CZ2005540A3 - Zlepsené víceslozkové slitinové kompozice pro rozprasovací elektrody obsahující kyslík - Google Patents

Zlepsené víceslozkové slitinové kompozice pro rozprasovací elektrody obsahující kyslík Download PDF

Info

Publication number
CZ2005540A3
CZ2005540A3 CZ20050540A CZ2005540A CZ2005540A3 CZ 2005540 A3 CZ2005540 A3 CZ 2005540A3 CZ 20050540 A CZ20050540 A CZ 20050540A CZ 2005540 A CZ2005540 A CZ 2005540A CZ 2005540 A3 CZ2005540 A3 CZ 2005540A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
sputter target
oxide
less
cobalt
component oxide
Prior art date
Application number
CZ20050540A
Other languages
English (en)
Inventor
Gene Racine@Michael
Das@Anirban
Roger Kennedy@Steven
R. Cheng@Yuanda
Original Assignee
Heraeus, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus, Inc. filed Critical Heraeus, Inc.
Publication of CZ2005540A3 publication Critical patent/CZ2005540A3/cs

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Magnetické záznamové médium zahrnuje substrát a vrstvu tenkých filmu pro ukládání dat vytvorenou nasubstrátu. Tato vrstva tenkých filmu pro ukládánídat, naprásená z materiálu rozprasovací elektrody, je tvorena kobaltem, platinou a víceslozkovým oxidem. Tento víceslozkový oxid má kationty s redukcním potenciálem mensím nez -0,03 elektronvoltu a atomy s polomery mensími nez 0,25 nanometru. Navíc je tento víceslozkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou mensí nez 10.sup.-6.n. m.sup.3.n./kg. Víceslozkový oxid má dielektrickou konstantu vetsí nez 5,0. Dále je popsána rozprasovací elektroda a zpusob výroby magnetického záznamového média.

Description

Zlepšené vícesložkové slitinové kompozice pro rozprašovací elektrody obsahující kyslík
Oblast techniky [0001] Předmětný vynález se týká rozprašovacích elektrod, a to konkrétně tenkých magnetických filmů pro ukládání dat naprášených z rozprašovacích elektrod, které jsou tvořeny vícesložkovými slitinovými kompozicemi obsahujícími kyslík, které mají zlepšené metalurgické vlastnosti.
Dosavadní stav techniky [0002] K vytváření velmi tenkých povlaků na substrátu, které mají přesně řízenou tloušťku a malou toleranci v atomárním složení, je v různých oblastech techniky velmi rozšířen proces DC magnetronového rozprašování. Používá se například k povlékání polovodičů a/nebo k vytváření tenkých vrstev na povrchu magnetických médií pro záznam dat. U jednoho běžně používaného provedení se na rozprašovací elektrodu přivede magnetické pole s oválným rozložením, a to tak, že se na zadní povrch elektrody umístí magnety. V blízkosti rozprašující elektrody jsou zachycovány elektrony, což vede ke zlepšení produkce iontů argonu a ke zvýšení rychlosti rozprašování. Ionty uvnitř této plasmy se srážejí s povrchem rozprašovací elektrody, což má za následek, že rozprašovací elektroda emituje atomy ze svého povrchu. Rozdíl napětí mezi katodickou rozprašovací elektrodou a anodickým substrátem, který má být povlékán, způsobí, že emitované atomy vytvoří na povrchu substrátu požadovaný film.
[0003] U reaktivního rozprašovacího procesu se vakuová komora částečně naplní chemicky reaktivní plynovou atmosférou a materiál, který se odpráší z elektrody, chemicky reaguje s reaktivními složkami v plynné směsi za vzniku chemické sloučeniny, která tvoří film.
·· ··· · • · · · · · · • ···· ··· [0004] Během výroby magnetických záznamových médií známých z dosavadního stavu techniky se vrstvy tenkých filmů postupně naprašují na substrát pomocí většího počtu rozprašovacích elektrod, přičemž každá rozprašovací elektroda je tvořena různým materiálem, což má za následek nanesení vrstvy tenkých filmů. Obrázek 1 znázorňuje vrstvu tenkých filmů typickou pro magnetická záznamová média známá z dosavadního stavu techniky. Podkladem pro vrstvu je nemagnetický substrát 101, kterým běžně bývá hliník nebo sklo. Vrstva 102 zárodečných krystalů, tj. první nanesená vrstva, uděluje tvar a orientaci struktuře zrn vyšších vrstev a je běžně tvořena NiP nebo NiAl. Dále je nanesena nemagnetická podkladová vrstva 104, která často obsahuje jednu až tři samostatné vrstvy, přičemž touto podkladovou vrstvou běžně bývá nějaká slitina na bázi chrómu, jako například CrMo nebo CrTi. Nad podkladovou vrstvou 104 je vytvořena mezivrstva 105, která obsahuje jednu nebo dvě samostatné vrstvy, přičemž tato mezivrstva 105 je na bázi kobaltu a je mírně magnetická. Na horní straně mezivrstvy 105 je nanesena magnetická vrstva pro ukládání dat 106, která může obsahovat dvě nebo tři samostatné vrstvy, a na magnetické vrstvě 106 je vytvořena vrstva 108 uhlíkového lubrikantu.
