DK151899B - Fremgangsmaade til fremstilling af baand af elektrisk ledende staal orienteret i en retning og med en hoej magnetisk induktion - Google Patents

Description

DK 151899 B

Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af bånd af elektrisk ledende stål orienteret i én retning og med en magnetisk induktion, der er større end 1,85 Wb/m2, ved hvilken fremgangsmåde et s i 1 i c ium-stå1 råmater i ale indeholdende mindre 5 end 4% Si, 0,005-0,1¾ S og/eller Se, 0,20-0,2¾ Mn og mindre end 0,06¾ C varmvalses og gentagne gange udglødes og koldvalses for frembringelse af en koldvalset stål plade med en vis s 1 ut tykke 1 se, og denne plade underkastes afku 1ningsudg1ødning og en sidste udglødning til dannelse af sekundært rekrystal!i -10 serede korn af (110)[001] orientering.

Stålbånd orienteret i én retning anvendes hovedsageligt i transformatorjernkerner og andre elektriske komponenter. Stålplader, der har en høj magnetisk induktion, et lavt jerntab og en lav magnetostriktion, er meget efterspurgte.

De magnetiske egenskaber repræsenteres i almindelighed ved B8 -værdi, dvs. den magnetiske induktion ved en feltstyrke på 800 A/m.

20 Til opnåelse af orienterede si 1iciumholdige stålbånd med en

Bg-værdi, der er større end 1,85 Wb/m2' er det nødvendigt, at den sekundære rekrystal1 isation foretages fuldstændigt i det sidste udglødningstrin for fuldstændig (100)[001] orientering. Til dette formål undertrykkes væksten af de primært rekrystal-25 liserede korn, indtil der indtræder en høj temperatur, ved hvilken den sekundære rekrysta11 i sat ion finder sted.

Undertrykkelsen af den normale vækst af primært rekrystal!ise-rede korn realiseres ved hjælp af MnS, MnSe eller lignende. I 30 en konventionel proces, hvori de spredte udfældninger anvendes, er aggregationen af de sekundært rekrystal!iserede korn af (100)[001] orientering ikke tilstrækkelig, og der opnås kun en Bg-værdi på omkring 1,85 Wb/m2.

Fra U.S.A. patentskrift nr. 3.287.183 kendes udfældningspro-35 dukter til opnåelse af meget høj aggregering af de sekundært rekrysta11iserede korn af (100)[001] orientering. Den komplementære tilsætning af A1N kombineret med det sædvanlige middel 2

DK 151899B

til undertrykkelse af kornvækst, såsom S, Se eller Te, har givet anledning til mærkbare forøgelser af Bg ud over 1,85 Wb/m2. Sådanne processer er karakteriseret ved, at der ved en begrænset temperatur foretages en udglødning før den sidste 5 koldvalsning for findeling af A1N, og at der dernæst foretages en sidste koldvalsning med et snævert interval af høj reduktion. Sådanne midler er imidlertid ikke til strækkeligt stabile for kommerciel produktion.

Formålet med opfindelsen er at anvise en fremgangsmåde til fremstilling af stålbånd med en induktion, der er større end 1,85 Wb/m2' i procestrin, hvilken fremgangsmåde giver så ensartede resultater, at den vil kunne anvendes kommercielt.

Fremgangsmåden er ifølge opfindelsen ejendommelig ved, at der 15 anvendes et si 1iciumholdigt stål råmateriale, som indeholder mindst ét af grundstofferne As, Bi, Pb, P og Sn, i det følgende betegnet med Xi i en samlet mængde på 0,015-0,4% og/el-ler mindst ét af grundstofferne Ni og Cu, i det følgende betegnet med Xj i en samlet mængde på 0,2-1,0%, og at den sidste 20 koldvalsning foretages ved en va1sningsreduktion på 40-80%, og at de sekundært rekrystal1iserede korn dannes fuldstændigt ved en temperatur på 800-920°C i det sidste udglødningstrin.

Endelig kan det siliciumholdige stålråmateriale i ndeholde 25 0,005-0,1% Sb.

