EP0431021A1 - Verfahren und vorrichtung zum aufdampfen einer beschichtung auf einem träger im vakuum - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum aufdampfen einer beschichtung auf einem träger im vakuum

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EP0431021A1
EP0431021A1 EP19890909676 EP89909676A EP0431021A1 EP 0431021 A1 EP0431021 A1 EP 0431021A1 EP 19890909676 EP19890909676 EP 19890909676 EP 89909676 A EP89909676 A EP 89909676A EP 0431021 A1 EP0431021 A1 EP 0431021A1
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EP
European Patent Office
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flow channel
flow
section
walls
smallest diameter
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Withdrawn
Application number
EP19890909676
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English (en)
French (fr)
Inventor
Josef Humenberger
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Hainzl Industriesysteme GmbH
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Hainzl Industriesysteme GmbH
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material

Definitions

  • the invention relates to a method for vapor deposition of a coating- on • a support in a vacuum, wherein the steam obtained by heating of at least one coating material Smile Friend before its condensation on to beschich ⁇ Tenden carrier top is guided between hot walls, the one on the Limit the guide length at least substantially constant S flow cross-section, and to a device for performing the method.
  • the substrate surface to be coated must be selected to be considerably smaller than the flow cross-section of the steam jet in the region of the carrier for a uniform coating thickness, which is due to the low utilization of the evaporated material for the formation of an epitaxial layer leads to a high consumption of material.
  • the invention is therefore based on the object of avoiding these deficiencies and of specifying a method by means of which a uniform coating of even larger carrier surfaces with at least one vaporized coating material can be ensured with an advantageous use of material.
  • the invention achieves the object in that the
  • REPLACEMENT LEAF Steam is first led between the hot walls in a minimum length corresponding to one and a half times the smallest diameter of the flow cross-section before it emerges under free molecular flow conditions between the hot walls and after an average flow path corresponding to half to two and a half the smallest diameter of the hot side on the outlet side Walls of limited flow cross-section is condensed on the support surface to be coated.
  • the guidance of the coating material vapor between the hot walls over a length which corresponds to at least one and a half times the smallest diameter of the flow cross-section between these walls initially requires a certain parallelization of the molecular flow if free molecular flow conditions are ensured, because in this case above all only the steam molecules can leave the flow channel delimited by the hot walls and move at least approximately in the direction of the flow axis defined by the hot walls. Free molecular flow conditions must be observed in order not to impair this parallelization effect by the collision of a large number of molecular particles.
  • Particularly advantageous growth conditions of the epitaxial layer are ensured in a further embodiment of the invention in that the steam emerging between the hot walls has an average flow path corresponding to the one to one and a half smallest diameter of the flow cross section delimited on the outlet side by the hot walls flows freely before it condenses on the support surface to be coated, because with these spacing conditions an optimization with regard to the uniform growth of the coating on the support and with regard to the material utilization can be ensured for most coating materials.
  • one device can have at least one in a vacuum chamber
  • REPLACEMENT BL provided evaporation chamber which opens between heatable walls delimiting a flow channel with at least substantially constant flow cross-section, and with a holder arranged in the axial direction of the flow channel for a support to be coated.
  • This device is to be designed in such a way that the length of the flow channel between the heatable walls corresponds to at least one and a half times the smallest diameter of the flow channel and that the holder is at a distance of half to two and a half times the distance from the outlet end of the flow channel in relation to the carrier layer smallest diameter of the outlet cross section of the flow channel is arranged in the vacuum chamber.
  • a circular cross section will generally be provided for the flow channel, so that the hot walls can be formed by a corresponding pipe.
  • other cross-sectional shapes adapted to the contour of the carrier can also be provided for the flow channel for beams with a contour shape deviating from the circular cross-section, whereby it is by no means absolutely necessary to ensure a closed boundary of the flow channel through the hot walls.
  • the device according to the illustrated embodiment essentially consists of a vacuum chamber 1, indicated only by dash-dotted lines, with a residual gas pressure of at most 10 mbar.
  • this vacuum chamber 1 there are several concentric evaporation chambers 2, 3 and - *. provided within a quartz tube 5 in order to be able to provide the carrier 6 to be coated with an epitaxial layer composed of a plurality of coating materials.
  • these heaters 7, 8 and 9 which each consist of electrical resistance heating conductors 10 distributed around the circumference of the quartz tube 5 ' between corresponding connection rings 11.
  • These heaters 7, S, 9 are shielded from the outside by a plurality of molybdenum shields 12 which enclose the resistance heating conductors 10.
  • this tube 13 thus delimits a flow channel 16 for the steam obtained from the evaporation chambers 2, 3 and 4, which flows out into the vacuum chamber 1 at the outlet end 17 of the tube 13 and after a free flow path on the surface to be coated of the carrier 6 arranged at a distance from the outlet end 17 is condensed in a holder 18.
  • the epitaxial layer is controlled via the vapor pressure of the source materials and via the temperature of the carrier 6, to which a heater 19 is assigned for this purpose.
  • an aperture 21 which can be rotated about an axis 20 and by means of which the beginning and the end of the coating process can be precisely determined.
  • the carrier 6 consists of a disk made of gallium arsenide with a diameter of 25 mm.
  • This gallium arsenide disk is to be provided with a cadmium telluride layer, which is doped with a small excess of tellurium or cadmium, depending on the requirements.
  • the main coating material cadmium telluride is introduced into the evaporation chamber 2 and the coating materials tellurium and cadmium into the evaporation chambers 3 and 4.
  • the evaporation chamber 2 is heated to a temperature of 460 to 520 * C, the evaporation chamber 3 to a temperature of 350 to 420 * C and the evaporation chamber 4 to a temperature of 250 to 300 * C, so that the materials exiting vapor molecules from the vaporization chambers 2, 3 and 4 enter into the flow channel 16 within the tube 13, the walls 14 are heated to a temperature of 520-570 * C.
  • the tube 13 has a diameter of approximately 30 mm and an effective guide length for the steam flow of approximately 90 mm. The distance between the outlet end 17 of the tube 13 and the support 6 to be coated was chosen to be 45 mm.
  • the shutter 21 has been pivoted out of the flow path of the steam and coating the pipe 13 facing surface of the carrier 6, wherein one at a Trä ⁇ gertemperatur 350 * C and Temperature of the main coating material of 500 * C a growth rate of the epi-
  • REPLACEMENT LEAF taxial layer of 2.5 ⁇ m / h was achieved, in a uniform layer thickness.
  • the optically and mechanically measured deviations of the layer thickness over the carrier surface were less than 4% and are not determined by the measuring accuracy of the measuring method.
  • the invention is not limited to the exemplary embodiment shown.
  • the holder 18 for the carrier 6 could additionally be moved in a manner known per se in order to obtain a more uniform layer thickness in the case of carriers with a larger area.

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Description

. , .
Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen einer Beschichtung auf einem Träger im Vakuum
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufdampfen einer Beschichtung- auf • einem Träger im Vakuum, wobei der durch ein Erwärmen wenigstens eines Beschichtungsmaterials gewonnene Dampf vor seinem Kondensieren auf der zu beschich¬ tenden Trägerober läche zwischen heißen Wänden geführt wird, die einen über die Führungslänge zumindest im wesentlichen konstanten S trömungsquerschniτt begrenzen, sowie auf eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Um die beispielsweise für die Herstellung von Halbleiterele¬ menten hohen Anforderungen an die Materialqualität beim Auf¬ bringen einer epitaxialen Schicht auf einem Träger erfüllen zu können, läßt man diese epitaxialen Schichten im Vakuum aus der Dampfphase auf dem Träger aufwachsen. Zu diesem Zweck ist es bekannt, das Beschichtungsmaterial in einer Ver¬ dampfungskammer zu verdampfen und den Dampf durch eine Öff¬ nung mit einem vergleichs eise geringen Querschnitt in eine Vakuumkammer austreten zu lassen, in der in einem vorgegebe¬ nen Abstand von der Verdampfungskammer der zu beschichtende Träger gehalten wird, so daß der den Träger erreichende Dampf auf der zu beschichtenden Trägeroberfläche konden¬ siert, und zwar mit einer von den Temperaturverhältnissen abhängigen und daher über die Dampf- und die Trägertempera¬ tur einstellbaren Aufwachsgeschwindigkeit. Die Austrittsöff¬ nung der Verdampfungskammer bildet dabei eine Blendenöffnung für den austretenden Dampf strahl, der somit gegenüber dem Träger ausgerichtet werden kann. Da keine gleichmäßige Ver-
ERSATZBLATT teilung der Dichte des Dampfes über den Strömungsquerschnitt des aus der Verdampfungskammer austretenden Dampf Strahles erreicht werden kann, muß für eine gleichmäßige Beschich- tungsstärke die zu beschichtende Trägeroberfläche erheblich kleiner als der Strömungsquerschnitt des Dampf Strahles im Bereich des Trägers gewählt werden, was wegen der geringen Ausnützung des verdampften Materials für den Aufbau einer epitaxialen Schicht zu einem hohen Materialverbrauch führt.
Um den im Vergleich zum Volumen der Beschichtung hohen Ma¬ terialeinsatz verringern zu können, ist es bekannt, den aus einer Verdampfungskammer austretenden Dampf des Beschich- tungsmaterials innerhalb eines beheizten Rohres zu führen, das austrittseitig den zu beschichtenden Träger aufnimmt. Diese Führung der Dampf Strömung zwischen heißen Wänden, an denen wegen der höheren Wandtemperatur praktisch kein Dampf kondensieren kann, beschränkt zwar den Materialverbrauch, weil sich zwischen der Verdampfungskammer und dem Träger eine zumindest im wesentlichen geschlossene Dampfführung er¬ gibt, doch können aufgrund der über den Ströraungsquerschnitt des Rohres ungleichmäßigen Dichteverteilung des Dampfes keine größeren Trägeroberflächen ohne aufwendige Maßnahmen gleichmäßig beschichtet werden. Außerdem besteht die Gefahr, daß sich der Träger durch die benachbarten heißen Wände in unerwünschter Weise über die für das Aufwachsen der epitaxi¬ alen Schicht vorteilhafte ' Ober flächentemperatur aufwärmt.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, diese Mängel zu vermeiden und ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe eine gleichmäßige Beschichtung auch größerer Trägeroberflä¬ chen mit wenigstens einem verdampften Beschichtungsmaterial unter einer vorteilhaften Materialausnützung sichergestellt werden kann.
Ausgehend von einem Verfahren der eingangs geschilderten Art löst die Erfindung die gestellte Aufgabe dadurch, daß der
ERSATZBLATT Dampf zunächst in einer dem eineinhalbfachen kleinsten Durchmesser des Strömungsquerschnittes entsprechenden Min- destlänge zwischen den heißen Wänden geführt wird, bevor er unter freien molekularen Strömungsverhältnissen zwischen den heißen Wänden austritt und nach einem mittleren Strömungsweg entsprechend dem halben bis zweieinhalb achen kleinsten Durchmesser des austrittseitig von den heißen Wänden be¬ grenzten Strömungsquerschnittes auf der zu beschichtenden Trägeroberfläche kondensiert wird.
Die Führung des Beschichtungsmaterialdampfes zwischen den heißen Wänden über eine Länge, die wenigstens dem einein¬ halbfachen kleinsten Durchmesser des Strömungsquerschnittes zwischen diesen Wänden entspricht, bedingt zunächst eine gewisse Parallelisierung der Molekularströmung, wenn für freie molekulare Strömungsverhältnisse gesorgt wird, weil in diesem Fall vor allem nur die Dampfmoleküle den durch die heißen Wände begrenzten Strömungskanal verlassen können, die sich zumindest angenähert in Richtung der durch die heißen Wände bestimmten Strömungsachse bewegen. Freie molekulare Strömungsverhältnisse sind einzuhalten, um diesen Paralleli- sierungseffekt nicht durch den Zusammenstoß einer größeren Anzahl von Molekularteilchen zu beeinträchtigen. Es muß da¬ her die Bedingung für solche Strömungsverhältnisse erfüllt sein, daß die mittlere freie' Weglänge der Dampfmoleküle bzw. -atome des Beschichtungsmaterials wenigstens dem kleinsten Durchmesser des Strömungsquerschnittes entspricht. Kommen mehrere Beschichtungsmaterialen zum Einsatz, so gilt diese Bedingung für das Beschichtungsmaterial mit der geringsten mittleren freien Weglänge. Da die mittlere freie Weglänge der Molekularteilchen des Dampfes maßgebend von der Dampf¬ temperatur abhängt, können die geforderten freien molekula¬ ren Strömungsverhältnisse auch in einfacher Weise über eine entsprechende Temperatursteuerung eingehalten werden.
Der zwischen den heißen Wänden austretende Dampf wird jedoch
ERSATZßLATT - t. -
nicht unmittelbar nach seinem Austritt auf der zu beschich¬ tenden Trägeroberfläche kondensiert, sondern erst nach dem Durchlaufen eines bestimmten Strömungsweges. Es hat sich nämlich gezeigt, daß sich im Gegensatz zur Dichteverteilung im Fernfeld innerhalb eines bestimmten Abstandsbereiches vom Austrittsende der heißen Wände im Nahfeld eine gleichmäßige Dichteverteilung über einen vergleichsweise großen Strömungs¬ querschnitt ergibt, so daß im Bereich des Nahfeldes auch grös sere Trägeroberflächen gleichmäßig mit einer epitaxialen Schicht versehen werden können. In einem Abstandsbereich zwi¬ schen dem halben bis zweieinhalbfachen kleinsten Durchmesser de's Strömungsquerschnittes im Bereich des Austrittsendes der heißen Wände kann dieser Effekt vorteilhaft ausgenützt wer¬ den, wobei die Dichte der Molekularteilchen mit größer wer¬ dendem Abstand von der Strömungsachse im Anschluß an die gleichmäßige Dichteverteilung rasch abfällt, so daß die da¬ durch bedingten Materialverluste begrenzt bleiben und die Forderung nach einer gleichmäßigen Beschichtung mit der For¬ derung nach einer guten Materialausnützung vorteilhaft ver¬ bunden werden kann.
Besonders vorteilhafte Aufwachsbedingungen der epitaxialen Schicht werden in weiterer Ausbildung der Erfindung dadurch sichergestellt, daß der zwischen den heißen Wänden austre¬ tende Dampf einen mittleren Strömungsweg entsprechend dem ein- bis eineinhalb achen kleinsten Durchmesser des aus- trittseitig von den heißen.Wänden begrenzten Strömungsquer¬ schnittes frei durchströmt, bevor er an der zu beschichten¬ den Trägeroberfläche kondensiert, weil bei diesen Abstands¬ verhältnissen für die meisten Beschichtungs aterialien eine Optimierung hinsichtlich des gleichmäßigen Aufwachsens der Beschichtung auf dem.Träger und bezüglich der Materialaus¬ nützung sichergestellt werden kann.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann von einer Vorrichtung mit wenigstens einer in einer Vakuumkammer
ERSATZBL vorgesehenen Verdampfungskammer, die zwischen beheizbaren, einen Strömungskanal mit zumindest im wesentlichen konstan¬ tem Strömungsquerschnitt begrenzenden Wänden mündet, und mit einem in Achsrichtung des Strömungskanales angeordneten Hal¬ ter für einen zu beschichtenden Träger ausgegangen werden. Diese Vorrichtung ist so auszubilden, daß die Länge des Strömungskanales zwischen den beheizbaren Wänden wenigstens dem eineinhalbfachen kleinsten Durchmesser des Strömungska¬ nales entspricht und daß der Halter mit einem auf die Trä¬ gerlage bezogenen Abstand vom Austrittsende des Strömungska¬ nales im Ausmaß des halben bis zweieinhalbfachen kleinsten Durchmessers des Austrittsquerschnittes des Strömungskana¬ les in der Vakuumkammer angeordnet ist. Durch die entspre¬ chende Bemessung der beheizbaren Wände in Strömungsrichtung und die Anordnung des Halters für den zu beschichtenden Trä¬ ger mit dem vorgegebenen Abstand vom Austrittsende des Strö¬ mungskanales wird zwangsläufig eine Dampf Strömung erreicht, die im Bereich des Trägers eine gleichmäßige Dichtevertei¬ lung aufweist, und zwar über einen Querschnitt, der zumin¬ dest dem Querschnitt der Austrittsöffnung des Strömungskana¬ les zwischen den heißen Wänden entspricht. Dies gilt insbe¬ sondere dann, wenn der in Achsrichtung des Strömungskanales gemessene Abstand zwischen dem zu beschichtenden Träger und dem Austrittsende des Strömungskanales dem ein- bis einein¬ halbfachen kleinsten Durchmesser des Austrittsquerschnittes des Strömungskanales entspricht.
In diesem Zusammenhang ist zu erwähnen, daß im allgemeinen ein Kreisquerschnitt für den Strömungskanal vorgesehen sein wird, so daß die heißen Wände durch ein entsprechendes Rohr gebildet werden können. Für Träger mit einer vom Kreisquer¬ schnitt abweichenden Umrißform können aber auch andere, an die Umrißform des Trägers angepaßte Quer Schnittsformen für den Strömungskanal vorgesehen sein, wobei es keineswegs zwingend erforderlich ist, für eine geschlossene Begrenzung des Strömungskanales durch die heißen Wände zu sorgen. Es
ERSATZBLATT ist ja lediglich eine ausreichende Führung der Dampf Strömung zwischen den heißen Wänden erforderlich.
Anhand der Zeichnung wird das er indungsgemäße Verfahren näher erläutert, und zwar wird eine erfindungsgemäße Vor¬ richtung zum Aufdampfen einer Beschichtung auf einem Träger im Vakuum in einem schematischen Axialschnitt gezeigt.
Die Vorrichtung gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel besteht im wesentlichen aus einer lediglich strichpunktiert angedeuteten Vakuumkammer 1 mit einem Restgasdruck von höch¬ stens 10~ mbar. In dieser Vakuumkammer 1 sind mehrere kon¬ zentrische Verdampfungskammern 2, 3 und -*. innerhalb eines Quarzrohres 5 vorgesehen, um den zu beschichtenden Träger 6 mit einer epitaxialen Schicht aus mehreren Beschichtungsma- terialien versehen zu können. Zur Beheizung der Verdamp¬ fungskammern 2, 3 und •*. sind diesen Heizungen 7, 8 und 9 zu¬ geordnet, die jeweils aus um den Umfang des Quarzrohres 5' verteilten elektrischen Widerstandsheizleitern 10 zwischen entsprechenden Anschlußringen 11 bestehen. Diese Heizungen 7, S, 9 werden nach außen durch mehrere Molybdänschirme 12 abgeschirmt, die die Widerstandsheizleiter 10 umschließen.
Die Verdampfungskammern 2, 3 und münden jeweils in einem Rohr 13, das im Bereich seines unteren Endes die Verdamp¬ fungskammer 2 bildet und dessen Wände 1 ebenfalls über eine Heizeinrichtung 15 erwärmt werden können, die in vergleich¬ barer Art und Weise aus zwischen Anschlußringen 11 ange¬ ordneten Widerstandsheizleitern 10 aufgebaut ist. Dieses Rohr 13 begrenzt mit seinen heißen Wänden 1<V somit einen Strömungskanal 16 für den aus den Verdampfungskammern 2, 3 und 4 erhaltenen Dampf, der am Austrittsende 17 des Rohres 13 in die Vakuumkammer 1 ausströmt und nach einem freien Strömungsweg auf der zu beschichtenden Oberfläche des mit Abstand vom Austrittsende 17 in einem Halter 18 angeordne¬ ten Trägers 6 kondensiert wird. Die Aufwachsgeschwindigkeit
ERSATZB der epitaxialen Schicht wird über den Dampfdruck der Quellen* materialien und über die Temperatur des Trägers 6 gesteuert, dem zu diesem Zweck eine Heizung 19 zugeordnet ist.
Zwischen dem Aus.trittsende 17 des Rohres 13 und dem Halter 18 für den Träger 6 ist eine um eine Achse 20 drehverstell¬ bare Blende 21 vorgesehen, über die der Beginn und das Ende des Beschichtungsvorganges genau festgelegt werden kann.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel besteht der Träger 6 aus einer Scheibe aus Galliumarsenid mit einem Durchmesser von 25 mm. Diese Galliumarsenid-Scheibe soll mit einer Cadmium- telluridschicht versehen werden, die je nach Anforderung mit einem geringen Überschuß an Tellur bzw. Cadmium dotiert ist. Zu diesem Zweck wird das Hauptbeschichtungsmaterial Cadmium- tellurid in die Verdampfungskammer 2 und die Beschichtungsma- terialien Tellur und Cadmium in die Verdampfungskammern 3 und 4 eingebracht. Die Verdampfungskammer 2 wird dabei auf eine Temperatur von 460 bis 520* C, die Verdampfungskammer 3 auf eine Temperatur von 350 bis 420* C und die Verdampfungs¬ kammer 4 auf eine Temperatur von 250 bis 300* C erwärmt, so daß die aus den Materialien austretenden Dampfmoleküle aus den Verdampfungskammern 2, 3 und 4 in den Strömungskanal 16 innerhalb des Rohres 13 gelangen, dessen Wände 14 auf eine Temperatur von 520 bis 570* C beheizt werden. Das Rohr 13 weist einen Durchmesser von ca. 30 mm und eine wirksame Füh¬ rungslänge für den Dampfström von ca. 90 mm auf. Der Abstand zwischen dem Austrittsende 17 des Rohres 13 und dem zu be¬ schichtenden Träger 6 wurde mit 45 mm gewählt.
Nachdem der Träger 6 auf eine Temperatur von 200 bis 450* C aufgewärmt wurde, wurde die Blende 21 aus dem Strömungsweg des Dampfes ausgeschwenkt und die dem Rohr 13 zugekehrte Oberfläche des Trägers 6 beschichtet, wobei bei einer Trä¬ gertemperatur von 350* C und einer Temperatur des Hauptbe- schichtungsmaterials von 500* C eine Wachstumsrate der epi-
ERSATZBLATT taxialen Schicht von 2,5 μm/h erzielt wurde, und zwar in einer gleichmäßigen Schichtdicke. Die optisch und mechanisch gemessenen Abweichungen der Schichtdicke über die Träger- Oberfläche betrugen weniger als 4 % und sind nicht durch die Meßgenauigkeit der Meßmethode bestimmt.
Während des Aufdampfens der Beschichtung wurde in der Va¬ kuumkammer ein Restgasdruck von ca. 10" mbar eingehalten.
Es braucht wohl nicht näher ausgeführt zu werden, daß die Erfindung nicht auf das dargestellte Aus ührungsbeispiel be¬ schränkt ist. So könnte beispielsweise der Halter 18 für den Träger 6 in an sich bekannter Weise zusätzlich bewegt wer¬ den, um bei großflächigeren Trägern eine gleichmäßigere Schichtstärke zu erhalten.
ERSATZBLATT

Claims

-3-P a t e n t a n s p r ü c h e :
1. Verfahren zum Aufdampfen einer Beschichtung auf einem Träger im Vakuum, wobei der durch eine Erwärmung wenigstens eines Beschichtungsmaterials gewonnene Dampf vor seinem Kon¬ densieren auf der zu beschichtenden Trägeroberfläche zwi¬ schen heißen Wänden geführt wird, die einen über die Füh- rungslänge zumindest im wesentlichen konstanten Strömungs¬ querschnitt begrenzen, dadurch gekennzeichnet, daß der Dampf zunächst in einer dem eineinhalbfachen kleinsten Durchmesser des Strömungsquerschnittes entsprechenden Mindestiänge zwi¬ schen den heißen Wänden geführt wird, bevor er unter freien molekularen Strömungsverhältnissen zwischen den heißen Wän¬ den austritt und nach einem mittleren Strömungsweg entspre¬ chend dem halben bis zweieinhalbfachen kleinsten Durchmesser des austrittseitig von den heißen Wänden begrenzten Strδ- mungsquerschnittes auf der zu beschichtenden Trägeroberflä¬ che kondensiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen den heißen Wänden austretende Dampf einen mittleren Strömungsweg entsprechend dem ein- bis eineinhalb¬ fachen kleinsten Durchmesser des austrittseitig von den heißen Wänden begrenzten S trδmungsquerschnittes frei durch¬ strömt, bevor er an der zu beschichtenden Trägeroberfläche kondensiert wird.
3. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach An¬ spruch 1 oder 2 mit wenigstens einer in einer Vakuumkammer vorgesehenen Verdampfungskammer, die zwischen beheizbaren, einen Strömungskanal mit zumindest im wesentlichen konstan¬ ten Strömungsquerschnitt begrenzenden Wänden mündet, und
ERSATZBLATT mit einem in Achsrichtung des Strömungskanales angeordneten Halter für einen zu beschichtenden Träger, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß die Länge des Strömungskanales (16) zwischen den beheizbaren Wänden (14) wenigstens dem eineinhalbfachen. kleinsten Durchmesser des Strömungskanales (16) entspricht und daß der Halter (18) mit einem auf die Trägerlage bezo¬ genen Abstand vom Austrittsende (17) des Strömungskanales (16) im Ausmaß des halben bis zweieinhalbfachen kleinsten Durchmessers des Austrittsquerschnittes des Strömungskanales (16) in der Vakuumkammer (1) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der in Achsrichtung des Strömungskanales (16) gemessene Abstand zwischen dem zu beschichtenden Träger (6) und dem Austrittsende (17) des Strömungskanales (16) dem ein- bis eineinhalbfachen kleinsten Durchmesser des Austrittsquer- schnittes des Strömungskanales (16) entspricht.
T
EP19890909676 1988-08-29 1989-08-29 Verfahren und vorrichtung zum aufdampfen einer beschichtung auf einem träger im vakuum Withdrawn EP0431021A1 (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3361591A (en) * 1964-04-15 1968-01-02 Hughes Aircraft Co Production of thin films of cadmium sulfide, cadmium telluride or cadmium selenide
CH626407A5 (de) * 1977-07-08 1981-11-13 Balzers Hochvakuum
DE3204337A1 (de) * 1981-02-10 1982-11-04 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa Verfahren und vorrichtung zum bilden eines duennen films
AT387239B (de) * 1984-06-12 1988-12-27 Ki Polt I Verdampfer zum aufbringen von duennschichten durch vakuumaufdampfen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO9002214A1 *

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AT392486B (de) 1991-04-10
WO1990002214A1 (de) 1990-03-08

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