SA02220665B1 - زجاج مطلي coated glass للتحكم بأشعة الشمس - Google Patents
زجاج مطلي coated glass للتحكم بأشعة الشمس Download PDFInfo
- Publication number
- SA02220665B1 SA02220665B1 SA02220665A SA02220665A SA02220665B1 SA 02220665 B1 SA02220665 B1 SA 02220665B1 SA 02220665 A SA02220665 A SA 02220665A SA 02220665 A SA02220665 A SA 02220665A SA 02220665 B1 SA02220665 B1 SA 02220665B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- layer
- antimony
- acid
- dopant
- low
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 111
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 110
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 109
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 109
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 106
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 105
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 94
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 44
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 34
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 34
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 31
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 26
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- -1 ethyl fluoroacetate propionic acid propionic acid formic acid Chemical compound 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 18
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N benzyl n-(2-oxopyrrolidin-3-yl)carbamate Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC(=O)NC1CCNC1=O DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N difluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)F PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 5
- ODNBVEIAQAZNNM-UHFFFAOYSA-N 1-(6-chloroimidazo[1,2-b]pyridazin-3-yl)ethanone Chemical compound C1=CC(Cl)=NN2C(C(=O)C)=CN=C21 ODNBVEIAQAZNNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K Antimony trifluoride Inorganic materials F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- WCQRWCFGZARAMR-UHFFFAOYSA-N [F].[F] Chemical compound [F].[F] WCQRWCFGZARAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 4
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 4
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 10
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims 6
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims 5
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 3
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WUOBERCRSABHOT-UHFFFAOYSA-N diantimony Chemical compound [Sb]#[Sb] WUOBERCRSABHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LPLMZAJYUPAYQZ-UHFFFAOYSA-N diazanium;difluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[F-].[F-] LPLMZAJYUPAYQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 claims 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims 2
- LIQBKSIZAXKCPA-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluoro-3-oxobutanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(=O)C(F)(F)F LIQBKSIZAXKCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NMPPFJPIFFOTFR-UHFFFAOYSA-L C[Sn](C)(Cl)Cl.Cl.Cl.Cl Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl.Cl.Cl.Cl NMPPFJPIFFOTFR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- VLVIJCDFVOHWCY-UHFFFAOYSA-N FC(C(=O)O)(F)F.[Sn] Chemical compound FC(C(=O)O)(F)F.[Sn] VLVIJCDFVOHWCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZHQXROVTUTVPGO-UHFFFAOYSA-N [F].[P] Chemical compound [F].[P] ZHQXROVTUTVPGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N [O].[O] Chemical compound [O].[O] QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KXWBWCWPLXBJAN-UHFFFAOYSA-N [Sb].[W] Chemical compound [Sb].[W] KXWBWCWPLXBJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 claims 1
- ZMZINYUKVRMNTG-UHFFFAOYSA-N acetic acid;formic acid Chemical compound OC=O.CC(O)=O ZMZINYUKVRMNTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- KFIRCHXSRZARIY-UHFFFAOYSA-H antimony(3+) hexafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Sb+3].[Sb+3] KFIRCHXSRZARIY-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims 1
- WSCBFRYCTKQKQK-UHFFFAOYSA-K antimony(3+) triacetate Chemical compound C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].[Sb+3].[Sb+3] WSCBFRYCTKQKQK-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K diacetyloxystibanyl acetate Chemical compound [Sb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- XVVLAOSRANDVDB-UHFFFAOYSA-N formic acid Chemical compound OC=O.OC=O XVVLAOSRANDVDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims 1
- CQEYYJGAYNLKBF-UHFFFAOYSA-N formic acid;propanoic acid Chemical compound OC=O.CCC(O)=O CQEYYJGAYNLKBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 claims 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims 1
- ZKFHZTZYWXIDJJ-UHFFFAOYSA-N methyl(silyloxysilyloxysilyloxy)silane Chemical compound C[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] ZKFHZTZYWXIDJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N nitrate, nitrate Chemical compound O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YBVAXJOZZAJCLA-UHFFFAOYSA-N nitric acid nitrous acid Chemical compound ON=O.O[N+]([O-])=O YBVAXJOZZAJCLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HLNRBHDRGMNBEG-UHFFFAOYSA-N nitrous acid Chemical compound ON=O.ON=O HLNRBHDRGMNBEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006041 probiotic Substances 0.000 claims 1
- 230000000529 probiotic effect Effects 0.000 claims 1
- 235000018291 probiotics Nutrition 0.000 claims 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims 1
- 230000000475 sunscreen effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 claims 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 37
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 11
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 298
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 37
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 32
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 22
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- COFWJARDGQSZLX-UHFFFAOYSA-N [F].[Sb] Chemical compound [F].[Sb] COFWJARDGQSZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- WROMPOXWARCANT-UHFFFAOYSA-N tfa trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F.OC(=O)C(F)(F)F WROMPOXWARCANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N iron vanadium Chemical compound [V].[Fe] PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWJUARNXABNMDW-UHFFFAOYSA-N tungsten vanadium Chemical compound [W]=[V] NWJUARNXABNMDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002478 γ-tocopherol Substances 0.000 description 2
- GSJBKPNSLRKRNR-UHFFFAOYSA-N $l^{2}-stannanylidenetin Chemical compound [Sn].[Sn] GSJBKPNSLRKRNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCUDEVDKKHIWRP-DSXUQNDKSA-N 2-acetyloxybenzoic acid;(r)-[(2s,4s,5r)-5-ethenyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]-(6-methoxyquinolin-4-yl)methanol Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O.C([C@H]([C@H](C1)C=C)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 XCUDEVDKKHIWRP-DSXUQNDKSA-N 0.000 description 1
- YTPUIQCGRWDPTM-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxybenzoic acid;5-(2-methylpropyl)-5-prop-2-enyl-1,3-diazinane-2,4,6-trione;1,3,7-trimethylpurine-2,6-dione Chemical group CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O.CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N=CN2C.CC(C)CC1(CC=C)C(=O)NC(=O)NC1=O YTPUIQCGRWDPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000478345 Afer Species 0.000 description 1
- 241000270299 Boa Species 0.000 description 1
- COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N Busulfan Chemical compound CS(=O)(=O)OCCCCOS(C)(=O)=O COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 101150105088 Dele1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000234435 Lilium Species 0.000 description 1
- 108010038629 Molybdoferredoxin Proteins 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000353355 Oreosoma atlanticum Species 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N TRIFLUOROACETIC ACID ETHYL ESTER Chemical compound CCOC(=O)C(F)(F)F STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 241000448053 Toya Species 0.000 description 1
- 206010046996 Varicose vein Diseases 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRVBPFUUACXMQU-UHFFFAOYSA-N [Mo].[Fe].[Cr] Chemical compound [Mo].[Fe].[Cr] QRVBPFUUACXMQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JONBMIXBKCSNDJ-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Co].[Nb] Chemical compound [Ni].[Co].[Nb] JONBMIXBKCSNDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZIZPHSGTVFCIF-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Sb].[Sn]=O Chemical compound [Sb].[Sb].[Sn]=O RZIZPHSGTVFCIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEMLZEHOKYQVMY-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Sb].[F] Chemical compound [Sn]=O.[Sb].[F] YEMLZEHOKYQVMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical class CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003012 bilayer membrane Substances 0.000 description 1
- 210000000941 bile Anatomy 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical group 0.000 description 1
- AXTNPHLCOKUMDY-UHFFFAOYSA-N chromium cobalt Chemical compound [Co][Cr][Co] AXTNPHLCOKUMDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- OCJKUQIPRNZDTK-UHFFFAOYSA-N ethyl 4,4,4-trifluoro-3-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)C(F)(F)F OCJKUQIPRNZDTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- XGFJCRNRWOXGQM-UHFFFAOYSA-N hot-2 Chemical compound CCSC1=CC(OC)=C(CCNO)C=C1OC XGFJCRNRWOXGQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWUUWVQMAVOYKS-UHFFFAOYSA-N iron molybdenum Chemical compound [Fe].[Fe][Mo][Mo] KWUUWVQMAVOYKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000005344 low-emissivity glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 101150115538 nero gene Proteins 0.000 description 1
- ABLLXXOPOBEPIU-UHFFFAOYSA-N niobium vanadium Chemical compound [V].[Nb] ABLLXXOPOBEPIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-N sodium;hydron;carbonate Chemical compound [Na+].OC(O)=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000027185 varicose disease Diseases 0.000 description 1
- 210000005166 vasculature Anatomy 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
- C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/244—Doped oxides with Sb
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
- C03C2218/1525—Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31627—Next to aldehyde or ketone condensation product
- Y10T428/3163—Next to acetal of polymerized unsaturated alcohol [e.g., formal butyral, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
الملخص: يتعلق الاختراع الراهن بزجاج للتحكم بأشعة الشمس solar-control glass ينفذ الضوء المرئي بشكل مقبول، ويمتص ضوء له طول موجي قريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراءnear infrared (NIR) wavelength lightويعكس ضوء تحت أحمر متوسط المدى (أشعة تحت حمراء متوسطة ذات ابتعاثية منخفضة low emissivity) مع لون يختار مسبقا ضمن طيف الضوء المرئي للضوء المنعكس. ويتعلق الاختراع كذلك بطريقة لإنتاج زجاج محسن، مطلي للتحكم بأشعة الشمس. ويحتوي الزجاج المحسن على طبقة ماصة للطاقة الشمسية (الأشعة ذات الطول الموجي القريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء NIR) تشتمل على أكسيد قصدير tin oxide به عامل إشابة dopant مثل الأنتيمون antimony وطبقة تحكم نات ابتعاثية منخفضة low emissivity control layer (ابتعاثية منخفضة) قادرة على عكس الضوء تحت الأحمر متوسط المدى وتشتمل الطبقة على أكيد قصدير tin oxide به عامل إشابة من فلور fluorine و/أو فسفور phosphorus. ولا تكون هنالك حاجة إلى طبقة منفصلة لمنع التقزح اللوني separate iridescence color suppressing layer عادة كما هو موصوف في التقنية السابقة للحصول علىمظهر محايد (عديم اللون) للزجاج المطلي، غير أنه قد تدمج الطبقة المانعة للتقزح أو طبقات أخرى مع التركيبة من الطبقتين التي يزودها الاختراع الراهن. وحسب الرغبة يمكن استخدام طبقات متعددة للحكم بأشعة الشمس و/أو طبقات متعددة ذات ابتعاثية منخفضة. ويمكن أن تكون الطبقة الماصة ل NIR والطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة عبارة عن أجزاء منفصلة عن غشاء مفرد من أكيد القصدير tin oxide حيث أن كلا الطبقتين تتكونان من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب. كما يزود الاختراع طريقة لإنتاج زجاج مطلي للتحكم بأشعة الشمس.
Description
Y
للتحكم بأشعة الشمس coated glass زجاج مطلي الوصف الكامل خلفية الا ختراع يستخدم في نوافذ المباني السكنية؛ coated glass يتعلق هذا الاختراع بزجاج مطلي والمعمارية ونوافذ المركبات وفي تطبيقات متنوعة حيث تكون كل من خواص التحكم بأشعة coatings مرغوبة. وتحتوي الطليات low emissivity والابتعاثية المنخفضة solar control الشمس atin oxide المستخدمة للتحكم بأشعة الشمس ذات الابتعاثية المنخفضة على أكسيد قصدير ٠ مختلفة. ويلغي الاختراع الحاجة لاستخدام طبقة سفلية مقاومة للتقزح dopants إشابة Jd so مستوية Sale وقد يكون للمواد الزجاجية أي شكل ولكنها .200-1106866606© 006:12: gle زجاج bile aly أو منحنية. ويمكن أن يختلف تركيب الزجاج إلى حد كبير مقوى «oa وقد يكون الزجاج float process ينتج عن طريق عملية الطفو soda lime glass بالحرارة أو مقستى. ٠ خاصية تنظيم مقدار الطاقة solar-control يصف مصطلح التحكم بأشعة الشمس الحرارية الشمسية التي يتاح لها المرور من خلال مادة زجاجية إلى حيز مغلق مثل مبنى أو خاصية لسطح مادة low emissivity منطقة داخل سيارة. ويصف مصطلح ابتعاثية منخفضة «mid-range infrared radiation حيث يمنع امتصاص وابتعاث أشعة تحت حمراء متوسطة المدى .مما يجعل السطح عبارة عن عاكس للأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى وبذلك يقلل تدفق ١ الحرارة خلال المادة عن طريق تقليل المكون المشع لانتقال الحرارة إلى ومن السطح ذي أحياناً ب 15 منخفضة). وبمنع اكتساب الحرارة الشمسية؛ a) الابتعاثية المنخفضة (يشار تحفظ المناطق الداخلية للمباني والسيارات أبرد؛ مما يتيح تقليل متطلبات وتكاليف تكييف الهواء. وتزيد الطليات ذات الابتعاثية المنخفضة الفعالة الراحة خلال فصلي الصيف والشتاء -_بزيادة أداء العزل الحراري لنافذة. ©
YAoY
. وبالطبع؛ يعتبر استخدام عمليات مجدية اقتصادياً لإنتاج المواد ودوام الخواص المقترنة والمحافظة عليها مثل نفاذ الضوء؛ مدى رؤيته؛ لونه؛ وضوحه وانعكاسه ضرورياً لإنتاج مواد زجاجية مطلية مقبولة تجارياً تمتلك كل من خواص التحكم Aa il الشمس والابتعاثية المنخفضة. ض
° وكما هو موضح أدناه؛ استخدمت تقنيات مختلفة لتفي بالحاجة إلى وجود زجاج يتحكم بأشعة الشمس وذي ابتعاثية منخفضة؛ بيد أنه لم ينجح أي نظام بالإيفاء JS متطلبات الأداء بطريقة مجدية اقتصادياً.
وتسبب طليات وأنظمة طلاء عديدة ظهور ألوان متقزحة في المادة المطلية. وقد يعود
هذا إلى التركيب الكيميائي للطلية؛ سماكة الطبقة أو الطبقات المفردة؛ أو التأثير المتبادل لطبقة
٠ > الأساس substrate والطليات على الضوء الساقط. ويمكن في بعض الحالات تقليل تقزح من
هذا القبيل إلى الحد الأدنى أو التخلص منه عن طريق وضع طبقة مقاومة للتقزح بين طبقة
الأساس الزجاجية والطلية الأولى ٠ ولقد وضح استخدام Ah تداخل interference layer بين
الزجاج والطبقة أو الطبقات الوظيفية اللاحقة لمنع التقزح أو انعكاس اللون بداية عن طريق
روي. جي غوردون (Roy 6. Gordon وكان ذلك موضوع براءة الاختراع الأمريكية رقم
187775-١١ الصادرة في © فبراير؛ a) AA وتعد تقنية غوردون Gordon هي التقنية الحالية
لزجاج مطلي يتحكم بأشعة الشمس كما هو مثتثبت في براءة الاختراع الأمريكية الصادرة
Boas رقم OVAL ER (باسم ماك كوردي McCurdy ومعاونيه؛ الصادرة في VE يوليوء
949A )2( والتي استخدمت طبقتين للتحكم بأشعة الشمس على الجزء العلوي من طبقة تداخل
من نوع غوردون .Gordon type interference layer وغالباً ما تحتوي طبقة التداخل على ثنائي
oy. أكسيد السليكون silicon dioxide ويمثل الاختراع الراهن على نحو مدهش Laas مفاجئاً ويزيل الحاجة إلى طبقة سفلية من نوع غوردون Gordon type underlayer للتحكم باللون المنعكس.
وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم ٠49444 تراكيب طليات مفيدة لإنتاج زجاج
عاكس للإشعاع (يتحكم بأشعة الشمس). وتستخدم طليتان على الأقل على أن تتكون الطلية
الأولى؛ الملتصقة بطبقة الأساس الزجاجية؛ من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بنسبة عالية
Yo نسبياً من الأنتيمون antimony وتتكون الطلية الثانية كذلك من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب
YAoV
¢ بنسبة منخفضة نسبياً من الأنتيمون antimony وقد يكون الغشاءان متراكبين على بعضهما البعض؛ أو يمكن وضعهما على جوانب متقابلة من طبقة الأساس الزجاجية. وفي أي من الحالتين؛ لا تسهم الطليات التي تتحكم بأشعة الشمس هذه في خواص الابتعاثية المنخفضة الملموسة لمادة الزجاج.
وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 4747004 lala) يمتص حرارة مصمم لتحويل أشعة الشمس الساقطة إلى طاقة حرارية تُتقل إلى مائع تشغيل working fluid لتقل الحرارة. SUA agg يمتص الزجاج المطلي 785 على الأقل من الأشعة في مدى الطول الموجي لأشعة الشمس ويكون له خاصية ابتعاثية منخفضة نسبياً تقل عن en, وتوضع الطليات على السطح الخارجي للزجاج (أو على الجانب المواجه للشمس) ويلامس مائع نقل
٠ الحرارة السطح الداخلي للزجاج. وتشمل الطليات طلية أولى من أكاسيد فلزية oxides لماعم مترسبة على الطبقة الزجاجية الملساء حيث تختار الأكاسيد oxides من القصدير «؛ الأنتيمون لإمسناصه؛_الإنديوم indium والحديد fron وطلية ثانية من أكاسيد فلزية metal oxides مترسبة على الطلية الأولى تختار من مجموعة الفلزات نفسها. وتُتفيذ الأغشية المصممة بهذه الكيفية الضوء المرئي بمقدار قليل Tan ولم SYS تعاليم تتعلق بالتحكم باللون المنعكس.
وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 4601919 تراكيب طلاء سائلة لإنتاج طليات ذات جودة وأداء عاليين تحتوي على أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بفلور fluorine عن طريق الترسيب البخاري الكيميائي chemical vapor deposition (CVD) وتتمثل إحدى استخدامات طليات من هذا القبيل في إنتاج نوافذ فعالة في امتصاص الطاقة؛ تعرف كذلك في التجارة ب 8 منخفضة أو نوافذ ذات 1 منخفضة. وتوصف dX طرق لإنتاج الزجاج
© المطلي. ولا تصف براءة الاختراع هذه كيفية إنتاج مواد زجاجية مطلية تمتلك كل من خاصيتي التحكم بأشعة الشمس والابتعاثية المنخفضة.
وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم £00810 والمتنازل عنها لكابوشيكي كايشا
تويوتا نشو (Kabushiki Kaisha Toyota Chou زجاجاً مطلياً بطبقات متعددة تحجب الأشعة تحت
الحمراء تشتمل على طبقة أساس منفذة للضوء المرئي وصفيحة رقيقة مركبة فوقية تتألف من
vo "طبقة تحجب الأشعة تحت الحمراء واحدة على الأقل وطبقة انعكاس تداخلي واحدة على الأقل
YAoV
توضع إحداها فوق الأخرى بشكل متبادل" ويستخدم أكسيد إنديوم indium oxide مأشوب ب Sn (قصدير (tin في الأمثلة بصفته طبقة تحجب الأشعة تحت الحمراء واستخدم TIO, بصفته طبقة حجب تداخلي. ولتقليل التقزح ينبغي أن يكون لسماكة الطبقة التي تحجب الأشعة تحت الحمراء وطبقة الانعكاس التداخلي قيمة تبلغ ربع لمدا (لمدا/؛) مع انحراف مسموح به يتراوح من vee 170 من لمدا/؛. ومع أنه توصف تركيبات أخرى للطبقة التي تحجب الأشعة تحت الحمراء وطبقة الانعكاس التداخلي Jie ,500 يحتوي أو لا يحتوي على عوامل إشابة (انظر العمود ٠ الأسطر من ١١ إلى (YY غير أنه لم توصف أو توضح في الأمثلة التوليفة الخاصة من طبقات Sno, المأشوبة Gy للاختراع الراهن التي تحقق تحكم بأشضعة cowed ابتعاثية منخفضة ومقاومة للتقزح بدون الحاجة إلى تحديد السماكة بقيمة لمدا/؛؛ لمنع التقزح
> أو انعكاس اللون. وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 4987815 المتنازل عنها أيضاً لكابوشفيكي كايشا تويوتا تشو Kabushiki Kaisha Toyota Chou صفيحة رقيقة تحجب Aa ge حرارية تتألف من طبقتين فوقيتين من أكسيد الإنديوم والقصدير indium tin oxide تحتويان على مقادير مختلفة من القصدير tin وتوصف كذلك طبقات مقاومة للانعكاس فوق أو أسفل طبقتي أكسيد الإنديوم ١ والقصدير indium tin oxide وتوصف تركيبات أخرى للطبقة التي تحجب الأشضعة تحت الحمراء وطبقة الانعكاس التداخلي مثل ,500 يحتوي على عامل إشابة يتحول إلى أيون موجب بتكافؤ oF aly مثل Sb (الأنتيمون P ¢(antimony (الفوسفور As + (phosphorus (الزرنيخ «(niobium os sail) Nb «(arsenic 18 (التنتالم Ww «(tantalum (التتغستن «(tungsten أو Mo (الموليبدنوم (molybdenum أو عنصر F Ji (الفلور (fluorine يتحول إلى أيون سالب بسهولة vs بتكافؤ يبلغ ٠- (انظر العمود (TY الأسطر من ١١7 إلى (YY غير أنه؛ لم توصف التوليفة الخاصة من طبقات :500 المأشوبة Gy للاختراع الراهن والتي تحقق حجب لأشعة الشمس؛ ابتعاثية منخفضة ومقاومة للتقزح أو توضح في الأمثلة. ولا يوجد أي عنصر حماية يتعلق بطبقات أكسيد القصدير oxide 0 ولا توجد أي تعاليم في المواصفة لوصف تركيب لطبقات من هذا القبيل؛ Jie نسبة عامل الإشابة إلى أكسيد القصدير tin oxide وينبغي ملاحظة كذلك xe أن التعاليم تشير إلى استخدام عامل الإشابة نفسه في كلا الطبقتين (أكسيد الإنديوم والقصدير YAeV
+ (indium tin oxide بينما ينبغي في تطبيق براءة الاختراع الحالية أن تحتوي طبقة واحدة على عامل إشابة مختلف عن عامل الإشابة في الطبقة الأخرى. وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 587850 المتنازل عنها لبيلكينجتون بي إل سي «Pilkington PLC طبقات حاجزة تعمل على تثبيط ارتحال الأيونات الفلزية القلوية من chee الزجاج و/أو تعمل كطبقات سفلية تمنع التلون لطبقات عاكسة للأشعة تحت الحمراء فوقية أو طبقات موصلة كهربائياً. وتستخدم بعض من هذه الطبقات المانعة للتلون في تركيب زجاجي يتحكم بأشعة الشمس أو ذي ابتعاثية منخفضة. وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 495001674 المتتازل عنها لغلافيربيل Glaverbel طلية حرارية التحلل pyrolytic coating من أكسيد قصدير tin oxide يحتوي على ٠ خليط من عوامل إشابة من فلور fluorine وأنتيمون antimony مطلية على زجاج وتمنح ابتعائية منخفضة وعامل خفض ضبابية haze reduction factor محدد يبلغ ٠,9 على الأكثر. وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 01168507؛ المتنازل عنها لشركة فورد موتور كومباني «Ford Motor Company مادة تزجيج glazing article تحمل طلية شفافة بصفة جوهرية تشتمل على طبقة ذات وظيفة بصريسّة (قد تكون ذات ابتعاثية منخفضة أو تتحكم - بأشعة الشمس) وطبقة أرق مقاومة للتقزح وهي عبارة عن طبقة ذات منطقة متعددة التدرج multiple gradient step zone layer ويذكر أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بأنتيمون antimony كبديل محتمل أو مكون اختياري للطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة المبينة في الأمثلة. وتصف براءة الاختراع الأمريكية رقم 0780149 المتنازل عنها لليبي-أوينز -فورد cLibbey-Owens-Ford زجاجاً مطلياً يتحكم بأشعة الشمس حيث توجد ثلاث طبقات طلاء على ٠ الأقل « وهي طبقتا طلاء شفافتان أولى وثانية وطبقة مانعة للتقزح موضوعة بين طبقة الأساس الزجاجية والطبقات العلوية الشفافة. ويعتمد الاختراع على الطبقات الشفافة التي يكون الاختلاف في معاملات انكسارها في المنطقة ذات الأطوال الموجية القريبة من الأطوال الموجية للأشعة تحت الحمراء أكبر من الاختلاف في معاملات انكسارها في المنطقة المرئية. ويسبب هذا الاختلاف انعكاس حرارة أشضعة الشمس في المنطقة التي أطوالها الموجية edn i vo الأطوال الموجية للأشعة تحت الحمراء عوضاً عن امتصاصها. وتستخدم أكاسيد YAoV
فلزية metal oxides مأشوبة ذات خواص ابتعاثية منخفضة؛ مثل أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بفلور «fluorine بصفتها الطبقة الشفافة الأولى. وتستخدم أكاسيد فلزية oxides لماع مثل أكسيد قصدير tin oxide غير مأشوب بصفتها الطبقة الثانية. ولم توصسف أي توليفات ماصة للأشعة ذات الأطوال الموجية القريبة من الأطوال الموجية للأشضعة تحت ° الحمراء near infra red (NIR) absorbing combinations وتصف براءة الاختراع الأوروبية رقم «m0 EIT YB الصادرة في ١١ يوليوء ١59١م والمتنازل عنها لشركة أساهي غلاس كو + «Asahi Glass Co أنظمة طلاء لزجاج يتحكم بأشعة الشمس ومعالج بالحرارة (مقسى أو محني) يشتمل على طبقة واقية أساسها نتريد فلزي metal nitride وتستخدم الطبقة أو الطبقات الواقية لتغطية الطبقة التي تتحكم daily الشمس ٠ | (للمحافظة عليها من التأكسد أثناء المعالجة الحرارية). وتقدم أمثلة متعددة على طبقة تتحكم بأشعة الشمس تتضمن أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بأنتيمون antimony أو فلور fluorine غير أنه؛ لم توصف أو توضح في الأمثلة التوليفة الخاصة من طبقات ,800 المأشوب وفقا للاختراع الراهن والتي تحقق تحكم بأشعة الشمسء ابتعاثية منخفضة ومقاومة للتقزح بدون اتباع تعاليم غوردون .Gordon وتعتبر براءة الاختراع الأوروبية رقم 1/-8 7738-55 طلباً لبراءة اختراع نشرت في فبراير 71م ومتنازل عنها لشركة سنترال غلاس كو. Central Glass Co ويصف طلب براءة الاختراع هذا لوحا زجاجياً عاكساً للحرارة يحتوي على طلية متعددة الطبقات تشتمل على صفيحة زجاجية وطبقتين. وتكون الطبقة الأولى عبارة عن أكسيد فلزي metal oxide ذي معامل انكسار Je أساسه Cr (الكروم Mn «(chromium (المنغنيز Fe «(manganese (الحديد Co «iron Y- (الكوبلت Ni «(cobalt (النيكل (nickel أو Cu (النحاس (copper وتكون الطبقة الثانية عبارة عن غشاء له معامل انكسار أقل أساسه أكسيد 5( metal oxide مثل أكسيد القصدير oxide «. ولم توصف طبقات مأشوبة وتوليفات ذات ابتعاثية منخفضة أو ماصة ل NIR ويصف طلب براءة الاختراع الدولي رقم 94/117١ الصادر في مارس 498١م والمتنازل عنه لبيلكينغتون بي إل سي Pilkington PLC زجاجاً عالي الأداء يتحكم بأشعة ve الشمس يشتمل على طبقة أساس زجاجية مع طليات تشتمل على طبقة ماصة للحرارة وطبقة امم ١
A
وقد تكون الطبقة الماصة للحرارة عبارة metal oxide ذات ابتعاثية منخفضة من أكسيد فلزي التتغستن oxide لداء. وقد تكون هذه الطبقة مأشوبة بأكسيد oxide عن طبقة أكسيد فلزي «molybdenum الحديد عدت المولييدتوم «chromium الكريم cobalt :؛ الكوبلت أو مخاليط من هذه المركبات. وقد تكون الطبقة ذات vanadium النيوبيوم مستتطمئص الفاناديوم وفي وجه مفضل للاختراع؛ ٠ مأشوب tin oxide الابتعاثية المنخفضة عبارة عن أكسيد قصدير - ٠ تدمج طبقة أو طبقات مانعة للتقزح أسفل الطلية التي تشتمل على طبقة ماصة للحرارة وطبقة ذات ابتعاثية منخفضة. ولا يصف هذا الطلب أو يقترح التوليفة الخاصة من طبقات 0:ه؟ للاختراع الراهن والتي تحقق تحكم بأشعة الشمسء ابتعاثية منخفضة ومقاومة TEs المأشوبة لمنع "Gordon" type underlayer للتقزح بدون الحاجة إلى طبقة سفلية من نوع "غوردون" ٠ > التقزح أو انعكاس اللون. وتصف براءة الاختراع الكندية رقم 1197194 طبقة من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بأنتيمون antimony موضوعة على زجاج بنسبة مولية من القصدير tin إلى الأنتيمون antimony تتراوح من 7:١ إلى 9:1 تقلل من نفاذ الضوء عبر الزجاج. Dopant Effects in Sprayed Tin Oxide Films, by E. Shanthi, A. ويشرح المرجع «Banerjee and K.L. Chopra, Thin Solid Films, Vol 88, 1981 pages 93 to 100 Vo تأثيرات عوامل الإشابه من الأنتيمون cantimony الفلور fluorine الأنتيمون بإدمستئدة- الفلور fluorine على الخواص الكهربائية لأغشية من أكسيد القصدير tin oxide ولا تصف المقالة أي خواص بصرية لأغشية من أنتيمون fluorine stimantimony ولا حتى التأثير على اللون الذي ينفذ أو المنعكس. 7 ويصف طلب براءة الاختراع البريطاني رقم 770710٠ A المتنازل عنه لغلافيربيل 618©:5©1»؛ مادة زجاجية مطلية بغشاء من أنتيمون [antimony أكسيد قصدير tin oxide سماكته £0 نانومتر nanometer (nm) على الأقل له نسبة مولية من Sn/Sb تتراوح من ٠,08 إلى 0 بعامل إنفاذية مرئية أقل من ATO وتوضع الأغشية عن طريق الترسيب البخاري الكيميائي (CVD) بالرش المائي وتستخدم في تطبيقات الزجاج الذي يضمن السرية. وتوصف ve طليات سفلية تقلل الضبابية بالإضافة إلى طبقات سميكة ذات نسب من 50/50 منخفضة لها ١ اعم
خواص ابتعاثية منخفضة بالإضافة إلى امتصاصية كبيرة لأشعة الشمس. ويصف كذلك أنه من الممكن تزويد طبقة طلاء إضافية واحدة أو أكثر للحصول على خواص بصرية مرغوبة معينة. ولم تذكر أي من هذه الخواص عدا عن الضبابية. ولم يصف الطلب أي شضيء عن
طبقات رقيقة؛ استخدام أكثر من عامل إشابة واحد؛ أو التحكم بلون الغشاء. > ويصف طلب براءة الاختراع البريطاني رقم A 7707109 المتنازل عنه كذلك لغلافيربيل «Glaverbel طبقة أساس زجاجية مطلية بطبقة من أكسيد Sb/Sn تحتوي على قصدير tin وأنتيمون 007 بنسبة مولية تتراوح من ٠.00 إلى ,0 حيث تشرسب الطبقة المذكورة عن طريق «CVD وبذلك يكون لطبقة الأساس المطلية عامل شمسي (معامل اكتساب الحرارة الشمسية) يقل عن oY وتستخدم الطليات لتطبيقات النوافذ ولها معاملات
٠ > إنفاذية ضوئية بين ٠؛ و7750 وقيم سماكة تتراوح من ٠٠١ إلى Onn نانومتر. ويطالب بحماية طليات سفلية تقلل الضبابية ويمكن منح الطليات خاصية الابتعاثية المنخفضة عن طريق الاختيار الحكيم لنسبة 508/50. وبصورة مماثلة للطلب السابق؛ تذكر تعاليم تزويد طبقة طلاء إضافية واحدة أو أكثر للحصول على خواص بصرية مرغوبة معينة. ويمكن كذلك ترسيب طبقات ذات ابتعاثية منخفضة تتكون من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بفلور
fluorine Ve فوق طبقات 50/55 أو يمكن إضافة مكونات من فلور fluorine إلى المواد المتفاعلة من 50/56 لإنتاج أغشية ذات ابتعاثية منخفضة تحتوي على 7 505 و50. ولم يفضل استخدام الطريقتين الأخيرتين بسبب الوقت والتكلفة الإضافيين الناتجين من إضافة طبقة ثالثة والحقيقة المتمثلة في أن ابتعاثية أغشية 0 ارتفعت ولم تنخفض. ولم يذكر التحكم باللون أو حياد اللون.
Y. وتصف براءة الاختراع البريطانية رقم 77000174 المتنازل عنها لغلافيربيل (Glaverbel طريقة ترسيب طلية برش محاليل تحتوي على مصادر قصدير tin مركبات تحتوي على فلور fluorine وعامل إشابة AT واحد على الأقل يختار من المجموعة التي تتكون من أنتيمون cantimony زرنيخ carsenic فاناديوم vanadium كوبلت الوطه»؛ خارصين «zine كادميوم ccadmium تنفستن tungsten تلوريوم tellurium أو منغنيز .manganese
YAoV
"0 وفي الماضي؛ ضبط مصنعو الزجاج نقل الحرارة من خلال النوافذ باستخدام طليات ماصة و/أو طليات عاكسة للأشعة reflecting coatings صبغات زجاجية tints #وواع؛ وأغشية توضع لاحقاً. وتصمم معظم هذه الطليات والأغشية بهدف التحكم بجزء واحد فقط من طيف الحرارة الشمسية؛ إما ال 0078 أي المكون ذي الطول الموجي القريب من الطول الموجي ° للأشعة تحت الحمراء للطيف الكهرمغناطيسي الذي يتراوح الطول الموجي له من 75٠0 إلى You نانومتر أو المكون ذي الأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى للطيف الكهرمغناطيسي الذي يتراوح الطول الموجي له من Y,0 إلى YO ميكرون micron ولقد صمم منتج للتحكم بالطيف الحراري الكلي؛ ومع أن أكوام الأغشية الفلزية/العازلة المرشوشة تكون فعالة؛ إلا أن لها تحملية محدودة وينبغي وقايتها وإحكام سدها في المقطع المركزي لوحدة زجاجية معزولة insulated glass unit (IGU) Vs متعددة الألواح. وثمة حاجة إلى غشاء أو توليفة من أغشية تتحكم Anil, الشمس بشكل كلي ويمكن وضعها بسهولة عن طريق الترسيب الحراري pyrolytic deposition خلال عملية صنع الزجاج التي تنتج مادة ذات نفاذ مرئي (J site تعكس أو تمتص NIR تعكس الأشعة تحت حمراء متوسطة المدى ويكون لها لون محايد أو قريب من المحايد. vo ولا تصف أو تقترح المراجع المذكورة أعلاه منفردة أو مجتمعة؛ التوليفة الخاصة من طبقات ,500 المأشوبة وفقا للاختراع الراهن التي تحقق تحكم بأشضعة الشمس,. ابتعاثية منخفضة ومقاومة للتقزح بدون الحاجة إلى طبقة سفلية من نوع ”غوردون "Gordon الوصف العام للاختراع يقدم الاختراع الراهن زجاج محسن يتحكم بأشعة الشمس ينفذ الضوء المرئي بشكل أ مقبول؛ يمتص الضوء الذي له طول موجي قريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء (NIR) ويعكس الضوء تحت الأحمر متوسط المدى (له ابتعاثية منخفضة أو 78 منخفضة) مع لون يختار Bae ضمن الطيف المرئي للضوء المنعكس يمكن ضبطه إلى لون معين أو يمكن جعله عديم اللون بصفة أساسية ("محايد" كما سيعرف في ما يلي). ويقدم الاختراع laf طريقة لإنتاج زجاج محسن مطلي يتحكم بأشعة الشمس. وتكون الطلية الزجاجية المحسنة Yo عبارة عن طلية من أكسيد القصدير ctin oxide تحتوي على عوامل إشابة مختلفة ومواد معدلة YAO
ا للضبابية في طبقات خاصة من الطلية. وتكون إحدى الطبقات عبارة عن طبقة ماصة للطاقة الشمسية التي لها طول موجي قريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء (NIR) تشتمل على أكسيد قصدير tin oxide به عامل إشابة Jie الأنتيمون antimony وتتمثل طبقة أخرى في الطلية من أكسيد القصدير oxide ©« في طبقة تحكم ذات ابتعاثية منخفضة قادرة على o عكس الضوء تحت الأحمر متوسط المدى وتشتمل على أكسيد قصدير tin oxide به عامل ALL) من فلور fluorine و/أو فوسفور phosphorus ولا تكون هنالك حاجة عموماً إلى طبقة منفصلة لمنع التقزح اللوني كما وصف في التقنية السابقة مثل طبقة "غوردون "Gordon للحصول على مظهر (عديم اللون) محايد للضوء المنعكس من الزجاج المطلي؛ غير أنه قد تدمج طبقة منع التقزح اللوني أو طبقات أخرى مع الطلية من أكسيد القصدير oxide من ١ متعددة الطبقات التي يزودها الاختراع الراهن. وحسب الرغبة؛ يمكن استخدام طبقات متعددة تتحكم بأشعة الشمس و/أو طبقات متعددة ذات ابتعاثية منخفضة. وتكون الطبقة الماصة ل NIR والطبقة ذات الإبتعاثية المنخفضة أجزاء منفصلة من غشاء مفرد من أكسيد القصدير مون oxide حيث أن كلا الطبقتين تتكونان من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب ٠ ويقدم الاختراع أيضاً طريقة لإنتاج زجاج مطلي يتحكم بأشعة الشمس ٠ وبالإضافة إلى ذلك؛ يتحكم الاختراع الراهن أو يغير لون الضوء الذي ينفذ عن طريق إضافة مواد مضافة لونية color additives إلى الطبقة الماصة ل Jog NIR نحو مدهش؛ يعمل الفلور fluorine الذي يعتبر عامل إشابة وينتج غشاء من أكسيد قصدير tin oxide عديم اللون كمادة مضافة لونية عند إضافته كعامل إشابة إضافي إلى الطبقة الماصة ل NIR ويعدل لون الضوء الذي ينف من خلال الغشاء الذي يمتص NIR ويقدم الاختراع أيضاً عوامل إشابة خافضة للضبابية في طبقات YL محددة في الطلية من أكسيد القصدير tin oxide Nas . الأشكال من ١ إلى ؟؛ ومن :١5 (HA توضح labile عرضياً لزجاج مطلي به عدد مختلف من الطبقات أو الأغشية في ترتيبات رص مختلفة لطبقة أكسيد Yo القصدير tin oxide على طبقة أساس زجاجية. ْ YAoV
VY
التحكم بأشعة الشمس الذي حصل عليه Lily الشكلان 1,0 : يوضحان عند تراكيز antimony باستخدام أغشية مأشوبة بأنتيمون مختلفة من عامل الإشابة وقيم سماكة مختلفة للأغشية على أي لوح زجاجي «window panes الألواح الزجاجية للنافذة مؤلفة من (IGU) مفردء أو على وحدات زجاجية معزولة لوحين زجاجيين على الأقل. ولا وفقاً لنظام x يوضح طيف لوني بدلالة الإحداثيين : Vo الشكل Commission كوميسيون انتغناسيونال ليكمكليراج واللون المحدد الذي Internationale de L'Exclairage (C.LE.) يمكن الحصول عليه باستخدام قيم سماكة مختلفة للغشاء Ve وتراكيز مختلفة لعامل الإشابة. والترجمة الإنجليزية ل (-0115) هي اللجنة الدولية للإضاءة
International Commission on Illumination (C.LE.) fin يبين قيم خفض الضبابية لطليات من أكسيد القصدير : Yo الشكل وفقاً للاختراع الراهن تحتوي على مواد مضافة خافضة oxide Veo dele وأخرى لا تحتوي NIR للضبابية في الطبقة الماصة ل
YA
توضح بيانياً البيانات التي ظهرت في الأمثلة. : ١١و ٠ ١١ 6 الأشكال