[0005] Množství dat na jednotku plochy, které může být v magnetickém záznamovém médiu uloženo, je přímo závislé na metalurgických vlastnostech a na složení vrstvy pro ukládání dat a tím je tedy závislé na materiálu rozprašovací elektrody, z něhož je vrstva pro ukládání dat naprášena. K uspokojení neustále se zvyšujících požadavků na růst kapacity ukládání dat se zdála být nejslibnější a nejúčinnější technologií technika známá v oboru magnetického ukládání dat technika jako kolmý magnetický záznam (PMR), na rozdíl od konvenčního podélného magnetického záznamu (LMR). Při použití PMR se bity zaznamenávají kolmo k ploše magnetického záznamového média, což umožňuje menší velikost bitu a větší koercitivitu.
• · ·
V důsledku toho se očekává, že PMR zvýší koercitivitu disku a zesílí amplitudu signálu disku, což vede v lepší schopnosti archivace dat.
[0006] Klíčem k dosažení nízké úrovně šumu médií a vysoké tepelné stability je vytvoření dobře izolované jemné struktury zrn spolu s vysokou kolmou magnetickou anizotropií, neboli Κμ. Média na bázi CoCrPt nebo CoPt obsahující kyslík nejen vykazují lepší vzájemnou separaci zrn v důsledku toho, že fáze hranic zrn je bohatá na kyslík, ale také potlačují degradaci Κμ, bez toho, že by se ovlivňoval epitaxní růst média. Oxidy mající malou rozpustnost v tuhém stavu v kovech se často vylučují do oblasti hranic zrn. Mikrostrukturální, magnetická a elektrická separace zrn jsou klíčové parametry při realizaci diskrétních magnetických domén s malými přeslechy a vysokým poměrem signál-šum (SNR).
[0007] Dosavadní přístup k dosažení těchto požadovaných vlastností médií je použití jednosložkového oxidu, jako například SiO2, Y2O3, A12O3, TiO2, Ta2O5, Nb2O5. Tento přístup poskytl významné zlepšení při realizaci dobře izolovaných struktur zrn a při dosažení vysokých hodnot Κμ v magnetických médiích obsahujících kyslík ve formě prvků, jako například CoPtCrO, CoPtCr-Si02, CoPtTa205. Tyto oxidy však v PMR médiích nevytvářejí to nej lepší granulární provedení s ohledem na SNR a tepelnou stabilitu.
[0008] Proto je vysoce žádoucí vytvořit nějaké magnetické záznamové médium s hustou strukturou zrn v magnetické vrstvě pro ukládání dat, čímž by se zlepšil poměr signál-šum a zvýšila dosažitelná kapacita ukládání dat. Obzvláště je žádoucí vytvořit vícesložkové slitiny obsahující kyslík, které by mohly být použity v rozprašovacích elektrodách a naprášeny do tenkých filmů.
Podstata vynálezu [0009] Předmětný vynález se týká rozprašovacích elektrod, a to konkrétně tenkých magnetických filmů pro ukládání dat naprášených z rozprašovacích elektrod, které jsou tvořeny vícesložkovými slitinovými kompozicemi obsahujícími kyslík a které mají lepší metalurgické vlastnosti.
[0010] Podle jednoho provedení představuje předmětný vynález rozprašovací elektrodu, která je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10'6 m3/kg.
[0011] Použití vícesložkové slitinové kompozice obsahující kyslík zvyšuje vzájemnou mikrostrukturální magnetickou a elektrickou izolaci zrn, a to prostřednictvím změny vlastností oxidů prostřednictvím volby různých složkových oxidů v magnetických médiích. Pro tento účel se používají určité oxidy kovů, které jsou-li použity ve spojení se známými oxidy, jako je například S1O2/AI2O3 a jiné, tvoří vícesložkovou izolační oxidovou matrici zapouzdřující magnetická zrna.
[0012] Tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0. Rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) a/nebo borem (B).
[0013] U prvního předmětu vynálezu je tento vícesložkový oxid tvořen Xlz X2 a kyslíkem (O), kde Xx a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z tantalu (Ta), hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti) , cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr) , ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria • ·
(Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni). Tento vícesložkový oxid je dále tvořen X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
[0014] U druhého, alternativního provedení je tento vícesložkový oxid dále tvořen Χχ, X2 a kyslíkem (O) , kde Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si) , hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni). Tento vícesložkový oxid je dále tvořen X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm) , praseodymu (Pr) , hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
[0015] U třetího, alternativního provedení je tento vícesložkový oxid dále tvořen Χχ, X2 a kyslíkem (O) , kde Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si) , tantalu (Ta), hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu) , gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
• · • · · · [0016] U druhého provedení je předmětem vynálezu magnetické záznamové médium, zahrnující substrát a vrstvu tenkých filmů pro ukládání dat vytvořenou na substrátu. Tato vrstva tenkých filmů pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10'6 m3/kg.
[0017] Podle třetího provedení je předmětem vynálezu způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok spočívající v naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody. Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10'6 m3/kg.
[0018] Podle čtvrtého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), alespoň jedním oxidem a alespoň jedním kovem. Když je tato rozprašovací elektroda rozprášena, tento alespoň jeden oxid a tento alespoň jeden kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10”6 m3/kg a tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
• · · · · · [0019] Podle pátého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým oxidem. Když je tato rozprašovací elektroda rozprášena, tento první a druhý oxid vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10-6 m3/kg a vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
[0020] Podle šestého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co) , platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým kovem. Když je tato rozprašovací elektroda reaktivně rozprášena, tento první a druhý kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10-6 m3/kg a tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
[0021] Podle sedmého provedení je předmětem vynálezu způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok spočívající v naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody. Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), alespoň jedním oxidem a alespoň jedním kovem, přičemž tento alespoň jeden oxid a tento alespoň jeden kov vytvoří vícesložkový oxid, tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů a tento vícesložkový oxid • ··· je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10‘6 m3/kg.
