DD299011A7 - Anordnung zur erfassung von objekten - Google Patents

Anordnung zur erfassung von objekten Download PDF

Info

Publication number
DD299011A7
DD299011A7 DD32800789A DD32800789A DD299011A7 DD 299011 A7 DD299011 A7 DD 299011A7 DD 32800789 A DD32800789 A DD 32800789A DD 32800789 A DD32800789 A DD 32800789A DD 299011 A7 DD299011 A7 DD 299011A7
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
angle
reflection
crystal lattice
rotation
angles
Prior art date
Application number
DD32800789A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernd Kaempfe
Klaus Braemer
Jens Brechbuehl
Valeri Efanow
Guenther Koertel
Ulrike Wunderlich
Rolf Zenker
Original Assignee
Institut Fuer Mechanik,De
Institut Fuer Maschinenwesen "A. A. Blagonrawowa",Su
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institut Fuer Mechanik,De, Institut Fuer Maschinenwesen "A. A. Blagonrawowa",Su filed Critical Institut Fuer Mechanik,De
Priority to DD32800789A priority Critical patent/DD299011A7/de
Publication of DD299011A7 publication Critical patent/DD299011A7/de

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur roentgendiffraktometrischen Bestimmung der Summe von Normalspannungen, die in einer Oberflaechenebene von Werkstuecken bzw. Prueflingen liegen, welche aus kristallinen oder teilkristallinen Werkstoffen bestehen, insbesondere mit stark gestoerter oder grobkristalliner Struktur der Oberflaechenschicht, wobei der einer Art von Kristallgitterebenen zugeordnete Reflexionswinkel bei verschiedenen Drehwinkeln vermessen wird. Die Erfindung ist insbesondere anwendbar zur Bestimmung von Normalspannungen in Oberflaechenschichten, vorrangig beim Vorliegen von Spannungszustaenden mit nicht parallel bzw. nicht rechtwinklig zur Oberflaechenebene verlaufenden Hauptspannungsachsen. Gemaesz der Erfindung wird der Reflexionswinkel bei konstantem Kippwinkel bei bestimmten Drehwinkeln gemessen, wobei letztere sich aus einer gleichen Teilung des Vollkreises des Drehwinkels in drei bzw. vier Teile ergeben, und aus den gemessenen Reflexionswinkeln wird das arithmetische Mittel gebildet, welches einen mittleren Wert der kristallgitterdehnung bestimmt, aus dem sich die Summe der Normalspannungen bestimmen laeszt.{roentgendiffraktometrisches Verfahren; Summe; Normalspannungsbestimmung; Oberflaechenebene; oberflaechennahe Bereiche; kristalline Struktur; Kristallgitterebene; Reflexionswinkel; Kippwinkel; Drehwinkel; Kristallgitterdehnung}

