařovacího napájecího zařízení a první odpařovací napájecí zařízení. Páry MBTC/TFA/H2O z prvního odpařovacího napájecího zařízení pak byly vedeny na substrát, přičemž byla vrstva fluorem dopovaného oxidu cínu ukládána přímo navrch podkladového povlaku antimon/fluor/oxid cínu. Rychlost nosného plynu byla 0,9 m/s a tloušťka fluorem dopovaného filmu oxidu cínu byla asi 300 nm. Dvouvrstvé filmy v příkladech 41 a 43 (obsahující v podkladovém NIR povlaku F i Sb) byly světle šedé v prostupu a neutrální v odrazu. Příklady 40 'resp. 42 v podstatě reprodukují příklady 41 resp. 43, avšak bez fluoru v podkladové NIR vrstvě. Byly měřeny vlastnosti a výsledky jsou uvedeny v tabulce 3. Výsledky ukazují, jak fluor, jako přísada v NIR vrstvě, modifikuje barvu a snižuje zákal pro zbarvení v odrazu i v prostupu. Zbarvení v prostupu, TVis, x a y filmů vytvořených s TFA a Sb dopanty v NIR vrstvě podle příkladů 41 a 43 je neutrálnější v odrazu a šedší v prostupu než těch, které obsahují jen Sb jako dopant v NIR vrstvě antimonem dopovaného oxidu cínu podle příkladů 40 a 42. Kromě toho, antimonem dopovaná NIR vrstva s barevně účinným množstvím fluorového dopantu má větší
• ·
-34• · propustnost viditelného světla (zvýšení Tvis z 54,5 na 58,5 v příkladu 41 proti příkladu 42 při určitém množství antimonového dopantu).
Tabulka 3
Shrnutí vlastností dvouvrstvých filmů TOSb/TOF
| Příklad # | 40 | 41 | 42 | 43 |
| kompozice | F/Sb/sklo | F/Sb/-F/sklo | F/Sb/sklo | F/Sb-F/sklo |
| % SbCl3 | 5,5 | 5,2 | 5,2 | 5,36 |
| % přísady | 0 TFA | 5 TFA | 0 TFA | 2,5 TFA |
| tloušťka nm | 300/240 | 300/240 | 300/240 | 300/240 |
| %Asol | 45,5 | 35,7 | 41,8 | 39,1 |
| %Tsol | 45, 0 | 54,2 | 48,2 | 50,6 |
| %Rsol,1 | 9,5 | 10,1 | 10,0 | 10,3 |
| %Rsol,2 | 8,0 | 8,9 | 8,4 | 8,7 |
| %Tvis | 50', 9 | 58,5 | 54,5 | 55, 6 |
| %Rvis,1 | 9,4 | 10,1 | 10,4 | 10,3 |
| %Rvis,2 | 8,0 | 9,0 | 8,5 | 9,0 |
| %Tuv | 40,1 | 41,1 | 41,6 | 39, 8 |
| S.R. | 11,9 | 13, 7 | 11,8 | 12,5 |
| Emis-cal | 0, 12 | 0,13 | 0,11 | 0,12 |
| Sklo L# | 6235 | 6236 | 6237 | 6238 |
| SHGCc | 0,53 | 0,60 | 0,55 | 0,57 |
| IG | 0,45 | 0,52 | 0,47 | 0,49 |
| Uc | 0,72 | 0,73 | 0,72 | 0,72 |
| IG | 0,27 | 0,28 | 0,27 | 0,27 |
| Tvis-c | 0,51 | 0,59 | 0,55 | 0,56 |
| IG | 0,46 | 0,53 | 0,50 | 0,51 |
| Rlx | 0,310 | 0,296 | 0,302 | 0,303 |
| Rly | 0,297 | 0,313 | 0,299 | 0,306 |
| %Rvis | 9,4 | 10,1 | 10,4 | 10,3 |
| Tvis X | 0,294 | 0,308 | 0,297 | 0,304 |
| Tvis y | 0,308 | 0,315 | 0,310 | 0,314 |
| % zákalu | 2,22±0,18 | 1,60±0,29 | 2,34±0,19 | 1,72±0,26 |
Příklady s následujícím (vysoká konc. (nízká konc. (vysoká konc.
4 až složením: Sb)/sklo, Sb)/sklo,
Sb)/sklo, demonstrují ukládání filmů TOF/TOSb (nízká konc. Sb)/TOSb TOF/TOSb (vysoká konc. Sb)/TOSb TOSb (nízká konc. Sb)/TOF/TOSb a TOSb (vysoká konc. Sb)/TOF/TOSb
-35• * (nízká konc. Sb)/sklo.
Příklad 44
Postup podle příkladu 1 byl opakován s tou výjimkou, že teplota skla .byla asi 610 °C a koncentrace složek byla asi 0,63 % mol. ve vzduchu proudícím rychlostí 20 litrů za minutu. Nejprve bylo uloženo asi 400 Á antimonem dopovaného oxidu cínu z kapalného povlékacího roztoku sestávajícího z asi 10 % hmotn. chloridu antimonitého monobutylcíntrichloridu. Bezprostředně poté druhá vrstva asi 2000 Á antimonem dopovaného oxidu cínu z kapalného povlakového roztoku sestávajícího z 3,25 % chloridu antimonitého a 96,75 %monobutylcíntrichloridu. Třetí vrstva sestávající z asi 3000 Á fluorem dopovaného oxidu cínu byla uložena z roztoku obsahujícího 5 % hmotn.
a asi 90 % byla uložena kyseliny trifluoroctové monobutylcíntrichloridu.
Výsledný film jevil světle zeleno-modrou barvu v odraženém světle a světle modrou barvu v prostupujícím světle. Vlastnosti filmu byly měřeny jak bylo popsáno v příkladu 1. Prostup viditelného světla byl 64 % a SHGC byl 0,56. Koordináty x a y barvy odraženého světla byly 0,304 a 0,299, a film tak spadal do neutrálně-modrého kvadrantu výše definového barevného systému C.I.E.
Příklad 45
Byl opakován postup podle příkladu 44, avšak tentokrát byly TOSb vrstvy nanášeny v obráceném pořadí (reverzní Výsledný film byl modro-červený v odrazu koordinátami x=0,330 a y=0,293. Prostup viditelného světla byl 59 % a SHGC byl 0,54. Odborníkovi je zřejmé, že TOSb vrstvy, stále spadající do rozsahu vynálezu, mohou mít i jiné tloušťky a koncentrace než je zde popsáno.
vytvoření). s barevnými
-36• · · < • · I • ···· ,,
Příklad 46
Byl opakován postup podle příkladu 44, avšak v tomto příkladu byl obrácen sled nanášení vrstvy fluorem dopovaného oxidu cínu a vrstvy 3,25% roztoku chloridu antimonitého. Výsledný film měl prostup viditelného světla asi 62 %, SHGC 0,55 a neutrální modro-červené zbarvení v odrazu charakterizované koordinátami barevnosti x=0,311 a y=0,311.