[0022] Podle osmého provedení je předmětem vynálezu způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok spočívající v naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody. Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým oxidem, přičemž tento alespoň první a druhý oxid vytvoří vícesložkový oxid. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů a tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10’6 m3/kg.
[0023] Podle devátého provedení je předmětem vynálezu způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok reaktivního naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody v přítomnosti kyslíku (O). Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým kovem, přičemž uvedený alespoň první a druhý kov vytvoří vícesložkový oxid. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů a tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 106 m3/kg.
[0024] U následujícího popisu výhodného provedení jsou uvedeny odkazy na připojené obrázky, které jsou součástí tohoto popisu a na nichž je vynález názorně zobrazen znázorněním konkrétního provedení, jak může být vynález realizován. Je zřejmé, že lze použít i jiná provedení a změny, aniž by došlo k odchýlení se od rozsahu předmětného vynálezu.
• ·
Přehled obrázků na výkresech [0025] Dále jsou v popisu použity odkazy na připojené obrázky, na nichž jsou stejné součásti označeny stejnými vztahovými značkami:
[0026] Obrázek 1 znázorňuje vrstvu tenkých filmů typickou pro magnetická záznamová média známá z dosavadního stavu techniky;
[0027] Obrázek 2 znázorňuje vrstvu tenkých filmů, u níž byla magnetická vrstva pro ukládání dat naprášena rozprašovací elektrodou tvořenou zlepšenou vícesložkovou slitinovou kompozicí pro rozprašovací elektrody obsahující kyslík podle jednoho provedení předmětného vynálezu; a [0028] Obrázek 3 je blokové schéma znázorňující způsob výroby magnetického záznamového média, podle druhého provedení předmětného vynálezu.
Podrobný popis příkladů provedení [0029] Předmětný vynález vytváří magnetické záznamové médium s hustou strukturou zrn v magnetické vrstvě pro ukládání dat, což zlepšuje poměr signál-šum a zvyšuje dosažitelnou schopnost ukládat data. Navíc předmětný vynález vytváří vícesložkové slitiny obsahující kyslík, které mohou být použity v rozprašovacích elektrodách a naprášeny do tenkých filmů.
[0030] Obrázek 2 znázorňuje vrstvu tenkých filmů, u níž byla magnetická vrstva pro ukládání dat naprášena rozprašovací elektrodou tvořenou zlepšenou vícesložkovou slitinovou kompozicí pro rozprašovací elektrody obsahující kyslík podle jednoho provedení předmětného vynálezu. Magnetické záznamové médium tedy zahrnuje substrát a vrstvu tenkých filmů pro ukládání dat vytvořenou na substrátu. Tato vrstva tenkých filmů pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) ···· · ·· ·· ···· • ···· · · · • · · · · · · · · · a vícesložkovým oxidem. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10-6 m3/kg.
[0031] Magnetické záznamové médium 200 zahrnuje substrát 201 a vrstvu 206 tenkých filmů pro ukládání dat vytvořenou na substrátu 201. Vrstva 206 tenkých filmů pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10’6 m3/kg.
[0032] Jak je uvedeno výše, magnetická záznamová média 200 mohou obsahovat ještě jiné vrstvy tenkých filmů, včetně vrstvy 202 zárodečných krystalů, nemagnetické podkladové vrstvy 204, mezivrstvy 205 a vrstvy 108 uhlíkového lubrikantu, přičemž u alternativního provedení předmětného vynálezu mohou být některé nebo všechny tyto vrstvy vynechány.
[0033] Použití vícesložkové slitinové kompozice obsahující kyslík zvyšuje vzájemnou mikrostrukturální magnetickou a elektrickou izolaci zrn, a to prostřednictvím změny vlastností oxidů na základě přítomnosti různých složkových oxidů v magnetických médiích. Pro tento účel mohou být použity určité oxidy kovů, které mohou být použity ve spojení se známými oxidy, jako je například SÍO2/AI2O3 a další, čímž vznikne vícesložková izolační oxidová matrice zapouzdřující magnetická zrna.
[0034] Tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu • ·
• ·« · • · větší než 5,0. Tato rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) a/nebo borem (B) . Ke zlepšení vzájemné separace zrn v LMR médiích byl dlouhou dobu používán přídavek prvků, jako například boru. tJ alternativních provedení je dielektrická konstanta větší než nebo menší než 5,0, a/nebo chrom a/nebo bor jsou vynechány.
[0035] Vrstva tenkých filmů pro ukládání dat 206 je vhodná zejména pro PMR aplikace. Výběr prvků, použitých v oxidech kovů, je založen na několika kritériích, přičemž při použití různých oxidů s kompenzačními a vyztužujícími vlastnostmi se dosahuje ten nejlepší účinek zrnitých médií s ohledem na SNR a tepelnou stabilitu v magnetických médiích s kolmým záznamem.