Description

des Reflexionswinkels do für den unverzerrten Netzebenenabstand Differenzwerte Δ0 bestimmt, welche über βϊη'ψ aufgetragen, die bekannte sin'tp-Gerade ergeben. Aus deren Ordinatenabschnitt ist die Summe der Hauptspannungen bestimmbar, woraus in einem weiteren Schritt die Hauptspannungen und deren Winkel zum Hauptachsensystem ormittelbar sind.
Nach Dolle, H.; Hauk, V., „Röntgenographische Spannungsermittlung für Eigenspannungssysteme allgemeiner Orientierung", HTM 31 (1976) 3, S. 165-168, ist es weiterhin bekannt, unter der Voraussetzung einer beliebigen Lage der Hauptspannungsachsen und bei Kenntnis des unverzerrten Netzebenenabstandes den vollständigen Dehnungstensor zu bestimmen. Dabei werden in drei Drehwinkel-Einstellungen φ = 0°, 45°, 90° jeweils mindestens unter zwei verschiedenen Kippwinkeln die Reflexionswinkel vermessen, woraus Spannungsdifferenzen und -summen bestimmt werden. In einem weiteren Schritt werden hieraus die Hauptspannungen ermittelt.
Auch nach dem Verfahren nach Hauk, V.; Vaessen, G., „Auswertung nichtlinearer Gitterriahnungsverte.lungen", HTM-Beiheft 1982, S.38-48, zur Dehnungs- bzw. Spannungsermittlung werden unter Drehwinkelstellungen von φ = 0°, 45°, 90° bzw. 0° und 90° verschiedene Kippwinkel (positive und negative Kippwinkel) eingestellt.
Vorstehende bekannte Verfahren sind mit verschiedenen Nachteilen behaftet. Gemeinsam ist ihnen, daß Vermessungen der Reflexionswinkel mit unterschiedlichen Kippwinkel-Einstellungen erfolgen. Dabie treten systematische Meßfehler auf, die insbesondere beim Vorliegen breiter Reflexe, wie sie bei Prüflingen mit stark gestörter kristalliner Struktur entstehen, ergebnisverfälschend wirken. Da weiterhin die Eindringtiefe der Röntgenstrahlung in den Prüfling vom Kippwinkel abhängig ist, werden bei unterschiedlichen Kippwinkel-Einsteilungen unterschiedliche Prüflingstiefun angeregt. Oberflächenschichten mit stark gestörter kristalliner Struktur weisen i. d. R. starke Eigenspannungsgradienten in die Prüflingstiefe auf, so daß bei der Spannungsbestimmung aus Meßwerten mit variablem Kippwinkel teilweise erhebliche Fehler auftreten.
Die Notwendigkeit der Einstellung verschiedener Kippwinkel erschwert weiterhin die Automatisierung des gesamten Meßvorganges. Außerdem in bei vorstehenden bekannten Verfahren der meßtechnische Aufwand relativ hoch, da eine größere Anzahl von Meßwerten genommen werden muß.
Weiterhin ist ein Verfahren zur röntgenographischen Spannungsanalyse, insbesondere bei lokalen Spannungsverteilungen bekannt (DD-PS 259919), wobei der Prüfling zunächst mit einer Hauptspannungskomponente so justiert wird, daß der Drehwinkel φ = 90° ist. Anschließend wird ein spezieller Kippwinkel ermittelt und eingestellt. Aus dem registrierten Reflexionswinkel kann nun die Hauptspannungskomponente berechnet warden.
Dieses Verfahren setzt die Kenntnis der Lage mindestens einer Hauptspannugnskomponente voraus. Es ist weiterhin nicht für die Ermittlung der Summe von Normalspannungen bei beliebiger Lage der Hauptspannungsachsen vorgesehen und geeignet.
Des weiteren ist das Verfahren an bestimmte Kippwinkel gebunden, die ggf. unter der Voraussetzung grobkörniger Werkstoffe zu nicht auswertbaren Reflexionserscheinungen führen.
Ziel der Erfindung