Y. يهدف الاختراع إلى تحضير مادة شفافة ذات لون منعكس مضبوط (حتى اللون المحايد كما عرّف في هذا البيان) تمتص الإشعاعات الشمسية ذات الطول الموجي القريب من الطول وتعكس حرارة الأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى (NIR) الموجي للأشعة تحت الحمراء تتألف من tin oxide (ابتعاثية منخفضة) تشتمل على زجاج له طلية من أكسيد القصدير مأشوب مع مواد مضافة خافضة S10; طبقتين غشائيتين رقيقتين تحتوي كل منهما على Te لاعلا
للضبابية أو عوامل إشابة في طبقة واحدة على الأقل من الطبقات. ويتمثل هدف آخر للاختراع في وضع الطبقات باستخدام تقنيات الترسيب البخاري الكيميائي (CVD) عند الضغط الجويء أو باستخدام عمليات أخرى مثل رش محلول أو يمكن استخدام سوائل متبخرة ومواد صلبة متسامية. وتعتبر الطريقة المفضلة للتطبيق وفقاً لهذا الاختراع همي طريقة CVD عند الضغط الجوي باستخدام مصادر سائلة متبخرة. ويتمثل هدف al في تزويد طبقات متعددة تتحكم بأشعة الشمس 5 off طبقات متعددة ذات ابتعاثية منخفضة بالإضافة إلى طبقات أخرى في توليفة مع طبقة تتحكم بأشضعة الشمس أو ذات ابتعاثية منخفضة. ويتمثتل هدف آخر في تزويد غشاء يتحكم بأشعة الشمس أو توليفة من أغشية يمكن وضعها بسهولة عن طريق الترسيب الحراري أثناء عملية صنع الزجاج التي تنتج مادة ذات ve انفاذ مرئي مقبول؛ تعكس أو تمتص ال 00078 تعكس الأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى EB) منخفضة) وتكون ذات لون محايد أو قريب من المحايد؛ حيث تعتبر عملية إنتاجها هذه هدفاً للاختراع الراهن. ويتمثل هدف al للاختراع في التحكم بلون الضوء الذي ينفذ بشكل مستقل عن لون الضوء المنعكس عن طريق إضافة مواد مضافة لونية في الطبقة الماصة ل NIR Vo الوصف التفصيلى ينتج زجاج مطلي يتحكم بأشعة الشمس وذو ابتعاثية منخفضة عن طريق ترسيب طبقتين على الأقل على طبقة أساس شفافة مسخنة؛ وهما طبقة ذات ابتعاثية منخفضة تشتمل على غشاء من ,580 يحتوي على عامل إشابة من فلور fluorine و/أو 63 phosphorus) sda وطبقة dale ل NIR تشتمل على غشاء من ,500 يحتوي على أنتيمون cantimony تنغستن tungsten ١ فاناديوم vanadium حديد ¢iron كروم chromium موليبدنوم «molybdenum نيوبيوم «niobium كوبلت «cobalt نيكل nickel أو مخاليط منها بصفتها عوامل إشابة. ولقد وجد أن هذه التوليفة تتحكم بالأجزاء الحرارية الشمسية والإشعاعية للطيف الكهرمغناطيسي بشكل فعال بحيث يكون لنافذة مطلية بهذه الأغشية خواص معززة بشكل كبير. ويعبر Sale عن خواص التحكم بأشعة الشمس بدلالة معامل اكتساب الحرارة الشمسية solar heat gain coefficient (SHGC) Yo وقيمة- لآ U-value ويعتبر ©5116 مقياساً للحرارة YAOYV
Ve الشمسية الكلية المكتسبة من خلال نظام نافذة بالنسبة للإشعاع الشمسي الساقط؛ بينما تكون القيمة لآ (U) هي معامل انتقال الحرارة الكلي للنافذة. ويعتمد ©5116 للزجاج hal بصفة رئيسية على سماكة الغشاء الذي يمتص 1118 ومحتواه من الأنتيمون antimony (انظر الشكلين (V5 © بينما تعتمد قيمة U بصفة رئيسية على ابتعاثية الغشاء وتركيب النافذة. ويمكن أن ° تتراوح قيمة SHGC المقاسة عند مركز الزجاج من حوالي ١40 إلى GA بينما يمكن أن تتفاوت قيم U المقاسة عند مركز الزجاج من حوالي ١.7 إلى ٠,7 للوح زجاجي مفرد مطلي بالأغشية وفقا لتجسيد مفضل. وفي وحدة زجاجية معزولة (IGU) تتناقص قيم SHGC إلى . ٠,18 حوالي Die تقريباً مع كون قيم - لآ منخفضة ١" للاختراع Gy ويمكن التحكم بكل من اللون المنعكس والذي ينفذ من الزجاج المطلي الراهن. وبالإضافة إلى ذلك؛ يمكن التحكم بمقدار الضوء المرئي الذي ينفذ من خلال الزجاج ٠
NIR و 74850 عن طريق التحكم بسماكة الأغشية الماصة ل YO المطلي ليكون بين حوالي ويمكن التحكم NIR وذات الابتعاثية المنخفضة وبتركيز عامل الإشابة في الغشاء الماص ل باللون الذي ينفذ؛ أي لون الضوء الذي ينفذ من خلال الزجاج المطلي بشكل منفصل عن
NIR اللون المنعكس بإضافة كمية فعالة لونياً من مادة مضافة لونية إلى الطبقة الماصة ل إلى اللون الأحمرء GE الطلية. ويمكن أن يتفاوت اللون المنعكس من اللون المحايد ge ١ الأصفرء الأزرق أو الأخضر ويمكن التحكم به عن طريق تغيير سماكة الغشاء ومحتوى عامل الإشابة في الطبقات. وعلى نحو مدهش؛ يمكن الحصول على حياد لوني كما عرف في هذا البيان للون المنعكس بدون الحاجة إلى طبقة مقاومة للتقزح. وبالرغم من اختلاف وذات الابتعاثية المنخفضة. إلا أن اللون NIR معاملات الانكسار للأغشية الماصة ل أ المنعكس لا يعتمد على ظاهرة التداخل التقليدية المكتشفة في الأصل من قبل غوردون لبراءة الاختراع الأمريكية رقم 41887777). ويتحكم باللون المنعكس GE) Gordon
NIR الملاحظ بشكل غير متوقع عن طريق توليفة الامتصاص الذي تحققه الطبقة الماصة ل (امتصاص) والانعكاس الذي تحققه الطبقة أو الطبقات ذات الابتعاثية المنخفضة. ويمكن
Sn0; عن طريق تغيير سماكة طبقة NIR التحكم بالامتصاص الذي تحققه الطبقة الماصة ل ويمكن التحكم antimony أنتيمون Sale NIR وتركيز عامل الإشابة في الطبقة الماصة ل Yo
YAoV yo $00, بالانعكاس الذي تحققه الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة عن طريق تغيير سماكة طبقة ويشار إلى fluorine فلور Pole وتركيز عامل الإشابة في الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة؛ الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة التي تتكون من 500 يحتوي على عامل إشابة من فلور يشار Lin TOP أو TOF بالاختصار Glad في هذا البيان phosphorus أو فوسفور fluorine التي تتكون من 800 عندما يحتوي على عامل إشابة من أنتيمون NIR إلى الطبقة الماصة ل - ٠ .TOSb في هذا البيان أحياناً بالاختصار antimony من oxide ويتم في التجسيد المفضل لهذا الاختراع استخدام طلية من أكسيد قصدير بصفتها الطبقة (TOF) fluorine مأشوب بفلور tin oxide تحتوي على طبقة من أكسيد قصدير antimony مأشوب بأنتيمون tin oxide ذات الابتعاتية المنخفضة مع طبقة من أكسيد قصدير ومع مادة مضافة خافضة للضبابية في طبقة واحدة NIR بصفتها طبقة ماصة ل (TOSD) Ve على الأقل من الطبقات ويفضل في الطبقة المترسبة مباشرة على الزجاج. وتعتبر الأغشية وعمليات ترسيبها على الزجاج معروفة في التقنية ويشار إليها بأغشية ذات ابتعائية TOF من أيضاً غشاء من :500 ولكنه يحتوي على عامل NIR منخفضة. ويعتبر الغشاء الماص ل إشابة يختلف عن عامل إشابة الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة. ويفضل أن يكون عامل أنتيمون 8007« مع أنه يمكن أن يكون عامل الإشابة NIR الإشابة في الطبقة الماصة ل 001085160 تنغستن cantimony عبارة عن عنصر يختار من المجموعة التي تتكون من أنتيمون ¢niobium نيوبيوم ¢molybdenum موليبدنوم «chromium كروم ¢iron حديد «vanadium فاناديوم ومخاليط منها. ويمكن استخدام مخلوط من عامل إشابة واحد أو nickel نيكل «cobalt كوبلت غير أن الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة ينبغي أن تحتوي NIR أكثر في الطبقة الماصة ل الفلور Je على عامل إشابة ذي ابتعاثية منخفضة يضفي موصلية واضحة على الطبقة؛ 7 مع أنه يمكن استخدام عوامل إشابة أخرى في توليفة مع «phosphorus أو الفوسفور 1008 عامل الإشابة ذي الابتعاثية المنخفضة. وحيث أنه في كل من الطبقتين ذات الابتعاثية بصفته طبقة أساس من nO, وفقآً للاختراع الراهن يتم استخدام NIR المنخفضة والماصة ل
NIR تحتوي على عامل إشابة؛ ويفضل أن تكون الطبقة الماصة ل metal oxide أكسيد فلزي والطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة جزءاً من غشاء مفرد يتدرج فيه تركيز عامل الإشابة أو Yo
YAOVY
V1 طبقات تحتوي على عوامل إشابة مختلفة. ويوصف غشاء مفرد يتدرج فيه تركيز عامل يوجد تدرج في تركيز عامل OT وفي الغشاء NT الإشابة في الشكل ؟ في صورة غشاء أعلى من تركيز عامل NIR الإشابة على أن يكون تركيز عامل الإشابة في الطبقة الماصة ل وأن XY أو ١8 الإشابة (تراكيز عوامل الإشابة) الآخر عند أحد سطوح الغشاء؛ السطح يكون تركيز عامل الإشابة ذي الابتعاثية المنخفضة أعلى من تركيز عوامل الإشابة الأخرى > ٠ عند السطح الأخر من الغشاء. ويؤدي هذا إلى تغيير أو تدرج في تراكيز عوامل الإشابة في
VA وعوامل الإشابة في الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة بين السطح NIR الطبقة الماصة ل يتغير تركيز عامل YY والسطح VA بين السطح Yo وعند نقطة متوسطة معينة YY والسطح من كونه عامل الإشابة ذي التركيز الأعلى على أحد NIR الإشابة في الطبقة الماصة ل إلى كونه عامل الإشابة الذي لم يعد له التركيز الأعلى عند الجانب الآخر YY جانبي النقطة 1
NIR المنخفضة؛ ١٠؛ فوق الغشاء الماص ل EB الغشاء ذي A ويبين الشكل YY من النقطة تركيز متدرج لعامل إشابة A المبين في الشكل VY NIR ويكون للغشاء الماص ل VY على أن يكون التركيز الأقل tin oxide الطبقة الماصة ل 1076 في الغشاء من أكسيد القصدير ويكون الزجاج المطلي المبين في .٠١ لعامل الإشابة أقرب إلى الغشاء ذي 8 المنخفضة باستثناء كون التدرج في تركيز عامل إشابة A بالتركيبة المبينة في الشكل Tens 9 الشكل vo ٠١ أعلى قرب الغشاء ذي 8 المنخفضة cantimony عادةٌ أنتيمون oNIR الطبقة الماصة ل المبين في الشكل ١١ عن الغشاء ١١ وأقل في منطقة أقرب لطبقة الأساس. ويختلف الغشاء بينما يكون للغشاء 13 خواص NIR عبارة عن غشاء ماص ل VY من حيث كون الغشاء VF وابتعاثية منخفضة ويحتوي على كل من عامل إشابة ذي 8 منخفضة NIR امتصاص ل مع تدرج تركيز عامل الإشابة ذي 8 المنخفضة وتدرج NIR وعامل إشابة طبقة ماصة ل Yo الطبقة ١و ١١ oN) Oe تركيز عامل إشابة الطبقة الماصة ل 1118. وتبين الأشكال بسماكة أكبر YA ويظهر الغشاء Ye 5 YA الماصة ل 1016 في صورة غشائين منفصلين» عبارة عن مجموع NIR وتكون السماكة الكلية للطبقة الماصة ل Fo من سماكة الغشاء وينبغي أن تكون ضمن مدى قيم السماكة المذكورة أعلاه للطبقة "١و YA سماكتي الغشائين و11؛ ٠١ ويفضل أن تتراوح من 80 إلى 0860" نانومتر. وفي الشكلين NIR الماصة ل Yo
YAov
لاا يكون الغشاءان Tes YA متجاورين؛ بينما في الشكلين OTs ١7 يكون الغشاءان Pog YA على جوانب متقابلة من الغشاء ذي الابتعاثية المنخفضة .٠١ ويفضل أن يختلف تركيز عامل الإشابة في الغشاء TA عن تركيز عامل الإشابة في الغشاء .3١ ويبين الشكل VE غشاء من أكسيد قصدير tin oxide ثنائي الطبقة مترسب مباشرة على ° طبقة الأساس الزجاجية VE بحيث يكون للطبقة السفلية TY مقطع واحد TE يحتوي على sale مضافة خافضة للضبابية وجزء آخر ١ لا يحتوي على مادة مضافة خافضة للضبابية في حين تكون الطبقة العلوية ٠ عبارة عن طبقة ذات ابتعاثية منخفضة Jie أكسيد قصدير ون oxide مأشوب بفلور Aluorine ويبين الشكل ١١ قيم خفض الضبابية لطليات من أكسيد قصدير tin oxide وفقا ٠ للاختراع الراهن تحتوي على مواد مضافة خافضة للضبابية في الطبقة الماصة ل 1018 PY وأخرى لا تحتوي عليها. وتبين أربع طبقات أساس زجاجية يكون لكل منها طبقة ماصة ل NIR من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بأنتيمون YY cantimony تبلغ سماكتها حوالي 8 أنغستروم Angstroms (A) أسفل طبقة ذات ابتعاثية منخفضة A sila بفلور fluorine ٠ تبلغ سماكة كل منها حوالي Yoon أنغستروم ٠ وفي الزجاج المطلي (flay بلغت نسبة Veo الضبابية 71,١ مقابل 7.5.77 عند إضافة TRA إلى الطبقة الماصة ل NIR المبينة في الزجاج المطلي الثاني يساراً. وبالاستمرار يمينا في الشكل 010 تبلغ نسبة الضبابية للطليبة ثنائية الطبقة ١,84 0٠١ VY عند منع الماء أثناء ترسيب أول ٠ أنغستروم (تقريبا) من الطبقة الماصة ل 008 مقابل نسبة ضبابية تبلغ ٠٠ مبينة في الزجاج المطلي ثنائي الطبقة أقصى اليمين حيث يوجد TFA ولا يوجد ماء بين المصادر التي استخدمت في ترسيب أول ٠ أنغستروم من الطبقة الماصة ل FY NIR وفي التجسيد المفضل لهذا الاختراع يتم استخدام غشاء مأشوب بأنتيمون antimony بصفته الغشاء الماص ل NIR ويمكن ترسيب غشاء من هذا القبيل باستخدام عدد من التقنيات بما في ذلك طرق الانحلال الحراري بالرش pyrplysis نية:م» PVD و70©. ويعرف الانحلال الحراري بالرش ويوصف في براءات اختراع مثل براءة الاختراع الكندية رقم Yo 147194؟. وإن طرق CVD المستخدمة لترسيب أغشية من ,500 تحتوي أو لا تحتوي YAY
را على عوامل إشابة والمصادر الكيميائية المستخدمة لتشكيل أغشية من ,800 تحتوي على عوامل إشابة معروفة fas وتوصف في براءتي الاختراع الأمريكيتين أرقام 201417 Veg 659. ويفضل استخدام طريقة CVD لترسيب طبقات ,800 تحتوي على عوامل إشابة ly للطرق المعروفة مباشرةً على خط تصنيع زجاج بالطفو خارج أو داخل حجيرة ° صنع زجاج بالطقو float glass chamber باستخدام تقنيات ترسيب متواصلة تقليدية ومصادر كيميائية كما هو موصوف في براءة الاختراع الأمريكية رقم 4887787 (باسم هنري .(Henery غير أنه يمكن وضع الأغشية من 500 التي تحتوي على عوامل إشابة كطبقات على الزجاج باستخدام عمليات أخرى مثل الرش بمحلول أو عمليات يتم فيها استخدام سوائل متبخرة ومواد صلبة متسامية عند الضغط الجوي. وعندما توضع الأغشية باستخدام طريقة ٠١ الرش بمحلول تذاب مصادر وعوامل إشابة ,500 نفسها في مذيب غير متفاعل ملائم وتوضع باستخدام تقنيات الرش المعروفة على الشريط الزجاجي الساخن عند الضغط الجوي. وتتضمن المذيبات الملائمة لتطبيق الرش بمحلول كما وصف في طلب براءة الاختراع الكندي رقم 7٠957194 كحو لات alcohols مثل إيثانول ethanol وأيزوبروبانول «isopropanol كبتونات ketones مثل أسيتون acetone و 7-بيوتانون ¢2-butanone واسترات Ja esters Vo أسيتات الإثيل ethyl acetate وأسيتات Jo sal) 618 الأااط. وتعتبر الطريقة المفضلة للتطبيق وفقآً لطلب هذا الاختراع هي CVD عند الضغط الجوي باستخدام مصادر سائلة متبخرة. ويمكن تطبيق العملية بشكل كبير في أنظمة الترسيب المتواصلة والمتوفرة تجارياً. ويعتبر استخدام المصادر Gay للتجسيد ات المفضلة مجدٍ اقتصادياء وسيتيح بقاء الطليات لفترات زمنية طويلة؛ ويقلل من تكرار تنظيف النظام؛ وينبغي أن تكون ALG للاستخدام مع إجراء تعديل Y. قليل أو بدون إجراء تعديلات على معدات الطلاء لخط صنع الزجاج بالطفو المتوفرة. وتؤدي الطليات وظيفتها باستخدام توليفة من الانعكاس والامتصاص. ويعكس الغشاء ذو الابتعاثية المنخفضة حرارة الأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى في منطقة الطيف التي يتراوح الطول الموجي لها من 1,9 إلى YO ميكرون بينما يمتص الغشاء الماص ل NIR الحرارة بصفة رئيسية في منطقة الطيف التي يتراوح الطول الموجي لهمامن Vou إلى YO uu Yo نانومتر. وتتمثل النظرية التي اعتمد عليها لتفسير هذا التأثير ٠ بدون التقيد بذلك؛ في YAY
١ أنه في المنطقة الماصة ل (NIR يقع الطول الموجي للبلازما plasma (81-يمثل الطول الموجي حيث يتغير الغشاء ذو الابتعاثية المنخفضة من كونه منفذاً إلى عاكسا للطاقة الضوئية) للغشاء ذي الابتعاثية المنخفضة في المنطقة المامسة ل NR وفي المنطقة المحيطة ب PL يعتبر امتصاص »1016 الأعلى للغشاء ذي الإبتعاتية المنخفضة وتزداد ° الامتصاصية عندما يندمج مع الغشاء الماص ل 30178. وتعتبر أيضاً الأغشية الماصسة ل NIR وفقآ للتجسيدات المفضلة أشباه موصلات مأشوبة وبالتالي تملك خواص عاكسة في منطقة الأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى. ويُنتج هذا الانعكاس مقترناً مع انعكاس الغشاء ذي الابتعاثية المنخفضة انعكاسية حرارية كلية أعلى في منطقة الأشعة تحت الحمراء متوسطة المدى. ١ ويفضل ترسيب طبقة 500 Lola على الزجاج باستخدام مصدر قصدير cin وبصفة خاصة مركب مصدر عضوي للقصدير Jie organotin precursor compound ثلاثي كلوريد أحادي بيوتيل قصدير «monobutyltin trichloride (MBTC) ثنائي كلوريد ثنائي Jie قصدير «dimethyltin dichloride ثتائي أسيتات ثنائي بيوتيسل قصدير «dibutyltin diacetate ثلاني كلوريد مثيل قصدير methyl tin tichloride أو أي من المصادر المعروفة لترسيب طبقة ,800 101417 مثل تلك الموصوفة في براءة الاختراع الأمريكية رقم CVD لطريقة Gig وأدمجت في هذا البيان للإحالة إليها كمرجع. وغالباً ما تكون مركبات قصدير عضوية من هذا القبيل مستخدمة كمصادر لترسيب طبقة 500 حرارياً على organotin compounds 7١ الإيثانول امدقطء. ويفضل أن يقل تركيز المواد المثبتة عن Jie stabilizers dade مواد مع مواد كيميائية من هذا GAL للتقليل من خطورة حدوث الاشتعال عند تلامس الزجاج أ القبيل في وجود الأكسجين g oxygen ويفضل أن تكون المصادر لعامل الإشابة في الطبقة الماصة ل NIR (أنتيمون cantimony تنغستن tungsten فاناديوم cvanadium حديد ومن (nickel ونيكل cobalt كوبلت «niobium نيوبيوم ¢molybdenum موليبدنوم chromium كروم هاليدات Jie halides ثلاثي كلوريد الأنتيمون cantimony trichloride غير أنه يمكن La استخدام ألكوكسيدات 8م استرات cesters مركبات أسيتيل أسيتونات ئعة fata SnO, مركبات الكربونيل 0»5. وتعرف مصادر ملائمة أخرى لعامل الإشابة Yo
YAoV
0
لأولئك المتمرسين في التقنية. وتم الكشف عن مصادر وكميات ملائمة لعامل الإشضابة من الفلور fluorine في طبقة ,500 ذات الابتعاثية المنخفضة في براءة الاختراع الأمريكية رقم 1097 وتتضمن حمض ثلاثي فلوروأسيتيك ctrifluoroacetic acid ثلاثي فلوروأسيتات اثيل cethyltrifluoroacetate فلوريد الأمونيوم fluoride 0 وحمض الهميدروفلوريك sales hydrofluoric acid ° يقل تركيز عامل الإشابة ذي الابتعاثية المنخفضة عن AY بحيث تتراوح التراكيز المفضلة لعامل الإشابة ذي الابتعاثية المنخفضة من 79 إلى Ne من وزن مصدر عامل الإشابة على أساس مجموع وزن مصدر عامل الإشابة ومصدر القصدير din ويرتبط هذا Sale بتركيز عامل إشابة في الغشاء ذي الابتعاثية المنخفضة يتراوح من 4١ إلى
8 على أساس وزن أكسيد القصدير tin oxide في الغشاء ذي الابتعاثية المنخفضة.
