CZ2006643A3 - Magnetická média a rozprašovací elektrody s kompozicemi ze slitin o vysoké anizotropii a kyslicníkových sloucenin - Google Patents
Magnetická média a rozprašovací elektrody s kompozicemi ze slitin o vysoké anizotropii a kyslicníkových sloucenin Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2006643A3 CZ2006643A3 CZ20060643A CZ2006643A CZ2006643A3 CZ 2006643 A3 CZ2006643 A3 CZ 2006643A3 CZ 20060643 A CZ20060643 A CZ 20060643A CZ 2006643 A CZ2006643 A CZ 2006643A CZ 2006643 A3 CZ2006643 A3 CZ 2006643A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- alloy
- elements
- magnetic
- sputter target
- magnetic recording
- Prior art date
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- -1 rare earth transition metal Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015187 FePd Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 229910016583 MnAl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 3
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910021296 Co3Pt Inorganic materials 0.000 claims 2
- 241000792859 Enema Species 0.000 claims 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007920 enema Substances 0.000 claims 1
- 229940095399 enema Drugs 0.000 claims 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims 1
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/712—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the surface treatment or coating of magnetic particles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
Magnetické záznamové médium, které má magnetickouukládací vrstvu dat a tato magnetická ukládací vrstva dat zahrnuje první slitinu, která má anizotropní konstantu alespon 0,5 x 10.sup.7.n. ergs/cm.sup.3.n., a slouceninu kyslíku a jednoho nebo více prvku, kde alespon jeden z tohoto jednoho nebo více prvku má záporný redukcní potenciál.
Description
Magnetická média a rozprašovači elektrody s kompozicemi ze slitin o vysoké anizotropii a kvičníkových sloučenin
Oblast techniky
Stávající vynález se týká magnetických záznamových médií a zejména magnetických záznamových médií, která mají magnetické ukládací vrstvy dat s vysokými plošnými hustotami, a také rozprašovacích elektrod pro vytváření takových magnetických ukládacích vrstev dat.
Dosavadní stav techniky
Aby se zvýšila plošná hustota magnetického záznamového média, musí se snížit velikost jednotlivých magnetických oblastí resp. domén v ukládací vrstvě média. To se může provést dosažením menších velikostí zrna v magnetické ukládací vrstvě. Aby se zachoval přijatelný koeficient tepelné stabiliy v každé magnetické dméně, když se její velikost zmenší, je žádoucí použít materiály s vysokými konstantami anizotropie.
Podle toho existuje potřeba zajistit magnetická záznamová média s menšími magnetickými doménami a přiatelnými koeficienty tepelné stability a také rozprašovací elektrody pro vytváření takových magnetických záznamových médií. Stávající vynález tyto potřeby uspokojuje a poskytuje rovněž další výhody.
Podstata vynálezu
V souladu se stávajícím vynálezem zahrnuje magnetická ukládací vrstva dat slitinu s vysokým Ku a nějakou sloučeninu kysličníku (kyslíku a buď jediného prvku nebo nějaké slitiny). Kvůli svým vysokým Ku mohou být magnetické domény této magnetické ukládací vrstvy dat vyrobeny značně menší při zachování přijatelného koeficientu tepelné stability kolem 50 až 70, aby poskytly plošné hustoty větší
- 2 • > ·· · · než 200 Gb/in2. Rozprašovací elektrody pro pokovování rozprašováním takovýchto magnetických ukládacích vrstev dat se poskytují také. Tyto rozprašovací elektrody zahrnují slitinu s vysokým Ku a buď žádoucí sloučeniny kysličníku nebo prvky pro okysličení při reaktivním procesu pokovování rozprašováním.
Podle jednoho provedení stávajícího vynálezu má magnetické záznamové médium magnetickou ukládací vrstvu dat, která obsahuje první slitinu, která má anizotropní konstantu alespoň 0,5 x 107 ergs/cm3, a sloučeninu kysličníku kyslíku a jednoho nebo několika prvků, kde alespoň jeden z jednoho nebo více prvků mají záporný redukční potenciál.