[0036] Konkrétně tedy aby se u PMR dosáhlo vysoké hustoty záznamu, musí být tato vrstva tenkých filmů pro ukládání dat tvořena materiálem s vysokou tepelnou stabilitou a nízkou úrovní šumu média. Zrnitá magnetická média obsahující CoCrPt nebo slitiny na bázi CoPt, s magnetickými doménami zapouzdřenými v izolační matrici, jsou nejen vysoce odolné vůči tepelnému pohybu v důsledku jejich vysoké magnetokrystalické anizotropie, ale i poskytují zlepšené působení ve vztahu k SNR, a to v důsledku zmenšení velikosti zrn. Avšak vzhledem k tomu, že se jemnost zrn v zrnitých magnetických médiích blíží hranicím stability magnetických dipólů, stává se stále důležitější vyvinout materiály s dostatečnou vzájemnou separací zrn, tak aby žádné zrno nebylo magneticky ovlivňováno svými nedalekými sousedy v okolním prostoru.
[0037] U PMR, kde požadavky na jemnost zrn a jejich separaci jsou mnohem přísnější než u LMR, bylo v zrnitých médiích pozorováno, že přítomnost kyslíku v hranicích zrn má za následek lepší magnetické vlastnosti. Je tedy výhodné vnášení • ···· · ·· >···«· ··· ·· · · ··· ···· · · ····· • ··· ···· · • · · · · * · kyslíku během reaktivního rozprašování a/nebo použití elektrod obsahujících nějaký samostatný oxid (jako SiO2, A12O3, Ta2Os nebo Nb2Os) . Předmětný vynález dále zvyšuje možnost využití oblastí hranic zrn bohatých na kyslík v magnetických médiích prostřednictvím použití rozprašovacích elektrod obsahujících vícesložkové oxidy. Tohoto cíle se dosahuje prostřednictvím změny různých vlastností oxidů souvisejících s tendencí k oxidaci, sklonem k tvorbě skelného stavu a magneticky dielektrickým chováním ve vícesložkové oxidové matrici vnesené do magnetických médií za použití rozprašovacích elektrod obsahujících vícesložkové oxidy vybrané na základě určitých kritérií.
[0038] Oxidy, které tvoří tuhé roztoky s kovy výjimečně, mají v zrnitých médiích na bázi CoCrPt nebo CoPt značnou tendenci se srážet v oblastech hranic zrn a tím zvýšit mikrostrukturální segregaci magnetických zrn. Tyto oxidy neovlivňují epitaxní růst médií na bázi CoCrPt nebo CoPt obsahujících kyslík tvořených tenkými filmy, a proto přispívají k potlačení degradace Κμ.
[0039] Kyslík, vnesený během reaktivního rozprašování do magnetických médií tvořených tenkými filmy za účelem obohacení obsahu kyslíku v hranicích zrn, a použití jednosložkových oxidů ve spojení s CoCrPt a CoPt mají za následek lepší magnetické chování v PMR médiích, což je zapříčiněno výše popsanými účinky médií obsahujících kyslík. Zrnitá magnetická média obsahující kyslík, vyrobená s použitím elektrod obsahujících oxid, však vykazovala lepší magnetické chování než média obsahující kyslík vnesený během reaktivního rozprašování.
[0040] Oxidy kovů se pro použití v rozprašovacích elektrodách pro zrnitá magnetická média vybírají na základě jejich • ··»· ·· · • ··· * ·· ·« ···· • · · · · 9 · • · · *··· • · · · · · • · · · · ·<····« ·· ··· tendence k oxidaci a na základě difuzní povahy kationtů těchto kovů, dále na základě sklonu oxidů k tvorbě skelného stavu a jejich magnetických a dielektrických vlastností. Konkrétně například tyto oxidy mají kationty s oxidačním potenciálem vyšším než má kobalt (Co), který je hlavní magnetickou složkou slitiny, a tak tento redukční potenciál by měl být menší než -0,03 eV. Kationty oxidů jako takové mají větší sklon k oxidaci než další kovové složky v slitině. V následující tabulce 1 jsou uvedeny redukční potenciály několika různých kationtů.