Opfindelsen skal nærmere forklares i det følgende under henvisning til tegningen, hvor fig. 1A og IB viser indvirkningerne af Se+S og Xi eller af 30

Se+S og Xj indeholdt i et si 1iciumholdigt stålråmateriale på den magnetiske induktion Bg af et elektrisk stålark fremstil-let ud fra råmaterialet, fig. 2 den magnetiske induktion som funktion af Sb-indholdet, 35 fig. 3 den magnetiske induktion som funktion af den sidste 1 koldvalsning, 3

DK 15t899B

fig. 4 indvirkningen af temperaturen ved den anden rekrystal-1 isationsudglødning på den magnetiske induktion Bg i stålmaterialer, der indeholder forskellige elementer, 5 fig. 5A og 5B indvirkningerne af kombinationer af reduktionsgrader ved den første og ved den anden koldvalsning og ved den anden rekrystal1isationsudgløsningstemperatur på den magnetiske induktion Bg i to ståltyper.

Fig. 1A og IB viser indvirkningerne af SE+S og Xi (As, Bi, Pb, 10 P og Sn) eller indvirkningerne af SE+S og Xj (Cu og Ni) i si-1iciumholdigt stålråmateriale på den magnetiske induktion Bg af en stålplade, der er behandlet på en måde, som vil blive beskrevet i det følgende. En stålstøbeblok indeholdende omkring 3% Si blev varmvalset til dannelse af en plade, med en 15 tykkelse på omkring 3 mm. Pladen blev udglødet ved 900°C i 5 minutter og koldvalset til en reduktionsgrad på 50-83%. Derefter blev stålet igen udglødet ved 920eC i 5 minutter og til sidst koldvalset til en reduktionsgrad på 40-80% for frembringelse af en plade af en sluttykkelse på 0,30-0,35 mm. Det 20 koldvalsede stål blev derefter underkastet afkarboniserings- udglødning ved 820°C i befugtet hydrogen. Dernæst blev stålet underkastet sekundær rekrystallisations-udglødning ved 860°C i 50 timer og så en rensnings-udglødning ved 1200°C i 5 timer i tør hydrogen. Det fremgår af fig. 1A og IB, at der kan opnås 25 et stålark med en ualmindelig god Bg-værdi, når stål råmateri-alet indeholder 0,005-0,1% Se+S og desuden indeholder 0,015-0,4% Xi eller 0,2-1,0% X j. Når indholdet af Xi er for stort, er der imidlertid en vis tilbøjelighed til brud under koldvalsning. Et Xi-indhold på mindre end 0,2% er derfor at 30 foretrække. Det er velkendt, at legeringselementers indvirkning på Bg-værdien forekommer, når Si-procenten i stålråmaterialet, koldvalsningens reduktionsgrad, temperaturen og tiden for mellemglødningen, afkarboniseringsudglødningen, temperaturen og tiden for den sekundære rekrystallisations-udglødning 35 og den sidste rensnings-udglødning varieres meget fra den ovenfor beskrevne udførelsesform. Intervallet eller det foretrukne interval for disse parametre vil blive beskrevet i det 4

DK 151899B

følgende. Ifølge opfindelsen må stål råmaterialet imidlertid indeholde Se og/eller s og desuden Xi eller Xj i de ovenfor nævnte intervaller. Når råmaterialet indeholder disse elementer i disse intervaller, opnås den tilsigtede virkning. Derud- 5 over kan Xi og Xj forekomme samtidigt i stål råmaterialet i de ovenfor beskrevne intervaller for opnåelse af den tilsigtede virkning. Ifølge opfindelsen er mængden af Si mindre end 4% og mængden af C mindre end 0,06%. Hvis mængderne af Si og C overstiger disse værdier, vil der forekomme brud under koldvals-10 ningen. Dertil kommer, at virkningsgraden af de efterfølgende afkarbon i serings-udglødninger nedsættes.

Stål råmaterialet ifølge opfindelsen kan udover Si, C, Se og-/eller S og Xi og/eller Xj indeholde de velkendte elementer, som almindeligvis tilsættes si 1iciumholdigt stål. Eksempelvis kan man med fordel tilsætte omkring 0,02-0,2% Mn til råmaterialet for forebyggelse af brud i varmbearbejdningen eller til undertrykkelse af væksten af primære korn som følge af dannelsen af MnS (eller Se). Det kan også være en fordel, at Te, som 20 er velkendt som middel til undertrykkelse af vækst af primære korn, erstattes af samme mængde Se eller S eller tilføjes til råmaterialet ud over Se eller S. En meget lille mængde Al, som forbliver i råmaterialet efter anvendelsen af Al som afiltningsmiddel, skader ikke den tilsigtede virkning.