Podle dalšího provedení stávajícího vynálezu zahrnuje rozprašovací elektroda první sloučeninu, která má anizotropní konstantu alespoň sloučeninu kysličníku z kyslíku prvků, kde alespoň jeden z tohoto jednoho nebo několika prvků má záporný redukční potencíá.
Podle dalšího provedení stávajícího vynálezu zahrnuje rozprašovací elektroda první slitinu, která má anizotropní
0,5 x 10 ergs/cm a a jednoho nebo několika konstantu alespoň 0,5
107 ergs/cm3 a druhý materiál zahrnující jeden nebo více prvků, kde alespoň jeden z toho jednoho nebo více prvků má záporný redukční potencál.
Je třeba rozumět, že předchozí shrnutí vynálezu i následující podrobný popis jsou příkladné a vysvětlující a jsou určené k tomu, aby poskytly další vysvětlení vynálezu, jak je definován.
Stručný přehled obrázků na výkresech
Doprovodné výkresy, které jsou sem přičleněny, aby poskytly další porozumění vynálezu, a jsou začleněny a představují část těchto podloh, ilustrují tělesná provedení vynálezu a spolu s popisem slouží k vysvětlení podstaty vynálezu. Na těchto výkresech znázorňuje:
- 3 obrázek ΙΑ - magnetické záznamové médium podle jednoho provedení stávajícího vynálezu, obrázek 1B - magnetickou ukládací vrstvu dat podle jednoho aspektu stávajícího vynálezu, obrázek 2 - rozprašovací elektrodu podle dalšího provedení stávajícího vynálezu a obrázek 3 - rozprašovací elektrodu,která se rozprašuje pro vytvoření filmu podle jednoho aspektu stávajícího vynálezu.
Podrobný popis konkrétních rovedenivynálezu V následujícím podrobném popisu je vysvětlena řada specifických detailů pro ajištění plného pochopení stávajícího vynálezu. Pro toho, kdo je běžně znalý stavu techniky, však bude zřejmé, že stávající vynález může být prakticky realizován bez některých z těchto specifických detailů. V jiných případech nejsou do podrobností představeny dobře známé konstrukce a technologie, aby se vyhnulo nežádoucímu znejasnění stávajícího vynálezu.
Obrázek 1A ilustruje sloupec 100 magnetického záznamového média podle jednoho tělesného provedení stávajícího vynálezu. Sloupec 100 magnetického záznamového média zahrnuje podložku 101 (např. sklo nebo hliník), zárodečnou vrstvu 104, spodní vrstvu 105 a magnetickou ukádací vrstvu 106 dat. Sloupec 100 magnetického záznamového média může také zahrnovat jednu nebo více měkkých podkladových vrstev s jinými nebo bez jiných nemagnetických nebo magnetických vrstev, jako jsou vrstvy 102 a 103, uspořádaných na podložce 101. Sloupec 100 magnetického záznamového média může dále zahrnovat mazací vrstvu a grafitový potah s jinými nebo bez jiných magnetických nebo nemagnetických vrstev, jako jsou vrstvy 107 a 108.
Obrázek 1B ilustruje magnetickou ukládací vrstvu 106 dat v dalších podrobnostech. Magnetická ukládací vrstva 106 dat je zhotovená ze dvou odlišných materiálů, z nichž jeden je některá kysličníková sloučenina pro zjemnění velisti zrna magnetické ukládací vrstvy 106 dat, a z nichž druhý má vysokou konstantu anizotropie KH, aby zajisti přijatelný koeficient tepelné stability.