Tabulka 1
atom kovu poloměr atomu atom kovu poloměr atomu
Si 0,14 Zr 0,21
AI 0,16 Hf 0,21
Mg 0,17 Cr 0,18
Na 0,22 Co 0,16
K 0,27 Ni 0,16
Nb 0, 2 Y 0,22
Ta 0,2 Mn 0,18
Ti 0,2 Ca 0,23
Zn 0,15 Sn 0,17
[0041] Navíc tyto oxidy mají kationty s poloměry atomů o dostatečné velikosti k umožnění snadné difúze do hranic zrn v této magnetické slitině a tyto poloměry jsou menší než 0,25 nm. V tabulce 2 jsou uvedeny poloměry atomů několika různých kovů:
9999 e· β ·· • ··« * · 9 • · · • 99 999 99«
9» 99 9999
9 9 9 9
9 9 999 < 9 9 9 9
9 · 9
9999 9« 9»9
Tabulka 2
prvky standardní redukční potenciál (eV) prvky standardní redukční potenciál (eV)
Si + 4 -0,86 Cr+4 -.74
Mg+2 -2,37 Cr+3 -.41
Al + 3 -1,66 Fe+2 -.44
Ta+5 -0,81 Fe + 3 -.04
Nb+5 -0, 63 Cd+2 -.40
Hf+4 -1,70 Co+2 -0,2
Zn+2 -0,76 Ni + 2 -0,25
Zr+4 -1, 53 Sn+4 -0,14
Ca+2 -2,86 La+3 -2,37
Cu+1 3,39 W+6 -0, 03
Ti + 4 -1, 63 Na+1 -2,714
Pb+2 -0,13 K+l -2,925
[0042] Navíc tyto oxidy mají minimální magnetickou interferenci s magnetickými doménami v magnetických médiích a jsou tak ve své podstatě diamagnetické s negativními permeabilitami, paramagnetické nebo velmi slabě magnetické s mírně pozitivními permeabilitami menšími než 106 m3/kg. Tabulka 3 popisuje magnetické chování různých oxidů kovů:
• · · · · ·
Tabulka 3
oxid dielektrícká konstanta magnetická susceptibilita (1CT8 m3/kg) oxid dielektrická konstanta magnetická susceptibilita (10'8 m3/kg)
SiO2 3,9 -0, 45 Co203 9,59 34,3
MgO 3,2 -0,25 Y2O3 14 0, 5
AI2O3 10,5 -0, 36 Cr2O3 9,2 25,5
Ta2Os 18 -0,07 CoO 12, 9 74,5
Nb2O5 50 -0, 10 MnO2 13, 8 68,5
HfO2 25 -0,110 Fe3O4 20 18,5
ZnO 18,0 -0,36 Fe2C>3 18 10,5
ZrO2 22 -0,112 NiO 11, 9 54
CaO 3 -0,27 CuO 9,77 3, 8
Cu20 8,58 -0,213 CeO2 21,2 30
TiO2 60 -0,06 Eu2O3 10, 2 30
SnO2 24 -0,26 Gd2C>3 11,4 140
La2C>3 20, 8 0 1 V2O5 13, 84 7,5
WO3 20,2 -0,065 Sm2O3 21,5 5, 8
[0043] Oxidová matrice je vysoce izolační, čímž se zabrání elektrickému vedení mezi magnetickými zrny. Elektrické svody vedoucí skrz neizolační nebo slabě izolační hranice zrn mají za následek elektrické vedení, což při interakci s aplikovaným magnetickým polem během magnetronového rozprašování nepříznivě ovlivňuje magnetické chování média stejně jako rozprašovací chování elektrod. Relativní permeability těchto oxidů jsou dostatečně vysoké na to, aby zapouzdřovací oxidová matrice byla dostatečně izolační. Výše uvedená tabulka 3 popisuje dielektrické chování různých oxidů kovů.
[0044] Aby měla matrice tvořená vícesložkovým oxidem dostatečně větší dielektrickou permitivitu než matrice tvořená jednosložkovým oxidem, jsou její oxidy obsaženy v takovém určitém zastoupení, aby se dosáhlo co nejvyšší celkové permitivity.
[0045] Oxidová matrice je amorfní, takže vzájemná difúze různých elementárních částic mezi magnetickými zrny není usnadněna pomocí energeticky příznivé difúze hranic zrn v jinak krystalické matrici. Tato vlastnost vede k lepšímu mikrostrukturálnímu a chemickému uzavření zrn navzájem, a to tím, že se zabrání tvorbě meziproduktových reakčních sloučenin a tvorbě intermetalických vazeb jako vedlejšího produktu vzájemné difúze a mezipovrchových reakcí. Sklotvorné oxidy, jako například SiO2, GeO2, P2O5 nebo oxidy podobné, pokud jsou použity v kombinaci s přechodnými nebo příležitostnými sklotvornými oxidy, jako například AI2O3, ZrO2, HfO2, Ta2Os nebo podobnými, vytvářejí amorfní vícesložkové oxidové fáze s vysokou krystalizační teplotou. V magnetických médiích je obsažen oxid nebo kombinace oxidů, které jsou více sklotvorné.
[0046] Použitím elektrod na bázi vícesložkových oxidů obsahujících optimalizované zastoupení různých oxidů vybraných na základě navržených kritérií dojde k realizaci vlastního přínosu různých jednotlivých oxidů ve vícesložkové oxidové matrici. U různých aplikací se použitím vícesložkových oxidů dosahuje různých výhod, jako například zlepšení dielektrické konstanty, mechanických vlastností a stability amorfní nebo krystalické fáze při použití dvou nebo více různých oxidů. Použití rozprašovacích elektrod obsahujících vícesložkové oxidy k nanášení tenkých filmů jako součástí magnetických médií tedy přináší významné zlepšení magnetického chování zrnitých magnetických médií pro PMR.
[0047] Vícesložkový oxid je dále tvořen Xi, X2 a kyslíkem (O), kde Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z • · · · · · křemíku (Si), tantalu (Ta), hliníku (AI), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W), kobaltu (Co), yttria (Y), chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni). Vícesložkový oxid je dále tvořen X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (Al), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr) , titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu) , gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni). U dalších provedení je prvek X3 vynechán.
[0048] Obrázek 3 je blokové schéma znázorňující způsob výroby magnetického záznamového média, podle druhého provedení předmětného vynálezu. Proces začíná (krok S300), na substrát se napráší z rozprašovací elektrody alespoň první vrstva tenkých filmů pro ukládání dat (krok S301) a proces končí (krok S302) .
