ES2324391T3 - Reactor de plasma para el tratamiento de sustratos de gran superficie. - Google Patents
Reactor de plasma para el tratamiento de sustratos de gran superficie. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2324391T3 ES2324391T3 ES00947729T ES00947729T ES2324391T3 ES 2324391 T3 ES2324391 T3 ES 2324391T3 ES 00947729 T ES00947729 T ES 00947729T ES 00947729 T ES00947729 T ES 00947729T ES 2324391 T3 ES2324391 T3 ES 2324391T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- substrate
- reactor
- electrodes
- plasma
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Reactor de plasma de alta frecuencia (1, 20) acoplado capacitivamente, que está constituido por: - al menos dos electrodos (3, 5) distanciados, conductores de electricidad, con una superficie exterior (3a, 5a), que encierran un espacio interior de proceso (13), en el que se configura u plasma durante el funcionamiento del reactor, - dispositivos de alimentación de gas (7) para la alimentación del espacio interior de proceso (13) con un gas reactivo, - al menos un generador de alta frecuencia (9), que está conectado con al menos uno de los electrodos (3, 5) en un punto de conexión (9a), - dispositivos (8) para la retirada del gas reactivo fuera del reactor, - al menos un plano (15a) entre los electrodos (3, 5) para el alojamiento de un sustrato, como delimitación del espacio interior de proceso, - al menos una capa dieléctrica (11) fuera del espacio interior de proceso, que está conectada como capacidad eléctricamente en serie con un sustrato (15) a procesar y con el plasma, - en el que la capa dieléctrica (1) presenta zonas de capacidad superficiales no uniformes en al menos una dirección del plano (15a), caracterizado porque la capa dieléctrica (11) - presenta un espesor (e1), que no es uniforme sobre la capa dieléctrica y es máximo en el lugar en el espacio de proceso (13), que está más alejado del punto de conexión (9 a), en el que el generador de alta frecuencia está conectado con el electrodo, - en el que esta distancia se designa como camino más corto (150) a lo largo de la superficie exterior correspondiente de los electrodos y - en el que este espesor disminuye desde dicho lugar en el espacio de proceso, en la medida en que se reduce la distancia entre este lugar y el punto de conexión en el electrodo correspondiente.
Description
Reactor de plasma para el tratamiento de
sustratos de gran superficie.
La invención se refiere a un reactor de plasma
de alta frecuencia (RF) acoplado capacitivamente y a un proceso
para el tratamiento de al menos un sustrato en este tipo de reactor.
En particular, la presente invención se ocupa de un reactor de
plasma (RF) acoplado capacitivamente para sustratos de formato
grande.
Tales reactores se conocen como reactores de
descarga de destellos RF "capacitivos" o bien como capacidades
de plasma planas o reactores de plasma RF de placas paralelas, o
como combinación de los conceptos mencionados anteriormente.
Los reactores de plasma RF capacitivos se
utilizan típicamente para someter a un sustrato a la etapa de
proceso de una descarga de destellos. Se utilizan diferentes
procesos para modificar la naturaleza de la superficie del
sustrato. En función del proceso y especialmente del gas introducido
en la descarga de destellos, se pueden modificar las propiedades
del sustrato (adherencia, humidificación), se puede aplicar una
película fina (deposición de vapor químico CVD, pulverización
catódica de diodos) o se puede eliminar de una manera selectiva otra
película fina (dry etching, procedimiento de decapado en seco).
La Tabla indicada a continuación presenta un
resumen simplificado de los diferentes procesos, que se pueden
realizar en una descarga capacitiva a baja presión.
\vskip1.000000\baselineskip
\vskip1.000000\baselineskip
La frecuencia estándar de los generadores de
alta frecuencia utilizados la mayoría de las veces en la industria
es 13,56 MHz. Esta frecuencia está permitida para la utilización
industrial a través de convenios internacionales de
telecomunicaciones. No obstante, han estado en discusión frecuencias
más bajas y más elevadas desde los primeros tiempos de las
aplicaciones de la capacidad de plasma. Actualmente existe una
tendencia a utilizar, por ejemplo en aplicaciones PECVD (plasma
enhanced chemical vapour deposition), frecuencias RF por encima de
13,56 MHz, de manera que se prefieren, por ejemplo, valores a 27,12
MHz y 40,68 MHz (armónicos de 13,56 MHz). Por lo tanto, la
invención se refiere a frecuencias RF (intervalo de 1 a 100 MHz),
pero es principalmente relevante para el caso de frecuencias más
elevadas (por encima de 10 MHz). La invención se puede aplicar
incluso hasta el intervalo de microondas (algunos GHz).
Un problema importante se plantea a frecuencias
RF por encima de 13,56 MHz en conexión con sustratos de formatos
(superficies) grandes, de tal forma que el tamaño del reactor no es
ya insignificante con relación a la longitud de onda libre en vacío
de la onda RF electromagnética en la zona del proceso, donde se
genera el plasma. Entonces la intensidad del plasma en el reactor
puede no ser ya homogénea. El origen físico de esta limitación
reside en el hecho de que la onda RF se distribuye a lo largo de
una onda estacionaria (oscilación espacial) que se configura dentro
del reactor. En el reactor pueden aparecer igualmente otras
irregularidades, por ejemplo inhomogeneidades, que son provocadas a
través del gas, que se utiliza para el proceso de plasma.
El documento US 4.425.210 (Fazal) describe un
reactor de decapado de plasma accionado con frecuencia media con
una serie de electrodos, que están dispuestos paralelos a distancia
entre sí. Se conecta una fuente RF con los electrodos y se acciona
con frecuencia media hasta máximo 111 kHz. Los sustratos a tratar se
exponen al campo entre los electrodos. Los electrodos están
provistos a ambos lados con revestimientos dieléctricos e espesor
no uniforme.
Un objetivo de la invención es proponer una
solución para la eliminación o al menos para la reducción
considerable de una inhomogeneidad electromagnética (o de proceso)
en un reactor.
Esto se consigue a través de un reactor de
plasma de alta frecuencia acoplado capacitivamente de acuerdo con
la reivindicación 1.
Un proceso de tratamiento en el reactor de esta
invención comprende las siguientes etapas:
- -
- disposición de al menos un sustrato entre al menos dos electrodos, en el que un electrodo está alineado en un plano de referencia,
- -
- introducción de un gas reactivo (o de una mezcla de gas) en un espacio interior de proceso entre los dos electrodos,
- -
- conexión de un generador de alta frecuencia en al menos uno de los electrodos en un punto de conexión,
- -
- generación de una descarga de plasma en al menos una zona del espacio interior de proceso delante del sustrato, de manera que dicho sustrato es expuesto a la etapa del proceso de la descarga de plasma,
- -
- generación de una capacidad extra, eléctricamente en serie con el sustrato y el plasma, de manera que cada capacidad extra presenta un perfil, y
- -
- el perfil de la capacidad extra está fijado de tal forma que presenta una capacidad dependiente del lugar por unidad de superficie en al menos una dirección del plano de referencia del sustrato, a través de un espesor no uniforme de la capacidad extra.
Debe establecerse que tal solución vale en
general. Es válida para todos los procesos de plasma, pero solamente
para determinadas frecuencias RF.
Un procedimiento de acuerdo con la presente
invención para el tratamiento de sustratos en un reactor de plasma
de alta frecuencia de acuerdo con la invención se define en la
reivindicación 11.
La capacidad extra "cortada a medida", que
corresponde a la "capa (esencialmente) dieléctrica" mencionada
anteriormente actúa como componente de un divisor capacitivo. Las
variaciones capacitivas se pueden conseguir de una manera ventajosa
a través de un espesor desigual de dicha capa, de tal manera que la
capacidad extra presentará un perfil con desarrollo
no-plano a lo largo de la superficie.
Para la compensación de una distribución
irregular de la tensión en el espacio de proceso del reactor se
establece dicho espesor con preferencia de la siguiente manera:
- -
- dicha "capa correctora" es más gruesa en aquel lugar del espacio de proceso que está más alejado del punto de conexión del generador de alta frecuencia en dicho electrodo, siendo medida la distancia siguiendo la superficie exterior de los electrodos,
- -
- y dicho espesor se reduce con preferencia a partir de dicho lugar en el espacio de proceso, tal como se reduce la distancia entre el lugar en el espacio de proceso y el punto de conexión del electrodo correspondiente.
Evidentemente, por la "distancia"
mencionada anteriormente debe entenderse el más corto de todos los
caminos posibles.
Cuando las ondas electromagnéticas que se
propagan, que se alimentan al espacio de proceso, se superponen
cerca del centro del reactor, para formar una onda estacionaria y de
esta manera parece un máximo de tensión en el entorno del centro
del reactor, el espesor de dicha "capa correctora" será mayor
en el centro que en el borde.
\newpage
Una solución de acuerdo con la invención para la
adaptación de la llamada "capa correctora" consiste en
conformar al menos una superficie de esta capa de tal forma que la
capa presenta una superficie exterior no-plana, con
preferencia una superficie curvada cóncava, que está dirigida hacia
el espacio interior de proceso. Dicha superficie "formada no
plana" se puede conseguir por diferentes vías.
Una vía preferida de acuerdo con la invención
consiste en formar al menos uno de los electrodos de tal forma que
dicho electrodo tiene una superficie no-plana,
dirigida hacia el sustrato, especialmente una superficie
habitualmente curvada cóncava.
Otro objeto de esta invención es definir la
composición o la estructura de la llamada "capa
correctora".
En una forma de realización preferida, dicha
capa presenta al menos una de las posibilidades de realización de
capa dieléctrica sólida o capa dieléctrica gaseosa.
Cuando la capa está realizada como capa
dieléctrica gaseosa, el gas estará con preferencia en comunicación
con el espacio interior de proceso donde es generado el gas.
Un sustrato, que está constituido por una placa
con superficie exterior formada no plana, representa igualmente una
solución para equipar el reactor según la invención con la llamada
"capa correctora".
Otro objeto de la invención consiste en definir
la disposición del sustrato en el reactor. Así, por ejemplo, el
sustrato puede presentar un componente sólido, dispuesto sobre
elementos distanciadores, que se encuentran entre dicho componente
sólido y uno de los electrodos, de manera que dichos distanciadores
se encuentran en la "capa correctora" mencionada y presentan
diferentes dimensiones determinantes de la distancia. Una
dificultad, que se provoca a través de tales distanciadores, está
relacionada con una interferencia local del campo a través de
contacto entre el distanciador y el sustrato.
Por lo tanto, de acuerdo con la invención, se
propone que los elementos distanciadores presenten con preferencia
un extremo fijo, que es adecuado como soporte para el componente
fijo, de manera que el extremo fijo presenta un espacio libre
circundante.
La descripción siguiente se refiere a un reactor
de plasma RF acoplado capacitivamente, en el que las mejoras a
través de la invención reducen en una medida considerable la
inhomogeneidad electromagnética durante el proceso de plasma.
Sobre todo, la propagación electromagnética en
la mayoría de los plasmas de proceso implica una auténtica
restricción para sustratos en el orden de magnitud de y por encima
de 0,5 m^{2} y especialmente por encima de 1 m^{2}, tan pronto
como la frecuencia de la fuente RF está por encima de 10 MHz. Dicho
con más precisión, debe tenerse en cuenta la dilatación máxima del
sustrato que se expone al plasma. Cuando el sustrato tiene una
superficie con preferencia cuadrada, dicha "dimensión máxima"
es la diagonal del cuadrado. Por lo tanto, toda "dimensión
máxima" mayor que esencialmente 0,7 m es crítica.
Un problema básico, que es solucionado por la
presente invención, reside en que en virtud del carácter de la
propagación de la onda electromagnética en la capacidad del plasma,
la tensión RF en el espacio de proceso no es uniforme. Cuando se
conecta una fuente RF en el centro de un electrodo, se reduce
ligeramente la tensión desde el centro hacia los bordes de dicho
electrodo.
Como se ha mencionado anteriormente, una vía
para conseguir una tensión RF (esencialmente) uniforme en el plasma
propiamente dicho es la siguiente:
- -
- se introduce una capacidad entre los electrodos, conectando dicha capacidad en serie con el plasma (y el sustrato) en el reactor,
- -
- esta capacidad extra actúa junto con la capacidad de plasma propiamente dicha como divisor de la tensión, que adapta la distribución local de la potencia RF para compensar inhomogeneidades del proceso, que aparecen, por ejemplo, en virtud de la composición irregular del gas, efectos marginales o en virtud de un gradiente de temperatura.
A continuación se presenta una descripción
detallada de formas de realización preferidas de acuerdo con la
invención con referencia a los dibujos.
Las figuras 1 y 2 son dos ilustraciones
esquemática de un reactor mejorado de acuerdo con la invención (la
figura 1 es una sección de la figura 2 a lo largo de la línea
I-I).
Las figuras 3, 4, 5, 6, 7 y 8 muestran formas de
realización alternativas de las configuraciones de este tipo de
reactor.
\newpage
Las figuras 9, 10, 11 y 12 muestran otras formas
de realización esquemáticas de reactores de plasma de alta
frecuencia típicos de acuerdo con la invención.
La figura 13 muestra otro ejemplo de un reactor
de plasma.
La figura 14 ilustra el "concepto de
adaptación", aplicado a una variación de espesores.
En las figuras 1 y 2, el reactor se designa con
1. El reactor 1 presenta dos electrodos metálicos 3, 5, con
superficie exterior 3a, 5a respectiva. Estos electrodos están
distanciados entre sí.
Una fuente de gas 7 alimenta el reactor con un
gas reactivo(o una mezcla de gases), en el que se genera el
plasma a través de una descarga RF (ver Tabla anterior). Los
dispositivos de bombeo 8 en el otro extremo del reactor bombean el
gas. La descarga RF es generada a través de una fuente de alta
frecuencia 9, que está conectada en el lugar 9a en el electrodo
superior 3. La posición 9a se encuentra en el centro sobre el lado
trasero de la superficie exterior 3a de este electrodo.
Estos dibujos esquemáticos muestran, además, una
capacidad extra 11, eléctricamente en serie con el plasma 13 y un
sustrato 15 dispuesto encima.
El plasma 13 se puede observar en el espacio
interior (con el mismo número de referencia), que se extiende entre
electrodo 3 y sustrato 15.
El sustrato 15 puede ser una placa dieléctrica
con espesor e uniforme, que define el extremo inferior del
espacio interior de proceso 13, de tal manera que el sustrato 15está
expuesto a la descarga de plasma. El sustrato 15 se orienta en un
plano general 15a y su espesor e está rectangular a dicho
plano.
La capacidad extra 11 insertada entre el
sustrato 15 y el electrodo inferior 5 provoca una modificación de
la tensión de tal manera que la tensión RF (V_{p}) sobre el plasma
(por ejemplo, a lo largo de la línea 17, entre el electrodo 3 y el
sustrato 15) es solamente una fracción de la tensión de alta
frecuencia (V_{FR}) entre los electrodos 3, 5.
Hay que observar que la capacidad extra 11 está
definida materialmente como capa dieléctrica (por ejemplo, como
placa cerámica), con espesor e_{1} no uniforme en una dirección,
que está rectangular al plano 15a mencionado anteriormente. Puesto
que la conexión de la fuente RF en el electrodo 3 es central y
debido a la disposición de los elementos mencionados anteriormente
en el reactor (como se muestra en las figuras 1 y 2), el espesor
e_{1} de la placa dieléctrica 11 es máximo en el centro y se
reduce desde dicho centro hacia el borde, para compensar de esta
manera la irregularidad electromagnética en el espacio de proceso
13. De esta manera, la presencia de dicha capacidad en serie
relativamente gruesa reduce la tensión efectiva sobre el plasma.
Por lo tanto, para la compensación de los efectos electromagnéticos
en un reactor para sustratos de superficie grande, como se
representan en las figuras 1 y 2, la capacidad en serie 11 en el
centro del reactor será un poco más gruesa y se debilitará hacia el
borde.
Las ilustraciones esquemáticas de las figuras 3
a 8 muestran diferentes configuraciones posibles, que permiten una
compensación de la inhomogeneidad en un reactor de plasma de alta
frecuencia acoplado capacitivamente, del tipo que se representa en
las figuras 1 y 2. Se indica que son posibles combinaciones de las
opciones básicas, como se ilustra en los dibujos 3 a 8.
En la figura 3, una placa cerámica llana plana
21 de espesor e_{2} uniforme está fijada en el electrodo superior
23. Existe un espacio intermedio 31 adaptado a ella entre el
electrodo metálico 23 y la placa cerámica 21. Por encima del otro
electrodo 25 está dispuesto un sustrato 35, que puede ser
dieléctrico o metálico (o conductor de electricidad sobre al menos
una de sus superficies).
En las figuras 3 a 8, la posición de la conexión
de la fuente de energía (como la fuente RF 9 en los dibujos 1 y 2)
en el centro del electrodo correspondiente se presupone dispuesta en
el centro sobre el electrodo y la geometría general del reactor se
presupone igualmente como se representa, de manera que en tales
condiciones la capa 31 adaptada presenta una superficie trasera
31a, que está curvada con un perfil regular cóncavo en dirección al
espacio de proceso 13.
De esta manera, el electrodo superior 23
correspondiente (cuya limitación interior, dirigida hacia el espacio
de proceso 13, está fijada por la superficie 31a) tiene un espesor
e_{3} variable. La dimensión de e_{3} es más fina en el centro
del electrodo y es más gruesa en su borde.
El segundo electrodo 25 opuesto está
habitualmente paralelo al primer electrodo 23 y tiene un espesor
e_{4} uniforme.
Se puede reconocer que la unión entre la placa
dieléctrica fija 21 y el hueco 31 correspondiente no existe ninguna
unión hermética al gas. De esta manera, el gas reactivo introducido
en el espacio de proceso 13 puede circular en el espacio intermedio
31, cuyo espesor está diseñado con preferencia para evitar una
descarga de plasma en el mismo. De la misma manera, es posible
equipar el "espacio intermedio corrector" 31 con dispositivos
complementarios, para evitar dicha descarga de plasma en el
mismo.
En la figura 4, el electrodo 23 presenta el
mismo perfil 31a que en la figura 3. Sin embargo, aquí la "capa
correctora" es una placa cerámica 41 con espesor e_{5}
variable.
En los dibujos 5 a 8, los sustratos 35' son
sustratos dieléctricos.
En la figura 5, el electrodo superior 33 es un
electrodo metálico plano con espesor e_{4} uniforme. El electrodo
inferior 45 corresponde al electrodo superior 23 de la figura 3. El
electrodo 45 presenta una superficie interior 51b, que establece
una limitación trasera para la "capa correctora" gaseosa
curvada cóncava. Sobre dicha capa 51 está dispuesta una placa
dieléctrica 21 plana horizontal. La placa cerámica 21 de espesor
e_{5} uniforme está conectada en su borde con el electrodo
inferior 45 (contra electrodo). El sustrato 35' está dispuesto
sobre la placa cerámica 21.
Puesto que la presión del gas reactivo en el
espacio de reacción está típicamente entre 10^{-1} y 10^{3} Pa,
la presión dentro del espacio intermedio gaseoso corrector será
esencialmente igual que la presión en el espacio de reacción.
Típicamente, en un proceso de decapado, la presión del gas reactivo
dentro de la zona de descarga de plasma 13 estará entre 1 Pa y 30
Pa, y entre 30 y 10^{3} Pa para un proceso PECDV. Por
consiguiente, la presión dentro del espacio intermedio corrector
(31, 51...) será típicamente una presión baja. Por lo tanto, tal
espacio intermedio dieléctrico gaseoso se podría designar también
como "hueco de vacío parcial".
En la figura 6, el sustrato 35' (con espesor
uniforme) se encuentra sobre una placa dieléctrica sólida
(superficie 41a), que corresponde a la placa cerámica 41 de la
figura 4 en posición invertida. La superficie interior delantera
41a de la placa 41 es plana, en cambio su lado trasero 41b es
convexo y está en contacto directo con el electrodo metálico
inferior 45, cuya superficie interior es aquí cóncava. Por lo tanto,
la placa 41 es una especie de "lente".
Los electrodos 33, 35, como se representan en la
figura 7, corresponden a los electrodos de la figura 5. El sustrato
35', que presenta un espesor uniforme, es plano y paralelo al
electrodo metálico superior 33. El sustrato 35' descansa sobre
apoyos 47 pequeños, que están dispuestos entre el electrodo 45 y el
sustrato. La superficie superior 51b interior no plana del
electrodo 45 proporciona entre el electrodo 45 y el sustrato 35' un
hueco 61 hermético al gas con espesor e_{6} no uniforme. De esta
manera, el espacio intermedio 61 actúa como una capa dieléctrica
correctora para la compensación de la inhomogeneidad del proceso y
posibilita tratar el sustrato 35' de una manera uniforme en la
descarga de plasma.
En el dibujo 8, los dos electrodos 25, 33
opuestos tienen el mismo espesor, son planos y están paralelos entre
sí. La capa 71 adaptada se forma a partir de un sustrato 65 no
plano, que está dispuesto sobre los apoyos 57 instalados. La altura
de tales "elementos distanciadores" 57 se calcula para dar al
sustrato 65 el perfil no plano necesario.
El esbozo de la figura 8 debería ser
mecánicamente el más ventajoso, porque ambos electrodos 33, 25
permanecen planos y el perfil del nuevo pequeño 71 se fija a través
de los apoyos 57.
Se establece que para cada uno de los fines
descritos es útil alimentar la potencia de RF o bien al electrodo,
en el que está fijado el sustrato o al contra electrodo.
Con respecto a las disposiciones ejemplares en
los dibujos 1 a 8, se establece, además, que la capa adaptada (11,
31, 41, 51, 61, 71) tendrá con preferencia un espesor, que presenta
la forma de una curva de campana de Gauss para la distancia entre
electrodo y electrodo (sobre la base de la disposición
"central" mencionada anteriormente). Dicho más exactamente, el
perfil de dicha capa adaptada se puede derivar de una curva de
campana plana, cortada horizontalmente, en la que, en efecto, la
"punta" restante de la curva de campana representa la forma de
una sección transversal a través de la capa correctora.
Los dibujos 9 a 12 muestran otras formas de
realización según la invención de un rector de plasma de alta
frecuencia acoplado capacitivamente mejorado. La figura 9 muestra la
realización más sencilla de la invención. La fuente de potencia 9
de alta frecuencia está conectada en el centro con un electrodo
superior 3, que se designa como "electrodo de cabeza de
ducha", puesto que presenta agujeros 83 en la superficie
inferior, dirigida hacia el espacio de proceso de plasma 13; se
encuentra en la cámara interior 81 del reactor 10. El contra
electrodo 30 se fija a través de la pared exterior metálica de la
cámara 81. La alimentación del gas de reacción no se representa. El
bombeo de dicho gas reactivo se realiza a través del tubo de salida
de gas 85.
Se puede establecer que todos los elementos
(materiales) mecánicos en el rector 10, como se muestra en la
figura 9, están retenidos planos (sobre todo, los electrodos y el
sustrato 135). Sin embargo, el sustrato 135 (con espesor e_{7}
uniforme) se dobla a través del apoyo sobre una serie de elementos
distanciadores 87, que están dispuestos entre el sustrato y el
contra electrodo 30. Los elementos distanciadores 87 tienen altura
diferente. El sustrato 135 se curva en virtud de su elasticidad
propia. La distancia media entre los apoyos se establece a través
del espesor del sustrato y su módulo de Young (módulo de
elasticidad).
En este contexto, existen dos capas en el
espacio entre los electrodos, cuyo espesor no es constante
(uniforme): el espacio de proceso del plasma 13 propiamente dicho y
el "espacio intermedio corrector" 89 detrás del sustrato.
Aunque este ejemplo no es una solución sencilla, esta configuración
es efectiva, porque la potencia RF generada localmente en el plasma
depende mucho más de una variación pequeña de la capa capacitiva
"gaseosa" fina detrás del sustrato, que de la variación
relativa pequeña del espesor e_{8} del espacio de proceso de
plasma 13 (en la dirección de la dilatación del electrodo 3).
La capa adaptada "correctora" 89 se
encuentra en este caso detrás del sustrato. Es una capa gaseosa (o
de vacío parcial) adaptada, en la que la selección de la palabra
"vacío" o "gaseosa" se utiliza solamente para subrayar el
hecho de que esta capa presenta una constante dieléctrica de 1. La
capa puede contener gases (la constante eléctrica no está afectada
por ello).
Existe el peligro de que los apoyos 87, ya sean
metálicos o dieléctricos, provoquen una interferencia local del
proceso. En realidad, en el plano de apoyo, en el que no está
presente la capacidad en serie de la capa "correctora" 89
adaptada, el campo RF es localmente mayor. La interferencia se
propaga sobre una cierta distancia alrededor del punto de apoyo.
Esta distancia está en el intervalo del espesor del sustrato e_{7}
más un "espesor envolvente de plasma" (típicamente 2 - 4 mm),
designado en la figura 9 como 13a y 13b.
La figura 9a muestra una vía posible para
reducir la interferencia a través del punto de poyo a una medida
tolerable. La solución consiste en rodear cada elemento distanciador
89 con una cavidad 91 pequeña. A través de la cavidad se reduce el
acoplamiento capacitivo. A través de a adaptación de la cavidad para
la compensación exacta debería eliminarse prácticamente la
interferencia local.
Con relación a la invención, esta disposición
muestra que la capa "correctora" descrita en la invención
debería seguir el perfil propuesto "por término medio": se
pueden aceptar interferencias muy locales en el perfil, con tal que
el acoplamiento capacitivo, promediado sobre una zona de pocos
milímetros, permanezca esencialmente ininterrumpido y correctamente
adaptado.
En la disposición de la figura 9, el sustrato
135 es un elemento dieléctrico. Esto es importante porque cada capa
dieléctrica adaptada (tal como 89) debe estar exactamente dentro del
espacio, que se forma a través de las capas metálicas opuestas más
externas, que definen el "hueco de proceso". Cuando un sustrato
es metálico (conductor de electricidad), blinda el efecto de
cualquier conductancia adaptada inferior. Entonces el sustrato debe
considerarse como uno de los electrodos.
En la figura 10 se ilustra un diseño habitual en
la industria de procesos. El reactor 20 es alimentado con dos
fuentes de energía de acción diferente: una fuente de alta
frecuencia RF (sobre 30 MHz) y una fuente de tensión previa RF 93
(por debajo de 15 MHz). El electrodo superior 3 de "cabeza de
ducha" está conectado con la fuente de alta frecuencia 91 y el
electrodo inferior 45 está conectado con la fuente de tensión previa
93. Una de las fuentes está prevista para generar el plasma (en
este caso suponemos que se trata de una frecuencia RF bastante
alta, a través de la fuente (1). La otra fuente 93 se utiliza aquí
como supletoria, para posibilitar un bombardeo de iones extra sobre
el sustrato 35. Típicamente, de esta manera se conecta una potencia
de entrada extra (93) con el electrodo del lado del sustrato y se
acciona a 13,56 MHz.
Tal instalación de tensión previa de RF se
utiliza con frecuencia en el decapado iónico reactivo. Se emplea en
combinación con muchos tipos de plasma (tales como microondas o
resonancia de ciclotrones electrónicos).
En el ejemplo de la figura 10 existen dos
electrodos opuestos. Ninguno de ellos está realmente puesto a
tierra. Pero incluso en esta disposición especial, la capacidad
adaptada según la invención (capa 95 con espesor irregular) es
adecuada. En el caso del dibujo 10, se incluye la disposición de la
figura 5.
Una característica importante es que la parte
activa del reactor 20 (espacio de proceso de plasma 13, sustrato
35, plana dieléctrica 21 llana plana de espesor uniforme y espacio
intermedio 95 gaseoso adaptado de espesor irregular) se encuentra
entre dos placas metálicas (electrodos 3, 45). El hecho de si una
placa está puesta a tierra o no; el hecho de si se alimentan una o
varias frecuencias RF a uno y/o al otro electrodo, es irrelevante.
El hecho más importante es que entre las dos placas metálicas 3, 45
se propaga una diferencia de tensión RF. En el ejemplo de la figura
10, se utilizan dos frecuencias RF. El dibujo muestra dos
alimentaciones (superior e inferior) para los dos generadores de
RF. Esto no es obligatorio. Pueden ser alimentados en común desde
arriba o desde abajo (electrodo superior 3 o electrodo inferior 45).
Lo que aquí es importante es que existen dos frecuencias
diferentes, una alta frecuencia alta y una baja frecuencia. Ambas se
propagan en el reactor capacitivo.
Cuando se introduce, como se propone, una
capacidad adaptada como 95, para compensar la inhomogeneidad de la
alta frecuencia, esto volverá inhomogénea la "baja frecuencia".
La amplitud de onda de "baja frecuencia" suministrará entonces
un perfil de potencia eléctrica ligeramente ahuecado en virtud de la
capacidad adaptada extra en el centro. Con otras palabras, la
aplicación del "concepto de adaptación" de la invención
solamente tiene sentido cuando la "alta frecuencia" local de
potencia uniforme es para el proceso más importante que la
uniformidad de la potencia de "baja frecuencia".
En la figura 11, la capa capacitiva 105 adaptada
está constituida por un espacio lleno de gas entre una capa
intermedia cerámica 107 y el electrodo metálico 109, que ha sido
procesado de tal forma que su cavidad lisa y adaptada (debido a la
superficie interior 109a no plana) está opuesta al lado trasero de
la placa cerámica 107. La capa cerámica 107 posee muchos agujeros
pequeños 107a, a través de los cuales pasa el gas reactivo, que
circula a través de los agujeros 109b en el electrodo metálico
trasero. El gas reactivo es introducido a través de tubitos 111,
que están conectados con una fuente de gas externa 113. (No se
representan los dispositivos de bomba). La fuente de RF 115 está
conectada con el electrodo 109, como se representa. El diseño del
electrodo trasero 109 podría ser una "cabeza de ducha"
tradicional como el electrodo 3 en la figura 10. Otra opción es el
diseño como distribuidor de gas en cascada, como se muestra en la
figura 11.
En la figura 12 se representa un reactor de
plasma de microondas capacitivo como diagrama. El dibujo muestra un
diseño posible, en el que una estructura de capas diseñada más bien
gruesa, designada aquí como 120 (cuyo espesor está representado
como e_{9}), se utiliza para compensar la inhomogeneidad drástica
de la propagación electromagnética. El reactor 40 representado es
un reactor para el decapado de obleas más bien pequeñas. Las
microondas proceden de una guía de ondas coaxial 121, que se
ensancha poco a poco en la zona 122 ("forma de trompeta") para
evitar reflexiones. A continuación, las microondas alcanzan la zona
de proceso 13, donde las ondas deberían convergen hacia el centro
del reactor (que es cilíndrico).
Explicación de las dimensiones: el sustrato 35,
dispuesto sobre un contra electrodo plano 126 posee u diámetro de
aproximadamente 10 cm. Se genera una onda de 1 GHz (30 cm de
longitud de onda en vacío) a través del generador de microondas
123. El espesor en el centro de la capa adaptada 120 (cuando está
fabricada de cuarzo) debería ser del mismo tamaño que el espacio 13
del propio plasma libre.
Aquí se propone constituir la capa adaptada 120
de tres placas dieléctricas, que establecen tres fases (discos
120a, 120b, 120c). La discontinuidad de las fases debería
promediarse a través del plasma. La capa adaptada es con
preferencia muy gruesa y se podría designar como "lente". El
número de los discos, para componer la lente, podría ser cuatro o
más, cuando la forma idealmente lisa de la lente debe fabricarse en
su mejor aproximación.
En dicha figura 12 se puede establecer que el
gas reactivo es alimentado a través de la entrada de gas 124. Dicho
gas es bombeado a través de una serie de ranuras (con preferencia
orientadas radialmente) a través del contra electrodo 126 y termina
en un canal de forma circular. No se representan los dispositivos de
salida de gas para el bombeo del gas reactivo desde el espacio de
reacción entre los electrodos.
En la figura 13, el reactor 50 corresponde al
reactor 40 de la figura 12, con la excepción de que en este caso la
variación de las fases de la capa dieléctrica "correctora" 130
no se consigue en virtud de la modificación del espesor, sino a
través de la modificación del material, del que está compuesta dicha
capa 130, siendo uniforme el espesor de los elementos individuales.
Con otras palabras, la capa 130 es una capa con constante
dieléctrica variable con espesor e_{10} constante. La capa con
constante dieléctrica baja es la placa central 131, que está
rodeada concéntricamente por una segunda placa 132 con constante
dieléctrica media. La tercera placa exterior 133 tiene la máxima
constante dieléctrica.
Por consiguiente, la porción de la capa adaptada
130, que corresponde a la parte más gruesa (de la figura 12), está
fabricada del material menos dieléctrico (por ejemplo, cuarzo),
mientras que la capa intermedia 132 puede estar constituida por un
material como nitrito de silicio, el material con la máxima
constante dieléctrica en el borde 133 se fabrica aquí de óxido de
aluminio.
El ejemplo de la figura 13 muestra claramente
que una capa dieléctrica, cuya capacidad por unidad de superficie
no es uniforme, se puede obtener también a través de una variación
de la constante dieléctrica de dicha capa, en cambio su espesor se
mantiene uniforme son respecto a la superficie.
A partir de la descripción anterior y de la
ilustración de la figura 14 (sobre la base de la realización de la
figura 1) debe estar claro que en cualquier caso, en el que se
utiliza el espesor de la capa "correctora", tal como 140, para
compensar una inhomogeneidad de proceso observada, la(s)
capa(s) correctora(s) serán más gruesas en el lugar
del espacio de proceso (o el electrodo opuesto, tal como 3) que está
más alejado de la conexión de los electrodos (9a). Hay que indicar
que la "vía" (designada como 150) para el cálculo de dicha
"distancia" debe seguir la superficie exterior del electrodo
correspondiente (tal como 3a). Dicho espesor será mínimo en el
lugar correspondiente, en el que la "distancia" anterior es
mínima, y el perfil no plano de la capa seguirá la distancia
decreciente.
Claims (11)
1. Reactor de plasma de alta frecuencia (1, 20)
acoplado capacitivamente, que está constituido por:
- -
- al menos dos electrodos (3, 5) distanciados, conductores de electricidad, con una superficie exterior (3a, 5a), que encierran un espacio interior de proceso (13), en el que se configura u plasma durante el funcionamiento del reactor,
- -
- dispositivos de alimentación de gas (7) para la alimentación del espacio interior de proceso (13) con un gas reactivo,
- -
- al menos un generador de alta frecuencia (9), que está conectado con al menos uno de los electrodos (3, 5) en un punto de conexión (9a),
- -
- dispositivos (8) para la retirada del gas reactivo fuera del reactor,
- -
- al menos un plano (15a) entre los electrodos (3, 5) para el alojamiento de un sustrato, como delimitación del espacio interior de proceso,
- -
- al menos una capa dieléctrica (11) fuera del espacio interior de proceso, que está conectada como capacidad eléctricamente en serie con un sustrato (15) a procesar y con el plasma,
- -
- en el que la capa dieléctrica (1) presenta zonas de capacidad superficiales no uniformes en al menos una dirección del plano (15a),
caracterizado porque la capa dieléctrica
(11)
- -
- presenta un espesor (e_{1}), que no es uniforme sobre la capa dieléctrica y es máximo en el lugar en el espacio de proceso (13), que está más alejado del punto de conexión (9_{a}), en el que el generador de alta frecuencia está conectado con el electrodo,
- -
- en el que esta distancia se designa como camino más corto (150) a lo largo de la superficie exterior correspondiente de los electrodos y
- -
- en el que este espesor disminuye desde dicho lugar en el espacio de proceso, en la medida en que se reduce la distancia entre este lugar y el punto de conexión en el electrodo correspondiente.
2. Reactor de acuerdo con la reivindicación 1,
con otro generador de alta frecuencia (93), que está conectado con
al menos uno de los electrodos (3, 45) en un punto de conexión
(9_{a}), para la elevación del bombardeo de iones sobre dicho
sustrato.
3. Reactor de acuerdo con una de las
reivindicaciones 1 ó 2, caracterizado porque la capa
dieléctrica (15) presenta una superficie exterior formada no
plana.
4. Reactor de acuerdo con una de las
reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque al menos uno de
los electrodos presenta una superficie formada no plana, que está
dirigida hacia el sustrato.
5. Reactor de acuerdo con una de las
reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque:
- -
- la capa dieléctrica está delimitada localmente por la superficie de uno de los electrodos (5a, 41b, 51b), y
- -
- la superficie de limitación de este electrodo está curvada.
6. Reactor de acuerdo con una de las
reivindicaciones 1 a 5, caracterizado porque la capa
dieléctrica está constituida por al menos una capa dieléctrica
sólida, o por al menos una capa dieléctrica gaseosa, o por una
combinación de ellas.
7. Reactor de acuerdo con una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque entre el
sustrato (35', 65) y uno de los elementos (25, 45) están dispuestos
elementos distanciadores (47, 57) con diferentes dimensiones
determinantes de la distancia.
8. Reactor de acuerdo con la reivindicación 7,
caracterizado porque los distanciadores están realizados de
tal forma que el sustrato (35') descansa plano.
9. Reactor de acuerdo con la reivindicación 7,
caracterizado porque los distanciadores están realizados de
tal forma que el sustrato (65) presenta una superficie curvada.
10. Reactor de acuerdo con las reivindicaciones
7 a 9, caracterizado porque los elementos distanciadores
(89) están rodeados en su extremo de fijación no del lado del
sustrato por una cavidad (91), que es adecuada para compensar, al
menos en parte, las interferencias electromagnéticas, que son
provocadas por el contacto entre el elemento distanciador y el
sustrato.
11. Procedimiento para el tratamiento de
sustratos en un reactor de plasma de alta frecuencia (1, 20) según
las reivindicaciones 1 a 10, con las siguientes etapas:
- -
- disposición de al menos un sustrato (15, 35', 65) entre dos electrodos (3, 5) en un plano general (15a) en un espacio interior de proceso (13),
- -
- circulación de un gas reactivo dentro del reactor,
- -
- conexión de al menos un generador de alta frecuencia (9) en al menos uno de los electrodos (3, 5), en un punto de conexión (9a),
- -
- generación de una descarga de plasma en al menos una zona del espacio interior de proceso (13), de manera que el sustrato es expuesto a la descarga de plasma,
caracterizado porque
- -
- el generador de alta frecuencia es accionado a una frecuencia por encima de 10 MHz,
- -
- el sustrato presenta una superficie mayor que 0,5 m^{2},
- -
- y la dilatación máxima de la superficie del sustrato, que está expuesta a la descarga de plasma, es mayor que 0,7 m,
para generar perfiles de distribución
predeterminados, especialmente para la compensación de una
inhomogeneidad del proceso en el reactor.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1466/99 | 1999-08-10 | ||
| CH146699 | 1999-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2324391T3 true ES2324391T3 (es) | 2009-08-06 |
Family
ID=4211146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES00947729T Expired - Lifetime ES2324391T3 (es) | 1999-08-10 | 2000-08-08 | Reactor de plasma para el tratamiento de sustratos de gran superficie. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6228438B1 (es) |
| EP (2) | EP1208583B1 (es) |
| JP (1) | JP4833469B2 (es) |
| KR (1) | KR100792314B1 (es) |
| AT (1) | ATE430376T1 (es) |
| DE (1) | DE50015635D1 (es) |
| ES (1) | ES2324391T3 (es) |
| HK (1) | HK1046774B (es) |
| TW (1) | TW478296B (es) |
| WO (1) | WO2001011658A1 (es) |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3595853B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-12-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| US20050061445A1 (en) * | 1999-05-06 | 2005-03-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| EP1193746B1 (en) | 1999-05-06 | 2009-12-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing |
| JP4454781B2 (ja) * | 2000-04-18 | 2010-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6502530B1 (en) | 2000-04-26 | 2003-01-07 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor |
| EP1162646A3 (en) * | 2000-06-06 | 2004-10-13 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma treatment apparatus and method |
| DE10134513A1 (de) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Unaxis Balzers Ag | Hebe-und Stützvorichtung |
| US20040009667A1 (en) * | 2002-02-07 | 2004-01-15 | Etsuo Iijima | Etching method |
| CN101477944B (zh) * | 2003-02-03 | 2010-10-20 | 日本奥特克株式会社 | 等离子体处理装置及其使用的电极和电极制造方法 |
| JP5317992B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2013-10-16 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
| JP4472372B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
| US7595096B2 (en) | 2003-07-30 | 2009-09-29 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method of manufacturing vacuum plasma treated workpieces |
| KR101202151B1 (ko) * | 2003-09-10 | 2012-11-15 | 외를리콘 솔라 아게, 트뤼프바흐 | 직사각형 대면적 기판 처리용 고주파 플라즈마 반응기의전압 불균일성 보상 방법 |
| JP4707959B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2011-06-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20050233092A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films |
| US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| US7785672B2 (en) * | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| CH706979B1 (en) * | 2004-04-30 | 2014-03-31 | Tel Solar Ag | Method for producing a disc-shaped workpiece based on a dielectric substrate and vacuum treatment plant therefor. |
| JP4553247B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7449220B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-11-11 | Oc Oerlikon Blazers Ag | Method for manufacturing a plate-shaped workpiece |
| US20060005771A1 (en) * | 2004-07-12 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes |
| US8074599B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
| US8328939B2 (en) * | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
| US7429410B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
| EP1689216A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek (Vito) | Atmospheric-pressure plasma jet |
| US7560144B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-07-14 | Asm Japan K.K. | Method of stabilizing film quality of low-dielectric constant film |
| US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
| US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
| US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
| US7941039B1 (en) | 2005-07-18 | 2011-05-10 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal heat transfer and temperature control |
| US7588668B2 (en) | 2005-09-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers |
| US20070056845A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone sputtering target created through conductive and insulation bonding |
| US20070056843A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
| US7895970B2 (en) * | 2005-09-29 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component |
| US7525787B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-04-28 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck assembly with dielectric material and/or cavity having varying thickness, profile and/or shape, method of use and apparatus incorporating same |
| US20070102399A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, control program and computer-readable storage medium |
| US20070215284A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode assembly for plasma processing apparatus |
| US8008596B2 (en) * | 2006-03-16 | 2011-08-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode used therein |
| JP4863743B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2012-01-25 | 日本碍子株式会社 | プラズマ発生電極、プラズマ反応器及び排ガス浄化装置 |
| DE102006028977B4 (de) * | 2006-06-23 | 2012-04-12 | Qimonda Ag | Sputterdepositions-Vorrichtung |
| JP5125024B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
| US20080041312A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Shoichiro Matsuyama | Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus |
| US8741098B2 (en) * | 2006-08-10 | 2014-06-03 | Tokyo Electron Limited | Table for use in plasma processing system and plasma processing system |
| US7976671B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
| US9218944B2 (en) * | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
| US20080099450A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution |
| US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
| US8002946B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
| US7967930B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
| US8012366B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
| US8017029B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
| US7960297B1 (en) | 2006-12-07 | 2011-06-14 | Novellus Systems, Inc. | Load lock design for rapid wafer heating |
| US7959735B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-06-14 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with insulative inserts |
| JP5029089B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
| US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
| US7935393B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-05-03 | Tokyo Electron Limited | Method and system for improving sidewall coverage in a deposition system |
| CN101919022B (zh) * | 2007-10-01 | 2012-12-05 | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) | 活性膜的沉积 |
| US8052419B1 (en) | 2007-11-08 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
| JP2009123929A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US8033769B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-10-11 | Novellus Systems, Inc. | Loadlock designs and methods for using same |
| US7674723B2 (en) * | 2008-02-06 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation using an electrode with edge-effect suppression by a downwardly curving edge |
| US20090236214A1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Karthik Janakiraman | Tunable ground planes in plasma chambers |
| US8097082B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-01-17 | Applied Materials, Inc. | Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber |
| WO2009133189A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Plasma processing apparatus and method for the plasma processing of substrates |
| US8288288B1 (en) | 2008-06-16 | 2012-10-16 | Novellus Systems, Inc. | Transferring heat in loadlocks |
| US8501528B2 (en) * | 2008-10-01 | 2013-08-06 | Tel Solar Ag | Radiofrequency plasma reactor and method for manufacturing vacuum process treated substrates |
| US8033771B1 (en) | 2008-12-11 | 2011-10-11 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
| US10896842B2 (en) * | 2009-10-20 | 2021-01-19 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of sample table |
| JP5628507B2 (ja) * | 2009-10-20 | 2014-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 試料台及びマイクロ波プラズマ処理装置 |
| DE102009044496B4 (de) * | 2009-11-11 | 2023-11-02 | Muegge Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen |
| JP5606063B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5674328B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極及びプラズマ処理装置 |
| KR101157204B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-06-20 | 주식회사 테라세미콘 | 플라즈마 처리 장치 |
| US20130052369A1 (en) | 2010-05-06 | 2013-02-28 | Oerlikon Solar Ag, Truebbach | Plasma reactor |
| JP5809396B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP5597456B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘電体の厚さ設定方法、及び電極に設けられた誘電体を備える基板処理装置 |
| TWI405867B (zh) * | 2010-07-16 | 2013-08-21 | Asiatree Technology Co Ltd | 薄膜沈積裝置 |
| JP5576738B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-08-20 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP5650479B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極及びプラズマ処理装置 |
| KR101196422B1 (ko) * | 2011-02-22 | 2012-11-01 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| CN102306602A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-01-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电极固定结构 |
| KR20190132561A (ko) | 2012-01-06 | 2019-11-27 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 적응형 열 교환 방법 및 균일한 열 교환을 위한 시스템 |
| JP6012995B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US20130333616A1 (en) | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Tel Solar Ag | Plasma processing system with movable chamber housing parts |
| US20130340941A1 (en) * | 2012-06-20 | 2013-12-26 | Tel Solar Ag | Lens offset |
| JP6068849B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2017-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極、及びプラズマ処理装置 |
| CN102851653A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-02 | 福建铂阳精工设备有限公司 | 大面积薄膜沉积设备 |
| JP6207880B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US20140138030A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Tokyo Electron Limited | Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density |
| US10593521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma etch operations |
| US9355821B2 (en) * | 2013-06-19 | 2016-05-31 | Institute Of Nuclear Energy Research Atomic Energy Council, Executive Yuan | Large-area plasma generating apparatus |
| JP2015170828A (ja) | 2014-03-11 | 2015-09-28 | 富士フイルム株式会社 | プラズマエッチング方法およびパターン化基板の製造方法 |
| SG11201608640QA (en) * | 2014-05-16 | 2016-11-29 | Applied Materials Inc | Showerhead design |
| JP5814430B2 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用電極 |
| JP2017045714A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | 高周波誘電加熱方法 |
| US10340171B2 (en) | 2016-05-18 | 2019-07-02 | Lam Research Corporation | Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds |
| US11069553B2 (en) * | 2016-07-07 | 2021-07-20 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| US10910195B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-02-02 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
| JP6611750B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-11-27 | 富士フイルム株式会社 | プラズマ生成装置 |
| EP3399545B1 (en) | 2017-05-04 | 2021-09-29 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Substrate treatment system |
| TWI733021B (zh) * | 2017-05-15 | 2021-07-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 電漿源組件、處理腔室與處理基板的方法 |
| JP6768946B2 (ja) * | 2017-10-17 | 2020-10-14 | 株式会社アルバック | 被処理体の処理装置 |
| KR102456063B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-10-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 수직 플라즈마 소스로부터의 개선된 플라즈마 노출을 위한 성형된 전극들 |
| US11410867B2 (en) * | 2018-07-30 | 2022-08-09 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
| CN109246919B (zh) * | 2018-10-24 | 2023-09-12 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 一种可变形电极及其应用设备、使用方法 |
| JP7184254B2 (ja) | 2018-12-06 | 2022-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP7141061B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2022-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP7308498B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2023-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法 |
| KR102604045B1 (ko) | 2018-12-06 | 2023-11-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 하부 스테이지 |
| JP7125058B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2022-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法 |
| JP2020092033A (ja) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR102841826B1 (ko) | 2020-12-16 | 2025-08-04 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 프로세싱을 위한 정전 척을 포함하는 반도체 공정 설비 |
| US11705312B2 (en) | 2020-12-26 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Vertically adjustable plasma source |
| US20230207280A1 (en) * | 2021-12-29 | 2023-06-29 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| KR102753526B1 (ko) * | 2021-12-29 | 2025-01-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| TWI871541B (zh) * | 2022-11-11 | 2025-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 半導體元件的鈍化設備及鈍化方法 |
Family Cites Families (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1544172A (en) | 1976-03-03 | 1979-04-11 | Int Plasma Corp | Gas plasma reactor and process |
| SE444526B (sv) * | 1978-01-23 | 1986-04-21 | Western Electric Co | Sett att i lege och plan placera en substratbricka |
| US4312575A (en) * | 1979-09-18 | 1982-01-26 | Peyman Gholam A | Soft corneal contact lens with tightly cross-linked polymer coating and method of making same |
| US4297162A (en) * | 1979-10-17 | 1981-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etching using improved electrode |
| US4425210A (en) | 1980-11-04 | 1984-01-10 | Fazlin Fazal A | Plasma desmearing apparatus and method |
| US4400235A (en) * | 1982-03-25 | 1983-08-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Etching apparatus and method |
| JPS59205719A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH0616384B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1994-03-02 | 日本電信電話株式会社 | マイクロ波イオン源 |
| JPS61238981A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Ulvac Corp | 高周波エツチングの均一化方法 |
| JPH0697674B2 (ja) * | 1986-02-19 | 1994-11-30 | キヤノン株式会社 | ボ−ル接触型ウエハチヤツク |
| DE3854792D1 (de) | 1987-02-24 | 1996-02-01 | Ibm | Plasmareaktor |
| KR970003885B1 (ko) * | 1987-12-25 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 및 그 장치 |
| JPH0314228A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Nec Corp | プラズマ処理装置 |
| US5210466A (en) * | 1989-10-03 | 1993-05-11 | Applied Materials, Inc. | VHF/UHF reactor system |
| JP3063769B2 (ja) * | 1990-07-17 | 2000-07-12 | イーシー化学株式会社 | 大気圧プラズマ表面処理法 |
| TW221318B (es) * | 1990-07-31 | 1994-02-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5143748A (en) * | 1990-10-26 | 1992-09-01 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Timber surface improving treatment process |
| JPH04276067A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属プラズマ源 |
| US5244730A (en) * | 1991-04-30 | 1993-09-14 | International Business Machines Corporation | Plasma deposition of fluorocarbon |
| US5234526A (en) | 1991-05-24 | 1993-08-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
| DE4126216B4 (de) * | 1991-08-08 | 2004-03-11 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Vorrichtung für Dünnschichtverfahren zur Behandlung großflächiger Substrate |
| US5236636A (en) * | 1991-10-07 | 1993-08-17 | Ford Motor Company | In-mold plasma treatment |
| GB2261396B (en) | 1991-11-13 | 1995-02-08 | Leybold Ag | A device for large-area ion etching |
| US5292394A (en) * | 1991-11-13 | 1994-03-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for large-area ionic etching |
| JP2758755B2 (ja) * | 1991-12-11 | 1998-05-28 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置及び方法 |
| NL194848C (nl) * | 1992-06-01 | 2003-04-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. |
| US5306985A (en) | 1992-07-17 | 1994-04-26 | Sematech, Inc. | ECR apparatus with magnetic coil for plasma refractive index control |
| US5478429A (en) * | 1993-01-20 | 1995-12-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
| US5439524A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US5938854A (en) * | 1993-05-28 | 1999-08-17 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure |
| JP3219546B2 (ja) * | 1993-06-17 | 2001-10-15 | 三菱化学株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物 |
| JPH0758083A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-03-03 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| KR100302167B1 (ko) * | 1993-11-05 | 2001-11-22 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법 |
| US5565036A (en) * | 1994-01-19 | 1996-10-15 | Tel America, Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
| US5628869A (en) * | 1994-05-09 | 1997-05-13 | Lsi Logic Corporation | Plasma enhanced chemical vapor reactor with shaped electrodes |
| JPH08130207A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5589737A (en) * | 1994-12-06 | 1996-12-31 | Lam Research Corporation | Plasma processor for large workpieces |
| JPH08186094A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH08250488A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-09-27 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
| JP3220619B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
| CA2197978A1 (en) * | 1995-06-19 | 1996-12-20 | Paul D. Spence | Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith |
| US5653812A (en) * | 1995-09-26 | 1997-08-05 | Monsanto Company | Method and apparatus for deposition of diamond-like carbon coatings on drills |
| JP3238082B2 (ja) * | 1996-05-16 | 2001-12-10 | シャープ株式会社 | 電子デバイス製造装置 |
| JP3224011B2 (ja) * | 1996-05-23 | 2001-10-29 | シャープ株式会社 | プラズマ励起化学蒸着装置及びプラズマエッチング装置 |
| KR100252210B1 (ko) * | 1996-12-24 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 건식식각장치 |
| JP4146905B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2008-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6177023B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-01-23 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for electrostatically maintaining substrate flatness |
| KR100279963B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체소자제조용가스디퓨져및이를설치한반응로 |
| JP4130255B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2008-08-06 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP3595853B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-12-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
-
1999
- 1999-09-22 US US09/401,158 patent/US6228438B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-07 TW TW089115856A patent/TW478296B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-08 WO PCT/CH2000/000419 patent/WO2001011658A1/de not_active Ceased
- 2000-08-08 AT AT00947729T patent/ATE430376T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-08 EP EP00947729A patent/EP1208583B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-08 EP EP09002513A patent/EP2075822A3/de not_active Withdrawn
- 2000-08-08 HK HK02108376.5A patent/HK1046774B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-08 ES ES00947729T patent/ES2324391T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-08 KR KR1020027001426A patent/KR100792314B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-08 JP JP2001516221A patent/JP4833469B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-08 DE DE50015635T patent/DE50015635D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-03 US US09/824,936 patent/US20010023742A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-03-27 US US11/691,593 patent/US7661388B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-16 US US11/872,957 patent/US7784426B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE430376T1 (de) | 2009-05-15 |
| EP1208583B1 (de) | 2009-04-29 |
| JP4833469B2 (ja) | 2011-12-07 |
| TW478296B (en) | 2002-03-01 |
| EP2075822A3 (de) | 2009-08-05 |
| US20010023742A1 (en) | 2001-09-27 |
| KR20020029741A (ko) | 2002-04-19 |
| HK1046774B (zh) | 2009-08-28 |
| DE50015635D1 (en) | 2009-06-10 |
| US20080184934A1 (en) | 2008-08-07 |
| US7661388B2 (en) | 2010-02-16 |
| US20070283888A1 (en) | 2007-12-13 |
| HK1046774A1 (zh) | 2003-01-24 |
| KR100792314B1 (ko) | 2008-01-07 |
| WO2001011658A1 (de) | 2001-02-15 |
| US7784426B2 (en) | 2010-08-31 |
| JP2003506889A (ja) | 2003-02-18 |
| US6228438B1 (en) | 2001-05-08 |
| EP2075822A2 (de) | 2009-07-01 |
| EP1208583A1 (de) | 2002-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2324391T3 (es) | Reactor de plasma para el tratamiento de sustratos de gran superficie. | |
| KR101451244B1 (ko) | 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
| ES2287755T3 (es) | Metodo de compensacion de falta de uniformidad de tension para un reactor de plasma de alta frecuencia para el tratamiento de sustratos de gran area rectangular. | |
| TWI519213B (zh) | 基板處理裝置 | |
| KR101117150B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법 | |
| US20110315320A1 (en) | Gas distributing device and substrate processing apparatus including the same | |
| US20090165722A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
| US20110214812A1 (en) | Gas distributing means and substrate processing apparatus including the same | |
| US9398732B2 (en) | Power supplying means having shielding means for feeding line and substrate processing apparatus including the same | |
| KR101420709B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
| WO2010036489A2 (en) | Microwave plasma containment shield shaping | |
| KR101468730B1 (ko) | 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기 | |
| TWI455653B (zh) | 用於處理基板之電漿反應器 | |
| KR101587053B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101775361B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| US20240266148A1 (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| US20110303363A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR20090079696A (ko) | 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치 | |
| US12381067B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20110090132A (ko) | 가변형 용량 결합 전극을 구비한 플라즈마 반응기 | |
| KR100785404B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리장치와 방법 | |
| KR101278972B1 (ko) | 축전 결합 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치 | |
| KR20100120602A (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| KR101087491B1 (ko) | 가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 | |
| KR20060003591A (ko) | 다수의 돌출부를 가지는 플라즈마 전극을 포함하는플라즈마 공정장치 |