١ وفي تجسيدات الاختراع المفضلة؛ تعتمد الخواص على سماكة الطبقات ذات الابتعاثية المنخفضة والماصة بالإضافة إلى محتوى الأنتيمون antimony في الغشاء الماص ل NIR ويمكن أن تتراوح سماكة الغشاء ذي الابتعاثية المنخفضة من 7٠60 إلى 496 نانومتر مع كون سماكة تبلغ YY نانومتر الأكثر تفضيلاً. ويمكن ترسيب الأغشية الماصسة ل NIR المفضلة بطريقة مماثلة لترسيب الأغشية ذات الابتعاثية المنخفضة باستخدام طرق مثل تلك
الموصوفة في براءة الاختراع الأمريكية رقم 45601919. ويمكن تبخير المصادر العضوية للقصدير tin لطبقة 580 في الهواء أو في غازات حاملة carrier gases ملائمة أخرى تحتوي على مصدر ل © بتراكيز للمصدر تتراوح من 0.79 إلى 74.0 مول (والأفضل من 0 إلى 77 مول) ٠ ويعبر عن تراكيز المصدر ل ,500 في هذا البيان كنسبة مئوية على أساس
مولات المصدر ومولات الغاز الحامل ٠ وتتراوح التراكيز المفضلة لمصدر من عامل الإشابة
7,5 (والأفضل من 77,5 إلى 77١0 إلى حوالي 7١ من حوالي NIR للطبقة الماصة ل ve والأكثر تفضيلا من 7/7 إلى 75.0) وتحسب باستخدام وزن مصدر عامل الإشابة ووزن
مصدر .SnO; ويفضل على وجه التحديد عامل إشابة من أنتيمون antimony باستخدام ثلاثي
كلوريد الأنتيمون antimony trichloride بصفته المصدر بتركيز يتراوح من حوالي 77 إلى
| حوالي 78 بالوزن مع كون تركيز يبلغ حوالي 74 بالوزن مفضلاً على وجه التحديد. YAoV
١ من NIR مماثلة في الغشاء الماص ل antimony ويرتبط هذا بنسبة مئوية كتلية للأنتيمون tin oxide أكسيد القصدير مقطع ١ ويبين الزجاج المطلي وفقآً للاختراع الراهن في الأشكال. ويبين الشكل عرضياً للأغشية. ويمكن أن تتراوح سماكات الغشاء من 700 إلى 590 نانومتر للغشاء ذي (المادة ")من 8 إلى NIR وللغشضاء الماص ل )٠١ الابتعاثية المنخفضة (المادة ° نانومتر للغشاء ذي الابتعاثيبة Vou إلى Yor وتتراوح السماكة المفضلة من ٠ نانومتر Ye والأكثر تفضيلاً أن تتراوح NIR نانومتر للغشاء الماص ل YA: إلى ٠٠00 المنخفضة ومن إلى 770 نانومتر 77١ نانومتر للغشاء ذي الابتعاتية المنخفضة ومن YY من 780 إلى للتجسيدات المفضلة يمكن إنتاج زجاج Gig وباستخدام الأغشية NIR للغشاء الماص ل زجاج مطلي aly مطلي يتحكم بأشعة الشمس لونه أزرق محايد كما عرّف في هذا البيان ١ بين x حيث تقع il بشكل CLE. ل lig يعكس الضوء ضمن قيم الإحداثيات اللونية ويوضح تعريف المصطلح أزرق محايد في .٠ محا و76 Gays nT) rs 8 عن طريق المنطقة المؤطرة المكتوب عليها لون أزرق محايد. وكما هو مبين في ١ الشكل يمكن إنتاج لون منعكس (YY 0 5 الشكل 7ء وباتباع الإجراءات الموصوفة في الأمثلة قريب من اللون المحايد ولكنه أقرب بشكل بسيط إلى الجانب lise مضبوط أو مختار Ve تزيد عن 77٠)؛ ولكن هذا التدرج Vy وقيم ١770 لا تزيد عن x الأصفر من المحايد (قيم للون المنعكس من المحايد بصفة أساسية إلى الأصفر بشكل بسيط لا يروق للمستهلكين. ويبين وفي الشكل .١ الشكل ؟ الغشائين أو الطبقتين بترتيب معاكس للترتيب الموضح في الشكل
AY NIR منه للغشاء الماص ل ١4 ؛ يكون الغشاء ذو الابتعاثية المنخفضة أقرب للزجاج والطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة في غشاء NIR ويبين الشكل ؟ اندماج الطبقة الماصة ل Y. على عامل ١6 به كمية متدرجة من عامل الإشابة. ويحتوي الغشاء ١١ 580 مفرد من (fluorine عامل الإشابة ذي الابتعاثية المنخفضة؛ وهو الفلور Sie) إشابة واحد بصورة سائدة ويحتوي على عامل إشابة آخر بصورة سائدة ١ عن الزجاج ؛ Tam OA عند السطح العلوي؛
YY عند سطح الغشاء (antimony الأنتيمون Jie NIR عامل إشابة للطبقة الماصة ل Sie) بحيث يتغير YY إلى السطح ١8 الأقرب للزجاج. وتتغير تراكيز عوامل الإشابة من السطح Yo
YAY
YY
تركيز أحد عوامل الإشابة عند السطح VA من نسبة تزيد عن 750 إلى Gi Tia عند السطح YY وعند نقطة متوسطة 7١ أسفل السطح العلوي OA يتغير عامل الإشابة السائد عند تلك النقطة في الغشاء من عامل الإشابة السائد عند السطح VA إلى عامل الإشابة السائد عند السطح YY ويمكن أن يكون عامل الإشابة للطبقة الماصة ل NIR أو عامل الإشابة ° للطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة (الفلور (fluorine عامل الإشابة السائد عند السطح VA مع كون عامل الإشابة الآخر هو عامل الإشابة السائد عند السطح YY ويوضح الشكل ؛ lala مطلياً به طبقات إضافية YU YE بالإضافة إلى الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة ٠١ والطبقة الماصة ل 1 ؟١. وقد تكون الطبقات الإضافية TYE طبقات ذات ابتعاثية منخفضة و/أو طبقات ماصة ل NIR إضافية أو طبقات تقليدية أخرى تستخدم لطلاء زجاج مثل طبقة vs ملونة بشكل خفيف. فعلى سبيل المثال قد تكون الطبقة VY طبقة NIR — dale (متلا قصدير tin مأشوب بأنتيمون (antimony وقد تكون الطبقة ٠١ طبقة ذات ابتعاثية منخفضة (قصدير tin مأشوب بفلور (fluorine وقد تكون الطبقة YE طبقة ماصة ل NIR أخرى. وقد تكون الطبقة 77 طبقة ذات ابتعاثية منخفضة أخرى أو أي طبقة تفليدية أخرى. وقد يتّشابه تركيز عامل الإشابة أو يختلف عند استخدام أكثر من طبقة ذات ابتعاثية منخفضة واحدة وقد yo تتشابه السماكة أيضاً أو تختلف لكل طبقة ذات ابتعاثية منخفضة. وبالمثل؛ عند استخدام أكثر من طبقة ماصة ل NIR واحدة؛ قد يتشابه أو يختلف تركيز واختيار عامل الإشابة من (أنتيمون cantimony تنغستن ctungsten فاناديوم cvanadium حديد ¢iron كروم «chromium موليبدنوم «molybdenum نيوبيوم cniobium كوبلت cobalt ونيكل (nickel وقد تتشابه السماكة أو تختلف لكل طبقة ماصة ل NIR وبشكل عام وصف عامل الإشابة لطبقة ماصة ل NIR ٠ في هذا البيان على الأغلب بدلالة الأنتيمون antimony وينبغي أن يدرك أنه يمكن اختيار عامل الإشابة في الطبقة الماصة ل 8 من المجموعة التي تتكون من أنتيمون cantimony تنغستن 8 ::؛ فاناديوم cvanadium حديد ¢iron كروم «chromium موليبدنوم «molybdenum ذيوبيوم ¢niobium كوبلت cobalt نيكل nickel ومخاليط منها. وبالمثل؛ وفي تجسيد الطبقة المتدرجة By للاختراع كما هو موضح في الشكل “؛ يمكن اختيار عامل الإشابة السائد عند Yo سطح الطبقة الماصة ل NIR إما السطح ١8 أو TY من المجموعة التي تتكون من أنتيمون لامعا
cantimony تنغستن 0 :؛ فاناديوم «vanadium حديد ¢iron كروم cchromium موليبدنوم 0170007 نيوبيوم ¢niobium كوبلت «cobalt نيكل nickel ومخاليط منهاء ومن الضروري فقط أن يكون عامل الإشابة للطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة؛ مثلاً الفلور cfluorine هو عامل الإشابة السائد عند السطح المقابل. ويمكن دمج طبقة ماصة ل 1008 واحدة أو أكثر أو طبقة ذات ابتعاثية منخفضة واحدة أو أكثر مثل الطبقتين ٠ و١١ في الأشكال من ١ إلى © و/أو طبقات تقليدية أخرى مع طبقة متدرجة. ويفضل استخدام الماء لتعجيل ترسيب الغشاء :500 على الزجاج كما هو موصوف في براءة الاختراع الأمريكية رقم 5990051 (بإسم (Lindner Jil ويستخدم بتراكيز تتراوح من Ts Ve إلى 717.0 مول على أساس تركيب الغاز. Ve ويتمثل تجسيد آخر lady لهذا الاختراع في انخفاض ضبابية الغشاء. وتنتج الضبابية من تشتت الضوء الساقط عندما يصدم بسطح. ويمكن أن ينتج بسبب خشونة السطح iam لحجم كبير للحبيبات البلورية؛ مدى واسع من حجم الحبيبات البلورية و/أو دقائق مطمورة في سطح الغشاء. ويمكن أن تنتج كذلك من الفراغات (الفجوات) في الغشاء نتيجة لتبخر متتج ثانوي وسيط NaCl Jie ويكون للأغشية المترسبة بواسطة هذا الاختراع ضبابية تنتج بشكل Ne سائد من خشونة السطح. وتخفض الضبابية بتضمين مواد مضافة معينة أو إبعادها بشكل ملائم في عملية الطلاء إما عند سطح الزجاج-الغشاء البيني أو عند سطح الغشاء بين الطبقتين. وبضبط التجعد ضمن طبقات الغشاء بهذه AS) يخفض تجعد ومن ثم ضبابية الطبقة العلوية في طلية أكسيد القصدير tin oxide ثنائية الطبقات. ويعتبر هذا تحسناً على التقنية السابقة الذي يحرز انخفاضاً في الضبابية بإضافة طبقة إضافية فوق الطبقة الوظيفية. ويتمثل العرض الوحيد للطبقة الإضافية وفقا للتقنية السابقة في تسوية السطح الخشن للطبقة الوظيفبة عن طريق تعبئة المناطق بين peaks aad ومفارج valleys الحبيبات البلورية. ومن هذه المواد المضافة المخففة للتجعيد الفلور fluorine إما في صورة غير عضوية HF Jie أو في صورة عضوية مثل حمض ثلاثي فلوروأسيتيك trifluoroacetic acid (TFA) أو ثلاثي فلوروأسيتات الإثيل ethyl trifluoroacetate على سبيل المثال. ومن مصادر الفلور fluorine Yo الأخرى المناسبة لتخفيض الضبابية حمض ثنائي فلوروأسيتيك «difluoroacetic acid YAY
Yi
حمض أحادي فلوروأسيتيك cmonofluoroacetic acid ثلاثي فلوريد الأنتيمون antimony trifluoride وخماسي فلوريد الأنتيمون antimony pentafluoride وثلاتي فلوروأسيتوأسيتات الإثيل ethyl trifluoroacetoacetate وعندما يتواجد الفلور fluorine في كل أو جزء من الطلية السفلية 7050؛ يخفض حجم الحبيبات البلورية بشكل ملحوظ وتخفض ضبابية SLED الكلية. وتبين الصور المجهرية للمجهر الإلكتروني الماسح أن حجم الحبيبات البلورية للطلية العلوية يتأثر بحجم الحبيبات البلورية المخفض للطلية السفلية. ومن المواد المضافة الأخرى التي وجد أنها فعالة في تخفيض الضبابية الأحماض Jie acids حمض الأسيتيك
«methanesulfonic ميثان كبريتونيك «propionic البروبيونيك formic الفورميك cacetic ويمكن أن تخفض الضبابية nitrous والنتروز nitric وزمرائه؛ النتريك butyric البيوتيريك
0٠ أيضا بإبعاد مواد مضافة معينة مثل الماء. وعندما لا يتواجد الماء أثناء ترسيب أول بضع مئات من الأنغستروم للطلية السفليةء يخفض حجم الحبيبات البلورية الكلي. ويمكن أن تخفض الضبابية أيضاً بدمج وجه واحد أو أكثر من الأوجه السابقة. وإذا ضمن TFA في عملية الترسيب عندما يبعد eld تخفض ضبابية الغشاء الكلية. وعلى سبيل المثال؛ عند إزالة الماء
من ترسيب أول * إلى ٠١ نانومتر من طبقة 7050؛ يخفض شكل الغشاء الكلي ويبحصل
ve على قيم للضبابية تبلغ 70,48 تقريباً. وإذا أضيف TFA وأبعد الماء من ترسيب أول 5٠0 إلى
Alias نانومتر من طبقة 0»؛ تنتج تأثيرات شكلية وقيم للضبابية ٠
وعندما يضاف الفلور fluorine كعامل إشابة في elie أكسيد القصدين tin oxide
فإنه يخفض الابتعاثية ويزيد من الموصلية الغشائية. إلا أنه؛ لا يعمل كعامل إشابة تفليدي في
هذا الاختراع عندما يضاف إلى الطبقة الماشوبة بالأنتيمون antimony في طلية أكسيد القصدير
أ tin oxide ويعمل في الطبقة المأشوبة بالأنتيمون antimony كمعدل asad modifier الحبيبات البلورية لأكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالأنتيمون antimony كما يظهر من تخفيض ضبابية الغشاء الكلية (كما تم قياسها باستخدام مقياس الضبابية hazemeter وأثبتت بواسطة الصور المجهرية باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح). ويثبت الارتفاع في مقاومة الصفيحة
مع الارتفاع المقترن بالابتعاثية؛ المبين في النتائج في الجدول F وظيفة الفلور fluorine
Yo المضاف إلى طبقة أكسيد القصدير oxide «ن المأشوبة بالأنتيمون ٠ (TOSb) antimony وعندما YAoY
Yo في طبقة 0+ ترتفع الابتعائية الناتجة للطبقة المدمجة؛ ولا تتخفض fluorine يتواجد الفلور كما هو متوقع إذا عمل كعامل إشابة. وتفسير ذلك هو أنه يعتقد أنه يمكن ارتباط الفلور وبتلك الوسيلة تتم إزالتهما بشكل فعال antimony بشكل مفضل بمواقع الأنتيمون fluorine كعاملي إشابة في الغشاء ومن ثم قد تزيد ابتعاثية الغشاء الكلية؛ إلا أنه لا يرغب التقيد بهذا التفسير. 0
ويقدم تجسيد آخر وفقآ للاختراع القابلية لتغيير اللون النافذ في الزجاج المطلي. ويشير
اللون النافذ إلى اللون الملاحظ من قبل الناظر على الجهة المقابلة من الزجاج المطلي بالنسبة لمصدر الضوء المنظورء بينما يشار باللون المنعكس إلى اللون الملاحظ من قبل الناظر على
نفس جهة مصدر الضوء المنظور. ويمكن أن يتأثر الضوء النافذ بإضافة عوامل إشابة إضافية
٠ إلى الغشاء الماص ل 8. وكما هو موضح مسبقاً؛ تحتوي الطبقة الماصة ل NIR على عامل إشابة يختار من الفئة التي تتكون من أنتيمون cantimony تنغستن 01085660؛ فاناديوم ¢vanadium حديد ¢iron كروم «chromium موليبدنوم «molybdenum نيوبيوم صناطونه» كوبلت cobalt ونيكل اعناعذه. ويمكن تغيير لون الضوء النافذ من خلال الطبقة الماصسة ل NIR بإضافة عامل إشابة إضافي يختلف عن عامل الإشابة الأول في الطبقة الماصسة ل NIR
Vo ويختار من الفئة التي تتكون من تنغستن «tungsten فاناديوم 0+ حديد cron كروم «chromium موليبدنوم «molybdenum نيوبيوم eniobium كوبلت «cobalt نيكل nickel أو توليفة
من أكثر من عامل إشابة إضافي واحد إلى الطبقة الماصة ل NIR ويمكن أيضاً of تؤثر
المادة المضافة التي تؤثر على الضبابية؛ الفلور fluorine على اللون النافذ ٠ وكما هو موضح
في الأمثلة من fe إلى ؟؛ ؛ تنتج إضافة مصدر للفلور Ja fluorine حمض ثلاقي
٠ فلوروأسيتيك trifluoroacetic acid (TFA) إلى محلول المصدر في الطبقة الماصة ل NIR مثل <MBTC/SbCl; غشاء يكون لونه النافذ رمادياً مقابل اللون النافذ الأزرق لطبقة أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالأنتيمون antimony بدون وجود عامل إشابة من فلور fluorine وللمادة المضافة تأثير قليل أو لا يوجد لها تأثير على الضوء المنعكس» Gigs لذلك؛ يمكن إنتاج زجاج
مطلي له ضوء منعكس يختلف عن ضوئه النافذ.
YAoV
ويمكن إضافة عوامل إشابة في الطبقة الماصة ل Jie NIR فاناديوم مستمدة»»؛ نيكل nickel كروم chromium ومواد مضافة لونية غير تقليدية Jia حمض ثلاثي فلوروأسيتيك trifluoroacetic acid (TFA) إلى مصادر 0 بنسبة تتراوح من ١ إلى 8 بالوزن (على أساس الوزن الكلي للمصدر والمادة المضافة) لتغيير لون الضوء النافذ في تركيب الغشاء ٠ النهائي دون التأثير بشكل كبير على لون الضوء المنعكس المحايد بصورة كلية. وستمثل التجسيدات المفضلة لهذا الاختراع بالأمثلة التالية. وسيدرك أحد المتمرسين في التقنية بأن الاختلافات البسيطة خارج التجسيدات المعروضة في هذا البيان لا تخرج عن مبدأ ونطاق هذا الاختراع. وتوصف التجسيدات الأكثر تفضيلاً؛ في هذا البيان؛ للحصول على زجاج Jha له ٠ خصائص NIR وابتعاثية منخفضة يعطي لونآً منعكساً Tals من طلية أكسيد القصدير tin oxide التي تتألف من طبقتين his بغض النظر عن الضبابية؛ في الأمثلة من ١ إلى .7١0 وتتكون (saa) الطبقات من غشاء TOF (أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بالفلور (fluorine سماكته ©00٠0 أنغستروم في توليفة مع غشاء من 70:55 (أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بالأنتيمون (antimony سماكته 0050 أنغستروم على الزجاج. ويمكن أن تتراوح سماكة غشاء ve طبقة TOF من 1800 إلى 7٠٠١ أنغستروم تقريباً ومع ذلك يحقق النتيجة المدهشة للون المنعكس المحايد. ويمكن أن يتراوح تركيز القلور fluorine من ١ إلى 75 من الوزن الذري تقريباً. ويمكن أن تتراوح سماكة غشاء TOS من 1700 إلى 1300 أنغستروم تقريبا مع تركيز للأنتيمون antimony يتراوح من ؟ إلى IA تقريبآً ومع ذلك يحقق النتيجة المدهشة للون المنعكس المحايد للزجاج المطلي. وضمن أمداء السماكة وتركيز عامل الإشابة المفضلة {iy ٠ اللاختراع الراهن؛ يمكن إنتاج زجاج مطلي يتحكم daily الشمس يحتوي على طبقة ماصة ل NIR وطبقة منخفضة الابتعاثية ويعطي لونآ أزرقا Togas للضوء المنعكس» أي زجاج مطلي ذي ضوء منعكس يقع بشكل سائد ضمن af الإحداثيات اللونية (Ey ل CLE. حيث تقع * بين ٠ Yes, YAO وتقع لابين 796+ و7758 كما هو موضح في الشكل ١ عن طريق المنطقة المؤطرة المكتوب عليها لون أزرق محايد. و
ب وحددت جميع قيم 51160 وقيم نآ في الجداول باستخدام طريقة الشريط المفرد single band approach من برنامج نوافذ NFRC نسخة ٠ 4,١ وسيحسن استخدام طريقة الشريط المتعدد multiband approach الأكثر دقة (يلزم ملف من البيانات الطيفية) قيم SHGC بنسبة تبلغ 716 تقريبا. ° ويمكن حساب القيم ثلاثية الحوافز Gy tristimulus values ل CLE, للألوان المنعكسة والنافذة من المواد المطلية وفقا لمقاييس ASTM (الجمعية الأمريكية لاختبار المواد «(American Society for testing materials البند E308 بحيث يكون المصدر الضوئي C هو المصدر الضوئي القياسي standard illuminant ومن مقاييس coda ASTM البند (E308 يمكن تحديد لون المادة ضمن أحد النطاقات المختلفة المتعددة. ويكون النطاق المستخدم للمواد ٠ المطلية في هذا الاختراع هو نظام الإحداثيات اللونية Gy yy x ل NAT CLE ويمكن للشخص الترجمة إلى نطاق لون مقابل *]» Gay b* ga* ل ١ AVY (CLE. بسهولة باستخدام المعادلات التالية: x= X/(X+Y+Z) y= (X+Y+Z) L*=116(Y/Yn)">-16 vo 7 ا a* = 500[(X/Xn)"- b* = 200[(Y/Y a)" (2/Z4)"] حيث يمثل X 7< و2 القيم ثلاثية الحوافز Gay ل CLE, للمادة المطلية؛ Yn «Xn و70 تساوي ؛ لادرخقء ٠١.٠٠١ و 118,177 على الترتيب. للمصدر الضوئي © القياسي. 7 ومن قيم *آء cb* ca* يمكن حساب معامل الإشباع اللوني؛ *» عن طريق المعادلة A اث ر*ط + تخي ]د*. وتعتبر القيمة ١١ أو أقل لمعامل الإشباع اللوني قيمة محايدة. ويوضح تعريف لون أزرق محايد للضوء المنعكس؛ أي زجاج مطلي له ضوء منعكس سائد ضمن قيم الإحداثيات اللونية وفقا ل CLE, التي تكون ل « بين YAS و١٠71 ول Yao my و 379 كما هو مبين في الشكل ١ عن طريق المنطقة و
ٍ YA تبلغ عفرلا be 5 ar (LF المؤطرة المكتوب عليها لون أزرق محايد والمتصلة بقيم ل
AAV CLE حداركت مرا وفتاً ل (YAY رلك —0,4 و وفيما يلي قيم التحول لعينة: 0 (الجدول 5٠ المثال SbCl; من 58 ° (z\afSb/F) YE [Ye q,vav=X ,6.86=Y ١١ حل 7 أن ل١ح ٠١ لاحلاك ان *رآ كارت ج175 a* حتت = b* 6 VVA= c* vo وقيمت خواص التحكم بأشعة الشمس لنوافذ زجاجية وتم تقديرها من قبل الولايات باستخدام نظام تقدير Environmental Protection Agency المتحدة الأمريكية؛ وكالة حماية البيئة ويحتاج تقدير انيرجي ستار للمنطقة الوسطى من (Energy Star rating System انيرجي ستار أو أقل. ٠,56 يبلغ SHGC أو أقل وتقدير ل ١48 الولايات المتحدة إلى تقدير لعامل-نا يبلغ ويحتاج تقدير انيرجي ستار للمنطقة الجنوبية من الولايات المتحدة إلى تقدير لعامل- نا يلغ ial أو أقل. ويحقق زجاج مطلي به طليات ١.460 يبلغ SHGC أو أقل وتقدير ل ve للاختراع الراهن عندما يدمج في نوافذ ذات lady ل 1118 وطليات ذات ابتعاثية منخفضة تصميم تقليدي تقديرات انيرجي ستار للمنطقة الوسطى و/أو المنطقة الجنوبية. فعلى سبيل متر (؟ أقدام) وارتفاعها ١9١ المثال تحقق نافذة ذات تصميم منزلق عمودي عرضها يبلغ تبلغ © كما هو frame absorption value يبلغ متر ) ¢ أقدام) ولها قيمة امتصاص إطارية Yo