Přítomnost kysličníkové sloučeniny působí pro zjemnění velikosti zrna magnetické ukládací vrstvy 106 dat. To nastává jako následek toho, že je kysličníková sloučenina rozmístěná ve fázích 110 hranic zrn bohatých na kysličník, což působí pro oddělování magnetických zrn 109 od materiálu s vysokou Ku a tím přispívá k účinnému potlačení výměny magnetických domén a zlepšenému odstupu signálu od šumu respektive poměru signál-šum (SNR).
Podle jednoho aspektu je kysličnková sloučenina sloučenina kyslíku a jediného prvku se záporným redukčním potenciálem. Podle jiného aspektu je kysličníková sloučenina sloučenina kyslíku a několika prvků, z nichž alespoň jeden má záporný redukční potenciál. Tabulka 1 níže ilustruje počet kovů a polokovů, tzv. metaloidů, se zápornými redukčními potenciály, které jsou vhodné pro použití jako kysličník v magnetické ukládací vrstvě dat podle stávajícího vynálezu.
- 5 •4 4444
4 4
4 » 4 4 44 » 4 4 · » 4 4 <
44
Tabulka 1
| prvek | redukční potenciál (eV) | prvek | redukční potenciál (eV) |
| Li | -3,04 | Cd | -0,4025 |
| Be | -1, 97 | In | -0,33 |
| B | -0,89 | Cs | -2,923 |
| Na | -2,713 | Ba | -2,92 |
| Mg | -2,356 | La | -2,38 |
| AI | -1,676 | Ce | -2,34 |
| Si | -0,909 | Pr | -2,35 |
| K | -2,925 | Nd | -2,32 |
| Ca | -2,84 | Sm | -2,3 |
| Sc | -2,03 | Eu | -1, 99 |
| Ti | -0,86 | Tb | -2,31 |
| V | -0,236 | Gd | -2,28 |
| Cr | -0,74 | Ho | -2,33 |
| Fe | -0,04 | Er | -2,32 |
| Fe | -0,44 | Tm | -2,32 |
| Co | -0,28 | Yb | -2,22 |
| Ni | -0,257 | Lu | -2,3 |
| Zn | -0,792 | Hf | -1,7 |
| Ga | -0,53 | Ta | -0,81 |
| Rb | -2,924 | W | -0,09 |
| Sr | -2,89 | Pb | -0,125 |
| Y | -2,37 | Th | -1, 83 |
| Zr | -1, 55 | U | -1, 38 |
| Nb | -0, 65 |
Koeficient tepelné stability pro magnetické domény magnetické ukládací vrstvy 106 dat je dán rovnicí (1):
KuV/ksT kde Ku je konstanta anizotropie materiálu magnetické domény, V je velikost magnetické domény, ks je Bolzanova konstanta a T je teplota magnetické domény ve stupních ·«··
- 6 Kelvina. Jak může být vidět s odkazem na rovnici 1, když velikost V magnetické domény klesá, musí se konstanta anizotropie Ky zvyšovat, aby se zachoval týž koeficient tepelné stability. Podle toho dovoluje materiál s vysokou Ku magnetickým doménám magnetické ukládací vrstvy 106 dat, aby udržely přijatelný koeficient tepelné stability kolem 50 až 70, když se velikost magnetických domén zmenšuje.
Podle jednoho aspektu má materiál s vysokou Ku konstantu anizotropie alespoň 0,5 x 107 ergs/cm3. Například může být materiál s vysokou Ku vybraný z materiálů, jako jsou uspořádané intermetalické látky typu Ll0, uspořádané intermetalické látky HCP a jako jsou slitiny přechodových kovů vzácných zemin. Tabulka 2 níže ilustruje řadu materiálů s vysokými konstantami anizotropie, které jsou vhodné pro použití jako první materiál u magnetické ukládací vrstvě dat podle stávajícího vynálezu.