25

Det andet aspekt ved opfindelsen ligger i, at der ud over de elementer, der anvendes i forbindelse med den første udførelsesform, også tilsættes Sb. Det er dog nødvendigt, at den tilsatte mængde Sb ligger i intervallet 0,005-0,2%. Årsagen til denne begrænsning vil blive forklaret under henvisning til 30 .

fig. 2.

Fig. 2 viser Sb's indvirkning på Be for det tilfælde, hvor et varmvalset råmateriale, der indeholder 3% Si, 0,03% C, 0,06%

Mn, 0,003% S, 0,020% Se, 0,012% P og 0,020% As (dvs. 0,032% 35 Xi), behandles på samme måde som den i fig. 1 viste udførelsesform. Som det fremgår af fig. 2, opnås der en høj Bg-værdi på 1,85-1,95 Wb/m2 med Sb-indholdet liggende i intervallet 0,005-0,20%. Når Sb-indholdet er mindre end 0,005% eller over-ςίι'ηρη O . ? Π Se . npris se ftpc; Rfl.

DK 151899 B

5 Råmaterialet ifølge opfindelsen indeholder de ovennævnte elementer i de ovennævnte mængder. Ifølge opfindelsen underkastes dette råmateriale de ovennævnte procestrin, hvorved der frembringes et slutprodukt med en høj Eg-værdi.

5

Betingelsen for at kunne udføre hvert trin vil blive beskrevet detaljeret i det følgende.

a) Den sidste koldvalsnings reduktionsgrad: 10 Fig. 3 viser den magnetiske induktion Bg for et stålark, som er fremstillet på en måde, som vil blive beskrevet i det følgende, som funktion af den sidste koldvalsningsgrad.

Et varmvalset bånd, som havde en tykkelse på 2-5 mm, og som 15 indeholdt 0,033% 0, 3,00% Se, 0,05% Mn, 0,003% S, 0,02% Se, 0,03% As og 0,03% Sb, blev udglødet ved 920°C i 3 minutter og koldvalset til en reduktionsgrad på 40-85%. Det koldvalsede bånd blev derefter udglødet ved 920°C i 5 minutter og underkastet en sidste koldvalsning ved at variere valsningsgraden i n-2Q denfor intervallet 35-88% til dannelse af et koldvalset stålbånd af en sluttykkelse på 0,30-0,35 mm. Derefter blev det koldvalsede stålbånd afsluttet ved 820eC i befugtet hydrogen og dernæst underkastet en sekundær rekrystal1 isat ionsudgl ødning ved 850°C i 50 timer og til sidst underkastet en rens-25 nings-udglødning ved 1200°C i 5 timer i tør hydrogen til dannelse af det elektrisk ledende stålbånd. Som det fremgår af fig. 3, overstiger Βζ 1,85 Wb/ma, når den sidste koldvalsningsgrad er 40% eller mere. Medens den sekundære rekrystalli-sation vil være fuldstændig, når den sidste reduktionsgrad er 3Q mindre end 40%, vil ujævnheden af sekundært rekrysta11 i serede korn af [001] orientering være stor, og Bg-værdien kan ikke opnås. En højere redukti onsgrad til sidst giver en bedre samling af de sekundært rekrystalli serede korn i [001] orientering, men når den sidste reduktionsgrad er for høj og over-3g stiger 80%, forekommer der ikke sekundær rekrystallisation, og graden af den sekundære rekrysta11 i sat i on bliver mindre end 50%, og som en følge deraf nedsættes Bg betydeligt. Den sidste koldvalsningsgrad er derfor begrænset til 40-80%. Når man sig- 6

DK 151899B

ter mod en Bø-værdi på mere end 1,90 Wb/m2, er den sidste koldvalsningsgrad fortrinsvis 60-80%.

b) Den anden rekrystal1isations-udglødning: 5

Fig. 4 viser Ββ-værdier opnået ved at behandle 3% siliciumhol-dige stålbånd, der indeholder forskellige elementer (råmaterialer B-I), ved kun at variere den anden rekrystal1 isationstemperatur indenfor intervallet 800-960eC. Sammensætningen af råmaterialer A-I og de behandlingsmåder, der er forskellige fra den anden rekrystal!isationstemperatur, er vist i tabel 1.