YAoV
Ya
National Fenestration Rating Council مقدر من قبل مجلس تقدير توزيع النوافذ الدولي للاختراع الراهن به Gy والتي يدخل في تركيبها زجاج مطلي يتحكم بأشعة الشمس (NERO) وغشاء ذي ابتعاثية منخفضة ضمن الأمداء المفضلة للون الأزرق NIR غشاء ماص ل لتركيب زجاج أحادي ١,64 وقيمة ل ل أقل من +, te المحايد قيمة ل ©5006 أقل من وقيمة ١,78 أقل من SHGC أو أقل وتحقق قيمة ل ١,7 للإطار Unde تبلغ Cus الطبقة ٠ نقي بسماكة lite مصنوعة من ليت (IGU) ل 17 أقل من 48 لبنية وحدة زجاجية معزولة
Tale سم )40+ بوصة) وبها طلية VT تبلغ 8,؟ ملي مترء وبها فجوة هوائية يبلغ قطرها الخارجي ولها قيمة- ite وطلية ذات ابتعاثية منخفضة على السطح الثاني من الليت NIR ل أو أقل. ٠.١ للإطار تبلغ وتثبت الأمثلة أنه باستخدام طبقتين من ,500 مأشوب كحد أدنى؛ يمكن إنتاج زجاج ve ؛١ مطلي يتحكم بأشعة الشمس على نحو ممتاز له لون منعكس مختار مسبقاً. وتقدم الجداول كيفية اختلاف خواص التحكم بأشعة الشمس Lil ١و © ؟ و ؟ البيانات بينما يظهر الشكلان بصفة أساسية. NIR للزجاج المطلي مع تراكيز عامل الإشابة وسماكة الغشاء الماص ل لاختيار نموذجي لزجاج CLE. بيانياً للإحداثيات اللونية * و وفقاً ل Taw) V ويوضح الشكل
Sid gi يمكن استخدام oF إلى 280. وكما هو مبين في الشكل ١ مطلي ناتج من الأمثلة من - والأغشية ذات الابتعاثية المنخفضة وتراكيز عامل NIR خاصة لسماكات الأغشية الماصة ل أو عوامل إشابة خاصة لإنتاج زجاج مطلي يتحكم بأشعة الشمس بأي لون مرغوب للإشعاع أزرق وتدرجات لونية منها «inal أخضر؛ eal المنعكس من سطح الزجاج المطلي؛ مثل أو لون أزرق محايد. وبصفة خاصة وجد على نحو مدهش بأنه يمكن الحصول على لون والطبقات ذات الابتعاثية المنخفضة ولكن بدون استخدام NIR أزرق محايد للطبقات الماصة ل -
Gordon طبقة لمنع التقزح اللوني مثل تلك الموصوفة من قبل غوردون وفي حين يمكن الحصول على السمات الابتكارية للاختراع الراهن باستخدام طبقتين وطبقة ذات ابتعاثية منخفضة. إلا أن تجسيدات استخدام طبقات NIR طبقة ماصة ل ais متعددة تعتبر ضمن نطاق ومحتوى الاختراع. ويمكن أن تكون الطبقات المتعددة طبقات ماصة و/أو طبقات ذات ابتعاثية منخفضة إضافية أو طبقات وظيفية أو زخرفية أخرى. 1008 J ve و
0 وتشمل تجسيدات استخدام الطبقات المتعددة 1050/108/1056/زجاج: أو «z's TOSH/TOF/TO أو 0/00 /زجاج مع كون 170 فقط غشاء من أكسيد القصدير oxide 0. وعند استخدام طبقات ماصة ل NIR أو طبقات ذات ابتعاثية منخفضة متعددة؛ فإنه لا توجد حاجة لتساوي تراكيز عامل الإشابة أو Silo اختيار عامل الإشابة في © كل غشاء ماص ل 1018 أو غشاء ذي ابتعاثية منخفضة. فعلى سبيل المثال عند استخدام طبقتين ماصتين ل NIR في توليفة مع طبقة ذات ابتعاثية منخفضة واحدة على الأقل؛ فإن طبقة ماصة ل NIR واحدة يمكن أن تحتوي على مستوى منخفض من عامل إشابة من أنتيمون antimony (مثلا ©,؟)) لإعطاء انعكاس قليل في المدى المتوسط من الأشضعة تحت الحمراء وقد تحتوي طبقة واحدة على مستوى أعلى من عامل إشابة من أنتيمون antimony (X05) ٠ لإعطاء امتصاصية ل NIR ويستخدم Sale المصطلحين طبقة وغشاء في هذا البيان بشكل قابل للتبديل باستثناء في مناقشة الغشاء المتدرج الموضح في الشكل © حيث يشار إلى جزء من الغشاء كطبقة بها تركيز من عامل إشابة يختلف عن تركيز عامل الإشابة في طبقة أخرى من الغشاء. وفي طريقة صنع الزجاج المطلي وفقآ للاختراع الراهن كما هو موضح في الأمثلة؛ يتلامس الزجاج بشكل متتال مع مصادر تحتوي على غاز حامل. ووفقآ لذلك؛ قد ١ > يكون للزجاج طلية عليه عندما يتلامس مرة أخرى مع مصادر تحتوي على غاز حامل. ولذلك؛ يشير المصطلح "زجاج متلامس “contacting glass إما إلى تلامس مباشر أو تلامس مع طلية واحدة أو أكثر مترسبة las على الزجاج. وتوصف أفضل الطرق لتطبيق أوجه انخفاض الضبابية Gg لهذا الاختراع في الأمثلة من 50 إلى 47 و 48 إلى 31. وتلخص النتائج في الجداول 7 ؛ و © و
١ ١ إلى ١ الأمثلة من
سخنت طبقة أساس من زجاج بلغت سماكتها 7,؟ ملي متر (تتكون من سليكا جير الصودا (soda lime silica ؛ ومساحتها 17,1 سم (‘os 7 ١ ؛ على قالب ساخن إلى درجة
حرارة تراوحت من 09 إلى 776 م ٠ ووضعت طبقة الأساس على بعد YO ملي متر أسفل
٠ الجزء المركزي من فوهة أنبوب طلاء متمركز عمودي. وسخن غاز حامل من هواء جاف يتدفق بمعدل ١5 لتر لكل دقيقة (لتر/دقيقة) إلى a) Te ومرر من خلال مبخر عمودي ذي
جدار ساخن . وغذي محلول طلاء سائل يحتوي على 190 بالوزن تقريباً من ثلاثي كلوريد
أحادي بيوتيل القصدير monobutyltin trichloride 5 7.0 بالوزن تقريبآ من ثلاشي كلوريد الأنتيمون antimony trichloride إلى المبخر بواسطة مضخة حقن عند تدفق حجمي صمم
٠ ليعطي تركيز للقصدير العضوي organotin في تركيب الغاز يبلغ 78,6 مول. وغذيت أيضاً كمية من الماء داخل المبخر عند تدفق صمم ليعطي 71,0 مول من بخار الماء في خليط
الغاز. وترك خليط الغاز ليصطدم بطبقة الزجاج الأساسية عند de yu ظاهرية face velocity
بلغت ١,59 م/ثانية لمدة ١ ثانية Go مما أدى إلى ترسيب غشاء أكسيد القصدير oxcide عن المأشوب بالأنتيمون antimony الذي بلغت سماكته Yi نانومتر تقريباً. وبعد ذلك مباشرة؛
ve ا غاز ثان يتكون من مصدر يتضمن تركيبه 745 بالوزن من ثلاشي كلوريد أحادي بيوتيل القصدير monobutyltin trichloride و78 بالوزن من حمض ثلاثي فلوروأسيتيك
trifluoroacetic acid بالإضافة إلى الماء بنفس التراكيز والغاز الحامل كما استخدم مسبقآً لترسيب طبقة ,500 المأشوبة بأنتيمون antimony وترك خليط الغاز الثاني هذا ليصطدم بطبقة الأساس المطلية لمدة 6,١7 ثانية تقريباً. وترسب غشاء بلغت سماكته 780 نانومتر تقريبا من
7 أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بفلور fluorine وكان لون الغشاء ثنائي الطبقات أزرق فاتح في عمليتي التفاذ والانمكاس. وقيست الخواص البصرية بمقياس الضوء الطيفي باستخدام UV (-الأشعة فوق البنفسجية)/15 (-الأشعة المرئية)/1018 وقيست مقاومة الصفيحة بمسبار
قياسي رباعي النقاط. وحسب معامل اكتساب الحرارة الشمسية؛ وقيمة U والنفانذية المرئية لمركز الزجاج باستخدام برنامج نوافذ نسخة 4,١ المبتكر من قبل مختبر لورنس بيركلي
Yo ناشونال لابوراتوري «Lawrence Berkeley National Laboratory وندوز آند داي لايت غروب
YAov
YY
«Building Technologies Program بلدنغ تكنولوجيز بروغرام «Windows and Daylight Group وحسبت الإحداثيات Energy and Environmental Division اتيرجي آند انفايرومنتال دفيجين من بيانات الانعكاسية المرئية بين ASTM 2308-96 باستخدام ys x ل CLE. اللونية وفقا ل إلى 70 نانومتر وقيم ثلاثية الحوافز للمصدر الضوئي ©. وتبين نتائج التحليل لهذا ٠ مرة إضافية باستخدام تراكيز YA وأعيد إجراء هذا المثال V8 الغشاء في الجدول 0 العدد ٠ ذات سماكات مختلفة he مصادر كيميائية وأزمان ترسيب مختلفة لإنتاج عينات من زجاج والطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة وتراكيز مختلفة من عامل الإشابة. NR للطبقة الماصة ل .١ وتمثل النتائج في الجدول
YA إلى *١ الأمثلة من باستثناء عكس ترتيب تغذية البخار. ورسب ١١ أعيد الإجراء الموصوف في المثال ١ ومن ثم La i ثواني A بداية لمدة fluorine المأشوب بفلور tin oxide غشاء أكسيد القصدير لمدة 6 ثوان تقريباً. وكانت antimony المأشوب بأنتيمون tin oxide غشاء أكسيد القصدير (TOF) وتكون من طبقة ذات ابتعاثية منخفضة LB سماكة الغشاء الناتج 460 © نانومتر نانومتر Yer سماكتها حوالي )1055( NIR نانومتر وطبقة ماصة ل Yoo سماكتها حوالي وتبين نتائج .٠9 ولها مظهر ولون ضوء منعكس (لون أزرق محايد) ممائل للغشاء في المثال مرات إضافية ١ وأعيد الإجراء الموصوف في هذا المثال FY العدد oY التحليل في الجدول بتغيير تراكيز المصادر الكيميائية وأزمان الترسيب لإنتاج عينات زجاج مطلي ذات سماكات والطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة وتراكيز مختلفة من عامل NIR مختلفة للطبقة الماصة ل الإشابة. وتبين النتائج في الجدول ؟. raul > ولكن باستخدام ثلاثة مصادر لمخاليط التغذية. ١ أعيد الإجراء الموصوف في المثال وتضمن تركيب الخليط الثالث 198 بالوزن من ثلاثي كلوريد أحادي بيوتيل القصدير trifluoroacetic acid hin ul صتنان10000» ©/ بالوزن من حمض ثلاثي فلورو trichloride
Yl ورسب غشاء متدرج antimony trichloride و5 بالوزن من ثلاثي كلوريد الأنتيمون فقط المستخدم في antimony المأشوب بأنتيمون tin oxide بترسيب مصدر أكسيد القصدير Yo
YAev
YY
المثال ١ لفترة تبلغ 770 من الزمن اللازم لترسيب الطبقة التي سماكتها TE نانومتر. ومن ثم بدأ بترسيب المصدر المأشوب بخليط من أنتيمون antimony وفلور fluorine واستمر مصدري الخليط بالترسب لفترة بلغت 770 من زمن الترسيب الكلي وعند هذه المرحلة توقف ترسب مصدر خليط الأنتيمون 1 . واستمر ترسيب المصدر المخلط بأنتيمون antimony 2 وفلور fluorine لفترة الترسب المتبقية والتي بلغت 7٠١ من زمن الترسيب الكلي لترسيب الغشاء المأشوب بأنتيمون antimony والذي بلغت سماكته 560 7 نانومتر. وعند هذه المرحلة؛ تم بدء تغذية مصدر لغشاء أكسيد القصدير tin oxide المأضوب بفلور fluorine واستمرت التغذية لفترة بلغت 77١0 من الزمن الكلي اللازم لترسيب طبقة من أكسيد قصدير tin oxide مأشوب بفلور fluorine بلغت سماكتها Ver نانومتر. وتوقفت تغذية مصدر مخلط Ve بأنتيمون antimony وفلور 6 واستمر ترسب مصدر أكسيد القصدير tin oxide المأشوب بفلور fluorine لفترة الترسيب المتبقية لترسيب الغشاء المأشوب بفلور Fluorine وكان اللون النافذ والمنعكس في الطلية المتدرجة الناتجة أزرق فاتح (قيمة =x تك FV =y ,+( SHC = 0,0 قيمة =U 1 وتبلغ النفاذية المرئية حوالي 746 وكما هو موضح في الشكل oF يكون للسطح TY من الغشاء المتدرج VT نسبة من عامل إشابة من أنتيمون antimony Vo تبلغ ٠ بصفة أساسية بينم يكون للسطح VA عامل إشابة من فلور fluorine بنسبة 7٠٠١ بصفة أساسية مع تدرج تركيز عامل الإشابة بين السطحين ١8 و17 ويكون كلاهما موجودين في قالب الغشاء من S00; الأمثلة من 0+ إلى ؟؛ استخدم الإجراء الموصوف في المثال ١ في الأمثلة من 5٠6 إلى em AT تكون " تركيب الطلية للطبقة الماصة ل 18 في المثالين 61 و؟؛ من مصدر فلونر «fluorine أنتيمون cantimony قصدير tin نتج عن طريق إضافة TFA 5 SbCly إلى MBTC واحتوى هذا المصدر على نسبة تراوحت من صفر إلى 10 بالوزن من (TEA 8,7 إلى 70,0 بالوزن من «SCL; وكانت المادة المتبقية عبارة عن MBTC وغذي إسهامياً مع الماء إلى المبخر الثاني. وكان الغاز الحامل المستخدم للمبخر الثاني هواء جاف يتدفق بمعدل ١١ لتر/دقيقة. Yo وأضيف مصدر الفلور 80006/الأنتيمون tin _puaill/antimony بمعدل 70,8 مول من YAeV
معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وأضيف eld) بمعدل 71,8 مول من معدل تدفق الغاز
الحامل الكلي؛ وحوفظ على درجة حرارة المبخر عند ١6١ م. وسخنت طبقة الزجاج الأساسية التي تتكون من سليكا جير الصودا soda-lime-silica مسبقاً والتي بلغت مساحتها
4 سم (؟ (‘lass وسماكتها VY ملي متر على قالب مسخن إلى درجة حرارة
٠ تراوحت من 06 إلى 176 م. ومن ثم نقل قالب التسخين وطبقة الأساس إلى موضع يكون أسفل فوهة أنبوب الطلاء العمودي مباشرةً؛ بحيث تبعد طبقة الأساس YO ملي متر أسفل
فوهة أنبوب الطلاء. ومن ثم وجهت أبخرة 07 من المبخر الثاني على طبقة
الزجاج الأساسية؛ مما أدى إلى ترسيب طبقة الطلية السفلية من أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بأنتيمون antimony وفلور fluorine في المثالين ١؛ LF وكانت سرعة الغاز
١ الحامل 5,١٠م/ثانية وسماكة غشاء أكسيد القصدير tin oxide المأشوب 740 نانومتر تقريباآً. وأزيلت منتجات التفاعل الثانوية وأبخرة المصدر غير المتفاعل من طبقة الأساس
بمعدل ١8 لتر/دقيقة. وبعد ترسيب طبقة الطلية السفلية من أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بأنتيمون antimony وفلور «fluorine حول صمام فوهة أنبوب الطلاء من تغذية
المبخر الثاني إلى تغذية المبخر الأول. ومن ثم وجهت أبخرة ©11,0/178/10810 من تغذية
tin oxide المبخر الأول على طبقة الأساس» مما أدى إلى ترسيب طبقة أكسيد القصدير yo مباشرةًٌ على الجزء العلوي من طبقة الطلية السفلية من أكسيد fluorine المأشوبة بفلور وبلغت سرعة الغاز الحامل fluorine وفلور antimony المأشوبة بأنتيمون tin oxide القصدير
4 م/ثانية وسماكة غشاء أكسيد القصدير tin oxide المأشوب بفلور Yor fluorine نانومتر
تقريباً. وكان اللون النافذ من الأغشية ثنائية الطبقات في المثالين ١؛ و al) EF تحتوي
7 على 17 و50 في طبقة الطلية السفلية الماصة ل (NIR رمادي فاتح وكان اللون المنعكس منها alas وكررت خطوات المثالان 56 و EY في المثالين ١؛ و ؟؛ بصفة أساسية على الترتيب ولكن بدون وجود فلور fluorine في طبقة الطلية السفلية الماصة ل NIR وقيست الخواص ووضحت النتائج في الجدول ؟. وتبين النتائج كيفية عمل الفلور 000:06 بصفته
مادة مضافة في الطبقة الماصة ل (NIR كمعدل للون وكذلك مخفض للضبابية haze reducer
a v3 x (Tuy بالنسبة للون المنعكس والنافذ. وتكون الألوان النافذة؛ نفاذية الضوء المرئي Yo
YAoVY
Yo وفقاآ (NIR و50 في الطبقة الماصة ل TFA الأغشية المحضرة باستخدام عوامل إشابة من رمادية بشكل أغمق وتكون الألوان المنعكسة من هذه الأغشية محايدة EF و 4١ للمثالين كعامل إشابة في sb بشكل أكبر من تلك الألوان الناتجة من الأغشية التي تحتوي فقط على بالأنتيمون sald «ن oxide التي تتكون من أكسيد القصدير NIR الطبقة الماصة ل المأشوبة NIR في المثالين 46 و 47. وعلاوةً على ذلك؛ يكون للطبقة الماصة ل antimony ° تؤثر على اللون نفانية أكبر fluorine مع كمية عامل إشابة من فلور antimony بأنتيمون في المثال OAL من 06,0 إلى Typ تزيد قيمة نفاذية الضوء المرئي Cum) للضوء المرئي (antimony مقابل المثال "؛ باستخدام نفس نسبة عامل الإشابة من الأنتيمون ؛١ الجدول ؟
TOF/TOSb ملخص خواص الأغشية ثنائية الطبقات ye 1" بد ١ 2 رقم المثال ركيب Cem | الس | ااا ا
Ce مومشفين 708 | صر | اه | اص
YAoV
قاومة الصفيحة SI Ce |e Len [er been Ce |e |e [oe me حيث تدل الرموز: ©: زجاج :SHGCc معامل اكتساب الحرارة الشمسية لمركز الزجاج/لوح زجاجي مفرد. IG معامل اكتساب الحرارة الشمسية لمركز الزجاج في 1617. Ue ٠ معامل انتقال الحرارة الكلية لمركز الزجاج/لوح زجاجي مفرد. 6: معامل انتقال الحرارة الكلية لمركز الزجاج في AGU نفاذية الضوء المرئي-ه: النفاذية في المنطقة المرئية من الطيف في مركز الزجاج/لوح زجاجي YALL jie إلى VAL نانومتر. انما
بي ؛ النفاذية في المنطقة المرئية من الطيف في مركز الزجاج في 80-1610 إلى 6لا نانومتر. وتوضح الأمثلة من ؛؛ إلى EV ترسيب أغشية باستخدام التراكيب التالية: TOSH/TOF (تركيز منخفض من TOSH/(Sb (تركيز dle من 50)/زجاج؛ 7 (تركيز عال من TOSb/(Sb ° (تركيز منخفض من 50)/زجاج؛ 1050 (تركيز منخفض من 7055/107/)50 (تركيز Jie من 55)/زجاج؛ و2055 (تركيز die من TOSH/TOF/(Sb (تركيز منخفض من (5)/زجاج. المثال Cte أعيد الإجراء الموصوف في المثال ١ باستثناء أن درجة حرارة الزجاج كانت حوالي ١ ٠م وتركيز المفاعلات كان حوالي 750.77 مول في هواء يتدفق بمعدل ٠١ لتر/دقيقة. وترسبت طبقة من أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالأنتيمون 7 سماكتها حوالي £0 أنغستروم بداية من محلول طلاء سائل يتكون من حوالي 7٠١ بالوزن من DE كلوريد الأنتيمون antimony trichloride وتقريباً 746 من ثلاثي كلوريد أحادي بيوتيل القصدير trichloride 0نا007ط0000. وبعد ذلك مباشرةً؛ ترسبت طبقة ثانية بلغت سماكتها حوالي ٠٠٠١ - أنغستروم من أكسيد القصدير tin oxide المأشوب بالأنتيمون antimony من محلول طلاء سائل يتكون من 77,769 من ثلاثي كلوريد الأنتيمون antimony trichloride و ,Yo 71 من oR كلوريد أحادي بيوتيل القصدير monobutlytin trichloride وترسبت طبقة ثالثة تتكون من طبقة أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالفلور fluorine سماكتها حوالي ٠٠٠١٠ أنغستروم من محلول يحتوي على 10 بالوزن من حمض DE فلوروأسيتيك wrifluoroacetic acid Y. و7958 بالوزن من ثلاثي كلوريد أحادي بيوتيل القصدير .monobutlytin trichloride وتبين بأن للغشاء الناتج لون أزرق مخضر فاتح بالنسبة للضوء المنعكس ولون أزرق فاتح بالنسبة للضوء النافذ. وقيست خواص الغشاء كما وصف في المثال .١ وبلغت نسبة نفاذية الضوء المرئي 714 وحسبت قيمة 0 فكانت 07,.. وكانت قيم الإحداثيات y 5x للون الضوء المنعكس 4 و cn YAR على الترتيب؛ مما يضع الغشاء في القطاع المربع ذي اللون Yo الأزرق المحايد من الحيز اللوني Gay ل CLE كما عرف Mie لاعلا
TA to المثال TOSh أعيد الإجراء الموصوف في المثال 44 ولكن هذه المرة ترسبت طبقات (reverse construction بترتيب معكوس (يشار إليه أحياناً في هذا البيان بتركيب معكوس بلغت (x) وكان لون الغشاء الناتج أحمر مزرق بالنسبة للضوء المنعكس بإحداثيات لونية ل على الترتيب. وحصل على نسبة من نفاذية الضوء المرئي on YAY ول (() بلغت FT 7080 بلغت € 0,0 وسيدرك المتمرس في التقنية أن طبقات SHGC بلغت 7895 وقيمة ل يمكن أن تختلف سماكتها وتراكيزها بالمقارنة مع ما هو موصوف في هذا البيان مع بقائها ضمن تطاق هذا الاختراع. 476 المثال أعيد الإجراء الموصوف في المثال 44؛ ولكن في هذا المثال عكس ترتيب ترسب ¥ وطبقة من محلول ثلاثشي كلوريد fluorine المأشوبة بالفلور tin oxide طبقة أكسيد القصدير بتركيز © 77,7. وكان للغشاء الناتج نفاذية للضوء المرئي antimony trichloride الأنتيمون بلغت ©0,8؛ وكان لون الضوء المنعكس أحمر مزرق SHOC بلغت حوالي 777 قيمة ل