Tabulka 2
| systém slitiny | materiál | Ku(107 ergs/cm3) |
| uspořádané intermetalické látky typu Ll0 | FePd | 1,8 |
| FePt | 6,6-10 | |
| CoPt | 4, 9 | |
| MnAl | 1,7 | |
| uspořádané intermetalické látky HCP | Co3Pt | 2,0 |
| slitiny přechodových kovů vzácných zemin | Fei4Nd2B | 4,6 |
| SmCos | 11-20 |
Zatímco byl sloupec 100 magnetického záznamového média popisován s odkazem na vybrané uspořádání vrstev, bude pro toho, kdo má zkušenost ve stavu techniky, očividné, že rozsah stávajícího vynálezu není omezený na takovéto uspořádání. Stávající vynález má spíš uplatnění na magnetická záznamová média, která obsahují více nebo méně vrstev než sloupec 100 magnetických záznamových médií a ····
- Ί která jsou sestavena v jakémkoli uspořádání známém těm, kdo jsou znalí stavu techniky.
Obrátíme-li se na obrázek 2, je zde znázorněná rozprašovací elektroda 200 podle jednoho tělesného provedení stávajícího vynálezu. Rozprašovací elektroda 200 se může používat pro nanášení rozprašováním resp. pokovování rozprašováním nějakého filmu, jako je magnetická ukládací vrstva 106 dat. Podle jednoho provedení stávajícího vynálezu je rozprašovací elektroda 200 zhotovená ze dvou různých materiálů, z nichž jeden je nějaká kysličníková sloučenina (např. nějaký kysličník jednoho nebo několika z prvků vyjmenovaných v tabulce 1) pro jemnění velikosti zrna magnetické ukládací vrstvy dat nanesené z ní rozprašováním, zatímco ten druhý z nich má vysokou konstantu anizotropie Ku (např. jedna ze slitin uvedených v tablce 2) pro zajištění přijatelného koeficientu tepelné stability v magnetické ukládací vrstvě dat nanesené z ní rozprašováním. Podle jednoho aspektu se tyto dva materály v rozprašovací elektrodě 200 kombinují jako jediná slitina. Podle jiých aspektů mohou být tyto dva materiály poskytovány jako oddělené oblasti rozprašovací elektrody 200 nebo zkombinované jakýmkoli z řady jiných způsobů snadno zřejmých pro ty, kdo jsou znalí stavu techniky.
Podle jiného provedení stávajícího vynálezu, u kterého se rozprašovací elektroda 200 používá k reaktivnímu nanášení filmu rozprašováním za přítomnosti kyslíku, jako je magnetická ukládací vrstva 106 dat, nezahrnuje rozprašovací elektroda 200 kysličníkovou sloučeninu. Navíc k materiálu o vysoké Ku (např. jedné ze slitin vyjmenovaných v tabulce 2) zahrnuje rozprašovací elektroda 200 spíš druhý materiá vytvořeý z jednoho nebo více prvků, z nichž alespoň jeden má negativní redukční potenciál (např. jeden nebo několik z prvků uvedených v tabulce 1). Tento druhý materiál se bude spojovat s kyslíkem během procesu reaktivního rozprašování a • · · · tak zajišťovat kysličníkovou sloučeninu prozjemněni velikosti zrna magnetické ukládací vrstvy dat, která se z něj nanáší rozprašováním. Podle jednoho aspektu se tyto dva materiály kombinují v rozprašovací elektrodě 200 jako jediná slitina. Podle jiných aspektů mohou být tyto dva materiály poskytovány jako oddělené oblasti rozprašovací elektrody 200, nebo kombinované jakýmkoli jedním z řady jiných způsobů zřejmých snadno pro tykdo jsou znalí stavu techniky.