Es ist Ziel der Erfindung, ein Verfahren zur Bestimmung von Summen von Normalspannungen mittels Röntgendiffraktion anzugeben, wobei in einem einfachen, leicht auswertenden und zu automatisierenden Meßzyklus Ungenauigkeiton und Meßfehler weitgehend vermieden sind.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Bestimmung der Summe von Normalspannungen, die in einer Oberflächenebene bzw. in oberflächennahen Sereichen von Werkstücken bzw. Prüflingen liegen, welche aus Werkstoffen mit kristalliner oder teilkristalliner Struktur bestehen, insbesondere mit stark gestörter oder grobkristalliner Struktur der Oberflächenschicht, wobei der einer Art von Kristallgitterebenen zugeordnete Reflexionswinkel bei verschiedenen Drehwinkeln vermessen wird, zu schaffen, wobei zwecks Erfassung des gesamten unverfälschten Spannungszustandes im oberflächennahen Bereich alle Messungen des Reflexionswinkels bei einer konstanten, durch den Röntgenprimärstrahl angeregten Prüflingstiefe erfolgen.
Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß der Reflexionswinkel bei konstantem Kippwinkel bei bestimmten Drehwinkeln gemessen wird, wobei letztere sich aus einer gleichen Teilung des Vollkreises des Drehwinkels in drei bzw. vier Teile (bzw. ganzzahlige Vielfache davon) ergeben, und anschließend aus den gemessenen Reflexionswinkeln das arithmetische Mittel gebildet wird, welches einen mittleren Wert der Kristallgitterdehnung bestimmt, aus dem sich nach bekannten Beziehungen der linearen Elastizitätstheorie die Summe der in der Oberfläche bzw. im oberflächennahen Bereich liegenden Normalspannungen
O11 + σ22 =
—S2 —sin2 ψ + Si 2 2
bestimmen läßt,
(wobei —S2 und Si die bekannten röntgenographischen Elastizitätskonstanten sind).
Für den Fall des unbekannten Reflexionswinkels des spannungsfreien Zustandes wird zweckmäßigerweise die Summe der Normalspannugnen aus der Differenz zweier mittlerer Werte der Kristallgitterdehnung bestimmt, wobei der erste mittlere Wert Kristallgitterdehnung aus einem ersten Meßzyklus mit einem ersten konstanten Kippwinkel,- bei dem ein erstes arithmetisches Mittel des Reflexionswinkels bestimmt wird - und der zweite mittlere Wert der Kristallgitterdehnung aus einem zweiten Meßzyklus mit einem zweiten konstanten Kippwinkel - bei dem ein zweites arithmetisches Mittel des Reflexionswinkels bestimmt wird - resultiert.
In einer zweckmäßigen Variante kann die Bildung des Mittels des Reflexionswinkels durch eine integrierende Messung über alle Drehwinkel erfolgen, indem Werkstück bzw. Prüfling während der Vermessung der Reflexionswinkel eine steiige vollständige Umdrehung ausführen.
Ausführungsbeispiel
Die Erfindung wird nachfolgend an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert.
I.Beispiel
Die Untersuchung wird an einem grobkristallinen Polykristall aus Nickel durchgeführt, dessen mittlere Korngröße metallographisch mit 22μηι bestimmt wurde.
Mit einem Zählrohrdiffraktometer ergibt sich unter Verwendung von CuK0 !-Strahlung bei Beugung an den (420)-Kristallgitterebenen im eigenspannungsfreien Zustand ein Wert für den Reflexionswinkel θ0 = 77,837°. Anschließend wird der Prüfling einer mechanischen Erm'idungsbeanspruchung (einachsige Belastung mit 300 Zug-Druck-Zyklen mit konstanter plastischer Dehnungsamplitude ε, = 1,5 χ 10~3 und Entlastung nach maximalem Zug) unterzogen, wodurch sich im Prüfling ein Eigenspannungszustand einstellt, von dem die Summe der Normalspannungen in der Oberflächenebene On + 022 = σφο + σφο + 90» bestimmt wird. Erfindungsgemäß wird wie folgt vorgegangen: Die Bestimmung der Reflexionswinkel θ erfolgt mit einem Zählrohrdiffraktometer. Dabei wird der Prüfling aus der üblichen symmetrischen Reflexionsstellung um den Kippwinkel ψ = 60° verkippt und unter Verwendung der CuKa,-Strahlung mit (420)-Reflex bei bestimmten Drehwinkeln φ der Reflexionswinkel θ vermessen.
Diese bestimmten Drehwinkel φ ergeben sich aus einer gleichen Teilung des Vollkreises des Drehwinkels φ in drei bzw. vierTeile. In einem ersten Fall wird von drei Teilen bei einem Ausgangsdrehwinkel <p0 = 0° ausgegangen, d. h. der Reflexionswinkel θ wird jeweils in den Drehwjnkelstellungentpo = 0°, ψο + 120°, φ0 + 240° vermessen. Aus den gemessenen Werten bildet man das arithmetische Mittel θ des Reflexionswinkels