Příklad 47
Byl opakován postup podle příkladu 45, avšak v tomto příkladu byl obrácen sled nanášení vrstvy fluorem dopovaného oxidu cínu a vrstvy 10,0% roztoku chloridu antimonitého. Výsledný film měl prostup viditelného světla asi 57 %, SHGC 0,53 a světle zelené zbarvení v odrazu charakterizované koordinátami barevnosti x=0,308 a y=0,341. Odborníkovi je zřejmé, že TOSb vrstvy, stále spadající do rozsahu vynálezu, mohou mít i jiné tloušťky a koncentrace než je zde popsáno.
Příklad 48
Byl opakován postup podle příkladu 41 s následujícími změnami. Prekurzorová povlékací kompozice pro NI-R vrstvu sestávala z 5 % hmotn. TFA, 4,35 % hmotn. SbCl3 a zbytek tvořil MBTC. Nosný plyn použitý pro odpaření byl suchý vzduch v množství 20 1/min. Prekurzor fluoru/antimonu/cínu byl přidáván v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, voda byla přidávána v množství 7,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, a teplota odpařovače byla udržována na 160 °C. Substrát ze sodnovápenatokřemičitého skla dva čtvereční palce a 2,2 mm silný byl předehřát na ohřívacím bloku na 640 °C. Páry prekurzoru byly vedeny na skleněný substrát rychlostí asi 1,2, m/s, a film asi 240 nm z oxidu cínu obsahujícího fluor
-37a antimon byl ukládán rychlostí 1200 Á/s. Bezprostředně po tomto ukládání byla stejnou rychlostí ukládána asi 300nm vrstva z fluorem dopovaného oxidu cínu, z par o složení 1,5 molového procenta TFA/MBTC (5 % hmotn. TFA
MBTC), 7,5 molového procenta vodní páry a Dvouvrstvý film byl modro-zelený v odrazu a 95 % hmotn. zbytek vzduch, a měl hodnotu zákalu 1,20 %, měřeno Gardenerovým měřidlem zákalu.
Příklad 49
Byl opakován postup podle příkladu 48, avšak z parního proudu pro ukládání prvních asi 300-600 Á první vrstvy z oxidu cínu obsahujícího fluor a cín byla vynechána voda. Výsledný film-měl naměřený zákal 0,97 %, což je 20% snížení proti předcházejícímu příkladu.
Srovnávací příklad 50
Postup podle příkladu 40 byl opakován s následujícími změnami. Prekurzorová povlékací kompozice pro NIR vrstvu sestávala z 6,75 % hmotn. SbCl3 a zbytku MBTC. Nosný plyn použitý pro odpařování byl suchý vzduch v množství 20 1/min. Prekurzor antimonu/cínu byl přidáván v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, voda byla přidávána v množství 7,5 molových procent celkového průtoku nosného plynu a teplota odpařovače byla udržována na 160 °C. Substrát ze sodnovápenatokřemičitého skla dva čtvereční palce a 2,2 mm silný byl předehřát na vyhřívacím bloku na 648 °C. Páry prekurzorů byly vedeny na skleněný substrát rychlostí asi 1,2 m/s a antimonem dopovaný film oxidu cínu asi 240 nm byl ukládán rychlostí asi 1200 Á/s. Bezprostředně po tomto ukládání byla ukládána vrstva asi 300 nm fluorem dopovaného oxidu cínu, stejnou rychlostí, z par o složení 1,5 molového procenta TFA/MBTC (5 % hmotn. TFA a 95 % hmotn. MBTC), 7,5 molového procenta vodní páry a zbytek vzduch.
-38Dvouvrstvý film byl modro-zelený v odrazu a měl hodnotu zákalu 1,34 %, měřeno Gardnerovým měřidlem zákalu.
Příklad 51
Postup podle příkladu 50 byl opakován, avšak z proudu páry pro ukládání prvních asi 300-600 Á první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem byla vynechána voda. Výsledný film měl naměřený zákal 0,90 %, což je 33% snížení proti předcházejícímu příkladu.
Příklad 52
Postup podle příkladu 51 byl opakován, avšak pro ukládání prvních asi 300-600 Á první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem bylo k roztoku prekurzorů přidáno 5 % hmotn. TFA. Výsledný film měl naměřený zákal 0,83 %, což je 38% snížení proti zákalu v příkladu 50.
Příklad 53
Postup podle příkladu 50 byl opakován, avšak pro ukládání první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem bylo k roztoku prekurzorů přidáno 5 % hmotn. TFA. Výsledný dvouvrstvý film měl naměřený zákal 1,17 %.
Příklad 54
Postup podle příkladu 40 byl opakován s následujícími změnami. Prekurzorová povlékací kompozice pro NIR vrstvu měla složení 6,75 % hmotn. SbCl3 a zbytek MBTC. Nosný plyn použitý pro odpařování byl suchý vzduch v množství 20 1/min. Prekurzor antimonu a cínu byl přidáván v množství 1,5 molových procent celkového průtoku nosného plynu, voda byla přidávána v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, a teplota odpařovače byla udržována na 160 ··
-39°C. Substrát ze sodnovápenatého skla dva palce čtvereční, 2,2 mm silný, byl předehřát na vyhřívacím bloku na 663 °C. Páry prekurzoru byly vedeny na skleněný substrát rychlostí asi 1,2 m/s a antimonem dopovaný film oxidu cínu asi 240 nm byl ukládán rychlostí asi 1050 Á/s. Bezprostředně po tomto ukládání byla ukládána vrstva asi 300 nm fluorem dopovaného oxidu cínu, stejnou rychlostí, z par o složení 1,5 molového procenta TFA/MBTC (5 % hmotn. TFA a 95 % hmotn. MBTC) , 1,5 molového procenta vodní páry a zbytek vzduch. Dvouvrstvý film byl modro-zelený v odrazu a měl hodnotu zákalu 1,13 %, měřeno Gardnerovým měřidlem zákalu.
Příklad 55
Postup podle příkladu 54 byl opakován, avšak z proudu páry v průběhu ukládání prvních asi 300-600 Á první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem byla vynechána voda. Výsledný film měl naměřený zákal 0,90 %, což je 20% snížení proti předcházejícímu příkladu.
Příklad 56
Postup podle příkladu 55 byl opakován, avšak pro ukládání prvních asi 300-600 Á první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem bylo k roztoku prekurzoru přidáno 5 % hmotn. TFA. Výsledný film měl naměřený zákal 0,70 %, což je 23% snížení proti zákalu v předcházejícím příkladu.
Příklad 57
Postup podle příkladu 54 byl opakován, avšak pro ukládání první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem bylo k roztoku prekurzoru přidáno 5 % hmotn. TFA. Výsledný dvouvrstvý film měl naměřený zákal 0,72 %, což je 36% snížení proti zákalu v příkladu 54.
• · ♦
Následující příklady ilustrují zákal získaný při ukládání dvouvrstvého filmu v obráceném pořadí.