Obrázek 3 znázorňuje rozprašovací elektrodu 200, která se rozprašuje, aby se vytvořil na podložce 301 film 300 podle jednoho aspektu stávajícího vynálezu. Při tomto procesu nanášení rozprašováním se rozprašovací elektroda 200 ustaví do příslušné polohy v rozprašovací komoře 302 , která je zčásti vyplněná nějakým inertním plynem. Rozprašovací elektroda 200 se vystaví elektrickému poli, aby se inertní plyn vzbudil k vytvoření plazmy. Ionty uvnitř plazmy se srážejí s povrchem rozprašovací elektrody 200 a způsobují, že se z povrchu rozprašovací elektrody 200 emitují molekuly. Rozdíl v napětí mezi rozprašovací elektrodou 200 a podložkou 301 způsobuje, že emitované molekuly vytvářejí na povrchu podložky 301 požadovaný film.
Podle dalšího aspektu stávajícího vynálezu, u kterého se rozprašovací elektroda 200 rozprašuje reaktivně za přítomnosti kyslíku, je rozprašovací komora 302 zčásti vyplněná jak nějakým inertním plynem tak kyslíkem. Rozprašovací elektroda 200 je vystavená elektrickému poli, aby se vybudily specifické stavy obou plynů pro vytvoření plazmy. Některé z prvků se záporným redukčním potenciálem, které byly emitovány z rozprašovací elektrody 200, chemicky reagují s kyslíkem v plazmě a vytvářejí kysličníkové sloučeniny, které jsou uložené ve filmu 300 na povrchu podložky 301.
• · · ·
Zatímco stávající vynález byl podrobně popsán s odkazem na různé obrázky a tělesná provedení, je třeba chápat, že ta jsou pouze pro ilustrační účely a nemají se pokládat pro rozsah vynálezu za omezující. Může existovat mnoho dalších způsobů pro uskutečnění vynálezu. Tím, kdo má běžnou zkušenost ve stavu techniky, může být ve vynálezu provedeno mnoho změn a modifikací, aniž by došlo k odklonu od podstaty a rozsahu vynálezu.
Claims (20)
1. Magnetické záznamové médium, které má magnetickou ukládací vrstvu dat a tato magneticá ukládací vrstva dat zahrnuje první slitinu, která má anizotropní konstantu alespoň 0,5 x 106 7 ergs/cm3, a kysličníkovou sloučeninu kyslíku a jednoho nebo více prvků, kde alespoň jeden z tohoto jednoho nebo více prvků má záporný redukční potenciál.
2. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, v y značující se tím, že první slitina je vybraná ze skupiny sestávající z uspořádaných intermetalických látek typu Ll0, uspořádaných intermetalických látek HCP a slitin přechodových kovů vzácných zemin.
3. Magnetické značuj ící je rozmístěná po oddělují magnetická záznamové médium podle nároku 1, výše t í m, že kysličníková sloučenina hranicích zrn bohatých na oxid, které zrna první slitiny.
4. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že první slitina je vybraná ze skupiny sestávající z FePt, FePd, CoPt, MnAl, CoaPt, SmCos a Fei4Nd2B.
5. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, v y značující se tím, že alespoň jeden z jednoho nebo více prvků v kysličníkové sloučenině je nějaký kov nebo polokov.
6. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, v y značující se tím, že alespoň jeden z jednoho nebo více prvků v kysličníkové sloučenině je vybraný ze skupiny sestávající z lithia (Li), berylia (Be) bóru (B) ,
- 11 sodíku (Na), hořčíku (Mg), hliníku (Al), křemíku (Si), draslíku (K), vápníku (Ca), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), manganu (Mn), železa (Fe) , kobaltu (Co), niklu (Ni), zinku (Zn), gallia (Ga), rubidia (Rb) , stroncia (Sr), yttria (Y) , zirkonu (Zr), niobu (Nb), kadmia (Cd), india (In), cesia (Cs), baria (Ba), lanthanu (La) , céru (Ce), praseodymu (Pr), neodymu (Nd), samaria (Srn), europia (Eu), terbia (Tb) , gadolinia (Gd), holmia (Ho), erbia (Er), thalia (Tm), ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W) , olova (Pb), thoria (Th) a uranu (U) .