15 20 25 30 35 7

DK 151899 B

Afkarboniserings- udglødningstemp.

COOOCOCOCOOOCOOOOO

Sluttykkelse ooooooooo (mill / ^e\*\e*r>r>»\*Nrs

OOOOOOOOO

ri •H - .... — - — — - --------- " ' — >—-- —— —...... ........ —1 ' —“ T' 1 £ Anden koldvals-ra nings reduktion cm 5j0 ^ t^-CD'X>M3VDVDLALr\Lr\ ri l*)

•H

H .... _.------- - ---------------- ------ —...... . —— ri Mellemglridningens ooooooooo

ri +.OTn_OT.=,j.11r. CMCMCMCMCMCMOOO

w temperatur cricncncncrccricricnc^ ω ( C) pq -—----------- Første koldvals-nings reduktion 77 \or-c— r-c— c~-c--i>-!>- )

Varmvalsede arks ooooooLomLa tykkelse (mm) kc κλ γ<λ ιτί tA ia cm c\i cm

!A

X> O

CO * I I 1 I i i i i o .....................Fn--

Η ·Η CA

^ I I I I I I I •'I

H O

CD --—------------

tA

ri ri ^ EH 0 111111-11 o IT\ \ Ph o

I I I I I - I I I

CD o μ ~ 9

rj ri H

•H CO I I I I - I I I i ri ° +5 ------------

S CD

ra ^ o ri pq I I I - I I I I 1

<D O

g------------- I ^ ri Ή o ra pq i i -.iiiiii o

tA ri-EQ O O

<j - - I I I I 1 i i O o ~ (d σι oF o“ co kc in

CD r~l i—li—! i—li—I CM CM i li I

coooooooooo ooooooooo

tA CA- tA tT\ tA CM 't tA

OOOOOOHHO mooooooooo ooooooooo

«ajpqoPWPHdsWH

8 ; DK 1S18998

Det fremgår af fig. 4, at der kan opnås en meget høj Sø-værdi ved en sekundær rekrystal1 isationstemperatur på højst 920°C, hvilket er en betydelig lavere temperatur end den konventionelle sekundære rekrystal1 i sat ionstemperatur, der er på mindst 5 1000°C. Denne virkning forbedres mærkbart ved samtidig fore komst af Xi eller Xj og Se og/eller S. Hvis råmaterialet desuden indeholder Sb, er det indlysende, at Bg forbedres yderligere. Lignende fordele opnås, når sammensætningen og behandlingen af råmaterialet varieres en smule. Følgelig er den se-10 kundære rekrystal1 isationstemperatur begrænset til 800-920°C.

Nærværende opfindelse sigter mod opnåelse af en høj Bø-værdi ved at kombinere den samtidige forekomst af Se og/eller S og af Xi og/eller Xj, en sidste koldvalsningsreduktion på 40-80%, og den sekundære rekrystal1 isationstemperatur på 800-920°C.

For at opnå den bedste værdi for Bg er det imidlertid nødvendigt at være meget omhyggelig på følgende punkter. Sammensætningen af stålråmaterialet, den første koldvalsningsgrad, mel-1emglødningstemperaturen og den sidste ko Idvalsningsgrad skal 2Q nemlig udvælges og kombineres på en sådan måde, at den sekundære rekrystal!isationstemperatur bliver så lav som mulig.

Fig. 5A og 5B viser den magnetiske induktion Bg af de elektriske stålbånd A og B, som er frembragt på en måde, som vil blive beskrevet i det følgende, og som er afbildet i et dia-25 gram med den sekundære rekrystal1 i sat ionstemperatur som ordinat og kombinationen af reduktionsgrader i den første og i den anden koldvalsning som abscisse. En stålstøbeblok A indeholdende 0,033% C, 3,00% Si, 0,05% Mn, 0,017% S, 0,03% As og 0,03% Sb eller en støbeblok B indeholdende 0,029% C, 3,03% Si, 30 0,06% Mn, 0,016% Se, 0,004% S og 0,04% As blev varmvalset til dannelse af et stålark med en tykkelse på omkring 3 mm. Dette ark blev omdannet til et ark med en sluttykkelse på 0,30 mm ved forskellige reduktionsgrader i den første og den anden koldvalsning. Det koldvalsede stål underkastes derefter en 3 5 afkarboniserings-udglødning ved 820°C i 10 minutter i befugtet hydrogen, så en sekundær rekrystal!isation ved forskellige temperaturer og til slut en rensning-udglødning ved 1180°C i 5 9