Příklad 58
Byl opakován postup podle příkladu 31 s následujícími změnami. Prekurzorová povlékací kompozice pro podkladovou vrstvu sestávala z 5 % hmotn. TFA a 95 % MBTC. Nosný plyn použitý pro odpaření byl suchý vzduch v množství 20 1/min. Roztok prekurzoru byl přidáván v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, voda byla přidávána v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, a teplota odpařovače byla udržována na 160 °'C. Substrát ze sodnovápenatokřemičitého skla dva čtvereční palce a 2,2 mm silný byl předehřát na ohřívacím bloku na 663 °C. Páry prekurzoru byly vedeny na skleněný substrát rychlostí asi 1,2 m/s, film asi 300 nm z oxidu cínu dopovaného fluorem byl ukládán rychlostí asi 1050 Á/s. Bezprostředně po tomto ukládání byla stejnou rychlostí ukládána asi 240nm vrstva antimonem dopovaného oxidu cínu, z par o složení 1,5 molového procenta SbCl3/MBTC (6,75 % hmotn. SbCl3 a 93,25 % hmotn. MBTC), 1,5 molového procenta vodní páry a zbytek vzduch. Výsledný dvouvrstvý -film byl neutrálně-modrý v odrazu a měl hodnotu zákalu 0,68 %, měřeno Gardenerovým měřidlem zákalu.
Příklad 59
Postup podle příkladu 58 byl opakován, avšak pro ukládání první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem bylo k roztoku prekurzoru přidáno 5 % hmotn. TFA. Výsledný dvouvrstvý film byl neutrálně modrý v odrazu a měl hodnotu zákalu 0,67 % .
-41 ·: ·: ·: .··. .··. , • · · · · · ·
......... ·..· ,
Příklad 60
Postup podle příkladu 54 byl opakován, avšak bylo přidáno 2,9 % hmotn. kyseliny octové k 5,75 % hmotn. roztoku prekurzoru SbCla/MBTC použitému pro ukládání první vrstvy z oxidu cínu dopovaného antimonem. Výsledný dvouvrstvý film byl neutrálně modrý v odrazu a měl hodnotu zákalu 0,95 %.
Srovnávací příklad 61
Postup podle příkladu 60 byl opakován, avšak v prekurzorovém roztoku nebyla použita kyselina octová. Výsledný dvouvrstvý film byl neutrálně modrý v odrazu a měl hodnotu zákalu 1,37 %.
Výsledky příkladů 48 až 61 jsou uvedeny v tabulkách 4 a 5.
Tabulka 4
Účinek TFA a/nebo H2O na zákal dvouvrstvých filmů
| Příklad | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 |
| Kompozice* | 2 | 2 | 1 | 1 | 2 | 2 | 1 | 1 | 2 | 2 | 3 | 4 |
| % SbCk | 4,35 | 4,35 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 | 6,75 |
| % TFA | 5 | 5 | 0 | 0 | 5 | 5 | 0 | 0 | 5 | 5 | 0 | 5 |
| prvních 30-60 nm | Ano | Ano | Ne | Ne | Ano | Ano | Ne | Ne | Ano | Ano | Ne | Ano |
| ve zbytku | Ano | Ano | Ne | Ne | Ne | Ano | Ne | Ne | Ne | Ano | Ne | Ano |
| H,O/Sn | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| prvních 30-60 nm | Ano | Ne | Ano | Ne | Ne | Ano | Ano | Ne | Ne | Ano | Ano | Ano |
| ve zbvtku | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano | Ano |
| Rychlost (Á/s) | asi 1200 | asi 1200 | asi 1200 | asi 1200 | asi 1200 | asi 1200 | asi 1050 | asi 1050 | asi 1050 | asi 1050 | asi 1050 | asi 1050 |
| teplota °C | 640 | 640 | 648 | 648 | 648 | 648 | 663 | 663 | 663 | 663 | 663 | 663 |
| % zákalu | 1,20 | 0,97 | 1,34 | 0,90 | 0,83 | 1,17 | 1,13 | 0,90 | 0,70 | 0,72 | 0,68 | 0,67 |
*Kompozice: 1=300 nm TOF/240 nm TOSb/sklo
2=300 nm TOF/240 nm TOSbF/sklo 3=240 nm TOSb/300 nm TOF/sklo 4=240 nm TOSbF/300 nm TOF/sklo
-42Tabulka 5
Účinky kyseliny octové na zákal dvouvrstvých filmů
| Příklad | 60 | 61 |
| Kompozice* | 2 | 2 |
| % SbCl3 | 5,75 | 5,75 |
| % HAC | 2,9 | 0 |
| prvních 30-60 nm | Ano | Ne |
| ve zbytku | Ano | Ne |
| H2O/Sn | 1 | 1 |
| prvních 30-60 nm | Ano | Ano |
| ve zbytku | Ano | Ano |
| Rychlost (Á/s) | asi 1050 | asi 1050 |
| teplota °C | 663 | 663 |
| % zákalu | 1,37 | 0, 95 |
*Kompozice: 1=300 nm TOF/240 nm TOSb/sklo
2=300 nm TOF/240 nm TOSbF/sklo 3=240 nm TOSb/300 nm TOF/sklo 4=240 nm TOSbF/300 nm TOF/sklo
Také oxid křemičitý může fungovat jako přísada pro snížení zákalu v NIR vrstvě z oxidu cínu, přilehlé sklu, zejména jestliže se přidává k vrchní částí NIR vrstvy před ukládáním vrstvy s nízkou emisivitou NIR vrstvy. Výhodným prekurzorem oxidu křemičitého je tetramethylcyklotetrasiloxan (TMCTS) . Když byl TMCTS použit v posledních asi 600 Á podkladové vrstvy, bylo získáno 33% snížení zákalu. Příklady 62 a 63 a jejich výsledky v tabulce 6 ilustrují účinek oxidu křemičitého jako přísady pro snížení zákalu ve vrstvě z oxidu cínu dopovaného antimonem.
| • 4 • · · | 4 4 * | >4 4 4 | 44 4 4 | • 4 | |
| 4 » • | 4 4 | 4 • 4 | 4 4 4 4 | ||
| • 4 | • •4 | 4 444 | 4 444« | 4 · 44 | 44 |
Příklad 62
Postup podle příkladu 1 byl opakován s následujícími změnami. Prekurzorová povlékací kompozice pro NIR vrstvu sestávala ze dvou roztoků, 5,75 % hmotn. SbCl3 se zbytkem MBTC přiváděného do obou odpařovačů, a čistého roztoku tetramethylcyklotetrasiloxanu (TMCTS) přiváděného pouze do druhého odpařovače. Nosný plyn používaný pro odpařování byl suchý vzduch v množství 15 1/min. Prekurzor antimonu a cínu byl přidáván v množství 0,5 molového procenta celkového průtoku nosného plynu, voda byla přidávána před mísící část povlékacího zařízení v množství 1,5 molového procenta celkového průtoku plynu, a teplota byla udržována na 160 °C. Když se používá TMCTS, přivádí se v množství 0,05 % mol.
Substrát ze sodnovápenatokřemičitého skla dva čtvereční palce a 2,2 mm silný byl předehřát na vyhřívacím bloku 663 °C. Páry prekurzoru NIR vrstvy byly přiváděny na skleněný substrát rychlostí asi 0,88 m/s a antimonem dopovaný film z oxidu cínu asi 185 nm byl ukládán rychlostí asi 55 nm/s. Bezprostředně po tomto ukládání byl ukládán z druhého odpařovače stejnou rychlostí film z oxidu cínu dopovaného antimonem obsahující oxid křemičitý rychlostí asi 61 nm. Poté následovala 298 nm vrstva z oxidu cínu dopovaného fluorem, který byl ukládán z prvního odpařovače stejnou rychlostí z par o složení 0,5 molového procenta TFA/MBTC (5 % hmotn. TFA a 95 % hmotn. MBTC), 1,5 molového procenta vodní páry a zbytek vzduch. Uložený film byl neutrálně modrý v odrazu a měl hodnotu zákalu 0,81 %, měřeno Gardenerovým měřidlem zákalu.