CLT بلغت (y) ول 07١١ بلغت (x) محايد يتميز بإحداثيات لونية ل 497 all Vo أعيد الإجراء الموصوف في المثال 80 ولكن في هذا المثال عكس ترتيب ترسب كلوريد ON وطبقة من محلول fluorine المأشوبة بالفلور tin oxide طبقة أكسيد القصدير وكان للغشاء الناتج نفاذية للضوء .7٠00 بتركيز يبلغ antimony trichloride الأنتيمون وكان لون الضوء المنعكس أخضر cv, oF بلغت SHGC المرئي بلغت حوالي 75 قيمة ل وسيدرك المتمرس ..,7 4١ بلغت (y) ول ٠4 بلغت (x) فاتح يتميز بإحداثيات لونية ل Y. يمكن أن تختلف سماكتها وتراكيزها بالمقارنة مع ماهو TOS في التقنية أن طبقات موصوف في هذا البيان مع بقائها ضمن نطاق هذا الاختراع. 4 8 المثال مع التغييرات التالية. حيث تكون تركيب 4١ أعيد الإجراء الموصوف في المثال بالوزن من ,900؛ 76,70 (TFA من 70 بالوزن من NIR مصدر الطلية للطبقة الماصة ل vo
YAeyY
Ya وكان الغاز الحامل المستخدم للتبخير هواء جاف MBTC وكانت المادة المتبقية عبارة عن tin القصدير [antimony Oseii fluorine مصدر الفلور Casal لتر/دقيقة. ٠١ يتدفق بمعدل بمعدل 5 مول من معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وأضيف الماء بمعدل 79,8 مول من وسخنت a) Ve معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وحوفظ على درجة حرارة المبخر عند والتي بلغت Base soda-lime-silica طبقة الزجاج الأساسية التي تتكون من سليكا جير الصودا ° وسماكتها 7,7 ملي متر على قالب مسخن إلى 240 م. (Tas 7( سم" ١7,9 مساحتها متر/ثانية تقريبا ١,7 ووجهت أبخرة المصادر على طبقة الزجاج الأساسية عند سرعة بلغت بلغت antimony وأنتيمون fluorine يحتوي على فلور tin oxide ورسب غشاء أكسيد قصدير أنغستروم/ثانية. وبعد هذا الترسيب مباشرة: ١7٠١ نانومتر تقريبا بمعدل 14٠0 سماكته ناتومتر 0٠0 بلغت سماكتها fluorine مأشوبة بفلور tin oxide رسبت طبقة أكسيد قصدير vs
MBTC/TFA عند نفس المعدل من تركيب بخار يحتوي على 11,0 مول من Lod مول من بخار الماء وكانت الكمية 797,8 ((MBTC بالوزن من 73905 TFA بالوزن من 70 ) المتبقية عبارة عن هواء. وكان لون الضوء المنعكس من الغشاء ثنائي الطبقات أخضر كما تم قياسها باستخدام مقيباس الضبابية غاردنر 71,٠١0 مزرق وله قيمة ضبابية بلغت .Gardner Hazemeter yo £4 المثال لكن أزيل الماء من تيار البخار لقرسيب أول EA أعيد الإجراء الموصوف في المثال الأولى التي تحتوي على tin oxide من طبقة أكسيد القصدير Lui أنغستروم ٠٠١ إلى © وكان للغشاء الناتج ضبابية مقاسة بلغت 70,959 بنسبة fluorine والفلور antimony الأنتيمون بالمقارنة مع المثال السابق. 77١ انخفاض في الضبابية بلغت ١ 5. مثال المقارنة مع التغييرات التالية. حيث تكون تركيب 4٠0 أعيد الإجراء الموصوف في المثال من 7,78 بالوزن من و9860 وكانت المادة NIR مصدر الطلية للطبقة الماصة ل المتبقية عبارة عن ©10817. وكان الغاز الحامل المستخدم للتبخير هواء جاف يتدفق بمعدل 1,8 مول tin لتر/دقيقة. وأضيف مصدر الأنتيمون لإ00ه/ القصدير 7١ بمعدل Yo لاما
من معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وأضيف الماء بمعدل 77,9 مول من معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وحوفظ على درجة حرارة المبخر عند 160 م ٠ وسخنت طبقة الزجاج الأساسية التي تتكون من سليكا جير الصودا soda-lime-silica مسبقاً والتي بلغت مساحتها 4 سما )¥ بوصة') وسماكتها 707 ملي متر على قالب مسخن إلى 148 م. ووجهيت أبخرة المصادر على طبقة الزجاج الأساسية عند سرعة بلغت ٠,7 متر/ثانية تقريباً ورسب غشاء أكسيد القصدير tin oxide المأشضوب بالأنتيمون antimony الذي بلغت سماكته TE نانومتر Lo بمعدل بلغ ١7٠١ أنغستروم/ثائية تقريباً. وبعد هذا الترسيب مباشرة:؛ رسبت طبقة أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالفلور fluorine التي بلغت سماكتها ٠ نانومتر تقريباً عند نفس المعدل من تركيب بخار يحتوي على 71,9 مول من MBTC/TFA ١ )70 بالوزن من TFA و1559 بالوزن من ((MBTC ©,77 مول من بخار الماء وكانت الكمية المتبقية عبارة عن هواء. وكان لون الضوء المنعكس للغشاء ALS الطبقات أخضر مزرق وله قيمة ضبابية بلغت 71,74 كما تم قياسها باستخدام مقياس الضبابية غاردتنر .Gardner Hazemeter المثال 5١ Ve أعيد الإجراء الموصوف في المثال on لكن أزيل الماء من تيار البخار لترسيب أول إلى ٠٠١ أنغستروم Ly من طبقة أكسيد القصدير oxide «ن الأولى المأشضوبة بالأنتيمون antimony وكان للغشاء الناتج ضبابية مقاسة بلغت 8 بنسبة انخفاض في الضبابية بلغت 777 بالمقارنة مع المثال السابق. المثال oy أ أعيد الإجراء الموصوف في المثال #١ لكن أضيف 7.0 بالوزن من TEA إلى محلول المصدر لترسيب أول ٠ إلى Toe أنغستروم Lu i من طبقة أكسيد القصدير tin oxide الأولى المأشوبة بالأنتيمون antimony وكان للغشاء الناتج ضبابية مقاسة بلغت AY بنسبة انخفاض في الضبابية بلغت 78 بالمقارنة مع المثال 0 5. مما
ف المثال or أعيد الإجراء الموصوف في المثال 00 لكن أضيف 70 بالوزن من TFA إلى محلول المصدر لترسيب طبقة أكسيد القصدير tin oxide الأولى المأشوبة بالأنتيمون antimony وكان للغشاء ثنائي الطبقات الناتج ضبابية مقاسة بلغت IVY ° المثال 4 5 أعيد الإجراء الموصوف في المثال 56 مع التغييرات التالية. حيث تكون تركيب مصدر الطلية للطبقة الماصة ل NIR من 71,75 بالوزن من SbCl وكانت المادة المتبقية عبارة عن ©10810. وكان الغاز Jalal) المستخدم للتبخير هواء جاف يتدفق بمعدل ٠ لتر/دقيقة. وأضيف مصدر الأنتيمون لإ«مسن«ه/ القصدير tin بمعدل 71,9 مول من معدل ٠ تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وأضيف الماء بمعدل 71,9 مول من معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وحوفظ على درجة حرارة المبخر عند 0١16م ٠ وسخنت طبقة الزجاج الأساسية التي تتكون من سليكا جير الصودا 00-108-8 Ges والتي بلغت مساحتها ١7,9 سما (as 7( وسماكتها 7,؟ ملي متر على قالب مسخن إلى 2137 م. ووجهت أبخرة المصادر على طبقة الزجاج الأساسية عند سرعة بلغت ٠,7 متر/ثانية تقريباً ورسب غشاء أكسيد ve القصدير tin oxide المأشوب بالأنتيمون antimony الذي بلغت سماكته YE نانومتر LE بمعدل ٠١5٠١ أنغستروم/ثانية تقريباً. وبعد هذا الترسيب مباشرة؛ رسبت طبقة أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالفلور fluorine والتي بلغت سماكتها ٠٠ نانومتر تقريباً عند نفس المعدل من تركيب بخار يحتوي على 71,5 مول من MBTC/TFA )7.0 بالوزن من TFA و16 بالوزن من ((MBTC 71,9 مول من بخار الماء وكانت الكمية المتبقية عبارة عن هواء. وكان ٠ .لون الضوء المنعكس للغشاء ثنائي الطبقات أخضر مزرق وله قيمة ضبابية بلغت 71,17 كما تم قياسها باستخدام مقياس الضبابية .Gardner Hazemeter yoke المثال 00 أعيد الإجراء الموصوف في المثال ؛ © لكن أزيل الماء من تيار البخار أثناء ترسبب أول Yee إلى ٠٠١ أنغستروم Lo من طبقة أكسيد القصدير tin oxide الأولى المأشضوية YAoV
LY
بالأنتيمون 007». وكان للغشاء الناتج ضبابية مقاسة بلغت 0,960 بنسبة انخفاض في بالمقارنة مع المثال السابق. 77٠0 الضبابية بلغت المثال إلى TRA أضيف 70 بالوزن من (S100 أعيد الإجراء الموصوف في المثال أنغستروم تقريبا من طبقة أكسيد ٠00 إلى 5٠٠ محلول المصدر أثناء ترسيب أول - ٠ الأولى المأشوبة بالأنتيمون . وكان للغشاء الناتج ضبابية مقاسة tin oxide القصدير بلغت 50,70 بنسبة انخفاض في الضبابية بلغت 7" بالمقارنة مع المثال السابق. ov المثال إلى محلول TFA أعيد الإجراء الموصوف في المثال 08 لكن أضيف 70 بالوزن من الأولى المأشوبة بالأنتيمون tin oxide المصدر المستخدم لترسيب طبقة أكسيد القصدير 0 وكان للغشاء ثنائي الطبقات الناتج ضبابية مقاسة بلغت 50,77 بنسبة انخفاض antimony of في الضبابية بلغت 777 بالمقارنة مع المثال
Gh وتوضح الأمثلة التالية الضبابية التي تم الحصول عليها عندما رسب الغشاء الطبقات بترتيب معكوس. oA المثال yo أعيد الإجراء الموصوف في المثال ١؟ مع التغييرات التالية. حيث تكون تركيب بالوزن من ©107. وكان 7905 TEA بالوزن من 78,٠ مصدر الطلية للطبقة السفلية من لتر/دقيقة. وأضيف محلول 5١0 الغاز الحامل المستخدم للتبخير هواء جاف يتدفق بمعدل 71,5 James المصدر بمعدل 71,9 مول من معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وأضيف الماء
SVT وحوفظ على درجة حرارة المبخر عند «JSD .مول من معدل تدفق الغاز الحامل © مسبقاً soda-lime-silica وسخنت طبقة الزجاج الأساسية التي تتكون من سليكا جير الصودا ملي متر على قالب مسخن إلى Ye سما )¥ بوصة") وسماكتها ١,5 والتي بلغت مساحتها درجة حرارة بلغت 137 م. ووجهت أبخرة المصادر على طبقة الزجاج الأساسية عند المأشوب بالفلور tin oxide سرعة بلغت؟,٠ متر/ثائية تقريباً ورسب غشاء أكسيد القصدير أنغستروم/ثانية تقريباً. وبعد Voor والذي بلغت سماكته 060 نانومتر تقريباً بمعدل fluorine Yo \AoV
LY antimony المأشوبة بالأنتيمون tin oxide هذا الترسيب مباشرة؛ رسبت طبقة أكسيد القصدير نانومتر تقريباً عند نفس المعدل من تركيب بخار يحتوي على YE والتي بلغت سماكتها بالوزن من يا500 و 195,759 بالوزن من ©0870)؛ 77,Y0) MBTC/SbCL مول من 58 مول من بخار الماء وكانت الكمية المتبقية عبارة عن هواء. وكان لون الضوء 85 المنعكس للغشاء ثنائي الطبقات الناتج أزرق محايد وله قيمة ضبابية بلغت 70,18 كما تم > .Gardner Hazemeter قياسها باستخدام مقياس الضبابية غاردتر المثال 9ه إلى محلول TEA لكن أضيف 70 بالوزن من OA أعيد الإجراء الموصوف في المثال من الأولى المأشوبة بالأنتيمون oxide المصدر المستخدم لترسيب طبقة أكسيد القصدير
Af وكان لون الضوء المنعكس للغشاء ثنائي الطبقات الناتج أزرق محايد وله antimony vs .7 6,197 ضبابية بلغت +٠0 المثال أضيف 7,59 بالوزن من حمض (Sof أعيد الإجراء الموصوف في المثال المستخدم MBTC/SBCL إلى 78,78 بالوزن من محلول المصدر acetic acid الأسيتيك وكان لون antimony الأولى المأشوبة بالأنتيمون tin oxide لترسيب طبقة أكسيد القصدير Vo 70,55 الضوء المنعكس للغشاء ثنائي الطبقات الناتج أزرق محايد وله قيمة ضبابية بلغت > ١ مثال المقارنة acetic acid لكن بعدم وجود حمض الأسيتيك Te أعيد الإجراء الموصوف في المثال في محلول المصدر . وكان لون الضوء المنعكس للغشاء ثنائي الطبقات الناتج أزرق محايد 71,97 وله قيمة ضبابية بلغت 7 في الجدولين ؛ وه. +١ إلى EA وتعطى نتائج الأمثلة من
YAoV
; = 3 دا _ al |= EER _ ادا alll 5 1 4 1
EEN Q . سد . 3 3. J 3 7 3 و he} — © 3 3 3 ©» = 4 HF = = AY دارج 4 = ذا هذ ATs ١ + | : : 1, ا TY . : = =~ =~ 2 ٍ : 37 <i ذا 1 1 a } 1% #*#د | > في " ويح >
J م. — ب 3 1 A a . > : z rv 2 ا كان 5 t “RF FAS
ES 3 A 7
J = > : 3 3 . > < ~~ i — > 4 7 > 1 a = x ws 4 : <- بت : - 3,8 7 e a : 33 >» < بي 2 -ا5 > 4 < | 7 a ب ٍِ 2 با = 3 ب ا 3 0 i : oD 2 0 . x =z x c 4 ا م ا اعاكاة Fe 2 3 2%
Q % O ar = م د 4 3 . 4 ~~ - a 2 0 : : - < تو قا ” 3 2 في ل A
Ty >» 3 ; 3 5 0 o ° : : x AE ا 3 ا حا 4 ذا 5-7 رك 3 2 1 O . = . . Se
J 0 Oo 2 « . lel] ذا Al =|» اا = 3 ٍِ > ” 3 . 4 J
Shell 2 | ١. A] A] = 3 2 ٍِ 3 - 3 1 J 3 1 : : 8 ِِ x
Z > ~ 1 7 1 3 = J
J
1 : : > ص7 4 > داج | 7 - 1 3 2 ~
JF
° . . . ~ hot 2 8 had 2 1 4 - 1 3 - ~- لاعلا 3 fo © الجدول على ضبابية الأغشية ثنائية الطبقات acetic acid تأثيرات حمض الأسيتيك 1) 0" رقم المثال (tt) مدل Fries G/TOSb نانومتر 0/101 5 ؟ نانومتر Yoo <١ التركيب*: 0/1050 F نانومتر 740/101 نانومتر Yoo =¥
G/TOF نانومتر Yo + [TOS نانومتر YE. =Y
G/TOF نانومتر ٠١/105061 نانومتر YE. =t¢
YAoV
£1
ويمكن أن تعمل السليكا silica أيضاً كمادة مضافة مخفضة للضبابية في طبقة أكسيد القصدير tin oxide الماصة ل NIR المجاورة للزجاج وبشكل خاص عندما تضاف إلى الجزء العلوي من الطبقة الماصة ل NR قبل ترسيب الطبقة منخفضة الابتعاثية فوق الطبقة الماصة ل NIR ويعتبر مصدر السليكا silica المفضل هو رباعي مثيل رباعي سيلوكان حلقي (TMCTS) ع0م:0ازكةناعامالإعالإطا1:2108. وحصل على نسبة انخفاض للضبابية بلغت عندما استخدم 124015 في آخر 0١0 أنغستروم تقريباً من الطلية السفلية. ويوضح المثالان 17 و 17 ونتائجهما في الجدول >“ تأثيرات السليكا silica كمادة مضافة مخفضة للضبابية في طبقة أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالأنتيمون antimony المثال TY
أعيد الإجراء الموصوف في المثال ١ مع التغييرات التالية. حيث تكون تركيب مصدر الطلية للطبقة الماصة ل NIR من محلولين؛ محلول من 75,75 بالوزن من SHOT وكانت المادة المتبقية عبارة عن MBTC غذي إلى كلا المبخرين ومحلول نقي من رباعي مثيل رباعي سيلوكان حلقي tetramethyleyclotetrasiloxane (TMCTS) غذي إلى المبخر الثاني فقط. وكان الغاز الحامل المستخدم للتبخير هواء جاف يتدفق بمعدل ١5 لتر/دقيقة. وأضيف مصدر الأنتيمون [antimony القصدير عن بمعدل 7٠١,5 مول من معدل تدفق الغاز الحامل الكليء وأضيف الماء في قسم المزج العلوي من جهاز الطلاء بمعدل 71,9 مول من معدل تدفق الغاز الحامل الكلي؛ وحوفظ على درجة حرارة المبخر عند ١٠١ م. وعندما استخدم 5. غذي بمعدل 0.05 مول. وسخنت طبقة الزجاج الأساسية التي تتكون من سليكا جير الصودا Gass soda-limessilica والتي بلغت مساحتها ١7,4 سما (7 بوصة) وسماكتها 7 ملي متر على قالب مسخن إلى TTY م. ووجهت أبخرة المصادر المستخدمة لتكوين الطبقة الماصة ل NIR على طبقة الزجاج الأساسية عند سرعة بلغت AA + متر/ثانية تقريبآ ورسب غشاء أكسيد القصدير tin oxide المأشوب بالأنتيمون antimony والذي بلغت سماكته 8 نانومتر تقريباً بمعدل 00 نانومتر/ثائية تقريباً. وبعد هذا الترسيب مباشرة؛ رسب غشاء أكسيد القصدير tin oxide المأشوب بالأنتيمون antimony والذي يحتوي على السليكا silica من المبخر الثاني عند نفس المعدل إلى سماكة بلغت 11 نانومتر تقريباً. وبعد ذلك ترسبت طبقة
و
أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالفلور fluorine بسماكة TAA نانومتر تقريباً والتي رسبت من المبخر الأول عند نفس المعدل من تركيب بخار يحتوي على 10,0 مول من MBTC/TFA )7.0 بالوزن من TFA 7805 بالوزن من ©2081)؛ 71,9 مول من بخار الماء وكانت الكمية المتبقية عبارة عن هواء . وكان لون الضوء المنعكس من الغشاء المترسب أزرق محايد وله قيمة ضبابية بلغت 750,81 كما تم قياسها باستخدام مقياس الضبابية غاردنر .Gardner Hazemeter مثال المقارنة ؟+ أعيد الإجراء الموصسوف في المثال NY باستثناء أن سماكة طبقة أكسيد القصدير tin oxide المأشوبة بالأنتيمون antimony كانت YYY نانومتر؛ ولم يتم ترسيب طبقة تحتوي على السليكا silica وكانت سماكة طبقة Y4\ TOF نانومتر . وكانت قيمة الضبابية للغشاء الناتج ٠ كما تم قياسها باستخدام مقياس الضبابية .Gardner Hazemeter yale الجدول 76 تأثير 5 على ضبابية أغشية تتحكم بأشعة الشمس رقم المثال 47 27 wid | | [5-1080/10/ة0/108 0010810 اطق eve [ene سماكة 1050 (ناتومتر) | vv whe مول )له (هول) Tn سماكة 50-7050 (ثاتومتر) sv اص ا Tae eT Emme] Gees] Co a ka YAY
181,3 3 13 3 443 3 J 23 3 3 3 3 _ A, _ 1 — = on 3 > J كذ . 123313113 5 12 - 0 . 37 Ks ~ ٠ أ 13 1 3 1114 دلومو كدي A VIE 00g hy 3533 وقد 3 5 coe =a 3 2 3 3 9 5 ا( رم 5 ب o 3 3 1% 12234 وه >57 حا و ) . A Fda TT | : ا اد ب © Teo rr J : 23 1 كو نا .الله ,ا > ها عا ww قب 0 CT me La. — 3 ا ا TT ا ا ا ب ب بل بن ا ا ا 2 7 A So . . - . . 3 - لس © ~~ ~~ > me > شر * rr CR A > 9 = . a” a = TU» a > > 0 ار د ب عا ال نا الم ل ها سا ا ا ىه ] و 2 ©. El > wr > ~ 7 > ~~ +» ¥ 7 >. > > >, < > 3 >» > 2 <r - اسيم > em الس LL ~~ ~~ © ل - 3 - 0 - - . . Jo . يي ~ <3 . 0 > . — . ~~ - wr aL « yr Ww» «e 0 بج ~~ ww << * = الس > > .
LO اح جح اح اح ل دم لج وه me mm اح > > > > خلا oer ٠ bee - ~ yr 3 > « Ww 3 a 5 . Ta a ال - قا SERGE SENS ICRC CROC ل 0 < — = 7 مت : > a
A == Te ee 3 >> Q ~~ we 0 > ا > ات r Zr رفن = Oo x احا اح a Te Tee داج حرا ee > << MN. vow 2ج mT TS SYST SS اذك ا TL TL Te ل i
Tow =r ” الل em اللي ms Qs - - - . - - . . So : < 3 w . 57 4 is -3 + 3 ~ 3 7 = دجاس اله .د re بها د > عو سم سم ل لز لمر لي x x o A ° QO 0, - وام TS Sy لو و 2 < ا > > > تو ~ dB خخ أ SSS ETE كاه #4
J © > 2 و 3 َ بت — 1 - > ~~ > a ط[ > اح سي 5 7
SA > ا ار ا > Rr a SS IC oR
Ee La م o —~— [Sa > تى < 7 = " 7 ~ 2 - RRA, ~~ ~~ — نب Q a لي اهنع - - . - ~ - " 0 =
Io : > a ِب 1: > 3 = > 3 ES ال Lor و > <1 9 > TF 0X Zz 35 v < 2 a 7 . 7 7 = 7 - - = . .ا = - = - - a \ اح امات اتات ام اس ”> ك > > وك هي 95 0 هاا : بت = To > o 3 ابه و > ام << سر انم + 3 سق >> 3 - - - ow - - 7ك - ~ - < = ok soo a Sa >- اه ا > > ro ros 4
Zo * 3 a - - ا - . . 5 . . هماسشسي فيح لي 0 حََ ا ل a نا = ل بها << لها عا ~~ a لا قاس 3 « > << €< a >« = eB ار ترات Ty dS Te TTT TL ly الا إل
Lo >=) 22 23 Za ~~ 5 5 50 0 ام 00-0
QO < = : < — الج اج الاج afer جح 2 15 و ا ىا 2 ١ ١ ا »ا Se ل 1 ته ته ا< ته لها Se TT ا امد امد امد مادام دام a 0 SZ + ?= 0
YAoV
1344 333
J * 0 د33 = 3 J ا لد ل لا = . 4 1 13 1 174 49 3 > 4
A EN A 3 Pe 3 9 + 41 ا نه ألى 4 3 3 : 1 3 2151235244388 2 x 13 3 1 11333 25 0 5 7 0 q a :
D254 14 3 i Fda 3 A — id Pm pT b ’ + — > — > < ! » te TNT 6 : ~ . LC 5 . = 3 9 > < يق E oss com Axe SY و 9 - Ji با 9ن a <4 > > ص x Pa + ES < 3 0 - م - - = * ب . اه لو وا 2" > . اا 84 وي - 9 : اتات أ اشر يي اله 0 © 3 > نت SS 7 * je = < 3 . = .