7. Rozprašovací elektroda zahrnující první slitinu, která má anizotropní konstantu alespoň 0,5 x 107 ergs/cm3 a kysličníkovou sloučeninu kyslíku a jednoho nebo více prvků, kde alespoň jeden z těchto jednoho nebo více prvků má záporný redukční potenciál.
8. Rozprašovací elektroda podle nároku 7, vyznačující se tím, že první slitina a klysličníková sloučenina jsou slitinové.
9. Rozprašovací elektroda podle nároku 7, vyznačující se tím, že první slitina je vybraná ze skupiny sestávající z uspořádaných intermetalických látek typu Ll0, uspořádaných intermetalických látek HCP a slitin přechodových kovů vzácných zemin.
10. Rozprašovací elektroda podle nároku 7, vyznačující se tím, že první slitina je vybraná ze skupiny sestávající z FePt, FePd, CoPt, MnAl, Co3Pt, SmCos a Fei4Nd2B.
• · · · • · · • · ··· • · · • · · • · ··
- 12
11. Rozprašovací elektroda podle nároku 7, vyznačující se tím, že alespoň jeden z jednoho nebo více prvků v kysličníkové sloučenině je kov nebo polokov.
12. Rozprašovací elektroda podle nároku 7, vyznačující se tím, že alespoň jeden z jednoho nebo více prvklů v kysličníkové sloučenině je vybraný ze skupiny sestávající z lithia (Li), berylia (Be) , bóru (B) , sodíku (Na), hořčíku (Mg), hliníku (AI), křemíku (Si), draslíku (K) , vápníku (Ca), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), manganu (Mn), železa (Fe), kobaltu (Co), niklu (Ni), zinku (Zn), gallia (Ga), rubidia (Rb), stroncia (Sr), yttria (Y), zirkonu (Zr), niobu (Nb), kadmia (Cd), india (In), cesia (Cs), baria (Ba), lanthanu (La), céru (Ce) , praseodymu (Pr), neodymu (Nd), samaria (Sm), europia (Eu) , terbia (Tb), gadolinia (Gd), holmia (Ho), erbia (Er), thalia (Tm), ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W), olova (Pb), thoria (Th) a uranu (U).
13. Film nanesený rozprašováním z rozprašovací elektrody podle nároku 7, vyznačující se tím, že kysličníkové sloučenina je ve filmu rozmístěná v hranicích zrn bohatých na oxid, které oddělují magnetická zrna první slitiny.
14. Rozprašovací elektroda zahrnující první slitinu, která má anizotropní konstantu alespoň 0,5 x 107 ergs/cm3 a druhý materiál obsahující jeden nebo více prvků, kde alespoň jeden z těchto jednoho nebo více prvků má záporný redukční potenciál.
15. Rozprašovací elektroda podle nároku 14, vyznačující se tím, že první slitina a druhý materiál jsou slitinové.
• ·
- 13
16. Rozprašovací elektroda podle nároku 14, vyznačující se tím, že první slitina je vybraná ze skupiny sestávající z uspořádaných intermetalických látek typu Ll0, uspořádaných intermetalických látek HCP a slitin přechodových kovů vzácných zemin.
17. Rozprašovací elektroda podle nároku 14, vyznačující se tím, že první slitina je vybraná ze skupiny sestávající z FePt, FePd, CoPt, MnAl, Co3Pt, SmCo5 a Fe1,)Nd2B.
18. Rozprašovací elektroda podle nároku 14, vyznačující se tím, že alespoň jeden z jednoho nebo více prvků v kysličníkové sloučenině je kov nebo polokov.