Srovnávací příklad 63
Příklad podle příkladu 62 byl opakován s tou výjimkou, že vrstva antimonem dopovaného oxidu cínu byla 223 nm silná, • 9 4
-444.
e * ♦ · ·
4« · · 44» I
4 4 4 9
4 4 4
444 444 4444444
nebyla ukládána vrstva oxidu křemičitého, a vrstva silná 291 nm. Výsledný film měl hodnotu zákalu měřeno Gardnerovým měřidlem zákalu.
TOF byla 1,20 %, záření
Tabulka 6
Účinek TMCTS na zákal filmů pro regulaci slunečního
| Příklad | 62 | 63 |
| Kompozice | TOF/TOSb-Si/ TOSb/sklo | TOF/TOSb/ sklo |
| % SbCl3 | 5,75 | 5,75 |
| TOSb nm | 185 | 223 |
| mol TMCTS/ mol Sn | 0,1 | 0 |
| TOSb-Si nm | .61 | 0 |
| TOF nm | 298 | 291 |
| Rychlost (Á/s) | asi 550 | asi 550 |
| teplota °C | 663 | 663 |
| % zákalu | 0, 81 | 1,20 |
Claims (34)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Sklo pro regulaci slunečního záření povlečené oxidem cínu, mající nízký zákal menší než asi 2,0 %, a mající v uvedeném povlaku z oxidu cínu NIR vrstvu absorbující sluneční záření a vrstvu s nízkou emisivitou, vyznačující se tím, že zahrnuje skleněný substrát a povlak z dopovaného oxidu cínu mající alespoň dvě vrstvy, přičemž jedna vrstva je vrstva absorbující sluneční záření zahrnující SnO2 obsahující dopant zvolený ze skupiny sestávající z'antimonu, wolframu, vanadu, železa, chrómu, molybdenu, niobu, kobaltu, niklu a jejich směsí, a druhá vrstva je vrstva s nízkou emisivitou zahrnující SnO2 obsahující dopant zvolený z fluoru nebo fosforu, přičemž část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření má sníženou drsnost, což přispívá ke snížené drsnosti a nízkému zákalu uvedeného povlaku z oxidu cínu.
- 2. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že tloušťka vrstvy absorbující sluneční záření je 200 až 320 nanometrů a tloušťka vrstvy s nízkou emisivitou je 200 až 450 nm, přičemž uvedená část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření propůjčující sníženou drsnost obsahuje zákal snižující množství přísady snižující zákal zvolené ze skupiny sestávající z fluoru a produktů pyrolytického rozkladu tetramethylcyklotetrasiloxanu, HF, kyseliny difluoroctové, kyseliny monofluoroctové, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného, ethyltrífluoracetátu, kyseliny octové, kyseliny mravenčí, kyseliny propionové, kyseliny methansulfonové, kyseliny máselné a jejích izomerů, kyseliny dusičné nebo dusité.• · φ-464 · «φ (t · · i . • · ·
- 3. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že tloušťka NIR vrstvy absorbující sluneční záření je 200 až 320 nanometrů a tloušťka vrstvy s nízkou emisivitou je 200 až 450 nm, přičemž část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření mající sníženou drsnost zahrnuje produkt pyrolytického rozkladu bezvodé (suché) směsi obsahující prekurzor cínu a prekurzor antimonu.
- 4. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že tloušťka NIR vrstvy absorbující sluneční záření je 200 až 320 nanometrů a tloušťka vrstvy s nízkou emisivitou je 200 až 450 nm, přičemž část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření propůjčující sníženou drsnost zahrnuje 300 až 600 Angstromů tloušťky vrstvy absorbující sluneční záření a je umístěna buď v sousedství rozhraní mezi vrstvou absorbující sluneční záření a vrstvou s nízkou emisivitou, nebo je částí vrstvy absorbující sluneční záření, která je nejblíže skleněnému substrátu.
- 5. Povlečené sklo podle nároku 2, vyznačující se tím, že tloušťka NIR vrstvy absorbující sluneční záření je 200 až 320 nanometrů a tloušťka vrstvy s nízkou emisivitou je 200 až 450 nm, přičemž část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření mající sníženou drsnost zahrnuje 300 až 600 Angstromů tloušťky vrstvy absorbující sluneční záření.
- 6. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že vrstva absorbující sluneční záření je umístěna blíže skleněnému substrátu než vrstva s nízkou emisivitou.
- 7. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedená vrstva absorbující sluneční záření má tloušťku 220 až 260 nm, koncentrace antimonového dopantu v uvedené vrstvě absorbující sluneční záření je 2,5 až 7 % hmotn., vztaženo na hmotnost SnO2 v uvedené vrstvě absorbující sluneční záření, a vrstva s nízkou emisivitou má tloušťku 280 až 320 nm, koncentrace fluorového dopantu v uvedené vrstvě s nízkou emisivitou je 1 až 5 % hmotn., vztaženo na hmotnost SnO2 v uvedené vrstvě s nízkou emisivitou.
- 8. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že vrstva absorbující sluneční záření je povlečena přímo na skle a vrstva s nízkou emisivitou je povlečena navrch vrstvy pro regulaci slunečního záření.
- 9. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedená vrstva absorbující sluneční záření je SnO2 s obsahem antimonového dopantu 3 až 6 % hmotn., vztaženo na hmotnost oxidu cínu SnO2 ve vrstvě pro regulaci slunečního záření, a vrstva s nízkou emisivitou je SnO2 s obsahem fluorového dopantu 1 až 3 % hmotn., vztaženo na hmotnost SnO2 ve vrstvě s nízkou emisivitou, a uvedená část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření propůjčující sníženou drsnost obsahuje fluor v dostatečném množství pro zvýšení vodivosti uvedené části vrstvy absorbující sluneční záření.