DL Ber <
LEST on fen TEE ns EE nu 2 ص > اا د الآ YT - 2 3 1 22532555243 ا با ّ 5, = — Ser > " =< ل ا : < < Cn Es 0 ا 135 0 LC] ٍ ب - - - - -
So o 3 * م . لي t I : 5 3 0 Dow mT ° ig
Foo gre: Lom Sry > TSN - rr = ب 33.2422 ّّ 3 = 0 - ما 3 . ST Shh ب 2 1 امج 1 لاق ره To ض ؟ - 9 > د م اام تم جه - م 8x > oon نوا oO Zo IP ت I ACCC a vy و — © had 0 هد ال سق - SoS SST gt > - 2 2 5 )
B= < 5. > Sx ee © اج اج ا oreo = ص BUST Irie irs sna Rha 0 33 29 5 Lo + + 7 + + تج لط ب . بج Tx nT ° ات ل حا مح cen SEES لت اتا 88 fT =
Lo EE اتا ني ب 2 09 0 7 o af ا ا 29 5 د ا ا <q a
T . = RET سر 1 2د ةج جد دب تداج 55 1 - لي — را اح 1 ٍ 22552337132253 5553525[ 8 ا ا 0 *D > 2.0 ws 1 . . م بوم ةقاي Felder STL 1 > . a << - ا اج . . — ا : © Lv a os © > w Sole ل SR : احا ات اتات
YAoV
— _ _ 5 5 9 _ 133 3 2443 3 3 ; : . : 3 33325 3 — 1 a 3 3 ل ل 7 3 = 7 3 = — — — _ ًْ A اب — دل 3 111 453 3 13 1ل 35 يمخد J 302d PF 000 hy, 4 = - a ~~ 0% = = 9 = = = ىن — ل = a ء TR تت = = _ = 5 د 5 2 3 323 tag 3 3332] 1 = 5 2
A 6 : + “Ty Y Y ’ 2 J و و 2 ب 2 . > 1 J 1 ا 2 SE 5 - wl ب أن اليك ابيا الب > و . < = ~ 2 2 يب نح انح : > a — & hE 4م ws > هار ا ا الا ع ب ل الم هما > الى - LO 9 4 JE 5 1 كح SS > ف > x 89 4 سو = 2 > Lone < و > > LZ JS, 00S 0 STs 9 0 > . S «a0 . — 0 > << we ار 3 > = x © - Oo < > 9 ال he ar > > 3 XT Q nn + في ب > ; © Ss 0° - oo. - - Ta - - + 3 به > 5 Loo + > > 3 ry ~~ SSS SSS ee 1
I
> 5 : ow — ل ~ « > 5 QQ > wa a ow 8 re > = Tr Ee عي لو وا لح اج { 4, > a ~ < “ ww الي hd “ 7 we = . . . . . - . So or 3 7 7 > 1 . < 3: Ele ws > Sr << > > جام «ow > oT لل
Ir يج Ck aS - Ta ا تاجح اح © Cy د > 7 ~~. 9 يمد اليا اي سو 3 o - - i _ _ - - > * a — oe > 3 — ~ سر ww الس . . 5 . - 5 = 35 < . + 4 3 9 J ~ ) 3 ب . 3 or == - a ws w — > 3 << حيو - 7 ا ع - ره 98 < Zoe se د wr > كح m= yy 2
A - © ار Tx 7 > > ل اث الاج 0s SST ِ 5 : - ل 7 2 1 > احم : 5 a > > »> اسم 6 »> < > < - Q SoZ retry oe Soon ai Ese ngrin Pal A - - . . . . . كد 6 > > 3 > < 3 © ب — 5 > = Oo > fr jad - a > — | بح هه ل كم نا »ءا يس كنم لعم قا r > I~ ea . = 7 اه TL > اس > a mr راج اح اح - Sn الات اص << )9+ - 8" < < حل wn a ow حا . - - . - - » . لسر مها امسر سير ~ — = > - — 5 > < Be : — a 1 لا كر كم انا لبا > o ww " iol Tr 3 سر > > > 3 اهمها — CE o = 2 اد oT ball TT < yy .ا ااي غير تر تى لي J . < { . . . 5 . - - ير » > < > > < سة3 a -— — & > . > a . oO لب [xy 2 ا اله << a > 0 ~~ 3 ww 3 ° = > nds ayy Fd د on mn ا اعد SLES wT < - TF 3 . . . - . . 5 Rl 3 ف * — 2 = 0 : 3 © . بت w ~~ > 3 Q Qo oo < 3 ~ | > _— > سو 0 . SS a > = 6 oa Yoyo لم coy TT - sw LT - - - - - - - م ww ميا ال — »> a هد صم[ J — . - . 0 م . . - — ليا 9 — Q — — 0 و - Se 3 QO < . YAoV
الجدول ؟
TOSH/TOF ملخص خواص الأغشية ثنائية الطبقات
YA YY Yi yo vi YY YY ™ رقم المثال
GfF/Sb GJF/Sb GJE/Sb GJF/Sb GJF/Sb G/F/Sb G/F/Sb GJF/Sb التركيب 81 8,1 81 0,1 0,1 0,1 5,1 81 /. «Sb لحرت انعجر اجرح Ye. roy TOYA TNT. برب (esi) السماكة مخ YA Yr, Ys,1 VY رق 1) gv, eed — امتصاص Trt 1¥,0 19,A 18,7 rr ار 05,0 fo 0/7 نفاذية الأشعة الشمسية» م a, 1a, Yor 3,1 a,v AY 1 انعكاس الأشعة الشمسية 70) 41 7 7 7 4,0 ye) qv AY انعكاس الأشعة الشمسية 7 )7(
A 1, مرا 14,0 1, WY 17 or, /. نفاذية الضوء المرني؛ x V,A 4 Ve 4 ar A 0) انعكاس الضوء المرئي 7) 1M, AA 3 8 Vet Yo AA vA انعكاس الضوء المرئي 7. :)( 8 ا £41 £9,Y £AY £v, نفاذية الأشعة فوق م ف /. البنفسجية؛ 1ر71 yo ل YA, A VV, 1,0 vo,4 Viv مقاومة الصفيحة a Ng C1 LAY D1 Che Che Chg الابتعاثية المحسوبة
NA RY LV L148 CTA "13 CT Cot SHGCc 4م ا OY ١ 1 ال م 8 "1G
LVR YY OVE ان لان ا ا ملا Uc oY CYA RT Yd v4 "8" CYA OTA "1G
IA L148 YY 14 Lhe Cy CY . ov نفاذية الضوء المرئي-6
SY car . Ae CAT LAY S10 لاق CEA "1G
YAY Cre ا LOY CEN CF) LY YAS X
YES YAY a LY م ا 0 م Y 14 VA Ved ٠١ 1,1 q,¥ Vey 1 y 7 انعكاس الضوء المرثي» أزرق محايد أخضر asl أزرق محايد أخضر مزرق أخضر مزرق محايد GJ الألوان المنعكسة
YAov
Claims (1)
- oY عناصر الحماية متخفضة haze يتحكم بأشعة الشمس له نسبة ضبابية tin oxide زجاج مطلي بأكسيد القصدير -١ ١ تقل عن حوالي 77.0 ويحتوي على طبقة ماصة لأشعة اللشمس ذات الطول الموجي Y NIR (= near infrared) solar absorbing ¢ القريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمرا 7 ضمن الطلية من أكسيد القصدير low emissivity layer وطبقة ذات ابتعاثية منخفضة layer ¢ وطلية من أكسيد glass substrate المذكورة؛ ويشتمل على طبقة أساس زجاجية tin oxide تحتوي على طبقتين على الأقل على أن تمثل doped tin oxide coating قصدير مأشوب 1 إحدى الطبقتين طبقة ماصة لأشعة الشمس تشتمل على ,500 يحتوي على عامل إشابة v الفاناديوم ctungsten التنغستن antimony يختار من الفئة التي تتكون من الأنتيمون dopant A «niobium النيوبيوم «molybdenum الموليبدنوم «chromium الكروم ¢ron الحديد ¢vanadium 4 ومخاليط منها وأن تمثل الطبقة الأخرى طبقة ذات ابتعائية nickel النيكل cobalt الكوبلت ye منخفضة تشتمل على :500 يحتوي على عامل إشابة يختار من الفئة التي تتكون من الفلور "١ وأن يكون لجزء من الطبقة الماصة لأشضعة الشمس phosphorus أو الفوسفور fluorine VY منخفض يسهم في خفض التجعد وضبابية منخفضة للطلية من rugosity المذكورة تجعد VY المذكورة. tin oxide أكسيد القصدير Ve حيث تتراوح سماكة الطبقة الماصسة ١ وفقا لعنصر الحماية coated glass الزجاج المطلي TT نانومتر وسماكة الطبقة ذات YY. إلى ٠٠١ من solar absorbing layer لأشعة الشمس Y نائومتر وحيث يحتوي 459٠0 إلى ٠٠١ (alow emissivity layer الابتعاثية المنخفضة ¥ rugosity الجزء المذكور من الطبقة الماصة لأشعة الشمس المذكورة الذي يمنح تجعد ¢ من مادة مضافة خافضة للضبابية haze منخفض على كمية خافضة الضبابية o والمنتج حراري fluorine تختار من الفئة التي تتكون من فلور haze reducing additive 1 من رباعي مثيل رباعي سيلوكسان حلقي pyrolytic decomposition product التجلل 7 «difluoroacetic acid حمض ثثتائي فلوروأسيتيك (HF «tetramethylcyclotetrasiloxane A YAoY oY ثلاثشي فلوريد الأنتيمون «mono fluoroacetic acid حمض أحادي فلوروأسيتيك 4 ثلاتي «antimony pentafluoride خماسي فلوريد الأنتيمون cantimony trifluoride ye حمض acetic acid حمض الأسيتيك cethyl trifluoroacetoacetate فلوروأسيتوأسيتات الإثيل ١١ حمض ميثان كبريتوتيك «propionic acid حمض البروبيونيك formic acid ب الفورميك حمض النتريك isomers وزمرائه butyric acid حمض البيوتيريك cmethanesulfonic acid ل nitrous acid أو حمض النتروز nitric acid Ve حيث تتراوح سماكة الطبقة الماصة ١ لعنصر الحماية Ty coated glass الزجاج المطلي -* ١ لأشعة الشمس ذات الطول الموجي القريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء Y Alay! وسماكة الطبقة ذات saga ؟7٠١ إلى ٠٠١ من NIR solar absorbing layer 1 إلى £00 نانومتر ويحتوي جزء الطبقة الماصة ٠٠١ (alow emissivity layer المنخفضة t منخفض على المنتج حراري التحلل rugosity لأشعة الشمس المذكورة الذي له تجعد من خليط لامائي (جاف) يحتوي على مصدر القصدير pyrolytic decomposition product 1 .antimony ومصدر الأنتيمون tin 7 حيث تتراوح سماكة الطبقة ١ لعنصر الحماية (85 coated glass ؛؟- الزجاج المطلي ١ الماصة لأشعة الشمس ذات الطول القريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء 0 ناتنومتر وتتراوح سماكة الطبقة ذات YY إلى ٠٠١ من NIR solar absorbing layer و إلى £00 نانومتر ويمثل جزء الطبقة ٠٠١ alow emissivity layer الابتعاثية المنخفضة ¢ منخفض قيمة تتراوح من rugosity الماصة لأشعة الشمس المذكورة الذي يمنح تجعد da iY أنغستروم من سماكة الطبقة المامسة ٠٠١ إلى Angstroms (A) أنغستروم 1 بين الطبقة الماصة لأشعة الشمس والطبقة interference ل الشمس ويقع بجوار منطقة التداخل سم١شلا ذات الابتعاثية المنخفضة؛ أو يكون عبارة عن الجزء من الطبقة الماصة لأشعة A .glass substrate الأقرب إلى طبقة الأساس الزجاجية 9لعا ot لعنصر الحماية ؟ حيث تتراوح سماكة الطبقة الماصسة Wig coated glass الزجاج المطلي -© ١ لأشعة الشمس ذات الطول الموجي القريب من الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء Y نانومتر وتتراوح سماكة الطبقة ذات VY إلى ٠٠١ من 1118 solar absorbing layer Y نانومتر ويمتل جزء الطبقة 59٠ إلى Yer من 108 emissivity layer الابتعاثية المنخفضة ¢ منخفض قيمة تتراوح من rugosity الماصة لأشعة الشمس المذكورة الذي له تجعد ° أنغستروم من سماكة الطبقة الماصسة لأشضعة ٠١ إلى Angstroms (A) أنغستروم Yeu al الشمس. 7 حيث يحدد موقع الطبقة الماصة لأشعة ١ لعنصر الحماية Gig coated glass الزجاج المطلي -١ ١ المذكورة بحيث تكون أقرب إلى طبقة الأساس الزجاجية solar absorbing layer الشمس Y .low emissivity layer من الطبقة ذات الابتعاثية المتخفضة glass substrate 3 لأشضعة dale) حيث يكون للطبقة ١ لعتصر الحماية 5 coated glass الزجاج المطلي -١ ١ نانومترء 77٠١ YY المذكورة سماكة تتراوح من solar absorbing layer الشمس Y بالوزن VY يتراوح من 77,8 إلى antimony dopant وتركيز لعامل الإشابة من الأنتيمون 1 Ill في الطبقة الماصة لأشعة الشمس المذكورة على أساس وزن ,580 في الطبقة ¢ low emissivity layer لأشرعة الشمس المذكورة؛ ويكون للطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة ° نانومتر» وتركيز لعامل الإشضابة من الفلور ©7٠١0 سماكة تتراوح من 180 إلى : بالوزن في الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة ve (JM) يتراوح من fluorine dopant v المذكورة على أساس وزن ,500 في الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة المذكورة. A حيث تطلى الطبقة الماصة لأشضعة الشمس ١ لعنصر الحماية Wg glass الزجاج -A 0١ مباشرة على الزجاج وتطلى الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة solar absorbing layer Y onal) على الجزء العلوي من الطبقة التي تتحكم بأشضعة low emissivity layer v .solar control layer ¢لاعلا eal حيث تكون الطبقة الماصة لأشضعة ١ الزجاج 5 وفقاً لعنصر الحماية -4 ١ عبارة عن :500 يحتوي على عامل إشابة من أنتيمون solar absorbing layer Y بتركيز في المدى من 77 إلى 77 بالوزن على أساس وزن أكسيد antimony dopant v «solar control layer الشمس dail في الطبقة التي تتحكم )5:0,( tin oxide القصدير § عبارة عن low emissivity control layer وتكون طبقة التحكم ذات الابتعاثية المنخفضة ° إلى 7١ بتركيز في المدى من fluorine dopant يحتوي على عامل إشابة من فلور 500« 1 بالوزن على أساس وزن :580 في الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة ويحتوي الجزء 7Y v منخفض rugosity المذكور من الطبقة الماصة لأشعة الشمس المذكورة الذي يمنح تجعد A ai بكمية كافية لرفع موصلية الجزء المذكور من الطبقة الماصة fluorine على فلور 8 الشمس. ye منخفضة haze يتحكم بأشعة الشمس له ضبابية tin oxide زجاج مطلي بأكسيد القصدير -٠ ١ ويحتوي على طبقة ماصة لأشعة الشمس ذات الطول الموجي القريب من الطول الموجي وطبقة ذات ابتعاثية متخفضسة NIR solar absorbing layer تحت الحمراء dai ¥ المذكورة؛ tin oxide coating ضمن الطلية من أكسيد القصدير low emissivity layer ¢ وطلية من أكسيد قصدير مأشوب glass substrate ويشتمل على طبقة أساس زجاجية ° تحتوي على طبقتين على الأقل على أن تمثل إحدى الطبقتين doped هنا oxide coating 1 وأن تمثل antimony ل طبقة ماصة لأشعة الشمس تشتمل على ,500 مأشوب بأنتيمون الطبقة الأخرى طبقة ذات ابتعاثية منخفضة تشتمل على ,500 يحتوي على عامل إشابة A ويكون phosphorus أو الفوسفور Muorine يختار من الفئة التي تتكون من الفلور dopant : جزء من الطبقة الماصة لأشعة الشمس المذكورة عبارة عن منتج حراري التحلل "١ antimony من مصدر قصدير :0 مصدر أنتيمون pyrolytic decomposition product ١ من مادة مضافة خافضة للضبابية haze ويحتوي على كمية خافضة للضبابية VY ربساعي «fluorine تختار من الفئة التي تتكون من مصدر فلور haze reducing additive VY YAoVVe مثيل رباعي سيلوكسان حلقي 6ه :10 160061710701016 HF حمض ثثنائي Vo فلوروأسيتيك «difluoroacetic acid حمض أحادي فلوروأسيتيك «monofluoroacetic acid ثلاتي فلوريد الأنتيمون cantimony trifluoride خماسي فلوريد الأنتيمون لاا cantimony pentafluoride ثلاثي فلوروأسيتوأسيتات الإشيل cethyl trifluoroacetoacetate ها حمض الأسيتيك cacetic acid حمض الفورميك formic acid حمض البروبيوتيك و 40 010010016 حمض ميثان كبريتونيك cmethanesulfonic acid حمض البيوتيريك butyric acid 7 وزمرائه 500065 حمض النتريك nitric acid وحمض النتروز nitrous acid -١١ ١ الزجاج المطلي الذي يتحكم بأشعة الشمس coated solar control glass وفقاً لعنصر الحماية Y * حيث يكون للطبقة الماصة لأشعة الشمس solar absorbing layer المذكورة سماكة تتراوح من ٠050 إلى TY نانومتر؛ وتركيز لعامل الإشضابة من الأنتيمون antimony dopant ¢ يتراوح من 7,9 إلى TY بالوزن في الطبقة الماصة لأشعة الشمس 5 المذكورة على أساس وزن ,800 في الطبقة الماصة لأشعة الشمس المذكورة؛ ويكون 1 للطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة low emissivity layer سماكة تتراوح من ٠٠١ إلى agi £0 y وتركيز لعامل الإشابة من الفلور fluorine dopant يتراوح من ١ إلى 7.0 A بالوزن في الطبقة ذات الابتعاثية المنخفضة المذكورة على أساس وزن ,500 في الطبقة 9 ذات الابتعاثية المنخفضة المذكورة.dai حيث تطلى الطبقة الماصة ١ وفقآً لعنصر الحماية coated 5 الزجاج المطلي -٠ ١ مباشرة على الزجاج وتطلى الطبقة ذات الابتعاثية solar absorbing layer الشمس Y على الجزء العلوي من الطبقة التي تتحكم بأشعة الشمس low emissivity layer المنخفضة 3 .solar control layer ¢-١١ ١ الزجاج المطلي coated glass وفقآً لعنصر الحماية ١ يشتمل Lad على غشاء film إضافي 7 يغطي الزجاج في صورة طلية coating بين طبقة الأساس الزجاجية glass substrate| ا ov tin oxide أو فوق طلية أكسيد القصدير tin oxide coating وطلية أكسيد القصدير Y يحتوي على antimony مأشوب بأنتيمون tin oxide film غشاء من أكسيد قصدير -٠4 ١ haze reducing additive كمية خافضة للضبابية 6 من مادة مضافة خافضة للضبابية Y والمنتج حراري التحلل fluorine تختار من الفئة التي تتكون من فلور v من رباعي مثيل رباعي سيلوكسان حلقي pyrolytic decomposition product ¢ «difluoroacetic acid حمض ثتائي فلوروأسيتيك «HF tetramethylcyclotetrasiloxane ° ثلاثي فلوريد الأنتيمون cmonofluoroacetic acid حمض أحادي فلوروأسيتيك 4 ثلاتي antimony pentafluoride خماسي فلوريد الأنتيمون «antimony trifluoride 7 cacetic acid clin uy) (as cethyl trifluoroacetoacetate فلوروأسيتوأسيتات الإثيل A حمض ميثان cpropionic acid حمض البروبيونيك formic acid حمض الفورميك 4 cisomers 4—3 ya 3s butyric acid حمض البيوتيريك cmethanesulfonic acid كبريتونيك Ve nitrous acid أو حمض النتروز nitric acid حمض النتريك ١١ haze له ضبابية antimony مأشوب بأنتيمون tin oxide film غشاء من أكسيد قصدير - ١ من خليط pyrolytic decomposition product Jail (gl a منخفضة يحتوي على منتج Y ومصدر antimony و لامائي (جاف) يشتمل على مصدر قصدير تن ومصدر أنتيمون أكسجين دع ن:ه. ¢ متعدد الطبقات له antimony مأشوب بأنتيمون tin oxide film غشاء من أكسيد قصدير =) ١ منخفضة حيث تشتمل الطبقة الأولى على منتجاً حراري التحلل haze ضبابية من خليط لاماي (جاف) يحتوي على مصدر قصدير pyrolytic decomposition product 1 وتكون الطبقة الثانية عبارة coxygen ومصدر أكسجين antimony مصدر أنتيمون din ¢ مصدر أنتيمون ctin عن منتج حراري التحلل من خليط يحتوي على مصدر قصدير .0:(860 ماء ومصدر أكسجين cantimony 1YAoV cA haze له ضبابية antimony مأشوب بأنثيمون tin oxide film غشاء من أكسيد قصدير -١١7 ١ لخليط يحتوي على مصدر pyrolytic decomposition منخفضة تنتج من التحلل الحراري Y خافضة للضبابية 40S 5 oxygen مصدر أكسجين cantimony مصدر أنتيمون din قصدير Y من الفئة التي تتكون من GAS haze reducing additive من مادة مضافة خافضة للضبابية $ رباعي مثيل رباعي سيلوكسان phosphorous مصدر فوسفور fluorine مصدر فلور ° difluoroacetic elon حمض ثنائي فلور «HF ctetramethylcyclotetrasiloxane حلقي 1 ثانتي فلوريد الأنتيمون ¢monofluoroacetic acid حمض أحادي فلوروأسيتيك cacid 7 ثلاتي «antimony pentafluoride خماسي فلوريد الأنتيمون antimony trifluoride A cacetic acid حمض الأسيتيك cethyl trifluoroacetoacetate فلوروأسيتوأسيتات الإثيل 9 حمض ميثان propionic acid حمض البروبيونيك formic acid حمض الفورميك Ve cisomers 4—3 sa jg butyric acid حمض البيوتيريك ¢methanesulfonic acid كبريتونيك ١ nitrous acid أو حمض النتروز nitric acid حمض النتريك VY-٠8 ١ الغشاء من أكسيد القصدير tin oxide film مأشوب بأنتيمون antimony وفقاً لعنصر الحماية ١ حيث يختار مصدر الأنتيمون antimony من الفئة التي تتكون من ثلاشي كلوريد ¥ الأنتيمون cantimony trichloride خماسي كلوريد الأنتيمون «antimony pentachloride (ss ¢ أسيتات الأنتيمون «antimony triacetate ثلاتي إتوكسيد الأنتيمون antimony ctriethoxide ° ثلاثي فلوريد الأنتيمون cantimony trifluoride خماسي فلوريد الأنتيمون antimony pentafluoride 4 وأسيتيل أسيتونات الأنتيمون .antimony acetylacetonate١ 8- الزجاج المطلي coated glass وفقاً لعنصر الحماية ١ ؛ Cua تتتج كل من طبقات ,800 من 0 التحلل الحراري pyrolytic decomposition لمصدر قصدير Ainfin حيث يختار مصدر القصدير OV لعنصر الحماية (38 5 coated glass الزجاج المطلي -٠ ١و04 Y من الفئة التي تتكون من ثلاثي كلوريد أحادي بيوتيل القصدير «monobutyltin trichloride ¥ ثلاثي كلوريد مثيل القصدير emethyltin trichloride ثنائي كلوريد ثنائي مثيل القصدير «dimethyltin dichloride ¢ ثنائي أسيتات SLI بيوتيل القصديرن «dibutyltin diacetate ° ورباعي كلوريد القصدير tin tetrachloride -7١ ١ الزجاج المطلي Wig coated glass لعنصر الحماية ١ حيث تتألف الطبقة الماصة لأشعة الشمس solar absorbing layer من غشائين ماصين لأشعة الشمس solar absorbing films r على الأقل وتتراوح السماكة الكلية للأغشية الماصة لأشعة الشمس من Ar إلى 3١ نانومتر. YY ١ الزجاج المطلي 5 Gig coated لعنصر الحماية 7١ حيث يختلف تركيز عامل الإشابة dopant Y في أحد الأغشية الماصة لأشعة الشمس solar absorbing films المذكورة عن 1 تركيز عامل الإشابة في غشاء آخر من الأغشية الماصة لأشعة الشمس. ١ '- الزجاج المطلي coated glass وفقاً لعنصر الحماية ١ حيث تتألف الطبقة ذات Ale) Y المنخفضة low emissivity layer من غشائثين منخفضي الابتعافثية low emissvity films 1 اثنين على الأقل وتتراوح السماكة الكلية للأغشية ذات الابتعاثية المنخفضة من ٠7٠00 إلى ٠ نانومتر. ١ ؛7- الزجاج المطلي lag coated glass لعنصر الحماية YY حيث يختلف تركيز عامل الإشابة dopant Y في أحد الأغشية ذات الابتعاثية المنخفضة low emissvity films المذكورة عن 1 تركيز عامل الإشابة في غشاء آخر من الأغشية ذات الابتعاثية المنخفضة. ١ 5- الزجاج المطلي coated glass وفقآً لعنصر الحماية ١ يشتمل Caaf على كمية من عامل Y إشابة dopant معدل للون النافذ في الطبقة الماصة لأشعة الشمس solar absorbing layerYAeV¥ المذكورة.\ 1- الزجاج المطلي coated glass 884[ لعنصر الحماية YO حيث يكون عامل الإشضابة dopant Y المعدل للون المذكور عبارة عن فلور fluorine fluorine على فلور Lond يشتمل ١ لعنصر الحماية Gay coated glass الزجاج المطلي -77 ١ في الطبقة dopant غير عامل الإشابة rugosity تؤثر على التجعد additive كمادة مضافة Y المذكورة. solar absorbing layer الماصة لأشعة الشمس 7١ 74- طريقة إنتاج زجاج مطلي la 5 coated glass لعنصر الحماية ١ تتضمن معالجة الزجاج JS Y متعاقب عند درجة حرارة للزجاج تزيد عن 5060م باستخدام:1 غاز حامل carrier gas أول يحتوي على مصدر أكسجين oxygen 11:0» مصدر : قصدير tin ومصدر عامل إشابة dopant يختار من الفئة التي تتكون من ثلاثي كلوريد ° الأنتيمون cantimony trichloride خماسي كلوريد ا لأنتيمون <antimony pentachloride ثلاتي أسيتات الأنتيمون antimony triacetate ثلانثي إتوكسيد الأنتيمون antimony ctriethoxide 7 ثلاثي فلوريد الأنتيمون «antimony trifluoride خماسي فلوريد الأنتيمون cantimony pentafluoride A أو أسيتيل أسيتونات الأنتيمون antimony acetylacetonate 4 لتشكيل بالتحلل الحراري pyrolysis طبقة ماصة للأشعة ذات الطول الموجي القريب من Ve الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء NIR layer تشتمل على ,500 يحتوي على عامل A إشابة من الأنتيمون ¢antimony dopant VY حامل ثان AY يشتمل على أكسجين oxygen مصدر قصدير tin ومصدر عامل Vy إشابة يختار من الفئة التي تتكون من ثلاثي كلوريد الأنتيمون cantimony trichloride Ve خماسي كلوريد الأنتيمون ¢antimony pentachloride ثلاثي أسيتات الأنتتيمون antimony «triacetate Ve ثلاثي إتوكسيد الأنتيمون cantimony triethoxide ثلاثتي فلوريد الأنتيمون cantimony trifluoride 1 خماسي فلوريد الأنتيمون cantimony pentafluoride أو أسيتيلYAoVVv أسيتونات الأنتيمون antimony acetylacetonate لتشكيل بالتحلل الحراري طبقة ماصة ل NIR VA تشتمل على ,500 يحتوي على عامل إشابة من الأنتيمون antimony dopant ولها ١ تجعد Tugosity منخفض يسهم في الضبابية haze المنخفضة؛(H,0 غاز حامل ثالث يحتوي على غاز يحتوي على مصدر أكسجين دونه Y. ومصدر عامل إشابة يختار من الفئة التي تتكون من حمض ثلاتقي tin مصدر قصدير 8 حمض cethyltrifluoroacetate ثلاثي فلوروأسيتات الإثيل ctifluoroacetic acid فلوروأسيتيك YY monofluoroacetic حمض أحادي فلوروأسيتيك cdifluoroacetic acid ثنائي فلوروأسيتيك YY ammonium فلوريد الأمونيوم AL ammonium fluoride فلوريد الأمونيوم 0 Ye لتشسكيل طبقة ذات ابتعاتية chydrofluoric acid وحمض هيدروفلوريك chifluoride vo تشتمل على 500 يحتوي على عامل إشابة من فلور low emissivity layer منخفضة 7 .fluorine dopant TV١ 4+- طريقة لإنتاج زجاج مطلي coated glass وفقاً لعنصر الحماية ١ تتضمن معالجة الزجاج Y بشكل متعاقب عند درجة حرارة للزجاج تزيد عن 408١ م باستخدام:¥ غاز حامل carrier gas أول يحتوي على مصدر أكسجين (H,0 oxygen مصدر £ قصدير tin ومصدر عامل إشابة يختار من الفئة التي تتكون من ثلاثي كلوريد الأنتيمون «antimony trichloride ° خماسي كلوريد الأنتيمون cantimony pentachloride ثلاثي أسيتات 1 الأنتيمون cantimony triacetate ثلاثي إثوكسيد الأنتيمون cantimony triethoxide ثلاثشي ل فلوربد الأنتيمون cantimony trifluoride خماسي فلوريد الأنتيمون antimony A 01200008 أو أسيتيل أسيتونات الأنتيمون antimony acetylacetonate لتشكيل بالتحلل 9 الحراري pyrolysis طبقة ماصة للأشعة ذات الطول الموجي القريب من الطول الموجي ١ للأشعة تحت الحمرا ء layer 1118 تشتمل على ,800 يحتوي على عامل إشابة من ١١ الأنتيمون ¢antimony dopantVY حامل ثان يشتمل على أكسجين oxygen مصدر قصدير cin ومصدر عامل إشابة VY يختار من الفئة التي تتكون من ثلاثي كلوريد الأنتيمون cantimony trichloride خماسيYAoVY+7«antimony triacetate ثلاثي أسيتات الأنتيمون antimony pentachloride كلوريد الأنتيمون Ve antimony الأنتيمون 160:06 لإصمستهه» ثلاني فلوريد الأنتيمون aS ثلاثي Vo أو أسيتيل أسيتونات cantimony خماسي فلوريد الأنتيمون 10106 مصعم «trifluoride V1 من مادة مضافة haze وكمية خافضة للضبابية antimony acetylacetonate الأنتيمون VV تختار من الفئة التي تتكون من مصدر فلور haze reducing additive م خافضة للضبابية (HF «tetramethylcyclotetrasiloxane رباعي مثيل رباعي سيلوكسان حلقي fluorine V9 حمسض أحادي فلوروأسيتيك «difluoroacetic acid فلورو أسيتيك AD حمض 7 خماسي فلوريد antimony trifluoride فلوريد الأنتيمون so cmonofluoroacetic acid 71١ ethyl ثلاتقي فلورو أسيتوأسيتات الإتيل cantimony pentafluoride الأنتيمون YY «formic acid حمض الفقورميك cacetic acid حمض الأسيتيك strifluoroacetoacetate YY cmethanesulfonic acid حمض ميثان كبريتونيك propionic acid حمض البروبيونيك vi أو حمض nitric acid حمض النتريك dsomers وزمرائه butyric acid حمض البيوتيريك Yo Sn0, تشتمل على NIR لتشكيل بالتحلل الحراري طبقة ماصة ل nitrous acid التتروز 3 منخفض rugosity ولها تجعد antimony dopant يحتوي على عامل إشابة من الأنتيمون TY يسهم في الضبابية المنخفضة؛ YA1 غاز حامل ثالث يحتوي على غاز يحتوي على مصدر أكسجين LO conygen 8 مصدر قصدير tin ومصدر عامل إشابة يختار من الفئة التي تتكون من حمض I 79١ فلوروأسيتيك DA trifluoroacetic acid فلوروأسيتات الإتيل cethyltrifluoroacetate YY حمض SD فلوروأسيتيك «difluoroacetic acid حمض أحادي فلورو أسيتيك cmonofluoroacetic acid rv فلوريد | لأمونيوم cammonium fluoride ثنائي فلوريد الأمونيوم cammonium bifluoride 7 وحمض هيدروفلوريك hydrofluoric acid لتشكيل طبقة ذات veo ابتعاثية منخفضة low emissivity layer تشتمل على ,500 يحتوي على عامل إشابة من 7 فلور fluorine dopant glass substrate حيث تتلامس طبقة الأساس الزجاجية YA لعنصر الحماية Tag الطريقة -٠ ١YAoVTr1 المذكورة مع الغاز الحامل carrier gas الثاني قبل تلادمسها مع الغاز الحامل الأول.glass substrate حيث تتلامس طبقة الأساس الزجاجية YA لعنصر الحماية Gag الطريقة -؟١ ١ الثاني قبل تلامسها مع الغاز الحامل الأول. carrier gas المذكورة مع الغاز الحامل Y\ 77- الطريقة وفقآً لعنصر الحماية TA حيث تتلامس طبقة الأساس الزجاجية glass substrate المذكورة مع الغاز الحامل SG carrier gas قبل تلادمسها مع الغاز الحامل الأول وتختار سٍٍ المادة المضافة الخافضة للضبابية haze reducing additive من مادة أخرى غير رباعي Ja ¢ رباعي سيلوكسان حلقي .tetramethylcyclotetrasiloxane\ ؟'؟- الطريقة Tay لعنصر الحماية YA حيث تتلامس طبقة الأساس الزجاجية glass substrate 7 المذكورة مع الغاز الحامل carrier gas الأول قبل تلامسها مع الغاز الحامل الثاني وتكون ٍٍ المادة الخافضة للضبابية haze reducing additive عبارة عن رباعي مثيل رباعي َ سيلوكسان حلقي .tetramethylcyclotetrasiloxane١ ؛ - الطريقة وفقآً لعنصر الحماية YY حيث يكون الغاز الحامل carrier gas الثاني المذكور 7 لامائي.YAoV