[0049] Podle prvního provedení je tato rozprašovací elektroda tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem. Podle druhého, alternativního provedení je tato rozprašovací elektroda tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), alespoň jedním oxidem a alespoň jedním kovem, přičemž tento alespoň jeden oxid a tento alespoň jeden kov vytvoří vícesložkový oxid. Podle třetího, alternativního provedení je tato rozprašovací elektroda tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým oxidem, přičemž tento alespoň první a druhý oxid vytvoří vícesložkový oxid. Podle čtvrtého, alternativního provedení je tato vrstva tenkých filmů pro ukládání dat reaktivně rozprášena a tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým kovem, přičemž uvedený alespoň první a druhý kov vytvoří vícesložkový oxid.
[0050] Vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10'6 m3/kg.
[0051] Předmětný vynález může být použit k vytváření magnetických filmů za použití rozprašovacích elektrod obsahujících vícesložkové oxidy, obzvláště u PMR aplikací, kde požadavky na jemnost struktury zrn a jejich izolaci jsou přísnější, aby se minimalizovala degradace SNR a dosáhlo se vyšší Κμ. Komerční horizontální záznamová média mohou těžit rovněž ze skutečnosti, že vícesložková oxidová matrice významně přispívá k zjemnění struktury zrn a k jejich izolaci, čímž ze zlepší magnetické chování.
[0052] Podle třetího provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem. Tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 106 m3/kg.
[0053] Tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0. Rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) a/nebo borem (B).
[0054] U prvního předmětu vynálezu je vícesložkový oxid dále tvořen Xx, X2 a kyslíkem (O) , kde Xx a X2 jsou prvky vybrané ze
• · · · · · • · ·
skupiny sestávající z tantalu (Ta), hliníku (Al) , niobu (Nb) , hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y), chrómu (Cr) , ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni). Vícesložkový oxid je dále tvořen X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y), chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
[0055] U druhého, alternativního provedení je vícesložkový oxid dále tvořen Χχ, X2 a kyslíkem (O), kde Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (Al) , niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni). Vícesložkový oxid je dále tvořen X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu) , gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr) , hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
[0056] U třetího, alternativního provedení je vícesložkový oxid dále tvořen Χχ, X2 a kyslíkem (O), kde Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si), tantalu (Ta), hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), • · · ·
yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
[0057] Podle čtvrtého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, která je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), alespoň jedním oxidem a alespoň jedním kovem. Když je tato rozprašovací elektroda rozprášena, tak tento alespoň jeden oxid a tento alespoň jeden kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 106 m3/kg, přičemž tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
[0058] Podle pátého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, která je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým oxidem. Když je tato rozprašovací elektroda rozprášena, tento první a druhý oxid vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 106 m3/kg, přičemž tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
[0059] Podle šestého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým kovem. Když je tato rozprašovací elektroda reaktivně rozprášena, tento první a druhý kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů. Navíc je tento vícesložkový oxid diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10’6 m3/kg, přičemž tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
[0060] Vynález byl popsán pomocí konkrétních příkladných provedení. Tyto příklady je třeba chápat tak, že vynález není omezen na výše popsaná provedení, přičemž odborník v oboru může provést různé změny a modifikace, aniž by došlo k odchýlení se od duchu rozsahu vynálezu.

Claims (35)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Rozprašovací elektroda, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů, a přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 105 6 m3/kg.
  2. 2. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
  3. 3. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) .
  4. 4. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena borem (13) .
  5. 5. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen Χχ, X2 a kyslíkem (O), přičemž Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z tantalu (Ta), hliníku (AI), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce) , europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Srn) , praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
    • · · • ··· ♦··· · ·..·...
  6. 6. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen Xi, X2 a kyslíkem (0), přičemž Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd) , vanadu (V), samaria (Sm) , praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  7. 7. Rozprašovací elektroda podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen X3, přičemž X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd) , vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  8. 8. Rozprašovací elektroda podle nároku 6, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen X3, přičemž X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W), kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd) , vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  9. 9. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen X3, X2 a kyslíkem (0), přičemž Xi a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si), tantalu (Ta), hliníku (Al), niobu (Nb) , hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn) , lanthanu (La), wolframu (W), kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu • ·
    24 (Cr) , ceru (Ce), europia (Eu) , gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Sm), praseodymu (Pr) , hořčíku (Mg), manganu (Mn) , iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni) .
  10. 10. Magnetické záznamové médium, zahrnující: substrát; a vrstvu tenkých filmů pro ukládání dat vytvořenou na uvedeném substrátu, vyznačující se tím, že tato vrstva tenkých filmů pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů, a přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10“6 m3/kg.
  11. 11. Magnetické záznamové médium podle nároku 10, vyznačující se tím, že uvedená vrstva tenkých filmů pro ukládání dat je dále tvořena chromém (Cr).
  12. 12. Magnetické záznamové médium podle nároku 10, vyznačující se tím, že uvedená vrstva tenkých filmů pro ukládání dat je dále tvořena borem (B).
  13. 13. Magnetické záznamové médium podle nároku 10, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen Χχ, X2 a kyslíkem (O), přičemž Χχ a X2 jsou prvky vybrané ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (Al), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), • · »« ···· • · « ··· manganu (Μη), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  14. 14. Magnetické záznamové médium podle nároku 13, vyznačující se tím, že uvedený vícesložkový oxid je dále tvořen X3, přičemž X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (Al), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Cc), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce) , europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Srn) , praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  15. 15. Způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok spočívající v naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a vícesložkovým oxidem, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů, a přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10‘6 m3/kg.