θ *—^ (1)
mit 77,844°. Dieses arithmetische Mittel θ bestimmt infolge der Abhängigkeit
-cot»,, (θ - θ0) = ε (2)
einen mittleren Wert der Kristallgitterdehnung ε, aus dem sich nach an sich bekannten Beziehungen der linearen Elastizitätstheorie die Summe der Normalspannungen bestimmen läßt:
On + O22 = (3)
-S2- -sin'HJ + s,
Dieser Wert wurde für den ersten Fall mit -26,4 N/mm2 ermittelt. Dabei wurden die röntgenographischen Elastizitätskonstanten —S2 und s, aus V.Hauk, E. Macherauch: „A useful Guide for X-Ray Stress Evaluation", Adv. X-Ray Anal. Vol. 27 (1984) p.93, zu
s, = -1,48-10-emm2/N -S2 = 6,61 · 10"emm2/N
übernommen.
Zum Nachweis, daß das erfindungsgemäße Verfahren auch für grobkristalline Prüflinge zur Bestimmung von Spannungen 1. Art (die über viele Kristallite mitteln und daher über makroskopische PrüflingsLereiche konstant sind) geeignet ist, werden mehrere Meßzyklen bei verschiedenen Werten für den Ausgangsdrehwinkel φ0 und bei unterschiedlichen Drehwinkeleinstellungen durchgeführt.
Dazu wird in einem zweiten Fall von einem Ausgangsdrehwinkel φ0 = 60° bei gleichfalls drei Teilen des Vollkreises ausgegangen, wobei das arithmetische Mittel θ des Reflexionswinkels mit 77,845° bestimmt wird. Als Summe der Normalspannungen ermittelt man-30,1 N/mm2.
In einem dritten Fall wird von einem Ausgangsdrehwinkel φ0 = 30° und einer Teilung des Vollkreises in vier Teile ausgegangen, d.h. der Reflexionswinkel θ wird jeweils in den Drehwinkelstellungen φο = 30', ψο + 90°, φο + 180°, φ0 + 270° vermessen, und das arithmetische Mittel des Reflexionswinkels mit 77,844° bestimmt. Daraus ermittelt man die Summe der Normalspannungen mit-26,4N/mm2.
In einem vierten Fall wird bei einem Ausgangsdrehwinkel φ0 = 45° und gleicher Teilung des Vollkreises in vier Teile des arithmetische Mittel θ des Reflexionswinkels zu 77,844° bestimmt, woraus die Normalspannungssumme von -26,4N/mm2 bestimmbar ist.
Vorstehende Ergebnisse zeigen gute Übereinstimmung.
2.Beispiel
Für den Fall, daß der Reflexionswinkel O0 des spannungsfreien Zustandes unbekannt ist, wird die Summe der Normalspannungen an + σ22 in Durchführung und Auswertung von zwei Meßzyklen bestimmt.
Ein erster Meßzyklus könnte beispielsweise dem Fall 1 des 1. Beispiels entsprechen, d. h. es werden unter einem ersten konstanten Kippwinkel ψι = 60°die Reflexionswinkel öbei den Drehwinkeln ψο = 0°,φ0 + 120°, φ0 + 240°vermessen und daraus ein erstes arithmetisches Mittel θψ) des Reflexionswinkels bestimmt. Hieraus leitet sich ein erster mittlerer Wert der Kristallgitterdehnung ϋψ,
ab, d. h. der unbekannte Reflexionswinkel^ im Argument des Kotangens wird in guter Näherung durch den arithmetischen Mittelwert der arithmetischen Mittel θψ), θψ2 der Reflexionswinkel beider Meßzyklen ersetzt.
In einem zweiten Meßzyklus wird anschließend ein zweiter konstanter Kippwinkel ψ2 = 30° eingestellt und d|o Reflexionswinkel θ werden unter analogen Bedingungen gemessen. Hieraus bestimmt sich ein zweites arithmetisches Mittel θ,,,2 des Reflexionswinkels, woraus sich ein zweiter mittlerer Wert der Kristallgitterdehnung εψ2
εψ2 = cot \ j θο - cot \ ) θΨ
(5)
ableiten läßt.
Durch Bildung der Differenz beider mittlerer Werte der Kristallgitterdehnung εψι, ϋψ2 läßt sich nun die Summe der Normalspannungen bestimmen:
σ,, + σ22 = ^^ (6)
— s2· —(sin2ψ, -sinfya)
θψ2)
— s2· — (sinfy, -8ίη2ψ2)
In einer vorteilhaften Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Bildung des Mittels θ des Reflexionswinkels durch eine integrierende Messung über alle Drehwinkel φ durchgeführt, indem Werkstück bzw. Prüfling während der Vermessung der Reflexionswinkel θ eine stetige vollständige Umdrehung ausführen.