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/699,681 US6596398B1 (en) | 1998-08-21 | 2000-10-30 | Solar control coated glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA02220665B1 true SA02220665B1 (ar) | 2007-08-13 |
Family
ID=24810424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA02220665A SA02220665B1 (ar) | 2000-10-30 | 2002-02-05 | زجاج مطلي coated glass للتحكم بأشعة الشمس |
Country Status (27)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6596398B1 (ar) |
| EP (1) | EP1201616A3 (ar) |
| JP (1) | JP4498648B2 (ar) |
| KR (1) | KR20020033579A (ar) |
| CN (1) | CN1350990A (ar) |
| AR (1) | AR031278A1 (ar) |
| AU (1) | AU779141B2 (ar) |
| BR (1) | BR0106856A (ar) |
| CZ (1) | CZ20013899A3 (ar) |
| DZ (1) | DZ3130A1 (ar) |
| EA (1) | EA004211B1 (ar) |
| EG (1) | EG23121A (ar) |
| HK (1) | HK1044143A1 (ar) |
| HU (1) | HUP0104596A3 (ar) |
| IL (1) | IL146145A (ar) |
| MX (1) | MXPA01011068A (ar) |
| MY (1) | MY127102A (ar) |
| NZ (1) | NZ515014A (ar) |
| PE (1) | PE20020702A1 (ar) |
| PL (1) | PL350382A1 (ar) |
| SA (1) | SA02220665B1 (ar) |
| SG (1) | SG108284A1 (ar) |
| SK (1) | SK15592001A3 (ar) |
| TW (1) | TWI228108B (ar) |
| UA (1) | UA75574C2 (ar) |
| UY (1) | UY26994A1 (ar) |
| ZA (1) | ZA200108848B (ar) |
Families Citing this family (333)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471541B1 (en) * | 2002-01-28 | 2016-10-19 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Glass substrate coated with a transparent conductive film and photoelectric conversion device including said glass substrate |
| JP4468894B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2010-05-26 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電性基板とその製造方法、および光電変換素子 |
| EP1644293B2 (en) | 2003-07-11 | 2022-04-13 | Pilkington Group Limited | Solar control glazing |
| NL1024437C2 (nl) * | 2003-10-02 | 2005-04-05 | Tno | Coating welke is aangebracht op een substraat, een zonnecel, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op het substraat. |
| US20050196623A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Mckown Clem S.Jr. | Solar control coated glass composition |
| GB0423085D0 (en) | 2004-10-18 | 2004-11-17 | Pilkington Automotive Ltd | Solar control glazing |
| US20060141265A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Russo David A | Solar control coated glass composition with reduced haze |
| GB0505074D0 (en) * | 2005-03-14 | 2005-04-20 | Pilkington Plc | Coatings |
| HUE027526T2 (en) * | 2005-04-29 | 2016-11-28 | Agc Glass Europe | Coated substrate and process for producing coated substrate |
| JPWO2007058118A1 (ja) * | 2005-11-17 | 2009-04-30 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| CN101024742B (zh) * | 2006-02-21 | 2010-05-12 | 中国科学院化学研究所 | 具有光致变色和阳光控制性能的纳米涂料及其制法和用途 |
| US7452488B2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| US20080160321A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | 3M Innovative Properties Company | Single pane glazing laminates |
| US7914857B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-03-29 | Guardian Industries Corp. | Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (DLC) coating and protective film with oxygen content of protective film based on bending characteristics of coated article |
| WO2009021987A1 (en) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Solvay (Société Anonyme) | Process for the preparation of esters of 4-fluorosubstituted 3-oxo-alcanoic acids |
| CN102378682A (zh) * | 2009-03-18 | 2012-03-14 | 北美Agc平板玻璃公司 | 薄膜涂层及其制备方法 |
| US20110030290A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Slovak Steven M | Energy efficient fenestration product with suspended particle device |
| US8425978B2 (en) * | 2009-09-21 | 2013-04-23 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Fluorine compounds for doping conductive oxide thin films |
| US8270060B2 (en) | 2009-09-25 | 2012-09-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Infrared ray transmittance controlling panel including color modifying layer |
| US8558106B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device and method for fabricating the same |
| US8563853B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-22 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device |
| KR101127607B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전기 전도층이 포함된 써모크로믹 유리 |
| NL2004024C2 (en) * | 2009-12-29 | 2011-06-30 | Omt Solutions Beheer B V | A coated translucent substrate for a greenhouse and a freezer door. |
| CA2786872A1 (en) * | 2010-01-16 | 2011-07-21 | Cardinal Cg Company | High quality emission control coatings, emission control glazings, and production methods |
| US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US9862640B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-01-09 | Cardinal Cg Company | Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US11155493B2 (en) | 2010-01-16 | 2021-10-26 | Cardinal Cg Company | Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
| US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US8551609B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-10-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method of depositing niobium doped titania film on a substrate and the coated substrate made thereby |
| CN101891402B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种有机无机电致变色膜的制备方法 |
| CN101898872B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种NiO2无机复合有机电致变色薄膜的制备方法 |
| CN101891403B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种有机无机复合电致变色薄膜的制备方法 |
| BR112013015898A2 (pt) | 2010-12-22 | 2018-06-26 | Baxter International Inc. | derivado de ácido graxo solúvel em água, e, métodos para preparar um derivado de ácido graxo e uma proteína terapêutica conjugada. |
| FR2973366A1 (fr) * | 2011-04-04 | 2012-10-05 | Saint Gobain | Substrat verrier a couche faiblement rugueuse |
| GB201106553D0 (en) * | 2011-04-19 | 2011-06-01 | Pilkington Glass Ltd | Mthod for coating substrates |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9052456B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-06-09 | Intermolecular, Inc. | Low-E glazing performance by seed structure optimization |
| JP5326058B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-10-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線カット材、赤外線カット材の分散液、赤外線カット膜形成用組成物、および赤外線カット膜 |
| EP2811324A4 (en) * | 2012-01-11 | 2015-09-16 | Konica Minolta Inc | INFRARED PROTECTION FILM |
| CN102603206A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种多层氧化锡掺氟镀膜玻璃及其制备方法 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20140170422A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Intermolecular Inc. | Low emissivity coating with optimal base layer material and layer stack |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| DE102013103679A1 (de) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Licht absorbierende Schicht und die Schicht enthaltendes Schichtsystem, Verfahren zur dessen Herstellung und dafür geeignetes Sputtertarget |
| FR3010074B1 (fr) * | 2013-09-05 | 2019-08-02 | Saint-Gobain Glass France | Procede de fabrication d'un materiau comprenant un substrat muni d'une couche fonctionnelle a base d'oxyde d'etain et d'indium |
| CN103539365B (zh) * | 2013-10-09 | 2016-08-17 | 河源旗滨硅业有限公司 | 一种反射性阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN103693862B (zh) * | 2013-12-19 | 2016-03-30 | 海南中航特玻材料有限公司 | 具有防紫外线和红外线双重功能的在线镀膜玻璃及制备方法 |
| CN103864315B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-02 | 江苏汇景薄膜科技有限公司 | 一种银钛复合功能层低辐射节能玻璃及其制备方法 |
| CN104098276B (zh) * | 2014-07-15 | 2016-08-24 | 江阴沐祥节能装饰工程有限公司 | 一种高平整度的低辐射镀膜玻璃制品及其制备方法 |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| CN104628264A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-05-20 | 海南中航特玻科技有限公司 | 在线cvd法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备 |
| US10672921B2 (en) * | 2015-03-12 | 2020-06-02 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive layer and method of making the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| CN104944797A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-30 | 芜湖市晨曦新型建材科技有限公司 | 一种阳光控制低辐射镀膜玻璃及其在线制备方法 |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| KR101795142B1 (ko) | 2015-07-31 | 2017-11-07 | 현대자동차주식회사 | 눈부심 방지 다층코팅을 구비한 투명기판 |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US20170114225A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Schott Gemtron Corp. | Coating compositions for glass substrates |
| US10591652B2 (en) * | 2015-11-20 | 2020-03-17 | Schott Gemtron Corp. | Multi-layer coated glass substrate |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10845665B1 (en) | 2016-02-01 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Devices with guest-host liquid crystal modulators |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| CN106116171B (zh) * | 2016-05-23 | 2019-09-24 | 漳州旗滨玻璃有限公司 | 一种淡蓝色低反射阳光控制镀膜玻璃制备工艺 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| WO2017212214A1 (en) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | Pilkington Group Limited | Coated glass article and window for a vehicle including the same |
| CN106116160A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-16 | 东莞市银建玻璃工程有限公司 | 一种可钢化的离线金色单银low‑e玻璃及其制备方法 |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| BR112019002188B1 (pt) | 2016-08-03 | 2022-11-22 | Schott Gemtron Corp | Forno que tem um substrato de vidro revestido de forma dielétrica que absorve a radiação eletromagnética e emite a radiação térmica |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| CN106761236A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 重庆华瑞玻璃有限公司 | 一种双层遮阳玻璃门窗 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| CN110621630A (zh) * | 2017-04-06 | 2019-12-27 | 皮尔金顿集团有限公司 | 涂覆的玻璃制品 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11747532B2 (en) | 2017-09-15 | 2023-09-05 | Southwall Technologies Inc. | Laminated optical products and methods of making them |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10627555B2 (en) | 2018-04-09 | 2020-04-21 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10613261B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-04-07 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TWI871083B (zh) | 2018-06-27 | 2025-01-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR102897355B1 (ko) | 2019-04-19 | 2025-12-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR102929471B1 (ko) | 2019-05-07 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102929472B1 (ko) | 2019-05-10 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| WO2020252092A1 (en) * | 2019-06-10 | 2020-12-17 | UbiQD, Inc. | Color-modified luminescent concentrator |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| TWI826704B (zh) | 2019-07-17 | 2023-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 自由基輔助引燃電漿系統和方法 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210015655A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210021266A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 웨이퍼를 처리하는 장치 및 방법 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR102948143B1 (ko) | 2019-10-08 | 2026-04-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| KR102943768B1 (ko) | 2019-12-19 | 2026-03-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| TWI887322B (zh) | 2020-01-06 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| JP7730637B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-08-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| CA3172339A1 (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Pilkington Group Limited | Coated glass articles |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR102943116B1 (ko) | 2020-03-04 | 2026-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR102901748B1 (ko) | 2020-04-21 | 2025-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| KR102934380B1 (ko) | 2020-04-24 | 2026-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| TW202539998A (zh) | 2020-04-24 | 2025-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR20210137395A (ko) | 2020-05-07 | 2021-11-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법 |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR102936676B1 (ko) | 2020-05-15 | 2026-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법 |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TWI873343B (zh) | 2020-05-22 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US20210374821A1 (en) * | 2020-06-01 | 2021-12-02 | Oldcastle Buildingenvelope, Inc. | Requirement-driven selection of building products and building product configurations |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TWI911263B (zh) | 2020-08-25 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| TWI911265B (zh) | 2020-08-27 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229612A (zh) | 2020-10-06 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統 |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| KR20220090438A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이금속 증착 방법 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| KR20220090435A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전구체 캡슐, 용기 및 방법 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| JPWO2022255199A1 (ar) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | ||
| WO2022255201A1 (ja) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | Ａｇｃ株式会社 | 積層膜付き基材 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| CN115196884A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-18 | 深圳市楠轩光电科技有限公司 | 一种光学玻璃镀膜方法 |
| WO2024136836A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Gemtron Corporation | Infrared reflective tin oxide coatings and methods of making and using the same |
| CN117266423B (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-09 | 天津包钢稀土研究院有限责任公司 | 一种用于被动房和绿色建筑的保温隔热节能玻璃幕墙 |
| WO2025202635A1 (en) * | 2024-03-26 | 2025-10-02 | Pilkington Group Limited | Coated glass articles |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3149989A (en) | 1961-12-01 | 1964-09-22 | Corning Glass Works | Radiation-reflecting medium |
| US4265974A (en) | 1976-11-01 | 1981-05-05 | Gordon Roy G | Electrically conductive, infrared reflective, transparent coatings of stannic oxide |
| US4187336A (en) | 1977-04-04 | 1980-02-05 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| US4287009A (en) | 1979-11-08 | 1981-09-01 | Bethlehem Steel Corporation | Method of producing an aluminum-zinc alloy coated ferrous product to improve corrosion resistance |
| JPS5890604A (ja) | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 赤外線遮蔽積層体 |
| JPS597043A (ja) | 1982-07-06 | 1984-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 熱線遮蔽積層体 |
| US4601917A (en) | 1985-02-26 | 1986-07-22 | M&T Chemicals Inc. | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings |
| US4590096A (en) | 1984-12-28 | 1986-05-20 | M&T Chemicals Inc. | Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass |
| US4743506A (en) * | 1984-12-28 | 1988-05-10 | M&T Chemicals Inc. | Tin oxide coated article |
| GB8630791D0 (en) * | 1986-12-23 | 1987-02-04 | Glaverbel | Coating glass |
| GB8630918D0 (en) | 1986-12-24 | 1987-02-04 | Pilkington Brothers Plc | Coatings on glass |
| US4853257A (en) | 1987-09-30 | 1989-08-01 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath |
| US5168003A (en) | 1991-06-24 | 1992-12-01 | Ford Motor Company | Step gradient anti-iridescent coatings |
| US5254392A (en) * | 1991-06-24 | 1993-10-19 | Ford Motor Company | Anti-iridescence coatings |
| DE69220901T3 (de) | 1991-10-30 | 2005-01-20 | Asahi Glass Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines wärmebehandelten beschichteten Glases |
| JPH06150741A (ja) | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH0794044A (ja) | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH08268732A (ja) | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Central Glass Co Ltd | 熱線反射ガラス |
| GB2302101B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties |
| GB2302102B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel |
| US6231971B1 (en) | 1995-06-09 | 2001-05-15 | Glaverbel | Glazing panel having solar screening properties |
| JPH09169545A (ja) | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Th Goldschmidt Ag | 酸化アンチモンドープした酸化スズからなる透過率を低下する層をガラスおよびガラスセラミックに熱分解的に製造する方法、およびそのための配合物 |
| GB9619134D0 (en) | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
| US5780149A (en) | 1996-09-13 | 1998-07-14 | Libbey-Ownes-Ford Co. | Glass article having a solar control coating |
| US6124026A (en) * | 1997-07-07 | 2000-09-26 | Libbey-Owens-Ford Co. | Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article |
| US6218018B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-04-17 | Atofina Chemicals, Inc. | Solar control coated glass |
| GB9822338D0 (en) * | 1998-10-13 | 1998-12-09 | Glaverbel | Solar control coated glass |
| US6797388B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-09-28 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods of making low haze coatings and the coatings and coated articles made thereby |
-
2000
- 2000-10-30 US US09/699,681 patent/US6596398B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-19 AU AU81502/01A patent/AU779141B2/en not_active Ceased
- 2001-10-24 NZ NZ515014A patent/NZ515014A/en not_active IP Right Cessation
- 2001-10-24 IL IL14614501A patent/IL146145A/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-10-24 MY MYPI20014940A patent/MY127102A/en unknown
- 2001-10-26 ZA ZA200108848A patent/ZA200108848B/xx unknown
- 2001-10-26 SK SK1559-2001A patent/SK15592001A3/sk unknown
- 2001-10-26 PE PE2001001064A patent/PE20020702A1/es not_active Application Discontinuation
- 2001-10-26 TW TW090126563A patent/TWI228108B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-29 PL PL01350382A patent/PL350382A1/xx not_active Application Discontinuation
- 2001-10-29 EP EP01309144A patent/EP1201616A3/en not_active Withdrawn
- 2001-10-29 DZ DZ010072A patent/DZ3130A1/xx active
- 2001-10-29 EA EA200101031A patent/EA004211B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-10-29 AR ARP010105063A patent/AR031278A1/es active IP Right Grant
- 2001-10-30 UY UY26994A patent/UY26994A1/es unknown
- 2001-10-30 BR BR0106856-3A patent/BR0106856A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-10-30 EG EG20011155A patent/EG23121A/xx active
- 2001-10-30 UA UA2001107390A patent/UA75574C2/uk unknown
- 2001-10-30 CZ CZ20013899A patent/CZ20013899A3/cs unknown
- 2001-10-30 SG SG200106698A patent/SG108284A1/en unknown
- 2001-10-30 JP JP2001332304A patent/JP4498648B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-30 CN CN01137718A patent/CN1350990A/zh active Pending
- 2001-10-30 HU HU0104596A patent/HUP0104596A3/hu unknown
- 2001-10-30 MX MXPA01011068A patent/MXPA01011068A/es active IP Right Grant
- 2001-10-30 KR KR1020010067198A patent/KR20020033579A/ko not_active Ceased
-
2002
- 2002-02-05 SA SA02220665A patent/SA02220665B1/ar unknown
- 2002-08-09 HK HK02105827.6A patent/HK1044143A1/zh unknown
-
2003
- 2003-02-13 US US10/366,427 patent/US6656523B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-13 US US10/366,132 patent/US20030162037A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA02220665B1 (ar) | زجاج مطلي coated glass للتحكم بأشعة الشمس | |
| JP4538116B2 (ja) | 太陽光線制御被覆ガラス | |
| ES2205665T3 (es) | Hojas de vidrio para control solar. | |
| US7803463B2 (en) | Glazing panel having solar screening properties | |
| EP2038231B1 (en) | Glass article having a zinc oxide coating and method for making same | |
| JPH08337437A (ja) | 太陽遮蔽特性を有するガラスパネル | |
| AU738600B2 (en) | Solar control coated substrate with high reflectance | |
| AU759899B2 (en) | Solar control coated glass | |
| NZ505140A (en) | A near infrared (NIR) wavelength film containing a tin oxide with a NIR dopant | |
| UA65556C2 (en) | A coated glass (variants), a method for making the same and coating absorbing radiation of the spectral region adjacent to that infrared |