DK 151899B

timer i tør hydrogen for dannelse af det elektriske stålbånd A eller B. I f i g. 5 A og 5B er der et område, der 1 igger over kurven og har skraverede linier, et område hvori graden af den sekundære rekrystallisation er større end 50%, hvis den sekun-5 dære rekrystal1 isation foretages i 20 timer. I dette område er den nødvendige tid til sekundær rekrystalli sat ion længere, som følge af at rekrystal1 isationstemperaturen er lavere. Ved sammenligning af fig. 5A og 5B ses, at der er en kombination af reduktionsgrader i den første og den anden koldvalsning, som 10 minimerer den sekundære rekrystal1 isationstemperatur, og når en sekundær rekrystal1 isation foretages ved en temperatur, der er så lav som muligt i afhængighed af den kommercielt mulige rekrystal1 i sat ionst i d ved denne kombination af reduktionsgrader til opnåelse af fuldstændigt rekrystal1iserede korn, kan 15 man opnå den højst mulige Bg-værdi. Derudover fremgår det ved sammenligning af fig.l 5A med fig. 5B, at den sekundære rekrystal 1 i sat i onstemperatur , der giver den højeste Bg-værdi, varierer i afhængighed af råmaterialets sammensætning. Ud over denne sammensætning indvirker alle procestrinnene forud for 20 den sekundære rekrystal1 isation på denne. Kombinationen af reduktionsgrad er i koldvalsningerne er de mest betydningsfulde faktorer. Den sekundære rekrystal1 isation kræver en meget lang udglødningstid - idet temperaturen er lav - for dannelse af fuldt ud rekrysta11 i serede korn. En yderligere lav temperatur 25 har ingen kommerciel værdi. Følgelig er den nedre grænse for rekrystallisat i onstemperaturen 800°C.

Som ovenfor beskrevet er det nødvendigt, at den sekundære rekrysta 1 1 i sat i on sker ved en temperatur, der er så lav som mu-30 ligt indenfor intervallet 800-920°C. I dette tilfælde kan temperaturen holdes konstant eller øges gradvis indenfor dette temperatur interval.

Den omstændighed, at der er en kombination af tilstande i de ovenfor beskrevne procestrin (især en kombination af reduk-35 tionsgrader i koldvalsningerne), som gør den sekundære rekrysta 1 1 i sat i onstemperatur så lav som muligt med hensyn til et råmateriale, der har en rigtig sammensætning opnået ved at

DK 151899 B

10 tilføje særlige elementer i begrænset mængde til et silicium-holdigt stålmateriale, og at en sekundær rekrystallisation sker ved en så lav temperatur som muligt ved at kombinere behandlingsmåderne til dannelse af fuldstændigt rekrystallise-5 rede korn, gør at der kan opnås en meget høj værdi for Bg, hvilket opfinderne som de første har konstateret.

Ifølge opfindelsen kombineres de ovenfor beskrevne begrænsede tilstande i råmaterialets sammensætning, den sidste koldvals-jq ningsreduktion og den sekundære rekrystal1 i sat i on for frembringelse af stålbånd med en ualmindelig god værdi for Bg.

Fremstillingen i praksis af si 1iciumholdige stålbånd ved de ovenfor beskrevne procestrin vil blive beskrevet detaljeret i det følgende.