19. Rozprašovací elektroda podle nároku 14, vyznačující se tím, že alespoň jeden z jednoho nebo více prvklů v kysličníkové sloučenině je vybraný ze skupiny sestávající z lithia (Li), beryllia (Be), bóru (B) , sodíku (Na), hořčíku (Mg), hliníku (Al), křemíku (Si), draslíku (K) , vápníku (Ca), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), manganu (Mn), železa (Fe), kobaltu (Co), niklu (Ni), zinku (Zn), gallia (Ga), rubidia (Rb), stroncia (Sr) , yttria (Y) , zirkonu (Zr), niobu (Nb), kadmia (Cd), india (In), cesia (Cs), baria (Ba), lanthanu (La), céru (Ce) , praseodymu (Pr), neodymu (Nd), samaria (Srn), europia (Eu) , terbia (Tb), gadolinia (Gd), holmia (Ho), erbia (Er), thalia (Tm), ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W), olova (Pb), thoria (Th) a uranu (U).
20. Film nanesený reaktivním rozprašováním z rozprašovací elektrody podle nároku 14 za přítomnosti kyslíku, vyznačující se tím, že kysličníky
- 14 druhého materiálu jsou ve filmu rozmístěné v hranicích zrn bohatých na oxid, které odděluji magnetická zrna první slitiny.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/514,175 US20080057350A1 (en) | 2006-09-01 | 2006-09-01 | Magnetic media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2006643A3 true CZ2006643A3 (cs) | 2008-03-12 |
Family
ID=37216147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20060643A CZ2006643A3 (cs) | 2006-09-01 | 2006-10-11 | Magnetická média a rozprašovací elektrody s kompozicemi ze slitin o vysoké anizotropii a kyslicníkových sloucenin |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080057350A1 (cs) |
| EP (1) | EP1895518A1 (cs) |
| JP (1) | JP2008059733A (cs) |
| KR (1) | KR20080020926A (cs) |
| CN (1) | CN101136213A (cs) |
| CZ (1) | CZ2006643A3 (cs) |
| SG (1) | SG140517A1 (cs) |
| TW (1) | TW200814006A (cs) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5428995B2 (ja) * | 2010-03-28 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US20130034748A1 (en) * | 2010-04-23 | 2013-02-07 | Akita University | Magnetic recording medium and production method of magnetic recording medium |
| CN103081009B (zh) * | 2010-08-31 | 2016-05-18 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Fe-Pt型强磁性材料溅射靶 |
| CN103261471B (zh) * | 2010-12-20 | 2015-04-08 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Fe-Pt型强磁性材料溅射靶及其制造方法 |
| MY164370A (en) | 2010-12-20 | 2017-12-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Fe-pt-based sputtering target with dispersed c grains |
| MY154754A (en) | 2011-03-30 | 2015-07-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for magnetic recording film |
| JP5592022B2 (ja) | 2012-06-18 | 2014-09-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット |
| MY166492A (en) | 2012-07-20 | 2018-06-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same |
| JP5969120B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2016-08-17 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP6375719B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-08-22 | 富士電機株式会社 | 磁性薄膜および磁性薄膜を含む応用デバイス |
| JP6305881B2 (ja) * | 2014-09-05 | 2018-04-04 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
| JP6354508B2 (ja) | 2014-10-01 | 2018-07-11 | 富士電機株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JP6560497B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2019-08-14 | デクセリアルズ株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6042520B1 (ja) * | 2015-11-05 | 2016-12-14 | デクセリアルズ株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN108699677B (zh) * | 2016-02-19 | 2020-12-04 | 捷客斯金属株式会社 | 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 |
| JP6692724B2 (ja) | 2016-09-02 | 2020-05-13 | Ｊｘ金属株式会社 | 非磁性材料分散型Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
| CN108863358B (zh) * | 2018-07-11 | 2021-04-06 | 桂林电子科技大学 | 一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法 |
| TWI702294B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-08-21 | 日商田中貴金屬工業股份有限公司 | 磁氣記錄媒體用濺鍍靶 |
| CN110129759B (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-25 | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 | 一种用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材及其制备方法 |