- 10. Sklo pro regulací slunečního záření povlečené oxidem cínu, mající nízký zákal a mající v uvedeném povlaku z oxidu cínu NIR vrstvu absorbující sluneční záření a vrstvu s nízkou emisivitou, vyznačující se tím, že zahrnuje skleněný substrát a povlak z dopovaného oxidu cínu mající alespoň dvě vrstvy, přičemž jedna vrstva je vrstva absorbující sluneční záření zahrnující antimonem dopovaný SnO2 a druhá vrstva je vrstva s nízkou emisivitou zahrnující SnO2 obsahující dopant zvolený z fluoru nebo fosforu,
» * « • · · · 4 • • • • · · • • « • ••44 • • • • 4 4 «44 « 9 · • 4 přičemž část uvedené vrstvy absorbující sluneční záření je produkt pyrolytického rozkladu prekurzoru cínu, prekurzoru antimony a zákal snižující množství přísady snižující zákal zvolené ze skupiny sestávající z prekurzoru fluoru, tetramethylcyklotetrasiloxanu, HF, kyseliny difluoroctové, kyseliny monofluoroctové, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného, ethyltrifluoracetátu, kyseliny octové, kyseliny mravenčí, kyseliny propionové, kyseliny methansulfonové, kyseliny máselné a jejích izomerů, kyseliny dusičné nebo dusité. - 11. Povlečené sklo podle nároku 3, vyznačující se tím, že uvedená vrstva absorbující sluneční záření má tloušťku 200 až 320 nm, koncentrace antimonového dopantu v uvedené vrstvě absorbující sluneční záření je 2,5 až 7 % hmotn., vztaženo na hmotnost SnO2 v uvedené vrstvě absorbující sluneční záření, a vrstva s nízkou emisivitou má tloušťku 200 až 450 nm, koncentrace fluorového dopantu v uvedené vrstvě s nízkou emisivitou je 1 až 5 % hmotn., vztaženo na hmotnost SnO2 v uvedené vrstvě s nízkou emisivitou.
- 12. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující, se tím, že vrstva absorbující sluneční záření je povlečena bezprostředně na skle a vrstva s nízkou emisivitou je povlečena navrch vrstvy pro regulaci slunečního záření.
- 13. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále obsahuje přídavný povlak buď mezi skleněným substrátem a povlakem z oxidu cínu nebo na povlaku z oxidu cínu.
- 14. Film z oxidu cínu dopovaného antimonem, vyznačující se tím, že obsahuje zákal snižující množství přísady snižující zákal zvolené ze skupiny sestávající-49• ♦ ♦ • · » · • * « « « * · #,· z fluoru a produktu pyrolytického rozkladu tetramethylcyklotetrasiloxanu, HF, kyseliny difluoroctové, kyseliny monofluoroctové, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného, ethyltrifluoracetátu, kyseliny octové, kyseliny mravenčí, kyseliny propionové, kyseliny methansulfonové, kyseliny máselné a jejích izomerů, kyseliny dusičné nebo dusité.
- 15. Film z oxidu cínu dopovaného antimonem mající nízký zákal, zahrnující produkt pyrolytického rozkladu bezvodé (suché) směsi obsahující prekurzor cínu a prekurzor antimonu a zdroj kyslíku.
- 16. Vícevrstvý film z oxidu cínu dopovaného antimonem mající nízký zákal, zahrnující produkt pyrolytického rozkladu bezvodé (suché) směsi obsahující prekurzor cínu a prekurzor antimonu a zdroj kyslíku, a druhá vrstva je produkt pyrolytického rozkladu směsi obsahující prekurzor cínu, prekutrzor antimonu, vodu a zdroj kyslíku.
- 17. Film z oxidu cínu dopovaného antimonem mající nízký zákal, vyrobený pyrolytickým rozkladem směsi obsahující prekurzor cínu, prekurzor antimonu, zdroj kyslíku a zákal snižující množství přísady snižující zákal zvolené ze skupiny sestávající z prekurzoru fluoru, fosforu, tetramethylcyklotetrasiloxanu, HF, difluoroctové, kyseliny monofluoroctové, antimonitého, fluoridu antimoničného, ethyltrifluoroacetoacetátu, kyseliny octové, kyseliny mravenčí, kyseliny propionové, kyseliny methansulfonové, kyseliny máselné a jejích izomerů, kyseliny dusičné nebo dusité.prekurzoru kyseliny fluoridu
- 18. Film z oxidu cínu dopovaného antimonem podle nároku 17, vyznačující se tím, že prekurzor antimonu je-50-» » zvolen ze skupiny sestávající z chloridu antimonitého, chloridu antimoničného, octanu antimonitého, ethylátu antimonitého, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného a antimonacetylacetonátu.
- 19. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že všechny vrstvy z SnO2 jsou vytvořeny pyrolytickým rozkladem prekurzorů cínu.
- 20. Povlečené sklo podle nároku 19, vyznačující se tím, že prekurzor cínu je zvolen ze skupiny sestávající z monobutylcíntrichloridu, methylcíntrichloridu, dimethylcíndichloridu, dibutylcíndiacetátu a chloridu cíničitého.
- 21. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že vrstva absorbující sluneční záření sestává z alespoň dvou filmů absorbujících sluneční záření, a celková tloušťka filmů absorbujících sluneční záření je 80 až 320 nm.
- 22. Povlečené sklo podle nároku 21, vyznačující se tím, že koncentrace dopantu v jednom z uvedených filmů absorbujících sluneční záření je jiná než koncentrace dopantu ve druhém z filmů absorbujících sluneční záření.
- 23. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že vrstva s nízkou emisivitou sestává z alespoň dvou filmů s nízkou emisivitou a celková tloušťka filmů s nízkou emisivitou je 200 až 450 nm.
- 24.tím, že s nízkou druhém zPovlečené sklo podle nároku 23, vyznačující se koncentrace dopantu v jednom z uvedených filmů emisivitou je jiná než koncentrace dopantu ve filmů s nízkou emisivitou.• 4 · 4 · • · · * • · · · Λ 4 4 4 ·4 4 4 4 · · · • 44 444 444 »»·Ι «4 ·4·
- 25. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že v uvedené vrstvě absorbující sluneční záření dále obsahuje množství dopantu modifikující zbarvení v prostupu.
- 26. Povlečené sklo podle nároku 25, vyznačující se tím, že uvedeným dopantem modifikujícím zbarvení je fluor.
- 27. Povlečené sklo podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále obsahuje fluor jako nedopovací přísadu ovlivňující drsnost v uvedené vrstvě absorbující sluneční záření.
- 28. Způsob výroby povlečeného skla podle nároku 1, vyznačující se tím, že zahrnuje postupné zpracování skla při teplotě skla vyšší než 400 °C:prvním nosným plynem obsahujícím zdroj kyslíku, H^O, prekurzor cínu a prekurzor dopantu zvolený ze skupiny sestávající z chloridu antimonitého, chloridu antimoničného, octanu antimonitého, ethylátu antimonitého, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného a antimonacetylacetonátu, pro vytvoření pyrolýzou NIR vrstvy z SnO2 obsahujícího antimonový dopant;bezvodým druhým nosičem obsahujícím kyslík, prekurzor cínu a prekurzor dopantu zvolený ze skupiny sestávající z chloridu antimonitého, chloridu antimoničného, octanu antimonitého, ethylátu antimonitého, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného a antimon-acetylacetonátu, pro vytvoření pyrolýzou NIR vrstvy z SnO2 obsahujícího antimonový dopant a mající sníženou drsnost přispívající ke snížení zákalu;třetím nosným plynem obsahujícím zdroj kyslíku, H^O, prekurzor cínu a prekurzor dopantu zvolený ze skupiny sestávající z kyseliny trifluoroctové, ethyltrifluoracetátu, kyseliny difluoroctové, kyseliny monofluoroctové fluoridu-52* » • · ·· · · • » • 9 amonného, bifluoridu amonného a kyseliny fluorovodíkové, pro vytvoření vrstvy s nízkou emisivitou z SnO2 obsahujícího fluorový dopant.