  16. 16. Rozprašovací elektroda, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), alespoň jedním oxidem a alespoň jedním kovem, přičemž, když je tato rozprašovací elektroda rozprášena, uvedený alespoň jeden oxid a uvedený alespoň jeden kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů, přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10’6 m3/kg a přičemž tento vícesložkový oxid má diělektrickou konstantu větší než 5,0.
    ·· ····
  17. 17. Rozprašovací elektroda podle nároku 16, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr).
  18. 18. Rozprašovací elektroda podle nároku 16, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena borem (B).
  19. 19. Rozprašovací elektroda podle nároku 16, vyznačující se tím, že uvedený alespoň jeden oxid je dále tvořen Xi a kyslíkem (0) , přičemž Xi je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y), chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn) , iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  20. 20. Rozprašovací elektroda podle nároku 16, vyznačující se tím, že uvedený alespoň jeden kov je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si) , hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W), kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd) , vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  21. 21. Rozprašovací elektroda podle nároku 16, vyznačující se tím, že uvedený alespoň jeden oxid je dále tvořen Xi a kyslíkem (0), přičemž Xx je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru • · (Ce), europia (Eu). gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Srn) , praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni); a přičemž uvedený alespoň jeden kov je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), niobu (Nb) , hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co) , yttria (Y) , chrómu (Cr) , ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Srn) , praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  22. 22. Rozprašovací elektroda podle nároku 16, vyznačující se tím, že uvedený alespoň jeden oxid je dále tvořen Χχ a kyslíkem (0) , přičemž Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu) , gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Srn), praseodymu (Pr) , hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) nebo niklu (Ni); a přičemž uvedený alespoň jeden kov je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (Al), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd) , vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) nebo niklu (Ni).
  23. 23. Rozprašovací elektroda, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým oxidem, přičemž, když je tato rozprašovací elektroda rozprášena, uvedený první a druhý oxid vytvoří vícesložkový oxid, přičemž • · · tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů, přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10‘6 m3/kg a přičemž tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
  24. 24. Rozprašovací elektroda podle nároku 23, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr).
  25. 25. Rozprašovací elektroda podle nároku 23, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena borem (B).
  26. 26. Rozprašovací elektroda podle nároku 23, vyznačující se tím, že uvedený první oxid je dále tvořen Xi a kyslíkem (O) , přičemž Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  27. 27. Rozprašovací elektroda podle nároku 23, vyznačující se tím, že uvedený druhý oxid je dále tvořen X2 a kyslíkem (O), přičemž X2 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf) , zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La) , wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr), ceru (Ce) , europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V) , samaria (Sm) , praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn), iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
    • ···
  28. 28. Rozprašovací elektroda, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým kovem, přičemž, když je tato rozprašovací elektroda reaktivně rozprášena, uvedený první a druhý kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů, přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10’6 m3/kg a přičemž tento vícesložkový oxid má dielektrickou konstantu větší než 5,0.
  29. 29. Rozprašovací elektroda podle nároku 28, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr).
  30. 30. Rozprašovací elektroda podle nároku 28, vyznačující se tím, že uvedená rozprašovací elektroda je dále tvořena borem (B).
  31. 31. Rozprašovací elektroda podle nároku 28, vyznačující se tím, že uvedený první kov je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb), hafnia (Hf), zirkonia (Zr), titanu (Ti), cínu (Sn), lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu (Cr) , ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Srn), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn) , iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  32. 32. Rozprašovací elektroda podle nároku 28, vyznačující se tím, že uvedený druhý kov je prvek vybraný ze skupiny sestávající z křemíku (Si), hliníku (AI), tantalu (Ta), niobu (Nb) , hafnia (Hf), zirkonia (Zr) , titanu (Ti), cínu (Sn) , lanthanu (La), wolframu (W) , kobaltu (Co), yttria (Y) , chrómu • · · ··«
    ·..*...* (Cr), ceru (Ce), europia (Eu), gadolinia (Gd), vanadu (V), samaria (Sm), praseodymu (Pr), hořčíku (Mg), manganu (Mn) , iridia (Ir), rhenia (Re) a niklu (Ni).
  33. 33. Způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok spočívající v naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), alespoň jedním oxidem a alespoň jedním kovem, přičemž uvedený alespoň jeden oxid a uvedený alespoň jeden kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů a přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10‘6 m3/kg.
  34. 34. Způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok spočívající v naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým oxidem, přičemž uvedený alespoň první a druhý oxid vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů a přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 106 m3/kg.
  35. 35. Způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok reaktivního naprašování alespoň první vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody v přítomnosti kyslíku (O), vyznačující se tím, že ·· ···· * * • · · · ···· · ·· • · · · · tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) a alespoň prvním a druhým kovem, přičemž uvedený alespoň první a druhý kov vytvoří vícesložkový oxid, přičemž tento vícesložkový oxid má kationty s redukčním potenciálem menším než -0,03 elektronvoltů a atomy s poloměry menšími než 0,25 nanometrů a přičemž tento vícesložkový oxid je diamagnetický, paramagnetický nebo magnetický s permeabilitou menší než 10”6 m3/kg.