Claims (3)

1. Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Bestimmung der Summe von Normalspannungen, die in einer Oberflächenebene bzw. in oberflächennahen Bereichen von Werkstücken bzw. Prüflingen liegen, welche aus Werkstoffen mit kristalliner oder teilkristalliner Struktur bestehen, insbesondere mit stark gestörter oder grobkristalliner Struktur der Oberlfächenschicht, wobei der einer Art von Kristallgittorebenen zugeordnete Reflexionswinkel bei verschiedenen Drehwinkeln vermessen wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflexionswinkel (θ) bei konstantem Kippwinkel (ψ) bei bestimmten Drehwinkeln (φ) gemessen wird, wobei letztere sich aus einer gleichen Teilung des Vollkreises des Drehwinkels (φ) in drei bzw. vier Teile (bzw. ganzzahlige Vielfache davon^ergeben, und anschließend aus den gemessenen Reflexionswinkeln (θ) das arithmetische Mittel (θ) gebildet wird, welches einen mittleren Wert der Kristallgitterdehnung (ε) bestimmt, aus dem sich nach an sich bekannten Beziehungen der linearen Elastizitätstheorie die Summe der in der Oberfläche bzw. im oberflächennahen Bereich liegenden Normalspannungen (ση + σ22)
ση + σ22 =
-1δ2·-1-5ϊη2ψ +
bestimmen läßt,
(wobei —s2 und Si die bekannten röntgenographischen Elastizitätskonstanten sind).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei unbekanntem Reflexionswinkel (θ0) des spannungsfreien Zustandes die Summe der Normalspannungen {ou + σ22) aus der Differenz zweier mittlerer Werte der Kristallgitterdehnung (εψ1 + £ψ2) bestimmt wird, wobei der erste mittlere Wert der Kristallgitterdehnung (εψ1) aus einem ersten Meßzyklus mit einem ersten konstanten Kippwinkel (ψι), - bei dem ein erstes arithmetisches Mittel (θψ1) des Reflexionswinkels bestimmt wird-und der zweite mittlere Wert der Kristallgitterdehnung (εψ2) aus einem zweiten Meßzyklus mit einem zweiten konstanten Kippwinkel (ψ2),- bei dem ein zweites arithmetisches Mittel (θψ2) des Reflexionswinkels bestimmt wird - resultiert. _
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bildung des Mittels (θ) des Reflexionswinkels durch eine integrierende Messung über alle Drehwinkel (φ) erfolgt, indem Werkstück bzw. Prüfling während der Vermessung der Reflexionswinkel (θ) eine stetige vollständige Umdrehung ausführen.
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Bestimmung der Summe von Normalspannungen, die in einer Oberflächenebene bzw. in oberflächennahen Bereichen von Werkstücken bzw. Prüflingen liegen, welche aus Werkstoffen mit kristalliner oder teilkristalliner Struktur bestehen, insbesondere mit stark gestörter oder grobkristalliner Struktur der Oberflächenschicht, wobei der einer Art von Kristallgitterebenen zugeordnete Reflexionswinkel bei verschiedenen Drehwinkeln vermessen wird.
Die Erfindung ist anwendbar zur Bestimmung der Größe von Normalspannungen in Oberflächenschichten von Werkstücken bzw. Prüflingen, insbesondere beim Vorliegen solcher Spannungszustände, bei denen die Hauptspannungsachsen nicht parallel bzw. nicht rechtwinklig zur Oberlfächenebene verlaufen.
Vorrangig ist die Erfindung anwendbar zur Beurteilung von Eigenspannungen, die sich nach Elektronenstrahl-, Laserstrahl- und Plasmastrahl-Behandlung, bzw. nach Oberflächenhärtung, mechanischer Bearbeitung oder Verschleiß einstellen. Vorteilhaft ist die Erfindung weiterhin anwendbar bei der Eigenspannungsermittlung an Werkstücken/Prüflingen mit grobkristallinem Aufbau, an denen mittels bekannter Verfahren der röntgenographisclien Spannungsermittlung wegen zu geringer Zahl der in den Meßvorgang einbezogenen Kristallite kein repräsentativer Meßwert für eine statistisch gesicherte Ermittlung mechanischer Spannungen 1. Art entsteht.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Nach dem üblichen sinfy-Verfahren (Macherauch, E.; Müller, P., „Das sin^-Verfahren der röntgenograr. hischen Spannungsmessung", Zeitschr. angew. Phys. 13 (1961), S. 305-315) wird unter der Voraussetzung, daO zwei Hauptspannungsachsen in der Oberflächenebene des Prüflings verlaufen und eine Spannungskomponente rechtwinklig zur Oberflächenebens vernachlässigbar ist, der einer Art von Kristallgitterebenen zugeordnete Reflexionswinkel θ bei unterschiedlichen Kippwinkeln ψ des Röntgenprimärstrahls zur Oborflächenebene aufgenommen, wobei bei diesem Meßvorgar.g uer Drehwinkel φ konstant gehalten wird. Aus den Meßwerten für den Roflexionswinkel v/erden unter Verwendung
DD32800789A 1989-04-27 1989-04-27 Anordnung zur erfassung von objekten DD299011A7 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD32800789A DD299011A7 (de) 1989-04-27 1989-04-27 Anordnung zur erfassung von objekten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD32800789A DD299011A7 (de) 1989-04-27 1989-04-27 Anordnung zur erfassung von objekten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD299011A7 true DD299011A7 (de) 1992-03-26