- 29. Způsob výroby povlečeného skla podle nároku 1, vyznačující se tím, že zahrnuje postupné zpracování skla při teplotě skla vyšší než 400 °C:prvním nosným plynem obsahujícím zdroj kyslíku, H^O, prekurzor cínu a prekurzor dopantu zvolený ze skupiny sestávající z chloridu antimonitého, chloridu antimoničného, octanu antimonitého, ethylátu antimonitého, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného a antimonacetylacetonátu, pro vytvoření pyrolýzou NIR vrstvy z SnO2 obsahujícího antimonový dopant;druhým nosičem obsahujícím kyslík, prekurzor cínu a prekurzor dopantu zvolený ze skupiny sestávající z chloridu antimonitého, chloridu antimoničného, octanu antimonitého, ethylátu antimonitého, fluoridu antimonitého, fluoridu antimoničného a antimonacetylacetonátu a zákal snižující množství přísady snižující zákal zvolené ze skupiny sestávající z prekurzoru fluoru, tetramethyl-kyseliny fluoridu cyklotetrasiloxanu, HF, kyseliny difluoroctové, monofluoroctové, fluoridu antimonitého, antimoničného, ethyltrifluoracetoaceátu, kyseliny octové, kyseliny mravenčí, kyseliny propionové, kyseliny methansulfonové, kyseliny máselné a jejích izomerů, kyseliny dusičné nebo dusité, pro vytvoření pyrolýzou NIR vrstvy z SnO2 obsahujícího antimonový dopant a mající sníženou drsnost přispívající ke snížení zákalu;třetím nosným plynem obsahujícím zdroj kyslíku, H^O, prekurzor cínu a prekurzor dopantu zvolený ze skupiny sestávající z kyseliny trifluoroctové, ethyltrifluoracetátu, kyseliny difluoroctové, kyseliny monofluoroctové fluoridu-53 amonného, bifluoridu amonného a kyseliny fluorovodíkové, pro vytvoření vrstvy s nízkou emisivitou z SnO2 obsahujícího fluorový dopant.
- 30. Způsob podle nároku 28, vyznačující se tím, že uvedený skleněný substrát se uvádí do styku s druhým nosným plynem předtím, než se uvede do styku s prvním nosným plynem.
- 31. Způsob podle nároku 28, vyznačující se tím, že uvedený skleněný substrát se uvádí do styku s druhým nosným plynem předtím, než se uvede do styku s prvním nosným plynem.
- 32. Způsob podle nároku 29, vyznačující se tím, že uvedený skleněný substrát se uvádí do styku s druhým nosným plynem předtím, než se uvede do styku s prvním nosným plynem, a přísada snižující zákal je jiná než tetrámethylcyklotetrasiloxan.
- 33. Způsob podle nároku 29, vyznačující se tím, že uvedený skleněný substrát se uvádí do styku s druhým nosným plynem předtím, než se uvede do styku s prvním nosným
plynem, a přísada snižuj ící zákal je tetramethyl- cyklotetrasiloxan. 34 . Způsob podle nároku 29, vyznačuj ící se tím, že uvedený druhý nosný plyn je bezvodý 35. Výrobek vyrobený způsobem podle nároku 28. - 36. Výrobek vyrobený způsobem podle nároku 29.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/699,681 US6596398B1 (en) | 1998-08-21 | 2000-10-30 | Solar control coated glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20013899A3 true CZ20013899A3 (cs) | 2002-06-12 |
Family
ID=24810424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20013899A CZ20013899A3 (cs) | 2000-10-30 | 2001-10-30 | Povlečené sklo pro regulaci slunečního záření |
Country Status (27)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6596398B1 (cs) |
| EP (1) | EP1201616A3 (cs) |
| JP (1) | JP4498648B2 (cs) |
| KR (1) | KR20020033579A (cs) |
| CN (1) | CN1350990A (cs) |
| AR (1) | AR031278A1 (cs) |
| AU (1) | AU779141B2 (cs) |
| BR (1) | BR0106856A (cs) |
| CZ (1) | CZ20013899A3 (cs) |
| DZ (1) | DZ3130A1 (cs) |
| EA (1) | EA004211B1 (cs) |
| EG (1) | EG23121A (cs) |
| HK (1) | HK1044143A1 (cs) |
| HU (1) | HUP0104596A3 (cs) |
| IL (1) | IL146145A (cs) |
| MX (1) | MXPA01011068A (cs) |
| MY (1) | MY127102A (cs) |
| NZ (1) | NZ515014A (cs) |
| PE (1) | PE20020702A1 (cs) |
| PL (1) | PL350382A1 (cs) |
| SA (1) | SA02220665B1 (cs) |
| SG (1) | SG108284A1 (cs) |
| SK (1) | SK15592001A3 (cs) |
| TW (1) | TWI228108B (cs) |
| UA (1) | UA75574C2 (cs) |
| UY (1) | UY26994A1 (cs) |
| ZA (1) | ZA200108848B (cs) |
Families Citing this family (333)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040175500A1 (en) * | 2002-01-28 | 2004-09-09 | Akira Fujisawa | Method for forming transparent conductive film, transparent conductive film, glass substrate having the same and photoelectric transduction unit including the glass substrate |
| CN100423136C (zh) * | 2003-06-17 | 2008-10-01 | 日本板硝子株式会社 | 透明导电性基板及其制造方法、和光电转换元件 |
| EP1644293B2 (en) | 2003-07-11 | 2022-04-13 | Pilkington Group Limited | Solar control glazing |
| NL1024437C2 (nl) * | 2003-10-02 | 2005-04-05 | Tno | Coating welke is aangebracht op een substraat, een zonnecel, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op het substraat. |
| US20050196623A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Mckown Clem S.Jr. | Solar control coated glass composition |
| GB0423085D0 (en) | 2004-10-18 | 2004-11-17 | Pilkington Automotive Ltd | Solar control glazing |
| US20060141265A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Russo David A | Solar control coated glass composition with reduced haze |
| GB0505074D0 (en) * | 2005-03-14 | 2005-04-20 | Pilkington Plc | Coatings |
| MX2007013312A (es) | 2005-04-29 | 2008-03-07 | Agc Flat Glass Europe Sa | Sustrato recubierto y proceso para la produccion de un sustrato recubierto. |
| WO2007058118A1 (ja) * | 2005-11-17 | 2007-05-24 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| CN101024742B (zh) * | 2006-02-21 | 2010-05-12 | 中国科学院化学研究所 | 具有光致变色和阳光控制性能的纳米涂料及其制法和用途 |
| US7452488B2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| US20080160321A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | 3M Innovative Properties Company | Single pane glazing laminates |
| US7914857B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-03-29 | Guardian Industries Corp. | Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (DLC) coating and protective film with oxygen content of protective film based on bending characteristics of coated article |
| CN105732376A (zh) | 2007-08-16 | 2016-07-06 | 索尔维公司 | 制备4-氟取代的3-氧代-烷酸酯的方法 |
| WO2010107998A1 (en) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Thin film coating and method of making the same |
| US20110030290A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Slovak Steven M | Energy efficient fenestration product with suspended particle device |
| US8425978B2 (en) * | 2009-09-21 | 2013-04-23 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Fluorine compounds for doping conductive oxide thin films |
| US8270060B2 (en) | 2009-09-25 | 2012-09-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Infrared ray transmittance controlling panel including color modifying layer |
| US8558106B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device and method for fabricating the same |
| US8563853B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-22 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device |
| KR101127607B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전기 전도층이 포함된 써모크로믹 유리 |
| NL2004024C2 (en) * | 2009-12-29 | 2011-06-30 | Omt Solutions Beheer B V | A coated translucent substrate for a greenhouse and a freezer door. |
| US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
| US11155493B2 (en) | 2010-01-16 | 2021-10-26 | Cardinal Cg Company | Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US9862640B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-01-09 | Cardinal Cg Company | Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US8658262B2 (en) * | 2010-01-16 | 2014-02-25 | Cardinal Cg Company | High quality emission control coatings, emission control glazings, and production methods |
| US8551609B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-10-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method of depositing niobium doped titania film on a substrate and the coated substrate made thereby |
| CN101891402B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种有机无机电致变色膜的制备方法 |
| CN101898872B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种NiO2无机复合有机电致变色薄膜的制备方法 |
| CN101891403B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种有机无机复合电致变色薄膜的制备方法 |
| HUE049352T2 (hu) | 2010-12-22 | 2020-09-28 | Baxalta GmbH | Anyagok és módszerek egy vízoldható zsírsavszármazéknak egy fehérjéhez való konjugálására |
| FR2973366A1 (fr) * | 2011-04-04 | 2012-10-05 | Saint Gobain | Substrat verrier a couche faiblement rugueuse |
| GB201106553D0 (en) * | 2011-04-19 | 2011-06-01 | Pilkington Glass Ltd | Mthod for coating substrates |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9052456B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-06-09 | Intermolecular, Inc. | Low-E glazing performance by seed structure optimization |
| JP6201756B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2017-09-27 | コニカミノルタ株式会社 | 赤外遮蔽フィルム |
| JP5326058B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-10-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線カット材、赤外線カット材の分散液、赤外線カット膜形成用組成物、および赤外線カット膜 |
| CN102603206A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种多层氧化锡掺氟镀膜玻璃及其制备方法 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20140170422A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Intermolecular Inc. | Low emissivity coating with optimal base layer material and layer stack |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| DE102013103679A1 (de) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Licht absorbierende Schicht und die Schicht enthaltendes Schichtsystem, Verfahren zur dessen Herstellung und dafür geeignetes Sputtertarget |
| FR3010074B1 (fr) * | 2013-09-05 | 2019-08-02 | Saint-Gobain Glass France | Procede de fabrication d'un materiau comprenant un substrat muni d'une couche fonctionnelle a base d'oxyde d'etain et d'indium |
| CN103539365B (zh) * | 2013-10-09 | 2016-08-17 | 河源旗滨硅业有限公司 | 一种反射性阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN103693862B (zh) * | 2013-12-19 | 2016-03-30 | 海南中航特玻材料有限公司 | 具有防紫外线和红外线双重功能的在线镀膜玻璃及制备方法 |
| CN103864315B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-02 | 江苏汇景薄膜科技有限公司 | 一种银钛复合功能层低辐射节能玻璃及其制备方法 |
| CN104098276B (zh) * | 2014-07-15 | 2016-08-24 | 江阴沐祥节能装饰工程有限公司 | 一种高平整度的低辐射镀膜玻璃制品及其制备方法 |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| CN104628264A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-05-20 | 海南中航特玻科技有限公司 | 在线cvd法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备 |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10680123B2 (en) * | 2015-03-12 | 2020-06-09 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive oxide coating |
| CN104944797A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-30 | 芜湖市晨曦新型建材科技有限公司 | 一种阳光控制低辐射镀膜玻璃及其在线制备方法 |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| KR101795142B1 (ko) | 2015-07-31 | 2017-11-07 | 현대자동차주식회사 | 눈부심 방지 다층코팅을 구비한 투명기판 |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US20170114225A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Schott Gemtron Corp. | Coating compositions for glass substrates |
| US10591652B2 (en) * | 2015-11-20 | 2020-03-17 | Schott Gemtron Corp. | Multi-layer coated glass substrate |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10845665B1 (en) | 2016-02-01 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Devices with guest-host liquid crystal modulators |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| CN106116171B (zh) * | 2016-05-23 | 2019-09-24 | 漳州旗滨玻璃有限公司 | 一种淡蓝色低反射阳光控制镀膜玻璃制备工艺 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| WO2017212214A1 (en) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | Pilkington Group Limited | Coated glass article and window for a vehicle including the same |
| CN106116160A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-16 | 东莞市银建玻璃工程有限公司 | 一种可钢化的离线金色单银low‑e玻璃及其制备方法 |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| CN109788763B (zh) | 2016-08-03 | 2022-03-08 | 肖特嘉姆创公司 | 具有吸收电磁辐射并将热辐射发射到炉腔中的介电涂布玻璃衬底的炉 |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| CN106761236A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 重庆华瑞玻璃有限公司 | 一种双层遮阳玻璃门窗 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| WO2018185491A1 (en) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | Pilkington Group Limited | Coated glass article |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11747532B2 (en) | 2017-09-15 | 2023-09-05 | Southwall Technologies Inc. | Laminated optical products and methods of making them |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
| KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10613261B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-04-07 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| US10627555B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-04-21 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| KR102709511B1 (ko) | 2018-05-08 | 2024-09-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| CN120591748A (zh) | 2018-06-27 | 2025-09-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构 |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102929471B1 (ko) | 2019-05-07 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR102929472B1 (ko) | 2019-05-10 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| US20220310861A1 (en) * | 2019-06-10 | 2022-09-29 | UbiQD, Inc. | Color-modified luminescent concentrator |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| TWI826704B (zh) | 2019-07-17 | 2023-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 自由基輔助引燃電漿系統和方法 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210021266A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 웨이퍼를 처리하는 장치 및 방법 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR102948143B1 (ko) | 2019-10-08 | 2026-04-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
| TWI887322B (zh) | 2020-01-06 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| TWI908758B (zh) | 2020-02-04 | 2025-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| WO2021165680A1 (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Pilkington Group Limited | Coated glass articles |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR102943116B1 (ko) | 2020-03-04 | 2026-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR102934380B1 (ko) | 2020-04-24 | 2026-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132612A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR20210137395A (ko) | 2020-05-07 | 2021-11-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법 |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR102936676B1 (ko) | 2020-05-15 | 2026-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법 |
| TWI911214B (zh) | 2020-05-19 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| CA3120257A1 (en) * | 2020-06-01 | 2021-12-01 | Oldcastle Buildingenvelope, Inc. | Requirement-driven selection of building products and building product configurations |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI864307B (zh) | 2020-07-17 | 2024-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構、方法與系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TWI911263B (zh) | 2020-08-25 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| TWI911265B (zh) | 2020-08-27 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229612A (zh) | 2020-10-06 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統 |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| KR20220090438A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이금속 증착 방법 |
| KR20220090435A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전구체 캡슐, 용기 및 방법 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| JPWO2022255199A1 (cs) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | ||
| WO2022255201A1 (ja) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | Ａｇｃ株式会社 | 積層膜付き基材 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| CN115196884A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-18 | 深圳市楠轩光电科技有限公司 | 一种光学玻璃镀膜方法 |
| WO2024136836A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Gemtron Corporation | Infrared reflective tin oxide coatings and methods of making and using the same |
| CN117266423B (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-09 | 天津包钢稀土研究院有限责任公司 | 一种用于被动房和绿色建筑的保温隔热节能玻璃幕墙 |
| WO2025202635A1 (en) * | 2024-03-26 | 2025-10-02 | Pilkington Group Limited | Coated glass articles |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3149989A (en) | 1961-12-01 | 1964-09-22 | Corning Glass Works | Radiation-reflecting medium |
| US4265974A (en) | 1976-11-01 | 1981-05-05 | Gordon Roy G | Electrically conductive, infrared reflective, transparent coatings of stannic oxide |
| US4187336A (en) | 1977-04-04 | 1980-02-05 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| US4287009A (en) | 1979-11-08 | 1981-09-01 | Bethlehem Steel Corporation | Method of producing an aluminum-zinc alloy coated ferrous product to improve corrosion resistance |
| JPS5890604A (ja) | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 赤外線遮蔽積層体 |
| JPS597043A (ja) | 1982-07-06 | 1984-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 熱線遮蔽積層体 |
| US4601917A (en) | 1985-02-26 | 1986-07-22 | M&T Chemicals Inc. | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings |
| US4590096A (en) | 1984-12-28 | 1986-05-20 | M&T Chemicals Inc. | Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass |
| US4743506A (en) * | 1984-12-28 | 1988-05-10 | M&T Chemicals Inc. | Tin oxide coated article |
| GB8630791D0 (en) * | 1986-12-23 | 1987-02-04 | Glaverbel | Coating glass |
| GB8630918D0 (en) | 1986-12-24 | 1987-02-04 | Pilkington Brothers Plc | Coatings on glass |
| US4853257A (en) | 1987-09-30 | 1989-08-01 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath |
| US5254392A (en) * | 1991-06-24 | 1993-10-19 | Ford Motor Company | Anti-iridescence coatings |
| US5168003A (en) | 1991-06-24 | 1992-12-01 | Ford Motor Company | Step gradient anti-iridescent coatings |
| SG45418A1 (en) | 1991-10-30 | 1998-01-16 | Asahi Glass Co Ltd | Method of making a heat treated coated glass |
| JPH06150741A (ja) | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH0794044A (ja) | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH08268732A (ja) | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Central Glass Co Ltd | 熱線反射ガラス |
| GB2302102B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel |
| GB2302101B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties |
| US6231971B1 (en) | 1995-06-09 | 2001-05-15 | Glaverbel | Glazing panel having solar screening properties |
| JPH09169545A (ja) | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Th Goldschmidt Ag | 酸化アンチモンドープした酸化スズからなる透過率を低下する層をガラスおよびガラスセラミックに熱分解的に製造する方法、およびそのための配合物 |
| US5780149A (en) | 1996-09-13 | 1998-07-14 | Libbey-Ownes-Ford Co. | Glass article having a solar control coating |
| GB9619134D0 (en) | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
| US6124026A (en) * | 1997-07-07 | 2000-09-26 | Libbey-Owens-Ford Co. | Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article |
| US6218018B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-04-17 | Atofina Chemicals, Inc. | Solar control coated glass |
| GB9822338D0 (en) * | 1998-10-13 | 1998-12-09 | Glaverbel | Solar control coated glass |
| US6797388B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-09-28 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods of making low haze coatings and the coatings and coated articles made thereby |
-
2000
- 2000-10-30 US US09/699,681 patent/US6596398B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-19 AU AU81502/01A patent/AU779141B2/en not_active Ceased
- 2001-10-24 NZ NZ515014A patent/NZ515014A/en not_active IP Right Cessation
- 2001-10-24 MY MYPI20014940A patent/MY127102A/en unknown
- 2001-10-24 IL IL14614501A patent/IL146145A/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-10-26 PE PE2001001064A patent/PE20020702A1/es not_active Application Discontinuation
- 2001-10-26 ZA ZA200108848A patent/ZA200108848B/xx unknown
- 2001-10-26 TW TW090126563A patent/TWI228108B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-26 SK SK1559-2001A patent/SK15592001A3/sk unknown
- 2001-10-29 AR ARP010105063A patent/AR031278A1/es active IP Right Grant
- 2001-10-29 PL PL01350382A patent/PL350382A1/xx not_active Application Discontinuation
- 2001-10-29 DZ DZ010072A patent/DZ3130A1/xx active
- 2001-10-29 EA EA200101031A patent/EA004211B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-10-29 EP EP01309144A patent/EP1201616A3/en not_active Withdrawn
- 2001-10-30 CN CN01137718A patent/CN1350990A/zh active Pending
- 2001-10-30 EG EG20011155A patent/EG23121A/xx active
- 2001-10-30 KR KR1020010067198A patent/KR20020033579A/ko not_active Ceased
- 2001-10-30 UA UA2001107390A patent/UA75574C2/uk unknown
- 2001-10-30 JP JP2001332304A patent/JP4498648B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-30 CZ CZ20013899A patent/CZ20013899A3/cs unknown
- 2001-10-30 HU HU0104596A patent/HUP0104596A3/hu unknown
- 2001-10-30 UY UY26994A patent/UY26994A1/es unknown
- 2001-10-30 BR BR0106856-3A patent/BR0106856A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-10-30 SG SG200106698A patent/SG108284A1/en unknown
- 2001-10-30 MX MXPA01011068A patent/MXPA01011068A/es active IP Right Grant
-
2002
- 2002-02-05 SA SA02220665A patent/SA02220665B1/ar unknown
- 2002-08-09 HK HK02105827.6A patent/HK1044143A1/zh unknown
-
2003
- 2003-02-13 US US10/366,427 patent/US6656523B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-13 US US10/366,132 patent/US20030162037A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6656523B2 (en) | Solar control coated glass | |
| US6218018B1 (en) | Solar control coated glass | |
| JP2012520784A (ja) | 薄膜コーティング及びその作製方法 | |
| JPH04275949A (ja) | ガラス上に酸化アルミニウムを基礎材料とする層を形成するための方法及びその層を備えた製品 | |
| JPH04265253A (ja) | 被覆ガラス及びその製造法 | |
| DE69114582T2 (de) | Verfahren zur Bildung einer Schicht aus Aluminium- Titanoxiden auf Glas, das so erhaltene Glas mit halbleitenden Beschichtungen. | |
| US20050196623A1 (en) | Solar control coated glass composition | |
| CN1128770C (zh) | 具有高反射率的太阳控制涂层基体 | |
| AU759899B2 (en) | Solar control coated glass | |
| GB2248243A (en) | Glass coated with mixed oxide of aluminium and vanadium prior to coating with tin oxide | |
| MXPA99007735A (en) | Glass coated for so control | |
| NZ505140A (en) | A near infrared (NIR) wavelength film containing a tin oxide with a NIR dopant | |
| HK1027338B (en) | Solar control coated glass | |
| UA65556C2 (en) | A coated glass (variants), a method for making the same and coating absorbing radiation of the spectral region adjacent to that infrared |