15 Råmaterialet ifølge opfindelsen smeltes ved en velkendt smelteteknik. Derefter formes det til en stål støbeblok. I dette tilfælde nedsættes indholdet af O2, Α^Οβ, osv. selvfølgelig ved en vakuumbehandling. Der kan selvfølgelig også gøres brug af en kontinuert støbemetode. Det der er af betydning er, at 20 den resulterende stålstøbeblok har den ovenfor beskrevne sammensætning. Tabel 2 viser sammensætningnen, den sidste kold-valsningsgrad, den sekundære rekrystal1 isationstemperatur og Bg for de omhandlede eksempler. Den opnåede stålstøbeblok varmvalses på velkendt måde. Støbeblokken opvarmes selvfølge-25 lig til omkring 1200-1350°C før varmvalsni ngen, og tykkelsen af det varmvalsede bånd er omkring 2-4 mm. Efter varmvalsnin- gen koldvalses båndet. Derefter kan der i givet fald foretages en udglødning ved omkring 850-1000°C før koldsvslsningen for til fæl diggørelse eller spredning eller homogen i sering af sam-30 menhobningsstrukturen eller aggregat i onsstrukturen af de rekry-stalliserede korn.

Koldvalsningen sker almindeligvis i to trin, mellem hvilke der foretages en mellemglødning. I dette tilfælde er den sidste 35 koldvalsningsgrad som tidligere nævnt af betydning. I almindelighed er reduktionsgraderne i koldvalsningerne før den sidste koldvalsning ikke så vigtige, men disse reduktionsgrader må selvfølgelig antage de rette værdier i afhængighed af sluttyk- 11

DK 151899B

kelsen og af tykkelsen af det varmvalsede ark. Når koldvalsn-ingen sker i to tempi, er den første valsningsgrad i almindelighed på omkring 30-80%.

_ Det er nødvendigt at foretage mellemglødning mellem koldvals- 5 ningerne. Når mellemglødningen sker ved en temperatur, ved hvilken der sker en primær rekrystallation, kan den tilsigtede virkning opnås. Me11emglødningstemperaturen varieres i afhængighed af Si-indholdet og er i almindelighed omkring 750-1000 °C.

10

Efter afslutning af koldvalsningen underkastes det resulterende stålbånd, der har en sluttykkelse, en konventionel af-karboniseringsudglødning for nedsættelse af C-indholdet til under 0,005% og til dannelse af et oxidlag, der i hovedsagen 15 består af Si02, på overfladen af stålbåndet. Til opnåelse af virkningen foretages en kontinuert udglødning, almindeligvis ved 750-900°C i omkring 2-10 minutter i befugtet hydrogen.

Efter afslutning af afkarboniseringen tilføres en konventionel 20 udglødsningsseparator i hovedsagen bestående af MgO til stålbåndet. Derefter underkastes stålbåndet en såkaldt "højtemperatur-udglødning". I almindelighed foretages den ovenfor beskrevne sekundære rekrystal1 i sat i on under forløbet af denne højtemperatur-udglødning. Det vil sige, at en konventionel 25 højtemperatur-udglødning sker på en sådan måde, at temperaturen holdes ved en vis temperatur eller øges gradvis indenfor intervallet 800-920°C, hvorved de sekundært rekrystalliserede korn dannes fuldt ud. I den sekundære rekrystal1 isation bestemmes udglødningstiden i afhængighed af udglødningstempera-30 turen, og den er i almindelighed 10-100 timer.

Når de sekundært rekrystal1 i serede korn er blevet dannet fuldt ud, standses udglødningen. For at fjerne urenheder i stålet kan det imidlertid være en fordel, at temperaturen øges yder-35 ligere, og at stålet holdes i tør hydrogen ved en temperatur på 1100-1200°C i adskillige timer. Som det fremgår af tabel 2, varierer 83 i afhængighed af Si-indholdet i råmaterialet. Bø er i almindelighed større end 1,88 Wb/m2.

DK 151899B

12

/-S

CM

a O CO W O m σι W COWOHN^^HOOb 00^ crt oo cr\ cr\ co co cn cocncncricricriooo'iata'i pqxs ^ ^ ^ ^ r, ^ nn>t«t«t»«>t*>*·

!ϊ Η Η Η Η Η Η H HHiHrHHHHHrHH

i ri i >> O CQ ri ri -H fclD ri -P £ +3 <D tf -H tf-—·' ooooooo oooooooooo

ri CQ ri ri O LA C— -sh -M- LA LO "Φ lA'iVD'd-lAt^OVDIMW

•Η'θωο 00 CO 00 00 CO CO CO oococooocooooooooooo fl H S Pi'—'

Orlrl 3 >tf tf iaD ω ri -p ftf -P <aj m ri i T)

H m ri o ω o ±d ri -H

.r-143^ LA LA O O O LA O lAOLAOLALAlAOLAO

0) ri in^. VO in [> U) >ΰ CD l> CD>-CDI>-CD1>1A1DI>CD

-p ra ri·^ tQHri ti tf CD H i> ri CQ

LA LA

H LA O H CA „

H O tA O O O

_P r (\ rv a\ Cvl ri o o o o o « 0) II II II II II o g ri ·η p ri π CD O FM fe fri w ri H o

CD

r—I O CM LA LA tA OLA CMOCM LA

CM -p tA CM CM ri Η H CMHGOLOCMtALAHtAtA

CD O O O O O O O tA OOOOOOtALAOtA

,—I nj ΛΛΛΛΛΟ·'·'·'·'·'·'·'·'·'·'·'»' CD riOOOOOO oo oooooooooo

p -¾ II II II II II II II II II II II II Π II II II II II

tf cq ra to ra -Η ·Η Ή ri P P ri ri ·Η M ri H

EH <cj <aj <a{ <t| pq pq pq o FMFMFMP-iOCQfefeCQfe

OLA CM O 00 LA CM O

CM i—1 H r-1 CM H tA r—I

p O O O O O O O O

ζ/^ tv *» ^ Λ r» »n rv

O O_ O_O O OOP

H O O O O O CD LAOLA CMOOLAHO

CM CM CM CM CM CM H Η Φ- CM CM CM tA CM CM CM

•H OOOOOOO O O O O O O O O O

(/} f, ft *\ »\ ft fv ft f* •t ft »t ft «\ Λ »t O O O O O O O OOP o o o o o o

O O LA Φ O tA LA tAtALAOH^tAO'M-LA

rMPHOCMOH OOHtAHOOHOH

CQ OOOOOOO OOOOOOOOOO

OOOOOOO o ooooooooo

M" LA ΙΛ LA LO M" LO LO C— lALOVDLØt'LAlAlA

ri ooooooo oooooooooo i >| fv ft ft ft ft f\ ft ftftftftftftftftftft ooooooo oooooooooo

O GO LA CM LA CM Φ" OCMLALDtAHLACOQOO

tA tA CM tA CM tA tA M-M-tACMintACMCMCMin

O OOOOOOO OOOOOOOOOO

OOOOOOO OOOOOOOOOO

LA LD M O CO M- CO C^HLACMOmcOCMLAO

•H CM H CM CM CM CM - HCMCMCMCMCMCMCMtAtA

CQ tv f« ft »t ft fv CM *v*t*\»trt*s»t*\*vet

(A tA tA tA tA tA tA (AtAtAtAtAtALAtACMCM

03 ri H CM (A M" 1A CD l> OOCAOHCMCA^-LALDt'-

_i i —i —( .—i —i .—t .—I

Claims (2)

1. Fremgangsmåde til fremstilling af bånd af elektrisk le-5 dende stål orienteret i én retning og med en magnetisk induktion, der er større end 1,85 Wb/mz, ved hvilken fremgangsmåde et si 1icium-stålråmateriale indeholdende mindre end 4% Si, 0 ,J0 Q.5 - 0,1 % S og/eller Se, 0,02-0,2% Mn og mindre end 0,06% C varmvalses og gentagne gange udglødes og koldvalses for fretn- ^0 bringelse af en koldvalset stålplade med en vis s 1uttykkelse, og denne plade underkastes afku 1 ningsudg1ødning og en sidste udglødning til dannelse af sekundært rekrystal1 i serede korn af (100)[001] orientering, kendetegnet ved, at der anvendes et s i 1 iciumholdigt stål råmater i a 1e, som indeholder mindst et af grundstofferne As, Bi, Pb, P og Sn i en samlet mængde på 0,015-0,4% og/eller mindst et af grundstofferne Ni og Cu i en samlet mængde på 0,2-1,0%, og at den sidste kold-valsning foretages med en valsningsreduktion på 40-80%, og at de sekundært rekrystal1 i serede korn dannes fuldt ud ved en 20 temperatur på 800-920°C i det sidste udglødningstrin.

2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at der anvendes et si 1iciumholdigt stålråmateriale, som også indeholder 0,005-0,2% Sb. 25 30 35