| WO2021085410A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 田中貴金属工業株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003208710A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2003346318A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP4136590B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 配向膜、配向膜を利用した磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
| US7169488B2 (en) * | 2003-06-03 | 2007-01-30 | Seagate Technology Llc | Granular perpendicular media with surface treatment for improved magnetic properties and corrosion resistance |
| US20050106422A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Seagate Technology Llc | Thin film with exchange coupling between magnetic grains of the thin film |
| US8323808B2 (en) * | 2004-01-09 | 2012-12-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US20050202287A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Seagate Technology Llc | Thermally isolated granular media for heat assisted magnetic recording |
| JP4585214B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
| US20050255336A1 (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-17 | Fujitsu Limited | Perpendicular magnetic recording medium, method of producing the same, and magnetic storage device |
| US20050277002A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
| US20060110626A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Heraeus, Inc. | Carbon containing sputter target alloy compositions |
| US7429427B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-09-30 | Seagate Technology Llc | Granular magnetic recording media with improved grain segregation and corrosion resistance |
| US20060286414A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
-
2006
- 2006-09-01 US US11/514,175 patent/US20080057350A1/en not_active Abandoned
- 2006-10-11 CZ CZ20060643A patent/CZ2006643A3/cs unknown
- 2006-10-11 SG SG200607075-9A patent/SG140517A1/en unknown
- 2006-10-16 EP EP06255301A patent/EP1895518A1/en not_active Withdrawn
- 2006-10-17 KR KR1020060100712A patent/KR20080020926A/ko not_active Ceased
- 2006-10-19 TW TW095138573A patent/TW200814006A/zh unknown
- 2006-10-31 JP JP2006295752A patent/JP2008059733A/ja not_active Withdrawn
- 2006-11-06 CN CNA2006101598997A patent/CN101136213A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080020926A (ko) | 2008-03-06 |
| JP2008059733A (ja) | 2008-03-13 |
| SG140517A1 (en) | 2008-03-28 |
| US20080057350A1 (en) | 2008-03-06 |
| CN101136213A (zh) | 2008-03-05 |
| EP1895518A1 (en) | 2008-03-05 |
| TW200814006A (en) | 2008-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ2006643A3 (cs) | Magnetická média a rozprašovací elektrody s kompozicemi ze slitin o vysoké anizotropii a kyslicníkových sloucenin | |
| CN100523278C (zh) | 用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿 | |
| US20080131735A1 (en) | Ni-X, Ni-Y, and Ni-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording | |
| EP0991085B1 (en) | Corrosion-resisting permanent magnet and method for producing the same | |
| CZ2005482A3 (cs) | Materiál rozprasovací elektrody pro zlepsené magnetické vrstvy | |
| US20060234091A1 (en) | Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions | |
| CN105026589A (zh) | 烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶 | |
| CZ2005343A3 (cs) | Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody | |
| JPS62188745A (ja) | 永久磁石材料及びその製造方法 | |
| CZ2006126A3 (cs) | Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody | |
| JP2005210094A (ja) | 希土類磁石 | |
| EP1596372A1 (en) | Magnetic recording media | |
| WO1998009300A1 (fr) | Aimant permanent resistant a la corrosion et procede de fabrication dudit aimant | |
| HK1109818A (en) | Magnetic recording media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds | |
| JPH07283017A (ja) | 耐食性永久磁石及びその製造方法 | |
| JP4600332B2 (ja) | 磁石部材およびその製造方法 | |
| JP3652816B2 (ja) | 耐食性永久磁石及びその製造方法 | |
| JP5036207B2 (ja) | 磁石部材 | |
| JP3676513B2 (ja) | 耐食性永久磁石及びその製造方法 | |
| CN115410785A (zh) | 一种用于钐钴永磁材料表面防护的镀层及钐钴永磁材料表面的防护方法 | |
| HK1091236A (en) | Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions | |
| JPH0652569B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| HK1094833B (en) | Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films | |
| JPS63285736A (ja) | 薄膜作製用合金タ−ゲツト |