CZ20050540A 2005-04-19 2005-08-26 Zlepsené víceslozkové slitinové kompozice pro rozprasovací elektrody obsahující kyslík CZ2005540A3 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/110,105 US20060234091A1 (en) 2005-04-19 2005-04-19 Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ2005540A3 true CZ2005540A3 (cs) 2006-12-13

Family

ID=36675962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20050540A CZ2005540A3 (cs) 2005-04-19 2005-08-26 Zlepsené víceslozkové slitinové kompozice pro rozprasovací elektrody obsahující kyslík

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060234091A1 (cs)
EP (1) EP1717337A3 (cs)
JP (1) JP2006299400A (cs)
KR (1) KR20060110722A (cs)
CN (1) CN1952207A (cs)
CZ (1) CZ2005540A3 (cs)
SG (1) SG126812A1 (cs)
TW (1) TWI279785B (cs)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008276859A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Showa Denko Kk 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
US7879470B2 (en) * 2007-11-15 2011-02-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus, system, and method for the selection of perpendicular media segregant materials
WO2009119812A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 日鉱金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
WO2010004862A1 (ja) * 2008-07-07 2010-01-14 日鉱金属株式会社 酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、同焼結体の製造方法及び同焼結体スパッタリングターゲットゲートの製造方法
US8722214B2 (en) 2008-12-22 2014-05-13 Seagate Technology Llc Hybrid grain boundary additives in granular media
US8168309B2 (en) * 2009-08-13 2012-05-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular recording media with sublayers of oxide dopant magnetic materials
JP5536540B2 (ja) * 2010-05-26 2014-07-02 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
US8507114B2 (en) * 2011-06-30 2013-08-13 Seagate Technology Llc Recording layer for heat assisted magnetic recording
CN104126026B (zh) * 2012-02-23 2016-03-23 吉坤日矿日石金属株式会社 含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶
CN104174851B (zh) * 2014-08-12 2016-05-18 贵研铂业股份有限公司 一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法
TWI658150B (zh) * 2018-02-05 2019-05-01 光洋應用材料科技股份有限公司 含鈷鉻鉑硼錸濺鍍靶材、含鈷鉻鉑硼錸層及其製法
JP6661000B2 (ja) * 2018-06-07 2020-03-11 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
JP7125061B2 (ja) * 2019-01-11 2022-08-24 田中貴金属工業株式会社 垂直磁気記録媒体
CN113348510B (zh) * 2019-02-01 2023-09-15 索尼集团公司 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶
JP7336786B2 (ja) * 2019-10-31 2023-09-01 株式会社レゾナック アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
CN118870829B (zh) * 2024-09-26 2024-12-10 江西师范大学 一种基于中空结构纳米颗粒的浮栅存储器件及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5736013A (en) * 1994-04-06 1998-04-07 Komag, Inc. Method for forming an improved magnetic media including sputtering of selected oxides or nitrides in the magnetic layer, and apparatus for same
JP3522944B2 (ja) * 1996-01-26 2004-04-26 株式会社東芝 磁気記録媒体
JP2001351217A (ja) * 2000-06-08 2001-12-21 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体
US20020106297A1 (en) * 2000-12-01 2002-08-08 Hitachi Metals, Ltd. Co-base target and method of producing the same
JP2002342908A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Sony Corp 磁気記録媒体とその製造方法
US7842409B2 (en) * 2001-11-30 2010-11-30 Seagate Technology Llc Anti-ferromagnetically coupled perpendicular magnetic recording media with oxide
JP2004227717A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
WO2004090874A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-21 Showa Denko K. K. Magnetic recording medium, method for producing thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus.
US7601445B2 (en) * 2003-09-25 2009-10-13 Showa Denko K.K. Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP1717337A2 (en) 2006-11-02
TW200638360A (en) 2006-11-01
EP1717337A3 (en) 2007-07-11
JP2006299400A (ja) 2006-11-02
KR20060110722A (ko) 2006-10-25
SG126812A1 (en) 2006-11-29
CN1952207A (zh) 2007-04-25
US20060234091A1 (en) 2006-10-19
TWI279785B (en) 2007-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100523278C (zh) 用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿
CZ2005540A3 (cs) Zlepsené víceslozkové slitinové kompozice pro rozprasovací elektrody obsahující kyslík
CZ2007154A3 (cs) Slitiny Ni - X, Ni - Y a Ni - X - Y s oxidy nebo bez oxidu jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam
CZ2006643A3 (cs) Magnetická média a rozprašovací elektrody s kompozicemi ze slitin o vysoké anizotropii a kyslicníkových sloucenin
CN105026589B (zh) 烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶
CZ2005482A3 (cs) Materiál rozprasovací elektrody pro zlepsené magnetické vrstvy
US20070099032A1 (en) Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target
US9495990B2 (en) Hard magnetic exchange-coupled composite structures and perpendicular magnetic recording media including the same
KR20060109817A (ko) 코발트합금 매트릭스 조성물의 개선된 포뮬레이션
CZ2006126A3 (cs) Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody
HK1091236A (en) Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions
TW200537454A (en) Improved grain structure for magnetic recording media
JP2012107334A (ja) スパッタリングターゲット及びそれから形成された磁気記録媒体の記録材料
HK1094833B (en) Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films
JP2010287300A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
HK1094275A (en) Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions
HK1099902A (en) Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target
CZ2005777A3 (cs) Zlepšená formulace kompozic pro matrice kobaltový slitin
HK1078375A (en) Magnetic recording media
HK1091235B (en) Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions