EP2670877A1 - Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür - Google Patents

Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür

Info

Publication number
EP2670877A1
EP2670877A1 EP12713863.4A EP12713863A EP2670877A1 EP 2670877 A1 EP2670877 A1 EP 2670877A1 EP 12713863 A EP12713863 A EP 12713863A EP 2670877 A1 EP2670877 A1 EP 2670877A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
crucible
protective layer
separating device
titanium
titanium oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP12713863.4A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Johan MATHIASSON
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd
Original Assignee
Solibro GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solibro GmbH filed Critical Solibro GmbH
Publication of EP2670877A1 publication Critical patent/EP2670877A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/10—Oxidising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H10F71/1221—The active layers comprising only Group IV materials comprising polycrystalline silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
    • Y10T29/49982—Coating
    • Y10T29/49986—Subsequent to metal working

Definitions

  • the invention relates to a deposition device for depositing thin layers and to a method for producing a crucible for such a deposition device.
  • Such deposition devices can be used, for example, for depositing some or all layers of a thin-film solar cell onto a substrate.
  • a thin-film solar cell onto a substrate.
  • Selenium films are deposited on a substrate to produce so-called CIGS solar cells.
  • the material to be deposited is placed in a crucible of the separators and heated while the substrate is disposed opposite an opening of the crucible.
  • Heating the material in the crucible causes the material to evaporate and exit the crucible through the opening to cover the substrate.
  • the material in the crucible As the material in the crucible is heated, it may react with the material of the crucible itself, which may then over time lead to corrosion of the crucible surface and deterioration of the crucible.
  • crucibles formed of titanium which are used to vaporize
  • Such crucibles are for example in
  • crucibles formed from titanium oxide have been prepared in
  • Lithium ion batteries Lithium ion batteries.
  • the use of such inert materials for the whole crucible reduces the problem of reaction with the
  • the object is according to the invention by a separating device with the features of claim 1 and by a method for producing a crucible for such a separating device with the features of
  • the invention is based on the combined advantage of a crucible body formed of metal and a protective layer which separates this metal material from the deposition material and thus protects the crucible from corrosion. Having a metal body, the crucible has the advantage of being less sensitive to temperature changes. Further, the metal body of the crucible may be cheaper to manufacture than a crucible formed entirely of a ceramic material. Since only the interior of the crucible can come into contact with the deposition material, it may be sufficient to only part or all of it
  • the separation device requires heating means for heating the deposition material, for example selenium, which is arranged in the crucible, to the temperature necessary for separation.
  • the heating means may thus comprise one or more resistive heaters disposed in contact with or near the crucible.
  • Other heating means for direct or indirect heating of the deposition / evaporation material may include inductive heating means, laser heating means, ionizing heating means or other suitable means.
  • the step of covering the crucible body with the protective layer may take place immediately before putting a new crucible into operation
  • the protective layer may be formed on the surface of the crucible body by a deposition method such as physical or chemical deposition, for example, by electroplating the titanium oxide on the
  • the titanium oxide (Ti x O y ) of the protective layer is an induced oxide layer.
  • the titanium oxide protective layer is formed by oxidizing said part of the inner surface of the crucible body.
  • this surface part must be made of a titanium-based alloy with a
  • the crucible body may be formed of a layered metal structure in which the uppermost layer or a part of the uppermost layer comprises a titanium-based alloy. If the titanium oxide of the protective layer is an induced oxide layer, it can by means of heating the crucible body in a
  • Oxygen atmosphere or in an oxygen-rich atmosphere can be generated, for example in an oven.
  • the body of the crucible is formed of a titanium-based alloy. It may even be formed entirely of a titanium-based alloy, which is later either covered with titanium oxide or whose surface may be oxidized, in order to protect it
  • a titanium-based alloy in the present sense may be any metallic alloy whose principal constituent element is titanium.
  • titanium is the element with the highest content in a titanium-based alloy.
  • the material should contain enough titanium to get a
  • the titanium content of such a titanium-based alloy is at least 50 weight percent (wt%).
  • the titanium content is much higher, for example above 60 wt%, above 70 wt%, above 80 wt%, above 90 wt%, or above 95 wt%.
  • a titanium-based alloy according to the invention may also be a pure one
  • Titanium metal or a titanium metal containing contaminants or impurities of another material.
  • the body of the crucible is formed of sheet metal.
  • the metal sheet may be formed by a rolling process.
  • the Crucible body may be formed of two or more interconnected parts.
  • the protective layer should preferably have a thickness of at least 50 nm, at least 100 nm, at least 150 nm, at least 200 nm, at least 300 nm or at least 500 nm. It is advantageous for the protective layer to have a certain minimum thickness in order to protect the metal of the crucible body. A thickness of a few nanometers or less might be too low for this purpose. On the other hand, if the protective layer is too thick, it may peel off due to the brittle structure of the titanium oxide. The surface of the crucible would then be exposed and vulnerable to the
  • means are provided for holding a solar cell substrate in order to evaporate material disposed in the crucible on a surface of the
  • Such a deposition device can be designed, for example, to deposit one or several layers for the production of thin-film solar cells, for example CIGS solar cells.
  • the deposition device can be designed to coat a substrate with selenium.
  • the retaining means would advantageously allow the arrangement of a substantially rectangular glass plate adjacent to the crucible opening.
  • the crucible body may be made by any suitable method before it is completely or partially covered with the protective layer.
  • a preferred method which can be used to produce the metallic material for the body of the crucible is a rolling process, in particular hot rolling or cold rolling of the metal.
  • the metal sheet produced in this way can then be formed into the crucible body.
  • one or all parts of the crucible body by casting be obtained from a molten metal or by metal machining of a metal piece.
  • FIG. 1 shows an arrangement for depositing a material from a crucible on a substrate.
  • Embodiment of the invention. 1 shows a schematic representation of a deposition arrangement with a substrate 4, which is held by means of a substrate holder 5.
  • a surface 41 of the substrate faces a crucible 1 filled with a deposition material 3.
  • Heating means 2 are arranged around the crucible 1, which can heat the crucible 1 and consequently the deposition material 3, which therefore evaporates and on with the
  • the remainder of the separation device comprising the crucible 1 and the substrate 5 is not shown in FIG. 1, for example a vacuum chamber in which the crucible 1 is arranged.
  • the crucible 1 is formed entirely of metal, there is a possibility that the deposition material (evaporation material) 3 with the
  • Inner surface 12 of crucible 1 reacts when heated to a sufficient temperature.
  • the inner surface 12 is at least partially covered with a protective layer 13.
  • Preferred embodiments of such a crucible 1 are shown in FIGS. 2 and 3. While the crucible 1 shown in Fig. 2 has cylindrical side walls and has a square, a rectangular, a circular or any other suitable shape, the crucible 1 shown in Fig. 3 has a conical shape. In both cases, the crucible 1 has a crucible body 11 and a protective layer 13 which covers at least part of the inner surface 12. In the embodiments shown in FIGS. 2 and 3, the entire inner surface 12 of the crucible 1 is covered with the protective layer 13. In other preferred
  • the crucible body 11 may be completely covered with the protective layer 13.
  • Both crucibles 1 shown in FIGS. 2 and 3 have heating means 2 for
  • Heating the evaporation material (not shown in FIGS. 2 and 3) to allow its evaporation on the substrate 4.
  • the heating means 2 may include any type of heater for transferring energy to the heater
  • Devices include inductive heating means, laser heating means, ion heating means and the like.
  • FIG. 4a), 4b), and 4c) illustrate schematically methods for the production of a crucible 1 with a protective layer 12 according to a preferred embodiment.
  • the crucible body 11 can be formed, for example, from sheet metal, which was obtained by means of a rolling process.
  • the crucible body 11 used for this process is preferably formed from a titanium-based alloy.
  • the crucible body 11 is placed in an oven 6 to be heated.
  • an oxygen atmosphere By heating the Crucible 1 in an oxygen atmosphere is oxidized the entire surface or, in the case of limited oxygen exposure, part of the surface of the crucible 1 to form the protective layer 13, as shown schematically in Fig. 4c).
  • the protective layer 13 may additionally be reinforced by a deposition method such as physical or chemical deposition. Alternatively, such methods may be used to create the entire protective layer 13.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Abscheidevorrichtung, aufweisend einen Tiegel (1) und Heizmittel (2), welche angeordnet sind, Verdampfungsmaterial (3) in dem Tiegel (1) aufzuwärmen, wobei der Tiegel (1) einen metallischen Körper (11) und einen Schutzschicht (13) aufweist, welche Titanoxid (TixOy) umfasst und zumindest einen Teil der Innenoberfläche (12) des metallischen Körpers (11) bedeckt. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Tiegels (1) für eine derartige Abscheidevorrichtung.

Description

Titel:
Abscheidevorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Tiegels hierfür Beschreibung:
Die Erfindung bezieht sich auf eine Abscheidevorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten und auf ein Verfahren zur Herstellung eines Tiegels für eine solche Abscheidevorrichtung.
Derartige Abscheidevorrichtungen können beispielsweise zur Abscheidung einiger oder aller Schichten einer Dünnschichtsolarzelle auf ein Substrat verwendet werden. Insbesondere können Kupfer-, Indien-, Gallium- und
Selenfilme auf ein Substrat abgeschieden werden, um so genannte CIGS- Solarzellen herzustellen. Zu diesem Zwecke wird das abzuscheidende Material in einem Tiegel der Abscheidevorrichtungen angeordnet und erwärmt, während das Substrat gegenüber einer Öffnung des Tiegels angeordnet ist. Das
Erwärmen des Materials in dem Tiegel führt dazu, dass das Material verdampft wird und den Tiegel durch die Öffnung verlässt, um das Substrat zu bedecken.
Während das Material in dem Tiegel erwärmt wird, kann es mit dem Material des Tiegels selbst reagieren, was dann im Laufe der Zeit zu einer Korrosion der Tiegeloberfläche und einer Verschlechterung des Tiegels führen kann. Es gibt Beispiele für aus Titan gebildete Tiegel, welche zur Verdampfung von
Materialien verwendet werden. Derartige Tiegel werden beispielsweise in
US2008173241 A und US2006096542A offenbart. Das Problem der Korrosion und nachfolgenden Verminderung der Effizienz des Tiegels ist insbesondere akut bei der Verdampfung von Selen in einem Titantiegel. Derartige Tiegel müssen oft ersetzt werden, was zu hohen Produktionskosten und häufigen Ausfallzeiten führt.
In einigen Fällen wurden aus Titanoxid gebildete Tiegel in
Abscheidevorrichtungen verwendet. Einen derartigen Fall stellt die in US2009061079A beschriebene Verwendung eines aus Titanoxid, Tantaloxid, Zirkonoxid oder Siliziumoxid hergestellten Tiegels zur Herstellung von
Lithiumionenbatterien dar. Die Verwendung derartiger inerter Materialien für den ganzen Tiegel verringert das Problem der Reaktion mit dem
Abscheidungsmaterial. Derartige keramische Tiegelmaterialien sind jedoch sehr zerbrechlich und müssen mit großer Sorgfalt behandelt werden. Sie können auch leicht brechen, wenn sie nicht richtig gehandhabt werden oder wenn sie plötzlichen Temperaturänderungen ausgesetzt werden, was wiederum zu Ausfallzeiten führen kann.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verlässliche Vorrichtung für die Abscheidung einer Reihe von Materialien vorzuschlagen, welche niedrigere Instandhaltungskosten bietet, was zu einem robusteren
Diffusionsprozess mit längeren Laufzeiten führt.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch eine Abscheidevorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und durch ein Verfahren zur Herstellung eines Tiegels für eine derartige Abscheidevorrichtung mit den Merkmalen des
Anspruchs 8 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung basiert auf den kombinierten Vorteil eines aus Metall gebildeten Tiegelkörpers und einer Schutzschicht, welche dieses Metallmaterial vom Abscheidungsmaterial trennt und somit den Tiegel vor Korrosion schützt. Da er einen Metallkörper aufweist, hat der Tiegel den Vorteil, weniger empfindlich gegenüber Temperaturänderungen zu sein. Ferner kann der Metallkörper des Tiegels preiswerter in der Herstellung sein, als ein Tiegel, welches vollständig aus einem Keramikmaterial gebildet ist. Da nur das Innere des Tiegels mit dem Abscheidungsmaterial in Kontakt kommen kann, kann es ausreichen, nur einen Teil der oder die gesamte
Innenoberfläche des Tiegelkörpers mit der Titanoxid (TixOy) Schutzschicht zu bedecken. In anderen Ausführungsformen kann es jedoch von Vorteil sein, den gesamten Tiegelkörper mit der Schutzschicht zu bedecken, was sogar einfacher zu erreichen sein könnte. Neben dem Tiegel benötigt die Abscheidevorrichtung Heizmittel zum Erwärmen des Abscheidungsmaterials, beispielsweise des Selens, welches in dem Tiegel angeordnet ist, auf die zur Abscheidung notwendige Temperatur. Wenngleich eine derartige Erwärmung mittels unmittelbarer Erwärmung des
Abscheidungsmaterials durchgeführt werden kann, kann es von Vorteil sein, zuerst den Tiegel so zu erwärmen, dass das Abscheidungsmaterial als Ergebnis indirekt erwärmt wird. Die Heizmittel können somit eine oder mehrere resistive Heizer aufweisen, welche in Kontakt mit oder nahe dem Tiegel angeordnet sind. Andere Heizmittel zur direkten oder indirekten Erwärmung des Abscheidungs-/Verdampfungsmaterials können induktive Heizmittel, Laser- Heizmittel, lonen-Heizmittel oder andere geeignete Vorrichtungen umfassen.
Der Schritt des Bedeckens des Tiegelkörpers mit der Schutzschicht kann unmittelbar vor der Inbetriebnahme eines neuen Tiegels in der
Abscheidevorrichtung durchgeführt werden.
Die Schutzschicht kann auf der Oberfläche des Tiegelkörpers mittels eines Abscheideverfahrens wie physikalische oder chemische Abscheidung erzeugt werden, beispielsweise mittels Galvanisierung des Titanoxids auf die
Metalloberfläche. In vorteilhaften Ausführungsformen handelt es sich bei dem Titanoxid (TixOy) der Schutzschicht um eine induzierte Oxidschicht. In diesem Fall wird die Titanoxid-Schutzschicht mittels Oxidieren des besagten Teils der Innenoberfläche des Tiegelkörpers erzeugt. Damit dies funktioniert, muss dieser Oberflächenteil aus einer Titan-basierten Legierung mit einer
bestimmten Dicke gebildet sein. Mit anderen Worten, kann der Tiegelkörper aus einer schichtförmigen Metallstruktur gebildet sein, bei der die oberste Schicht oder ein Teil der obersten Schicht eine Titan-basierte Legierung aufweist. Wenn es sich beim Titanoxid der Schutzschicht um eine induzierte Oxidschicht handelt, kann es mittels Erwärmung des Tiegelkörpers in einer
Sauerstoffatmosphäre oder in einer sauerstoffreichen Atmosphäre erzeugt werden, beispielsweise in einem Ofen.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Körper des Tiegels aus einer Titan-basierten Legierung gebildet. Er kann sogar vollständig aus einer Titanbasierten Legierung gebildet sein, welche später entweder mit Titanoxid bedeckt wird, oder deren Oberfläche oxidiert werden kann, um die
Schutzschicht aus Titanoxid zu bilden.
Eine Titan-basierte Legierung in dem vorliegenden Sinne kann jede metallische Legierung sein, dessen elementarer Hauptbestandteil Titan ist. In anderen Worten ist Titan das Element mit dem höchsten Anteil in einer Titan-basierten Legierung. Das Material sollte ausreichend Titan enthalten, um ein
bedeckendes Titanoxid zu bilden. Vorzugsweise beträgt der Titangehalt einer derartigen Titan-basierten Legierung mindestens 50 Gewichtsprozent (wt%). Vorteilhafterweise liegt jedoch der Titananteil viel höher, beispielsweise über 60 wt%, über 70 wt%, über 80 wt%, über 90 wt%, oder über 95 wt%. Eine Titan-basierte Legierung im Sinne der Erfindung kann auch ein reines
Titanmetall sein, oder ein Titanmetall, welches Kontaminationsstoffe oder Verunreinigungen aus einem anderen Material enthält. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die Titan-basierte
Legierung Palladium. Alternativ oder zusätzlich können andere Elemente zur Titan-basierten Legierung hinzugefügt werden, um ihre physikalischen oder chemischen Eigenschaften zu verbessern. In bevorzugten Ausführungsformen ist der Körper des Tiegels aus Metallblech gebildet. Das Metallblech kann mittels eines Walzverfahrens gebildet sein. Der Tiegelkörper kann aus zwei oder mehr miteinander verbundenen Teilen gebildet sein.
Die zumindest einen Teil der Innenoberfläche des Tiegels bedeckende
Schutzschicht sollte vorzugsweise eine Dicke von mindesten 50nm, mindestens 100nm, mindestens 150nm, mindestens 200nm, mindestens 300nm oder mindestens 500nm aufweisen. Es ist von Vorteil für die Schutzschicht, eine gewisse Mindestdicke aufzuweisen, um das Metall des Tiegelkörpers zu schützen. Eine Dicke von wenigen Nanometern oder weniger könnte für diesen Zweck zu gering sein. Wenn andererseits die Schutzschicht zu dick ist, könnte sie aufgrund der spröden Struktur des Titanoxids abblättern. Die Oberfläche des Tiegels wäre dann freigelegt und anfällig dafür, mit dem
Verdampfungsmaterial zu reagieren. In einer bevorzugten Ausführungsform der Abscheidevorrichtung sind Mittel zum Halten eines Solarzellensubstrates vorgesehen, um in dem Tiegel angeordnetes Verdampfungsmaterial auf eine Oberfläche des
Solarzellensubstrates abzuscheiden. Eine derartige Abscheidevorrichtung kann beispielsweise ausgebildet sein, eine oder einige Schichten für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen abzuscheiden, beispielsweise von CIGS-Solarzellen. Insbesondere kann die Abscheidevorrichtung ausgebildet sein, ein Substrat mit Selen zu beschichten. Somit würden die Haltemittel vorteilhafterweise die Anordnung einer im Wesentlichen rechteckigen Glasplatte benachbart zu der Tiegelöffnung erlauben.
Der Tiegelkörper kann mittels jeden geeigneten Verfahrens hergestellt werden, bevor er vollständig oder teilweise mit der Schutzschicht bedeckt wird. Ein bevorzugtes Verfahren, welches zur Herstellung des metallischen Materials für den Körper des Tiegels eingesetzt werden kann, ist ein Walzverfahren, insbesondere ein Warmwalzen oder ein Kaltwalzen des Metalls. Das auf diese Weise hergestellte Metallblech kann dann zu dem Tiegelkörper geformt werden. Alternativ können ein oder alle Teile des Tiegelkörpers mittels Gießen aus einem geschmolzenen Metall oder mittels Metallbearbeitung aus einem Metallstück erhalten sein.
Einige Beispiele von Ausführungsformen der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf anliegende schematische Zeichnungen detaillierter beschrieben. Hierbei zeigen:
Fig. 1 eine Anordnung zum Abscheiden eines Materials aus einem Tiegel auf ein Substrat;
Fig. 2 und 3 unterschiedliche Ausführungsformen eines Tiegels einer
Abscheidevorrichtung gemäß der Erfindung; und
Fig. 4a) bis c) ein Verfahren zu Herstellung eines Tiegels gemäß einer
Ausführungsform der Erfindung. Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Abscheideanordnung mit einem Substrat 4, welches mittels eines Substrathalters 5 gehalten wird. Eine Oberfläche 41 des Substrats ist einem Tiegel 1 zugewendet, welcher mit einem Abscheidungsmaterial 3 gefüllt ist. Heizmittel 2 sind um den Tiegel 1 herum angeordnet, welche den Tiegel 1 und folglich das Abscheidungsmaterial 3 erwärmen können, welches deshalb verdampft und auf der mit dem
Abscheidungsmaterial 3 zu beschichtenden Substratoberfläche 41 kondensiert. Der Rest der Abscheidevorrichtung umfassend den Tiegel 1 und das Substrat 5 ist in der Fig. 1 nicht dargestellt, beispielsweise eine Vakuumkammer, in welcher der Tiegel 1 angeordnet ist.
Wenn der Tiegel 1 vollständig aus Metall gebildet ist, besteht die Möglichkeit, dass das Abscheidungsmaterial (Verdampfungsmaterial) 3 mit der
Innenoberfläche 12 des Tiegels 1 reagiert, wenn es auf eine ausreichende Temperatur erwärmt wird. Bei dem Tiegel 1 gemäß der Erfindung ist jedoch die Innenoberfläche 12 zumindest teilweise mit einer Schutzschicht 13 bedeckt. Bevorzugte Ausführungsformen eines derartigen Tiegels 1 sind in den Fig. 2 und 3 dargestellt. Während der in Fig. 2 gezeigte Tiegel 1 zylindrische Seitenwände hat und eine quadratische, eine rechteckige, eine kreisförmige oder jede andere geeignete Form aufweist, hat der in Fig. 3 gezeigte Tiegel 1 eine konische Form. In beiden Fällen weist der Tiegel 1 einen Tiegelkörper 11 und eine Schutzschicht 13 auf, welche zumindest einen Teil der Innenoberfläche 12 bedeckt. In den in Fig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsformen ist die gesamte Innenoberfläche 12 des Tiegels 1 mit der Schutzschicht 13 bedeckt. In anderen bevorzugten
Ausführungsformen kann der Tiegelkörper 11 vollständig mit der Schutzschicht 13 bedeckt sein.
Beide in den Fig. 2 und 3 dargestellten Tiegel 1 weisen Heizmittel 2 zum
Erwärmen des Verdampfungsmaterials (in den Fig. 2 und 3 nicht dargestellt) auf, um dessen Verdampfung auf das Substrat 4 zu erlauben. Während sie hier schematisch als resistive Heizer dargestellt sind, können die Heizmittel 2 jede Art von Heizvorrichtungen zum Übertragen von Energie auf das
Verdampfungsmaterial 3 in dem Tiegel 1 umfassen, um es Teilchen des
Verdampfungsmaterials 3 zu erlauben, den Tiegel 3 zu verlassen und auf der Substratoberfläche 41 abgeschieden zu werden. Beispiele für derartige
Vorrichtungen umfassen induktive Heizmittel, Laserheizmittel, lonenheizmittel und dergleichen.
Fig. 4a), 4b), und 4c) stellen schematisch Verfahren für die Herstellung eines Tiegels 1 mit einer Schutzschicht 12 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform dar. Zu diesem Zweck wird ein Tiegel 1 mit einem aus einem Metall gebildeten Tiegelkörper 11 wie in der Fig. 4a) gezeigt bereitgestellt. Der Tiegelkörper 11 kann beispielsweise aus Metallblech gebildet sein, welches mittels eines Walzprozesses erhalten wurde. Der für diesen Prozess verwendete Tiegelkörper 11 ist vorzugsweise aus einer Titan -basierten Legierung gebildet.
In einem späteren Schritt, wie in der Fig. 4b) dargestellt, wird der Tiegelkörper 11 in einem Ofen 6 angeordnet, um erwärmt zu werden. Mittels Erwärmen des Tiegels 1 in einer Sauerstoffatmosphäre wird die gesamte Oberfläche oder, im Falle einer eingeschränkten Sauerstoff -Aussetzung, Teil der Oberfläche des Tiegels 1 oxidiert, um die Schutzschicht 13 zu bilden, wie schematisch in der Fig. 4c) dargestellt ist. Die Schutzschicht 13 kann zusätzlich mittels eines Abscheideverfahrens wie physikalischer oder chemischer Abscheidung verstärkt werden. Alternativ können derartige Verfahren verwendet werden, um die gesamte Schutzschicht 13 zu erzeugen.
Bezugszeichen:
Tiegelkörper
Innenoberfläche
Schutzschicht
2 Heizmittel
3 Verdampfungsmaterial (Abscheidungsmaterial)
4 Substrat
41 Substratoberfläche
Substrathalter
Ofen

Claims

Ansprüche:
1 . Abscheidevorrichtung, aufweisend einen Tiegel (1 ) und Heizmittel (2), welche angeordnet sind, Verdampfungsmaterial (3) in dem Tiegel
(I ) aufzuwärmen, wobei der Tiegel (1 ) einen metallischen Körper
(I I ) und einen Schutzschicht (13) aufweist, welche Titanoxid (TixOy) umfasst und zumindest einen Teil der Innenoberfläche (12) des metallischen Körpers (1 1 ) bedeckt.
2. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Titanoxid (TixOy) der Schutzschicht (13) eine induzierte Oxidschicht ist.
3. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass der Körper (11 ) des Tiegels (1 ) aus einer Titan-basierten Legierung gebildet ist.
4. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Titan-basierte Legierung Palladium umfasst.
5. Abscheidevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Körper (11 ) des Tiegels (1 ) aus Metallblech gebildet ist.
6. Abscheidevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (13) eine Dicke von mindestens 50nm, mindestens 100nm, mindestens 150nm, mindestens 200nm, mindestens 300nm oder mindestens 500nm aufweist.
7. Abscheidevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Mittel zum Halten eines Solarzellensubstrates zum Abscheiden des in dem Tiegel (1) angeordneten
Verdampfungsmaterials (3) auf eine Oberfläche des
Solarzellensubstrates.
8. Verfahren zur Herstellung eines Tiegels (1 ) für eine
Abscheidevorrichtung, umfassend ein Bereitstellen eines aus einem metallischen Material gebildeten Tiegelkörpers (11 ) und ein Bedecken zumindest eines Teils der Innenoberfläche (12) des metallischen Körpers (11 ) mittels einer Schutzschicht (13) umfassend Titanoxid
(TlxOy).
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die
Titanoxid-Schutzschicht (13) mittels Oxidation des Teils der
Innenoberfläche (12) des Tiegelkörpers (11 ) hergestellt ist.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das metallische Material des Körpers (11 ) des Tiegels (1 ) in einem
Walzverfahren erzeugt wird.
EP12713863.4A 2011-02-04 2012-01-31 Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür Withdrawn EP2670877A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011000502A DE102011000502A1 (de) 2011-02-04 2011-02-04 Abscheidevorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Tiegels hierfür
PCT/DE2012/100020 WO2012103885A1 (de) 2011-02-04 2012-01-31 Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2670877A1 true EP2670877A1 (de) 2013-12-11

Family

ID=45952809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP12713863.4A Withdrawn EP2670877A1 (de) 2011-02-04 2012-01-31 Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20140026815A1 (de)
EP (1) EP2670877A1 (de)
JP (1) JP6050255B2 (de)
KR (1) KR20130110211A (de)
CN (1) CN103459650A (de)
DE (1) DE102011000502A1 (de)
TW (1) TWI576447B (de)
WO (1) WO2012103885A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470110B (zh) * 2012-09-07 2015-01-21 Manz Taiwan Ltd 用於化學沉積設備的夾固裝置
KR101582672B1 (ko) * 2013-12-17 2016-01-05 (주)알파플러스 증발용 도가니와 이를 포함하는 진공 증발원 및 진공 증착 장치
WO2017217251A1 (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 トーカロ株式会社 発熱部材
SG10201608496UA (en) * 2016-10-11 2018-05-30 Au Optronics Corp Crucible
CN109972096B (zh) * 2017-12-28 2021-04-13 核工业西南物理研究院 一种在料舟表面沉积金属涂层的方法
CN109161854A (zh) * 2018-10-11 2019-01-08 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 蒸镀装置及装置保护层的制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1022278A (en) * 1963-05-19 1966-03-09 Abraham Bar Or Improvements in or relating to crucibles
DE1544222A1 (de) * 1966-08-19 1970-02-26 Licentia Gmbh Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von Halbleiterstoffen,insbesondere von Selen
US3890140A (en) * 1973-05-10 1975-06-17 Us Energy Aluminum titanate crucible for molten uranium
US4342044A (en) * 1978-03-08 1982-07-27 Energy Conversion Devices, Inc. Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
DE3328355A1 (de) * 1983-08-05 1985-02-14 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Tiegel zur aufnahme von salzbaedern fuer das borieren von staehlen
JPH01139988A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Toshiba Corp 金属溶解用るつぼ
US5135782A (en) * 1989-06-12 1992-08-04 Rostoker, Inc. Method of siliciding titanium and titanium alloys
JPH0537214A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Tdk Corp 多層基板による共振器
AU2543397A (en) * 1996-03-29 1997-10-22 Garth W. Billings Refractory nitride, carbide, ternary oxide, nitride/oxide, oxide/carbide, oxycarbide, and oxynitride materials and articles
TW533440B (en) * 2000-12-19 2003-05-21 Toho Titanium Co Ltd Method for forming titanium oxide film and titanium electrolytic capacitor
JP4439894B2 (ja) * 2003-12-01 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着用るつぼ及び蒸着装置
KR100592304B1 (ko) 2004-11-05 2006-06-21 삼성에스디아이 주식회사 가열 용기와 이를 구비한 증착 장치
US8323348B2 (en) * 2005-02-22 2012-12-04 Taiyen Biotech Co., Ltd. Bone implants
TW200632013A (en) * 2005-03-02 2006-09-16 Nano Tech Chemical & System Ltd The film-forming method of producing an inorganic protective film on the metal surface
JP4032068B2 (ja) * 2005-07-28 2008-01-16 株式会社神戸製鋼所 燃料電池用のセパレータに用いるチタン材
JP4738113B2 (ja) * 2005-09-15 2011-08-03 株式会社東芝 真空蒸着装置用るつぼおよびそれを用いた有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR100805531B1 (ko) * 2006-06-13 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 증발원
CN100582289C (zh) * 2006-06-28 2010-01-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 组合式坩埚
WO2008079209A1 (en) 2006-12-19 2008-07-03 Veeco Instruments Inc. Vapor deposition sources and methods
JP4941754B2 (ja) 2007-09-05 2012-05-30 ソニー株式会社 蒸着装置
US20090217876A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Ceramic Technologies, Inc. Coating System For A Ceramic Evaporator Boat
JP5469950B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9062369B2 (en) * 2009-03-25 2015-06-23 Veeco Instruments, Inc. Deposition of high vapor pressure materials

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ASHRAFIZADEH A ET AL: "Structural features and corrosion analysis of thermally oxidized titanium", JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, ELSEVIER SEQUOIA, LAUSANNE, CH, vol. 480, no. 2, 8 July 2009 (2009-07-08), pages 849 - 852, XP026169538, ISSN: 0925-8388, [retrieved on 20090304], DOI: 10.1016/J.JALLCOM.2009.02.079 *
KUMAR S ET AL: "Thermal oxidation of CP-Ti: Evaluation of characteristics and corrosion resistance as a function of treatment time", MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING C, ELSEVIER SCIENCE S.A, CH, vol. 29, no. 6, 1 August 2009 (2009-08-01), pages 1942 - 1949, XP026322583, ISSN: 0928-4931, [retrieved on 20090313], DOI: 10.1016/J.MSEC.2009.03.007 *
See also references of WO2012103885A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW201233831A (en) 2012-08-16
TWI576447B (zh) 2017-04-01
WO2012103885A4 (de) 2012-10-18
US20140026815A1 (en) 2014-01-30
JP2014508860A (ja) 2014-04-10
CN103459650A (zh) 2013-12-18
WO2012103885A1 (de) 2012-08-09
JP6050255B2 (ja) 2016-12-21
DE102011000502A1 (de) 2012-08-09
KR20130110211A (ko) 2013-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012103885A1 (de) Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür
DE3528087C2 (de) Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium
EP3183375A1 (de) Metallisierung für ein dünnschichtbauelement, verfahren zu deren herstellung und sputtering target
DE112018001705T5 (de) Oberflächenbehandelte metallplatte, zellenbehälter und zelle
DE3602804A1 (de) Verfahren zur herstellung von substraten mit gleichmaessiger verteilung extrem feiner koerner
DE69206142T2 (de) Methode zur herstellung von solarzellen.
DE112013002782B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Vorrichtung und dielektrische Vorrichtung
DE102020001980A1 (de) Verfahren und Anlage zur Herstellung eines Ausgangsmaterials für eine Siliziumsolarzelle mit passivierten Kontakten
DE102014107105B4 (de) Verfahren zur verarbeitung eines trägers und eine elektronische komponente
DE19717565A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bildung von I-III-VI¶2¶-Dünnfilmschichten
EP2314732A1 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit einer TCO-Schicht und Dünnschichtsolarzelle
CH721847B1 (de) Zusammengesetzte Schutzbeschichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT521011A4 (de) Bauelement mit einer zweilagigen, oxidischen Schutzschicht
DE102009027852A1 (de) Dünnschicht-Solarmodul mit verbesserter Zusammenschaltung von Solarzellen sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014225862B4 (de) Verfahren zur Bildung einer Dünnschicht mit Gradient mittels Spraypyrolyse
EP3620548A1 (de) Verfahren zur herstellung eines oxidationsbeständigen bauteils aus einer molybdän-basislegierung
AT517717B1 (de) Verfahren zur Abscheidung einer Schicht auf einem Gleitlagerelementrohling
AT523864B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht auf einem Bauelement
WO2023274784A1 (de) Verfahren zur herstellung eines ausgangsmaterials für eine siliziumsolarzelle mit passivierten kontakten
DE19652070C2 (de) Gateelektrode und Verfahren zu deren Herstellung
DE10248927C5 (de) Dünnschichtsolarzelle mit elektrischer Molybdän-Kontaktschicht und Herstellungsverfahren
DE3245611A1 (de) Halbleitervorrichtung aus amorphem silizium
DE736758C (de) Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters vom Selentyp mit Traegerelektrode aus Leichtmetall
DE102004060670B4 (de) Verfahren und Anordnung zur Herstellung hochtemperaturbeständiger Kratzschutzschichten mit geringer Oberflächenrauigkeit
DE3237338C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20130903

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: HANERGY HOLDING GROUP LTD.

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: APOLLO PRECISION KUNMING YUANHONG LIMITED

17Q First examination report despatched

Effective date: 20160311

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: BEIJING APOLLO DING RONG SOLAR TECHNOLOGY CO. LTD.

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20190801