Family

ID=5608747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD32800789A DD299011A7 (de) 1989-04-27 1989-04-27 Anordnung zur erfassung von objekten

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD299011A7 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2618953A1 (de) Polarimeter
DE69117827T2 (de) Vorrichtung für Röntgen-Diffraktometrie und Verwendung der Vorrichtung
WO1999008070A1 (de) Verfahren zur korrektur der messfehler einer koordinaten-messmaschine
DE4303091A1 (de)
DE2621940A1 (de) Verfahren und einrichtung zum messen der anisotropie der reflexionsfaehigkeit
DE102022101676B4 (de) Verfahren und Einrichtung zur ODMR-Messung eines Magnetfeldes mittels linear polarisiertem Licht ohne Referenz-Magnetfeld
DE2802176C3 (de) Kraftmeßgerät in Dehnungsmeßstreifentechnik, insbesondere für die Untersuchung von Werkstoffprüfmaschinen
EP0372112A1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Messung mechanischer Eigenspannungen eines ferromagnetischen Körpers
DE102015005231A1 (de) Verfahren zum Messen der Kreisteilungsfehler von Flanken eines Werkstücks
DE69510734T2 (de) Röntgenspektrometer mit streifendem ausfallwinkel
WO2023046751A1 (de) Verfahren zur ermittlung der bruchmechanischen beanspruchung mindestens eines risses bei belastung eines bauteils, computerprogrammprodukt und vorrichtung zur durchführung des verfahrens, sowie deren verwendung
DD299012A7 (de) Verfahren zur pruefung von spannungszustaenden in prueflingen
DD301127A7 (de) Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Bestimmung des Reflexionswinkelsfür den dehnungsfreien Kristallgitterabstand
DD270450A3 (de) Verfahren zur röntgenographischen Bestimmung von Scherspannungen
DE4220544A1 (de) Verfahren zum Messen mechanischer Spannungskomponenten an der Oberfläche von dynamisch belasteten Meßobjekten
DE19907453B4 (de) Verfahren zur Bestimmung der Orientierung von Einkristallen
DD270450C2 (de) Verfahren zur roentgenographischen bestimmung von scherspannungen
DE308106C (de)
DD286216A5 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der ersten invarianten des verzerrungstensors
DE102019117193A1 (de) Sensorvorrichtung zur Bestimmung einer Wegstrecke, einer Fläche oder eines Volumens
DE10065277B4 (de) Verfahren zur Analyse von Eigenspannungen in metallischen Werkstoffen mittels hochenergetischer Photonen
DD231651A1 (de) Verfahren zur bestimmung der querkontraktionszahl von kristallinen prueflingen
DE19719473C2 (de) Verfahren zur röntgendiffraktometrischen, zerstörungsfreien Bestimmung von dehnungsfreien Gitterparametern und/oder mechanischen Spannungszuständen
DE3816081C2 (de)
DE3740614C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur beruehrungsfreien Messung mechanischer Spannungen an schnell bewegten Objekten mit kristalliner Struktur

Legal Events

Date Code Title Description
A7 Published as exclusive patent
NAB Public notice for inspection of provisional exclusive patent accord. to par 17/1 dd-patg.
RPI Change in the person, name or address of the patentee (searches according to art. 11 and 12 extension act)
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee